Irf 510: IRF510PBF, Транзистор, N-канал 100В 5.6А [TO-220AB], Vishay

IRF510 характеристики транзистора, цоколевка, аналоги и datasheet

Главная » Транзисторы

Технические характеристики полевого транзистора IRF510 говорят о том, что он является мощным N-канальный (MOSFET) устройством, произведенный известной американской компанией International Rectifier (IR). У него изолированный затвор. Предназначен для применения в схемах, где имеет значение высокая скорость переключений и низкое сопротивление в открытом состоянии. Наиболее часто его можно встретить в импульсных блоках питания, приборах управления электродвигателями, ИБП. Изготавливаются различными производителями электронных компонентов по лицензии IR, используя технологию HEXFET®.

Содержание

1. Цоколевка
2. Технические данные
3. Аналоги
4. Производители

Цоколевка

У irf510 следующая распиновка. Почти все выпускающие этот транзистор компании, за редким исключением, оснащают его пластиковым корпусом ТО-220АВ, с встроенным радиатором. Если посмотреть на его маркировку, то у него имеется три жёстких вывода со следующим назначением: левый контакт — это затвор (G), посередине — сток (D), следующий — исток (S).

Технические данные

Как и все современные мощные MOSFET от IR, IRF510 обладает неплохими максимально допустимыми характеристиками. Он способен выдержать большие нагрузки, приближающиеся к предельным значениям эксплуатации. Рассмотрим их подробнее:

• напряжение между контактами стока-истока (V_DS ) — 100 В;
• рекомендуемый ток стока (I_D): при T_C до +25^ОС – 5.6 А; при T_C до +100^ОС – 4.0 А; импульсный (I_DM) – 20 А; пиковый, в лавинных условиях (I_AR) – 6 А;
• в открытом состоянии сопротивление R_DS(ON) до 0.54 Ом;
• отпирающее напряжение между затвором и истоком (V_GS) ±20 В;
• рассеиваемая мощность (P_D) до 43 Вт;
• энергия единичного импульса (E_AS) – 4.3 мДж;
• возможный импульс на восстанавливающемся диоде dv/dt – 5.0 В/нс;
• температура хранения (T_J) от — 55 до +175 °C;
• максимальная температура кристалла (T_C) до +175 °C;
• время пайки не более 10 секунд (на 1,6 мм от корпуса), при Т не более 300 °C.

International Rectifier (с 2014 г.) поглотил американский производитель радиоэлементов Infineon Technologie.

Не рекомендуется превышать указанные значения и допускать длительные периоды эксплуатации в таких режимах. В подобных тяжёлых условиях устройство в итоге быстро выйдет из строя. Это правило относится и к электрическим характеристикам irf510. Приведём их ниже.

Все данные приведены с учётом температуры окружающей среды не более 25°C, если не указано иного.

Аналоги

Для IRF510 тяжело найти полноценный аналог. В первую очередь можно порекомендовать полностью идентичную по своим параметрам модель от Vishay Siliconix — SiHF510. Это копия рассматриваемого транзистора, как по своим параметрам, так и физическим свойствам. К тому же усовершенствованная.

Конечно, существуют и другие компании, выпускавшие похожие по своим свойствам устройства, но их сейчас достаточно тяжело найти в продаже. К ним можно отнести: 2SK2399 (Toshiba), PHP6N10E (Philips), RFP2N08 (Fairchild Semiconductor ), STP7NE10 (STMicroelectronics). От российских производителей, в качестве замены, следует рассмотреть: КП510 и КП743А. Перед использованием аналогов внимательно ознакомьтесь с их даташит.

Производители

Символы IRF в названии силовой электроники известны во всем мире. Они стали де-факто стандартом в маркировке электронных компонентов от многих компаний. Так его обозначают такие производители: Fairchild Semiconductor, STMicroelectronics, Harris Company, Inchange Semiconductor, Intersil Corporation, New Jersey Semi-Conductor Products, Supertex Inc. На отечественном рынке наиболее распространены изделия выпускаемые американской Vishay Siliconix и немецкой Infineon Technologie. Выбрав ссылку c именем компании, можно скачать datasheet на транзистор IRF510.

MOSFET

характеристики, аналоги, цоколевка и datasheet

В данном разделе приведём технические характеристики MOSFET транзистора IRF510. Разработан данный полевик специально для использования там, где важна высокая скорость переключения. Например, его можно встретить в импульсных источниках питания, системах управления электродвигателями постоянного и переменного тока и в других импульсных схемах. Этим устройством можно управлять напрямую от интегральных микросхем или микроконтроллеров.

Цоколевка

Большинство компаний занимающихся выпуском данного прибора изготавливают его в корпусе ТО-220АВ. На рисунке ниже изображена цоколевка IRF510 (расположение ножек) транзистора. Здесь цифрой 1 обозначен затвор, 2 – сток, 3 – исток. Этот прибор в других корпусах не производится.

Технические характеристики IRF510

• предельно допустимое напряжение между стоком и истоком V_DS = 100 В;
• допустимое отпирающее напряжение между затвором и истоком V_GS = ±20 В;
• максимально возможный постоянный ток стока при температуре +25^ОС I_D = 5,6 А;
• предельно возможный пиковый (импульсный) ток стока I _DМ = 20 А;
• максимальная рассеиваемая мощность (P_D) — 43 Вт;
• температура хранения от — — 55 до +175 °C;
• максимальная температура кристалла – +175 °C;

Кроме рассмотренных выше максимально допустимых параметров, разработчику нужно также знать и электрические характеристики используемого прибора. Фирмы, выпускающие рассматриваемое нами устройство размещают их сразу после предельно допустимых. Значения, приведённые в таблице ниже, были измерены при температуре +25^ОС. Значения остальных физических величин, при которых производились измерения, приведены в отдельном столбце.

В документации от производителей можно также найти тепловые характеристики. Их нужно учитывать при выборе системы охлаждения для проектируемого устройства.

Аналоги

Транзисторы считающиеся полными аналогами IRFP260N, это те, которые подходят как по своим предельно допустимым и электрическим характеристикам, так и по расположению выводов:

• D84BL1;
• D84BL2;
• MTP4N08;
• MTP4N10.

Существуют также приборы, у которых расположение ножек полностью идентично, но имеются незначительные различия в электрических величинах. Прежде чем использовать такие устройства нужно определить в какой схеме, и для каких целях будет использоваться устройство. Список ближайших аналогов:

• RFP6P08;
• RFP6P10;
• STP7NE10.

В случае, если найти один из перечисленных выше устройств проблематично, можно попытаться заменить его на функциональный аналог. В этом случае транзисторы входят в одну функциональную группу и обладают похожими характеристиками. В таком случае, при замене, может потребуется изменить положение элемента на монтажной плате. Перечислим данные приборы:

• 2SK2399;
• RFP2N08;
• RFP2N08L;
• RFP2N10;
• RFP2N10L;
• 2SK2399.

Отечественная промышленность также выпускает похожие изделия: КП510 и КП743А.

Производители

Ниже представлен список компаний производителей и их datasheet на IRF510:

• Intersil Corporation;
• New Jersey Semi-Conductor Products;
• Harris Corporation;
• Inchange Semiconductor Company Limited;
• Supertex;
• ARTSCHIP ELECTRONICS.

На Российском рынке можно встретить продукцию таких зарубежных фирм:

• Fairchild Semiconductor;
• Vishay Siliconix.

IRF510 | Джеймсо Электроникс

Наверх

Обзор

Этот силовой полевой транзистор с N-канальным улучшенным режимом с кремниевым затвором представляет собой усовершенствованный мощный полевой МОП-транзистор, разработанный, протестированный и гарантированно выдерживающий заданный уровень энергии при пробое. лавинный режим работы. Все эти мощные МОП-транзисторы предназначены для таких приложений, как импульсные стабилизаторы, импульсные преобразователи, драйверы двигателей, драйверы реле и драйверы для мощных биполярных переключающих транзисторов, требующих высокой скорости и низкой мощности привода затвора. Эти типы могут работать непосредственно от интегральных схем.

Особенности:

Наверх

Технические характеристики

Спецификация	Значение
Пакет	TO-220-3
Транзисторная полярность	N
Максимум. Максимальное напряжение источника затвора	±20V
Power Dissipation	43 W
Number of Elements per Chip	1
Maximum Forward Voltage	100VDC
Output Power	43W
Peak Non -Повторяющийся импульсный ток	20 А
Максимальный обратный ток	25 мкА
Режим канала	Расширение N-канала
Peak Reverse Recovery Time	100ns
Channel Type	N
Repetitive Peak Reverse Voltage	100VDC
Configuration	Single
Maximum Drain Source Resistance	0. 40 [ электронная почта защищена]
Категория	Мощный МОП-транзистор
Максимальный прямой ток	5,6 А
Типичное время падения	12NS
Типичный заряд затвора @ VGS	[Электронная почта защищена]
Типичный входной емкость @ VDS	[электронная почта.
Типовое время задержки выключения	15 нс
Типовое время задержки включения	8 нс
Минимальная рабочая температура	-55°C
Maximum Operating Temperature	175°C
Mounting	Through Hole
Packaging	Bulk
Pins	3
Family	IRF5
Width	4,57 мм
Высота	9,02 мм
Длина продукта	10,28 мм Тип
10,28 мм Тип
MOSFET

Сообщить о проблеме
Предложить продукт

IRF510 MOSFET Распиновка, техническое описание, эквивалент, схема и работа

20 августа 2021 – 0 комментариев

IRF510 МОП-транзистор
Распиновка IRF510

IRF510 — это силовой МОП-транзистор третьего поколения с лучшей комбинацией быстрое переключение и низкое сопротивление в открытом состоянии . Этот компонент доступен по более низкой цене. Следовательно, он широко используется в промышленных приложениях для уровней рассеивания мощности до 43 Вт .

IRF510 MOSFET способен выдерживать напряжение сток-исток V _DS до 100 В и непрерывный ток стока I

Примечание. Дополнительные технические характеристики можно найти в техническом описании IRF510, прикрепленном в конце этой страницы.