Π£Π½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ внСшний Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ для всСх iOS-устройств, совмСстим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 Π΄ΠΎ 24:00 ΠΏΠ½-ΠΏΡ‚ | c 10:00 Π΄ΠΎ 18:00 сб
0 Comments

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

IRF840 характСристики транзистора Π½Π° русском, datasheet, Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ

Π’ тСкстС ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ характСристики силового N-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ МОП-транзистора IRF840 Π½Π° русском языкС ΠΎΡ‚ производитСля International Rectifier (IR). Компания Vishay, ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΡˆΠ°Ρ Π² своС врСмя IR, Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ  выпускаСт Π΅Π³ΠΎ с Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ SiHF740. Π’ Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚ указываСтся, Ρ‡Ρ‚ΠΎ это соврСмСнный транзистор Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠ΅Π³ΠΎ поколСния, нСсмотря Π½Π° ΡΠΊΠΎΠ½ΠΎΠΌΠΈΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ конструкции ΠΈ корпуса ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ достаточно Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠ΅ тСхничСскиС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹. ОсобСнно подчСркиваСтся Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, высокоС быстродСйствиС, малСнькоС сопротивлСниС ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΈ низкая ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ. Π­Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π»Π΅ΠΊΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ для использования Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½Π° производствС, Π½ΠΎ ΠΈ Π² Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΎΠΉ срСдС.

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

  1. Распиновка
  2. Π₯арактСристики
  3. ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅
  4. ЭлСктричСскиС
  5. ВрСмя ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ
  6. ЁмкостныС характСристики
  7. Π’Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹
  8. Аналог
  9. ΠœΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ°
  10. Π£ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°
  11. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ
  12. Π‘Ρ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Π°Π½ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния
  13. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ

Распиновка

Π¦ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ° IRF840 Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π° Π² стандартном корпусС ВО-220AB, способном Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рассСивания Π΄ΠΎ 50 Π’Ρ‚. РасполоТСниС Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ‡Π½Π° Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ mosfet Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ IR Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ корпусС. Для опрСдСлСния назначСния Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π²ΠΎΠ·ΡŒΠΌΠΈΡ‚Π΅ транзистор ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Π½ΠΈΡ‚Π΅ Π΅Π³ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΡƒ Π½Π° Π΅Π³ΠΎ корпусС. Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ этом Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Π½ΠΈΠ·Ρƒ. Π›Π΅Π²Ρ‹ΠΉ элСктрод называСтся β€” Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (G), срСдний β€” стоком (D), Π° самый ΠΏΡ€Π°Π²Ρ‹ΠΉ – истоком (S). Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ D соСдинСн с Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ВО-220AB. Для наглядности ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅ΠΌ распиновку Π½Π° рисункС.

Π₯арактСристики

Π’ любом тСхничСском описании Π½Π° транзистор ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ максимально допустимыС ΠΈ элСктричСскиС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ эксплуатации, ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды Π΄ΠΎ 25 Β°C. Как ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, значСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ для ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… условий эксплуатации, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π² Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΆΠΈΠ·Π½ΠΈ Π΄ΠΎΠ±ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ практичСски Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ. Но ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ Π½Π° эти ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ориСнтируСтся Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‡ΠΈΠΊ Π² своих ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Π°Ρ….

ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅

Π“Π»Π°Π²Π½Ρ‹Π΅ максимально допустимыС значСния ΠΏΡ€ΠΈ эксплуатации ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Π² самом Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π΅ тСхничСского описания. Π­Ρ‚ΠΎ своСобразная Ρ€Π΅ΠΊΠ»Π°ΠΌΠ° Π½Π° устройство – Ρ‡Π΅ΠΌ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ значСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ², Ρ‚Π΅ΠΌ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅. Напомним, Ρ‡Ρ‚ΠΎ значСния этих ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ Π½ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊΠΈΡ… условиях. Для ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ mosfet irf840 Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ: максимальноС напряТСниС сток-исток VDS Π΄ΠΎ 500 Π’, сопротивлСниС Π² ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии RDS(ON) 0,85 Ом, суммарный заряд Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° QGMAX 63 Нк ΠΈ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ID 8.0 A. Π’ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Ρƒ свСдСны Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ допустимыС характСристики, ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ для Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды 25 Β°C.

ЭлСктричСскиС

ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ значСния Π΄Π°ΡŽΡ‚ лишь ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π΅ понятия ΠΎ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°Ρ… устройства ΠΈ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ транзисторами. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ Π² datasheet Π½Π° irf840 приводится Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² с Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ β€” элСктричСскиС характСристики. Π­Ρ‚ΠΈ значСния Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ приводятся с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды Π² 25 Β°C. Рассмотрим ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅.

Π£ Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Ρ‹ элСктричСских ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² имССтся Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ столбСц с условиями, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠ» тСстированиС устройства. ВсС значСния ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ Π² Ρ‚ΠΎΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠ½ΠΎΠΉ ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ для примСнСния Π² ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Π°Ρ…, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΡƒΡŽ ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ ΠΈΠ· этого списка ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‰Π°ΡŽΡ‚ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ характСристики irf840: напряТСниС пробоя V(BR)DSS Π΄ΠΎ 500 Π’, напряТСниС отсСчки VGS(th) ΠΎΡ‚ 2 Π΄ΠΎ 4 Π’, Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° IDSS Π΄ΠΎ 100 нА ΠΈ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° IDSS Π΄ΠΎ 250 мкА. Π˜Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΡƒΡŽ ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ.

ВрСмя ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ

Для примСнСния Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ… схСмах стоит ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° ёмкостныС значСния (Π‘RSS, Π‘ISS, Π‘OSS), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ врСмя открытия TD (ON) ΠΈ закрытия TD(OFF) ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° проводимости. Π§Π΅ΠΌ ΠΎΠ½ΠΎ Π½ΠΈΠΆΠ΅, Ρ‚Π΅ΠΌ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° устройства Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΈ мСньшС Π΅Π³ΠΎ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π². Π£ irf840 эти значСния ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ 14 ΠΈ 49 наносСкунд соотвСтствСнно. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚ эти значСния приводятся ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ для ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… условий тСстирования, соотвСтствСнно Π½Π° ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ отличатся ΠΎΡ‚ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Ρ….

ЁмкостныС характСристики

Π’Π°ΠΊ ΠΆΠ΅, для ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ… схСм ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΏΠΎΠ½Π°Π΄ΠΎΠ±ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Ρ‚Π°ΠΊ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ Смкости ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ транзистора (Π‘GD, Π‘GS, CDC). НСкоторыС ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ Π½Π΅ ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΈΡ… значСния, Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ нСобходимости ΠΈΡ… ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²Ρ‹Ρ‡ΠΈΡΠ»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π°ΠΌ:Зная Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ёмкости Ρƒ irf840 (CRSS = 120 ΠΏΠ€), вычисляСм ёмкостныС Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ Ρƒ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… кондСнсаторов: CGD 120 ΠΏΠ€; CGS 1180 ΠΏΠ€; CDS 180 ΠΏΠ€. Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ (ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΈ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°) Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ CGD ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΡƒΡŽ связь ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡƒΡŽ эффСктом ΠœΠΈΠ»Π»Π΅Ρ€Π°. ЗначСния Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ CGD ΠΈ CDS сильно зависят ΠΎΡ‚ напряТСния Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ ΠΈ лишь ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ для тСстирования.

Π’Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹

ВсС Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡ΠΈΡΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ сильно зависят ΠΎΡ‚ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π° самого irf840 ΠΈ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π΅Π³ΠΎ элСмСнтов, Π²ΠΎ врСмя Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹. Π’Π°ΠΊ, ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π΅ корпуса Π΄ΠΎ 100 0Π‘ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ стока, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Π½Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· сСбя этот транзистор, Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ Π΄ΠΎ 5. 1 A, ΠΏΡ€ΠΈ этом IGSS Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ расти. ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ значСния ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… характСристик ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ IDM, IEA, EAR Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° TJ ΠΈ ΠΎΠ± этом ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π² пояснСниях.

Для расчСтов TJ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ Π² Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚ приводится Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ зависимости Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ импСданса ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΎΠΉ-корпусом ZthJC (0Π‘/Π’Ρ‚) ΠΎΡ‚ коэффициСнта заполнСния D (Duty Factor). Π§Π΅ΠΌ большС Duty Factor, Ρ‚Π΅ΠΌ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ ZthJC ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌ сильнСС нагрСваСтся кристалл, Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Ρƒ irf840 ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π° 150 Β°C.

Π‘Π½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π² ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ установкС Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… пассивных ΠΈΠ»ΠΈ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… схСм охлаТдСния с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… устройств. Пассивная схСма ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Π΅Ρ‚ использованиС Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π°. Для расчСта Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… свойств, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π² irf840, Π² Π΅Π³ΠΎ спСцификации приводят значСния Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… сопротивлСний Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Ρ…: кристалл-корпус  (Junction-to-CaseΒ ), корпус-срСду (Junction-to-Ambient).

Аналог

Π‘Π»ΠΈΠΆΠ°ΠΉΡˆΠΈΠ΅ Π·Π°Ρ€ΡƒΠ±Π΅ΠΆΠ½Ρ‹Π΅ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ Ρƒ irf840: это 2SK554 (Toshiba) ΠΈ STP5NK50Z (STM). ΠžΡ‚Π΅Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒΒ ΠšΠŸ777А, КП840. К соТалСнию ΠΈΡ… ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ‚Ρ€ΡƒΠ΄Π½ΠΎ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Π² ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆΠ΅, особСнно российского производства.

ΠœΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ°

ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ символы Π² ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ irf840 ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π½Π° Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ производитСля Β β€” Π°ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΠΊΠ°Π½ΡΠΊΡƒΡŽ компанию, ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΡƒΡŽΡΡ Π½Π° ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² International Rectifier (IR). Π­Ρ‚Π° ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ извСстна созданиСм Π² 1979 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Hexfet, позволившСй Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ сопротивлСниС ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° Ρƒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора. По Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΏΠΎ настоящСС врСмя изготавливаСтся рассматриваСмый ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π΅Ρ†. Π’ настоящСС врСмя компания IR стала ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ ΠΈΠ· ΠΏΠΎΠ΄Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠΉ Vishay, которая выпускаСт транзисторы ΠΏΠΎ Π±Π΅Π· свинцовой Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ с ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ irf840PbF (SiHF840-E3) .

Π£ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°

Как Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· прСдставлСнных характСристик напряТСниС отсСчки, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ irf840 Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, составляСт 4 Π’. Π’ связи с этим Ρƒ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ появляСтся ΠΆΠ΅Π»Π°Π½ΠΈΠ΅ управлСния этим mosfet ΠΎΡ‚ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΊΠ°ΠΊ Arduino. Однако, этого Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ Π½Π΅ Π΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ. Из Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… условий Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ значСния RDS(ON) Β ΠΈ QGMAX ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΠ»ΠΈΡΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ Π² 10 Π’. Π­Ρ‚ΠΎ связано с Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ irf840 Π½Π΅ открываСтся ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΏΡ€ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… напряТСниях, Π° Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚ Π½Π΅ являСтся транзистором логичСского уровня ΠΈ Π½Π΅ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄ΠΎΠ²Π°Π½ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ для управлСния ΠΎΡ‚ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°. Для ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π² схСмах управлСния ΠΎΡ‚ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° потрСбуСтся ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€, способный Π²Ρ‹Π΄Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 10 Π’. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ, Ρƒ транзисторов логичСского уровня Π² условиях ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ напряТСниС Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΎ ΠΊ 5 Π’. Компания Vishay Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ для этих Ρ†Π΅Π»Π΅ΠΉΒ IRF840LC (SiHF840LC).

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ

Как элСмСнт схСмы, ΠΎΠ½ являСтся Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΌ нСсиммСтричным Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Ρ‘Ρ…ΠΏΠΎΠ»ΡŽΡΠ½ΠΈΠΊΠΎΠΌ, ΠΎΠ΄Π½ΠΈ ΠΈΠ· Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Ρƒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ для Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ irf840 ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Π² цСпях: с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ; с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ стоком; c ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. Π’ΠΈΠΏΠΎΠ²Ρ‹Π΅ способы ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ для ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов смотритС Π½Π° рисункС.

Π‘Ρ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Π°Π½ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния

Π’ послСднСС врСмя Ρƒ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ появляСтся интСрСс ΠΊ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ ΠΈ сборкС Π°Π½ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… стабилизаторов напряТСния Π½Π° ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… mosfet. ИдСи для сборки ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹Ρ… схСм подсмотрСны Π² тСхничСской Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ National Semiconductor ΠΈ Π΄ΠΎΡ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Ρ‹ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡΠΌΠΈ Π½Π° Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ„ΠΎΡ€ΡƒΠΌΠ°Ρ…. ΠŸΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ· Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… схСм (c ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ) стабилизатора Π½Π° 250 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚, с использованиСм irf840 ΠΈ микросхСмы lm317.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° прСдставляСт ΠΈΠ· сСбя Π΄Π²Π° каскада. Π’ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ каскадС установлСн irf840, ΠΎΠ½ выполняСт Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ истокового повторитСля. Π’ΠΎ Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ каскадС уставлСна Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ° β€” микросхСма lm317. Максимальная Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ 37 Π’. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ стабилитроны Z2 ΠΈ Z3 Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‰Π°ΡŽΡ‚ эту микросхСму ΠΎΡ‚ напряТСния ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ 30 Π’.

РСзисторы D1, D2, D3, Z3 Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‰Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ устройства ΠΎΡ‚ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΠΊ. R6 Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ для обСспСчСния Ρ‚ΠΎΠΊ холостого Ρ…ΠΎΠ΄Π° Ρƒ lm, ΠΎΠ½ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ 6.4 мА. ΠœΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рСзистора R4 Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 30 Π’Ρ‚. Нагрузку ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‚ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΏΠ»Π°Π²ΠΊΠΎΠ³ΠΎ прСдохранитСля.Β ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡƒ ΠΈ транзистор Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΊΡ€Π΅ΠΏΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ стабилизатора Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ достаточно Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ Π³Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΡΡ. Π£ΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ стабилизатор Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ Π΄ΠΎ 110 мА, ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ рСзистором R2.

ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ

Для Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ³ΠΎ знакомства ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°Π΅ΠΌ ознакомится с datasheet irf840 Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ. На российском Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ΅ Π² основном Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°Π΅Ρ‚ компания Vishay. На Π·Π°Ρ€ΡƒΠ±Π΅ΠΆΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ΅ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ прСдставлСн Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΠ°ΠΌΠΈ:Β Fairchild Semiconductor,Β Samsung, STMicroelectronics, Motorola ΠΈ Π΄Ρ€.

Π₯арактСристики транзисторов, рСзисторов, микросхСм ΠΈ datasheet

На нашСм ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π°Π»Π΅ MirShem.ru ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ являСтся справочником Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ ΠΈ элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² Π²Ρ‹ Π½Π°ΠΉΠ΄Ρ‘Ρ‚Π΅ характСристики, транзисторов, рСзисторов, Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ², кондСнсаторов, стабилитронов, стабилизаторов, ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΎΠ² ΠΈ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ…. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌΡƒ элСмСнту ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ ΠΈ datasheet ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ.

Вранзисторы: 2N7000, 13002 (MJE13002), D718, КВ503, J13009-2, SS8550, SS8050, BD140, 2N5551, 2N3904, C2335, C5027-R, 40N03P, 2N7002, D2012 (2SD2012), КП303, D1047, П214А, C3198, КВ815Π‘, B772, S8550, IRFP064N, IRFP260N, D1555, IRF840, D13007K, BD139, IRFZ24N, КВ3107, КВ837, IRF540N, D5072 (2SD5072), 2N3906, IRF3205, КВ829А, КВ3102, IRF740, КВ814, C4106, КВ805АМ, S9012, 2SC5200, КВ825Π“, КВ825, IRF510, MJE13009, 2N60B, IRF520, MJE13003, TIP42C, КВ817Π“, IRFP460, MJE13007, D2058 (2SD2058), C2383, S9014, S8050, КВ819, 13001, IRF640, КВ315Π‘, КВ805Π‘Πœ, S9013, TIP41C, 2N2222, D209L, C1815, A733 (2SA733), C945, КВ315Π“, BC547, IRFZ44N, BC337, BC557, 2N5401, IRF630, КВ838А, S9018, П210Π‘, TIP127, TIP35C, TIP122, A1015, КВ808А, КВ819Π“, КВ940А, КВ815, КВ361, КВ827А, D882 (2SD882), КВ818Π“, КВ803А, D2499 (2SD2499).

Виристоры: BTA16-600B, PCR406J, КУ202Н, КУ208Π“.

Datasheet: BTA16-600B, A928A.

Вранзисторы

Π₯арактСристики ΠΈ Datasheet Π½Π° транзистор BC327-40

020

Как ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎ Π² тСхничСских характСристиках, BC327-40 – это биполярный, ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ n-p-n транзистор.

Вранзисторы

Вранзистор A1273: характСристики ΠΈ Datasheet

052

Богласно тСхничСским характСристикам, A1273 – это биполярный транзистор, основным ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ

Вранзисторы

Π₯арактСристики транзистора IRF4905

056

Богласно тСхничСским характСристикам, прСдоставлСнных ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ, IRF4905 – это ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ МОП-транзистор.

Вранзисторы

Π₯арактСристики транзистора H945

054

Богласно тСхничСским характСристикам, H945 относится ΠΊ биполярным транзисторам структуры n-p-n, ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ

Вранзисторы

Π₯арактСристики транзистора КВ502

0142

КВ502, ΠΏΠΎ тСхничСским характСристикам, ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для установки Π² УНЧ, прСобразоватСлях ΠΈ ОУ.

Вранзисторы

Вранзистор BU508: характСристики ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ

088

BU508, согласно своим тСхничСским характСристикам, являСтся ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΌ транзистором n-p-n структуры.

Вранзисторы

Π₯арактСристики транзистора IRF1404

0215

Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ Ρ€Π°Π·Π±Π΅Ρ€Ρ‘ΠΌ тСхничСскиС характСристики IRF1404 – это силовыС МОП транзисторы сСдьмого поколСния

Вранзисторы

Π₯арактСристики транзистора 2N3055

0135

Богласно тСхничСским характСристикам, 2N3055 – это ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ транзистор, ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ с использованиСм

Вранзисторы

Π₯арактСристики транзистора 2SC2625, Datasheet ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ

0167

Вранзистор 2SC2625, ΠΏΠΎ своим тСхничСским характСристикам, отличаСтся высокой ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈ

Вранзисторы

Π₯арактСристики транзистора TIP142

0199

Вранзистор TIP142 ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ силовой ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ транзистор, сдСланный ΠΏΠΎ схСмС

IRF840 MOSFET Лист Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄, характСристики ΠΈ эквивалСнты

21 ΠΌΠ°Ρ€Ρ‚Π° 2019Β –Β 0 ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠ΅Π²

          IRF840 ΠœΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ МОП-транзистор N-Channel
          Распиновка IRF840

      IRF840 β€” это N-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ силовой МОП-транзистор, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π΄ΠΎ 500 Π’. МОП-транзистор ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π΄ΠΎ 8 А, Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π² ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° 10 Π’ Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°Ρ… Gate ΠΈ Source.

      Β 

      ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ²

      НомСр ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°

      Π¨Ρ‚ΠΈΡ„Ρ‚ НаимСнованиС

      ОписаниС

      1

      Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ

      Π’ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· источник (максимум 8 А)

      2

      Π’ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π°

      УправляСт смСщСниСм MOSFET (ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС 10 Π’)

      3

      Π‘Π»ΠΈΠ²

      Π’ΠΎΠΊ поступаСт Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· сток

      ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ

      Β· N-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ MOSFET

      Β· НСпрСрывный Ρ‚ΠΎΠΊ Π΄Ρ€Π΅Π½Π°ΠΆΠ° (ID): 8A

      Β· ΠŸΠΎΡ€ΠΎΠ³Π»ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° (VGS-TH) составляСт 10 Π’ (ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π» = Β± 20 Π’)

      Β· Π”Ρ€Π΅Π½Π°ΠΆ для источника. НапряТСниС Ρ€Π°Π·Π±ΠΈΠ²ΠΊΠΈ: 500 Π’

      Β· Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ источника источника Π΄Ρ€Π΅Π½Π°ΠΆΠ° (RDS) составляСт 0,85 Ом

      Β· ВрСмя восстания, Π° врСмя падСния составляСт 23NS, Π° 20NS

      Β· Доступно Π² ΠΏΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚Π΅-Π΄ΠΎ 220

      ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅: ΠŸΠΎΠ»Π½Ρ‹Π΅ тСхничСскиС Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Π½Π° IRF840.

      IRF740, BSS138, IRF520, 2N7002, BS170, BSS123, IRF3205, IRF1010E

      ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ IRF840

      , ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ° , Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ. МОП-транзистор ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π΄ΠΎ 8 А, Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π² ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° 10 Π’ Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°Ρ… Gate ΠΈ Source. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ MOSFET ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ для ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Ρ… Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΠΊ, ΠΎΠ½ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ высокоС напряТСниС Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°, поэтому Π΅Π³ΠΎ нСльзя ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ с Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π²Π²ΠΎΠ΄Π°-Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° ЦП. Если Π²Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΡ‡ΠΈΡ‚Π°Π΅Ρ‚Π΅ MOSFET с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ напряТСниСм Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°, ΠΏΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ±ΡƒΠΉΡ‚Π΅ IRF540N ΠΈΠ»ΠΈ 2N7002 ΠΈ Ρ‚. Π΄.

      Одним ΠΈΠ· сущСствСнных нСдостатков IRF840 Mosfet являСтся Π΅Π³ΠΎ высокоС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ сопротивлСния Π²ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ состоянии (RDS), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ составляСт ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 0,85 Ом. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, этот МОП-транзистор нСльзя ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² прилоТСниях, Π³Π΄Π΅ трСбуСтся высокая ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ. ΠœΠΎΡΡ„Π΅Ρ‚Ρƒ трСбуСтся схСма Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° для ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ 10 Π’ Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° этого мосфСта. ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠ°Ρ схСма Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ построСна с использованиСм транзистора. Он ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ дСшСв ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ сопротивлСниС, ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ МОП-транзистор Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠ΅ скорости ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈ, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² схСмах прСобразоватСля постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

      Β 

      ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅
      • ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ устройств большой мощности
      • Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π°
      • ΠŸΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°
      • Π£ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ
      • Π‘Π²Π΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Π΄ΠΈΠΌΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΠΈΠ³Π°Π»ΠΊΠΈ
      • ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΡ для высокоскоростного ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ

      Β 

      2D-модСль ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°

      Если Π²Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρƒ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρƒ Perf с этим ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ, ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠ· Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Ρ‹ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… IRF840 Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏ корпуса ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹.

      Β 

      Β 

        ΠœΠ΅Ρ‚ΠΊΠΈ

        МОП-транзистор N-канального Ρ‚ΠΈΠΏΠ°

        ΠœΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ МОП-транзистор



      IRF840 MOSFET БпСцификация, схСма Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ², характСристики, Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ ΠΈ области примСнСния

      БСгодня Π² этом постС я расскаТу Π²Π°ΠΌ ΠΎ Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠΈ Π² IRF840. IRF840 β€” это ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ n-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ МОП-транзистор. Π­Ρ‚ΠΎ быстроС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ…

      ΠŸΡ€ΠΈΠ²Π΅Ρ‚ рСбята! НадСюсь, Ρ‚Ρ‹ сСгодня Π² порядкС. Π Π°Π΄ Π²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ΡŒ вас рядом. БСгодня Π² этом постС я расскаТу Π²Π°ΠΌ ΠΎ Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠΈ Π² IRF840. IRF840 β€” это ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ n-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ МОП-транзистор. Π­Ρ‚ΠΎ Π±Ρ‹ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ ΠΈ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½ΠΎΠ΅ устройство с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ сопротивлСниСм Π² ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ это n-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ МОП-транзистор, здСсь процСсс проводимости осущСствляСтся Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ элСктронов.

      Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ словами, хотя ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ осущСствляСтся ΠΊΠ°ΠΊ Π·Π° счСт двиТСния Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ элСктронов, элСктроны Π² Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ случаС ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ основными пСрСносчиками. Π― ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°ΡŽ Π²Π°ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ вСсь этот пост Π΄ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π°, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ я Π±ΡƒΠ΄Ρƒ ΠΎΠ±ΡΡƒΠΆΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ΅ Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² IRF840, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ тСхничСскоС описаниС, распиновку, Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ, эквивалСнты ΠΈ прилоТСния. Π”Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ сразу приступим.

      Знакомство с IRF840
      • IRF840 β€” это n-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ силовой МОП-транзистор, ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π΄ΠΎ 8 А ΠΈ 500 Π’. Π­Ρ‚ΠΎ Π±Ρ‹ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ ΠΈ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½ΠΎΠ΅ устройство, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌΡƒ трСбуСтся 10 Π’ Π½Π° ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ΅ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΠ½ΠΈΡ†ΠΈΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ процСсс проводимости.
      • Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ МОП-транзистор IRF840 прСдставляСт собой Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ устройство, состоящСС ΠΈΠ· Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° (G), стока (D) ΠΈ истока (S). Π’Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΠ΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊ этим МОП-транзисторам Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· эти ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹.
      • Π­Ρ‚ΠΎ N-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ MOSFET, здСсь процСсс проводимости осущСствляСтся ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ элСктронов, Π² ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ P-канального MOSFET, Π³Π΄Π΅ процСсс проводимости осущСствляСтся ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ.
      • Π’Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ β€” это процСсс, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ осущСствляСтся Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ MOSFET Π·Π° счСт двиТСния ΠΊΠ°ΠΊ элСктронов, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ, Π½ΠΎ элСктроны ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ основными носитСлями Π² n-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… MOSFET, Π° Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ β€” Π² p-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… MOSFET.
      • МОП-транзистор ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор Π½Π° основС оксида ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π° ΠΈ крСмния. Он Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ извСстСн ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ IGFET. Он ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ окислСния ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°.
      • MOSFET ΠΈ BJT (транзисторы с биполярным ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ) ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΌΠΈ, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ BJT β€” это устройство, управляСмоС Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, Π° MOSFET β€” это устройство, управляСмоС напряТСниСм.
      • НапряТСниС, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ΅ Π½Π° ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ связано с Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ°ΠΌΠΈ истока ΠΈ стока. НапряТСниС Π½Π° ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ°Ρ… Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° управляСт Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π½Π° ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ°Ρ… стока ΠΈ истока. ΠŸΡ€ΠΎΡ‰Π΅ говоря, ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° дСйствуСт ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠ»Π°ΠΏΠ°Π½, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ двумя ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ°ΠΌΠΈ.

      IRF840 ВСхничСский паспорт

      ΠŸΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ это устройство Π² свой элСктричСский ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚, Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ тСхничСскоС описаниС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ основныС характСристики устройства. Π’Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΡΠΊΠ°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ тСхничСскоС описаниС этого ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π° IRF840, Π½Π°ΠΆΠ°Π² Π½Π° ссылку, ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΡƒΡŽ Π½ΠΈΠΆΠ΅.

      Распиновка IRF840

      IRF840 β€” это N-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ силовой МОП-транзистор. Π­Ρ‚ΠΎ Π±Ρ‹ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ устройство с трСмя ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°ΠΌΠΈ, извСстными ΠΊΠ°ΠΊ 1: Π’ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π° 2: Π‘Π»ΠΈΠ² 3: Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ Напомним, ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° управляСт Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ°ΠΌΠΈ истока ΠΈ стока. КлСмма Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΈΠ½ΠΈΡ†ΠΈΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ процСсс проводимости, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΌΡ‹ примСняСм смСщСнноС напряТСниС ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 10 Π’ Π½Π° ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ΅ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°. На ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ рисункС ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° схСма Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² IRF840 MOSFET.

      Π˜ΠΌΠ΅ΠΉΡ‚Π΅ Π² виду… ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ МОП-транзистор прСдставляСт собой ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ с Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€ΡŒΠΌΡ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°ΠΌΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ содСрТит Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ истоком (S), Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (G), стоком (D) ΠΈ корпусом (B)/ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΎΠΉ. Π‘Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ½Π° Ρ‚Π΅Π»Π° всСгда соСдинСна с Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ истока. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΌΡ‹ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌ MOSFET Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ устройством.

      IRF840 Π₯арактСристики
      • Π’ΠΈΠΏ: N-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π±Ρ‹ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ силовой МОП-транзистор
      • ВрСмя нарастания ΠΈ врСмя спада ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ 23 нс ΠΈ 20 нс соотвСтствСнно
      • ΠŸΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° (VGS-th) = 10 Π’ (ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π» = Β±20 Π’)
      • НСпрСрывный Ρ‚ΠΎΠΊ стока (ID) = 8 А
      • Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ источника стока (RDS) = 0,85 Ом
      • Доступный ΠΏΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚ = ВО-220
      • НапряТСниС пробоя сток-исток = 500 Π’

      Π­ΠΊΠ²ΠΈΠ²Π°Π»Π΅Π½Ρ‚ IRF840

      Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ эквивалСнтны IRF840.

      • 8N50
      • ЀВК480
      • КЀ12Н50

      IRF840 ΠŸΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ

      IRF840 ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… прилоТСниях.

      • Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Ρ… схСмах ΠΈ прСобразоватСлях постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.
      • Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² прилоТСниях для высокоскоростной ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ.
      • Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ устройств большой мощности.
      • Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для управлСния ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΈ свСтодиодных Π΄ΠΈΠΌΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΠΈΠ³Π°Π»ΠΎΠΊ.

      Π­Ρ‚ΠΎ Π±Ρ‹Π»ΠΎ всС ΠΎ Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠΈ Π² IRF840. НадСюсь, Π²Π°ΠΌ ΠΏΠΎΠ½Ρ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎΡΡŒ Ρ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ эту ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡŽ. Если Π²Ρ‹ Π½Π΅ ΡƒΠ²Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ‹ ΠΈΠ»ΠΈ Ρƒ вас Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅-Π»ΠΈΠ±ΠΎ вопросы, Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ Π·Π°Π΄Π°Ρ‚ΡŒ свой запрос Π² Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅ Π½ΠΈΠΆΠ΅. Π― Ρ…ΠΎΡ‚Π΅Π» Π±Ρ‹ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‡ΡŒ Π²Π°ΠΌ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅. ΠœΡ‹ всСгда Ρ€Π°Π΄Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ своими мыслями ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π΅Π½Ρ‚Π΅, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ ΠΌΡ‹ дСлимся, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΌΡ‹ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ°Π»ΠΈ Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ качСствСнным ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ Π² соотвСтствии с вашими потрСбностями ΠΈ трСбованиями. Бпасибо Π·Π° ΠΏΡ€ΠΎΡ‡Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠΈ.

      JLBCB β€” ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΡ‚ΠΈΠΏ 10 ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π°Ρ‚ Π·Π° 2 Π΄ΠΎΠ»Π»Π°Ρ€Π° БША (любой Ρ†Π²Π΅Ρ‚) ΠšΠΈΡ‚Π°ΠΉΡΠΊΠΎΠ΅ ΠΊΡ€ΡƒΠΏΠ½ΠΎΠ΅ прСдприятиС ΠΏΠΎ производству ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΡ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π°Ρ‚, Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 600 000 ΠΊΠ»ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½-Π·Π°ΠΊΠ°Π· ПовсСднСвная Как ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄Π΅Π½Π΅ΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΊΡƒΠΏΠΎΠ½ PCB ΠΎΡ‚ JLPCB: https://bit.

      Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

      Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *