Irfs640A: IRFS640A даташит Samsung Electronics техническое описание радиодетали, Advanced Power MOSFET описание на русском аналог микросхема

Содержание

IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги

Главная » Транзисторы

Характеристики мощного полевого транзистора IRF640 говорят нам о том, что он используется в схемах требующих высокой скорости и низкой мощности переключения затвора, в системах управления электроприводом реле.

Также его применяют для управления его биполярными сородичами. Он является n-канальным МОП-транзистором (MOSFET), который можно встретить в блоках питания, телевизорах и компьютерных мониторах. Управление данным изделием может осуществляться непосредственно от микросхемы.

Содержание

Распиновка
Характеристики
Аналоги
Производители

Распиновка

Цоколевка IRF640 выполнена в пластмассовом корпусе ТО-220АВ с жесткими выводами. На рисунке ниже показано расположение их и геометрические размеры корпуса.

Если смотреть на маркировку то слева направо будут расположены: первая ножка — затвор, вторая — сток, третья — исток.

Характеристики

На русском языке технические характеристики IRF640 найти довольно трудно, поэтому мы перевили их и опубликовали ниже. Предельно допустимые:

Наибольшее возможное напряжение сток-исток: 200 В.
Предельное напряжение затвор-исток: 20 В.
Максимальный ток через сток (напряжение затвор-исток 10 В):
18 А (при Т_с= +25^оС).
11 А (при Т_с= +100^оС).

Наибольший пиковый ток стока: 72 А.
Предельная рассеиваемая мощность при температуре +25^оС: 125 Вт.
Максимальная температура: +300^оС.
Рабочая температура: от -55^оС до +150^оС

Все электрические параметры транзистора можно разделить на две группы: статические и динамические. Данные значения указаны для температуры окружающей среды +25^оС, если явно не написано другое. В приведенных таблицах указаны численные величины режимов работы, при которых производились измерения.

Далее приведем динамические-электрические параметры irf640.

Последними в datasheet всегда указываются сведения о термических характеристиках.

Все эти значения важны при проектировании схем с использованием мощных транзисторов. Например, при использовании его в усилителях мощности или блоков питания.

Если транзисторы не охлаждаются должным образом, они перегреваются и как правило, перегорают через несколько минут или даже секунд. Чтобы избежать этого, нужны тепловые расчеты.

Чтобы убедиться в правильности расчетов можно протестировать готовое изделие. Для этого его нужно оставить работать в обычном режиме в течение нескольких часов. При этом любая ошибка в тепловом расчете может быть легко обнаружена и исправлена.

Старое эмпирическое правило «если можно положить руку то все хорошо» по-прежнему работает. Обратное не всегда верно. Например, транзистор может нагреваться до 80°C и будет слишком горячий для прикосновения, но при этом он будет работать нормально. Иметь горячие компоненты не рекомендуется, потому от них могут нагреваться рядом стоящие устройства. Чем меньшая температура у транзистора, тем больше его срок службы.

На рисунке ниже приведены графики зависимости крутизны передаточной характеристики g_fs от тока стока I_c для температур +25°C и 150°C.

Из данного графика видно, что значение g_fs растет, пока I_c < 18 А. После этого начинает уменьшаться.

Аналоги

Среди зарубежных аналогов транзистора IRF640 можно назвать: 2SK2136, 2SK2521-01, 2SK3111, BUZ31, FQA19N20C, FQP19N20C, PHP18NQ20T, STP19NB20. А среди отечественных аналогов выделяют всего два устройства: КП750А и КП640.

Производители

Транзистор IRF640 производят следующие компании (их datasheet доступен по ссылки): STMicroelectronics, Fairchild Semiconductor, International Rectifier, Suntac Electronic Corp, Dc Components, Comset Semiconductor, Nell Semiconductor, ARTSCHIP ELECTRONICS, NXP Semiconductors, Inchange Semiconductor Company Limited, Weitron Technology, First Components International.

MOSFET

IRFS640_261736.PDF Загрузить техническое описание — IC-ON-LINE

Номер связанной детали

ЧАСТЬ	Описание	Производитель
IRF620B IRF620BFP001 IRFS620BFP001	N-канальный B-FET, 200 В / замена IRFS620 и IRFS620A 200 В, N-канальный B-FET / замена IRF620 и IRF620A 200 В, N-канальный MOSFET	ФЭЙРЧАЙЛД [Фэйрчайлд Полупроводник]
IRFU220B IRFR220B IRFU220BTLTUFP001 IRFU220BTUFP00	200 В, N-канальный B-FET / Заменитель IRFR220 и IRFR220A 200 В N-Channel B-FET / Заменитель IRFU220 и IRFU220A 200 В N-Channel MOSFET	ФЭЙРЧАЙЛД [Фэйрчайлд Полупроводник]
IRFW610B IRFI610B IRFI610BTUFP001 IRFW610BTMFP001	200 В N-канальный B-FET / Заменитель IRFW610A 200В N-Channel MOSFET 200В N-Channel B-FET / Замена IRFI610A	ФЭЙРЧАЙЛД [Фэйрчайлд Полупроводник]
IRFS640 IRFS640B IRF640B IRF640 IRF640BTSTUFP001 I	200 В N-канальный B-FET / Заменитель IRF640 и IRF640A 200 В N-канальный MOSFET	FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor] http://
FQE10N20LC FQE10N20LCTU	N-канальный усовершенствованный Q-FET транзистор C-серии 9, 200 В0024 200 В Logic N-Channel MOSFET 4 A, 200 В, 0,39 Ом, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-126	FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor] Fairchild Semiconductor, Corp.
IRFP250A	N-канальный A-FET, 200 В / заменен на IRFP250B Advanced Power MOSFET	ФЭЙРЧАЙЛД [Фэйрчайлд Полупроводник]
ЗВП1320ФТА ЗВП1320Ф-12 ЗВП1320Ф	РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ P-КАНАЛА 200 В ВЕРТИКАЛЬНЫЙ DMOS FET В SOT23	Диоды Инкорпорейтед
IRF9240 IRF9240-15	Требования к простому приводу ТРАНЗИСТОРЫ P-КАНАЛ (Vdss=-200 В, Rds(on)=0,5 Ом, Id=-11A) , Si, POWER, MOSFET, TO-204AA	IRF [Международный выпрямитель]
FDP18N20F FDPF18N20FT	N-Channel UniFETTM FRFETMOSFET 200 В, 18 А, 140 м N-канальный МОП-транзистор 200 В, 18 А, 0,14 Ом? N-канальный МОП-транзистор 200 В, 18 А, 0,14 Ом	Фэирчайлд Полупроводник
SFR9220 SFRU9220 SFU9220 SFR_U9220 SFR9220TM SFR92	P-CHANNEL POWER MOSFET P-Channel A-FET 200 В / Замена IRFR9220 Advanced Power MOSFET Avalanche Rugged Technology	ФЭЙРЧАЙЛД [Фэйрчайлд Полупроводник]
FQB5N20L FQI5N20L FQI5N20 FQI5N20LTU	200 В LOGIC N-Channel MOSFET 4,5 A, 200 В, 1,25 Ом, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA 200 В N-Channel Logic Level QFET	Fairchild Semiconductor, Corp. FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]

Связанное ключевое слово из системы полнотекстового поиска

Диапазон IRFS640	IRFS640 бесплатно	IRFS640 АЦП	Трансивер IRFS640	IRFS640 Чип
Схема USB IRFS640	IRFS640 Смешанный	IRFS640 技术参数	IRFS640 скачать	IRFS640 все техническое описание

IRFS640A_773776.

PDF Загрузить техническое описание — IC-ON-LINE

IRFS640A_773776.PDF Загрузить техническое описание — IC-ON-LINE

Номер детали	Горячий поиск: SMB13 3M250 010011 1000S MAX9158 2SC4040 F1003 B4008
Описание продукта
Полнотекстовый поиск

Деталь №

ИРФС640А

Описание

Улучшенный заряд ворот

Размер файла

290,62 К / 6 Страница

Производитель

org/Brand” valign=”top”>

Полупроводник Samsung

9Часть 0004: IRFS640A

ДЗИТОНГ TECHNOLOGY
(CHINA HK & SZ)
Спонсор Datasheet.hk

Производитель: FAIRCHIL..

Упаковка: TO-220

На складе: зарезервировано

Цена за единицу для :

50: 0,40 долл. США

100: 0,38 доллара

1000: 0,36 $

Электронная почта: [email protected]

Свяжитесь с нами

Домашняя страница

http://www.

samsung.com/Products/Semiconductor/

Скачать

[ IRFS640A Datasheet PDF Скачать с сайта IC-ON-LINE.CN ]
[ IRFS640A Datasheet PDF Скачать с Datasheet.HK ]
[Техническое описание IRFS640A PDF Скачать с сайта Maxim4U.com] 🙂

[Просмотреть в Интернете] [ Искать больше для IRFS640A ]

[ Цена и наличие IRFS640A от FindChips.com ]

Полнотекстовый поиск: Улучшенный заряд ворот

Номер связанной детали

ЧАСТЬ	Описание	Производитель
AP30T03GH-HF AP30T03GH-HF-14	Нижняя зарядка затвора Нижняя зарядка затвора 17 А, 30 В, 0,03 Ом, N-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET, TO-252 Простое требование привода	Advanced Power Electronics Corp. Advanced Power Electron…
СТС12Нх4ЛЛ	N-КАНАЛЬНЫЙ, 30 В, 0,008 Ом, 12 А, SO-8, СВЕРХНИЗКИЙ ЗАРЯД ЗАТВОРА, STripFET MOSFET N-КАНАЛЬНЫЙ 30 В – 0,008 ?- 12 A SO-8 ULTRA LOW CHANNEL STripFET MOSFET N-КАНАЛЬНЫЙ PowerMESH MOSFET N-КАНАЛЬНЫЙ 30 В – 0,008 Å – 12 A SO-8 ULTRA LOW CHANNEL STripFET⑩ 24 N 900 N MOSFET -КАНАЛ 30 В – 0,008 z – 12 A SO-8 СВЕРХНИЗКИЙ ЗАРЯД ЗАТВОРА STripFETMOSFET	ST Microelectronics STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics] 意法半导
STL22NF10	N-КАНАЛЬНЫЙ 100 В — 0,055 Ом — 22 А PowerFLATLOW GATE CHARGE STripFETII MOSFET N-КАНАЛЬНЫЙ 100 В — 0,055 Ом — 22 А PowerFLAT LOW GATE CHARGE StripFET II MOSFET N-КАНАЛЬНЫЙ 100 В — 0,055 Ом — 22 A PowerFLAT⑩ LOW GATE CHARGE StripFET⑩ II MOSFET	意法半导 STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]
IRFP4137PBF IRFP4137PBF-15	Улучшенная защита от затвора, лавинной защиты и динамической устойчивости к dV/dt Высокоэффективное синхронное выпрямление в импульсных источниках питания	Международный выпрямитель
СТЛ20НМ20Н06 СТЛ20НМ20Н	N-КАНАЛЬНЫЙ, 200 В, 0,088 Ом, 20 А PowerFLAT, СВЕРХНИЗКАЯ ЗАРЯДКА ЗАТВОРА, MDmesh II MOSFET N-КАНАЛЬНЫЙ, 200 В, 0,088 Ом, 20 А PowerFLAT⑩, СВЕРХНИЗКАЯ ЗАРЯДКА, MDmesh⑩ II, МОП-транзистор	STMicroelectronics
STS11NF30L STS11NF30L07	N-канальный 30 В – 0,0085 Ом – 11 A SO-8 Низкий заряд затвора STripFET II Power MOSFET N-канальный 30 В – 0,0085 ヘ – 11 A SO-8 Низкий заряд затвора STripFET⑩ II Power MOSFET	STMicroelectronics
STS9NF30L STS9NF30L02	N-КАНАЛЬНЫЙ 30 В – 0,015 Ом – 9A SO-8 МОЩНЫЙ МОП-транзистор с малой зарядкой затвора N-КАНАЛЬНЫЙ 30 В – 0,015 Вт – 9A SO-8 СЛАБЫЙ ЗАРЯДНЫЙ ПОЛЕВОЙ ПОСТРОИТЕЛЬ ⑩ II POWER MOSFET N-КАНАЛ 30 В – 0,015 Вт – SO -8 LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFET	ST Microelectronics Передовые аналоговые технологии
СТЛ75Нх4ЛЛ	N-канальный 30 В, 0,004 Ом, 20 A, PowerFLAT (6×5) со сверхнизким зарядом затвора STripFET Power MOSFET N-канальный 30 В, 0,004 Ом, 20 A, PowerFLAT⑩ (6×5) со сверхнизким зарядом затвора STripFET⑩ Power MOSFET	STMicroelectronics
СТС12Нх4ЛЛ СТС12Нх4ЛЛ07	N-канальный 30 В – 0,008 Ом – 12 A – SO-8 со сверхнизким зарядом затвора STripFET Power MOSFET N-канальный 30 В – 0,008 Ом – 12 A – SO-8 со сверхнизким зарядом затвора STripFET⑩ Power MOSFET	STMicroelectronics
ИПД040Н03ЛГ ИПС040Н03ЛГ	Характеристики силового транзистора OptiMOS?3 Превосходный заряд затвора x R Продукт DS(on) (FOM) Характеристики силового транзистора OptiMOS®3 Превосходный заряд затвора x R Продукт DS(on) (FOM)	Инфинеон Текнолоджиз АГ

Связанное ключевое слово из системы полнотекстового поиска

IRFS640A встроенный	IRFS640A ic查找网站	IRFS640A тип файла:pdf	Микросхема защиты IRFS640A	IRFS640A ic在线
Стандарт IRFS640A	Резистор IRFS640A	IRFS640A скачать	Серия IRFS640A	IRFS640A Скачать

Цена и наличие IRFS640A от

[Добавить закладку] [Контакты Нас] [Обмен ссылками] [Политика конфиденциальности]

Сайты-зеркала: [www.