Irf840 параметры: Транзистор IRF840 MOSFET N канальный 8A 500V TO220 Цена

IRF840 характеристики транзистора на русском, datasheet, аналоги

В тексте приведены характеристики силового N-канальный МОП-транзистора IRF840 на русском языке от производителя International Rectifier (IR). Компания Vishay, поглотившая в свое время IR, теперь  выпускает его с дополнительным обозначением SiHF740. В даташит указывается, что это современный транзистор третьего поколения, несмотря на экономичность конструкции и корпуса имеет достаточно хорошие технические параметры. Особенно подчеркивается его мощность, высокое быстродействие, маленькое сопротивление открытого канала и низкая стоимость. Это делает его привлекательным для использования не только на производстве, но и в радиолюбительской среде.

Содержание

1. Распиновка
2. Характеристики
3. Максимальные
4. Электрические
5. Время переключения
6. Ёмкостные характеристики
7. Тепловые параметры
8. Аналог
9. Маркировка
10. Управление от микроконтроллера
11. Схемы включения
12. Стабилизатор анодного напряжения
13. Производители

Распиновка

Цоколевка IRF840 выполнена в стандартном корпусе ТО-220AB, способном выдерживать мощность рассеивания до 50 Вт. Расположение выводов идентична различным mosfet фирмы IR в таком корпусе. Для определения назначения выводов возьмите транзистор и поверните его так, чтобы можно было прочитать маркировку на его корпусе. Выводы при этом должны быть внизу. Левый электрод называется — затвором (G), средний — стоком (D), а самый правый – истоком (S). Вывод D соединен с радиатором ТО-220AB. Для наглядности приведем распиновку на рисунке.

Характеристики

В любом техническом описании на транзистор производитель указывает максимально допустимые и электрические параметры эксплуатации, при температуре окружающей среды до 25 °C. Как правило, значения параметров указываются для идеальных условий эксплуатации, которых в реальной жизни добиться практически невозможно. Но именно на эти параметры ориентируется разработчик в своих проектах.

Максимальные

Главные максимально допустимые значения при эксплуатации указаны в самом начале технического описания. Это своеобразная реклама на устройство – чем выше значения параметров, тем лучше. Напомним, что значения этих параметров не должны превышаться ни при каких условиях. Для мощного mosfet irf840 такими параметрами являются: максимальное напряжение сток-исток V_DS до 500 В, сопротивление в открытом состоянии R_DS(ON) 0,85 Ом, суммарный заряд затвора Q_GMAX 63 Нк и максимальный ток I_D 8.0 A. В отдельную таблицу сведены другие предельно допустимые характеристики, указанные для температуры окружающей среды 25 °C.

Электрические

Максимальные значения дают лишь общее понятия о параметрах устройства и возможность сравнить его с другими транзисторами. Кроме максимальных значений в datasheet на irf840 приводится таблица других не менее важных параметров с названием — электрические характеристики. Эти значения также приводятся с учетом температуры окружающей среды в 25 °C. Рассмотрим их поподробнее.

У таблицы электрических параметров имеется дополнительный столбец с условиями, при которых производитель проводил тестирование устройства. Все значения приведенные в таблице в той или иной мере важны для применения в проектах, однако в первую очередь из этого списка обращают внимание на следующие характеристики irf840: напряжение пробоя V_(BR)DSS до 500 В, напряжение отсечки V_GS(th) от 2 до 4 В, токи утечки затвора I_DSS до 100 нА и канала I_DSS до 250 мкА. Их производитель указывает в первую очередь.

Время переключения

Для применения в ключевых схемах стоит обратить внимание на ёмкостные значения (С_RSS, С_ISS, С_OSS), которые определяют время открытия T_{D (ON)} и закрытия T_D(OFF) канала проводимости. Чем оно ниже, тем лучше работа устройства в ключевом режиме и меньше его нагрев. У irf840 эти значения составляют 14 и 49 наносекунд соответственно. Обратите внимание, что в даташит эти значения приводятся производителем для определенных условий тестирования, соответственно на практике они могут отличатся от указанных.

Ёмкостные характеристики

Так же, для ключевых схем могут понадобиться так называемые паразитные емкости между выводами транзистора (С_GD, С_GS, C_DC). Некоторые производители не указывают их значения, но при необходимости их можно вычислить по формулам:Зная величину обратной переходной ёмкости у irf840 (C_RSS = 120 пФ), вычисляем ёмкостные величины у паразитных конденсаторов: C_GD 120 пФ; C_GS 1180 пФ; C_DS 180 пФ. Следует знать, что при включении (открытии канала) емкость C_GD образует отрицательную обратную связь между входом и выходом прибора, называемую эффектом Миллера. Значения величин C_GD и C_DS сильно зависят от напряжения в нагрузке и лишь иногда указываются в документации для тестирования.

Тепловые параметры

Все вышеперечисленные параметры сильно зависят от нагрева самого irf840 и окружающих его элементов, во время работы. Так, при нагреве корпуса до 100 ⁰С максимальный постоянный ток стока, который может перегнать через себя этот транзистор, резко уменьшается до 5. 1 A, при этом I_GSS будет расти. Максимальные значения отдельных характеристик при переменном токе, таких как I_DM, I_EA, E_AR так же ограничивает температура перехода T_J и об этом производитель указывает дополнительно в пояснениях.

Для расчетов T_J при импульсном токе в даташит приводится график зависимости теплового импеданса между подложкой-корпусом Z_thJC (⁰С/Вт) от коэффициента заполнения D (Duty Factor). Чем больше Duty Factor, тем выше Z_thJC и тем сильнее нагревается кристалл, температура которого у irf840 ограничена 150 °C.

Снизить нагрев прибора возможно при установке дополнительных пассивных или активных схем охлаждения с помощью внешних устройств. Пассивная схема предполагает использование радиатора. Для расчета его площади и других свойств, позволяющих уменьшить нагрев irf840, в его спецификации приводят значения тепловых сопротивлений тепловых: кристалл-корпус  (Junction-to-Case ), корпус-среду (Junction-to-Ambient).

Аналог

Ближайшие зарубежные аналоги у irf840: это 2SK554 (Toshiba) и STP5NK50Z (STM). Отечественной заменой могут быть КП777А, КП840. К сожалению их очень трудно найти в продаже, особенно российского производства.

Маркировка

Первые символы в обозначении irf840 указывают на его первого производителя  — американскую компанию, специализирующуюся на изготовлении электронных компонентов International Rectifier (IR). Эта компании также известна созданием в 1979 году передовой технологии Hexfet, позволившей значительно снизить сопротивление открытого канала у полевого транзистора. По данной технологии по настоящее время изготавливается рассматриваемый образец. В настоящее время компания IR стала одним из подразделений Vishay, которая выпускает транзисторы по без свинцовой технологии с маркикровой irf840PbF (SiHF840-E3) .

Управление от микроконтроллера

Как видно из представленных характеристик напряжение отсечки, при котором irf840 закрыт, составляет 4 В. В связи с этим у многих радиолюбителей появляется желание управления этим mosfet от микроконтроллера напрямую, например таким как Arduino. Однако, этого лучше не делать. Из некоторых условий видно, что значения R_{DS(ON)  и} Q_GMAX измерялись производителем при напряжении на затворе в 10 В. Это связано с тем, что irf840 не открывается полностью при более низких напряжениях, а значит не является транзистором логического уровня и не рекомендован изготовителем для управления от микроконтроллера. Для стабильной работы в схемах управления от микроконтроллера потребуется отдельный драйвер, способный выдать на затвор более 10 В. Обычно, у транзисторов логического уровня в условиях измерений напряжение затвора приближено к 5 В. Компания Vishay рекомендует для этих целей IRF840LC (SiHF840LC).

Схемы включения

Как элемент схемы, он является активным несимметричным четырёхполюсником, одни из выводов у которого общий для цепей входа и выхода. Схемы включения irf840 соответствуют типовому включению в цепях: с общим; с общим стоком; c общим затвором. Типовые способы подключения для полевых транзисторов смотрите на рисунке.

Стабилизатор анодного напряжения

В последнее время у многих радиолюбителей появляется интерес к разработке и сборке анодных стабилизаторов напряжения на мощных mosfet. Идеи для сборки подобных схем подсмотрены в технической документации от компании National Semiconductor и доработаны радиолюбителями на различных форумах. Приведем пример одной из таких схем (c общим затвором) стабилизатора на 250 вольт, с использованием irf840 и микросхемы lm317.

Схема представляет из себя два каскада. В первом каскаде установлен irf840, он выполняет роль истокового повторителя. Во вором каскаде уставлена нагрузка — микросхема lm317. Максимальная величина напряжения между входом и выходом не должна превышать 37 В. Поэтому стабилитроны Z2 и Z3 защищают эту микросхему от напряжения превышающего 30 В.

Резисторы D1, D2, D3, Z3 защищают полупроводниковые устройства от различных нагрузок. R6 нужно поставить для обеспечения ток холостого хода у lm, он должен быть примерно 6.4 мА. Мощность резистора R4 должна быть не менее 30 Вт. Нагрузку обычно подсоединяют с помощью плавкого предохранителя. Микросхему и транзистор необходимо прикрепить на отдельные радиаторы, которые при работе стабилизатора будут достаточно хорошо греться. Указанный стабилизатор выдерживает предельны ток в нагрузке до 110 мА, ограниченный резистором R2.

Производители

Для наиболее полного знакомства предлагаем ознакомится с datasheet irf840 некоторых производителей. На российском рынке в основном его продает компания Vishay. На зарубежном рынке широко представлен фирмами: Fairchild Semiconductor, Samsung, STMicroelectronics, Motorola и др.

Транзистор IRF840: характеристики, аналоги и datasheet

По своим характеристикам IRF840 относится к третьему поколению полевых МОП транзисторов. Это n-канальные силовые устройства, способные выдерживать большую энергию в режиме лавинном пробое и быстро переключаться. Они используются в высоковольтных, высокоскоростных схемах, например, в блоках питания, системах управления электродвигателями и других конструкциях с индуктивной нагрузкой.

Цоколевка

Изготавливается IRF840 в корпусе ТО-220 в нем и будет рассмотрена цоколевка. Он является стандартным для устройств мощностью до 50 Вт. Выводы транзистора расположены в следующем порядке: слева расположен затвор, по середине сток и слева исток. Кроме этого сток соединён с радиатором. Подробно ознакомиться с расположением выводов можно взглянув на рисунок.

Технические характеристики

Все значения измеряются при стандартной температуре +25°С. Ниже приведены предельные характеристики IRF840:

• напряжение между стоком и истоком V_DS = 500 В;
• напряжение между затвором и истоком V_GS = ±20 В;
• постоянный ток текущий через сток:
  • при температуре +25^ОС I_D = 8 А;
  • при температуре +100^ОС I_D = 5,1 А;
• пиковый ток стока I_DМ = 32 А;
• коэффициент линейного снижения мощности 1 Вт/ ^ОС;
• энергия лавинного импульса E_AS = 510 мДж;
• повторяющийся лавинный ток I_AR = 8 А;
• повторяющаяся лавинная энергия E_AR = 13 мДж;
• мощность P_D = 125 Вт;
• диапазон температур T_J = -55 ^ОC … +150^ОC.

От электрических параметров также зависят возможности транзистора и сфера применения. Производители полевых транзисторов часто разбивают их на такие категории: статические, динамические и канальные. Условия тестирования приведены в колонке «Параметры тестирования».

Так как мощные транзисторы греются, то для них важно также рассмотреть тепловые величины. Они показывают, как быстро энергия отводится от устройства. Для IRF840 они равны:

Аналоги

При выходе из строя IRF840 рекомендуется менять на зарубежные аналоги:

• 2SK554;
• BUZ42;
• SPP04N60C3;
• STP5NK50Z.

Существуют также отечественная замена, это КП777А и КП840.

Производители

Перечислим основные компании, которые изготавливают IRF840 и приведём их datasheet:

• Fairchild Semiconductor;
• STMicroelectronics;
• Motorola;
• Inchange Semiconductor Company Limited;
• Advanced Power Electronics;
• Kersemi Electronic;
• NXP Semiconductors;
• Samsung semiconductor;
• Dc Components;
• ARTSCHIP ELECTRONICS.

В отечественных магазинах встречаются транзисторы таких производителей:

• Vishay Siliconix;
• International Rectifier.

Введение в IRF840 MOSFET – Технические знания

Привет, друзья, надеюсь, у вас все отлично. В этом посте я расскажу о IRF840 MOSFET. Эта категория MOSFET используется в таких приложениях, где требуется высокая скорость и высокое напряжение, поскольку они обеспечивают эти функции и, следовательно, имеют меньшее значение сопротивления в открытом состоянии. Он принадлежит к семейству N-канальных МОП-транзисторов. Поскольку это N-канал, движение тока или процесс проводимости осуществляется свободными электронами.

В этом посте мы рассмотрим все параметры, такие как распиновка, схема характеристик и некоторые другие параметры, связанные с этим модулем, поэтому давайте начнем с введения в IRF840 MOSFET.

Введение в IRF840 MOSFET

• IRF840 представляет собой N-канальный силовой полевой транзистор на оксиде металла или MOSFET, который можно использовать для переключения процесса значения нагрузки на пять вольт.

• Имеет возможность делать процесс коммутации для нагрузки, потребляющей восемь ампер и для включения ее пороговое значение напряжения десять вольт на затворе и истоковой распиновке.
• Поскольку он используется для схемы высокоскоростного переключателя с большим значением напряжения и тока, поэтому значение напряжения на его выводе затвора велико, и поэтому его взаимосвязь с входной или выходной схемой контактов центрального процессора невозможна.
• Для таких приложений, где требуется меньшее значение тока затвора, чем при использовании IRF540N.
• Этот модуль имеет три вывода: сливной вентиль и исток.
• Единственным и главным недостатком этого полевого МОП-транзистора является то, что он предлагает большое значение RDS, равное 0,85 Ом.
• По этой причине он не является предпочтительным для приложений, где требуется большая эффективность переключения.
• Требуется схема привода для подачи десяти вольт на вывод затвора полевого МОП-транзистора, поскольку в этой схеме используются транзисторы.
•  Цена этих устройств намного ниже, они имеют меньшее значение теплового сопротивления и используются в схемах преобразования постоянного тока в постоянный.
• Если мы проведем сравнение между BJT и MOSFET, мы узнаем, что BJT — это устройство управления током, а MOSFET — это устройство управления напряжением.

Распиновка полевого МОП-транзистора IRF840

• Существует три основных распиновки этого компонента сток, затвор и исток, которые описаны здесь.
• Источник:  Эта клемма используется для отключения тока от модуля, а максимальное значение тока составляет восемь ампер.
• Затвор:  Он используется для регулирования процесса смещения полевого МОП-транзистора для этого порогового значения напряжения, равного десяти вольтам.
• Drain:  Эта распиновка используется для подачи тока на полевой МОП-транзистор 9.0016

Характеристики полевого МОП-транзистора IRF840

• Основные характеристики этой модели подробно описаны здесь.
• Он принадлежит к семейству N-канальных МОП-транзисторов.
• Значение напряжения сток-исток, использованное для пробоя, составляет пятьсот вольт.
• Значение тока стока для этого МОП-транзистора составляет восемь ампер.
• Существует в упаковке К-220.
• Значение порогового напряжения затвора составляет десять вольт.
• Значение времени нарастания составляет двадцать три нс, а время спада — двадцать нено секунд.
• Значение сопротивления сток-исток составляет 0,85 Ом.

Применение IRF840

• Здесь описано наиболее распространенное применение.
• Используется в такой схеме, которая используется для управления скоростью двигателя.
• Является основной частью инвертированной схемы.
• Используется в светодиодных диммерах.
• Для приложений, где требуется быстрое переключение.
• Используется для преобразования постоянного тока в постоянный.

Итак, друзья, подробный пост про IRF840. В этом посте я попытался охватить каждый факт об этом МОП-транзисторе. Если у вас есть какие-либо дополнительные вопросы, задайте их в комментариях, спасибо за чтение, приятного да. от $1

Автор: Генри

http://www.theengineeringknowledge.com

Я профессиональный инженер, выпускник известного инженерного университета, также имею опыт работы инженером в различных известных отраслях. Я также являюсь автором технического контента, мое хобби — исследовать новые вещи и делиться ими с миром. Через эту платформу я также делюсь своими профессиональными и техническими знаниями со студентами инженерных специальностей.

Фелер 404

Auswahl von Land und Sprache beeinflusst Deine Geschäftsbedingungen, Produktpreise und Sonderangebote

Sprache

Верунг

Preise

нетто

брутто

нетто

брутто

Nutze diesuchmaschine, um Themen zu finden, die Dich interessieren:

Каталог Ви кауфт человек Хильфе

или zurück zu: Дом

Abonnieren Sie jetzt

В том же информационном бюллетене вы найдете самые интересные и интересные сведения о новых продуктах, товарах и услугах на веб-сайте TME.
Hier können Sie sich auch von der Liste abmelden.

* Pflichtfeld

AnmeldenAuf Mitteilungsblatt verzichten

Ich habe mich mit der Ordnung des TME-Bulletins bekannt gemacht und erteile meine Zustimmung, damit das elektronische Informationsbulletin des TME-Dienstes meine E-Mail-Adresse geschickt wird. Орден бюллетеней TME

1. Transfer Multisort Elektronik sp. о.о. mit Sitz в Лодзи, Адрес: ул. Ustronna 41, 93-350 Łódź teilt hiermit mit, dass sie der Administrator Ihrer personenbezogenen Daten sein wird.
2. Ein Datenschutzbeauftragter wird beim Administrator der personenbezogenen Daten ernannt und kann per E-Mail unter [email protected] kontaktiert werden.
3. Ihre Daten werden verarbeitet auf Grundlage von Art. 6 Абс. 1 лит. a) der Verordnung des Europäischen Parlaments und des Rates (EU) 2016/679 от 27 апреля 2016 г. ), гм и английский адрес электронной почты электронного бюллетеня TME zu senden.
4. Die Angabe der Daten ist freiwillig, jedoch für den Versand des Newsletters erforderlich.
5. Ihre personenbezogenen Daten werden gespeichert, bis Ihre Einwilligung für die Verarbeitung Ihrer personenbezogenen Daten widerufen.
6. Sie haben das Recht auf Zugang, Berichtigung, Löschung oder Einschränkung der Verarbeitung Ihrer Daten;
Soweit Ihre personenbezogenen Daten aufgrund einer Einwilligung verarbeitet werden, haben Sie das Recht, die Einwilligung zu widerufen. Der Widerruf der Einwilligung berührt nicht die Rechtmäßigkeit der Verarbeitung auf der Grundlage der Einwilligung vor dem Widerruf.
7. Soweit Ihre Daten zum Zwecke des Vertragsabschlusses und der Vertragsabwicklung oder aufgrund Ihrer Einwilligung verarbeitet werden, haben Sie auch das Recht, Ihre personenbezogenen Daten zu übertragen, d. час von der verantwortlichen Stelle in structurierter, allgemein üblicher und maschinenlesbarer Form zu erhalten. Sie können diese Daten einen anderen Datenadministrator übersenden.
8. Sie haben auch das Recht, eine Beschwerde bei der für Datenschutz zuständigen Aufsichtsbehörde einzureichen.

больше Венигер

TME-Newsletter abonnieren

Ангбот – Рабат – Нойхайтен. Sei auf dem Laufenden mit dem Angebot von TME

AGB zum Информационный бюллетень Auf Mitteilungsblatt verzichten

Daten werden verarbeitet

Die Operation wurde erfolgreich durchgeführt.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuche noch einmal.

Логин

Пароль

Логин и пароль не заблокированы.

Die Angabe im Feld ist zu kurz.