Igbt транзисторах параметры цена: IGBT транзисторы | купить оптом и в розницу

Войдите в свою учетную запись onsemi, чтобы просмотреть избранные Сохраненные фильтры .

Зарегистрируйтесь сейчас

Значение диапазона инвертирования

Значение диапазона инвертирования

Значение диапазона инверта

Значение диапазона инверта

Значение диапазона инвертирования

Значение диапазона инверта

Значение диапазона

Инвертировать значение диапазона

Инвертировать значение диапазона

Инвертировать значение диапазона

Загрузка. ..

Активен

235,48

D2PAK-3 / TO-263-2

Подробнее

Active

D2PAK-3 / TO-263-2

Подробнее

Active

339.37

D2PAK-3 / TO-263-2

Подробнее

Active

D2PAK- 3 / до 263-2

Подробнее

Active

TO-247-3LD

Подробнее

Последние поставки

TO-247-3LD

Подробнее

Последняя доставка

TO-247- 3LD

Подробнее

Active

TO-247-3LD

Подробнее

Последние поставки

TO-247-3LD

Подробнее

Active, Not Rec

до 247-3ld

больше

Active

-3LD

.

до 247-3LD

Подробнее

Active

до 247-3LD

Подробнее

Active

до 247-3LD

Более подробно

Active

TO-2007-3LL Подробнее

Active

TO-247-3LD

Подробнее

Active

TO-247-3LD

Подробнее

Active

до 247-3L -3ld

Подробнее

Active

TO-247-3LD

Подробнее

Active

TO-247-3LD

Подробнее

Active

TO-247-3LD

Подробнее

. Активный

TO-247-3

Подробнее

Active

TO-247-3

Подробнее

Последние поставки

to-247-3

Подробнее

Active

до-247-3

Подробнее

Последние поставки

TO-3P-3L

Подробнее

Последние поставки

TO-3P-3L

Подробнее

Последние поставки

до 3P-3L

до 3P-3L

Последние поставки

TO-3P-3L

Подробнее

Последние поставки

TO-3P-3L

Подробнее

Последние поставки

TO-3P-3L

Подробнее

Последние отгрузки

Подробнее

Последние поставки

TO-3P-3L

Подробнее

Последние поставки

TO-3P-3L

Подробнее

Последние поставки

TO-3P-3L

Детали

Последние поставки

TO-3P-3L

Подробнее

Lifetime

TO-3P-3L

Подробнее

Последние поставки

до 3P-3L

. TO-3P-3L

Подробнее

Active

TO-3P-3L

Подробнее

Последние поставки

TO-3P-3L

Подробнее

Active

TO-3P-3L

Active

TO-3P-3L

Подробнее

Последние поставки

TO-3P-3L

Подробнее

Последние поставки

TO-3P-3L

Подробнее

LifeTime

TO-3P-3L

. TO-3P-3L

Подробнее

Последние поставки

TO-3P-3L

Подробнее

Последние поставки

TO-3P-3L

.

Подробнее

Последние поставки

TO-3P-3L

Подробнее

Загрузка …

ПРИНТЕРСКОЕ ВЕРСИЯ

PDF FORMAT

Excel Format

CSV FORMAT

LOW :

393

┗

Запчасти:

412

Идет загрузка…

Привет, я пришел с миром!

Я ваш дружелюбный помощник по веб-сайтам, и я был создан, чтобы помочь вам ориентироваться на нашем веб-сайте и показать вам наши полезные функции. Я постараюсь найти то, что вам нужно!

Приятного посещения.

Фильтры

Если вы хотите удалить какой-либо фильтр, нажмите X рядом с ним. Фильтр будет удален после сохранения изменений. Вы сделали ошибку? Нажмите серую кнопку с удаленным фильтром еще раз, и он вернется.

Проверка состояния запасов

Запасы не найдены

Обратитесь в отдел продаж

Powered by

MOSFET и IGBT: характеристики, структура и анализ рынка

С появлением новых источников энергии в последние годы рыночный спрос на MOSFET и IGBT резко возрастает. Обычно используемые в качестве переключающих устройств, они широко используются в электронных схемах. MOSFET и IGBT относительно похожи по внешнему виду и параметрам характеристик. Так в чем же разница между MOSFET и IGBT?

Существует два основных типа полевых транзисторов, соответственно, JFET и МОП-транзистор .

MOSFET — полевой транзистор металл-оксид-полупроводник. Поскольку затвор этого полевого транзистора изолирован изолирующим слоем, его также называют полевым транзистором с изолированным затвором.

МОП-транзисторы также можно разделить на четыре категории:

① Режим истощения N-канала;

②Режим улучшения N-канала;

③Режим истощения P-канала;

④Режим расширения P-канала.

Типы МОП-транзисторов и обозначения цепей

Некоторые полевые МОП-транзисторы имеют внутренний диод , который является внутренним диодом, паразитным диодом или токопроводящим диодом.

Есть два объяснения роли паразитного диода.

Роль паразитного диода MOSFET состоит в том, чтобы предотвратить перенапряжение VDD, сгоревшее MOSFET. Поскольку обратный пробой диода до того, как перенапряжение вызвало повреждение МОП-транзистора, большой ток попадает непосредственно на землю, что позволяет избежать выгорания МОП-транзистора.

МОП-транзисторы обладают высоким входным сопротивлением, высокой скоростью переключения, хорошей термической стабильностью, током регулирования напряжения и другими характеристиками. В схеме полевой МОП-транзистор может использоваться в качестве усилителя, электронного переключателя и для других целей.

IGBT ( Биполярный транзистор с изолированным затвором ), представляет собой составное полупроводниковое устройство , состоящее из кристаллического триода и полевого МОП-транзистора.

Являясь новым типом электронных полупроводниковых устройств, IGBT обладает характеристиками высокого входного сопротивления, низкого энергопотребления для управления напряжением, простой схемы управления, высокого сопротивления напряжению и выдерживания сильного тока и т. д. Он широко используется в различных электронные схемы.

IGBT и условное обозначение

Условное обозначение IGBT до сих пор не унифицировано, а условное обозначение триода и MOSFET обычно заимствовано при рисовании принципиальных схем, о чем можно судить по номеру модели, отмеченному на принципиальной схеме как IGBT или MOSFET.

При этом следует также обратить внимание на то, есть ли в IGBT корпусной диод. Отсутствие отметки на схеме не обязательно означает, что ее нет. Этот диод присутствует, если специально не указано в официальных данных.

Паразитный диод

Внутренний диод внутри БТИЗ не является паразитным, а специально настроен для защиты хрупкого выдерживаемого обратного напряжения БТИЗ. Он также известен как FWD (диод свободного хода).

Определить, есть ли FWD внутри IGBT, несложно, можно с помощью мультиметра измерить полюса C и E IGBT. Если IGBT исправен, а полюса C и E измеряют бесконечное сопротивление, это означает, что IGBT не имеет внутреннего диода.

IGBT очень подходит для таких приложений, как двигатели переменного тока, инверторы, импульсные источники питания, цепи освещения, тяговые приводы и другие области.

Внутренняя структура MOSFET и IGBT показана на рисунке ниже.

внутренняя структура MOSFET и IGBT

IGBT сконструирован путем добавления дополнительного слоя к стоку MOSFET.

Идеальная эквивалентная схема IGBT показана на рисунке ниже. IGBT на самом деле представляет собой комбинацию MOSFET и транзистор триод. MOSFET имеет недостаток высокого сопротивления во включенном состоянии, но IGBT преодолевает этот недостаток, и IGBT по-прежнему имеет низкое сопротивление во включенном состоянии при высоком напряжении.

Идеальная эквивалентная схема БТИЗ

Кроме того, если БТИЗ и МОП-транзистор имеют одинаковую мощность, БТИЗ может быть медленнее, чем МОП-транзистор, поскольку у БТИЗ есть время отключения. Из-за длительного времени выключения IGBT время простоя также увеличивается, что влияет на частоту переключения.

В схеме выбор полевого МОП-транзистора или IGBT в качестве лампы переключения мощности является распространенной проблемой, с которой сталкиваются инженеры. Исходя из напряжения системы, тока, мощности переключения и других факторов, мы можем резюмировать следующие моменты.

Характеристики применения MOSFET и IGBT

Из следующей таблицы также можно увидеть условия использования обоих. Заштрихованная область означает, что можно выбрать MOSFET и IGBT, “?” указывает, что текущий процесс еще не может достичь уровня.

Общие области применения MOSFET и IGBT

В целом, MOSFET имеют хорошие высокочастотные характеристики. Его рабочая частота может достигать сотен кГц или даже МГц. Недостатком является то, что сопротивление в открытом состоянии велико, а потребляемая мощность велика в ситуациях высокого напряжения и сильного тока. 100 кГц – это почти лучший рабочий предел IGBT. IGBT имеет отличные характеристики в случаях низкой частоты и высокой мощности. Сопротивление во включенном состоянии мало, а выдерживаемое напряжение высокое.

Наконец, если электронные компоненты должны выполнять высокоскоростное переключение, МОП-транзисторы имеют абсолютное преимущество, в основном из-за интеграции BJT IGBT. У самого BJT есть проблема со временем хранения заряда, то есть во время выключения требуется больше времени, в результате чего невозможно выполнить высокоскоростное переключение.

МОП-транзисторы используются в импульсных источниках питания, балластах, высокочастотном индукционном нагреве, высокочастотных инверторных сварочных аппаратах, источниках питания связи, портативных аккумуляторных батареях и других высокочастотных источниках питания; IGBT используются в сварочных аппаратах, инверторах, инверторах, гальванических электролитических источниках питания, сверхзвуковом индукционном нагреве, электродвигателях, автомобильных аккумуляторных батареях и других областях.

MOSFET и IGBT являются электронными компонентами с высокой частотой использования. Они очень похожи по внешнему виду и статическим параметрам. Некоторые электронные продукты имеют технологическую монополию, и иногда их модели стираются в схеме. В настоящее время до сих пор не существует единого стандарта наименования MOSFET и IGBT. И их внешний вид и расположение штифтов схожи. Как различать и судить становится необходимым средством.

Идентификация демпфированного IGBT типа NPN и усовершенствованной N-канальной MOMS-лампы: демпфированный IGBT-транзистор NPN типа и усовершенствованная N-канальная MOMS-лампа имеют одинаковое положение затвора. Полюс C IGBT соответствует полюсу D лампы MODS. Положение полюса e IGBT соответствует положению полюса S лампы MODS. Оценивать и различать хорошее и плохое можно с помощью динамических и статических методов измерения.

Сначала мы замкнем накоротко контакты двух трубок, чтобы снять статическое электричество.

Имеется соединение PN между полюсами D и S MOSFET. Прямая проводимость и обратный конец. Итак, Rgd=Rgs=Rds=бесконечность, Rsd=несколько тысяч Ом.

Сопротивление от полюса G к полюсам c и e IGBT должно быть бесконечным, т. е. Rgc=Rge=бесконечность, и между IGBT имеется демпфирующий диод, поэтому он имеет характеристики обратного отсечки однонаправленной проводимости, что is, Rce=бесконечность, Rec= несколько тысяч Ом.

Отсюда вы можете использовать файл сопротивления мультиметра только для оценки качества трубки, но вы не можете сказать, что это за трубка. Измеренное значение сопротивления очень мало, что указывает на поломку трубки, а измеренное значение сопротивления очень велико, что указывает на то, что внутренняя цепь трубки разомкнута.

Сначала с помощью мультиметра подайте напряжение на сетку трубки, чтобы полевая трубка установила канал. Затем измерьте сопротивление между D, S и c, e и различайте MOSFET и IGBT по разнице сопротивлений.

Используйте профиль сопротивления мультиметра для измерения сопротивления между D, S, c и e двух трубок. Поскольку трубка с полевым эффектом уже установила канал, Rds=Rsd≈0. Сопротивление Rce находится между Rce, сопротивлением транзистора в открытом состоянии в усиленном состоянии, и Rec — сопротивлением внутреннего демпфирующего диода во включенном состоянии, оба из которых составляют несколько тысяч Ом.

Таким образом, согласно измерению, степень проводимости двух ламп различна, а значение сопротивления между D и S MOSFET намного меньше, чем значение сопротивления между IGBTc и e, поэтому можно различить MOS и IGBT.

Power Полупроводники являются основой преобразования электроэнергии и управления цепями в электронных устройствах. Они в основном используются для изменения напряжения и частоты в электронных устройствах, а также для преобразования постоянного тока в переменный и т. д.

Силовые полупроводники можно разделить на две категории: силовые дискретные и силовые интегральные схемы (силовые ИС).

MOSFET и IGBT в основном используются для преобразования тока, генерируемого оборудованием для производства электроэнергии с различными напряжениями и частотами, в токи с определенными электрическими параметрами посредством последовательного преобразования и модуляции для питания различных оконечных электронных устройств.

На мировом рынке силовых полупроводников наибольшая доля приходится на промышленный контроль, на который приходится 34%, за ними следуют автомобильный сектор и сектор связи, на которые приходится по 23% каждый, на бытовую электронику приходится 20%.

В последние годы область применения силовых полупроводников расширилась от промышленного управления и бытовой электроники до новых источников энергии, железнодорожного транспорта, интеллектуальных сетей, инверторной бытовой техники и других рынков. По прогнозу IHS Markit, объем мирового рынка силовых компонентов в 2018 году составит около 390,1 миллиарда долларов США. Предполагается, что объем рынка вырастет до 44,1 миллиарда долларов США в 2021 году, а совокупный годовой темп роста составит 4,1 %.

IC Insights отмечает, что среди различных типов полупроводниковых силовых компонентов наиболее многообещающими продуктами в будущем будут MOSFET и IGBT модули.

MOSFET – это полевой кристалл, который можно широко использовать в аналоговых и цифровых схемах, с такими преимуществами, как низкое сопротивление во включенном состоянии, низкие потери, простая схема управления, хорошие характеристики теплового сопротивления.

В 2016 году объем мирового рынка полевых МОП-транзисторов достиг 6,2 млрд долларов, и предполагается, что к 2022 году объем мирового рынка полевых МОП-транзисторов приблизится к 7,5 млрд долларов, а совокупный годовой темп роста достигнет 3,4% в среднем.

IGBT представляет собой сложное полупроводниковое силовое устройство, состоящее из транзистора с двойным несущим переходом (BJT) и полевого МОП-транзистора. Обладая преимуществами высокого входного сопротивления MOSFET и низкого сопротивления BJT, IGBT идеально подходят для систем переменного тока с напряжением постоянного тока 600 В и выше, таких как двигатели переменного тока, инверторы, импульсные источники питания, цепи освещения, тяговые приводы, и т. д.

Источник: IHS, Secondary, MOSFET и IGBT по стоимости (млрд долл. США)

Поскольку требования потребителей к эффективности зарядки постепенно возрастают, зарядка мобильных телефонов имеет режим быстрой зарядки, что означает Зарядка мощности может быть достигнута за счет увеличения напряжения. Однако высокие напряжения имеют проблемы с безопасностью и должны быть отрегулированы путем добавления выпрямительных МОП-транзисторов.

Позже появился более безопасный режим мгновенной зарядки, в основном для достижения высокоскоростной зарядки за счет низкого напряжения и высокого тока, что предъявляло более высокие требования к МОП-транзисторам с синхронным выпрямлением.

С другой стороны, это изменения в автомобильной промышленности. В настоящее время развитие автомобильной промышленности перешло от традиционных автомобилей к электромобилям. Крупнейшим бенефициаром роста производства автомобильной электроники являются силовые полупроводники. В транспортных средствах с традиционным топливом силовые полупроводники в основном используются в таких областях, как запуск, остановка и безопасность, что составляет всего 20%. В соответствии с традиционным автомобилем стоимость силового компонента составляет около 70 долларов США, исходя из стоимости полупроводникового велосипеда в 350 долларов США.