Igbt расшифровка: IGBT транзистор. Принцип работы и применение.

IGBT транзисторы от ON Semiconductor

7 декабря 2012

ON Semiconductor — широко известный производитель высококачественных полупроводниковых решений с отличным соотношением характеристик и цены. Компэл, являясь официальным дистрибьютором ON Semiсonductor, объявляет о расширении складской номенклатуры IGBT транзисторов от ON Semiconductor.

Стоит отметить, что до сих пор на российском рынке IGBT транзисторы от ON Semiconductor были малоизвестны, но благодаря высокому качеству и отличным характеристикам при невысокой цене, они могут составить серьезную конкуренцию распространенным IGBT.

IGBT транзисторы от ON Semiconductor представлены в диапазоне допустимого напряжения «коллектор-эмиттер» от 350 до 1200 вольт и максимальным током коллектора от 15 и до 150 А.

Расшифровка наименований IGBT-транзисторов

•••

О компании ON Semiconductor

ON Semiconductor основана в 1999 как Spin-off компании Motorola Semiconductor.

Первоначальная специализация: аналоговые ИС, логические ИС, дискреты, ИС управления электропитанием, интегральные источники питания. (Микроконтроллерный и процессорный бизнес Motorola отошел другому Spin-off – компании Freescale). Первое же приобретение 2000 года – Cherry Semiconductor, производитель ИС для автомобильной электроники и бортового питания – обозначило одно из ключевых направлений развития ON Semi. …читать далее

Товары

org/Product” data-pid=”USxb”> org/Product” data-pid=”vMZK”> org/Product” data-pid=”vfUf”>

Наименование
NGD18N45CLBT4G (LTL)
NGTB15N120FL2WG (ONS)
NGTB20N120IHSWG (ONS)
NGTB25N120FL3WG (ONS)
NGTB30N120IHLWG (ONS)
NGTB30N120IHSWG (ONS)
NGTB30N120L2WG (ONS)
NGTB30N60IHLWG (ONS)
NGTB40N120FLWG (ONS)
NGTB40N120IHLWG (ONS)
NGTB40N120LWG (ONS)
NGTB40N60IHLWG (ONS)
NGTB50N60FLWG (ONS)
NGTG50N60FLWG (ONS)
TIG067SS-TL-2W (ONS)
NGB15N41ACLT4G (ONS)
NGB18N40ACLBT4G (LTL)
NGB8202ANT4G (ONS)

Поиск по параметрам

IGBT транзисторы от ON Semiconductor

IGBT транзисторы GT производства Toshiba для встроенных вспышек цифровых фотоаппаратов, зеркальных фотокамер

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) могут коммутировать большие токи. Требует меньшего количества компонентов для схемы вспышки (по сравнению со схемами с управлением на тиристорах). Могут работать с напряжением управления от 2.5 до 4.0 Вольт, что позволяет их использовать в компактных фотокамерах с общим напряжением питания 3.3 – 5 Вольт.

Компания Toshiba выпускает компактные IGBT отличающие низким напряжением управления, которые широко используются во встроенных фотовспышках компактных цифровых фотоаппаратах и зеркальных фотокамерах.

В некоторых типах транзисторов может быть включен стабилитрон между затвором и эмиттером для того чтобы обеспечить защиту от статического напряжения (ESD).

Типовая схема фотовспышки фотоаппарата с общим напряжением питания 3.3 Вольта

Рис.2 Типовая схема фотовспышки фотоаппарата с общим напряжением питания 3.3 Вольта, где в качестве регулирующего элемента энергией импульса лампы вспышки используется биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) типа GT8G134 производства Toshiba.

Характеристики транзисторов GT с общим напряжением питания схемы 3.3 Вольта

Part number	Vces/Ic	Gate Drive Voltage Min (V)	VCE(sat) (V)		PC (W) Ta = 25˚C	Package	Board Connection
			Typ.	VGE / Ic
GT5G133	400V / 130A	2. 5	3.0	2.5V / 130A	0.83	TSON-8	1
GT8G136	400V / 150A	3	3.5	3V / 150A	1.1	TSSOP-8	2
GT8G134	400V / 150A	2.5	3.4	2.5V / 150A	1.1	TSSOP-8	2

Характеристики транзисторов GT с общим напряжением питания схемы 5 Вольт

Part number	Vces/Ic	Gate Drive Voltage Min (V)	VCE(sat) (V)		PC (W) Ta = 25˚C	Package	Board Connection
			Typ.	VGE / Ic
GT8G132	400V / 150A	4	2.3	4V / 130A	1.1	SOP-8	1
GT8G133	400V / 150A	4	2.9	4V / 150A	1.1	TSSOP-8	1
GT10G131	400V / 200A	4	2.3	4V / 200A	1.9	SOP-8	1

Назначение выводов цоколевка

Краткие характеристики IGBT транзисторы для вспышек производства Toshiba снятых с производства

Part number	Absolute Maximum Ratings		Package
	Vces (V)	IC (A) DC
GT5G101	400	130 (pulsed)	NPM
GT5G102	400	130 (pulsed)	DP
GT5G103	400	130 (pulsed)	DP
GT8G101	400	130 (pulsed)	NPM
GT8G102	400	150 (pulsed)	NPM
GT8G103	400	150 (pulsed)	DP
GT8G121	400	150 (pulsed)	DP
GT10G101	400	130 (pulsed)	TO-220NIS
GT10G102	400	130 (pulsed)	TO-220NIS
GT15G101	400	170 (pulsed)	TO-220NIS
GT20G101	400	130 (pulsed)	TO-220FL
GT20G102	400	130 (pulsed)	TO-220FL
GT25G101	400	170 (pulsed)	TO-220FL
GT25G102	400	150 (pulsed)	TO-220FL
GT50G101	400	100 (pulsed)	TO-3P(N)
GT50G102	400	100 (pulsed)	TO-3P(N)
GT75G101	400	170 (pulsed)	TO-3P(N)

Расшифровка маркировки тарнзисторов GT для фотовспышек

1) Discrete IGBT.
2) Collector current rating (DC).
3) Voltage rating (см. таблицу ниже).
4) 1: N-channel; 2: P-channel; 3: N-channel with built-in freewheeling diode.
5) Serial number.
6) Version.

Letter	Voltage (V)	Letter	Voltage (V)	Letter	Voltage (V)
C	150	J	600	Q	1200
D	200	K	700	R	1300
E	250	L	800	S	1400
F	300	M	900	T	1500
G	400	N	1000	U	1600
H	500	P	1100	V	1700

См. Советские транзисторы и их зарубежные аналоги

Каталог отечественных транзисторов и микросхем

Мощный IGBT-модуль Печатная плата для копирования и исследование расшифровки чипа – Инженерно-технический

Понятно, что разработка мощного IGBT (биполярного транзистора с изолированным затвором) модуля локализации продукта! Это не только сломало ситуацию в нашей стране в долгосрочной зависимости от импортного высокопроизводительного IGBT-модуля, но и является первой отечественной обратной инновацией на основе реальных с полностью независимыми правами интеллектуальной собственности на высоковольтную мощную силовую электронику. основной компонент. Чтобы разработать модуль IGBT в нашей стране, Шэньчжэньский федеральный научно-исследовательский центр отсталых технологий был внедрен в международную передовую технологию на основе результатов исследований, копировальной платы и платы модуля IGBT серии, исследования расшифровки чипа. и поглощать технические преимущества аналогичных продуктов в стране и за рубежом на основе обратного инновационного дизайна, вторичных продуктов модернизации развития.

Важное приложение и микроинновационный проект Модуль IGBT

IGBT как ключевая часть основных частей автоматического управления и преобразования энергии, может эффективно повысить эффективность электричества и качество электроэнергии, экономя энергию более чем на 30%, широко используется в интеллектуальных сетях. , электромобили, новая энергетика, поля промышленного контроля. А на скоростном электропоезде, мощном электровозе обязательными элементами являются мощные IGBT-модули. В этом году федеральная технологическая компания (www.pcblx.com) в области электроэнергетического оборудования, автомобильной электроники, промышленного контрольного оборудования и компонентов с высоким содержанием железа, а также в других областях копировальной платы печатных плат имеет много проектов в разработке, модуль IGBT высокой мощности является его ключевым предметом исследования. Ключевые запасные части от IGBT PCB copy board обратные инновации, наша компания в целом по развитию проекта инноваций добилась отличных результатов.

Для достижения высокой мощности копировальной платы IGBT и обратного дизайна

копировальная плата печатной платы и копировальная плата печатной платы, это сопровождается применением обратного проектирования в развитии внутренней интеллектуальной собственности и подъемом новой отрасли, может сломать high-end иностранная технологическая монополия, файлы печатных плат для обратной разборки, список спецификаций, схематическая диаграмма, методы сокращения 1: 1, такие как производственный файл. В настоящее время технология достигла высокой мощности IGBT-модуля для копирования печатных плат и обратного проектирования и разработки: создание управления документами и качеством печатных плат; Компьютерная помощь перестроила схему подключения печатной платы, включая компактную внутреннюю структуру модуля конструкции, симметричную компоновку подложек DBC, оптимизацию рассеивания тепла чипа, размещение основного клеммного электрода для разумного уменьшения паразитной индуктивности; В то же время, решить электромагнитную совместимость, параллельное согласование чипов, чипы, модули, серию технических проблем потока изоляции, таких как расшифровка чипа, сварка, склеивание, вторичные, типовые испытания и рутинные более десяти рабочих процедур, достигнуто крупный прорыв индустриализации нашей страны IGBT high-end устройств.

Дизайн упаковки IGBT и производство «универсальных» услуг

Федеральная технология расшифровки чипа IGBT и технологии копирования печатных плат, является отечественным исследованием, отечественным производством, потому что технология не только имеет лабораторию обратного инжиниринга, но также имеет двойной Мягкая сертификация Завод по производству чистых вафель класса ISO 300000, может обеспечить исследования и разработки, дизайн, производство упаковки, «универсальное» обслуживание, качество продукции и технические характеристики могут достигать международного продвинутого уровня, а также «универсальный» стиль работы при покупке материалов. , производство вафель, OEM, ODM, OEM-производство материалов SMT и т. Д., Делает общие производственные затраты ниже, чем импортные продукты. Верьте, что на следующем этапе у технологической компании будет больше замечательных инновационных приложений для копирования печатных плат, которых стоит с нетерпением ждать!

Причины повреждения IGBT инвертора и методы измерения – NFlixin

1. Модуль IGBT поврежден из-за плохого рассеивания тепла
Инвертор внезапно издает звук взрыва во время работы, и внешний предохранитель сгорает. При разборке обнаружено, что модуль igbt инвертора поврежден. После тестирования соответствующих плат было обнаружено, что линия запуска IGBT была повреждена, а остальные платы оказались в норме. Когда плата инвертора была удалена, было обнаружено, что на силовой плате и плате определения тока было много масла и пыли. Откройте вентилятор радиатора инвертора и убедитесь, что радиатор также заполнен маслом и мусором и полностью блокирует канал отвода тепла инвертора. Таким образом, делается вывод, что модуль IGBT инвертора поврежден из-за плохого отвода тепла.

Процесс технического обслуживания: сначала полностью разберите инвертор, снимите радиатор канала отвода тепла, очистите радиатор сжатым воздухом и очистите внутренние структурные детали и платы инвертора. Установите модуль igbt. При установке модуля igbt устанавливайте его в соответствии с требованиями модуля. Крутящий момент умеренный. Отремонтируйте триггерную линию и последовательно установите другие устройства. После завершения установки проводится статическое тестирование. После положительного результата статического теста выполняются тест при включении и тест под нагрузкой. Пройдите нагрузочный тест и успешно завершите ремонт.
Обобщение опыта: Комплексное техническое обслуживание нескольких инверторов различных моделей и различных условий эксплуатации. Сделан вывод, что основной причиной повреждения igbt-модуля инвертора является агрессивная среда, вызывающая повреждение электронных компонентов на плате привода затвора и тепловыделение инвертора. Блокировка канала. Наиболее уязвимыми устройствами являются стабилитроны и оптопары. Проверьте, нет ли проблем с цепью привода. Сравните сопротивление каждой триггерной клеммы при выключенном питании. Включите питание, чтобы измерить форму волны напряжения на триггере. Однако некоторые инверторы невозможно включить без загрузки в модуль. В это время фиктивная нагрузка последовательно подключается к p-концу модуля, чтобы предотвратить случайное прикосновение модуля к триггерной клемме или другим линиям.
2. Простой метод измерения модуля IGBT
Дисбаланс выходного напряжения инвертора характеризуется дрожанием двигателя и нестабильной скоростью. Как правило, без опыта трудно определить, на каком диске возникла проблема. В это время инвертор может быть запущен на 2 Гц и измерен с помощью файла напряжения постоянного тока мультиметра: pu, pv, pw И значения напряжения un, vn, wn, эти 6-позиционные напряжения будут разными в это время, тогда дорога высокая, с этой дорогой проблема, а принцип можно разобрать самому. Для модулей IGBT мы вводим простейший метод измерения (профессионал не должен измерять). Наберите цифровой мультиметр в файл проверки диодов, проверьте плюс и минус между модулями IGBT c1, e1, c2 и e2 и между затвором g и e1 и e2. Характеристики диода используются для определения исправности модуля IGBT.