Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

DataSheet PDF Search Site

Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39.com, основного источника таблиц данных.

С обширной коллекцией спецификаций электронных компонентов, от транзисторов до микроконтроллеров, на Datasheet39.com есть все, что вам нужно для завершения ваших электронных проектов.

Преимущества использования сайта

Вы можете бесплатно скачать все спецификации на Datasheet39.com. Для доступа к необходимой информации не требуется абонентской платы или требований к подписке. Найдите нужную спецификацию и сразу же загрузите ее. Мы стремимся предоставить нашим пользователям максимально возможное качество и скорость.

Новые листы технических данных

Номер детали ПДФ Функция Производители
3DD157 Низкочастотный кремниевый силовой NPN-транзистор
И Т.Д.
54LS174 Hex/Quad D-триггеры
Национальный полупроводник
54LS175
Hex/Quad D-триггеры

Национальный полупроводник
ADSP-BF512 Справочник по оборудованию процессора
Аналоговые устройства
ADSP-BF514 Справочник по оборудованию процессора
Аналоговые устройства
ADSP-BF516 Справочник по оборудованию процессора
Аналоговые устройства
ADSP-BF518
Справочник по оборудованию процессора
Аналоговые устройства
ALC5672 Многоканальный аудиоконцентратор/кодек
Реалтек Микроэлектроника
AP1355AEM Усилитель
АКМ
AT02P-170 Подавление переходного напряжения
АТБЕЛ

Карты сайта



IRF630 Mosfet: техническое описание, распиновка, схема [видео и вопросы и ответы] 162 в упаковке

ТО-220 . Этот силовой MOSFET разработан с использованием процесса MESH OVERLAY, основанного на объединенной компоновке полос, который соответствует и улучшает характеристики. Обладает чрезвычайно высокой способностью dv/dt, очень низкими собственными емкостями и сведенным к минимуму зарядом затвора.

 

Этот блог будет систематически знакомить IRF630 с его функциями, распиновкой, его спецификациями, приложениями, включая техническое описание IRF630 и многое другое.

 

Видео: очень просто проверить MOSFET с помощью тестера непрерывности как проверить MOSFET

Каталог

Обзор продукта

Характеристики IRF630

Распиновка IRF630

Приложения IRF630

Где мы можем использовать это и как использовать

9 0006

Эквиваленты IRF630

Модели САПР IRF630

Как обеспечить длительный срок службы

Схема IRF630

Спецификация IRF630

IRF630 VS IRF640

IRF630 Производитель

IRF63 0 Спецификация

Использование предупреждений

Часто задаваемые вопросы IRF630

  900 13

IRF630 Характеристики
  • Динамический рейтинг dv/dt
  • Повторяющаяся лавина с рейтингом
  • Возможность быстрого переключения
  • Простота распараллеливания
  • Требования к простому приводу
  • Соответствует RoHS и не содержит галогенов

 

 

IRF630 Распиновка

На следующем рисунке показана схема IRF630 распиновки .

IRF630 Распиновка

IRF630 Приложения 90 020
  • Зарядные устройства для аккумуляторов
  • Применение солнечной энергии
  • Приложения, требующие быстрого переключения
  • Драйверы двигателей
  • ИБП
  • Телекоммуникационные приложения
  • Приводная нагрузка на выходе Arduino и других платформ
  • Коммутация высокого напряжения до 200 В

 

Где мы можем его использовать и как использовать

IRF630 может использоваться в приложениях, в которых требуется высокая скорость переключения. Помимо этого, его также можно использовать в любом общем приложении, подпадающем под его спецификации. Он также подходит для усиления звука и может использоваться для создания мощных усилители звука . Процедура использования этого транзистора в схеме такая же, как и при использовании любого другого МОП-транзистора .

 

IRF630 Аналоги

БУК454-200А, БУК454-200Б, 2СК1957, 2СК2212, БУК444-200А, БУК444-200Б, ИРФИ630Г, ИРФС630, ИРФС631, РФП2Н18, YTA630, 2СК1957.

 

IRF630  Модели САПР

Далее следует IRF630 символ , посадочное место и 3D модель .

 

IRF630 Символ

 

IRF630 Печать 9 0013

 

IRF630 3D-модель

 

Как добиться долговечности

Чтобы добиться долговременной работы с этим транзистором рекомендуется всегда использовать его как минимум на 20% ниже его максимальных номиналов. Максимальное напряжение сток-исток составляет 200 В, поэтому не подключайте нагрузку более 160 В. Максимальная непрерывная  ток стока составляет 9 А, поэтому не подключайте нагрузку более 6,2 А и всегда используйте подходящий радиатор с транзистором. Не храните и не используйте транзистор при температуре ниже -55 градусов по Цельсию и выше +150 градусов по Цельсию.

 

IRF630 Схема

Ниже приведены тестовые схемы IRF630

 

90 012

Тестовая схема для времени переключения резистивной нагрузки

 

Схема для проверки характеристик заряда затвора

 

Схема для проверки времени восстановления индуктивной нагрузки и диода 9018 6

 

Тестовая схема индуктивной нагрузки без фиксации

 

Индуктивный сигнал без фиксации

 

Форма сигнала времени переключения

 

IRF630 Спецификация
Атрибут продукта Значение атрибута
Производитель: STMicroelectronics
Категория продукта: МОП-транзистор
Технология: Си
Способ крепления: Сквозное отверстие
Упаковка/футляр: ТО-220-3
Полярность транзистора: N-канал
Количество каналов: 1 канал
Vds — Напряжение пробоя сток-исток: 200 В
Id — непрерывный ток стока: 9 А
Rds On — сопротивление сток-исток: 400 мОм
Vgs – Напряжение затвор-исток: – 20 В, + 20 В
Vgs th – Пороговое напряжение затвор-исток: 2 В
Qg – Плата за ворота: 31 нКл
Минимальная рабочая температура: – 65 С
Максимальная рабочая температура: + 150 С
Pd — рассеиваемая мощность: 75 Вт
Режим канала: Улучшение
Конфигурация: Одноместный
Высота: 9,15 мм
Длина: 10,4 мм
Тип транзистора: 1 N-канал
Тип: МОП-транзистор
Ширина: 4,6 мм

 

IRF630 VS IRF6 4 0 90 192 Атрибут продукта IRF630 IRF640 Категория продукта: МОП-транзистор МОП-транзистор Способ крепления: Сквозное отверстие ТГТ Упаковка/ящик: ТО-220-3 ТО-220 Полярность транзистора: N-канал N-канал Количество каналов: 1 канал   Vds — Напряжение пробоя сток-исток:
200 В   Id — непрерывный ток стока: 9 А 18,0 А Rds On — сопротивление стока-источника: 400 мОм   Vgs – Напряжение затвор-исток: – 20 В, + 20 В 20,0 В, 200,0 В Vgs th – Пороговое напряжение затвор-исток: 2 В   Qg – Плата за ворота: 31 нКл 44,7 нКл Минимальная рабочая температура: – 65 С   Максимальная рабочая температура: + 150 С   Pd — рассеиваемая мощность: 75 Вт 150,0 Вт Режим канала: Улучшение   Конфигурация: Одноместный   Высота: 9,15 мм  
Длина: 10,4 мм   Тип транзистора: 1 N-канал   Тип: МОП-транзистор   Ширина: 4,6 мм  

 

IRF630 Производитель

ST — мировой лидер в области производства полупроводников, предлагающий интеллектуальные и энергоэффективные продукты и решения, которые питают электронику, лежащую в основе повседневной жизни. Сегодня продукты ST можно найти повсюду, и вместе с нашими клиентами мы делаем возможным более разумное вождение и более умные фабрики, города и дома, а также мобильные устройства следующего поколения и устройства Интернета вещей. Получая больше от технологий, чтобы получать больше от жизни, ST означает life.augmented.

 

IRF630 Техническое описание

Вы можете скачать это техническое описание для IRF630–Техническое описание по ссылке, указанной ниже:

IRF630 Техническое описание

 

Использование предупреждений

Примечание. Проверьте их параметры и конфигурацию контактов, прежде чем заменять их в вашей схеме.

 

IRF630  FAQ

Что такое IRF630?

IRF630 от STMicroelectronics представляет собой сквозной 200-вольтовый N-канальный полевой МОП-транзистор в корпусе TO-220.

 

Для чего используются силовые МОП-транзисторы?

Мощные полевые МОП-транзисторы (полевые транзисторы на основе оксидов металлов и полупроводников) представляют собой кремниевые устройства с тремя выводами, которые функционируют путем подачи сигнала на затвор, который управляет проводимостью тока между истоком и стоком.

 

Как работает МОП-транзистор?

Работает за счет изменения ширины канала, по которому текут носители заряда (электроны или дырки). Носители заряда входят в канал в истоке и выходят через сток. Ширина канала регулируется напряжением на электроде, называемом затвором, расположенном между истоком и стоком.

 

Что такое STMicr oelectronics power MOSFET для преобразователей постоянного тока?

Эта серия мощных полевых МОП-транзисторов, реализованная с использованием уникального процесса STripFET™ от STMicroelectronics, была специально разработана для минимизации входной емкости и заряда затвора.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *