Irf840 технические характеристики: IRF840 характеристики транзистора на русском, datasheet, аналоги

IRF840 характеристики транзистора на русском, datasheet, аналоги

В тексте приведены характеристики силового N-канальный МОП-транзистора IRF840 на русском языке от производителя International Rectifier (IR). Компания Vishay, поглотившая в свое время IR, теперь  выпускает его с дополнительным обозначением SiHF740. В даташит указывается, что это современный транзистор третьего поколения, несмотря на экономичность конструкции и корпуса имеет достаточно хорошие технические параметры. Особенно подчеркивается его мощность, высокое быстродействие, маленькое сопротивление открытого канала и низкая стоимость. Это делает его привлекательным для использования не только на производстве, но и в радиолюбительской среде.

Содержание

1. Распиновка
2. Характеристики
3. Максимальные
4. Электрические
5. Время переключения
6. Ёмкостные характеристики
7. Тепловые параметры
8. Аналог
9. Маркировка
10. Управление от микроконтроллера
11. Схемы включения
12. Стабилизатор анодного напряжения
13. Производители

Распиновка

Цоколевка IRF840 выполнена в стандартном корпусе ТО-220AB, способном выдерживать мощность рассеивания до 50 Вт. Расположение выводов идентична различным mosfet фирмы IR в таком корпусе. Для определения назначения выводов возьмите транзистор и поверните его так, чтобы можно было прочитать маркировку на его корпусе. Выводы при этом должны быть внизу. Левый электрод называется — затвором (G), средний — стоком (D), а самый правый – истоком (S). Вывод D соединен с радиатором ТО-220AB. Для наглядности приведем распиновку на рисунке.

Характеристики

В любом техническом описании на транзистор производитель указывает максимально допустимые и электрические параметры эксплуатации, при температуре окружающей среды до 25 °C. Как правило, значения параметров указываются для идеальных условий эксплуатации, которых в реальной жизни добиться практически невозможно. Но именно на эти параметры ориентируется разработчик в своих проектах.

Максимальные

Главные максимально допустимые значения при эксплуатации указаны в самом начале технического описания. Это своеобразная реклама на устройство – чем выше значения параметров, тем лучше. Напомним, что значения этих параметров не должны превышаться ни при каких условиях. Для мощного mosfet irf840 такими параметрами являются: максимальное напряжение сток-исток V_DS до 500 В, сопротивление в открытом состоянии R_DS(ON) 0,85 Ом, суммарный заряд затвора Q_GMAX 63 Нк и максимальный ток I_D 8.0 A. В отдельную таблицу сведены другие предельно допустимые характеристики, указанные для температуры окружающей среды 25 °C.

Электрические

Максимальные значения дают лишь общее понятия о параметрах устройства и возможность сравнить его с другими транзисторами. Кроме максимальных значений в datasheet на irf840 приводится таблица других не менее важных параметров с названием — электрические характеристики. Эти значения также приводятся с учетом температуры окружающей среды в 25 °C. Рассмотрим их поподробнее.

У таблицы электрических параметров имеется дополнительный столбец с условиями, при которых производитель проводил тестирование устройства. Все значения приведенные в таблице в той или иной мере важны для применения в проектах, однако в первую очередь из этого списка обращают внимание на следующие характеристики irf840: напряжение пробоя V_(BR)DSS до 500 В, напряжение отсечки V_GS(th) от 2 до 4 В, токи утечки затвора I_DSS до 100 нА и канала I_DSS до 250 мкА. Их производитель указывает в первую очередь.

Время переключения

Для применения в ключевых схемах стоит обратить внимание на ёмкостные значения (С_RSS, С_ISS, С_OSS), которые определяют время открытия T_{D (ON)} и закрытия T_D(OFF) канала проводимости. Чем оно ниже, тем лучше работа устройства в ключевом режиме и меньше его нагрев. У irf840 эти значения составляют 14 и 49 наносекунд соответственно. Обратите внимание, что в даташит эти значения приводятся производителем для определенных условий тестирования, соответственно на практике они могут отличатся от указанных.

Ёмкостные характеристики

Так же, для ключевых схем могут понадобиться так называемые паразитные емкости между выводами транзистора (С_GD, С_GS, C_DC). Некоторые производители не указывают их значения, но при необходимости их можно вычислить по формулам:Зная величину обратной переходной ёмкости у irf840 (C_RSS = 120 пФ), вычисляем ёмкостные величины у паразитных конденсаторов: C_GD 120 пФ; C_GS 1180 пФ; C_DS 180 пФ. Следует знать, что при включении (открытии канала) емкость C_GD образует отрицательную обратную связь между входом и выходом прибора, называемую эффектом Миллера. Значения величин C_GD и C_DS сильно зависят от напряжения в нагрузке и лишь иногда указываются в документации для тестирования.

Тепловые параметры

Все вышеперечисленные параметры сильно зависят от нагрева самого irf840 и окружающих его элементов, во время работы. Так, при нагреве корпуса до 100 ⁰С максимальный постоянный ток стока, который может перегнать через себя этот транзистор, резко уменьшается до 5. 1 A, при этом I_GSS будет расти. Максимальные значения отдельных характеристик при переменном токе, таких как I_DM, I_EA, E_AR так же ограничивает температура перехода T_J и об этом производитель указывает дополнительно в пояснениях.

Для расчетов T_J при импульсном токе в даташит приводится график зависимости теплового импеданса между подложкой-корпусом Z_thJC (⁰С/Вт) от коэффициента заполнения D (Duty Factor). Чем больше Duty Factor, тем выше Z_thJC и тем сильнее нагревается кристалл, температура которого у irf840 ограничена 150 °C.

Снизить нагрев прибора возможно при установке дополнительных пассивных или активных схем охлаждения с помощью внешних устройств. Пассивная схема предполагает использование радиатора. Для расчета его площади и других свойств, позволяющих уменьшить нагрев irf840, в его спецификации приводят значения тепловых сопротивлений тепловых: кристалл-корпус  (Junction-to-Case ), корпус-среду (Junction-to-Ambient).

Аналог

Ближайшие зарубежные аналоги у irf840: это 2SK554 (Toshiba) и STP5NK50Z (STM). Отечественной заменой могут быть КП777А, КП840. К сожалению их очень трудно найти в продаже, особенно российского производства.

Маркировка

Первые символы в обозначении irf840 указывают на его первого производителя  — американскую компанию, специализирующуюся на изготовлении электронных компонентов International Rectifier (IR). Эта компании также известна созданием в 1979 году передовой технологии Hexfet, позволившей значительно снизить сопротивление открытого канала у полевого транзистора. По данной технологии по настоящее время изготавливается рассматриваемый образец. В настоящее время компания IR стала одним из подразделений Vishay, которая выпускает транзисторы по без свинцовой технологии с маркикровой irf840PbF (SiHF840-E3) .

Управление от микроконтроллера

Как видно из представленных характеристик напряжение отсечки, при котором irf840 закрыт, составляет 4 В. В связи с этим у многих радиолюбителей появляется желание управления этим mosfet от микроконтроллера напрямую, например таким как Arduino. Однако, этого лучше не делать. Из некоторых условий видно, что значения R_{DS(ON)  и} Q_GMAX измерялись производителем при напряжении на затворе в 10 В. Это связано с тем, что irf840 не открывается полностью при более низких напряжениях, а значит не является транзистором логического уровня и не рекомендован изготовителем для управления от микроконтроллера. Для стабильной работы в схемах управления от микроконтроллера потребуется отдельный драйвер, способный выдать на затвор более 10 В. Обычно, у транзисторов логического уровня в условиях измерений напряжение затвора приближено к 5 В. Компания Vishay рекомендует для этих целей IRF840LC (SiHF840LC).

Схемы включения

Как элемент схемы, он является активным несимметричным четырёхполюсником, одни из выводов у которого общий для цепей входа и выхода. Схемы включения irf840 соответствуют типовому включению в цепях: с общим; с общим стоком; c общим затвором. Типовые способы подключения для полевых транзисторов смотрите на рисунке.

Стабилизатор анодного напряжения

В последнее время у многих радиолюбителей появляется интерес к разработке и сборке анодных стабилизаторов напряжения на мощных mosfet. Идеи для сборки подобных схем подсмотрены в технической документации от компании National Semiconductor и доработаны радиолюбителями на различных форумах. Приведем пример одной из таких схем (c общим затвором) стабилизатора на 250 вольт, с использованием irf840 и микросхемы lm317.

Схема представляет из себя два каскада. В первом каскаде установлен irf840, он выполняет роль истокового повторителя. Во вором каскаде уставлена нагрузка — микросхема lm317. Максимальная величина напряжения между входом и выходом не должна превышать 37 В. Поэтому стабилитроны Z2 и Z3 защищают эту микросхему от напряжения превышающего 30 В.

Резисторы D1, D2, D3, Z3 защищают полупроводниковые устройства от различных нагрузок. R6 нужно поставить для обеспечения ток холостого хода у lm, он должен быть примерно 6.4 мА. Мощность резистора R4 должна быть не менее 30 Вт. Нагрузку обычно подсоединяют с помощью плавкого предохранителя. Микросхему и транзистор необходимо прикрепить на отдельные радиаторы, которые при работе стабилизатора будут достаточно хорошо греться. Указанный стабилизатор выдерживает предельны ток в нагрузке до 110 мА, ограниченный резистором R2.

Производители

Для наиболее полного знакомства предлагаем ознакомится с datasheet irf840 некоторых производителей. На российском рынке в основном его продает компания Vishay. На зарубежном рынке широко представлен фирмами: Fairchild Semiconductor, Samsung, STMicroelectronics, Motorola и др.

Характеристики транзисторов, резисторов, микросхем и datasheet

На нашем портале MirShem.ru который является справочником радиодеталей и электронных компонентов вы найдёте характеристики, транзисторов, резисторов, диодов, конденсаторов, стабилитронов, стабилизаторов, оптронов и многих других. Также к каждому элементу приведены аналоги и datasheet от производителей.

Транзисторы: 2N7000, 13002 (MJE13002), D718, КТ503, J13009-2, SS8550, SS8050, BD140, 2N5551, 2N3904, C2335, C5027-R, 40N03P, 2N7002, D2012 (2SD2012), КП303, D1047, П214А, C3198, КТ815Б, B772, S8550, IRFP064N, IRFP260N, D1555, IRF840, D13007K, BD139, IRFZ24N, КТ3107, КТ837, IRF540N, D5072 (2SD5072), 2N3906, IRF3205, КТ829А, КТ3102, IRF740, КТ814, C4106, КТ805АМ, S9012, 2SC5200, КТ825Г, КТ825, IRF510, MJE13009, 2N60B, IRF520, MJE13003, TIP42C, КТ817Г, IRFP460, MJE13007, D2058 (2SD2058), C2383, S9014, S8050, КТ819, 13001, IRF640, КТ315Б, КТ805БМ, S9013, TIP41C, 2N2222, D209L, C1815, A733 (2SA733), C945, КТ315Г, BC547, IRFZ44N, BC337, BC557, 2N5401, IRF630, КТ838А, S9018, П210Б, TIP127, TIP35C, TIP122, A1015, КТ808А, КТ819Г, КТ940А, КТ815, КТ361, КТ827А, D882 (2SD882), КТ818Г, КТ803А, D2499 (2SD2499).

Тиристоры: BTA16-600B, PCR406J, КУ202Н, КУ208Г.

Datasheet: BTA16-600B, A928A.

Транзисторы

Характеристики и Datasheet на транзистор BC327-40

020

Как указанно в технических характеристиках, BC327-40 – это биполярный, кремниевый n-p-n транзистор.

Транзисторы

Транзистор A1273: характеристики и Datasheet

052

Согласно техническим характеристикам, A1273 – это биполярный транзистор, основным материалом которого

Транзисторы

Характеристики транзистора IRF4905

056

Согласно техническим характеристикам, предоставленных производителем, IRF4905 – это мощный МОП-транзистор.

Транзисторы

Характеристики транзистора H945

054

Согласно техническим характеристикам, H945 относится к биполярным транзисторам структуры n-p-n, изготовленным

Транзисторы

Характеристики транзистора КТ502

0142

КТ502, по техническим характеристикам, подходит для установки в УНЧ, преобразователях и ОУ.

Транзисторы

Транзистор BU508: характеристики и аналоги

088

BU508, согласно своим техническим характеристикам, является кремниевым транзистором n-p-n структуры.

Транзисторы

Характеристики транзистора IRF1404

0215

В данной статье разберём технические характеристики IRF1404 – это силовые МОП транзисторы седьмого поколения

Транзисторы

Характеристики транзистора 2N3055

0135

Согласно техническим характеристикам, 2N3055 – это мощный кремниевый транзистор, изготовленный с использованием

Транзисторы

Характеристики транзистора 2SC2625, Datasheet и аналоги

0167

Транзистор 2SC2625, по своим техническим характеристикам, отличается высокой скоростью переключения и

Транзисторы

Характеристики транзистора TIP142

0199

Транзистор TIP142 представляют собой комплементарный силовой кремниевый транзистор, сделанный по схеме

IRF840 MOSFET Лист данных, вывод, характеристики и эквиваленты

21 марта 2019 – 0 комментариев

IRF840 Мощный МОП-транзистор N-Channel
Распиновка IRF840

IRF840 — это N-канальный силовой МОП-транзистор, который может переключать нагрузки до 500 В. МОП-транзистор может переключать нагрузки, потребляющие до 8 А, его можно включить, подав пороговое напряжение затвора 10 В на выводах Gate и Source.

Конфигурация контактов

· N-канальный мощный MOSFET

· Непрерывный ток дренажа (ID): 8A

· Порогловое напряжение затвора (VGS-TH) составляет 10 В (предел = ± 20 В)

· Дренаж для источника. Напряжение разбивки: 500 В

· Сопротивление источника источника дренажа (RDS) составляет 0,85 Ом

· Время восстания, а время падения составляет 23NS, а 20NS

· Доступно в пакете-до 220

Примечание: Полные технические данные можно найти на IRF840.

IRF740, BSS138, IRF520, 2N7002, BS170, BSS123, IRF3205, IRF1010E

около IRF840

, который может нагрузка , что может быть нагрузкой. МОП-транзистор может переключать нагрузки, потребляющие до 8 А, его можно включить, подав пороговое напряжение затвора 10 В на выводах Gate и Source. Поскольку MOSFET предназначен для переключения сильноточных высоковольтных нагрузок, он имеет относительно высокое напряжение затвора, поэтому его нельзя использовать напрямую с выводом ввода-вывода ЦП. Если вы предпочитаете MOSFET с низким напряжением затвора, попробуйте IRF540N или 2N7002 и т. д.

Одним из существенных недостатков IRF840 Mosfet является его высокое значение сопротивления во включенном состоянии (RDS), которое составляет около 0,85 Ом. Следовательно, этот МОП-транзистор нельзя использовать в приложениях, где требуется высокая эффективность переключения. Мосфету требуется схема драйвера для подачи 10 В на вывод затвора этого мосфета. Простейшая схема драйвера может быть построена с использованием транзистора. Он относительно дешев и имеет очень низкое тепловое сопротивление, кроме того, полевой МОП-транзистор также имеет хорошие скорости переключения и, следовательно, может использоваться в схемах преобразователя постоянного тока.

 

Применение

• Переключение устройств большой мощности
• Схемы инвертора
• Преобразователи постоянного тока
• Управление скоростью двигателей
• Светодиодные диммеры или мигалки
• Применения для высокоскоростного переключения

 

2D-модель компонента

Если вы проектируете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, следующее изображение из таблицы данных IRF840 будет полезно, чтобы узнать его тип корпуса и размеры.

 

 

Метки

МОП-транзистор N-канального типа

Мощный МОП-транзистор

IRF840 MOSFET Спецификация, схема выводов, характеристики, аналоги и области применения

Сегодня в этом посте я расскажу вам о введении в IRF840. IRF840 — это мощный n-канальный МОП-транзистор. Это быстрое переключение и…

Привет ребята! Надеюсь, ты сегодня в порядке. Рад видеть вас рядом. Сегодня в этом посте я расскажу вам о введении в IRF840. IRF840 — это мощный n-канальный МОП-транзистор. Это быстродействующее и высоковольтное устройство с низким сопротивлением в открытом состоянии. Поскольку это n-канальный МОП-транзистор, здесь процесс проводимости осуществляется движением электронов.

Другими словами, хотя проводимость осуществляется как за счет движения дырок, так и электронов, электроны в данном случае являются основными переносчиками. Я предлагаю вам прочитать весь этот пост до конца, так как я буду обсуждать полное введение в IRF840, включая техническое описание, распиновку, функции, эквиваленты и приложения. Давайте сразу приступим.

Знакомство с IRF840

• IRF840 — это n-канальный силовой МОП-транзистор, поддерживающий нагрузки до 8 А и 500 В. Это быстродействующее и высоковольтное устройство, которому требуется 10 В на клемме затвора, чтобы инициировать процесс проводимости.
• Этот полевой МОП-транзистор IRF840 представляет собой трехвыводное устройство, состоящее из выводов затвора (G), стока (D) и истока (S). Внешние цепи подключаются к этим МОП-транзисторам через эти клеммы.
• Это N-канальный MOSFET, здесь процесс проводимости осуществляется потоком электронов, в отличие от P-канального MOSFET, где процесс проводимости осуществляется потоком дырок.
• Важно отметить, что проводимость — это процесс, который осуществляется внутри MOSFET за счет движения как электронов, так и дырок, но электроны являются основными носителями в n-канальных MOSFET, а дырки — в p-канальных MOSFET.

• МОП-транзистор означает полевой транзистор на основе оксида металла и кремния. Он также известен как полевой транзистор с изолированным затвором IGFET. Он изготовлен путем контролируемого окисления кремниевого полупроводникового материала.
• MOSFET и BJT (транзисторы с биполярным переходом) считаются разными полупроводниками, поскольку BJT — это устройство, управляемое током, а MOSFET — это устройство, управляемое напряжением.
• Напряжение, подаваемое на клемму затвора, обычно напрямую связано с током между клеммами истока и стока. Напряжение на клеммах затвора управляет током на клеммах стока и истока. Проще говоря, клемма затвора действует как регулирующий клапан, который регулирует ток между двумя клеммами.

IRF840 Технический паспорт

Прежде чем включить это устройство в свой электрический проект, лучше просмотреть техническое описание компонента, в котором указаны основные характеристики устройства. Вы можете скачать техническое описание этого компонента IRF840, нажав на ссылку, указанную ниже.

Распиновка IRF840

IRF840 — это N-канальный силовой МОП-транзистор. Это быстродействующее переключающее устройство с тремя контактами, известными как 1: Ворота 2: Слив 3: Источник Напомним, клемма затвора управляет током между клеммами истока и стока. Клемма затвора инициирует процесс проводимости, когда мы применяем смещенное напряжение около 10 В на клемме затвора. На следующем рисунке показана схема выводов IRF840 MOSFET.

Имейте в виду… как правило, полевой МОП-транзистор представляет собой компонент с четырьмя контактами, который содержит четыре контакта, называемые истоком (S), затвором (G), стоком (D) и корпусом (B)/подложкой. Сторона тела всегда соединена с выводом истока. Поэтому мы обычно называем MOSFET трехконтактным устройством.

IRF840 Характеристики

• Тип: N-канальный быстродействующий силовой МОП-транзистор
• Время нарастания и время спада составляют 23 нс и 20 нс соответственно
• Пороговое напряжение затвора (VGS-th) = 10 В (предел = ±20 В)
• Непрерывный ток стока (ID) = 8 А
• Сопротивление источника стока (RDS) = 0,85 Ом
• Доступный пакет = ТО-220
• Напряжение пробоя сток-исток = 500 В

Эквивалент IRF840

Следующие эквивалентны IRF840.

• 8N50
• ФТК480
• КФ12Н50

IRF840 Приложения

IRF840 используется в следующих приложениях.

• Используется в инверторных схемах и преобразователях постоянного тока.
• Используется в приложениях для высокоскоростной коммутации.

• Используется для переключения устройств большой мощности.
• Используется для управления скоростью двигателей и светодиодных диммеров или мигалок.

Это было все о введении в IRF840. Надеюсь, вам понравилось читать эту статью. Если вы не уверены или у вас есть какие-либо вопросы, вы можете задать свой запрос в разделе ниже. Я хотел бы помочь вам как можно лучше. Мы всегда рады поделиться своими мыслями о контенте, которым мы делимся, чтобы мы продолжали делиться качественным контентом в соответствии с вашими потребностями и требованиями. Спасибо за прочтение статьи.

JLBCB — прототип 10 печатных плат за 2 доллара США (любой цвет) Китайское крупное предприятие по производству прототипов печатных плат, более 600 000 клиентов и онлайн-заказ Повседневная Как получить денежный купон PCB от JLPCB: https://bit.