Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Содержание

IRF740 характеристики транзистора, аналоги, datasheet на русском

IRF740 — это N-канальный мощный полевой MOSFET-транзистор компании International Rectifier (IR) с изолированным затвором.  В настоящее время производится компанией Vishay (преемницей IR) с другим наименованием, указанным в даташит — SiHF740.  Он способен переключать нагрузки до 400 В, потребляющие до 10 А c пороговым напряжением на затворе до 10 В. При этом мощность рассеивания не должна превышать 125 Вт. Заявленное производителем сопротивление в открытом состоянии достаточно низкое и составляет 0,55 Ом.

Поскольку этот mosfet предназначен для переключения силовых линий, он имеет относительно высокое напряжение затвора, поэтому не может использоваться непосредственно с выходом микроконтроллера. Для использования с микроконтроллером потребуется дополнительная обвязка.

Распиновка

IRF740 встречается в стандартном корпусе ТО-220AB, выдерживающем достаточно высокие температуры и мощность рассеивания до 50 Вт. Распиновка (цоколевка) характерна для большинства полевиков  компании IR — левая ножка — затвор, средняя — сток и крайняя правая -исток. Для определении распиновки всегда смотрите на лицевую сторону устройства, на которую нанесена маркировка. При непосредственном монтаже на плату надо учитывать физическое соединение корпуса с выводом стока. На рисунке распиновка irf740 представлена более наглядно.

Характеристики IRF740

При ознакомлении с характеристиками полевого транзистора IRF740 изначально обращают внимание на его максимальные (предельно допустимые) характеристики. Затем, исходя из поставленной задачи, изучают электрические параметры. После этого переходят к графикам типовых выходных, передаточных и других характеристик. Рассмотрим основные фрагменты из DataSheet irf740 на русском языке.

Максимальные

Ниже представлены предельно допустимые значения МОП-транзистора IRF740. Не следует воспринимать их как основные, при которых mosfet будет работать стабильно. Превышение любого из них, даже на короткий промежуток времени, может привести к выходу устройства из строя.

Электрические

В электрических характеристиках IRF740 содержится информация проверенная производителем при определенных условия. Эти условия указываются дополнительно, в одном из столбцов таблицы. Например, из дополнительных условий можно узнать, что irf740 при напряжении 400 вольт между стоком-истоком, при отсутствующем напряжении на затворе, начинает проводить слабый ток — 250 микроампер.

Тепловые параметры

Основным параметром, который ограничивает применение полевого транзистора, является его рабочая температура. А точнее её увеличение, которое связанно с ростом сопротивления транзистора при прохождении через него электрического тока. Несмотря на низкое сопротивление mosfet, на нём все равно рассеивается некоторая мощность, из-за этого он нагревается.  Для упрощения расчётов связанных с нагревом IRF740, в даташит приводятся значения его тепловых сопротивлений: от кристалла к корпусу (Junction-to-Case ) и от корпуса в окружающую среду (Junction-to-Ambient).

Неправильные расчеты тепловых параметров для использования в проектах и плохая пайка приводит к перегреву mosfet. На одном из форумов радиолюбитель жаловался на то, что в собранной им схеме металлоискатель пират на irf740 сильно греется. После продолжительных разбирательств причина перегрева выяснилась и оказалась самой банальной – плохая пайка прибора на плату и охлаждение.

Аналоги

Полными зарубежными аналогами устройства являются: STP11NK40Z (STM), D84EQ2 (National Semiconductor). Аналогичный вид корпуса, распиновка и характеристики этих устройств не потребуют вносить изменения в схему проекта в случае замены. Так же, наиболее подходящим для замены, моно сказать отечественным аналогом irf740, является транзисторы серии КП776. КП776 производит ОАО «ИНТЕГРАЛ», г.Минск, Республика Беларусь. В его даташит транзистор irf740 указан как прототип. Вот максимальные предельно допустимые электрические режимы эксплуатации КП776:

Проверка мультиметром

Большинство полевых n-канальных mosfet можно проверить обычным мультиметром. Сначала проверяют работу, так называемого паразитного диода между выводами стока (D) и истока (S). Затем проводится проверка открытия и закрытие мосфета путем одновременного, кратковременного касания щупами мультиметра контактов «S» и затвора (G). Если при такой подаче плюса на вывод «G» транзистор открывается, а между его выводами «D» — «S» появляется короткое замыкание (в обоих направлениях, несмотря на наличие паразитного диода), то он считается рабочим.  Соответственно, если не открывается, то он считается нерабочим.

Для проверки irf740 одним мультиметром не обойтись, так для его открытия требуется напряжение на затворе не менее 4-5 вольт, а мультиметр способен выдать не более 0,3. Поэтому при проверке необходимо запастись источникам питания, например обычной кроной. Кратковременным касанием минусовой клеммой кроны контакта И, а плюсовой «G» можно открыть  транзистор. Если после этого ток между «D» и «S» течет в обоих направлениях, то значит транзистор исправен. Конечно, перед проверкой на открытие/закрытие, необходимо проверить исправность паразитного диода. Предлагаем посмотреть видео на эту тему.

Производители

На российском рынке irf740 наиболее распространен под торговой маркой Vishay. Это связано с поглощением этой компанией подразделения IR в 2007 году. Подробнее про этот момент, а так же распространенную маркировку «irf» можно прочитать в статье про IRFZ44n. Даташиты некоторых производителей можно скачать, кликнув мышкой по ссылке: Vishay; National Semiconductor.

IRF740 — Мощный MOSFET (полевой МОП) транзистор — DataSheet

Расположение выводов IRF740

Описание

Третье поколение МОП-транзисторов от компании Vishay дают проектировщику схемы лучшее сочетание быстрого переключения и запаса прочности, низкое сопротивление в открытом состоянии, небольшую стоимость и высокую эффективность. Исполнение в корпусе TO-220AB является оптимальным для применения в схемах промышленных устройств с уровнем рассеиваемой мощности до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и небольшая стоимость сделали его, часто используемым, в схемах различных устройств.


 Абсолютные максимальные значения
Параметр Обозначение  Значение  Ед. изм. 
 Напряжение сток-исток VDS  400 В
 Напряжение затвор-исток VGS  ± 20
 Ток стока (постоянный) VGS = 10 В TC = 25 °C ID 10 А
TC = 100 °C 6. 3
 Ток стока (импульсный) a IDM 40
 Линейный коэффициент снижения мощности 1.0 Вт/°C
 Энергия одиночного лавинного импульса b EAS 520  мДж
 Повторяющийся лавинный ток a IAR 10 А
 Энергия повторяющегося лавинного импульса a EAR 13  мДж
 Максимальная рассеиваемая мощность  TC = 25 °C PD 125 Вт
 Импульс на восстанавливающемся диоде dV/dtc dV/dt В/нс
 Температура перехода и температура хранения TJ, Tstg -55…+150 °C
 Максимальная температура припоя в течение 10 с 300d
 Момент затяжки болт М3 1. 1 Н·м
  1.  Повторяющиеся значения; ширина импульса ограничена максимальной температурой перехода (см. Рис. 11).
  2. VDD = 50 В, начальные условия TJ
    = 25 °C, L = 9.1 мГн, Rg = 25 Ом, IAS = 10 A (см. Рис. 12).
  3. ISD ≤ 10 A, dI/dt ≤ 120 A/мкс, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.
  4. На расстоянии 1.6 мм от корпуса.

 

Тепловое сопротивление
 Параметр Обозначение  Тип.  Макс. Ед. изм.
 Максимум кристалл-окружающая среда RthJA 62 °C/Вт
 Корпус-радиатор с плоской смазанной поверхностью RthCS 0. 5
 Максимум кристалл-корпус (сток) RthJC 1.0

 

 

 Спецификации (TJ = 25 °C)
 Параметр
 Обозначение  Условия  Мин.  Тип.  Макс.   Ед. изм.
 Статические
 Напряжение пробоя сток-исток  VDS VGS = 0 В, ID = 250 мкA 400 В
 Температурный коэффициент  VDS ΔVDS/TJ Относительно 25 °C, ID = 1 мA 0.49 В/°C
 Пороговое напряжение затвор-исток  VGS(th) VDS = VGS, ID = 250 мкA 2. 0 4.0  В
 Ток утечки затвор-исток IGSS  VGS = ± 20 В ± 100 нА
 Начальный ток стока IDSS VDS = 400 В, VGS = 0 В  — 25 мкА
VDS = 320 В, VGS = 0 В, TJ = 125 °C 250 мкА
 Сопротивление сток-исток в открытом состоянии RDS(on) VGS = 10 В ID = 6.0 Ab 0.55 Ом
 Крутизна характеристики gfs VDS = 50 В, ID = 6.0 Ab 5.8 мА/В
 Динамические
 Входная емкость Ciss VGS = 0 В,
VDS = 25 В,
f = 1. 0 МГц, см. Рис. 5
1400 пФ
 Выходная емкость Coss 330
 Емкость обратной связи Crss 120
 Суммарный заряд затвора Qg VGS = 10 В  ID = 10 A, VDS = 320 В,
см. Рис 6 и 13b
63 нКл
 Заряд затвор-исток Qgs 9.0
 Заряд затвор-сток Qgd 32
 Время задержки включения td(on) VDD = 200 В, ID = 10 A
Rg = 9.1 Ом, RD = 20 Ом, см. Рис. 10b
14 нс
 Время нарастания tr 27
 Время задержки выключения td(off) 50
 Время спада tf 24
 Внутренняя индуктивность стока LD Между  точками на расстоянии 6 мм от корпуса и центром вывода 4. 5 нГн
 Внутренняя индуктивность истока LS 7.5
 Характеристики встроенного паразитного диода
 Постоянный ток через паразитный диод IS

Обозначение, показывающее встроенный обратный p-n переход диода

10 А
 Импульсный ток через диод в прямом направлении ISM  —  40 А
 Напряжение на внутреннем диоде VSD TJ = 25 °C, IS = 10 A, VGS = 0 Вb 2.0 В
Время обратного восстановления диода trr TJ = 25 °C, IF = 10 A, dI/dt = 100 A/мксb 370 790 нс
Обратное восстановление заряда Qrr 3. 8 8.2 нКл
 Время открытия в прямом направлении ton Внутренние время включения (открытия) незначительно (определяется значением параметров LS и LD)
  1.  Повторяющиеся значения; ширина импульса ограничена максимальной температурой перехода (см. Рис. 11).
  2. Ширина импульса ≤ 300 мкс; коэффициент заполнения ≤ 2 %.

 

Графики типовых характеристик

Рис.1 Типовые выходные характеристики, TC = 25 °C

Рис. 2 Типовые выходные характеристики, TC = 150 °C

Рис. 3 Типовые передаточные характеристики

Рис. 4 Нормированное сопротивление в открытом состоянии от температуры

Рис. 5 Емкость от напряжения сток-исток

Рис. 6 Заряд на затворе от напряжения сток-исток

Рис. 7 Прямое напряжение на диоде

Рис. 8 Максимальная безопасная рабочая область

Рис. 9 Максимальный ток стока от температуры корпуса

 

Рис. 10а Схема для проверки времени переключения

 

Рис. 10b Осциллограммы определения времени переключения

 

Рис. 11 Максимальное эффективное переходное тепловое сопротивление, кристалл-корпус

 

Рис. 12a Проверка цепи с индуктивностью

 

Рис. 12b Осциллограммы цепи проверки индуктивности

 

Рис. 12c Максимальная энергия лавинного импульса от тока стока

 

Рис 13a График заряда на затворе

 

Рис. 13b Схема проверки заряда на затворе

 

Рис. 14 Схема проверки диода

 

Графики к Рис. 14

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Купить IRF740

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзистор IRF740 параметры | Практическая электроника

Дешевый n-канальный MOSFET на 400В и 10А. Был разработан и производился International Rectifier, потом IR продала большое количество своей номенклатуры вместе с производственными мощностями VISHAY и та стала выпускать транзистор под названием SiHF740A.
Кроме того IRF740 выпускают и другие производители: Infineon, ST, Fairchild.

IRF740 параметры

  • Структура — n-канал;
  • Максимальное напряжение сток-исток Uси = 400 В;
  • Максимальный ток сток-исток при 100°С Iси макс. = 6,3 А;
  • Максимальный ток сток-исток при 25°С Iси макс. = 10 А;
  • Максимальный импульсный ток сток-исток при 25°С Iси макс. = 40 А;
  • Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. = ±20 В;
  • Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. < 550 мОм (0,55 Ом);
  • Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс. = 125 Вт;
  • Тепловое сопротивление кристалл-корпус Rt = 1. 0 °C/Вт;
  • Температурный диапазон работы T = — 55 .. + 150 °C;
  • Крутизна характеристики S = 7;
  • Пороговое напряжение на затворе Ugs = 2 .. 4 В;
  • Входная емкость Ciss = 1259 пФ;
  • Выходная емкость Cоss = 206 пФ;

Транзистор IRF740 выпускается в различных корпусах, от классического TO-220AB до компактных I2PAK (TO-262) и поверхностных D2PAK (TO-263)

IRF740 нашел применение в качестве высокочастотных ключей импульсных источников питания:
В источниках питания с входным переменным напряжение 220-240 В для мостовой и полумостовой топологии, конечно если нет вероятности работы при повышенных сетевых напряжениях.
В источниках питания рассчитанных на 100-120 В могут использоваться в прямоходовом и обратноходовом включении.

Кроме того IRF740 применяется в металлоискателях, например в простом и популярном металлодетекторе PIRAT.

Аналоги IRF740

Полные: STP11NK40Z (ST), D84EQ2, VN2340N5.
Существует отечественный аналог IRF740 и с теми же цифрами КП740!

Этот транзистор дешево купить можно на алиэкспрессе по 2 доллара за 10 штук.

IRF740 Распиновка, техническое описание, характеристики и альтернативы

IRF740 - это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, который может переключать нагрузки до 400 В.

Конфигурация контактов

Номер контакта

Контакт Имя

Описание

1

Источник

Ток протекает через Источник (максимум 10 А)

2

Ворота

Управляет смещением полевого МОП-транзистора (пороговое напряжение 10 В)

3

Слив

Ток протекает через сток

Характеристики

· N-канальный силовой полевой МОП-транзистор

· Непрерывный ток утечки (ID): 10A

· Пороговое напряжение затвора (VGS-ое) 10В (предел = ± 20В)

· Напряжение пробоя сток-исток: 400 В

· Сопротивление дренажного источника (RDS) равно 0. 55 Ом

· Время нарастания и спада 27 нс и 24 нс

· Доступен в упаковке К-220

Примечание: Полную техническую информацию можно найти в техническом описании IRF740 , ссылка на который находится внизу страницы

Альтернативы IRF740

IRFB13N50A, UF450A, SSF13N15

Другие N-канальные МОП-транзисторы

BSS138, IRF520, 2N7002, BS170, BSS123, IRF3205, IRF1010E

О IRF740 MOSFET

IRF740 - это N-канальный силовой МОП-транзистор, который может переключать нагрузки до 400 В.Mosfet может переключать нагрузки, потребляющие до 10 А, он может включаться, обеспечивая пороговое напряжение затвора 10 В на выводах Gate и Source. Поскольку МОП-транзистор предназначен для коммутации сильноточных высоковольтных нагрузок, он имеет относительно высокое напряжение затвора, поэтому его нельзя использовать напрямую с выводом ввода-вывода ЦП. Если вы предпочитаете МОП-транзистор с низким напряжением затвора, попробуйте IRF540N или 2N7002 и т. Д.

Одним из существенных недостатков Mosfet IRF740 является его высокое значение сопротивления в открытом состоянии (RDS), которое составляет около 0.55 Ом. Следовательно, этот МОП-транзистор не может использоваться в приложениях, где требуется высокая эффективность переключения. Mosfet требует, чтобы схема драйвера обеспечивала 10 В на выводе затвора этого Mosfet. Простейшая схема драйвера может быть построена с использованием транзистора. Он относительно дешев и имеет очень низкое тепловое сопротивление, кроме того, МОП-транзистор также имеет хорошие скорости переключения и, следовательно, может использоваться в схемах преобразователя постоянного тока в постоянный.

Приложения
  • Коммутационные аппараты большой мощности
  • Инверторные схемы
  • Преобразователи постоянного тока в постоянный
  • Регулировка скорости двигателей
  • Светодиодные диммеры или мигалки
  • Высокоскоростные коммутационные приложения

2D модель детали

Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы данных IRF740 будет полезен, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.

МОП-транзистор

IRF740, описание контактов, характеристики и применение


Привет, друзья! Приветствую вас на борту. Спасибо, что щелкнули это чтение. Сегодня в этом посте я подробно расскажу о введении в IRF740. IRF740 - это N-канальный силовой МОП-транзистор, используемый для приложений с чрезвычайно быстрой коммутацией. Он имеет рассеиваемую мощность около 125 Вт и может поддерживать нагрузку до 400 В. Максимальный ток стока этого устройства составляет 10 А, а емкость сток-исток - 1450 пФ.Я предлагаю вам прочитать этот пост до конца, так как я опишу полное введение в IRF740, включая техническое описание, распиновку, функции и приложения.

Введение в IRF740
  • IRF740 - это N-канальный полевой МОП-транзистор с рассеиваемой мощностью 125 Вт. Это мощность устройства, рассеиваемая во время работы этого компонента.
  • Это устройство в основном используется для приложений с быстрым переключением и имеет сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии 0,55 Ом, которое представляет собой сопротивление между выводами стока и истока.
  • IRF740 содержит три терминала с именами исток, сток и затвор. Иногда его называют четырехконтактным устройством, когда корпус также считается его выводом.
  • Вывод затвора расположен между выводами истока и стока и представляет собой область, используемую для смещения устройства. В то время как вывод стока - это место, откуда электроны покидают канал, а вывод истока - это место, откуда электроны входят в канал.
  • МОП-транзисторы в основном делятся на два основных типа: N-канальные МОП-транзисторы и P-канальные МОП-транзисторы.Это устройство IRF740 относится к N-канальным MOSFET, где электроны отвечают за ток внутри устройства, в отличие от MOSFET с P-каналом, где дырки являются носителями заряда, отвечающими за проводимость внутри устройства.
  • Важно отметить, что движение электронов лучше, чем движение дырок внутри полевого МОП-транзистора. Причина, по которой N-канальные MOSFET предпочтительнее P-канальных MOSFET в ряде приложений.
  • MOSFET работает в двух режимах: i.е. режим истощения и режим улучшения.
  • Природа электронов в обоих этих режимах в N-канальных полевых МОП-транзисторах противоположна. В режиме улучшения при отсутствии напряжения в канале не будет тока. Однако, когда напряжение подается на вывод затвора, это увеличивает движение электронов и, таким образом, увеличивает проводимость.
  • С другой стороны, в режиме истощения, когда на вывод затвора нет напряжения, в канале присутствует ток.Однако, когда напряжение подается на вывод затвора, это уменьшает движение электронов и, следовательно, снижает проводимость канала.

IRF740 Лист данных Прежде чем применять это устройство в своем электрическом проекте, целесообразно просмотреть техническое описание устройства, в котором представлены основные характеристики компонента, что поможет вам лучше понять абсолютные максимальные характеристики этого устройства. Щелкните ссылку ниже, чтобы загрузить техническое описание IRF740.

IRF740 Распиновка На следующем рисунке показана распиновка IRF740. IRF740 поставляется с тремя выводами: затвор, сток и исток.
Описание контакта IRF740
Номер контакта Описание контакта Имя контакта
1 Используется для смещения устройства Затвор
2 Электроны покидают канал через этот терминал Drain
3 Электроны попадают в канал через этот терминал Источник

IRF740 Характеристики Ниже приведены основные характеристики IRF740.
  • Тип = N-канальный силовой полевой МОП-транзистор
  • Категория = IRF серия
  • Возможность быстрого переключения
  • Рассеиваемая мощность = 125 Вт
  • Постоянный ток утечки (ID) = 10A
  • Пороговое напряжение затвора (ВГС-ое) = 10В (предел = ± 20В)
  • Напряжение пробоя сток-исток = 400 В
  • Сопротивление истока стока (RDS) = 0,55 Ом
  • Время нарастания составляет 27 нс, а время спада - 24 нс
  • Температура перехода = 150 ° C
  • Максимальный ток стока = 10 А
  • Емкость сток-исток = 1450 пФ
  • Доступный пакет = TO-220

IRF740 Приложения IRF740 используется в следующих приложениях.
  • Используется в USP
  • Заняты в проектах по КИП
  • Используется в коммутационных приложениях
  • Используется во встроенных проектах
  • Используется в инверторах
Это все на сегодня. Надеюсь, у вас есть четкое представление об этом устройстве IRF740. Если у вас есть какие-либо вопросы, вы можете оставить свой комментарий в разделе ниже. Я готов и счастлив помочь вам как можно лучше. Не стесняйтесь делиться своими ценными отзывами и предложениями по поводу контента, которым мы делимся, чтобы мы продолжали делиться качественным контентом, соответствующим вашим конкретным потребностям и требованиям.Спасибо, что прочитали статью. Таблицы данных

IRF740 | Транзисторы - полевые, полевые МОП-транзисторы

На главную Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные даташиты IRF740 | Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - Single N-Channel 400V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB

IRF7341TRPBF Таблицы данных | Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - массивы Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 4.7A 2W Surface Mount 8-SO

Информационные листы IRF7404PBF | Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночный P-канал 20 В 6.7A (Ta) 2,5 Вт (Ta) поверхностный монтаж 8-SO

  • Автор & nbspapogeeweb, & nbsp & nbspIRF740, Техническое описание IRF740, IRF740 PDF, STMicroelectronics

Обзор продукта
Изображение:
Номер детали производителя: IRF740
Категория продукта: Транзисторы - полевые, полевые МОП-транзисторы - одиночные
Наличие: Нет
Производитель: STMicroelectronics
Описание: N-канал 400 В 10 A (Tc) 125 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Лист данных: IRF740
Упаковка: К-220-3
Минимум: 1
Время выполнения: 3 (168 часов)
Количество: Под заказ
Отправить запрос предложений: Запрос

IRF740 Изображения только для справки.

CAD Модели

Атрибуты продукта
Упаковка / Ящик: К-220-3
Серия: PowerMESH ™ II
Номер базового продукта: IRF7
Пакет устройств поставщика: К-220АБ
Рассеиваемая мощность (макс.): 125 Вт (TC)
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: 1400 пФ при 25 В
Напряжение сток-источник (Vdss): 400 В
Технологии: МОП-транзистор (оксид металла)
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C: 10А (Тс)
Напряжение привода (макс. Показания при включении, мин. Значения): 10 В
Rds вкл. (Макс.) @ Id Vgs: 550 мОм при 5.3A 10 В
Vgs (th) (макс.) @ Id: 4 В при 250 мкА
Vgs (макс.): ± 20 В
FET Характеристика:
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs: 43 нКл при 10 В

Альтернативные модели
Деталь Сравнить Производителей Категория Описание
Производитель.Номер детали: IRF740 сравнить: Текущая часть Производитель: ST Microelectronics Категория: МОП-транзисторы Описание: Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3Pin (3 + Tab) TO-220
ПроизводительНомер детали: STP11NB40 сравнить: IRF740 VS STP11NB40 Производитель: ST Microelectronics Категория: МОП-транзисторы Описание: Trans MOSFET N-CH 400V 10.7A, 3 контакта (3 + вкладка) TO-220
Производитель № детали: IRF740PBF сравнить: IRF740 VS IRF740PBF Производитель: VISHAY Категория: МОП-транзисторы Описание: TO-220-3 N-CH 400V 10A 550mΩ
ПроизводительНомер детали: IRF740APBF сравнить: IRF740 VS IRF740APBF Производитель: VISHAY Категория: МОП-транзисторы Описание: TO-220-3 N-CH 400V 10A 550mΩ

Описания

Для этой части пока нет релевантной информации.

ОСОБЕННОСТИ

ECCN / UNSPSC
USHTS: 85412

CNHTS: 85412

MXHTS: 85412999
ТАРИК: 85412

ECCN: EAR99

Экологическая и экспортная классификации
Статус RoHS: Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL): 1 (без ограничений)
Статус REACH: ДОСТИГАЕМОСТЬ Без изменений
ECCN: EAR99
HTSUS: 8541.29.0095

Производитель продукции STMicroelectronics - глобальная независимая полупроводниковая компания, которая является лидером в разработке и поставке полупроводниковых решений для всего спектра приложений микроэлектроники. Непревзойденное сочетание опыта в области микросхем и систем, производственной мощи, портфеля интеллектуальной собственности (IP) и стратегических партнеров ставит компанию на передовые позиции в области технологии System-on-Chip (SoC), а ее продукты играют ключевую роль в обеспечении современных тенденций конвергенции.

Дистрибьюторы
IRF740 STMicroelectronics N-канал 400V 10A (Tc) 125W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB Под заказ

НЕТ

IRF740 Vishay / Siliconix МОП-транзистор N-Chan 400 В, 10 А, Под заказ

НЕТ

IRF740 Компания Harris Semiconductor Силовой полевой транзистор , 10 А I (D) , 400 В , 0.55 Ом, 1 элемент, N-канал, Кремний, Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB Под заказ

1,8000

Популярность по регионам
  • 1.Литва

    100

  • IRF740 Популярность по регионам

    Вас также может заинтересовать

    FAQ:

    что такое irf740?

    IRF740 - это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, который может переключать нагрузки до 400 В.Mosfet может переключать нагрузки, потребляющие до 10 А, он может включаться, обеспечивая пороговое напряжение затвора 10 В на выводах Gate и Source. ... Следовательно, этот МОП-транзистор не может использоваться в приложениях, где требуется высокая эффективность переключения.

    Связанный параметр
    • Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные, полевые МОП-транзисторы P-CH 20V 76A 8SON
    • Транзисторы - полевые, полевые МОП-транзисторы - одиночные, полевые МОП-транзисторы N-CH 80V 100A TO220-3
    • Транзисторы - полевые, полевые МОП-транзисторы - одиночные, N-канальные, 100 В, 33 А (Tc) 130 Вт (Tc), сквозное отверстие TO-262
    • Транзисторы - полевые, полевые МОП-транзисторы - одиночные, полевые МОП-транзисторы N-CH 600V 66A T-MAX
    • Транзисторы - полевые, полевые МОП-транзисторы - одиночные, полевые МОП-транзисторы N-CH 1000V 28A TO-264
    • Транзисторы - полевые, полевые МОП-транзисторы - одиночные, полевые МОП-транзисторы N-CH 60V 16A DPAK

    Статьи по теме

    IRF520 Power MOSFET: распиновка, техническое описание, спецификации [FAQ]

    Миа 21 декабря 2020 758

    IRF520 - это силовой МОП-транзистор 9.Ток коллектора 2А и напряжение пробоя 100В. МОП-транзистор имеет низкое пороговое напряжение затвора 4 В и поэтому обычно используется с микроконтроллерами ...

    Читать далее »

    IRF540N MOSFET: Распиновка, эквивалент, схема [FAQ]

    Игги 23 декабря 2020 1668

    IRF540N - N-канальный МОП-транзистор.В этом блоге рассказывается о распиновке IRF540N MOSFET, таблице данных, эквиваленте, функциях и другой информации о том, как использовать и где использовать это устройство. Топ-5 проектов в области электроники ...

    Читать далее »

    IRFZ44N MOSFET: Техническое описание, применение, эквивалент [видео]

    Биллили 21 ноя 2020 1551

    Описание IRFZ44N - это N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы, в этом блоге описаны распиновка, таблица данных, характеристики и другая информация о том, как использовать и где использовать это устройство.Каталог D ...

    Читать далее »

    IRF3205 MOSFET: распиновка, эквивалент, техническое описание [видео]

    Миа 26 янв.2021 г. 1946 г.

    IRF3205 - это сильноточный N-канальный полевой МОП-транзистор, который может коммутировать токи до 110 А и 55 В.Его легко найти в упаковке TO-220AB. Этот чип в основном используется в потребительских устройствах полного моста ...

    Читать далее »

    N-канал 400V 10A (Tc) 125W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB

    • Атрибуты продукта
    • Описания
    • Характеристики
    • CAD-модели
    Упаковка / Ящик: К-220-3
    Серия: PowerMESH ™ II
    Номер базового продукта: IRF7
    Пакет устройств поставщика: К-220АБ
    Рассеиваемая мощность (макс.): 125 Вт (TC)
    Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: 1400 пФ при 25 В
    Напряжение сток-источник (Vdss): 400 В
    Технологии: МОП-транзистор (оксид металла)
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C: 10А (Тс)
    Напряжение привода (макс. Показания при включении, мин. Значения): 10 В
    Rds вкл. (Макс.) @ Id Vgs: 550 мОм при 5.3A 10 В
    Vgs (th) (макс.) @ Id: 4 В при 250 мкА
    Vgs (макс.): ± 20 В
    FET Характеристика:
    Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs: 43 нКл при 10 В

    По этой части пока нет релевантной информации.

    ОСОБЕННОСТИ

    По этой части пока нет релевантной информации.

МОП-транзисторы серии IRF IRF540, IRF740, IRFP450

Сегодняшний постоянно растущий рынок электронной промышленности расширяется в большей степени, и в этой отрасли всегда был особый аспект звуковых усилителей, и для целей усиления мы часто используем транзисторы для наших требований к схемам.

Мы можем использовать другой тип транзисторов, например, обычные BJT (биполярные переходные транзисторы), такие как NPN или PNP, или мы можем использовать специальный тип транзисторных MOSFET (полевой транзистор с металлическим оксидом и полупроводником).

Что такое полевой МОП-транзистор?

Полевой транзистор металл-оксид-полупроводник (MOSFET, MOS-FET или MOSFET) - это полевой транзистор (полевой транзистор с изолированным затвором), где напряжение определяет проводимость этого транзистора.Он в основном используется для переключения или усиления сигналов. Возможность изменять проводимость в зависимости от приложенного напряжения может использоваться для усиления или переключения электронных сигналов. MOSFET теперь даже более распространены, чем BJT (биполярные переходные транзисторы) в цифровых и аналоговых схемах, и они широко используются в схемах аудиоусилителей.

Теперь мы обсудим некоторые МОП-транзисторы серии IRF, которые приведены ниже.

Введение в полевой МОП-транзистор IRF540

Это особый тип полевого МОП-транзистора типа NPN, который обычно работает в расширенном режиме.Этот МОП-транзистор может выполнять очень быстрое переключение, чем любой другой МОП-транзистор. Входное сопротивление этого МОП-транзистора также довольно велико по сравнению с другими транзисторами на рынке, и он также очень чувствителен по сравнению с ними.

На рисунке выше дано физическое описание полевого МОП-транзистора IRF540.

На предыдущем рисунке показана тестовая схема полевого МОП-транзистора.

Затвор MOSFET запускается с помощью оптопары для управления ДВИГАТЕЛЕМ, поэтому при небольшом базовом токе можно управлять высоковольтным оборудованием.

Характеристики из IRF540 MOSFET

Различные функции IRF540 MOSFET перечислены ниже

  • MOSFET обеспечивает динамический рейтинг dV / dt.
  • МОП-транзистор рассчитан на повторяющиеся лавины.
  • Этот полевой МОП-транзистор обеспечивает рабочую температуру 175 градусов Цельсия.
  • Это также обеспечивало быстрое переключение.
  • В этом MOSFET есть простота параллельной работы.
  • Требования к приводу для этого полевого МОП-транзистора очень просты.

Введение в полевой МОП-транзистор IRF740

Это особый тип силового полевого МОП-транзистора, который может переключать нагрузки до 400 В, а МОП-транзистор относится к N-канальному типу. Этот полевой МОП-транзистор также может переключать нагрузки, потребляющие до 10 А. Его можно включить пороговым напряжением затвора 10 В между затвором и выводом истока.

Распиновка Конфигурация th e IRF740

Простая схема расположения выводов транзистора IRF740 приведена ниже.

На приведенном выше рисунке показана простая схема распиновки полевого МОП-транзистора IRF740

.

Характеристики из IRF740 MOSFET

Различные функции полевого МОП-транзистора IRF740 перечислены ниже

  • MOSFET обеспечивает динамический рейтинг dV / dt.
  • МОП-транзистор рассчитан на повторяющиеся лавины.
  • Этот полевой МОП-транзистор обеспечивает быстрое переключение.
  • Сопротивление стока к истоку полевого МОП-транзистора составляет 0,55 Ом.
  • Время нарастания и спада полевого МОП-транзистора составляет 27 нс и 24 нс.
  • Непрерывный ток стока составляет 10 А.
  • Напряжение пробоя сток-исток составляет 400 В.

На рынке доступны альтернативы IRF740: IRFB13N50A, UF450A, SSF13N15.

Заявки на IRF740

Различные приложения перечислены ниже.

  • Ths MOSFET используется для коммутации высокой мощности.
  • Ths MOSFET используется для инверторных схем.
  • Ths MOSFET используется для преобразователей постоянного тока в постоянный.
  • Ths MOSFET используется для регуляторов скорости в двигателях.
  • Ths MOSFET используется для светодиодных диммеров или мигалок.

Введение в полевой МОП-транзистор IRFP450

Это транзистор с динамическим номинальным значением dV / dt, и этот транзистор представляет собой наилучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции устройства, низкого сопротивления и экономической эффективности.

Изолированное центральное монтажное отверстие, рассчитанное на повторяющиеся лавины, предназначено для быстрого переключения и простоты параллельной работы. Требования к драйверам также очень просты, а транзистор также не содержит свинца.

Характеристики IRFP450 MOSFET

Различные функции IRFP450 MOSFET перечислены ниже

Читать далее "

IRF740_4507208.PDF Datasheet Загрузить --- IC-ON-LINE

ЧАСТЬ Описание Чайник
IRFP243R IRFF122R IRFF123R IRF621R IRFP140R IRFF12 ТРАНЗИСТОР | MOSFET | N-КАНАЛ | 150V V (BR) DSS | 20A I (D) | ТО-247
ТРАНЗИСТОР | MOSFET | N-КАНАЛ | 100V V (BR) DSS | 5A I (D) | ТО-205АФ
ТРАНЗИСТОР | MOSFET | N-КАНАЛ | 80V V (BR) DSS | 5A I (D) | ТО-205АФ
ТРАНЗИСТОР | MOSFET | N-КАНАЛ | 150V V (BR) DSS | 5A I (D) | ТО-220АБ
ТРАНЗИСТОР | MOSFET | N-КАНАЛ | 100V V (BR) DSS | 31A I (D) | ТО-247
ТРАНЗИСТОР | MOSFET | N-КАНАЛ | 80V V (BR) DSS | 6A I (D) | ТО-205АФ
ТРАНЗИСТОР | MOSFET | N-КАНАЛ | 100V V (BR) DSS | 6A I (D) | ТО-205АФ
ТРАНЗИСТОР | MOSFET | N-КАНАЛ | 80V V (BR) DSS | 8A I (D) | TO-205AF 晶体管 | MOSFET | N 沟道 | 80V 的 五 (巴西) 直 | 8A 条 (丁) | 05AF
ТРАНЗИСТОР | MOSFET | N-КАНАЛ | 100V V (BR) DSS | 4.9A I (D) | TO-220AB 晶体管 | MOSFET | N 沟道 | 100V 的 五 (巴西) 直 | 4.9AI (四) | ТО - 220AB №
ТРАНЗИСТОР | MOSFET | N-КАНАЛ | 100V V (BR) DSS | 1A I (D) | TO-250VAR 晶体管 | MOSFET | N 沟道 | 100V 的 五 (巴西) 直 | 1A 条 (丁) | 50VAR
ТРАНЗИСТОР | MOSFET | N-КАНАЛ | 80V V (BR) DSS | 28A I (D) | TO-204AE 晶体管 | MOSFET | N 沟道 | 80V 的 五 (巴西) 直 | 28A 条 (丁) | ТРАНЗИСТОР 04AE
| MOSFET | N-КАНАЛ | 150V V (BR) DSS | 600MA I (D) | TO-250VAR 晶体管 | MOSFET | N 沟道 | 150 伏 五 (巴西) 直 | 600 毫安 (丁) | 50VAR
ТРАНЗИСТОР | MOSFET | N-КАНАЛ | 100V V (BR) DSS | 25A I (D) | TO-204AE 晶体管 | MOSFET | N 沟道 | 100V 的 五 (巴西) 直 | 5A 条 (丁) | 04AE
Black Box, Corp.
Bourns, Inc.
Vishay Intertechnology, Inc.
Samsung Semiconductor Co., Ltd.
3M Company
MHT8P20 MTP3N12 VN2410B ТРАНЗИСТОР | MOSFET | П-КАНАЛ | 200V V (BR) DSS | 8A I (D) | ТО-258AA
ТРАНЗИСТОР | MOSFET | N-КАНАЛ | 120V V (BR) DSS | 3A I (D) | ТО-220АБ
ТРАНЗИСТОР | MOSFET | N-КАНАЛ | 240V V (BR) DSS | 700MA I (D) | TO-39 晶体管 | MOSFET | N 沟道 | 240 伏 五 (巴西) 直 | 700mA 的 一 d) | КУ - 39 封装
Microchip Technology, Inc.
STB6NA80 4233 STB6NA80-1 STB6NA80T4 ТРАНЗИСТОР | MOSFET | N-КАНАЛ | 800V V (BR) DSS | 5.7A I (D) | ТО-263AB
ТРАНЗИСТОР | MOSFET | N-КАНАЛ | 800V V (BR) DSS | 5.7A I (D) | TO-262VAR
N-CHANNEL Power MOSFET
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
Из старой системы технических данных
ST Microelectronics
STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
STD1NA60 3633 STD1NA60-1 Из старой системы технических данных
N - РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ КАНАЛОВ МОП-ТРАНЗИСТОР МОП
| MOSFET | N-КАНАЛ | 600V V (BR) DSS | 1.6A I (D) | TO-251
N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-МОП-транзистор
http: //
STMicroelectronics
ST Microelectronics
FDN342P P-канал 2,5 В, указанный полевой МОП-транзистор PowerTrench
ТРАНЗИСТОР | МОП-транзистор | P-канал | 20 В (BR) DSS | 2AI (D) | TO-236AB
P-канал 2,5 В, указанный PowerTrench⑩ MOSFET
Fairchild Semiconductor
BUZ40B BSP372 BSP373 BSS129 BSS101 SN7000 BSS135 8 А, 500 В, 0.8 Ом, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220 TO-220, 3 PIN
Малосигнальный транзистор SIPMOS (N-канальный режим улучшения, логический уровень, лавинный уровень, 1,7 A, 100 В, 0,3 Ом, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
Малосигнальный транзистор SIPMOS (N-канальный режим расширения для лавин)
150 мА, 240 В, N-КАНАЛ, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛ, МОП-транзистор, TO-92
130 мА, 240 В, N-КАНАЛ , Si, МАЛЫЙ СИГНАЛ, МОП-транзистор, TO-92
250 мА, 60 В, N-КАНАЛ, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛ, МОП-транзистор, TO-92
80 мА, 600 В, N-КАНАЛ, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛ, МОП-транзистор, К-92
Infineon Technologies AG
SIEMENS AG
SIEMENS A G
FQP85N06 N-канальный полевой МОП-транзистор, 60 В, 85 А, 60 В, 0.01 Ом, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор, TO-220AB
ТРАНЗИСТОР | МОП-транзистор | N-КАНАЛ | 60VV (BR) DSS | 85AI (D) | TO-220AB
Fairchild Semiconductor, Corp.
HUF76423S3S HUF76423P3 FN4708 HUF76423S3ST HUF7642 ТРАНЗИСТОР | MOSFET | N-КАНАЛ | 60V V (BR) DSS | 36A I (D) | TO-263AB 晶体管 | MOSFET | N 沟道 | 60V 的 五 (巴西) 直 | 36A 条 (丁) | 63AB
N-Channel NexFET Power MOSFET 8-SON от -55 до 150
33A, 60 В, 0,035 Ом, N-канал, логический уровень UltraFET Power MOSFET
Из старой системы технических данных
Intersil, Corp.
ИНТЕРСИЛ [Intersil Corporation]
BUZ104SL-4 Четырехканальный силовой транзистор SIPMOS
SIPMOS? Силовой транзистор
Силовой транзистор SIPMOS (четырехканальный режим улучшения, логический уровень, номинальное значение du / dt для лавин) 3,2 A, 55 В, 0,125 Ом, 4 КАНАЛА, N-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET
3,2 A, 55 В, 0,125 Ом, 4 КАНАЛА, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, MOSFET PLASTIC, DSO-28
SIEMENS [Siemens Semiconductor Group]
SIEMENS AG
Infineon Technologies AG
BUZ102AL C67078-S1356-A2 BUZ102ALE3045A N-канальный силовой транзистор SIPMOS
Из старой системы технических данных
SIPMOS? Силовой транзистор
42 А, 50 В, 0.028 Ом, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор, TO-220AB
Силовой транзистор SIPMOS (режим расширения N-канала, логический уровень с номинальным значением dv / dt) 42 А, 50 В, 0,028 Ом, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор, К-220
SIEMENS [Siemens Semiconductor Group]
Infineon Technologies AG
БУК553-100А БУК553-100Б БУК553-100А / Б ТРАНЗИСТОРНЫЙ УНИВЕРСАЛЬНЫЙ МОП-транзистор SOT
PowerMOS транзистор Полевой транзистор логического уровня 12 А, 100 В, 0,22 Ом, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
NXP Semiconductors
PHILIPS [Philips Semiconductors]
IRFU214A IRFR214A ТРАНЗИСТОР | MOSFET | N-КАНАЛ | 250V V (BR) DSS | 2.2A I (D) | ТО-251AA
ТРАНЗИСТОР | MOSFET | N-КАНАЛ | 250V V (BR) DSS | 2.2A I (D) | TO-252AA 晶体管 | MOSFET | N 沟道 | 250V 五 (巴西) 直 | 2.2AI (四) | 52AA
Intersil, Corp.

IRF740 MOSFET - описание производителя, PDF. IRF740 Лист данных

Эти устройства n-канальные, режим расширения, мощность. Блоки управления двигателями переменного и постоянного тока, реле и соленоидные драйверы. I РФ Максимальные рейтинги. V DSS. V DGR. T J, T stg. Отвод к источнику напряжения. Отвод к напряжению затвора.Напряжение затвора в источник. Рабочая температура перехода. Температура хранения. Максимальная температура свинца. Максимальные характеристики в открытом состоянии. R DS включен. Статический сток в источник. О сопротивлении.

МОП-транзистор IRF740. Технический паспорт pdf. Эквивалент

I D Ток утечки. Максимальные тепловые характеристики. Термическое сопротивление. Переход к делу. P D Общая рассеиваемая мощность. Содержание Содержание 1 Электрические характеристики. IRF 1 Электрические характеристики Таблица 1. DS на макс., 7 10 В IRF Таблица 6. Ширина импульса ограничена безопасной рабочей зоной 2.Электрические характеристики 2.

Безопасная рабочая зона Рисунок 3. Выходные характеристики Рисунок 5. Тепловое сопротивление Рисунок 4. Передаточные характеристики Рисунок 6. Статический сток-исток на сопротивлении IRF IRF Рисунок 7. Заряд затвора в зависимости от напряжения затвор-исток Рисунок 8. Рисунок 9. Нормализованное пороговое напряжение затвора от температуры Рисунок Прямые характеристики диода исток-сток Электрические характеристики Вариации емкости Рисунок Испытательная схема Рисунок Тестовая схема времени переключения для резистивной нагрузки Рисунок Тестовая схема для переключения индуктивной нагрузки и время восстановления диода Рисунок Схема тестирования заряда затвора Рисунок Незажимная тестовая схема индуктивной нагрузки Рисунок Форма волны времени переключения IRF Эти пакеты имеют бессвинцовое межсоединение второго уровня.

Максимальные характеристики, относящиеся к условиям пайки, также указаны на этикетке внутреннего блока. Этот силовой полевой транзистор с кремниевым затвором с N-канальным улучшенным режимом работы представляет собой усовершенствованную мощность. Это техническое описание содержит технические характеристики для. Параметры и характеристики. Каталог электронных компонентов. Я предположил, что график также показывает максимальное значение таблицы данных. Шестнадцатеричные полевые транзисторы также обладают всеми хорошо зарекомендовавшими себя преимуществами МОП-транзисторов, такими как контроль напряжения, очень быстрое переключение, простота параллельного включения и температурная стабильность электрических параметров.

Схема проверки времени переключения для резистивной нагрузки. Они разработаны для усилителей звука и драйверов, использующих дополнительные или квазикомплементарные схемы. Зарегистрируйтесь, используя электронную почту и пароль. Щелкните логотип vishay на любой странице содержания, чтобы перейти на главную страницу содержания.

Irf, irf транзистор, irf nchannel mosfet транзистор, купить irf Scribd - крупнейший в мире сайт для чтения и публикации в социальных сетях. Кроме того, графики всегда являются типичными, если не указано иное.

Orf sheet январь Fairchild Semiconductor Corporation irf rev.Опубликовать как гость Имя. Зарегистрируйтесь или войдите в систему. Зарегистрируйтесь с помощью Google.

Записки по ремонту гитарных усилителей, ленточного оборудования, л по о. Зарегистрируйтесь через Facebook. Поскольку обычно лучше определять размер привода затвора для худшего случая, я предположил, что график также показывает максимальное значение. Небольшие заказы на транзисторы, микросхемы и конденсаторы и многое другое.

В городе пройдет 9-я международная конференция по компрессорам и их системам. Дополнительные характеристики низковольтных транзисторов предварительно выбраны в описании общего назначения приложения усиления постоянного тока. Эти эпитаксиальные планарные транзисторы смонтированы в пластиковом корпусе sot32.Главная Вопросы Теги Пользователи без ответа. Незажимная схема испытания индуктивной нагрузки устаревшие продукты устаревшие продукты рисунок Предусилитель q сбалансированный вход q симметричный и несимметричный выходы q 3-полосный эквалайзер q паук-паук с подъемом на землю Простое новое зарядное устройство для глубокого цикла 12 В.

Это усовершенствованный силовой МОП-транзистор, разработанный, испытанный и гарантированно выдерживающий спецификации. Но на странице 4, рис. Каталог eng микроконтроллер интегрированных данных. Полевой транзистор tmos с кремниевым затвором и режимом расширения Motorola nchannel, все технические данные, технические данные, поисковые таблицы на сайте iirf электронные компоненты и полупроводники, интегральные схемы, диоды, симисторы и другие полупроводники.

Epe pic микроконтроллер электротехника.

IRF740 STMicroelectronics, IRF740 Datasheet

Power mosfet irf, sihf Vishay Siliconix имеет динамический DVD-диск при повторяющейся лавине, рассчитанный на быструю простоту параллельного выполнения требований к простым приводам в соответствии с описанием директивы RoHS. Краткие инструкции по ремонту гитарных усилителей, бандажного оборудования, l - o ниже представлены краткие инструкции по ремонту различного оборудования.

Oldies radio 60s 70s

Перейти к содержанию.Страницы: [1] 2.Хотелось бы, чтобы схема была максимально простой. Что-нибудь еще мне нужно? Я видел некоторые схемы, но я не уверен, почему в них больше компонентов. Цитата: космос 24 декабря, PM. Так для чего резистор? Кроме того, как получить 10 Вольт для его включения. В целях переключения пороговое напряжение никогда не стоит учитывать, вы всегда должны проверять Rds на Vgs, которое вы собираетесь использовать.

Мбит / с частота nilesat 2018

Достаточно честно. Получил правильный заказ. Всем спасибо за помощь.Счастливых праздников! Итак, я вижу изрядное количество схем, нарисованных с резистором, параллельным затвору с землей, так что существует прямое соединение от выходного контакта Arduino с затвором, а резистор идет от этого провода к земле.

Достигает ли это того же эффекта? Я планировал перейти от выходного контакта к резистору и затвору, как предлагалось последовательно. Есть предположения? BulletMagnet83 Гость. Я думаю, что резистор затвор-земля нужен для того, чтобы подтянуть затвор к низкому уровню и удерживать его там, если что-то специально не поднимает его, чтобы предотвратить случайное или нежелательное переключение.

Может ошибаться Цитата из: BulletMagnet83, 5 января, pm. Цитата: retrolefty, 24 декабря, пп. Джентльмены могут предпочесть блондинок, а настоящие мужчины предпочитают рыжих! Вот почему я указал цитату. Спасибо за помощь, чтобы попасть сюда. Все питание поступает от одной розетки на 24 В постоянного тока. Проблема в том, что понижающий резистор не работает. Если я отключу выход Arduino от ворот, двигатель заработает, хотя и примерно на половину скорости.

Если я прикреплю заземляющий контакт к верхней части резистора, он остановится.Я измерил на резисторе около 2 вольт. Итак, когда я подключаю все и щелкаю выключателем питания 24 В, двигатель начинает вращаться, пока Arduino не будет полностью запитан, а затем все работает нормально.

Итак, я получаю около 1 секунды вращения двигателя, о которой я не прошу при запуске. Любые идеи, что может пойти не так. Резистор 10к. Пайка - это не экспертное качество, но кажется, что это то место, где они должны проверять целостность.

Территории, означающие в пенджаби

Это техническое описание содержит технические характеристики для. Параметры и характеристики. Каталог электронных компонентов. Небольшие заказы на транзисторы, микросхемы и конденсаторы и многое другое. Мощный МОП-транзистор irf, sihf Vishay Siliconix отличается динамическим рейтингом DVD с повторяющимися лавинными характеристиками, быстродействием по данным, высочайшей легкостью параллельной работы с простыми приводами, соответствующими описанию директивы RoHS.

Это техническое описание может быть изменено без предварительного уведомления. Они разработаны для усилителей звука и драйверов, использующих дополнительные или квазикомплементарные схемы.Richardson rfpd, стрелочная компания, является специализированным дистрибьютором электронных компонентов, предоставляющим инженерам-конструкторам глубокие технические знания и локализованную глобальную проектную поддержку новейших продуктов от ведущих мировых поставщиков радиочастотных, беспроводных, энергетических и энергетических технологий.

Поскольку обычно лучше определять размер привода затвора для худшего случая, я предположил, что график также показывает максимальное значение.

Седло для троса

Выходное напряжение инвертора имеет форму импульсов с расчетным пиковым значением около v.Опубликовать как гость Имя.

Настоящий против поддельного полевого МОП-транзистора - как определить поддельный транзистор? - MOSFET Test

Это усовершенствованный силовой МОП-транзистор, разработанный, испытанный и гарантированно выдерживающий спецификации. WhatRoughBeast 49k 2 28 Шестнадцатеричные полевые транзисторы также обладают всеми хорошо зарекомендовавшими себя преимуществами МОП-транзисторов, такими как управление напряжением, очень быстрое переключение, простота параллельного включения и стабильность электрических параметров в диапазоне низких частот.

Ecobjective paperiese Бумага для объективов EC в комплекте d 1.Диаграммы почти всегда показывают типичные значения, а не пределы спецификации. Дополнительные характеристики низковольтных транзисторов предварительно выбраны в описании общего назначения приложения усиления постоянного тока. Эти эпитаксиальные планарные транзисторы смонтированы в пластиковом корпусе sot32.

Кроме того, графики всегда являются типичными, если не указано иное. Технический паспорт текущий 2-килобайтный типовой технический паспорт, производитель может отличаться. Таблица данных irf, таблицы данных irf, irf pdf, схема irf. Эти биты конфигурации позволяют пользователю использовать почти любой генератор от 4 МГц до 48 МГц для управления силовым полевым транзистором с кремниевым затвором tmos с режимом усиления pic18f Motorola nchannel, все данные, техническое описание, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов, и irg полупроводники.

Щелкните логотип vishay на любой странице содержания, чтобы перейти на главную страницу содержания. Irf datasheet, irf mosfet nchannel transistor datasheet, купить irf транзистор. Restez en contact avec des amis. Плюс Carambis Driver Updater 2. Разрешение программиста […]. Ce choix est Discutable. Телефонное зарядное устройство BlackBerry Curve 3G бесплатно! Merci de votre терпение. Номинальное: logiciel imprimante hp photosmart […].

Nom: пилотный контроллер Ethernet […].Маджид аз-Замил - 18 с. Мухаммад аль-Муншид - с. Усама Хаят - 11 с. Хотите провести полноценный вечер кино с семьей, вместо того, чтобы долго ждать преобразования? Нэнси 9 Хасса Бик. Все компиляции Нэнси Аджрам. Этот веб-сайт использует файлы cookie, чтобы улучшить вашу работу во время навигации по веб-сайту.

Из этих файлов cookie файлы cookie, которые классифицируются как необходимые, хранятся в вашем браузере, поскольку они столь же важны для работы основных функций веб-сайта.Мы также используем сторонние файлы cookie, которые помогают нам анализировать и понимать, как вы используете этот веб-сайт. Эти файлы cookie будут храниться в вашем браузере только с вашего согласия.

У вас также есть возможность отказаться от этих файлов cookie. Но отказ от некоторых из этих файлов cookie может повлиять на ваш опыт просмотра.

Необходимые файлы cookie абсолютно необходимы для правильной работы веб-сайта. В эту категорию входят только файлы cookie, которые обеспечивают основные функции и функции безопасности веб-сайта.

Эти файлы cookie не хранят никакой личной информации. Sport Cipo Club. Этот веб-сайт использует файлы cookie для улучшения вашего опыта. Мы предполагаем, что вы согласны с этим, но вы можете отказаться, если хотите.

Обзор конфиденциальности Этот веб-сайт использует файлы cookie, чтобы улучшить вашу работу во время навигации по веб-сайту. Обзор конфиденциальности. Все эти силовые полевые МОП-транзисторы предназначены для таких приложений, как импульсные регуляторы, переключающие преобразователи, драйверы двигателей, релейные драйверы и драйверы для мощных биполярных переключающих транзисторов, требующих высокой скорости и низкой мощности управления затвором.

Они могут работать напрямую от интегральных схем. Ранее развивающийся тип TA Data Sheet. Январь Все. Информация для заказа. ПРИМЕЧАНИЕ. При заказе указывайте полный номер детали. IRF Rev.

ТЕХНИЧЕСКИЙ ПАСПОРТ IRF740 PDF

Предварительный просмотр недоступен! Напряжение стока в источник Примечание 1. V DGR. Постоянный ток утечки. Импульсный ток утечки Примечание 3.

Goldorak шансон натали симард

Напряжение затвора в источник. Максимальное рассеивание мощности. Коэффициент линейного снижения мощности. Температура эксплуатации и хранения.Максимальная температура пайки. Ведет на 0. Корпус в упаковке на 10 с, см. Техническое описание T pkg. Это только стресс-рейтинг и работа. Напряжение пробоя от стока к источнику. От ворот до порогового напряжения.

J4 union guava

Ток утечки нулевого напряжения затвора. Ток утечки в открытом состоянии Примечание 2. Ток утечки от затвора к источнику. Примечание 2 «Слив в источник при сопротивлении». Примечание 2 о прямой крутизне.


Стекло, зеркала, душевые кабины и окна на заказ, окна

НАСТРОЙТЕ СВОЙ видеорегистратор! ЗВОНИТЕ ДРУЗЬЯМ! ПРЕДУПРЕЖДАЙТЕ СВОИХ КЛИЕНТОВ!

Премьеры в сети DIY (информацию о каналах можно узнать у местного поставщика кабельного телевидения)

Щелкните ЗДЕСЬ для получения дополнительной информации.

Woodbury Glass предлагает первоклассные услуги по производству стекла в районе городов-побратимов уже более десяти лет. Мы - семейная компания, ориентированная на профессионализм, честность и качество, и мы всегда ставим потребности наших клиентов превыше всего.

Мы предлагаем эксклюзивные преимущества для наших клиентов, поскольку мы являемся местной стекольной компанией в Вудбери, штат Миннесота, а также располагаем широким спектром возможностей для производства стекла. Мы специализируемся на ремонте и замене окон в жилых и коммерческих помещениях, замене стеклопакетов (термопана), душевых кабинах, производстве плоского стекла и зеркал.

Woodbury Glass стремится обслуживать клиентов с наилучшими показателями качества и качества и с гордостью предлагает своим клиентам следующие услуги и специальные предложения:

• Ремонт стекла
• Замена стекла
• Установка стекла
• Душевые двери
• Душевые уголки
• Зеркала
• Установка по индивидуальному заказу
• Окна

Наш знающий и увлеченный персонал проведет вас через весь процесс, даже если вы просто хотите обновить свои зеркала или стекло.Woodbury Glass предлагает не только прямолинейные и фигурные кромки, но мы также можем искусно изготовить несколько стилей скосов и выразительную обработку кромок на стекле толщиной от 3/16 "до 3/4". Наши профессиональные сотрудники могут выполнять вырезы, выемки, выемки для пальцев, канавки в пластинах и сверления отверстий.

Если вы ищете другие материалы, помимо стекла, мы продаем оргстекло, поликарбонат и другие акриловые материалы, термостойкое стекло, стекла с различными узорами и многое другое.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *