Irf840 технические характеристики: Транзистор IRF840 MOSFET N канальный 8A 500V TO220 Цена

Irf840 схема включения

На практике часто возникает необходимость управлять при помощи цифровой схемы например, микроконтроллера каким-то мощным электрическим прибором. Это может быть мощный светодиод, потребляющий большой ток, или прибор, питающийся от электрической сети. Рассмотрим типовые решения этой задачи. Будем считать, что нам нужно только включать или выключать нагрузку с низкой частотой. Части схем, решающие эту задачу, называют ключами. ШИМ-регуляторы, диммеры и прочее рассматривать не будем почти.

Поиск данных по Вашему запросу:

Irf840 схема включения

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• Реле времени для кратковременного включения лампы (К561ЛН2, IRF840)
• Транзистор irf840 характеристики
• Двуполярный сетевой импульсный блок питания
• Схема самодельной автосигнализации (К561ТМ2, IRF840)
• Светлый угол – светодиоды
• Еще одна схема фотореле для управления освещением (К561ТЛ1, IRF840)
• Power Electronics
• Схема фото-переключателя с управлением (К561ТЛ1, IRF840)

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: 5 СХЕМ на ОДНОМ ПОЛЕВОМ (МОП, МДП, MOSFET) ТРАНЗИСТОРЕ 2N65F

Реле времени для кратковременного включения лампы (К561ЛН2, IRF840)

На практике часто возникает необходимость управлять при помощи цифровой схемы например, микроконтроллера каким-то мощным электрическим прибором. Это может быть мощный светодиод, потребляющий большой ток, или прибор, питающийся от электрической сети.

Рассмотрим типовые решения этой задачи. Будем считать, что нам нужно только включать или выключать нагрузку с низкой частотой. Части схем, решающие эту задачу, называют ключами. ШИМ-регуляторы, диммеры и прочее рассматривать не будем почти. Выбор способа управления зависит как от типа нагрузки, так и от вида применяемой цифровой логики. Если схема построена на ТТЛ-микросхемах, то следует помнить, что они управляются током, в отличие от КМОП, где управление осуществляется напряжением.

Иногда это важно. Простейший ключ на биполярном транзисторе проводимости n-p-n выглядит следующим образом. Вход слева подключается к цифровой схеме. При этом транзистор откроется если, конечно, ток достаточно большой , и ток сможет идти через переход коллектор — эмиттер, а значит и через нагрузку.

Резистор R1 играет важную роль — он ограничивает ток через переход база — эмиттер. Если бы его не было, ток не был бы ничем ограничен и просто испортил бы управляющую микросхему ведь именно она связывает линию питания с транзистором.

Максимальный ток через один выход микроконтроллера обычно ограничен значением около 25 мА для STM В интернете можно встретить утверждения, что микроконтроллеры AVR выдерживают ток в мА, но это относится ко всем выводам в сумме.

Предельное допустимое значение тока на один вывод примерно такое же — мА. Это, кстати, означает, что подключать светодиоды напрямую к выводам нельзя.

Без токоограничивающих резисторов, микросхема просто сгорит, а с ними светодиодам не будет хватать тока, чтобы светить ярко. Допустим, мы хотим при помощи 5 В типичное значение для цифровых схем управлять нагрузкой в 12 В. Это значит, что на базе мы можем получить максимум 5 В. А с учётом падения напряжения на переходе база — эмиттер, на эмиттере будет напряжение ещё меньше.

Если это, например, реле, оно просто не сработает. Напряжение не может быть выше, иначе тока через базу вообще не будет. Наличие падения напряжения на нагрузке также приведёт к уменьшению тока через базу. У разных транзисторов он разный.

Главное помнить, что ток базы не должен превышать предельно допустимое для микросхемы. Также важно при выборе модели транзистора помнить о предельном токе коллектора и напряжении коллектор — эмиттер. Ниже как пример приведены характеристики некоторых популярных транзисторов с проводимостью n-p-n. Модели выбраны случайно, просто это транзисторы, которые легко найти или откуда-то выпаять. Для ключа в рассматриваемой схеме, конечно, можно использовать любой n-p-n-транзистор, подходящий по параметрам и цене.

Если вход схемы подключен к push-pull выходу, то особой доработки не требуется. Тогда для надёжного закрытия транзистора нужно добавить ещё один резистор, выравнивающий напряжение между базой и эмиттером. Кроме того, нужно помнить, что если нагрузка индуктивная, то обязательно нужен защитный диод.

Дело в том, что энергия, запасённая магнитным полем, не даёт мгновенно уменьшить ток до нуля при отключении ключа. А значит, на контактах нагрузки возникнет напряжение обратной полярности, которое легко может нарушить работу схемы или даже повредить её. Совет касательно защитного диода универсальный и в равной степени относится и к другим видам ключей.

Резистор R2 обычно берут с сопротивлением, в 10 раз большим, чем сопротивление R1, чтобы образованный этими резисторами делитель не понижал слишком сильно напряжение между базой и эмиттером.

Для нагрузки в виде реле можно добавить ещё несколько усовершенствований. Оно обычно кратковременно потребляет большой ток только в момент переключения, когда тратится энергия на замыкание контакта.

В остальное время ток через него можно и нужно ограничить резистором, так как удержание контакта требует меньше энергии.

В момент включения реле, пока конденсатор C1 не заряжен, через него идёт основной ток. Когда конденсатор зарядится а к этому моменту реле перейдёт в режим удержания контакта , ток будет идти через резистор R2. Через него же будет разряжаться конденсатор после отключения реле.

С другой стороны, ёмкость будет ограничивать частоту переключения реле, хоть и на незначительную для практических целей величину. Пусть, например, требуется включать и выключать светодиод с помощью микроконтроллера. Тогда схема управления будет выглядеть следующим образом. Характеристики рабочий ток и падение напряжения типичных светодиодов диаметром 5 мм можно приблизительно оценить по таблице.

Пусть используется белый светодиод. В качестве транзисторного ключа используем КТГ — он подходит по максимальному току мА и напряжению 35 В. Значение сопротивление было округлено, чтобы попасть в ряд E Если нагрузка очень мощная, то ток через неё может достигать нескольких ампер. Тем более, как видно из таблицы, для мощных транзисторов он и так невелик. В этом случае можно применять каскад из двух транзисторов. Первый транзистор управляет током, который открывает второй транзистор.

Такая схема включения называется схемой Дарлингтона. Для повышения скорости выключения транзисторов можно у каждого соединить эмиттер и базу резистором.

Типичные значения — 5…10 кОм для напряжений 5…12 В. Выпускаются транзисторы Дарлингтона в виде отдельного прибора. Примеры таких транзисторов приведены в таблице. Они удобны тем, что управляются исключительно напряжением: если напряжение на затворе больше порогового, то транзистор открывается. При этом управляющий ток через транзистор пока он открыт или закрыт не течёт. Это значительное преимущество перед биполярными транзисторами, у которых ток течёт всё время, пока открыт транзистор.

Это связано с тем, что n-канальные транзисторы дешевле и имеют лучшие характеристики. Дело в том, что транзистор открывается, если напряжение между затвором и истоком превышает пороговое. Несмотря на то, что MOSFET управляется только напряжением и ток через затвор не идёт, затвор образует с подложкой паразитный конденсатор.

Когда транзистор открывается или закрывается, этот конденсатор заряжается или разряжается через вход ключевой схемы. И если этот вход подключен к push-pull выходу микросхемы, через неё потечёт довольно большой ток, который может вывести её из строя. При управлении типа push-pull схема разряда конденсатора образует, фактически, RC-цепочку, в которой максимальный ток разряда будет равен.

Таким образом, достаточно будет поставить резистор на Ом, чтобы ограничить ток заряда — разряда до 10 мА. Это важно, если транзистор часто переключается. Например, в ШИМ-регуляторе. Дело в том, что у разных транзисторов даже из одной партии этот параметр может сильно отличаться. Но если максимальное значение равно, скажем, 3 В, то этот транзистор гарантированно можно использовать в цифровых схемах с напряжением питания 3,3 В или 5 В.

Сопротивление сток — исток у приведённых моделей транзисторов достаточно маленькое, но следует помнить, что при больших напряжениях управляемой нагрузки даже оно может привести к выделению значительной мощности в виде тепла. Как уже было сказано, если напряжение на затворе относительно истока превышает пороговое напряжение, то транзистор открывается и сопротивление сток — исток мало. Однако, напряжение при включении не может резко скакнуть до порогового.

А при меньших значениях транзистор работает как сопротивление, рассеивая тепло. Если нагрузку приходится включать часто например, в ШИМ-контроллере , то желательно как можно быстрее переводить транзистор из закрытого состояния в открытое и обратно. Относительная медленность переключения транзистора связана опять же с паразитной ёмкостью затвора. Чтобы паразитный конденсатор зарядился как можно быстрее, нужно направить в него как можно больший ток.

А так как у микроконтроллера есть ограничение на максимальный ток выходов, то направить этот ток можно с помощью вспомогательного биполярного транзистора. Кроме заряда, паразитный конденсатор нужно ещё и разряжать. Поэтому оптимальной представляется двухтактная схема на комплементарных биполярных транзисторах можно взять, например, КТ и КТ Если расположить её между транзистором и землёй, из-за падения напряжения на нагрузке напряжение затвор — исток может оказаться меньше порогового, транзистор откроется не полностью и может перегреться и выйти из строя.

Если всё же требуется подключать нагрузку к n-канальному транзистору между стоком и землёй, то решение есть. Можно использовать готовую микросхему — драйвер верхнего плеча. Верхнего — потому что транзистор сверху. Выпускаются и драйверы сразу верхнего и нижнего плеч например, IR для построения двухтактной схемы, но для простого включения нагрузки это не требуется.

Схема не сильно сложная, а использование драйвера позволяет наиболее эффективно использовать транзистор. Ещё один интересный класс полупроводниковых приборов, которые можно использовать в качестве ключа — это биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT.

Они сочетают в себе преимущества как МОП-, так и биполярных транзисторов: управляются напряжением, имеют большие значения предельно допустимых напряжений и токов. Из-за того, что IGBT применяются больше в силовой электронике, они обычно используются вместе с драйверами. Все предыдущие схемы отличало то, что нагрузка хоть и была мощной, но работала от постоянного тока. В схемах была чётко выраженные земля и линия питания или две линии — для контроллера и нагрузки. Для цепей переменного тока нужно использовать другие подходы.

Самые распространённые — это использование тиристоров, симисторов и реле. Реле рассмотрим чуть позже, а пока поговорим о первых двух. Тиристор — это полупроводниковый прибор, который может находится в двух состояниях:.

Транзистор irf840 характеристики

Схема показана на рисунке в тексте. Команд она не различает, — реагирует на любую кнопку пульта изменением состояния своего выхода на противоположное. Для приема сигналов пульта служит интегральный фотоприемник …. Автор предлагает несколько вариантов регуляторов яркости для компактных люминесцентных ламп, регулирующий элемент в которых — мощный полевой транзистор. При принятии окончательного решения о замене функционального аналога необходимо руководствоваться информацией, приведенной в технической спецификации и ТУ на изделие. В некоторых случаях требуется, чтобы нагрузка, питающаяся от электросети, выключалась с задержкой. Задержка в одну минуту не критична, изменением сопротивления резистора и емкости конденсатора задержку можно уменьшить или ….

Также следует обратить внимание, что типовая схема включения не . а на одной паре IRF/IRF (также один транзистор в плечо) до Вт.

Двуполярный сетевой импульсный блок питания

Полевой транзистор с датчиком тока Знаете ли, что это за зверик такой? Помогите подобрать полевой транзистор Запутался я в них. Суть в следующем: полевик должен работать как переменное сопротивление, Какой выходной ток у аккумул.? Полевой транзистор Здравствуйте. Подскажите пожалуйста. Купил новый полевой транзистор IRLR прозвонил. Сгорели два полевика на шине питания процессора, не могу

Схема самодельной автосигнализации (К561ТМ2, IRF840)

В даташит указывается, что это современный транзистор третьего поколения, несмотря на экономичность конструкции и корпуса имеет достаточно хорошие технические параметры. Особенно подчеркивается его мощность, высокое быстродействие, маленькое сопротивление открытого канала и низкая стоимость. Это делает его привлекательным для использования не только на производстве, но и в радиолюбительской среде. Расположение выводов идентична различным mosfet фирмы IR в таком корпусе. Для определения назначения выводов возьмите транзистор и поверните его так, чтобы можно было прочитать маркировку на его корпусе.

Сообщения без ответов Активные темы. Модераторы: Горшком назвали

Светлый угол – светодиоды

Каков принцип? Насколько мне понятно, делаем из где-то 10 вольт стабилитроном, чтобы транзистор открылся. Оптроном даём ноль, т. Как это работает, любопытно постольку, поскольку я не знаю, кто такой BUZ Интересует, возможно ли заменить на IRF

Еще одна схема фотореле для управления освещением (К561ТЛ1, IRF840)

Тема в разделе ” Схемотехника, компоненты, модули “, создана пользователем Smilley , 27 янв Войти или зарегистрироваться. Искать только в заголовках Сообщения пользователя: Имена участников разделяйте запятой. Новее чем: Искать только в этой теме Искать только в этом разделе Отображать результаты в виде тем. Быстрый поиск.

Транзистор IRF – Power MOSFET N-Channel, V, 8A, TO, Vishay и другие электронные компоненты по хорошей, оптовой цене! | Быстрая.

Power Electronics

Irf840 схема включения

Irf mosfet. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога.

Схема фото-переключателя с управлением (К561ТЛ1, IRF840)

Схема показана на рисунке в тексте. Команд она не различает, — реагирует на любую кнопку пульта изменением состояния своего выхода на противоположное. Для приема сигналов пульта служит интегральный фотоприемник …. Автор предлагает несколько вариантов регуляторов яркости для компактных люминесцентных ламп, регулирующий элемент в которых — мощный полевой транзистор.

Проблема фона переменного тока в ламповых усилителях имеет первостепенное значение. Но в особенность остро она стоит в предварительных усилителях.

Приведена принципиальная схема самодельной автосигнализации, которая работает с набором нескольких контактныхдатчиков. Датчиками служат: дверные выключатели внутри-салонного освещения, замыкающий датчик на капот и замыкающий датчик на багажник. Установить можно практически на любой автомобиль с вотльтовой электросетью. Звуковым оповещателем служит стандартная электронная сирена для автосигнаизаций. Ключом – идентификатором владельца служит брелок с постоянным магнитом внутри и геркон, спрятанный в салоне за остеклением автомобиля. Брелок нужно поднести к геркону через стекло.

Стандартная схема импульсного блока питания, с питанием от сети вольт. Построена на микросхеме IR, работает в полумостовом режиме. Выходная мощность 70 ватт, но можно и поднять до Обеспечивает выходное двуполярное напряжение 18 вольт, идеально подойдёт для питания усилителя мощности звука.

характеристики (параметры), российские аналоги, цоколевка

Главная » Транзистор

Биполярный кремниевый транзистор S9013 обратной проводимости (структура n-p-n) выпускается по эпитаксиально-планарной технологии в пластиковом корпусе ТО-92. Он имеет цилиндрическую форму с размерами не более 5мм в любой плоскости. Производитель наносит маркировку о марке полупроводникового элемента и дате выпуска на технологическую плоскую поверхность, расположенную на лицевой стороне корпуса.

Содержание

1. Цоколевка
2. Особенности и применение транзистора
3. Характеристики (предельные значения)
4. Классификация по величине hFE
5. Маркировка и параметры
6. Аналоги и комплементарная пара
7. Зависимость тока коллектора от выходного напряжения

Цоколевка

В нижнем торце располагаются три вывода. Если смотреть на маркировку, то слева направо: эмиттер, база, коллектор.

 

Особенности и применение транзистора

Анализ технических характеристик позволяет сделать вывод, что данный радиокомпонент является высокочастотным транзистором общего применения средней мощности. В первую очередь, об этом свидетельствуют высокие значения коллекторного тока – до 0,5А и характерной для корпуса ТО-92 рассеиваемой мощностью – 0,63Вт. Особое внимание стоит уделить коэффициенту усиления h_FE. Его характеристика обладает хорошей линейностью, а предельная частота составляет 140МГц.

Сочетание этих параметров в одном компоненте позволяет использовать его в выходных каскадах радиостанций небольшой мощности, до 1Вт. Вместе с тем, S9013 достаточно широко применяется в дискретных схемах и переключающих устройствах соответствующей мощности.

Свойства транзистора и его надежность хорошо известны профессионалам и радиолюбителя. Он широко применяется в электротехнической промышленности и радиолюбительской практике.

Характеристики (предельные значения)

Параметр	Обозначение	Максимальное значение
Напряжение коллектор-база	VCBO	40В
Напряжение коллектор-эмиттер	VCEO	20В
Напряжение эмиттер-база	VEBO	5В
Ток коллектор	IC	0,5А
Постоянная рассеиваемая мощность	PС	0,63Вт
Температурный диапазон	Tmin-max	от −55 до 150 град. Цельсия
Напряжение пробоя коллектор-база	BVCBO	40В
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	BVCEO	20В
Напряжение пробоя эмиттер-база	BVEBO	5В
Обратный ток коллектора	ICBO	100нА
Обратный ток эмиттера	IEBO	100нА
Коэффициент усиления по постоянному току (VCE =1В, IC =50мА)	hFE1	от 64 до 202, тип. 120
Коэффициент усиления по постоянному току (VCE =1В, IC =500мА)	hFE2	120
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	VCE (нас)	0,6В
Напряжение насыщения база-эмиттер	VBE (нас)	1,2В
Напряжение база-эмиттер	VBE (on)	0,7В

Классификация по величине hFE

Производители выпускают 5 модификаций транзистора. Между собой они отличаются диапазоном коэффициента усиления по току. Каждому типу присваивается латинская буква, которая добавляется в маркировке после основных цифр 9013. Соответствие буквенной маркировки и конкретных значений диапазонов hFE, приведены в таблице.

Типы	D	E	F	G	H
hFE1	64 ~ 91	78 ~ 112	96 ~135	112 ~166	144 ~ 202

Маркировка и параметры

Тип	Pc	Ucb	Uce	Ueb	Tj	Cc	Ic	hfe	ft	Корпус
CS9013	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	1 A	64	200 MHz	TO-92
CS9013D	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	64	200 MHz	TO-92
CS9013E	0. 6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	78	200 MHz	TO-92
CS9013F	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	96	200 MHz	TO-92
CS9013G	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	118	200 MHz	TO-92
CS9013H	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	144	200 MHz	TO-92
CS9013I	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	180	200 MHz	TO-92
FCS9013	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	64	200 MHz	TO-92
FCS9013D	0. 6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	64	200 MHz	TO-92
FCS9013E	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	78	200 MHz	TO-92
FCS9013F	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	96	200 MHz	TO-92
FCS9013G	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	118	200 MHz	TO-92
FCS9013H	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	144	200 MHz	TO-92
FCS9013I	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	180	200 MHz	TO-92
GS9013	0. 6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	1 A	64	200 MHz	TO-92
GS9013D	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	64	200 MHz	TO-92
GS9013E	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	78	200 MHz	TO-92
GS9013F	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	96	200 MHz	TO-92
GS9013G	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	118	200 MHz	TO-92
GS9013H	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	144	200 MHz	TO-92
GS9013I	0. 6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	180	200 MHz	TO-92
MMS9013-H	0.3 W	40 V	25 V	5 V	150 °C		0.5 A	200	150 MHz	SOT23
MMS9013-L	0.3 W	40 V	25 V	5 V	150 °C		0.5 A	120	150 MHz	SOT23
S9013	0.3 W	40 V	25 V	5 V	150 °C		0.5 A	120	150 MHz	SOT23
S9013G	0.625 W	40 V	25 V	5 V	150 °C		0.5 A	112	150 MHz	TO-92
S9013H	0.625 W	40 V	25 V	5 V	150 °C		0.5 A	144	150 MHz	TO-92
S9013I	0. 625 W	40 V	25 V	5 V	150 °C		0.5 A	190	150 MHz	TO-92
S9013LT1	0.225 W	40 V	20 V	5 V	150 °C		0.5 A	100		SOT23
S9013T	0.625 W	40 V	25 V	5 V	150 °C		0.5 A	64	150 MHz	TO-92
S9013W	0.2 W	40 V	25 V	5 V	150 °C	8 pf	0.5 A	120	150 MHz	SOT323
SS9013	0.625 W	40 V	20 V		150 °C		0.5 A	64		TO-92
STS9013	0.625 W	40 V	30 V	5 V	150 °C	7 pf	0.5 A	96	140 MHz	TO-92

Аналоги и комплементарная пара

Аналог	VCEO	IC	PC	hFE	fT
S9013	25	0,5	0,625	64	150
Отечественное производство
КТ315Г	35	0,1	0,15	50	250
КТ3102А	50	0,1	0,25	100	150
КТ680А	25	0,6	0,35	85	120
Импорт
2SC1008	60	0,75	0,75	60	100
BC537	60	1	0,625	50	120
BC538	80	1	0,625	50	120
KSC1008	60	0,7	0,8	40	30
KSC1009	140	0,7	0,8	40	30
KSP05	60	0,5	0,625	50	100
KSP06	80	0,5	0,625	50	100
KSP42	300	0,5	0,625	40	50
KSP43	200	0,5	0,625	40	50
MPS6532	30	0,6	0,31	30	200
MPSA42	300	0,5	0,625	25	50
MPSA43	200	0,5	0,625	25	50
MPSW01A	40	1	1	50	50
MPSW01AG	50	1	1	60	50
MPSW05	60	0,5	1	60	50
MPSW05G	60	0,5	1	60	50
MPSW06	80	0,5	1	80	50
MPSW06G	80	0,5	1	60	50
MPSW42	300	0,5	1	40	50
MPSW42G	300	0,5	1	40	50

Примечание: все характеристики транзисторов аналогов взяты из даташип производителя.

Для комплементарной пары рекомендуется использовать транзистор прямой проводимости S9012.

Зависимость тока коллектора от выходного напряжения

На графике представлена выходная вольтамперная характеристика биполярного транзистора. Он интересен тем, что на форму кривых влияют практически все основные электрические параметры полупроводникового элемента. Семейство линий представляет собой ступенчатое открытие транзистора по мере увеличения тока базы. Это активный (усилительный) режим работы элемента. На графике это последовательность практически горизонтальных линий, свидетельствующих о нарастании тока коллектора с ростом тока базы.

Режим отсечки на графике – это область, граничащая с осью Х (напряжение коллектор-эмиттер). Транзистор закрыт – ток коллектора практически отсутствует.

Режим насыщения – это вертикальная зона семейства кривых, в непосредственной близости от оси Y. Падение напряжения на переходе коллектор-эмиттер минимально.

IRF840 MOSFET Лист данных, вывод, характеристики и эквиваленты

21 марта 2019 – 0 комментариев

IRF840 Мощный МОП-транзистор N-Channel
Распиновка IRF840

IRF840 — это N-канальный силовой МОП-транзистор, который может переключать нагрузки до 500 В. МОП-транзистор может переключать нагрузки, потребляющие до 8 А, его можно включить, подав пороговое напряжение затвора 10 В на выводах Gate и Source.

 

Конфигурация контактов

Номер контакта	Штифт Наименование	Описание
1	Источник	Ток протекает через источник (максимум 8 А)
2	Ворота	Управляет смещением MOSFET (пороговое напряжение 10 В)
3	Слив	Ток поступает через сток

Особенности

· N-канальный мощный MOSFET

· Непрерывный ток дренажа (ID): 8A

· Порогловое напряжение затвора (VGS-Th) составляет 10 В (предел = ± 20 В)

Напряжение разбивки: 500 В

· Сопротивление источника источника дренажа (RDS) составляет 0,85 Ом

· Время восстания и время падения составляет 23NS, а 20NS

· Доступно в пакете

Примечание: Полные технические данные можно найти на IRF840.

IRF740, BSS138, IRF520, 2N7002, BS170, BSS123, IRF3205, IRF1010E

ОБЛЮДА IRF840

, который может нагрузка на n-ne-ne-ne-ne-ne-ne-ne-necanel. МОП-транзистор может переключать нагрузки, потребляющие до 8 А, его можно включить, подав пороговое напряжение затвора 10 В на выводах Gate и Source. Поскольку MOSFET предназначен для переключения сильноточных высоковольтных нагрузок, он имеет относительно высокое напряжение затвора, поэтому его нельзя использовать напрямую с выводом ввода-вывода ЦП. Если вы предпочитаете MOSFET с низким напряжением затвора, попробуйте IRF540N или 2N7002 и т. д.

Одним из существенных недостатков IRF840 Mosfet является его высокое значение сопротивления во включенном состоянии (RDS), которое составляет около 0,85 Ом. Следовательно, этот МОП-транзистор нельзя использовать в приложениях, где требуется высокая эффективность переключения. Мосфету требуется схема драйвера для подачи 10 В на вывод затвора этого мосфета. Простейшая схема драйвера может быть построена с использованием транзистора. Он относительно дешев и имеет очень низкое тепловое сопротивление, кроме того, полевой МОП-транзистор также имеет хорошие скорости переключения и, следовательно, может использоваться в схемах преобразователя постоянного тока.

 

Применение

• Переключение устройств большой мощности
• Схемы инвертора
• Преобразователи постоянного тока
• Управление скоростью двигателей
• Светодиодные диммеры или мигалки
• Применения для высокоскоростного переключения

 

2D-модель компонента

Если вы проектируете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, следующее изображение из таблицы данных IRF840 будет полезно, чтобы узнать его тип корпуса и размеры.

 

 

Метки

МОП-транзистор N-канального типа

Мощный МОП-транзистор

Спецификация, работа и применение

МОП-транзистор или полевой транзистор на основе оксида металла и кремния представляет собой управляемое напряжением устройство, изготовленное путем контролируемого окисления полупроводникового материала «Si». Эти транзисторы используются как в аналоговых, так и в цифровых схемах. Когда напряжение подается на клемму затвора полевого МОП-транзистора, оно управляет потоком тока на клеммах истока и стока, поскольку клемма затвора работает как регулирующий клапан. МОП-транзисторы производятся разными производителями по всему миру, такими как Infineon, Diodes Incorporated STMicroelectronics, Nexperia, Vishay, Renesas и т. д. Исходя из этого, технологии Infineon производили различные МОП-транзисторы серии IRF, такие как IRF3205, IRFB4110, IRFZ44N, IRF840, IRF540, IRFP29.07 и т. д. В этой статье обсуждается один из МОП-транзисторов серии IRF, такой как МОП-транзистор IRF840, — конфигурация выводов, технические характеристики и области его применения.

IRF840 — это N-канальный силовой МОП-транзистор, который в основном используется для переключения нагрузок до 500 В, потребляющих до 8 А тока. Этот полевой МОП-транзистор представляет собой высоковольтное и быстродействующее переключающее устройство, которому требуется 10 В на клемме затвора (G), чтобы начать процесс проводимости. Этот полевой МОП-транзистор имеет три клеммы, такие как затвор (G), сток (D) и исток (S), где внешние цепи просто подключаются через эти клеммы.

В этом N-канальном MOSFET процесс проводимости может быть реализован за счет потока электронов. Большинство носителей заряда в n-канальных полевых МОП-транзисторах представляют собой электроны, тогда как в р-канальных полевых МОП-транзисторах большинство носителей заряда представляют собой дырки.

Конфигурация контактов:

Конфигурация контактов МОП-транзистора IRF840 с символом показана ниже. Этот полевой МОП-транзистор включает в себя три контакта, каждый из которых и его функции обсуждаются ниже.

Конфигурация контактов IRF840 MOSFET

• Контакт 1 (Источник): Ток поступает с этого контакта.
• Контакт 2 (затвор): Этот контакт работает как триггер для управления смещением MOSFET.
• Контакт 3 (слив): Сливной контакт обеспечивает протекание тока, поэтому он является входной клеммой MOSFET.

Характеристики и характеристики:

Особенности и характеристики МОП-транзистора IRF840 включают следующее.

• Это N-канальный силовой МОП-транзистор.
• Время нарастания (ts) составляет 23 нс.
• Время спада (tf) составляет 20 нс.
• Производится компанией STMicroelectronics.
• Категория Продукта — МОП-транзистор.
• Динамический рейтинг dv/dt.
• Быстрое переключение и простота параллельного подключения.
• Скорость переключения составляет наносекунды.
• Высокое входное сопротивление.
• Его технология Si.
• Способ крепления — сквозное отверстие.
• Его упаковка или футляр ТО-220-3.
• Полярность транзистора N-канальная.
• Количество каналов – 1.
• Режим канала – расширение.
• Туба-упаковка.
• Его высота составляет 9,15 мм.
• Длина 10,4 мм.
• Его ширина составляет 4,6 мм.
• Его серия IRF.
• Пороговое напряжение затвора или VGS-th равно 10В.
• Постоянный ток стока или ID 8A.
• Сопротивление Drain Source или RDS составляет 0,85 Ом или 850 мОм.
• Напряжение пробоя сток-исток (Vds) составляет 500 В.
• Напряжение затвор-исток составляет – 20 В, + 20 В.
• Диапазон рабочих температур от – 65 C до + 150 C.
• Рассеиваемая мощность (Pd) составляет 125 Вт.
• Время задержки включения Обычно составляет 10 нс.
• Импульсный ток стока или IDM составляет 32 А.
• Общий заряд затвора или Qg составляет 63 нКл.
• Входная емкость или Ciss составляет 1300 пФ.
• Время обратного восстановления или trr составляет от 460 до 970 нс.
• Температура перехода или TJ колеблется от -55 до 150 ℃.

Схема полевого МОП-транзистора IRF840

Схема полевого МОП-транзистора IRF840, используемая для управления скоростью двигателя постоянного тока, показана ниже. Необходимые компоненты для создания этой схемы: IRF840 MOSFET, двигатель постоянного тока, батарея 12 В и переменный резистор.

IRF840 MOSFET Circuit

Соединения этой схемы следующие: первый контакт переменного резистора подключен к отрицательному выводу батареи, второй выходной контакт подключен к выводу затвора MOSFET, а третий контакт подключен к положительному выводу аккумулятора. Положительное питание батареи подключено к клемме стока MOSFET. И клемма источника MOSFET, и отрицательная клемма батареи подключены к положительной и отрицательной клеммам двигателя постоянного тока. Теперь цепь подключена полностью.

Схема работает следующим образом; выход переменного резистора поступает на клемму затвора MOSFET, которая работает как клапан, так что напряжение с клеммы источника MOSFET передается на двигатель постоянного тока, так что он включает двигатель постоянного тока. Основываясь на скорости двигателя, мы можем управлять этим двигателем, вращая переменный резистор.

Эквивалентные МОП-транзисторы IRF840

Эквивалентные МОП-транзисторы IRF840; IRF840A, IRF841, IRF843, IRF842, IRFI840G, IRFS841, IRFS840, STP8NA50, 2SK1158, 2SK554, 2SK1566, 2SK1805, 2SK1567, 2SK2117, 2SK2116, 2SK2118, IRF74, 2SK217 примерно такие же электрические характеристики, как у MOSFET. мы можем заменить их очень легко. Но перед заменой этих МОП-транзисторов мы должны перепроверить конфигурацию контактов.

Как безопасно запустить IRF840 MOSFET в цепи?

Для безопасной работы полевого МОП-транзистора IRF840 в цепи лучше использовать компонент всегда на его максимальных пределах. Максимальное напряжение нагрузки МОП-транзистора IRF840 может выдерживать 500 В, поэтому не подключайте нагрузку выше 400 В. Максимальный ток стока составляет 8 А, поэтому не подключайте нагрузку выше 6,4 А. Этот полевой МОП-транзистор следует эксплуатировать при температурах > -55°C < +150°C.

Применение

Применение IRF840 MOSFET включает следующее.

• IRF840 применяется там, где вам необходимо обеспечить максимальное напряжение нагрузки до 500 В с током нагрузки до 8 А.
• Этот полевой МОП-транзистор также используется там, где важно быстрое переключение.
• Его можно использовать непосредственно на выходе микроконтроллеров, интегральных схем и различных электронных платформ, таких как
.
• Raspberry Pi и Arduino для управления различными нагрузками.
• Его также можно использовать для разработки мощных аудиоусилителей.
• Цепи драйверов двигателей.
• Переключающий преобразователь.
• Импульсный регулятор.
• Преобразователь постоянного тока в постоянный.
• Цепи мигалки.
• ИБП.
• Схемы диммера для светодиодов.
• Система драйвера двигателя постоянного тока.
• Переключение высокой мощности.
• Применение солнечной энергии.
• Система драйвера двигателя переменного тока.
• Система зарядного устройства для аккумуляторов.
• Драйверы реле.
• Схемы инвертора.
• Высокоскоростное переключение приложений.