Irf 510: IRF510PBF, Транзистор, N-канал 100В 5.6А [TO-220AB], Vishay

IRF510 характеристики транзистора, цоколевка, аналоги и datasheet

Главная » Транзисторы

Технические характеристики полевого транзистора IRF510 говорят о том, что он является мощным N-канальный (MOSFET) устройством, произведенный известной американской компанией International Rectifier (IR). У него изолированный затвор. Предназначен для применения в схемах, где имеет значение высокая скорость переключений и низкое сопротивление в открытом состоянии. Наиболее часто его можно встретить в импульсных блоках питания, приборах управления электродвигателями, ИБП. Изготавливаются различными производителями электронных компонентов по лицензии IR, используя технологию HEXFET®.

Содержание

1. Цоколевка
2. Технические данные
3. Аналоги
4. Производители

Цоколевка

У irf510 следующая распиновка. Почти все выпускающие этот транзистор компании, за редким исключением, оснащают его пластиковым корпусом ТО-220АВ, с встроенным радиатором. Если посмотреть на его маркировку, то у него имеется три жёстких вывода со следующим назначением: левый контакт — это затвор (G), посередине — сток (D), следующий — исток (S).

Технические данные

Как и все современные мощные MOSFET от IR, IRF510 обладает неплохими максимально допустимыми характеристиками. Он способен выдержать большие нагрузки, приближающиеся к предельным значениям эксплуатации. Рассмотрим их подробнее:

• напряжение между контактами стока-истока (V_DS ) — 100 В;
• рекомендуемый ток стока (I_D): при T_C до +25^ОС – 5.6 А; при T_C до +100^ОС – 4.0 А; импульсный (I_DM) – 20 А; пиковый, в лавинных условиях (I_AR) – 6 А;
• в открытом состоянии сопротивление R_DS(ON) до 0.54 Ом;
• отпирающее напряжение между затвором и истоком (V_GS) ±20 В;
• рассеиваемая мощность (P_D) до 43 Вт;
• энергия единичного импульса (E_AS) – 4.3 мДж;
• возможный импульс на восстанавливающемся диоде dv/dt – 5.0 В/нс;
• температура хранения (T_J) от — 55 до +175 °C;
• максимальная температура кристалла (T_C) до +175 °C;
• время пайки не более 10 секунд (на 1,6 мм от корпуса), при Т не более 300 °C.

International Rectifier (с 2014 г.) поглотил американский производитель радиоэлементов Infineon Technologie.

Не рекомендуется превышать указанные значения и допускать длительные периоды эксплуатации в таких режимах. В подобных тяжёлых условиях устройство в итоге быстро выйдет из строя. Это правило относится и к электрическим характеристикам irf510. Приведём их ниже.

Все данные приведены с учётом температуры окружающей среды не более 25°C, если не указано иного.

Аналоги

Для IRF510 тяжело найти полноценный аналог. В первую очередь можно порекомендовать полностью идентичную по своим параметрам модель от Vishay Siliconix — SiHF510. Это копия рассматриваемого транзистора, как по своим параметрам, так и физическим свойствам. К тому же усовершенствованная.

Конечно, существуют и другие компании, выпускавшие похожие по своим свойствам устройства, но их сейчас достаточно тяжело найти в продаже. К ним можно отнести: 2SK2399 (Toshiba), PHP6N10E (Philips), RFP2N08 (Fairchild Semiconductor ), STP7NE10 (STMicroelectronics). От российских производителей, в качестве замены, следует рассмотреть: КП510 и КП743А. Перед использованием аналогов внимательно ознакомьтесь с их даташит.

Производители

Символы IRF в названии силовой электроники известны во всем мире. Они стали де-факто стандартом в маркировке электронных компонентов от многих компаний. Так его обозначают такие производители: Fairchild Semiconductor, STMicroelectronics, Harris Company, Inchange Semiconductor, Intersil Corporation, New Jersey Semi-Conductor Products, Supertex Inc. На отечественном рынке наиболее распространены изделия выпускаемые американской Vishay Siliconix и немецкой Infineon Technologie. Выбрав ссылку c именем компании, можно скачать datasheet на транзистор IRF510.

MOSFET

характеристики, аналоги, цоколевка и datasheet

В данном разделе приведём технические характеристики MOSFET транзистора IRF510. Разработан данный полевик специально для использования там, где важна высокая скорость переключения. Например, его можно встретить в импульсных источниках питания, системах управления электродвигателями постоянного и переменного тока и в других импульсных схемах. Этим устройством можно управлять напрямую от интегральных микросхем или микроконтроллеров.

Цоколевка

Большинство компаний занимающихся выпуском данного прибора изготавливают его в корпусе ТО-220АВ. На рисунке ниже изображена цоколевка IRF510 (расположение ножек) транзистора. Здесь цифрой 1 обозначен затвор, 2 – сток, 3 – исток. Этот прибор в других корпусах не производится.

Технические характеристики IRF510

• предельно допустимое напряжение между стоком и истоком V_DS = 100 В;
• допустимое отпирающее напряжение между затвором и истоком V_GS = ±20 В;
• максимально возможный постоянный ток стока при температуре +25 ^ОС I_D = 5,6 А;
• предельно возможный пиковый (импульсный) ток стока I_DМ = 20 А;
• максимальная рассеиваемая мощность (P_D) — 43 Вт;
• температура хранения от — — 55 до +175 °C;
• максимальная температура кристалла – +175 °C;

Кроме рассмотренных выше максимально допустимых параметров, разработчику нужно также знать и электрические характеристики используемого прибора. Фирмы, выпускающие рассматриваемое нами устройство размещают их сразу после предельно допустимых. Значения, приведённые в таблице ниже, были измерены при температуре +25^ОС. Значения остальных физических величин, при которых производились измерения, приведены в отдельном столбце.

В документации от производителей можно также найти тепловые характеристики. Их нужно учитывать при выборе системы охлаждения для проектируемого устройства.

Аналоги

Транзисторы считающиеся полными аналогами IRFP260N, это те, которые подходят как по своим предельно допустимым и электрическим характеристикам, так и по расположению выводов:

• D84BL1;
• D84BL2;
• MTP4N08;
• MTP4N10.

Существуют также приборы, у которых расположение ножек полностью идентично, но имеются незначительные различия в электрических величинах. Прежде чем использовать такие устройства нужно определить в какой схеме, и для каких целях будет использоваться устройство. Список ближайших аналогов:

• RFP6P08;
• RFP6P10;
• STP7NE10.

В случае, если найти один из перечисленных выше устройств проблематично, можно попытаться заменить его на функциональный аналог. В этом случае транзисторы входят в одну функциональную группу и обладают похожими характеристиками. В таком случае, при замене, может потребуется изменить положение элемента на монтажной плате. Перечислим данные приборы:

• 2SK2399;
• RFP2N08;
• RFP2N08L;
• RFP2N10;
• RFP2N10L;
• 2SK2399.

Отечественная промышленность также выпускает похожие изделия: КП510 и КП743А.

Производители

Ниже представлен список компаний производителей и их datasheet на IRF510:

• Intersil Corporation;
• New Jersey Semi-Conductor Products;
• Harris Corporation;
• Inchange Semiconductor Company Limited;
• Supertex;
• ARTSCHIP ELECTRONICS.

На Российском рынке можно встретить продукцию таких зарубежных фирм:

• Fairchild Semiconductor;
• Vishay Siliconix.

IRF510 MOSFET Распиновка, техническое описание, эквивалент, схема и работа

20 августа 2021 – 0 комментариев

IRF510 МОП-транзистор
Распиновка IRF510

IRF510 – это силовой МОП-транзистор третьего поколения с лучшим сочетанием быстрого переключения и низкого сопротивления в открытом состоянии . Этот компонент доступен по более низкой цене. Следовательно, он широко используется в промышленности для уровень рассеиваемой мощности до 43 Вт .

IRF510 MOSFET способен выдерживать напряжение сток-исток V _DS до 100 В и непрерывный ток стока I _D до 5,6 А. Он выдерживает ток 20А в импульсном режиме и относится к корпусу ТО-220АБ. Он предназначен для приложений, требующих высокоскоростного переключения, таких как драйверы двигателей, переключающие преобразователи и регуляторы и т. д.0047

Номер контакта	Название контакта	Описание контакта
1	Ворота	Управление смещением MOSFET
2	Слив	Втекание тока через сток
3	Источник	Утечка тока через источник

 

Характеристики

• Динамический рейтинг dv/dt
• Одноимпульсный лавинный номинал
• Высокое входное сопротивление
• Линейная передаточная характеристика
• Высокая скорость переключения (в наносекундах)
• Простота параллельного соединения
• Рабочая температура до 175˚C
• Низкое тепловое сопротивление

 

Приложения

Приложения IRF510 перечислены ниже.

• ИБП (источник бесперебойного питания)
• Зарядное устройство и система управления
• Цепь драйвера двигателя
• Телекоммуникационные и компьютерные приложения
• Солнечный ИБП
• Приложения с быстрым переключением
• Импульсный преобразователь и регуляторы

 

Технические характеристики

• Полярность транзистора: N-канальный
• Напряжение сток-исток В _DS : 100 В
• Ток сток-исток I _D : 5,6 А
• Сопротивление в открытом состоянии (сопротивление сток-исток) R _DS : 0,54 Ом
• Диапазон рабочих температур: от -55°C до 175°C
• Заряд затвора Q _г : 8,3 нКл
• Напряжение затвор-исток В
  GS : ±20 В
• Максимальная рассеиваемая мощность: 43 Вт
• Максимальное напряжение, необходимое для проведения: от 2 В до 4 В
• Тип упаковки: ТО-220АБ

Примечание. Дополнительные технические характеристики можно найти в техническом описании IRF510 , прикрепленном в конце этой страницы.

IRF510 Эквивалент

IRF512, IRF120, IRF522, IRF520, IRF634, IRF532

DICALICITICIESS

212. на 7003. 9002.

Время задержки выключения t _d(off) : 15 нс

Время нарастания t _r : 16 нс

Время спада t _f : 9,4 нс

 

Моделирование

Этот МОП-транзистор представляет собой переключающее устройство, которое включается при наличии достаточного напряжения на затворе или остается в выключенном состоянии. В этом моделировании мы будем использовать IRF510 для включения светодиода. Если приложенного напряжения на затворе недостаточно для включения устройства, ток не будет проходить от стока к истоку, и светодиод останется в выключенном состоянии.

Когда напряжения на затворе достаточно для включения МОП-транзистора, загорается светодиод и ток проходит через сток к истоку.

 

2D-модель и размеры

Если вы проектируете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующее изображение из таблицы данных будет полезно, чтобы узнать тип и размеры его упаковки.

Теги

МОП-транзистор

Мощный МОП-транзистор

Обзор мосфетов в полупроводниках.

1

2N7002-7-F ДИОДЫ ВКЛ. МОП-транзистор
Номер детали: 2N7002-7-F
Производитель: DIODES INC.
Тедсс Идентификатор: 2028021120
2N7002-7-F МОП-транзистор N-канального режима расширения SOT-23

0,05 $
0,03 $ – 500 шт.
посмотреть еще

2

2N7002LT1 на полупроводниковых диодах малых сигналов
Номер детали: 2N7002LT1
Производитель: On Semiconductor
Тедсс Идентификатор: 2028021122
2N7002LT1 МОП-транзистор малого сигнала SOT-23

0,10 $
0,06 $ – 200 шт.

посмотреть еще

3

2N7002LT1 Мощный N-канальный МОП-транзистор MOTOROLA
Номер детали: 2N7002LT1
Производитель: MOTOROLA
Тедсс Идентификатор: 2028023611
Motorola 2N7002LT1 N-канальный мощный МОП-транзистор. Маленький сигнал. Тип корпуса СОТ-23-3.

0,10 $
0,026 $ – 1000 шт.
посмотреть еще

4

2N7002W-7 VISHAY N-канальный силовой МОП-транзистор
Номер детали: 2N7002W-7
Производитель: VISHAY

Тедсс Идентификатор: 2028024287
Vishay 2N7002W-7 Мощный N-канальный МОП-транзистор. 60 В 200 мВт 3-контактный SMD. Тип корпуса СОТ-323-3.

0,12 $
0,032 $ – 1000 шт.
посмотреть еще

5

407959923 СОЛЕКТРОН МОП-транзистор
Номер детали: 407959923
Производитель: SOLECTRON
Тедсс Идентификатор: 2028024863
Солектрон 407959923 Мосфет. Пластиковый корпус. ТО-263.

В наличии. Запросите цену.

6

94-2647 ИК МОП-транзистор
Номер детали: 94-2647

Производитель: IR
Тедсс Идентификатор: 2028020507
Мосфет полупроводниковый.

2,50 доллара США
1,9 доллара США9 – 100 шт.
посмотреть еще

7

ADP3412JR АНАЛОГОВЫЕ УСТРОЙСТВА Двойной драйвер MOSFET Номер детали
: ADP3412JR
Производитель: ANALOG DEVICES
Тедсс Идентификатор: 2028026694
Analog Devices ADP3412JR Драйвер для двух МОП-транзисторов. 8-контактная пластиковая микросхема. СМД. Тип корпуса SOIC-8.

$1,00
0,68 $ – 100 шт.
посмотреть еще

8

BUZ11A ST МИКРО МОП-транзистор
Номер детали: BUZ11A
Производитель: ST MICRO
Тедсс Идентификатор: 2028021691
БУЗ11А. Мосфет. ТО-220-3.

$5,00
$3,99 – 25 шт.