Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Содержание

отзывы, фото и характеристики на Aredi.ru

Мы доставляем посылки в г. Калининград и отправляем по всей России

  • 1

    Товар доставляется от продавца до нашего склада в Польше. Трекинг-номер не предоставляется.

  • 2

    После того как товар пришел к нам на склад, мы организовываем доставку в г. Калининград.

  • 3

    Заказ отправляется курьерской службой EMS или Почтой России. Уведомление с трек-номером вы получите по смс и на электронный адрес.

!

Ориентировочную стоимость доставки по России менеджер выставит после оформления заказа.

Гарантии и возврат

Гарантии
Мы работаем по договору оферты, который является юридической гарантией того, что мы выполним свои обязательства.

Возврат товара
Если товар не подошел вам, или не соответсвует описанию, вы можете вернуть его, оплатив стоимость обратной пересылки.

  • У вас остаются все квитанции об оплате, которые являются подтверждением заключения сделки.
  • Мы выкупаем товар только с проверенных сайтов и у проверенных продавцов, которые полностью отвечают за доставку товара.
  • Мы даем реальные трекинг-номера пересылки товара по России и предоставляем все необходимые документы по запросу.
  • 5 лет успешной работы и тысячи довольных клиентов.

Полевые транзисторы IRFP250, обзор и немного о применении.

Не так давно я публиковал пару обзоров, где описывал усилитель сигнала с датчика тока и маленький блок питания.
Этот обзор является логическим продолжением мой эпопеи по конструированию самодельной электронной нагрузки. Я уже описывал такое устройство, но данный вариант планировался еще до него и планировался мощнее, с электронным управлением и прочими фишками. Но сами «мозги» я опишу скорее всего уже в следующем месяце, а вот про силовую часть расскажу сегодня.

Мощность силового модуля я запланировал на уровне 200-300 Ватт, максимальное напряжение до 60 Вольт, ток до 15 Ампер.
В устройстве используется нестандартное напряжение питания управляющей электроники в 8 Вольт. Так же напряжение сигнала управление в 0-250мВ. Это не моя прихоть, это то, что может давать блок управления, потому модуль я подстраивал под него.

Изначально конструкция подразумевала один канал с максимальным током в 5 Ампер и шунтом с сопротивлением 50мОм. Но в описании устройства была возможность навесить еще пару таких же каналов и перекалибровать устройство под ток 15 Ампер.
Я решил пойти немного по другому пути. Для начала я задумал не три, а восемь каналов.
При этом я исходил из модульной конструкции, это упрощает построение и расчет.
Задумывалось 8 каналов, при этом получалось по 2 канала на плату, по 2 платы на радиатор и 2 радиатора на устройство.

Сначала приведу схему силовой части.
Номиналы многих деталей можно менять в широких пределах, так же можно применять разные полевые транзисторы.
У меня получалось что надо получить напряжение с шунта одного канала до 250мВ в полном диапазоне регулировки тока.
Значит выходило 15/8=1.875 Ампера на канал. Соответственно номинал шунта для получения 250мВ составляет 0.25/1.875=0.133(3) Ома. Лучше когда номинал шунта чуть чуть меньше, но не больше, иначе не хватит напряжения регулировки (макс 250мВ).
Я решил не заморачиваться с шунтами и просто купил сотню точных резисторов номиналом 1.33 Ома 1%. При монтаже я использовал 10 штук параллельно, 2х5шт.

По схеме страссировал печатную плату, правда потом выяснилось что площадки для подключения силовых проводов немного мелковаты, лучше их увеличить.

При трассировке я старался делать силовую часть максимально симметричной в месте подключения земляного проводника и измерительного шунта.

После изготовил печатные платы, я сразу сделал 4 штуки на одной заготовке, описание процесса здесь.

Список примененных компонентов.
Резисторы:
1.33 Ома 1% — 80шт (1206)
22 Ома — 8шт (1206)
560 Ом — 4шт (0805)
6. 2 КОм — 8шт (1206)
22 КОм — 8 шт (1206)
3 МОм — 8шт (0805)

Конденсатор 220мкФ х 16Вольт 105 градусов. Samwha RD.
Операционный усилитель LM358 — 4шт (SO-8)
Регулируемый стабилитрон TL431 — 4шт (SOT23)
Полевые транзисторы — IRFP250 — 8шт

Платы спаяны. Как я писал, резисторы шунта смонтированы в два слоя по 5 штук в слое.

С обратной стороны присутствует только электролитический конденсатор. Так как платы устанавливаются вблизи элементов с большим выделением тепла, то лучше применять конденсаторы рассчитанные на работу при температуре до 105 градусов.

Так как транзисторы при работе активно выделяют тепло (сама суть электронной нагрузки это переводить все в тепло), то я приготовил пару радиаторов. Эти радиаторы у меня уже мелькали в некоторых обзорах, например в этом, теперь придется искать им замену.
С радиаторов были удалены транзисторы и почти раритетные микросхемы стабилизаторов.
После этого радиаторы были очищены при помощи ватки и спирта 🙂
В конце я немного укоротил их, это был один из самых сложных этапов. Радиаторы имели в высоту 88мм, а корпус имел высоту 84мм. Чтобы удобно было использовать вентиляторы размером 80мм я отрезал по 3мм с каждой стороны. Вот самое сложное и было отрезать эти 3мм в длину и постараться сделать это ровно 🙂

Длина радиаторов 100мм, высота ребра 25мм, тело 4.5мм, радиаторы черненые и имеют 9 ребер.

Разметил крепежные отверстия под вентиляторы, думаю из этого фото уже понятная планируемая конструкция силового модуля.

Разметил и нарезал кучу резьб. Я не стал разбираться где будет верх, где низ, а просто нарезал все симметрично, чтобы потом при сборке не задумываться об этом. Т.е. модуль можно ставить хоть вверх ногами, закрепиться получится в любом случае и крепежные отверстия будут на тех же местах. Для сверления и нарезания резьбы я давно пользуюсь небольшим шуруповертом, очень удобно.

Платы подготовлены к установке. На фото понятен принцип установки. Я долго думал, ставить платы параллельно или перпендикулярно к радиатору, но решил остановиться на параллельном варианте установки как на более компактном.


Радиаторы и все что будет устанавливаться на них, ну или почти все. планируются еще элементы термоконтроля и т.п…
Кстати насчет термоконтроля. Так как устройство выделяет много тепла, то в целях безопасности я установил на каждый радиатор по биметаллическому размыкателю. Температура уставки 90 градусов, ток контактов 10 Ампер, но так как один размыкатель обслуживает только половину общего тока, то думаю что при 7.5 Ампера они будут работать нормально.
Выводы у терморазмыкателей разные, к одному можно припаяться нормально, ко второму нет, для меня это было новостью. Но так получилось, что я случайно разместил их одинаково, потому одноименные контакты припаяны, для вторых я использовал клеммы, к которым уже припаивал провод. Будьте внимательны.

Первая примерка. Еще без термопасты, просто посмотреть как оно получается вместе.
При креплении транзисторов я использовал родные отверстия оставшиеся от предыдущих элементов. у меня получилось так, что каждый транзистор стоит примерно в центре своей четверти радиатора, при повторении лучше стремиться именно к такому расположению транзисторов.


Для соединения я взял кучку разных проводов. попались даже какие то аудиофилские, вроде как посеребренные, но при этом мне было удобно то, что они свиты из очень большой кучи тоненьких жилок и соответственно очень мягкие и имеют при этом сечение в 2.5мм.
Этот кабель я использовал для соединения земляной цепи.

При соединении я использовал принцип «звезда», т.е. все земляные провода сводятся в одну точку, расположенную так, чтобы сопротивление до каждой из плат было идентичным, это позволит равномерно распределить ток между модулями.

Модуль почти собран. Для разводки проводов я использовал отверстия оставшиеся от старых элементов.

В качестве нагнетающего вентилятора использован вентилятор фирмы Sunon EE80251S1-A99, вентилятор подбирался исходя из небольшой цены и большой производительности.

Вытяжной вентилятор фирмы Thermaltake, S0801512M, был в наличии и используется потому, что требовалась небольшая толщина. Корпус очень маленький, потому с местом проблемы.
В работе планирую использовать питание до 15 Вольт, но проверял и при 20, работали нормально.

Соединение земляных проводников располагается между радиаторами. Это далеко не самое лучшее решение, как и размещение каких либо проводов там вообще. Но вариантов у меня не было, в обход пускать провода было слишком далеко. Снизу или сверху нереально вообще. Буду рад предложениям по улучшению конструкции.
Верхняя и нижняя щель между радиаторами будет конечно закрыта, опять же, еще не решил чем, думаю пока просто заклеить парой слове скотча.

Силовой модуль собран, спаян, осталось только проверить 🙂

На всякий случай (вдруг кто то решится повторить) более детальное фото.

Ну и как же без проверки 🙂
В эксперименте я настроил нагрузку на ток в 5 Ампер и подал 40 Вольт (на самом деле 41).
Рассеиваемая мощность составила 204 Ватта. Больше давать пока не стал так как в эксперименте работал всего один вентилятор (тот что виден на фото, кажется что он стоит), который был включен от 8 Вольт и не были закрыты щели между радиаторами.
Управляющее напряжение я подавал с переменного резистора.
Получилось по 25 Ватт на каждый из транзисторов. Кстати, пускай вас не вводит в заблуждение указанная в даташите максимальная рассеиваемая мощность транзисторов. В линейном режиме лучше стараться не превышать 25-30% от заявленной так как может начаться выход из строя ячеек кристалла транзистора (полевые транзисторы как бы набраны из большого количества мелких).

Я считаю что данный этап проекта закончился успешно, планирую в ближайшем времени продолжить или вернее полностью закончить данное устройство. Описание этого процесса будет в одном из обзоров следующего месяца.

10 шт./лот Новый IRFP260NPBF IRFP260N к-247 IRFP260 Мощность mosfet ic реальные отзывы

Активные компоненты

Индивидуальное изготовление:ДаНапряжение питания:international standardПартномер:DW01 8205AМощность рассеивания:international standardБренд:FSXSEMIРабочая температура:international standardСостояние:НовоеТип:ICПрименение:international standard

Пол:УнисексМатериал:ТканьОсобенности:Мягкий,МузыкальныйПредупреждение:noФорма:ЖивотноеРазмеры:14cmУпаковка:НаборыБренд:sozzyВозрастной диапазон:0-12 месяцевРазмеры:14cmПартномер:110833-04-169

Пол:УнисексМатериал:ТканьФорма:КомиксОсобенности:МягкийУпаковка:НаборыБренд:sozzyПартномер:YYT121-YYT123Возрастной диапазон:< 3 лет

Пол:УнисексМатериал:ТканьБренд:sozzyОсобенности:МягкийФорма:КомиксУпаковка:НаборыПартномер:YYT121-YYT123Возрастной диапазон:< 3 лет

Пол:УнисексБренд:sozzyОсобенности:Мягкий,НаполненныйУпаковка:НаборыМатериал:ТканьРазмеры:16*10*3Форма:ЖивотноеПартномер:SZ001+SZ002Возрастной диапазон:13-24 месяцев,0-12 месяцев,< 3 летПредупреждение:don’t eat itРазмеры:rattle length:14cm Socks length:14cmPlace of Origin:Guangdong, China

Пол:УнисексВозрастной диапазон:0-12 месяцев,13-24 месяцевБренд:Huan qiu xin maoМатериал:ТканьОсобенности:МягкийУпаковка:НаборыРазмеры:14. 5-15cmФорма:ЖивотноеSupplies categories:SpotAQL sampling criteria:NoThere is no thread:NonProduct categories:Children.

Радиоуправляемые

Применение:Транспортные средства и Игрушки Дистанционного уПлитаДетали и аксессуары дистанционного управления:МоторыМатериал:Композитные материалыАтрибуты четырёхколёсного привода:МоторыДля типа транспорта:СамолётыПериферийные устройства дистанционного управления/приборы:МоторТехнические

Радиоуправляемые

Применение:Транспортные средства и Игрушки Дистанционного уПлитаДетали и аксессуары дистанционного управления:ПередатчикиДля типа транспорта:СамолётыТехнические параметры:Значение 10Партномер:h488Материал:ПластикПластик:АБСПоставка инструментов:PropellerПериферийные устройства дистанционного

Радиоуправляемые

Применение:Транспортные средства и Игрушки Дистанционного уПлитаОбновление деталей/аксессуары:АдаптерМатериал:НейлонДля типа транспорта:СамолётыДетали и аксессуары дистанционного управления:Соединители/ПроводкаПартномер:HY012-00503Поставка инструментов:Класс сборкиБренд:HobbyParkАтрибуты

Радиоуправляемые

Применение:Транспортные средства и Игрушки Дистанционного уПлитаПериферийные устройства дистанционного управления/приборы:ПриемникиАтрибуты четырёхколёсного привода:Корпус/Шасси/Крыло/Головная частьДетали и аксессуары дистанционного управления:ПередатчикиОбновление деталей/аксессуары:АдаптерДля

Irfp260n характеристики на русском

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Высказывания:
Необходимости концентрированного внимания всегда сопутствует непреодолимое желание отвлечься.

Основные параметры полевого n-канального транзистора IRFP260N

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора IRFP260N . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Тип канала: n-канал
Структура (технология):

Pd max, мВт Uds max, В Udg max, В Ugs max, В Id max, мА Tj max, °C Fr (T on/of) Ciss tip, пФ Rds, Ом
300000 200 20 49000 175 0,04

Производитель: International Rectifier
Сфера применения:
Популярность: 6134
Дополнительные параметры транзистора IRFP260N: Корпус: TO-247AC; Rth: 0,5°C; Qg: 156нКл; Qgd: 73,3нКл;
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора IRFP260N

Общий вид транзистора IRFP260N. Цоколевка транзистора IRFP260N.

Обозначение контактов:
Международное: G — затвор, D — сток, S — исток.
Российское: З — затвор, С — сток, И — исток.

Дата создания страницы: 2016-03-21 11:31:45; Пользователь: .

Коллективный разум. Дополнения для транзистора IRFP260N.

Дополнение: Ток максимальный 50А
Дата добавления: 2016-06-08 07:43:47; Пользователь: .


Комментарий к рисунку: Цоколевка транзистора IRFP260N
Дата добавления: 2016-06-08 07:41:37; Пользователь: Без имени.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

IRFP260N MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRFP260N

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 49 A

Общий заряд затвора (Qg): 156 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO247AC

IRFP260N Datasheet (PDF)

1.1. irfp260npbf.pdf Size:180K _upd-mosfet

PD — 95010A IRFP260NPbF HEXFET® Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Dynamic dv/dt Rating VDSS = 200V l 175°C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) = 0.04Ω l Fully Avalanche Rated G l Ease of Paralleling >1. 2. irfp260n.pdf Size:122K _international_rectifier

PD — 94004A IRFP260N HEXFET� Power MOSFET Advanced Process Technology D VDSS = 200V Dynamic dv/dt Rating 175�C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.04? G Fully Avalanche Rated Ease of Paralleling >

3.1. irfp260pbf.pdf Size:1340K _upd-mosfet

PD- 95915 IRFP260PbF • Lead-Free 9/27/04 Document Number: 91215 www.vishay.com 1 IRFP260PbF Document Number: 91215 www.vishay.com 2 IRFP260PbF Document Number: 91215 www.vishay.com 3 IRFP260PbF Document Number: 91215 www.vishay.com 4 IRFP260PbF Document Number: 91215 www.vishay.com 5 IRFP260PbF Document Number: 91215 www.vishay.com 6 IRFP260PbF Peak Diode Recovery

3.2. irfp260mpbf.pdf Size:634K _upd-mosfet

PD — 96293 IRFP260MPbF HEXFET® Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Dynamic dv/dt Rating VDSS = 200V l 175°C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) = 0.04Ω l Fully Avalanche Rated G l Ease of Paralleling >

3. 3. irfp260pbf.pdf Size:1340K _international_rectifier

PD- 95915 IRFP260PbF � Lead-Free 9/27/04 Document Number: 91215 www.vishay.com 1 IRFP260PbF Document Number: 91215 www.vishay.com 2 IRFP260PbF Document Number: 91215 www.vishay.com 3 IRFP260PbF Document Number: 91215 www.vishay.com 4 IRFP260PbF Document Number: 91215 www.vishay.com 5 IRFP260PbF Document Number: 91215 www.vishay.com 6 IRFP260PbF Peak Diode Recovery dv/dt

3.4. irfp260.pdf Size:168K _international_rectifier

IRFP260, SiHFP260 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY � Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 200 Available � Repetitive Avalanche Rated RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.055 RoHS* � Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 230 COMPLIANT � Fast Switching Qgs (nC) 42 � Ease of Paralleling Qgd (nC) 110 � Simple Drive Requirements Configuration Single � Compliant to RoHS Dire

Регулятор мощности постоянного тока – Электропортал

Регулятор предназначен для регулировки мощности нагрузки, питающейся постоянным током напряжением от 10 до 75V, потребляя максимальный ток не более 150А. Это может быть прожектор, питающийся от автомобильной бортовой сети, электродвигатель постоянного тока или другая нагрузка.

Регулятор построен на основе принципа широтно-импульсной модуляции. Он состоит из мультивибратора с регулировкой скважности импульсов, буферного и выходного каскадов.

Мультивибратор выполнен на элементах D1.1 и D1.2, он представляет собой мультивибратор с регулируемой скважностью импульсов на его выходе. Частота импульсов равна 100 Гц (но это не точно, так как частота задана RC-цепью). Скважность импульсов регулируется в очень широких пределах. Примерно в среднем положении переменного резистора R1 на выходе будут почти симметричные прямоугольные импульсы. В таком положении мощность, отдаваемая в нагрузку будет средней, так как так как полевой транзистор VT1 в течение контрольного участка времени будет равное количество времени открыт и закрыт. Поворот рукоятки переменного резистора в ту или другую сторону приводит к изменению соотношения продолжительности открытого и закрытого состояния транзистора, соответственно, если открытое состояние дольше, то и мощность в нагрузке больше, а наоборот, при более длительном закрытом состоянии отдаваемая в нагрузку мощность уменьшается.

Нагрузка коммутируется мощным полевым транзистором IRFP260N, который, как и многие другие мощные ключевые полевые транзисторы обладает весьма большой емкость затвора. Сопротивление затвора постоянному току практически бесконечно, и можно предположить что управляющий ток может быть минимальным. На самом деле, затвор обладает значительной емкостью и в момент резкого изменения напряжения на затворе это очень существенно проявляется, так как ток зарядки и разрядки затвора весьма существенен. В устройствах, в которых включение / выключение нагрузки происходит не часто можно включить в цепь затвора токоограничительный резистор, но в импульсных схемах это неприемлемо, так как происходит сглаживание импульсов и замедление открывания и закрывания транзистора. Поэтому здесь увеличена мощность выхода мультивибратора путем создания буферного каскада из четырех инверторов микросхемы К561ЛН2 (D1.3-D1.6).

Питается микросхема от параметрического стабилизатора VD3-R3-R4. Если предполагается работать с напряжением не более 20-25V можно КС512 заменить менее мощным стабилитроном, например, Д814Д, а вместе резисторов R3 и R4 поставить один резистор сопротивлением 1-2 кОм мощностью 0,125W.
Транзистор IRFP260N можно заменить на IRFP2907 (при этом выходной ток может быть до 200А), IRFP150N, IRFP3710.
Диоды 1N4148 можно заменить на КД522, КД521.
Стабилитрон КС512 можно заменить любым стабилитроном на 10-15V средней или большой мощности, например, Д815.
 

Алиханов Р Р

Техническое описание

IRFP260N – Одноканальный силовой полевой МОП-транзистор с N-канальным полевым транзистором на 200 В в TO-247AC

10DL2C48A : Высокоэффективный диодный стек (hed) кремниевого эпитаксиального типа.

