Irf640: IRF640PBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [TO-220AB], Vishay

Possible replacement IRF640 Philips

Это N-канальные полевые транзисторы с кремниевым затвором. Это усовершенствованные мощные полевые МОП-транзисторы, разработанные, испытанные и гарантированно способные выдерживать заданный уровень энергии в лавинном режиме работы при пробое. Все эти мощные МОП-транзисторы предназначены для таких приложений, как импульсные стабилизаторы, импульсные преобразователи, драйверы двигателей, драйверы реле и драйверы для мощных биполярных переключающих транзисторов, требующих высокой скорости и низкой мощности привода затвора. Эти типы могут работать непосредственно от интегральных схем. Ранее тип разработки TA17422.

18 А, 200 В rDS(ON) = 0,180 Номинальная энергия одиночного импульса лавины SOA — это рассеяние мощности, ограниченное наносекундами Скорость переключения Линейные характеристики передачи Высокий входной импеданс Связанная литература — TB334 «Руководство по пайке компонентов для поверхностного монтажа на печатных платах»

ПРИМЕЧАНИЕ. При заказе используйте полный номер детали. Добавьте суффикс 9A, чтобы получить вариант TO-263AB в ленте и на катушке, то есть RF1S640SM9A.

Напряжение пробоя сток-исток (Примечание 1). Напряжение сток-затвор VDS (RGS = 20k) (Примечание 1). ВДГР Непрерывный ток стока. 100°С. ID Импульсный ток стока (Примечание 3). Напряжение от ворот IDM к источнику. Максимальное рассеивание мощности VGS. Коэффициент снижения характеристик рассеивания частичных разрядов. Номинальная энергия лавинного воздействия одиночного импульса (Примечание 4). Температура эксплуатации и хранения EAS. TJ, TSTG Максимальная температура для выводов припоя 0,063 дюйма (1,6 мм) от корпуса в течение 10 с. Корпус пакета TL для 10 с, см. TB334. Пакет

ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ. Нагрузки, превышающие значения, указанные в «Абсолютных максимальных значениях», могут привести к необратимому повреждению устройства. Это только нагрузка, и работа устройства в тех или иных условиях, превышающих указанные в эксплуатационных разделах данной спецификации, не предполагается.

ПАРАМЕТР Напряжение пробоя сток-исток Пороговое напряжение затвора Нулевое напряжение затвора Ток стока Ток стока в открытом состоянии (Примечание 1) Ток утечки затвор-исток

= 25oC, если не указано иное СИМВОЛ BVDSS VGS(TH) IDSS ID(ON) IGSS rDS(ON) gfs td(ON) tr td(OFF) tf Qg(TOT) Qgs Qgd CISS COSS CRSS LD Измеряется от контактного винта Выступ до центра кристалла, измеренный от дренажного вывода, 6 мм (0,25 дюйма) от корпуса до центра кристалла Символ модифицированного полевого МОП-транзистора, показывающий индуктивность внутренних устройств

УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЙ = 250 А, VGS = 0 В, (Рисунок 10) VGS = VDS = 250 А VDS = Номинальный BVDSS, VGS = 0 В VDS 0,8 x Номинальный BVDSS, VGS = 125oC VDS > ID(ON) x rDS(ON)MAX, VGS = 10 В (рис. 7) VGS = 10 А, VGS = 10 В (рис. 8, 9) VDS = 11 А (рис. 12) VDD ID 18 А, RGS = 5,4, время переключения MOSFET практически не зависит от рабочей температуры

Сток к истоку по сопротивлению (Примечание 1) Прямая крутизна (Примечание 1) Время задержки включения Время нарастания Время задержки выключения Время спада Общий заряд затвора (от затвора к истоку + затвор к стоку) Заряд от затвора к истоку Заряд от затвора к стоку Зарядная емкость Миллера Входная емкость Выходная емкость Обратная передаточная емкость Индуктивность внутреннего стока

VGS ID 18A, VDS 0,8 x Rated BVDSS (рис. 14) Заряд затвора практически не зависит от рабочей температуры IG(REF) = 1,5 мА VDS = 25 В, VGS = 1 МГц (рис. 11)

ПАРАМЕТР Непрерывный Источник импульса тока стока Источник тока стока (Примечание 2) СИМВОЛ ISD ISDM УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЙ Модифицированный символ MOSFET, показывающий интегральный диод с обратным P-N переходом

2. Импульсный тест: ширина импульса 300 с, коэффициент заполнения 2%. 3. Повторяющийся рейтинг: ширина импульса ограничена максимальной температурой перехода. См. кривую переходного теплового сопротивления (рис. 3). 4. VDD = 50В, пуск = 25, пик IAS = 18А.

74F675ASC : Bipolar->F Family 16-битный последовательный вход Последовательный/параллельный сдвиговый регистр

FPN330 : Транзистор низкого насыщения NPN

QTLP601C-3: желтая светодиодная лампа для поверхностного монтажа — стандартная яркость 0603 (высота 0,6 мм)

KA79L24AZ : 3-контактный регулятор отрицательного напряжения 0,1 А

FMS6246MTC209: Шесть каналов, драйвер видеофильтра Sd/ps 6-го порядка

74VCX38MTCX: Низковольтный четырехканальный вентиль NAND с 2 входами, выходами с открытым стоком и входами и выходами, устойчивыми к напряжению 3,6 В

FDI150N10 : Fet – один дискретный полупроводниковый продукт 57A 100V 110W Сквозное отверстие; MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK Технические характеристики: Тип монтажа: Сквозное отверстие; Тип FET: N-канальный MOSFET, оксид металла; Напряжение стока к источнику (Vdss): 100 В; Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C: 57A; Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 мОм @ 49 А, 10 В; Входная емкость (Ciss) при Vds: 4760 пФ при 25 В; Мощность – макс. : 110 Вт; Упаковка: Туба

KSC5021RTU : Транзистор (bjt) – один дискретный полупроводниковый продукт 5A 500V 50W NPN; ТРАНЗИСТОР NPN 5A 500V TO-220 Технические характеристики: Тип транзистора: NPN ; Пробой напряжения коллектор-эмиттер (макс.): 500 В; Ток – коллектор (Ic) (макс.): 5А; Мощность – макс.: 50 Вт; Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce: 15 при 600 мА, 5 В; Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic: 1 В при 600 мА, 3 А; Частота – переход: 18 МГц; Текущий – Соберите

FAN2564UMP25X: 2 В ФИКСИРОВАННЫЙ ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ LDO-РЕГУЛЯТОР, 0,16 В DROPOUT, PBGA4 Технические характеристики: Тип регулятора: Малый сброс; Выходная полярность: положительная; Тип выходного напряжения: фиксированный; Тип упаковки: Другой, ШАГ 0,50 ММ, ЗЕЛЕНЫЙ, WLCSP-4; Этап жизненного цикла: АКТИВНЫЙ; Выходное напряжение: от 1,98 до 2,02 В; IВЫХОД: 0,3000 ампер; VIN: от 1,65 до 3,6 вольт; Падение напряжения: 0,1600 вольт

MS4D5 : Кремниевые диоды FAST Recovery 3. 0 AMP. СЕРИЯ EDAL MR4/MS4/MT4 КРЕМНИЯ БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ ДИОДЫ 3,0 А Trr Время восстановления, измеренное от 0,5 ампер вперед до 1 ампер назад до 0,25 ампер PIV (Вольт) P/N MR4K5 MR4M5 Trr NSec. P/N MS4K5 MS4M5 Trr NSec. P/N MT4K5 MT4M5 Trr NSec. .

DC-215R : 1,8 Вт, 24 контакта, Dip/Dil. Недорогой миниатюрный корпус DIP/DIL Изоляция входа/выхода 500 В пост. тока Одиночные и двойные выходы Не требуются внешние компоненты Низкий профиль и компактный размер Диапазон входного напряжения: 10 % Входной фильтр: Внутренний конденсатор Напряжение изоляции: 500 В пост. Сопротивление: 1000 МОм Выходное напряжение и ток:.

HTE127 : Высоковольтные/толстопленочные резисторы. Сопротивление от до 700МОм Номинальная мощность до 17Вт Допуски сопротивления до 1% Низкий TCR: 100ppm/K Номинальное стандартное напряжение до 48кВ Неиндуктивная конструкция SMD по запросу Диапазон сопротивления Допуски Температурный коэффициент Температурный диапазон Сопротивление изоляции Герметизация.

MM74C95J : 4-битный регистр сдвига вправо-влево. Этот 4-разрядный регистр сдвига представляет собой монолитную комплементарную МОП (КМОП) интегральную схему, состоящую из четырех D-триггеров. Этот регистр будет выполнять операции сдвига вправо или влево в зависимости от уровня логического входа для управления режимом. могут быть соединены последовательно для формирования N-разрядного регистра сдвига вправо или влево.

M38020E1 : 8-разрядный однокристальный микрокомпьютер семейства 740 / серии 38000. Что касается изменения названий, упомянутых в документе, таких как Mitsubishi Electric и Mitsubishi XX, в Renesas Technology Corp. Полупроводниковые операции Hitachi и Mitsubishi Electric были переданы Renesas Technology Corporation 1 апреля 2003 года. Эти операции включают в себя микрокомпьютер, логические, аналоговые и дискретные устройства, и память.

ISL8489EIBZ : +-15 кВ с защитой от электростатического разряда, 5 В, маломощный, высокая скорость и ограниченная скорость нарастания, полный дуплекс, приемопередатчики RS-485/RS-422.

001035-000 : Одножильные кабели, провода; ЭКРАНИРОВАННЫЙ КАБЕЛЬ 18AWG. s: Без свинца Статус: Без свинца ; Статус RoHS: соответствует требованиям RoHS.

7X-30.000MBA-T : ГЕНЕРАТОР, 30 МГц. s: Стабильность частоты: 25 частей на миллион; Допустимое отклонение частоты: – ; Напряжение питания: от 1,8 до 3,3 В; Частота: 30 МГц; Диапазон рабочих температур: от -10°C до +70°C; Емкость нагрузки: 15 пФ; Монтаж генератора: SMD; Количество контактов: 4; МСЛ: -.

31403 : Rfi и Emi – экранирующий и поглощающий материал Rf/if и Rfid; ФЕРРИТОВЫЙ МАТЕРИЛ FLEX 297Х210Х0,3. s: Толщина — общая: 0,012 дюйма (0,3 мм); ширина: 8,268 дюйма (210,00 мм); Длина: 11,7″ (297 мм); Диапазон температур: -13 ~ 185F (-25 ~ 85C); Клей: Синтетическая смола, проводящий – двусторонний; Форма: Лист; Статус без свинца: Без свинца; Статус RoHS: RoHS.

A1RXB-2036M : Кабельная сборка прямоугольного сечения 3,00 фута (914,40 мм), поляризационный ключ, компенсатор натяжения; КАБЕЛЬ IDC – APR20B/AE20M/X. s: Тип разъема: штекер к кабелю; Количество позиций: 20 ; Контактная отделка: золото; Количество рядов: 2 ; : Поляризационная клавиша, защита от натяжения; Цвет: Несколько, Лента; Длина: 3,00 фута (914,40 мм); Использование: – ; Экранирование: Неэкранированный; Контакт.

TS1608-680M : Катушки постоянной индуктивности, катушки, дроссели 68H 400 мА 1608 -; ИНДУКТОР 68UH 400MA SHLD 1608. s: Индуктивность: 68H; Допуск: 20%; Пакет/кейс: 1608 ; Упаковка: лента и катушка (TR); Тип: – ; Ток: 400 мА; Тип монтажа: поверхностный монтаж; Q при частоте: 40 при 100 кГц; Частота – собственный резонанс: 15 МГц; Сопротивление постоянному току (DCR): макс. 290 мОм; Экранирование: Экранированный; Приложения:.

10960