характеристики, datasheet, аналоги и цоколевка
В этой статье изложены основные характеристики полевого N-канального МОП (MOSFET) транзистора IRFP260N. Использование технологии HEXFET 5-го поколения с защитой от электростатических разрядов обеспечивает минимальное сопротивление кремниевого канала. Надёжность в сочетании с высоким показателем быстродействия во время переключений позволяет использовать его в стабилизаторах, преобразователях, регуляторах. Также встречается во вторичных, импульсных источниках электропитания, схемах управления электродвигателями, управляющих блоках и узлах радиоэлектроники.
Распиновка
Транзистор IRFP260N выполнен в пластиковом корпусом TO-247, цоколевка предоставлена ниже. Отметим что в него уже встроен радиатор.
Характеристики
Перед использованием любого транзистора, необходимо ознакомиться с условиями его работы и основными параметрами.
Превышение максимально допустимых значений быстро выведет его из строя или вызовет ошибку общего функционирования микросхемы, в которой он применён.
Сперва ознакомимся с предельными характеристиками IRFP260N:
- максимальная рассеиваемая мощность: Pd – 300 Вт;
- предельно допустимое напряжение сток-исток (напряжение пробоя): UDS – 200 В;
- предельно допустимое напряжение затвор-исток: UGS – 20 B;
- максимально допустимый постоянный ток стока: ID – 49 A;
- заряд затвора: QG – 156 нКл;
- статическое сопротивление сток-исток в открытом состоянии транзистора: RDS – 0.04 Oм.
Другие электрические показатели также важны при проектировании схемы. Они могут отличаться в зависимости от режима работы транзистора или условий окружающей среды. Далее приведены результаты измерения в нормальных условиях при температуре +25 °C.
Тепловые характеристики
Чем выше ток во время работы транзистора, тем больше он нагревается.
При выходе за границы рабочих температур также может случится поломка.
- Тепловое сопротивление кристалл-среда (RjA) зависит от элементов охлаждения или их отсутствия.
- Общее теплосопротивление – 0,5 К/Вт. Общий диапазон рабочих температур: от -55 °C до +175 °C.
Аналоги
Транзистор IRFP260N уникален в своём роде, и имеет только один полный аналог:
- STW40N20
Замена в аппаратуре этих элементов друг другом производится без внесения изменений в существующую электрическую схему. Такую возможность обеспечивает совпадение выводов и корпуса, а также электрических и функциональных характеристик.
Производители и Datasheet
У IRFP2620N больше дистрибьюторов, чем производителей. При продаже могут указываться разные компании, но они предоставляют datasheet разработчика (IR):
- International Rectifier;
- Inchange Semiconductor.
Оригинальные устройства от International Rectifier довольно распространены на российском рынке.
Полупроводниковые и системные решения – Infineon Technologies
2023 финансовый год
Итоги квартала
4 мая 2023
Больше информации
Ускорьте переход на новые источники энергии с помощью тепловых насосов
Наши компоненты и системные решения делают современные тепловые насосы более интеллектуальными и эффективными — от управления мощностью и подключения до ЧМИ и датчиков
Узнать больше
PCIM Europe 2023
С 9 по 11 мая.
Зал 7 / Стенд 412. В этом году мы все о декарбонизации и цифровизации
Полная программа здесь
HYPERRAM™: память расширения в компактном корпусе
Представляем широкий ассортимент энергозависимой памяти с низким энергопотреблением и высокой производительностью для промышленной автоматизации и автомобильных приложений
Приходите узнать больше!
Формирование промышленного Интернета вещей путем расширения возможностей «умных» заводов
Переход к эффективным, устойчивым, гибким и безопасным «умным» заводам уже начался благодаря легко интегрируемым полупроводниковым решениям
Узнать больше
Твердотельные реле (ТТР) на основе SJ-FET
Обновление до технологии CoolMOS™ S7 с суперпереходом MOSFET с лучшим в своем классе R(on) x A для более эффективных и надежных решений SSR
Найти продукт
SECORA™ Pay теперь доступна с технологией 28 нм
Мы расширяем портфолио решений SECORA™ Pay с использованием технологии 28 нм для обеспечения наилучшей производительности транзакций в сочетании с простым в интеграции полносистемным решением
Узнать больше
Новости
03 апреля 2023 г.
| Business & Financial Press
Infineon оптимизирует свой профиль обезуглероживания: подразделение промышленных приложений будет работать под названием Green Industrial Power (GIP)
28 марта 2023 г. | Деловая и финансовая пресса
Устойчивая динамика бизнеса: Infineon ожидает более высоких результатов за второй финансовый квартал и весь 2023 финансовый год
Новости рынка
26 апреля 2023 г. | Новости рынка
Infineon и SCHWEIZER расширяют сотрудничество в области внедрения микросхем для разработки более эффективных автомобильных решений на основе карбида кремния
Посетите Infineon в Twitter
| Номер пьезы | Описание | Фабрикантес | ПДФ |
| 1M110Z | Стеклянные пассивированные кремниевые диоды Зенера | Тайвань Полупроводник | ПДФ |
| 1M120Z | Стеклянные пассивированные кремниевые диоды Зенера | Тайвань Полупроводник | ПДФ |
| 1М130З | Стеклянные пассивированные кремниевые диоды Зенера | Тайвань Полупроводник | ПДФ |
| 1M150Z | Стеклянные пассивированные кремниевые диоды Зенера | Тайвань Полупроводник | ПДФ |
| 1M160Z | Стеклянные пассивированные кремниевые диоды Зенера | Тайвань Полупроводник | ПДФ |
| 1M180Z | Тайвань Полупроводник | ПДФ | |
| 1M200Z | Стеклянные пассивированные кремниевые диоды Зенера | Тайвань Полупроводник | ПДФ |
| 1N4740A | Стеклянные пассивированные кремниевые диоды Зенера | Тайвань Полупроводник | ПДФ |
| 1N4741A | Стеклянные пассивированные кремниевые диоды Зенера | Тайвань Полупроводник | ПДФ |
| 1N4742A | Стеклянные пассивированные кремниевые диоды Зенера | Тайвань Полупроводник | ПДФ |
| 1N4743A | Стеклянные пассивированные кремниевые диоды Зенера | Тайвань Полупроводник | ПДФ |
| 1N4744A | Стеклянные пассивированные кремниевые диоды Зенера | Тайвань Полупроводник | ПДФ |
| 1N4745A | Стеклянные пассивированные кремниевые диоды Зенера | Тайвань Полупроводник | ПДФ |
| 1N4746A | Стеклянные пассивированные кремниевые диоды Зенера | Тайваньский полупроводник | ПДФ |
Una ficha técnica, hoja técnica u hoja de datos (техническое описание на английском языке), también ficha de características u hoja de características, es un documento que резюме el funcionamiento y otras characterísticas de un componente (por ejemplo, un componente electronic) о подсистема ( por ejemplo, una fuente de alimentación) con el suficiente detalle para ser utilizado por un ingeniero de diseño y diseñar el componente en un sistema. |