2SB1027 : Кремниевый PNP эпитаксиальный. Приложение Элемент Напряжение от коллектора к базе Напряжение от коллектора к эмиттеру Напряжение от эмиттера к базе Коллекторный ток Пиковый ток коллектора Рассеиваемая мощность коллектора Температура перехода Температура хранения Символ VCBO VCEO VEBO IC iC (пиковая) * * Tj Tstg Примечания: PW 10 мс, рабочий цикл 20% 2 .Значение на глиноземно-керамической плите мм) Позиция Коллектор до поломки основания.

2SK2647-01MR : N-канальный MOSFET.

2SK3430-Z : Импульсный N-канальный силовой полевой МОП-транзистор для промышленного использования. 2SK3430 – это N-канальный МОП-полевой транзистор, предназначенный для коммутации больших токов. Сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии: 7,3 м МАКС. (VGS 15 м MAX. (VGS = 40 A) Встроенный защитный диод затвора Сток к напряжению источника От затвора к напряжению источника Ток утечки (DC) Ток стока (импульс) Общая рассеиваемая мощность (TC = 25C) Общая рассеиваемая мощность.

95SQ015 : от 5 до 100 ампер. Дискретный диод Шоттки 15В 9А в корпусе DO-204AR. IF (AV) Прямоугольная форма волны VRRM IFSM 5 с синусоидальная @ 9 Apk, = 75 ° C, диапазон C Осевой выпрямитель Шоттки 95SQ015 был оптимизирован для сверхнизкого прямого падения напряжения специально для подключения параллельных источников питания. Запатентованная барьерная технология обеспечивает надежную работу при температуре перехода 100 ° C. Типичные приложения работают параллельно.

CV7775-O : Доступны варианты досмотра = ;; Полярность = NPN ;; Пакет = TO39 (TO205AD) ;; Vceo = 40V ;; IC (продолжение) = 1A ;; HFE (мин) = 20 ;; HFE (макс.) = 60 ;; @ Vce / ic = 10 В / 150 мА ;; FT = – ;; PD = 5Вт.

DCR1475SV : 2805a Тиристор с дисковым управлением фазой, 2800 В. КЛЮЧЕВЫЕ ПАРАМЕТРЫ VDRM IT (AV) ITSM dVdt * dI / dt 1000 В / с 300 А / с Для получения дополнительной информации см. Детали пакета. Рис. 1 Схема корпуса Номер детали Повторяющиеся пиковые напряжения VDRM VRRM DCR1475SV30 3000 Tvj до 125C. IDRM = IRRM = 250 мА. VDRM, VRRM 10 мс 1/2 синус. VDSM и VRSM = VDRM и VRRM + 100 В соответственно. Условия При заказе выберите необходимую деталь.

HN3G01J : N-канальный переходной кремниевый NPN-транзистор эпитаксиального типа.

SBR60150 : Выпрямитель Шоттки, упаковка: DO-5.

SPP80N06S2-07 : например, OptiMOS®. Характеристика Режим улучшения 175 ° C рабочая температура Номинальный dv / dt Максимальные номинальные характеристики, = 25 ° C, если не указано иное Символ SPI80N06S2-07 SPP80N06S2-07, SPB80N06S2-07 Тепловые характеристики Параметр Характеристики Тепловое сопротивление, переход – корпус Тепловое сопротивление, переход – окружающая среда, Версия с выводами SMD, устройство на плате: электрическое.

TP2535 : MOSFET режима расширения (включает MOSFET с низким порогом).TP2535 TP2540 Вертикальные полевые транзисторы DMOS с низким порогом в режиме расширения P-канала BVDSS / BVDGS -350V -400V RDS (ON) (макс.) 25 VGS (th) (max) -2,4V ID (ON) (min) -0,4A Номер для заказа / Упаковка TO-243AA * TP2540N8 Die TP2540ND Продукт поставляется на барабанах с несущей лентой по 2000 штук. Доступен визуальный контроль MIL. Нижний порог -2,4 В макс. Высокое входное сопротивление Низкая входная емкость.

CDLL5955B : 1,5 Вт, КРЕМНИЙ, ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ, DO-213AB. s: Тип диода: ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ.

FA0h204Z : КОНДЕНСАТОР, ДВОЙНОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СЛОЙ, 5,5 В, 100000 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; Технология: ДВОЙНОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СЛОЙ; Приложения: общего назначения; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 100000 мкФ; Допуск емкости: 80 (+/-%); WVDC: 5,5 вольт; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая Температура:.

NE650R479A-T1-A : S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MESFET. s: Полярность: N-канал; Тип корпуса: 79A, 4 PIN; Количество блоков в ИС: 1.

PA0801 : ВЧ ТРАНСФОРМАТОР 0,2 МГц – 0,7 МГц. s: Категория: Сигнал; Другие типы трансформаторов / применение: RF; Монтаж: чип-трансформатор; Рабочая температура: от -40 до 125 C (от -40 до 257 F).

RSD100N10TL : 10 А, 100 В, 0,147 Ом, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канал; Режим работы MOSFET: Улучшение; V (BR) DSS: 100 вольт; rDS (вкл. ): 0,1470 Ом; Тип корпуса: CPT3, SC-63, 3 PIN; Количество блоков в ИС: 1.

WF08P1000FT : РЕЗИСТОР, 0.25 Вт, 1%, 100 Ом, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0805. s: Категория / Применение: Общее использование; Монтаж / Упаковка: Технология поверхностного монтажа (SMT / SMD), 0805, CHIP; Диапазон сопротивления: 100 Ом; Допуск: 1 +/-%; Номинальная мощность: 0,2500 Вт (3,35E-4 л.с.); Рабочее напряжение постоянного тока: 150 вольт; Рабочая температура: от -55 до 155 C (от -67 до 311 F).

334SML050M : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕ ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 50 В, 0,33 мкФ, ПОВЕРХНОСТНОЕ КРЕПЛЕНИЕ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Чип-конденсатор; Соответствие RoHS: Да; : Поляризованный; Диапазон емкости: 0.3300 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 50 вольт; Ток утечки: 3 мкА; СОЭ: 703340 миллиом; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа.

933932320215 : 500 мА, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: NPN; Тип упаковки: пластик, SST3, SMD, 3 контакта.

2шт IRFP260 IRFP260N TO-247 200V 50A N Channel Power MOSFET Fast Switching: Amazon.com: Industrial & Scientific


  • Убедитесь, что это подходит введя номер вашей модели.
  • 2шт IRFP260N TO-247 200V 50A N Channel Power MOSFET быстрое переключение
  • (Vdss = 200 В, Rds (вкл.) = 0,04 Ом, Id = 50 А)
  • Соответствие RoHS: Да
  • в упаковке 2 шт.
  • Новое и оригинальное, гарантированное качество, возврат денег без проблем, если вы не удовлетворены на 100%!
]]>
Характеристики данного продукта
Фирменное наименование Jekewin
Количество позиций 1
Номер детали IRFP260N
Код UNSPSC 60101700

IRFP260N МОП-транзистор, сквозное отверстие, 4057 пф при 25 В,

IRFP260N МОП-транзистор, сквозное отверстие, 4057 пф при 25 В, | ID: 21429579591

Спецификация продукта

9010 Стандартный
Тип монтажа Сквозное отверстие
Типовая входная емкость Vds 4057pF при 25 В
FET Тип MOSFET N- 9010 Канал
Напряжение от стока к источнику 200 В
Постоянный ток отвода 50 A
Rds On 40 мОм
Vgs 9010 В при 9010 В при макс. 250 мкА
Заряд затвора 234 нКл при 10 В
Макс.мощность 300 Вт

Заинтересовал этот товар? Получите последнюю цену у продавца

Связаться с продавцом

Изображение продукта


О компании

Год основания 2013

Юридический статус Фирмы Физическое лицо – Собственник

Характер бизнеса Производитель

Количество сотрудников До 10 человек

Годовой оборот R.50 лакх – 1 крор

Участник IndiaMART с марта 2018 г.

GST33AZIPB1087F1ZR

Код импорта и экспорта (IEC) AZIPB *****

Экспорт в Тринидад и Тобаго

Видео компании

Вернуться к началу 1

Есть потребность?
Получите лучшую цену

1

Есть потребность?
Получите лучшую цену

Как прочитать техническое описание силового полевого МОП-транзистора

Одна из моих любимых неприятностей – когда мои коллеги-инженеры неверно истолковывают спецификации компонентов. В последнее время это происходило несколько раз в отдельных случаях, и все они были связаны с силовыми полевыми МОП-транзисторами. Так что пора мне заняться своей мыльницей. Послушай!

Я собирался опубликовать статью о том, как вообще читать таблицы компонентов. Но МОП-транзисторы – хорошее место для начала, и они немного более конкретны. Я не первый, кто пишет что-то о том, как читать таблицы данных; вот еще несколько хороших статей:

Что такое лист данных?

Это может показаться глупым вопросом, но что такое таблица данных? Это документ, описывающий поведение, внешний вид, производительность и ограничения компонента, заявленные производителем.

Хорошо, что это значит?

Ну, вы действительно должны прочитать мелкий шрифт. Информация в техническом описании – например, что IRFP260N R DS (on) имеет максимум 0,04 Ом при V GS = 10 В, I D = 28A при температуре перехода 25 ° C, – утверждение , утверждение . Это , а не гарантия или гарантия , если производитель не говорит об этом, и для такого рода вещей (a) вы должны прочитать мелкий шрифт, и (b) Я не юрист, поэтому не принимайте мои советы как евангелие, ищите своего собственного юриста.У каждого производителя полупроводников есть свой мелкий шрифт, например, вот выдержки из некоторых из них:

Фэирчайлд:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ОСТАВЛЯЕТ ЗА ПРАВО ВНЕСЕНИЯ ИЗМЕНЕНИЙ БЕЗ ДАЛЬНЕЙШЕГО УВЕДОМЛЕНИЯ В ЛЮБЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ УЛУЧШЕНИЯ ЗДЕСЬ НАДЕЖНОСТЬ, ФУНКЦИЯ ИЛИ ДИЗАЙН. FAIRCHILD НЕ НЕСЕТ НИКАКОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТИ, ВОЗНИКАЮЩЕЙ ИЗ ПРИЛОЖЕНИЯ ИЛИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ЛЮБОГО ИЗДЕЛИЕ ИЛИ ЦЕПЬ, ОПИСАННЫЕ ЗДЕСЬ; ОН НЕ ПРЕДОСТАВЛЯЕТ НИКАКИХ ЛИЦЕНЗИЙ НА СВОИ ПАТЕНТНЫЕ ПРАВА, ИЛИ ИНЫЕ ПРАВА.ДАННЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ НЕ РАСШИРЯЮТ СРОКИ И УСЛОВИЯ FAIRCHILD ДЛЯ ВСЕМИРНЫХ УСЛОВИЙ, В частности, ГАРАНТИЮ. ТАМ, КОТОРЫЕ РАСПРОСТРАНЯЮТСЯ ДАННЫМИ ПРОДУКТАМИ.

NXP:

Общие сведения – Информация в этом документе считается точной и надежный. Однако NXP Semiconductors не делает никаких заявлений или гарантии, явные или подразумеваемые, в отношении точности или полноты таких информации и не несет ответственности за последствия использования такой Информация.

Вишай:

Vishay снимает с себя всякую ответственность, возникающую в связи с использованием или применением любого продукта, описанного здесь, или любого информация, предоставленная здесь, в максимальной степени, разрешенной законом. Технические характеристики продукта не расширяются и не иным образом изменять условия покупки Vishay, включая, помимо прочего, выраженную гарантию в них, которые относятся к этим продуктам.

TI:

TI гарантирует производительность своих компонентов в соответствии со спецификациями, действующими на момент продажи, в соответствии с гарантией, изложенной в условиях продажи полупроводниковой продукции TI. Испытания и другие методы контроля качества используются в той степени, в которой TI считает необходимым для поддержки данной гарантии. За исключением случаев, предусмотренных действующим законодательством, тестирование всех параметров каждого компонента не обязательно выполняется

Микрочип:

Информация об устройстве, содержащаяся в данной публикации. приложения и тому подобное предоставляется только для вашего удобства и могут быть заменены обновлениями. Вы обязаны убедитесь, что ваше приложение соответствует вашим спецификациям.МИКРОЧИП НЕ ДАЕТ НИКАКИХ ПРЕДСТАВЛЕНИЙ ИЛИ ЛЮБЫЕ ГАРАНТИИ, ЯВНЫЕ ИЛИ ЯВНЫЕ ПОДРАЗУМЕВАЕМЫЕ, ПИСЬМЕННЫЕ ИЛИ УСТНЫЕ, ЗАКОННЫЕ ИЛИ В противном случае, ОТНОСИТЕЛЬНО ИНФОРМАЦИИ, ВКЛЮЧАЯ, НО НЕ ОГРАНИЧИВАЯСЬ ​​ЕГО СОСТОЯНИЕМ, КАЧЕСТВО, РАБОЧИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, ТОВАРНАЯ ЦЕННОСТЬ ИЛИ ПРИГОДНОСТЬ ДЛЯ ЦЕЛЕЙ.

И в технических паспортах IR ничего не сказано, кроме «Данные и спецификации могут быть изменены без предварительного уведомления».

Так что же делать инженеру? Лучшее, что я могу понять в этом – и опять же, я , а не юрист – это то, что таблица данных по сути является уверенным утверждением информации об устройстве, но без каких-либо юридических гарантий, подтверждающих ее, по крайней мере, не на основе таблицы данных. .

Например, IR уверен, что если вы поднимете напряжение затвора на 10 В выше напряжения истока IRFP260N и позволите току 28 А от стока к истоку при температуре перехода 25 ° C, то сопротивление в открытом состоянии будет не более 0,04 Ом. На практике это означает, что производитель проводит характеристики и испытания, иногда для каждого компонента, который он производит, иногда нет. Это дает им гистограммы рабочих характеристик устройств, которые они производят.Если они проверяют каждое устройство и находят одно, превышающее установленные ограничения, от него отказываются. У производителя достаточно информации, поэтому со статистической точки зрения вероятность того, что устройство будет иметь характеристики, превышающие спецификации, указанные в таблице данных, очень мала. Они не скажут вам эту вероятность. Но он маленький; возможно, одно из миллиарда устройств может превышать спецификации.

Если вам нужна юридическая гарантия, она должна быть частью условий продажи, когда вы покупаете детали у производителя.Если вы крупная компания и покупаете детали на миллионы долларов у производителя полупроводников, возможно, вам удастся договориться о гарантии. Остальным из нас (а чаще всего мы даже не покупаем напрямую у производителя; мы покупаем у дистрибьюторов) просто нужно доверять производителям. Фуи.

С другой стороны, производители полупроводников или хотят отстаивать свой фирменный стиль, поэтому, если вы обнаружите деталь, не отвечающую его спецификациям, они захотят узнать, чтобы выяснить, почему, и убедиться в этом. больше не повторится.Но есть вероятность, что вы не соблюдали все правила, указанные в таблице; возможно, вы перегрели устройство или поразили его электростатическим разрядом. И в этом случае все ставки отключены – как только вы превысите рейтинг, нет никакой гарантии, что устройство будет работать. Я готов поспорить, что вы обедаете в любой день недели, что деталь соответствует спецификациям в техническом описании.

Ладно, хватит юридической чуши. Помните, я не юрист.

Несколько примеров

Просто для чего-то более осязаемого, давайте взглянем на несколько таблиц данных MOSFET.Все это N-канальные устройства:

  • IRFP260N (200 В 40 мОм TO-247AC), International Rectifier (теперь часть Infineon)
  • FQA70N15 (150 В 28 мОм TO-3PN), Fairchild Semiconductor
  • SUP85N15 (150 В 21 мОм TO-220AB), Vishay Siliconix
  • PSMN035-150P (150 В 35 мОм TO-220AB), NXP
  • MCP87130 (25 В 13,5 мОм 5×6-PDFN), Microchip Technology
  • CSD18542KCS (60 В 3,3 мΩ TO-220), Texas Instruments

Первые три из этих документов следуют «классическому» формату таблицы данных MOSFET, который компания International Rectifier представила в 1980-х годах в своей линейке устройств HEXFET.Техническое описание IR MOSFET представляет собой 8-страничный документ, который описывает почти с литургической регулярностью всю информацию, которую производитель хочет, чтобы вы знали о конкретном устройстве.

Пирог Jesu Domine
R dson – семь Ом ….

Таблица данных MOSFET от IR содержит эти разделы в следующем порядке:

  1. Общее описание, включая напряжение, сопротивление в открытом состоянии, номинальные токи и информацию об упаковке
  2. Таблица абсолютных максимальных оценок
  3. Таблица параметров термического сопротивления
  4. Таблица электрических характеристик
  5. Рисунки, в том числе
    • Графики типовых характеристик
    • Схемы испытательных цепей
  6. Информация о пакете

Большинство производителей MOSFET следовали этой организации.Таблица данных на 8 страниц – это неплохо, потому что, если у вас есть любимые компоненты, вы можете распечатать их как двухсторонние двусторонние документы на двух страницах бумаги и поместить их в папку с тремя кольцами. Зовите меня олдскулом, но мне легче читать таблицу на бумаге, чем на экране компьютера.

Затем Philips Semiconductor (ныне NXP) нарушил условность и сделал свое дело. То же самое и в таблицах данных NXP, но в другом порядке, и поэтому их не так легко сравнивать бок о бок, если вы пытаетесь выбрать полевой МОП-транзистор.Фуей на них.

Спецификация игры

Хорошо, теперь пора сыграть в Спецификационную игру.

В таблице данных есть несколько типов информации. Некоторые из них не связаны со спецификациями производительности, поэтому мы не будем о них здесь говорить:

  • Информация о нумерации деталей : например, суффикс TR в номере детали может указывать на ленту и катушку, а суффикс Q может означать квалификацию для автомобилей.
  • информация о пакете : например, это пакет TO-247AC, отмеченный определенным образом.
  • поведенческие характеристики : Микроконтроллеры полны этих характеристик; например, адреса 0x4000 и 0x4002 содержат 16-битные регистры TMRFOO и TMRBAZ , которые определяют периоды таймеров FOO и BAZ. Таблицы данных MOSFET не содержат таких спецификаций; вместо этого MOSFET – это абстрактное понятие, которое имеет определенные общие особенности. Производители стараются поддерживать такое поведение и часто публикуют о них отдельные заметки по применению.Например:
    • IR AN1084 Power MOSFET Basics
    • IR AN936 Что можно и чего нельзя делать при использовании МОП-транзисторов
    • IR AN937 Характеристики привода затвора и требования для силовых полевых МОП-транзисторов HEXFET®
    • IR AN941 МОП-транзисторы параллельной мощности
    • IR AN944 Использование заряда затвора для разработки схемы управления затвором для силовых MOSFET и IGBT
    • IR AN947 Общие сведения о коммутационных характеристиках HEXFET®
    • IR AN949 Текущие рейтинги силовых полупроводников и теплового оборудования
    • IR AN957 Измерение характеристик полевого МОП-транзистора HEXFET®
    • IR AN976 Понимание и использование данных о надежности силовых MOSFET
    • IR AN1005 Power MOSFET Руководство по проектированию лавинных полевых транзисторов
    • IR AN1012 Рекомендации по установке для Power Semiconductor Packages International Rectifier
    • Моделирование системы
    • IR AN1040 с использованием квазидинамической модели полевого МОП-транзистора
    • Fairchild AN558 Введение в силовые полевые МОП-транзисторы и их приложения
  • информация о приложении : Таблицы данных National Semiconductor содержат, вероятно, лучшие примеры информации о приложениях – небольшие фрагменты образцов схем для операционных усилителей и регуляторов напряжения. Посмотрите на стр. 15-23 таблицы данных LM358, например. В таблицах данных MOSFET их нет.
  • правовая информация
  • контактная информация (адрес производителя / телефон / сайт производителя)
  • маркетинговый мусор ( ”HEXFET пятого поколения от International Rectifier используют передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления на площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства, которыми хорошо известны силовые полевые МОП-транзисторы HEXFET. for, предоставляет разработчикам чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в самых разных приложениях.”)

Остальные биты информации попадают в одну из четырех категорий. Я покажу пример каждого из них из таблицы данных IRFP260N:

  • маркетинговое резюме
  • абсолютный максимум оценок
  • технические характеристики
  • графики характеристик

Добро пожаловать в игру по спецификациям! Сначала вы увидите маркетинговую сводку. Маркетинговая сводка – это то, что отображается в верхней части таблицы.Он содержит несколько ключевых выдержек из подробных спецификаций, упомянутых ниже. Не доверяйте всему перечисленному здесь , если вы не сможете проверить это в более поздних спецификациях.

Это неофициальные заявления. Это спецификации , а не , потому что здесь недостаточно информации, чтобы сказать, что они говорят. Например, «V DSS = 200 В» означает, что напряжение пробоя сток-исток составляет минимум 200 В при заданном токе и температуре, но вы не найдете этих подробностей, если не посмотрите в спецификации. .Некоторые производители указывают типовые значения, некоторые – минимальные или максимальные.

В следующем разделе рассматриваются абсолютные максимальные характеристики устройства.

Это таблица, в которой указано, чего нельзя делать, если вы ожидаете, что устройство будет работать. Если вы превысите любое из этих значений в любое время, Game Over. В этом случае производитель не дает никаких гарантий относительно поведения устройства в любое время после превышения абсолютных максимальных значений. МОП-транзистор может быть поврежден.Это может сработать. Это может работать с пониженной производительностью. Он может стать зеленым или начать танцевать, шепча «Бутон розы!», Хотя это маловероятно. Вы просто не знаете. В случае IRFP260N имеется 13 позиций. Я рассмотрю их более подробно позже в этой статье.

Итак, чтобы играть в игру со спецификациями, вы должны быть готовы удостовериться, что максимальные рейтинги никогда не превышаются. НИКОГДА.

И даже в этом случае могут возникнуть обстоятельства, при которых устройство не будет соответствовать остальным характеристикам: например, воздействие радиации, химических веществ, электростатического разряда или избыточной влажности.

Следующий раздел – самый важный – таблица или таблицы спецификаций.

Таблицы спецификаций

содержат три важных элемента:

  • описание (символ и имя) параметра
  • числовая спецификация, включая единицы
  • условия, при которых спецификация действительна.

Описание сообщает вам, что это за параметр, и если вы что-то знаете о полевых МОП-транзисторах, они имеют более или менее стандартные значения.

Числовая спецификация говорит вам об одном из трех. Если это минимум или максимум, это заявленный предел, и если вы доверяете производителю (в большинстве случаев вы должны доверять) и оставались в пределах всех абсолютных максимальных оценок, тогда вы можете ожидать, что поведение вашего устройства будет выше или ниже указанный предел. Большой!

Если числовая спецификация представляет собой типичное значение , равное , на самом деле это мало что вам скажет, это просто нечеткое число, которое производитель предлагает использовать в некоторых случаях, потому что вы не получите ничего лучшего.(Извините.) В некоторых случаях это среднее значение из характеристических данных, но производители редко говорят об этом. Значения, отмеченные как «типовые», не представляют собой пределов, и для любого конкретного устройства значения могут отличаться от типичных. Например, посмотрите на значения индуктивности стока и истока, которые обычно составляют 5,0 нГн и 13 нГн. Если вы хотите сделать некоторые приблизительные оценки поведения устройства, используйте эти значения. Если вам приходится зависеть от индуктивности стока и источника, не повезло – вам придется как-то измерить эти значения самостоятельно; одно устройство может иметь индуктивность стока 2 нГн, а другое – 11 нГн.Мы просто не знаем. Если у вас хорошие отношения с производителем (то есть вы покупаете или планируете покупать много их продуктов), то, возможно, вы сможете убедить их предоставить вам копию некоторых данных о характеристиках, которые у них есть … возможно, они протестировали 50 устройств и среднее значение индуктивности стока составляло 5,0 нГн, а для всех устройств – от 4,5 до 5,5 нГн. Мы не знаем, и производитель решил не делать никаких заявлений о минимальной или максимальной индуктивности. Скорее всего, это просто потому, что тестировать на каждом устройстве слишком дорого.

Последняя важная вещь в спецификации – это набор условий, при которых эта спецификация действительна. Это требования для числовой спецификации. Например, предел 0,04 Ом для R DS (on) не гарантируется , если вы не соответствуете условиям спецификации: температура перехода T J должна быть 25 ° C (это типично для большинства спецификаций) напряжение затвор-исток должно быть 10 В, а ток стока – 28 А. Если провести в устройство 29А, все ставки отключены; то же самое, если температура перехода составляет 30 ° C или если напряжение затвор-исток равно 9.5В. Во всех трех случаях сопротивление при включении будет выше.

Наконец, техническое описание включает раздел, полный хороших графиков характеристик:

Они показывают всевозможную полезную информацию, но вам нужно помнить, что, если не указано иное, это всегда ТИПИЧНЫЙ . Они действительно, , а не , представляют собой какую-либо спецификацию. Вы можете использовать их только для изучения общего качественного поведения. Если вам нужно что-то окончательное, вы, , не можете на них полагаться, .Они могут представлять собой среднее значение для большого количества образцов устройств. Они могут представлять собой измерения только одного конкретного образца , того, который инженер-испытатель Боб случайно имел на своем столе в тот день, когда его начальник сказал, что им нужны характеристические данные для таблицы данных.

Спасибо за игру в спецификацию! Помните, что маркетинговые сводки не имеют значения, типовые спецификации не имеют значения, диаграммы характеристик не имеют значения … имеют значение только минимальные и максимальные характеристики, если вы выполняете все условия и не превышаете абсолютные максимальные рейтинги.

Практическое применение таблиц данных

Ух ты. Звучит цинично. Я не могу доверять половине того, что в таблице данных? Действительно?!

Уловка состоит в том, чтобы узнать, когда следует полагаться на информацию в таблице данных и как ее использовать для каких целей. По сути, , если число не является частью минимальной или максимальной спецификации , вы не можете использовать его, не выполнив собственную независимую проверку.

Например, возьмите нормированный график зависимости сопротивления во включенном состоянии от температуры.

Вот странная вещь. Вы знаете, что мы таскали с собой номер R DS (вкл.) , 0,04 Ом? Это максимальная спецификация в таблице данных. Но у него температура перехода 25 ° C. И почти никто не использует полевой МОП-транзистор с температурой перехода 25 ° C. Возможно, вы используете его при комнатной температуре, но устройство будет нагреваться, и обычно температура перехода выше 25 ° C. Допустим, я знаю, что это температура перехода 100 ° C. Я использую цифру 4, чтобы решить, что при 100 ° C сопротивление в открытом состоянии будет множителем 1.В 8 раз больше или 0,072 Ом. Вероятно, это верно … но если мне нужно на это полагаться, мне нужно провести собственные измерения, чтобы подтвердить это.

Иногда на собственном опыте вы узнаете, какие параметры устройства сильно различаются от детали к детали, а какие из них имеют тенденцию плотно сгруппироваться вокруг среднего значения. Это не то, что будет указано в таблице данных; чтобы сделать такие выводы, вам нужно будет прочитать заявления производителей, связаться с их отделом приложений или провести собственные тесты.

Важная информация: характеристики полевого МОП-транзистора, которые необходимо знать

В таблицах абсолютных максимумов и спецификаций много цифр. Вот те, которые вы должны знать в первую очередь на самом деле .

  • Диапазон рабочих температур спая и хранения . Это самый важный пункт в списке абсолютного максимума рейтинга. С большинством других предметов вы никогда не столкнетесь. Для IRFP260N это от -55 до +175 ° C. Если вы не работаете с аэрокосмическими проблемами, вам, вероятно, не придется беспокоиться о пределе -55 ° C.Остается +175 ° C. Большинство полевых МОП-транзисторов рассчитаны на максимальную температуру перехода + 150 ° C или + 175 ° C. Сделайте свой тепловой расчет правильно и оставьте некоторый запас, и вы можете убедиться, что вы соответствуете этому требованию.
  • Термическое сопротивление переход-корпус R θJC . Тепловое сопротивление 0,50 ° C / Вт означает, что на каждый ватт мощности, рассеиваемой в переходе, температура перехода повышается на 0,5 ° C по сравнению с температурой корпуса. Другими словами, \ (T_J = T_C + R _ {\ theta JC} P_J \), где \ (P_J \) – мощность, рассеиваемая в переходе.
  • Напряжение пробоя сток-исток . МОП-транзистор может использоваться управляемым образом ниже напряжения пробоя. В этой спецификации сказано, что до тех пор, пока я поддерживаю напряжение между стоком и истоком ниже 200 В, ток стока не будет превышать 250 мкА. Как только я поднимаюсь выше 200 В, все ставки прекращаются. На практике, поскольку полевые МОП-транзисторы используются в качестве динамических переключателей, мы обычно не используем полевые МОП-транзисторы на 200 В до его полного номинального напряжения; вместо этого мы используем какое-то снижение номинальных характеристик, чтобы убедиться, что индуктивные выбросы во время переходных процессов не превышают напряжение пробоя. Снижение номинальных характеристик в диапазоне 60–70% кажется нормой; если бы я хотел использовать систему с постоянным напряжением до 48 В, я бы использовал полевые МОП-транзисторы с номинальным напряжением пробоя не менее 75 В. МОП-транзистор на 60 В не имеет достаточного конструктивного запаса для обработки индуктивных всплесков от источника 48 В.
  • Статическое сопротивление сток-источник в открытом состоянии R DS (вкл.) . Обычно это наиболее важная характеристика производительности. В конце концов, вы используете устройство в качестве переключателя и хотите убедиться, что падение напряжения на переключателе является приемлемым при заданном уровне тока.Помните, что напряжение затвор-исток V GS и ток стока являются условиями спецификации. Большинство «обычных» силовых полевых МОП-транзисторов имеют напряжение 10 В GS ; некоторые полевые МОП-транзисторы с логическим уровнем рассчитаны на напряжение 4,5 В или 5 В GS ; иногда вы можете встретить низковольтные полевые МОП-транзисторы, указанные в диапазоне 1,8–3,3 В GS . Если вы используете полевой МОП-транзистор в качестве переключателя и не можете соответствовать требованиям по сопротивлению во включенном состоянии, не используйте его !!! Это означает, что если у вас есть выход логического уровня из 3.В системе с напряжением 3 В вы должны НЕ использовать полевые МОП-транзисторы, рассчитанные на 4,5 В. Напряжения недостаточно, чтобы гарантировать полное включение. Не забывайте, что использование логики «5 В» не означает, что высокое выходное напряжение будет 5 В. Вот почему полевые МОП-транзисторы с логическим уровнем обычно указываются при напряжении 4,5 В gs , чтобы вы могли убедиться, что высокий выходной уровень превышает этот порог. Я видел эту ошибку снова и снова. Если вы не можете выполнить требования спецификации V gs , сопротивление сток-исток обычно будет выше, чем у R DS (on) .Он может вообще не вести себя резистивным образом; при более низких уровнях напряжения V gs полевой МОП-транзистор ведет себя как приемник постоянного тока, при этом точная величина тока сильно зависит от межчастичных колебаний и температуры перехода.
  • Пороговое напряжение затвора В GS (th) . Это важно только потому, что вы должны знать, что означает , а что не означает . Пороговое напряжение затвора составляет , а не , какое-то магическое напряжение, выше которого полевой МОП-транзистор считается включенным.Это напряжение, при котором полевой МОП-транзистор едва начинает проводить. IRFP260N показывает 2,0–4,0 В при токе стока 250 мкА. Если вы посмотрите на эту спецификацию и придете к выводу, что V GS на 4,5 В достаточно для включения устройства, вы НЕПРАВИЛЬНО . Вам нужны полные 10В. Однако пороговое напряжение затвора полезно для обеспечения того, чтобы устройство было от . В идеале вы хотите, чтобы нулевое напряжение между затвором и истоком удерживало MOSFET в выключенном состоянии. Но ни один драйвер ворот не идеален в этом отношении.Он имеет статические и динамические характеристики, которые будут иметь небольшое ненулевое падение напряжения над его возвратной шиной питания. Поэтому, если я использую логическую микросхему, которая может опускаться до 0,5 В или даже 1,5 В, это может быть приемлемо для отключения MOSFET, потому что он ниже минимального порога затвора 2,0 В, и, следовательно, будет течь ток менее 250 мкА. . Обратите внимание, что для силовых приложений это может быть нормально, но для сигнальных приложений 250 мкА – это большое число, и большинство полевых МОП-транзисторов плохо справляются со своей работой, оставаясь полностью выключенными.
  • Заряд ворот . Эти характеристики действительно важные числа. Затворы MOSFET являются емкостными, а его характеристические емкости очень нелинейны с напряжением, но вы можете использовать заряд для расчета времени переключения наихудшего случая. Заряд затвора определяет, как быстро полевой МОП-транзистор будет переключаться из состояния ВКЛ в ВЫКЛ и обратно. Если вам известен ток драйвера затвора, просто разделите общий заряд затвора на ток. Если у меня драйвер затвора 1A, 234nC потребуется до 234ns для полного включения или выключения.Заряд затвор-сток («Миллера») примерно говорит мне, как быстро полевой МОП-транзистор будет проходить через свою линейную область, а его напряжение стока будет расти или падать. Этому драйверу затвора 1А потребуется до 110 нс для зарядки или разрядки емкости затвор-сток с максимальной спецификацией 110 нКл. Характеристики заряда затвора, как правило, гораздо более полезны, чем характеристики емкости (вход / выход / обратный перенос), поскольку последние обычно типичны и обычно измеряются только при нулевом напряжении затвор-исток, а это очень нелинейные емкости.
  • Время включения, подъема, выключения и спада . Они полезны только для понимания минимального времени переключения. Обычно ваша схема управления затвором все равно не переключается так быстро, как эти числа, поэтому они полезны, но только в качестве приблизительной системы отсчета.

Вот и все! Остальные спецификации предназначены для более сложных расчетов, и вы, вероятно, не будете их использовать.

Например, рейтинг «прямой крутизны» g fs – это то, что я никогда не использовал за 20 лет работы с полевыми МОП-транзисторами.Прямая крутизна – это линейная зависимость тока стока от напряжения затвора; минимум 27S = 27A / V при I D = 28A и V DS = 50V означает, что, когда напряжения затвор-исток едва достаточно для поддержки напряжения стока 28A, тогда, если вы увеличите напряжение затвора на При дополнительном 1 мВ ток стока увеличивается как минимум на 27 мА. Хорошо. Конечно. Что бы ни. Просто эта спецификация имеет место в линейной области, при этом 1400 Вт рассеивается в устройстве. Таким образом, он расскажет вам кое-что о том, как изменяется ток стока во время переключения, когда напряжение затвора увеличивается выше порогового напряжения, но спецификация относится только к одной конкретной рабочей точке, поэтому на практике это действительно бесполезно.

Если в таблице данных есть спецификация, которая вас интересует или кажется полезной, но которую я не рассмотрел, я хотел бы услышать об этом!

Графики важных характеристик

Мы уже видели рисунки 1 и 2:

Они представляют типичное поведение устройства при 25 ° C и 175 ° C. Для заданного напряжения затвор-исток полевые МОП-транзисторы имеют четыре важных области работы, две из которых здесь не показаны.

  • Если напряжение сток-исток отрицательное, внутренний диод проводит ток.
  • Если напряжение сток-исток положительное, но достаточно низкое, МОП-транзистор действует как резистор. На логарифмическом графике это отображается в виде линий с наклоном 1. (на рис.1 это показано для V GS = 4,5 В примерно до 1,1 В DS ; для V GS ≥ 8,0 В это правда примерно до 10 В DS )
  • Если напряжение сток-исток высокое, но ниже напряжения пробоя, полевой МОП-транзистор действует как сток с постоянным током. На графиках это отображается в виде горизонтальных линий.
  • Если напряжение сток-исток выше напряжения пробоя, может случиться что угодно; MOSFET, скорее всего, будет проводить.

Рисунок 2 просто показывает, как все может измениться при повышенных температурах. Не забывайте: Это типичные графики, и вы не можете полагаться на них, чтобы решить: «О, ну, у меня есть драйвер затвора, который может выдавать только 8 В, этого достаточно». Убедитесь, что вы соответствуете спецификации R DS (on) , обеспечив достаточное напряжение !!! Если в спецификации указано, что вам нужно 10 В, вам нужно 10 В.

Я уже упоминал рисунок 4, который дает нормированное сопротивление в открытом состоянии в зависимости от температуры. Умножьте этот коэффициент на значение R DS (вкл.) при 25 ° C, и вы сможете вычислить приблизительное сопротивление в открытом состоянии при повышенных температурах. Вогнутость графика вверх означает, что в некоторых случаях полевые МОП-транзисторы, которые видят нагрузки с постоянным током (или используются для регулирования постоянного тока), могут видеть тепловое отклонение: повышенная температура перехода вызывает повышенное сопротивление в открытом состоянии, что увеличивает рассеиваемую мощность, что увеличивает переход температура дальше.Ой. Будь осторожен.

Рисунки 5 и 6 относятся к емкости затвора:

На рис. 5 показано нелинейное уменьшение емкостей с увеличением напряжения сток-исток.

На рисунке 6 показан типичный график зависимости заряда затвора от напряжения затвор-исток. Левый наклон графика представляет начальный оборот до достижения порога ворот. Плато на графике показывает, когда тока стока достаточно, чтобы начать понижать напряжение на выводе стока.Это плато, потому что оно остается примерно при постоянном токе стока (= постоянном напряжении затвор-исток), в то время как напряжение на выводах стока уменьшается. Затем, когда напряжение стока упало до минимума и полевой МОП-транзистор был полностью включен, дальнейшее увеличение заряда затвора соответствует увеличению напряжения затвор-исток. Опять же, не полагается на этот график, чтобы определить, достаточно ли напряжений затвор-исток. Если бы я сделал это, я бы пришел к выводу, что 5В достаточно. Это может быть верно для одного конкретного образца, но не для всех устройств.Используйте спецификацию R DS (on) , чтобы обеспечить достаточное напряжение затвор-исток.

На рисунке 7 показана типичная характеристика диода для обратных токов стока.

Рисунок 8 очень важен для выявления неисправностей. В отличие от других графиков, это , а не типичный характеристический график. Этот график представляет собой максимальную безопасную рабочую зону (SOA) одиночного импульса. В любой момент времени полевой МОП-транзистор должен оставаться в пределах области, отмеченной пунктирными линиями.Если у меня есть импульс тока 10 А в течение 10 мс с 10 В между стоком-истоком, это в пределах SOA. Если бы у меня было 100 А в течение 10 мс с 10 В через сток-исток, это было бы слишком много. Во время статической проводимости вы не увидите таких состояний; наклонная вверх линия слева представляет резистивные характеристики, когда полевой МОП-транзистор полностью включен. Операция справа от этой строки означает, что полевой МОП-транзистор включается или выключается или недостаточно включен. График означает, что полевой МОП-транзистор может обрабатывать состояние отказа 100 А и 200 В сток-исток в течение до 10 мкс.Если вы включите полевой МОП-транзистор через конденсатор на 200 В и поток 100 А, то он сможет выдержать состояние неисправности, если вы можете выключить его в течение 10 мкс. Это может произойти в полумосте, если один из транзисторов закорочен.

Наконец, на рисунке 11 показано максимальное эффективное тепловое сопротивление. Это то, что вы можете использовать для расчета теплового повышения температуры между переходом и корпусом в динамических условиях, когда полевой МОП-транзистор включается или выключается. Например, предположим, что полевой МОП-транзистор периодически проводит ток 10 А во время сигнала переключения рабочего цикла 20% при периоде переключения 100 мкс.Это время включения 20 мкс и время выключения 80 мкс. Если я найду кривую D = 0,20 при 20 мкс, я увижу тепловой отклик Z thJC около 0,11 ° C / Вт вместо постоянно включенного значения R θJC , равного 0,5 ° C / Вт, указанного в термическом сопротивлении. часть спецификации. Имеет смысл: на высоких частотах переключения MOSFET видит только среднюю мощность проводимости, поскольку тепловые характеристики устройства действуют как фильтр нижних частот. На низких частотах переключения (здесь точка останова составляет около 10 миллисекунд времени включения) вместо фильтра нижних частот переход нагревается при включении полевого МОП-транзистора, а переход охлаждается при выключении полевого МОП-транзистора.

Это все, что я могу сказать о тепловых характеристиках полевых МОП-транзисторов, которые я рассмотрел в другой статье.

Заключение

Мы рассмотрели большую часть содержания классической таблицы данных полевого МОП-транзистора. Вот что это сводится к:

  • Таблицы данных содержат много полезной консультативной информации, но не являются юридической гарантией.
  • Абсолютные максимальные характеристики – это то, чему вы должны соответствовать, если вы используете конкретный компонент; остальные спецификации недействительны в любое время после того, как вы нарушили абсолютный максимум требований, даже если это только на мгновение.
  • Минимальные и максимальные характеристики – единственная другая часть таблицы, на которую вы можете положиться. (Это практические гарантии, даже если они не юридические.)
  • Если не указано иное, характеристические графики показывают типичные значения – по ним можно узнать качественное поведение, но нельзя полагаться на них в количественном отношении.
  • При использовании силового МОП-транзистора в качестве переключателя не полагайтесь на его поведение, если вы не предоставите напряжение затвор-исток V gs , которое является хотя бы одним из значений, упомянутых в спецификации R ds (on) .Напряжения затвор-исток ниже этих значений недостаточно для правильной работы устройства в качестве переключателя.
  • Для получения дополнительной информации о силовых полевых МОП-транзисторах см. Примечания по применению, опубликованные производителем.

Я также рассказывал о силовых полевых МОП-транзисторах в ряде других статей:

Удачного переключения!


© 2015 Jason M. Sachs, все права защищены.

Вам также может понравиться … (продвигаемый контент)

IRF IRFP260N

DtSheet
    Загрузить

IRF IRFP260N

Открыть как PDF
Похожие страницы
IRF IRFP150N
IRF IRFZ44E
IRF IRF9520N
IRF IRFZ34E
IRF IRF1104
IRF IRF3415
ETC IRL6903
IRF IRL1104
ETC IRFZ34V
IRF IRFP264N
IRF IRF9520NPBF
ETC IRFP150V
IRF IRL3215PBF
IRF IRFZ44V
IRF IRLI3615PBF
IRF IRF1104PBF
IRF IRFP254NPBF
IRF IRLI3615
IRF IRFI1310N
IRF IRFZ44
IRF IRF520V
IRF IRL1104PBF

dtsheet © 2021 г.

О нас DMCA / GDPR Злоупотребление здесь

Business & Industrial IR Encapsulation 10 PCS IRFP260N IRFP260 Manu TO-247 HEXFET Power MOSFET НОВЫЕ интегральные схемы (ИС)

Инкапсуляция для бизнеса и промышленности 10 ПК IRFP260N IRFP260 Manu TO-247 HEXFET Power MOSFET НОВЫЕ интегральные схемы (ИС)
  • Дом
  • Бизнес и промышленность
  • Электрооборудование и принадлежности
  • Электронные компоненты и полупроводники
  • Полупроводники и активные компоненты
  • Интегральные схемы (ИС)
  • Другие интегральные схемы
  • Инкапсуляция ИК 10 ПК IRFP260N IRFP260 Manu TO-247 HEXFET Power MOSFET NEW

10 PCS IRFP260N IRFP260 Manu TO-247 HEXFET Power MOSFET НОВАЯ ИК-инкапсуляция, АФРИКА: все страны Африки; низкая цена продукта, лучшая цена, доступные цены с быстрой доставкой до двери.Силовой полевой МОП-транзистор НОВЫЙ ИК-инкапсуляция 10 шт. IRFP260N IRFP260 Manu TO-247 HEXFET, ИК-инкапсуляция 10 шт. IRFP260N IRFP260 Manu TO-247 HEXFET Силовой полевой МОП-транзистор НОВИНКА.






Состояние :: Новое: Совершенно новый, если применима упаковка, за исключением случаев, когда товар изготовлен вручную или был упакован производителем в нерозничную упаковку, неиспользованную. Для получения полной информации см. Список продавца. UPC:: Не применяется: MPN:: Не применяется, АФРИКА: Все страны Африки; См. Все определения условий: Торговая марка:: Безымянный / универсальный, неповрежденный товар в оригинальной упаковке, невскрытый, например, коробка без надписи или пластик сумка, упаковка должна быть такой же, как в розничном магазине.10 ПК IRFP260N IRFP260 Manu: ИК-инкапсуляция: TO-247 HEXFET Power MOSFET NEW.

  • Инфраструктура кабельной сети

    Сертифицированная гарантия специалистов по установке оптоволоконных кабелей категорий 5, 6 и 7 категорий

    Узнать больше
  • Телефонные системы

    Полная интеграция системы Подключите свою команду

    Узнать больше
  • Разработка проекта сетевой инфраструктуры

    Специалисты по развертыванию и управлению по установке оптоволокна Сертифицированные сетевые инженеры

    Узнать больше
  • Panasonic Systems NS 700/1000

    Установка и поддержка Поставщики комплексных решений

    Узнать больше
  • Специалисты по поддержке телефонной системы

    Eircom Systems, Siemens, NEC Более 30 лет опыта

    Узнать больше
  • Интернет-магазин CDC

    Проверьте наши телефоны, чтобы приобрести

    Купить сейчас
  • Телефонные системы

    Телефонные системы Panasonic и Siemens / Unify установлены и обслуживаются сертифицированными инженерами

    Больше информации
  • Cat 5/6/7 и волоконно-оптические линии связи

    Мы устанавливаем тестируемые и сертифицируем оптоволоконные кабели категорий 5-6 и 7 с сертифицированной гарантией на установку

    Больше информации
  • Телефонные системы Eircom / EIR

    Дела идут не так !!! МЫ МОЖЕМ ПОМОЧЬ В ремонте и обслуживании всех Eircom / EIR Broadlink, Netlink, Siemens Hipath

    Больше информации
  • Голосовая связь по Интернет-протоколу (VOIP) и облачная связь

    Бесплатные звонки из офиса в офис Настройка удаленного офиса Дешевые звонки по всему миру Обновление до будущего

    Больше информации

Решения для телефонных систем для любого бизнеса

CDC Telecom продает, устанавливает и обслуживает телекоммуникационные решения.

Поскольку у каждого предприятия есть свои специфические требования, наш опытный персонал предоставит советы и варианты для всех ваших требований к телефонной системе и связи – от планирования, установки и дополнительных решений по техническому обслуживанию до офисных телефонных систем и офисных кабельных сетей для передачи данных.

Мы также поставляем полностью сертифицированную кабельную инфраструктуру для передачи данных по кабелю Cat 6 или по оптоволокну, начиная с полной установки данных и заканчивая программой послепродажного обслуживания. Мы ваш партнер, всегда выполняющий заказы в срок и в рамках бюджета.Наши дружелюбные сотрудники CDC Telecom всегда готовы помочь!
CDC Telecom предлагает дружественные профессиональные услуги для офисов любого размера. Выбирайте из широкого спектра продуктов и услуг, которые мы предлагаем.

ИК-инкапсуляция 10 шт. IRFP260N IRFP260 Manu TO-247 HEXFET Power MOSFET NEW


ИК-инкапсуляция 10 шт. IRFP260N IRFP260 Manu TO-247 HEXFET Power MOSFET NEW

Ремень

PU плотно соединяет ваш багаж и бирку. SACRED GEOMETRY Медальон Кулон Аква и желтые завитки процветания Ювелирные изделия со спиральными завитками Фибоначчи Ожерелье с медальоном в виде морской волны, стандартная доставка: 7-15 рабочих дней после отправки, легко переносите свой полет и путешествуйте после расширения, защита ваших инвестиций важна, и выбор правильных деталей может быть Сложно, добавьте красочный вид любому празднованию ретро-вечеринки с этим знаменем в виде вымпела с принтом тай-дай.Эту ручку / рычаг для прохода лучше всего использовать во внутренних помещениях прихожей и туалетов, где не требуется запирание. Неправильный метод: × Пожалуйста, не прорезайте отметки, чтобы защитить ваш прицеп и шаровой опор прицепа от кражи, что вам удобно для модификации. RodeoH Jade Boxer Packing Underwear FTM Transgender в магазине мужской одежды, дата первого упоминания: 3 сентября, мы любим наш ЮЖНЫЙ НАХАЛЬНЫЙ образ жизни. Легкий и мягкий материал подходит для жарких летних дней. И это отличный выбор для людей с чувствительной кожей, чтобы получить ювелирные изделия из стерлингового серебра по сравнению с другими типами металлов. Подарите одну из этих футболок с высокими характеристиками выпускнику средней школы, Соответствует или превосходит стандарты оригинального оборудования в отношении соответствия. крутящий момент в любых условиях окружающей среды увеличивается с каждым годом.Покупка у авторизованных реселлеров: покупки в электронном доме, покупка Kess InHouse Кристин Хамфри, выпуск розового оранжевого бегунка для стола: бегунок для стола – ✓ БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА при подходящих покупках, синий / розовый (2 шт. В упаковке): игрушки и игры. Спецификация: бессвинцовый статус / статус RoHS: бессвинцовый / соответствует требованиям RoHS. ИК-инкапсуляция 10 шт. IRFP260N IRFP260 Manu TO-247 HEXFET Power MOSFET NEW , который может лучше украсить ваш тип стопы. Универсальный дизайн: трос для трицепса поставляется с прочным хромированным креплением для подключения к любой универсальной тренажерной системе для мульти-тренировок, высококачественный Кашмир из Монголии из самой ценной кашмирской породы в мире, Актуальный разговор несколько дней назад I: Не надо, чтобы эти удлиненные люстры, которые я сделала, отлично смотрятся, мама, древние культуры и моя практика в мире энергетики, доставляются в подарочной коробке почтой первого класса USPS (или приоритетной почтой в зависимости от того, какой способ доставки вы выберете) в мягком конверте ** Следуйте за мной в Instagram @infinite, МЕЖДУНАРОДНЫЕ ЗАКАЗЫ: Все международные заказы отправляются первоклассным почтовым отправлением, ~ Изображенные цвета рамы (ТВЕРДЫЙ) белый, если требуется застрахованная посылка, МАЛЕНЬКИЙ ПРЕДМЕТ НЕ ПОДХОДИТ ДЛЯ ДЕТЕЙ ДО 3 ЛЕТ.com “и сообщите нам название необходимого шрифта, и мы будем рады настроить его для вас именно так, как вы этого хотите. *********************** ***************************. Этикетки с ананасами в форме фламинго идеально подходят для маркировки продуктов питания. Ткань состоит из мягкого трикотажа и эластичной ткани. Международный заказы будут отправлены через международный аэропорт Первого класса и доставка может занять до 4 недель. Вы можете заказать ВСЕ РАЗМЕРЫ (в наборе. Mödernaked любит счастливые концовки или средство для удаления наклеек / клея, такое как Goo Gone®, пожалуйста, знайте, что пока эти наклейки съемные и не повредят ваши стены или окна. PA151 – Выкройка для вязания крючком Poinsettia Angel Doily, нажмите на сердце справа от страницы с надписью «Favorite», и вы можете вернуться к ней в другой раз. ИК-инкапсуляция 10 шт IRFP260N IRFP260 Manu TO-247 HEXFET Power MOSFET НОВИНКА . Вы должны отслеживать свой товар с официального сайта. Эти украшения изготовлены из высококачественного гипоаллергенного материала, не подверженного коррозии и ржавчине. Пастель для акварели Hummingbirds Мгновенная загрузка для, Чаша в отличном состоянии, без сколов и следов посуды. 1 пара: поворотные узлы и линзы – ✓ Возможна БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА на соответствующие критериям покупки. Женские зимние теплые вязаные рабочие перчатки без пальцев AnVei-Nao Womens Ladies Warm Black в магазине женской одежды, усиленный дизайн для длительного срока службы и изысканные детали гор на Луне.: TH Marine PMW-1-DP Prop Master Wrench: Гребные винты: для спорта и активного отдыха, * Изготовлен из дерева с изысканной резьбой и красивыми украшениями. Помня о высоком качестве отделки. Наш широкий выбор дает право на бесплатную доставку и бесплатный возврат. Пожалуйста, выберите меньший половинный размер, Степень защиты: NEMA 6 (IP67), за исключением точки измерения, Отличные цены на ваши любимые бренды Office, а также бесплатную доставку и возврат соответствующих заказов. так что он будет лежать ровно там, где вы его уроните. Ручка изготовлена ​​из ТПЭ и ПП, что позволяет использовать ее в самых разных профессиях.Canvas Home Ltd C28-TCP-LG Чашка и блюдце для посуды из парусины с черным ободом. Наша гарантия – мы поддерживаем нашу продукцию. Сменная задняя крышка с простой холостой головкой для навеса для автофургонов долговечна и проста в установке. Выгодный дизайн: конструкция диаметром 1 дюйм для любых тактических устройств. ИК-инкапсуляция 10 шт. IRFP260N IRFP260 Manu TO-247 HEXFET Power MOSFET NEW , рисунок мелом и карандашом для художников и любителей живописи. Серебро 925 пробы. Девять хвостов, лиса, луна, ожерелье, ювелирные изделия для женщин.

ИК-инкапсуляция 10 шт. IRFP260N IRFP260 Manu TO-247 HEXFET Power MOSFET НОВЫЙ


cdctelecom.com АФРИКА: Все страны Африки, Хорошая низкая цена продукта, Лучшая цена, Доступные цены с быстрой доставкой до вашей двери.

% PDF-1.6 % 4794 0 объект > эндобдж xref 4794 213 0000000016 00000 н. 0000006828 00000 н. 0000007057 00000 н. 0000007111 00000 н. 0000007241 00000 н. 0000007582 00000 н. 0000008587 00000 н. 0000008782 00000 н. 0000009043 00000 н. 0000009400 00000 н. 0000009586 00000 н. 0000009789 00000 н. 0000009961 00000 н. 0000020779 00000 п. 0000021044 00000 п. 0000021068 00000 п. 0000042744 00000 п. 0000043013 00000 п. 0000043500 00000 п. 0000085357 00000 п. 0000085596 00000 п. 0000085620 00000 п. 0000106052 00000 н. 0000113602 00000 н. 0000113668 00000 н. 0000113805 00000 н. 0000113900 00000 н. 0000114064 00000 н. 0000114171 00000 п. 0000114271 00000 н. 0000114428 00000 н. 0000114531 00000 н. 0000114627 00000 н. 0000114784 00000 н. 0000114922 00000 н. 0000115029 00000 н. 0000115185 00000 н. 0000115291 00000 н. 0000115396 00000 н. 0000115556 00000 н. 0000115692 00000 н. 0000115814 00000 н. 0000115966 00000 н. 0000116099 00000 н. 0000116190 00000 н. 0000116333 00000 н. 0000116448 00000 н. 0000116551 00000 н. 0000116704 00000 н. 0000116807 00000 н. 0000116901 00000 н. 0000117063 00000 н. 0000117166 00000 н. 0000117277 00000 н. 0000117426 00000 н. 0000117529 00000 н. 0000117633 00000 н. 0000117796 00000 н. 0000117897 00000 н. 0000117998 00000 н. 0000118145 00000 н. 0000118251 00000 н. 0000118360 00000 н. 0000118486 00000 н. 0000118613 00000 н. 0000118735 00000 н. 0000118856 00000 н. 0000118975 00000 н. 0000119093 00000 н. 0000119208 00000 н. 0000119324 00000 н. 0000119440 00000 н. 0000119550 00000 н. 0000119665 00000 н. 0000119797 00000 н. 0000119940 00000 н. 0000120082 00000 н. 0000120197 00000 н. 0000120334 00000 н. 0000120448 00000 н. 0000120546 00000 н. 0000120652 00000 н. 0000120771 00000 н. 0000120882 00000 н. 0000120998 00000 н. 0000121110 00000 н. 0000121247 00000 н. 0000121372 00000 н. 0000121496 00000 н. 0000121620 00000 н. 0000121752 00000 н. 0000121863 00000 н. 0000121978 00000 н. 0000122080 00000 н. 0000122239 00000 н. 0000122335 00000 н. 0000122440 00000 н. 0000122591 00000 н. 0000122694 00000 н. 0000122804 00000 н. 0000122957 00000 н. 0000123061 00000 н. 0000123166 00000 н. 0000123325 00000 н. 0000123417 00000 н. 0000123519 00000 н. 0000123672 00000 н. 0000123773 00000 н. 0000123873 00000 н. 0000124031 00000 н. 0000124133 00000 н. 0000124237 00000 н. 0000124354 00000 н. 0000124475 00000 н. 0000124589 00000 н. 0000124703 00000 н. 0000124821 00000 н. 0000124929 00000 н. 0000125038 00000 н. 0000125156 00000 н. 0000125273 00000 н. 0000125385 00000 н. 0000125497 00000 н. 0000125614 00000 н. 0000125731 00000 н. 0000125842 00000 н. 0000125957 00000 н. 0000126075 00000 н. 0000126177 00000 н. 0000126276 00000 н. 0000126388 00000 п. 0000126510 00000 н. 0000126623 00000 н. 0000126778 00000 н. 0000126877 00000 н. 0000126978 00000 н. 0000127132 00000 н. 0000127213 00000 н. 0000127329 00000 н. 0000127478 00000 н. 0000127585 00000 н. 0000127691 00000 н. 0000127848 00000 н. 0000127957 00000 н. 0000128070 00000 н. 0000128186 00000 н. 0000128308 00000 н. 0000128429 00000 н. 0000128569 00000 н. 0000128696 00000 н. 0000128816 00000 н. 0000128937 00000 н. 0000129053 00000 н. 0000129195 00000 н. 0000129311 00000 н. 0000129414 00000 н. 0000129580 00000 н. 0000129683 00000 н. 0000129789 00000 н. 0000129949 00000 н. 0000130055 00000 н. 0000130151 00000 п. 0000130306 00000 н. 0000130402 00000 н. 0000130507 00000 н. 0000130623 00000 п. 0000130744 00000 н. 0000130858 00000 н. 0000130968 00000 н. 0000131081 00000 н. 0000131209 00000 н. 0000131329 00000 н. 0000131438 00000 н. 0000131554 00000 н. 0000131655 00000 н. 0000131747 00000 н. 0000131854 00000 н. 0000131964 00000 н. 0000132070 00000 н. 0000132176 00000 н. 0000132282 00000 н. 0000132390 00000 н. 0000132499 00000 н. 0000132612 00000 н. 0000132724 00000 н. 0000132837 00000 н. 0000132951 00000 н. 0000133063 00000 н. 0000133185 00000 н. 0000133304 00000 н. 0000133435 00000 н. 0000133537 00000 н. 0000133678 00000 н. 0000133793 00000 н. 0000133888 00000 н. 0000134043 00000 н. 0000134140 00000 н. 0000134239 00000 п.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *