Irfd110 datasheet: Access to this page has been denied.

Компоненты International Rectifier

Сортировка

По умолчаниюНазвание (А – Я)Название (Я – А)Цена (низкая > высокая)Цена (высокая > низкая)Модель (А – Я)Модель (Я – А)

Показать

25405075100

Наименование	Корпус	Розн	Опт	Характеристика	Инфо	Купить
10BQ015	SMB	40.00р.	26р.	диод Шоттки: 15В, 1А
10BQ030	SMB	35.00р.	23р.	диод Шоттки: 30В, 1А, MBRS130LT3G, STPS1L30U
10BQ040TRPBF	SMB	25.00р.	18р.	VS-10BQ040TRPBF 10BQ040 диод: 40В, 1А
10BQ060	SMB	35.00р.	23р.	диод Шоттки: 60В, 1А
10CTQ150	TO-220	160. 00р.	122р.	диод Шоттки: 150В, 2×10А, PS40150CT, STPS10150CT
10CTQ150S	D²Pak	210.00р.	166р.	диод Шоттки: 150В, 2×10А, STPS30150CG
10ETS12	TO-220-2	290.00р.	226р.	диод: 1.2кВ, 10А
10MQ040N	SMA	35.00р.	23р.	диод Шоттки: 40В, 2.1А
10MQ100N	SMA	35.00р.	23р.	диод Шоттки: 100В, 2.1А, мар-ка IR1J, PS1h200
11DQ04	DO-41	30.00р.	19р.	диод Шоттки: 40В, 1.1А, = 1N5819 MBR140P SB140
11DQ10	DO-204	30.00р.	21р.	диод Шоттки: 100В, 1. 1А
12TQ045SPBF	D²Pak	135.00р.	93р.	диод шоттки: 45В, 1×15А
150EBU02	PowIRtab	1400.00р.	1161р.	диод: 200В, 1×150А
150EBU04	PowIRtab	800.00р.	640р.	диод ultrafast: 400В, 150А
15ETH06PBF	TO-220-2	210.00р.	160р.	диод: 600В, 15А
15MQ040N	SMA	35.00р.	23р.	диод Шоттки: 40В, 3А, MBRA340T3G
16CTQ100S	D²Pak	250.00р.	192р.	диод Шоттки: 100В, 16А
16CTU04	TO-220	160.00р.	122р.	диод ultrafast: 400В, 8А
16TTS12	TO-220	250.00р.	199р.	тиристор: 1.2кВ, 10А
20CTH03PBF	TO-220	280.00р.	220р.	диод Ultrafast: 300В, 10А
20CTH03SPBF	D²Pak	200.00р.	159р.	диод Ultrafast: 300В, 10А
20CTQ150PBF	TO-220AB	190.00р.	150р.	диод: 150В, 2CCx20А
20TQ035	TO-220AC	230.00р.	178р.	диод Шоттки: 35В, 20А
20TQ045	TO-220-2	280.00р.	220р.	диод Шоттки: 45В, 20А
249NQ150	D-67	4700. 00р.	3876р.	диод: 150В, 240А
25CTQ045PBF	TO-220	210.00р.	167р.	диод: 45В, 30А
25TTS12	TO-220	210.00р.	175р.	тиристор: 1.2кВ, 25А
26MT160	D-63	1850.00р.	1512р.	3 phase bridge
2KBB40	D-37	260.00р.	204р.	диод: 400В, 4BRIDGEx1.9А
30BQ015	SMC	90.00р.	62р.	диод Шоттки: 15В, 3А
30BQ040	SMC	50.00р.	34р.	диод Шоттки: 40В, 3А, мар-ка 3F
30BQ060	SMC	60. 00р.	41р.	диод Шоттки: 60В, 3А
30BQ100	SMC	50.00р.	35р.	диод Шоттки: 100В, 3А, мар-ка V3J, = SS310 B3100 MBRS3100T3
30CPH03	TO-247	330.00р.	257р.	диод ultrafast: 300В, 15А
30CPQ060 used	TO-247	280.00р.	220р.	диод Шоттки: 60В, 30А
30CPQ100	TO-247	280.00р.	230р.	диод Шоттки: 100В, 30А, = STPS30h200CW
30CPQ150	TO-247	280.00р.	220р.	диод Шоттки: 150В, 30А, = STPS61150CW STPS30150CW
30CTQ100	TO-220	240.00р.	190р.	диод Шоттки: 100В, 30А
30EPF06PBF	TO-247-2	470. 00р.	370р.	диод: 30А, 600В, 60нс
30EPF12	TO-247-2	420.00р.	331р.	диод: 1.2кВ, 30А, 60нс

Показано с 1 по 40 из 850 (всего 22 страниц)

IRFD110_2103739.PDF Загрузить техническое описание — IC-ON-LINE

Номер связанной детали

ЧАСТЬ Описание Производитель IRFR9120 IRFU9120 FN3987 5,6 А, 100 В, 0,600 Ом, силовые МОП-транзисторы с каналом P (5,6 А, 100 В, 0,600 Ом, P娌?????MOS?烘?搴??) ИНТЕРСИЛ [Корпорация Интерсил] STS3C2F100 N-КАНАЛ 100 В – 0,110 ОМ – 3A SO-8 P-КАНАЛ 100 В – 0,320 ОМ – 1,5 A SO-8 ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ПАРА ПОЛЕВЫХ ПОЛЕТОВ POWER MOSFET СТ Микроэлектроника IRFBC40 CAP CER 1000PF 100 В 20 % X7R 0603 6,2 A, 600 В, 1,2 Ом, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB , 1200 Ом, N-канальный силовой МОП-транзистор Intersil, Corp. Intersil Corporation FDS3672 FDS3672NL N-канальный полевой МОП-транзистор PowerTrench 100 В/ 7,5 А/ 22 м N-канальный полевой МОП-транзистор PowerTrench 100 В, 7,5 А, 22 м3 ФЭЙРЧАЙЛД [Фэйрчайлд Полупроводник] МТР1Н60Е TMOS POWER FET 1,0 А, 600 В RDS(on) = 8,0 ОМ 1 A, 600 В, 8 Ом, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB Motorola Mobility Holdings, Inc. Motorola, Inc. IRF9540 RF1S9540SM FN2282 19 А, 100 В, 0,2 Ом, P-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB , POWER, MOSFET, TO-263AB 19A/ 100 В/ 0,200 Ом/ P-Channel Power MOSFET Из старой системы технических данных Intersil, Corp. INTERSIL[Intersil Corporation] STL22NF10 N-КАНАЛЬНЫЙ 100 В – 0,055 Ом – 22A PowerFLATLOW GATE CHARGE StripFETII MOSFET N-КАНАЛЬНЫЙ 100 В – 0,055 Ом – 22A PowerFLAT LOW GATE CHARGE StripFET II MOSFET ARGE STripFET⑩ II МОП-транзистор 意法半导 STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics] HUF75652G3 75 А, 100 В, 0,008 Ом, N-канальный полевой МОП-транзистор UltraFETPower ТРАНЗИСТОР, MOSFET, N-КАНАЛЬНЫЙ, 100 В 75 A, 100 В, 0,008 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET 75 A/ 100 В/ 0,008 Ом/ N-Channel UltraFET Power MOSFET ФЭЙРЧАЙЛД [Фэйрчайлд Полупроводник] ФСЛ9110Р1 ФСЛ9110Р ФСЛ9110Д ФН4225 ФСЛ9110Р4 ФСЛ91 2,5 А, 100 В, 1,3 Ом, P-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF Из старой системы технических данных 2,5 A, -100 В, 1,30 Ом, радиационная жесткость, устойчивость к SEGR, мощность P-канала MOSFET 2,5 А/-100 В/ 1,30 Ом/ радиально-стойкие/ устойчивые к SEGR/ силовые МОП-транзисторы с каналом P ИНТЕРСИЛ [Корпорация Интерсил] FRS9140H FRS9140R FRS9140D FN3264 11 A, 100 В, 0,315 Ом, P-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA Из старой системы технических данных 11 A, -100 В, 0,315 Ом, Rad Hard, P-Channel Power MOSFET 11 A/ -100 В / 0,315 Ом/ Rad Hard/ P-Channel Power MOSFET ИНТЕРСИЛ [Корпорация Интерсил] ИРФ5М5210 ИРФ5М5210Д ИРФ5М5210УПБФ ИРФ5М5210-15 -100 В Одиночный P-канальный МОП-транзистор Hi-Rel в корпусе TO-254AA 34 А, 100 В, 0,07 Ом, P-КАНАЛ, Si, POWER, МОП-транзистор on)=0,07 Ом, Id=-34A) Номинальные значения лавинной защиты IRF [Международный выпрямитель]

Связанное ключевое слово из системы полнотекстового поиска

IRFD110 Адрес IRFD110 什么封装 Полоса пропускания IRFD110 IRFD110 IC СПЕЦИФИКАЦИЯ IRFD110 окр Схема зарядного устройства IRFD110 Выпрямитель IRFD110 IRFD110 Санио IRFD110 Интеграция Преобразователь IRFD110

IRFD110_7299552.

Номер связанной детали

ЧАСТЬ Описание Производитель BSM300GA100D BSM300GA120D BSM100GB100D BSM100GB120 300 A, 1000 В, N-КАНАЛЬНЫЙ IGBT 300 A, 1200 В, N-КАНАЛЬНЫЙ IGBT 100 A, 1000 В, N-КАНАЛЬНЫЙ IGBT 100 A, 1200 В, N-КАНАЛЬНЫЙ IGBT 75 A, 1000 В , N-КАНАЛЬНЫЙ IGBT 200 A, 1000 В, N-КАНАЛЬНЫЙ IGBT 50 A, 1600 В, N-КАНАЛЬНЫЙ IGBT INFINEON TECHNOLOGIES AG SIEMENS AG ИРФД110ПБФ 1000 мА, 100 В, N-КАНАЛ, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛ, МОП-транзистор ВИШАЙ ИНТЕРТЕХНОЛОДЖИ ИНК IRFD110 1000 мА, 100 В, N-КАНАЛ, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛ, МОП-транзистор, TO-250AA ВИШАЙ СИЛИКОНИКС S558-5999-Q2 Модуль Xfmr 1000 Мбит/с DATACOM ТРАНСФОРМАТОР ДЛЯ 10/100/1000 BASE-T; ПРИЛОЖЕНИЕ(Я) ETHERNET Бел Фьюз, Инк. APT10090SFLL APT10090BFLL APT10090BFLL_03 APT10090 Power MOS 7TM — это новое поколение высоковольтных МОП-транзисторов с малыми потерями и N-канальным режимом повышения мощности 9.0024 12 А, 1000 В, 0,9 Ом, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, POWER, MOSFET D3PAK-3 12 A, 1000 В, 0,9 Ом, N-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD TO-247, 3 PIN-код Advanced Power Technolo… ADPOW[Advanced Power Technology] Microsemi, Corp. АРФ466ФЛ АРФ466ФЛ10 RF MOSFET для работы от 100 до 300 Вольт; P(вне) (W): 300; fO (МГц): 45; ВДД (В): 200; БВДСС (В): 1000; RqJC (°C/Вт): 0,27; Стиль корпуса: T2; COO: ДИАПАЗОН УКВ AE, Si, N-КАНАЛ, ВЧ МОЩНОСТЬ, МОП-транзистор RF POWER MOSFET N-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЯ Microsemi, Corp. Microsemi Corporation РДЖ45-102ДИД2 РДЖ45-103ИДД2 РДЖ45-104ГИД2 РДЖ45-201ДИД RJ45 10/100/1000 BASE-TX С ДВУМЯ USB RJ45 10/100/1000 BASE-TX С ДВУМЯ USB Premier Magnetics, Inc. MTP3N100E MTP3N100E_D ON2598 3N100E MTP3N100E-D TMOS E-FET Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate Из старой системы технических данных TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 4.0 OHM 3 A, 1000 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB MOTOROLA [Motorola, Inc.] Motorola, Inc. ПО ПОЛУПРОВОДНИКАМ 100HF160FV 100HFR100FVPBF 130HFR100FV 100HF60FVPBF 100 A, 1600 В, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД 100 A, 1000 В, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД 130 A, 1000 В, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД 100 A, 600 В, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД CMR1U-02M CMR1U-04M CMR1U-06M CMR1U-10M ПОВЕРХНОСТНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ СВЕРХБЫСТРОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ 1,0 А/ 100 ДО 1000 ВОЛЬТ НАНЕСИТЕЛЬНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ СВЕРХБЫСТРОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ 1,0 А, 100 ДО 1000 ВОЛЬТ 1 А, 200 В, КРЕМНИЯ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД Central Semiconductor, Corp. Central Semiconductor Corp. СПМ4М024-100 СПК8М075-006 СПК8М045-010 СПК8М030-02 6 А, 1000 В, 2 Ом, 6 КАНАЛОВ, N-КАНАЛОВ, Si, POWER, MOSFET Стандартные промышленные силовые модули MOSFET 130 A, 60 В, 0,006 Ом, 4 КАНАЛА, N-КАНАЛОВ, Si, POWER, MOSFET Стандартные промышленные силовые модули MOSFET 120 A, 300 В, 0,035 Ом, 2 КАНАЛА, N-КАНАЛЬНЫЕ, Si, POWER, MOSFET Стандартные промышленные силовые модули MOSFET 40 A, 600 В, 0,18 Ом, 4 КАНАЛА, N-КАНАЛЬНЫЕ , Si, POWER, MOSFET Стандартные промышленные силовые модули MOSFET 350 A, 60 В, 0,003 Ом, N-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET Стандартные промышленные силовые модули MOSFET 30 A, 200 В, 0,075 Ом, 6 КАНАЛОВ, N-КАНАЛОВ, Si, POWER, MOSFET Стандартные промышленные силовые модули MOSFET 45 A, 100 В, 0,03 Ом, 4 КАНАЛА, N-КАНАЛОВ , Si, POWER, MOSFET Стандартные промышленные силовые модули MOSFET 30 A, 200 В, 0,075 Ом, 4 КАНАЛА, N-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET Стандартные промышленные силовые модули MOSFET 300 A, 100 В, 0,005 Ом, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, POWER, МОП-транзистор Сенситрон Полупроводник http:// BCM5700 PCI-X 10/100/1000 BASE-T КОНТРОЛЛЕР Корпорация Бродком. Больше новостей Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт