Irf630A транзистор параметры цоколевка: IRF630 транзистор характеристики, datasheet на русском, цоколевка

Транзистор IRF630: характеристики, цоколевка, аналоги

Перейти к содержанию

Search for:

Главная » Транзистор

IRF630 — N-полярный MOSFET транзистор. Конструктивное исполнение — ТО-220.

Содержание

1. Цоколевка, корпус
2. Применение
3. Основные характеристики
4. Модификации
5. Аналоги

Цоколевка, корпус

Применение

Транзистор используется в блоках питания, стабилизаторах, регуляторах, схемах управления электродвигателями и других электронных устройствах.

Основные характеристики

• Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V.
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V.
• Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V.
• Максимальная мощность рассеивания (Pd): 100 W.
• Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A.
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C.
• Общий заряд затвора (Qg): 40 nC.
• Выходная емкость (Cd): 1500 pf.
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 Ohm.

Модификации

Тип	Pd	Uds	Ugs	Ugs(th)	Tj	Cd	Id	Qg	Rds	Корпус
IRF630	100 W	200 V	20 V	4 V	150 °C	1500 pf	10 A	40 nC	0.4 Ohm	TO220
IRF630A	72 W	200 V			150 °C	500 pf	9 A		0.4 Ohm	TO220
IRF630B	72 W	200 V	30 V	4 V	150 °C		9 A		0.4 Ohm	TO220
IRF630FI	35 W	200 V	20 V		150 °C	1500 pf	6 A		0.4 Ohm	ISOWATT220
IRF630FP	30 W	200 V	20 V	4 V	150 °C		9 A	31 nC	0. 4 Ohm	TO220FP
IRF630H	75 W	200 V	20 V	4 V	150 °C	240 pf	9 A	43 nC	0.4 Ohm	TO-263
IRF630M	75 W	200 V					9 A		0.4 Ohm	TO220
IRF630MFP	30 W	200 V	20 V		150 °C	120 pf	9 A		0.4 Ohm	TO220FP
IRF630N	82 W	200 V	20 V				9.5 A	23.3 nC	0.3 Ohm	TO220AB
IRF630NL	82 W	200 V	20 V	4 V	175 °C		9.5 A	23.3 nC	0.3 Ohm	TO262
IRF630NLPBF	82 W	200 V	20 V	4 V	175 °C	89 pf	9.3 A	35 nC	0.3 Ohm	TO-262
IRF630NPBF	82 W	200 V	20 V	4 V	175 °C	89 pf	9. 3 A	35 nC	0.3 Ohm	TO-220AB
IRF630NS	82 W	200 V	20 V	4 V	175 °C		9.5 A	23.3 nC	0.3 Ohm	D2PAK
IRF630NSPBF	82 W	200 V	20 V	4 V	175 °C	89 pf	9.3 A	35 nC	0.3 Ohm	TO-263
IRF630NSTRRPBF	82 W	200 V	20 V	4 V	175 °C	89 pf	9.3 A	35 nC	0.3 Ohm	TO252
IRF630PBF	74 W	200 V	20 V	4 V	150 °C	240 pf	9 A	43 nC	0.4 Ohm	TO-220AB
IRF630S	74 W	200 V	20 V	4 V	150 °C		9 A	43 nC	0.4 Ohm	D2PAK
IRF630SPBF	74 W	200 V	20 V	4 V	150 °C	240 pf	9 A	43 nC	0. 4 Ohm	TO-263
HIRF630F	38 W	200 V	30 V		150 °C	240 pf	9 A		0.4 Ohm	TO220FP
HIRF630	74 W	200 V	30 V		150 °C	240 pf	9 A		0.4 Ohm	TO220AB

Аналоги

Тип	Pd	Uds	Ugs	Ugs(th)	Id	Tj	Qg	Tr	Cd	Rds	Корпус
IRF630	100 W	200 V	20 V	4 V	10 A	150 °C	40 nC		1500 pf	0,4 Ohm	TO220
STP30NF20	125 W	200 V	20 V	4 V	30 A	150 °C	38 nC	15,7 ns	320 pf	0,075 Ohm	TO220
STP19NM50N	110 W	500 V	25 V	4 V	14 A	150 °C	34 nC	16 ns	72 pf	0,25 Ohm	TO220
STP13N60M2	110 W	600 V	25 V	4 V	11 A	150 °C	17 nC	10 ns	32 pf	0,38 Ohm	TO‑220
NCE65T130	260 W	650 V	30 V	4 V	28 A	150 °C	37,5 nC	12 ns	120 pf	0,13 Ohm	TO220
IRFP640	125 W	200 V	20 V	4 V	18 A	150 °C		51 ns	430 pf	0,18 Ohm	TO220
IRFB5620	144 W	200 V	20 V		25 A		25 nC			0,0725 Ohm	TO220AB
IRFB4620	144 W	200 V	20 V		25 A		25 nC			0,0725 Ohm	TO220AB
IRFB4020	100 W	200 V	20 V		18 A		18 nC			0,1 Ohm	TO220AB
IRF644A	139 W	250 V			14 A	150 °C			1230 pf	0,28 Ohm	TO220
IRF640A	139 W	200 V			18 A	150 °C			1160 pf	0,18 Ohm	TO220
IPP60R199CP	139 W	600 V	20 V	3,5 V	16 A	150 °C	32 nC	5 ns	72 pf	0,199 Ohm	TO220
IPP600N25N3G	136 W	250 V	20 V	4 V	25 A	175 °C	22 nC	10 ns	112 pf	0,06 Ohm	TO220
IPP50R190CE	127 W	500 V	20 V	3,5 V	18,5 A	150 °C		8,5 ns	68 pf	0,19 Ohm	TO‑220
IPP410N30N	300 W	300 V	20 V	4 V	44 A	175 °C		9 ns	374 pf	0,041 Ohm	TO‑220
IPP320N20N3	136 W	200 V	20 V	4 V	34 A	175 °C	22 nC	9 ns	135 pf	0,032 Ohm	TO‑220
IPP220N25NFD	300 W	250 V	20 V	4 V	61 A	175 °C		10 ns	398 pf	0,022 Ohm	TO‑220
IPA50R199CP	139 W	500 V	20 V	3,5 V	17 A	150 °C	34 nC	14 ns	80 pf	0,199 Ohm	TO220FP
FCP13N60N	116 W	600 V	30 V	4 V	13 A	150 °C	30,4 nC			0,258 Ohm	TO220
BUZ61	150 W	400 V	20 V		12,5 A	150 °C				0,4 Ohm	TO‑220AB
BUZ30A	125 W	200 V	20 V	4 V	21 A	150 °C		70 ns	280 pf	0,13 Ohm	TO‑220
AOT42S60L	417 W	600 V	30 V	3,8 V	39 A	150 °C		53 ns	135 pf	0,099 Ohm	TO220
AOT11S60	178 W	600 V	30 V		11 A	150 °C		20 ns	37,3 pf	0,399 Ohm	TO‑220
18N20	110 W	200 V	30 V		18 A	150 °C		21,1 ns	81,2 pf	0,16 Ohm	TO251 TO252 TO220
18N40	360 W	400 V	30 V		18 A	150 °C		22 ns	280 pf	0,18 Ohm	TO‑247 TO‑220 TO‑220F1
18N50	277 W	500 V	30 V		18 A	150 °C		165 ns	330 pf	0,24 Ohm	TO‑3P TO‑263 TO‑220 TO‑230 TO‑220F1 TO‑220F2
15N40	170 W	400 V	30 V		15 A	150 °C		55 ns	210 pf	0,26 Ohm	TO‑220 TO‑220F1
15N50	170 W	500 V	30 V		15 A	150 °C		150 ns	250 pf	0,26 Ohm	TO‑220F2
12N40	192 W	400 V	30 V		12 A	150 °C		105 ns	900 pf	0,34 Ohm	TO‑220 TO‑220F1

В качестве отечественных аналогов могут подойти полевые транзисторы КП630 и КП737А.

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Транзистор IFR630: характеристики, datasheet и цоколевка

Согласно своим техническим характеристикам, транзистор IRF630 хорошо подходит для использования в импульсных блоках питания, преобразователях тока в постоянный или переменный, стабилизаторах, системах управления двигателями и других устройствах. Это мощный, n-канальный, полевой транзистор. Они завоевали популярность благодаря сочетанию таких качеств: быстрое переключение, надёжность, низкое сопротивления в открытом состоянии и экономическая эффективность.

Распиновка

Цоколевка транзистора IRF630 выполнена в корпусе ТО-220. Маркировка наносится сверху. Если смотреть на устройство, то слева направо будут расположены: затвор, сток, исток, как это показано на рисунке.

Предельно допустимые параметры это то, на что стоит в первую очередь обратить внимание при выборе транзистора для замены. Их превышение, так же, как и длительная эксплуатация на максимальных рабочих режимах может привести к поломке изделия. Приведём их ниже.

Характеристики IRF630

• напряжение C-И V_DS = 200 В;
• напряжение З-И V_GS = 20 В;
• ток через сток (напряжение З-И 10 В): при Т_с= +25°С – I_D = 9,0 А; при Т_с= +100°С — I_D = 5,7 А;
• пиковый ток стока I_DM = 36 А;
• к-т линейного снижения мощности 0,59 Вт/°С;
• Предельная рассеиваемая мощность (T_C = +25°С) P_D = 74 Вт;
• Максимальная температура +300°С;
• Рабочая температура (диапазон) -55°С … +150°С.

Электрические характеристики производители делят на три раздела:

• статические;
• динамические;
• канала исток-сток.

Измерения производились при температуре +25°С, если не указано иное значение. Остальные параметры, при которых производилось тестирование, указаны в отдельной колонке.

Электрические характеристики транзистора IRF630 (при Т = +25 оC)
Статические:
Наименование	Режимы измерения	Обозн.	MIN	TYP	MAX	Ед. изм
Напряжение пробоя С-И	VGS= 0 В,ID= 250 мА	VDS	200			В
Температурный к-т изменения напряжения С-И	относительно 25°C, ID = 1 мА			0,24		В/°С
Пороговое напряжение З-И	VDS= VGS, ID=250 мА	VGS(th)	2		4	В
Ток утечки затвора	VGS= ± 20 В	IGSS			±100	нА
Ток стока при нулевом напряжении затвора	VDS=200 В, VGS= 0 V	IDSS			25	мкА
	VDS=160 В, VGS=0 В, TJ= 125 °C				250	мкА
Сопротивление С-И при открытом транзисторе	VGS= 10 В, ID= 5,4 A	RDS(on)			0,4	Ом
Крутизна передаточной характеристики	VDS= 50 В, ID= 5,4 A	gfs	3,8
Динамические:
Наименование	Режимы измерения	Обозн.	MIN	TYP	MAX	Ед. изм
Входная емкость	VGS= 0 В, VDS= 25 В, f = 1,0 МГц	Ciss		800		пФ
Выходная емкость		Coss		240		пФ
Емкость З-И		Crss		76		пФ
Заряд на затворе открывающий транзистор	VGS= 10 В, ID= 5.9 A, VDS= 160 В	Qg			43	нКл
Заряд З-И	VGS= 10 В, ID= 5.9 A, V DS= 160 В	Qgs			7	нКл
Заряд З-С	VGS= 10 В, ID= 5.9 A, VDS= 160 В	Qgd			23	нКл
Время открытия транзистора	VDD=100 В, ID=5,9A, Rg=12Ом, RD=16Ом	td(on)	9,4			нс
Время нарастания импульса открытия		tr	28			нс
Время закрытия транзистора		td(off)	39			нс
Время спада импульса		tf	20			нс
Индуктивность стока		LD		4,5		нГн
Индуктивность истока		LS		7,5		нГн
Характеристики канала исток-сток:
Наименование	Режимы измерения	Обозн.	MIN	TYP	MAX	Ед. изм
Непрерывный длительный ток через истоковый диод		IS			9	А
Максимальный импульсный ток через диод		ISM			36	А
Падение напряжения на диоде	TJ= 25 °C, IS= 9,0 A, VGS= 0 В	VSD			2	В
Время обратного восстановления	TJ= 25 °C, IF= 5,9 A, dI/dt = 100 A/мкС	trr		170	340
Заряд восстановления		Qrr		1,1	2,2

Аналоги

Перечислим полевые транзисторы, которые совпадают с IRF630 как по характеристикам, так и по типу корпуса:

• 2SK2134;
• BUZ32;
• BUZ73;
• FQP10N20;
• FQP630;
• FQP7N20.

Можно также попробовать заменить на следующие устройства, близкие по многим характеристикам, но все же имеющими небольшие отличия:

• FQP7N20;
• FQP630.

Наиболее близкие отечественные аналоги: КП630 и КП737А.

Производители и Datsheet

Среди крупных производителей IFR630 (datasheet можно скачать кликнув название компании) можно выделить: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR, VISHAY, STMicroelectronics, Philips Semiconductors, Advanced Power Electronics, Nell Semiconductor, International Rectifier. Есть также и другие производители. В отечественны магазинах чаще всего встречается продукция компаний: STMicroelectronics, VISHAY и International Rectifier.

IRF630 MOSFET техническое описание: ЭКВИВАЛЕНТ, распиновка, спецификация

Напряжение сток-исток ( В _DS ) 200 В

Напряжение затвор-исток ( В _GS ) составляет +/- 20 В

Затвор порогового напряжения ( В _ГС(й) ) от 2 В до 4 В

Ток стока ( I _d ) 9A

Импульсный ток стока ( I _DM ) 36A

Рассеиваемая мощность ( P _D ) 74 Вт

Общий заряд затвора ( Q _г ) составляет 43 нКл

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии ( R _{DS (ON)} ) 40 Ом

Ток стока при нулевом напряжении затвора ( I _DSS ) составляет от 25 до 250 мкА

Время нарастания ( tr ) составляет 28 нс

Пиковое восстановление диода dv/dt is 5 В/нс

Термическое сопротивление перехода к окружающей среде (R _th j-A) равно 62℃/Вт

Температура перехода ( T _J ) составляет от от -55 до 150 ℃

Корпус диода обратного восстановления (trr) от 170 до 340 нс

Входная емкость 800 пф

Выходная емкость 240пф

Чрезвычайно высокая мощность dv/dt

Очень низкая собственная емкость

Заряд ворот сведен к минимуму

Повторяющаяся лавина с рейтингом

Быстрое переключение

Простота параллельного подключения

Требование к простому приводу

Высокая эффективность

Прочная конструкция устройства

Низкое сопротивление во включенном состоянии

Экономичность

Низкое тепловое сопротивление

Распиновка IRF630 MOSFET Распиновка IRF630 MOSFET

Номер контакта	Имя контакта	Описание
1	ВОРОТ	Затвор будет использоваться для запуска устройства MOSFET
2	СЛИВ	Сток – это входная клемма MOSFET
3	ИСТОЧНИК	В источнике терминальный ток вытекает из MOSFET

 

Корпус полевого МОП-транзистора IRF630

МОП-транзистор IRF630 имеет корпус TO-220AB, который в основном используется для силовых устройств, таких как МОП-транзисторы.

TO-220AB представляет собой корпус силового устройства, изготовленный из комбинации эпоксидной смолы и пластика, а задняя сторона выполнена из металла. Эпоксидная смола используется для повышения теплоемкости и снижения веса.

Металлическое покрытие на задней стороне TO-220AB используется для передачи тепла, таким образом, IRF630 MOSFET становится устройством высокой мощности.

IRF630 POWER MOSFET объяснение электрических характеристик

В этом разделе мы попытаемся объяснить электрические характеристики IRF630 MOSFET, это описание действительно полезно для лучшего понимания этого устройства.

Характеристики напряжения

Характеристики напряжения на выводах полевого МОП-транзистора IRF630: напряжение сток-исток составляет 200 В, напряжение затвор-исток составляет +/-20 В, а пороговое напряжение затвор-исток составляет от 2 В до 4 В.

Спецификации напряжения IRF630 MOSFET показывают, что это силовое устройство, которое имеет больше применений.

Характеристики тока

Значение тока стока IRF630 MOSFET составляет 9 А, а значение импульсного тока стока — 36 А.

Общие текущие характеристики полевого МОП-транзистора IRF630 показывают, что это мощное устройство, имеющее драйвер и переключающие приложения.

Нулевой ток стока напряжения затвора

Значение тока стока при нулевом напряжении затвора составляет от 25 до 250 мкА, это особое состояние, когда напряжение затвора равно нулю, а ток представляет собой конкретное значение по отношению к значению напряжения.

Характеристики рассеивания

Значение рассеивания мощности полевого МОП-транзистора IRF630 составляет 74 Вт. Рассеиваемая мощность устройства показывает, что оно имеет больше применений для переключения питания и источников питания.

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии составляет 0,40 Ом, это общее сопротивление MOSFET.

Температура перехода

Температура перехода МОП-транзистора IRF630 – 55 до +150℃ .

Тепловое сопротивление перехода к окружающей среде

Тепловое сопротивление IRF630 MOSFET составляет 62 ℃/Вт минимальное значение заряда затвора.

Время нарастания

Значение времени нарастания для IRF630 MOSFET составляет 28 нс, это время переключения, предлагаемое MOSFET.

Входная емкость

Значение входной емкости МОП-транзистора IRF630 составляет 800 пФ, этот МОП-транзистор имеет минимальное значение емкости по сравнению с другими устройствами.

Output capacitance

The output capacitance value of IRF630 MOSFET is 240pf

IRF630 MOSFET DATASHEET

If you need the datasheet in pdf please click this link

IRF630 MOSFET EQUIVALENT

The IRF630 Эквиваленты MOSFET, такие как IRF640, IRF644, IRFB17N50L, 2SK1957, 2СК2212, ИРФС631, ИРФ1630Г и БУК454-200Б.

Эти устройства MOSFET имеют одинаковые электрические характеристики, поэтому мы можем использовать их в качестве эквивалента IRF630 MOSFET в цепях.

IRF630, IRF740 и IRF644

В этой таблице мы пытаемся сравнить электрические характеристики трех устройств MOSFET, таких как IRF630, IRF740 и IRF644. Это сравнение характеристик действительно полезно для лучшего понимания устройств.

Характеристики	IRF630	IRF740	IRF644
Напряжение сток-исток (VDS))	200 В	400 В	250 В
Напряжение затвор-исток (Vgs)	20 В	20 В	20 В
Пороговое напряжение затвора (Vg(th))	от 2 до 4 В	от 2 до 4 В	от 2 до 4 В
Ток стока (Id)	9 А	10 А	14А
Импульсный ток стока	36 А	40 А	56 А
Ток стока при нулевом напряжении затвора (IDSS)	от 25 до 250 мкА	от 25 до 250 мкА	от 25 до 250 мкА
Общий заряд затвора (кг)	43 нКл	63 нКл	68 нКл
Рассеиваемая мощность (PD)	74 Вт	125 Вт	125 Вт
Температура перехода (ТДж)	от -55 до +150°C	от -55 до +150°C	от -55 до +150°C
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS)	0,40 Ом	0,55 Ом	0,28 Ом
Время нарастания (tr)	28 нс	27 нс	24 нс
Время обратного восстановления (trr)	от 170 до 340 нс	от 370 до 790 нс	от 250 до 500 нс
Входная емкость	800 пф	1400пф	1300пф
Выходная емкость	240 пф	330 пф	330 пф
Пакет	ТО-220АБ	ТО-220АБ	ТО-220АБ

Кривые характеристик МОП-транзистора IRF630 Выходные характеристики МОП-транзистора IRF630

На рисунке показаны выходные характеристики МОП-транзистора IRF630, график построен с зависимостью тока стока от напряжения сток-исток.

При различных изменениях напряжения истока и фиксированных значениях температуры ток стока будет увеличиваться до предела и становиться постоянным, это происходит при всех значениях.

максимальная безопасная рабочая зона полевого МОП-транзистора IRF630

На рисунке показана максимальная безопасная рабочая зона полевого МОП-транзистора IRF630, графики представлены с различными вариациями, такими как ток стока, напряжение сток-исток, температура перехода, скорость переключения и сопротивление в открытом состоянии.

На графике мы видим различные варианты IRF630 MOSFET, поэтому мы можем использовать эти данные для различных приложений.

Применение полевого МОП-транзистора IRF630

• Переключение приложений
• Преобразователь постоянного тока в постоянный
• Коммерческое промышленное применение
• Применение солнечной энергии
• Драйверы двигателей
• Зарядное устройство
• Телекоммуникации
• Высокоскоростные коммутационные приложения
• Система управления питанием
• Портативное устройство
• ИБП

Лист данных PDF Поиск по сайту

Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных вам спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39. Больше новостей Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт