Irfz44N распиновка: Транзистор IRFZ44N: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

Транзистор IRFZ44N полевой N-канальный 55V 49A корпус TO-220AB

Описание товара Транзистор IRFZ44N полевой N-канальный 55V 49A корпус TO-220AB

IRFZ44N – N-канальный полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET, КМОП), изготовленный по технологии производства качественных силовых транзисторов – HEXFET. Транзистор имеет хорошие технические характеристики и нагрузочную способность, что способствует его широкому распространению в схемотехнике различных силовых промышленных установок. При правильном охлаждении максимальная мощность рассеивания может достигать 94 Вт.

Уточнение — хотя сам полевой транзистор теоретически может выдержать рассеивание вплоть до 94 Вт, сам корпус TO-220 имеет рекомендуемое тепловыделение до 50 Вт.

Применение

Идеально подходит для управления мощной нагрузкой с помощью ШИМ (широтно-импульсной модуляции), поскольку из-за малого сопротивления n-канала позволяет пропустить через себя относительно большие токи без существенного нагрева.

Транзистор IRFZ44N применяется в схемах полумостовых и мостовых блоков питания, мощных управляющих ключей, в инверторах, источниках бесперебойного питания (ИБП) и других преобразователях. Благодаря своим качественным характеристикам заслужил большую популярность как у промышленных производителей оборудования, так и у радиолюбителей в качестве основы для самоделок. Второму варианту способствует и низкая цена детали, а также ее большая распространенность.

IRFZ44N – Параметры полевого транзистора

• Тип: N-канальный
• Максимальное напряжение (сток-исток): 55 В
• Максимальное напряжение (затвор-сток): ±20 В
• Сопротивление открытого канала: 16.5 мОм
• Максимальный ток (T = 25°C, Напряжение затвора = 10 В): 49 А
• Максимальный ток (T = 100°C, Напряжение затвора = 10 В): 35 А
• Импульсный (пусковой) ток: 160 А
• Общий заряд затвора: 63 нК
• Емкость затвора: 1470 пФ

IRFZ44N – Аналоги и похожие модели

• STP55NF06 – практически идентичный транзистор от другого производителя.
• IRLZ44N – имеет такие же параметры, только приспособлена для работы с логическими уровнями, в частностями с выходами микросхем (о чем свидетельствует буква L (Logic) в названии). Гарантированно открывается от 5 В напряжения на затворе.
• IRFZ46N – немного умощненная модель, если нужен больший запас по мощности.

IRFZ44N – Datasheet (техническая документация)

В конце страницы вы можете просмотреть техническую документацию (datasheet) к полевому транзистору. Даташит хранит в себе полную информацию от производителя обо всех технических параметрах и зависимостях полупроводникового элемента.

В интернет-магазине Electronoff можно купить транзистор IRFZ44N, большое количество аналогов и других компонентов, так же как и паяльное оборудование с комплектующими к нему.

По Киеву мы доставим покупку прямо в день заказа, если товар есть у нас на складе.. Жителей всех остальных городов мы покрываем благодаря работе со многими почтовыми сервисами.

характеристики datasheet на русском, аналоги, параметры, схема, распиновка и схема включения, аналог

Аналоги транзистора IRFZ44N

Маркировка	Pol	Struct	Pd	Uds	Ugs	Ugs(th)	Id	Tj	Qg	Tr	Cd	Rds	Caps
2SK1542	N	MOSFET	125	60	20		45	150		20	1500	0.02	TO220AB
2SK3270-01	N	MOSFET	135	60	30		80	150				0. 0065	TO220AB
2SK3435	N	MOSFET	84	60	20		80	150	60	1200	520	0.014	TO220AB
AM90N06-15P	N	MOSFET	300	60	20	1	90	175	49	10	290	0.0105	TO220AB
AM90N06-16P	N	MOSFET	300	60	20	1	90	175	21	17	184	0.0165	TO220AB
AM90N08-08P	N	MOSFET	300	80	20	1	90	175	58	45	449	0.011	TO220AB
AM90N10-14P	N	MOSFET	300	100	20	1	90	175	60	49	392	0.016	TO220AB
AM90N10-23P	N	MOSFET	300	100	20	1	110	175	30	9		0. 023	TO220AB
AUIRF1010EZ	N	MOSFET	140	60	20		84		58			0.0085	TO220AB
AUIRF1018E	N	MOSFET	110	60	20	4	79	175	46			0.0084	TO220AB
AUIRFB3607	N	MOSFET	140	75			80		56			0.009	TO220AB
AUIRFZ48N	N	MOSFET	94	55	20	4	64	175	42			0.014	TO220AB
AUIRFZ48Z	N	MOSFET	91	55	20	4	61	175	43			0.011	TO220AB
AUIRL3705Z	N	MOSFET	130	55	16	3	86	175	40			0. 008	TO220AB
BUK7506-55A	N	MOSFET	300	55	20	4	75	175				0.0063	TO220AB
BUK7507-55B	N	MOSFET	203	55	20	4	75	175	53			0.0071	TO220AB
BUK7509-55A	N	MOSFET	211	55	20	4	75	175	62			0.009	TO220AB
BUK7509-75A	N	MOSFET	230	75	20	4	75	175				0.009	TO220AB
BUK7511-55A	N	MOSFET	166	55	20	4	75	175				0.011	TO220AB
BUK7511-55B	N	MOSFET	157	55	20	4	75	175	37			0. 011	TO220AB
BUK7513-75B	N	MOSFET	157	75			75		40			0.013	TO220AB
BUK7514-55A	N	MOSFET	166	55	20	4	73	175				0.014	TO220AB
BUK7515-100A	N	MOSFET	300	100	20	4	75	175				0.015	TO220AB
BUK7516-55A	N	MOSFET	138	55	20	4	65.7	175				0.016	TO220AB
BUK7520-100A	N	MOSFET	200	100	20	4	63	175				0.02	TO220AB
BUK7520-55A	N	MOSFET	118	55	20	4	54	175				0. 02	TO220AB
BUK7523-75A	N	MOSFET	138	75	20	4	53	175				0.023	TO220AB
BUK9506-55B	N	MOSFET	258	55	15	2	75	175	60			0.0054	TO220AB
BUK9508-55B	N	MOSFET	203	55	15	2	75	175	45			0.007	TO220AB
BUK9509-75A	N	MOSFET	230	75	10	2	75	175				0.0085	TO220AB
BUK9511-55A	N	MOSFET	166	55	10	2	75	175				0.01	TO220AB
BUK9512-55B	N	MOSFET	157	55	15	2	75	175	31			0. 01	TO220AB
BUK9514-55A	N	MOSFET	149	55	10	2	73	175				0.013	TO220AB
BUK9515-100A	N	MOSFET	230	100	10	2	75	175				0.0144	TO220AB
BUK9516-55A	N	MOSFET	138	55	10	2	66	175				0.015	TO220AB
BUK9516-75B	N	MOSFET	157	75	15	2	67	175	35			0.014	TO220AB
BUK9518-55A	N	MOSFET	136	55	15	2	61	175				0.016	TO220AB
BUK9520-100A	N	MOSFET	200	100	10	2	63	175				0. 019	TO220AB
BUK9520-100B	N	MOSFET	203	100	15	2	63	175	53.4			0.0185	TO220AB
BUK9520-55A	N	MOSFET	118	55	10	2	54	175				0.018	TO220AB
BUK9523-75A	N	MOSFET	138	75	10	2	53	175				0.022	TO220AB
BUK9524-55A	N	MOSFET	105	55	10	2	46	175				0.0217	TO220AB
CS3205_A8	N	MOSFET	230	60	20		120	175		82	750	0.008	TO220AB
CS3205_B8	N	MOSFET	230	55	20		110	175		51	903	0. 0085	TO220AB
CS3710_B8	N	MOSFET	200	100	20		57	175		30	620	0.023	TO220AB
CS4145	N	MOSFET	200	60	20		84	175		75	375	0.01	TO220AB
CS75N75_B8H	N	MOSFET	230	75	20		100	175		57	720	0.0115	TO220AB
CSZ44V-1	N	MOSFET	150	60	20		55	175		27	280	0.01	TO220AB
FDP10AN06A0	N	MOSFET	135	60	20	4	75	175		128	340	0.0105	TO220AB
FDP13AN06A0	N	MOSFET	115	60	20	4	62	175		96	260	0. 0135	TO220AB
FDP14AN06LA0	N	MOSFET	125	60	20	3	67	175		169	270	0.0116	TO220AB
FDP20AN06A0	N	MOSFET	90	60	20	4	45	175		98	185	0.02	TO220AB
FDP5500	N	MOSFET	375	55	20	4	80	175		34	1310	0.007	TO220AB
HUF76432P3	N	MOSFET	130	60	16	3	56	175	53			0.021	TO220AB
HUF76437P3	N	MOSFET	155	60	16		64	175				0.017	TO220AB
HY110N06T	N	MOSFET	125	55	20	3	110	175		12. июн	385	0.0055	TO220AB
HY75N075T	N	MOSFET	83.3	75	20	4	75	175		19.фев	650	0.009	TO220AB
HY80N075T	N	MOSFET	125	75	20	4	80	175		18.фев	420	0.008	TO220AB
HY80N07T	N	MOSFET	96.7	65	20	4	80	175		22.июн	660	0.0072	TO220AB
IRF1010EZ	N	MOSFET	140	60	20	4	84	175	58			0.0085	TO220AB
IRF1018E	N	MOSFET	110	60	20		79		46			0.0084	TO220AB
IRF4410A	N	MOSFET	230	100	20	4	97	175		52	430	0. 009	TO220AB
IRFB3607	N	MOSFET	140	75	20		80		56			0.009	TO220AB
IRFB3607G	N	MOSFET	140	75	20		80		56			0.009	TO220AB
IRFB3607GPBF	N	MOSFET	140	75	20	4	80	175	56	110	280	0.009	TO220AB
IRFB3607PBF	N	MOSFET	140	75	20	4	80	175	56	110	280	0.009	TO220AB
IRFB4510PBF	N	MOSFET	140	100	20	4	62	175	58	32	220	0.0135	TO220AB
IRFB7545	N	MOSFET	125	60	20	03. июл	95	175		72	370	0.0059	TO220AB
IRFB7546	N	MOSFET	99	60	20	03.июл	75	175		51	280	0.0073	TO220AB
IRFB7740	N	MOSFET	143	75	20	03.июл	87	175		60	370	0.0073	TO220AB
IRFB7746	N	MOSFET	99	75	20	03.июл	59	175		36	255	0.0106	TO220AB
IRFB7787	N	MOSFET	125	75	20	03.июл	76	175		48	330	0.0084	TO220AB
IRFZ44E	N	MOSFET	110	60	10	4	48	150	40			0. 023	TO220AB
IRFZ44N	N	MOSFET	83	55	10	4	41	150	62			0.024	TO220AB
IRFZ44V	N	MOSFET	115	60	20		55		44.7			0.0165	TO220AB
IRFZ44VZ	N	MOSFET	92	60	20	4	57	175	43			0.012	TO220AB
IRFZ46N	N	MOSFET	88	55	10		46	150	48			0.02	TO220AB
IRFZ48N	N	MOSFET	94	55	10		53	150	54			0.016	TO220AB
IRFZ48Z	N	MOSFET	91	55	20	4	61	175	43			0. 011	TO220AB
IRL3705Z	N	MOSFET	130	55	16	3	86	175	40			0.008	TO220AB
IRL3705ZPBF	N	MOSFET	130	55	16	3	75	175		240	420	0.008	TO220AB
IRLZ44N	N	MOSFET	83	55			41	150	32			0.022	TO220AB
IRLZ44NPBF	N	MOSFET	110	55	16	2	47	175		84	400	0.022	TO220AB
KF50N06P	N	MOSFET	96	60	20		50	150		100	405	0.0142	TO220AB
KF60N06P	N	MOSFET	113	60	20		60	150		75	490	0. 0115	TO220AB
KF70N06P	N	MOSFET	125	60	20		70	150		110	543	0.01	TO220AB
KF80N08P	N	MOSFET	230	75	20		80	175		228	840	0.0085	TO220AB
KMB050N60P	N	MOSFET	120	60	20		50	175		100	460	0.018	TO220AB
KMB050N60PA	N	MOSFET	120	60	25		50	175		100	70	0.016	TO220AB
KMB060N60PA	N	MOSFET	150	60	25		60	175		220	360	0.0115	TO220AB
KMB080N75PA	N	MOSFET	300	75	25		80	175		25	730	0. 01	TO220AB
KU034N08P	N	MOSFET	192	75	20		170	150		250	1150	0.003	TO220AB
KU045N10P	N	MOSFET	192	100	20		150	150		240	1000	0.0039	TO220AB
MTE010N10E3	N	MOSFET	150	100	20		70	175	48	12	250	0.0096	TO220AB
MTN1308E3	N	MOSFET	230	75	30		80	175	42	200	340	0.0105	TO220AB
MTN2510E3	N	MOSFET	155	100	30		50	175		67	236	0.017	TO220AB
MTN2510LE3	N	MOSFET	155	100	20		50	175	45	200	224	0. 022	TO220AB
MTN3205E3	N	MOSFET	200	55	20		128	175		116	580	0.0039	TO220AB
MTN50N06E3	N	MOSFET	120	60	20		50	175		58	364	0.019	TO220AB
PHP110NQ06LT	N	MOSFET	200	55	15	2	75	175		123	520	0.007	TO220AB
PHP110NQ08LT	N	MOSFET	230	75	20	2	75	175		185	905	0.0085	TO220AB
PHP110NQ08T	N	MOSFET	230	75	20	4	75	175		107	840	0.009	TO220AB
PHP112N06T	N	MOSFET	200	55	20	4	75	175		94	720	0. 008	TO220AB
PHP119NQ06T	N	MOSFET	200	55	20	4	75	175		52	554	0.0071	TO220AB
PHP160NQ08T	N	MOSFET	300	75	20	4	75	175		56	845	0.0056	TO220AB
PHP52N06T	N	MOSFET	120	60	20	4	52	175		74	290	0.022	TO220AB
PHP54N06T	N	MOSFET	118	55	20	4	54	175		74	290	0.02	TO220AB
PHP73N06T	N	MOSFET	166	60	20	4	73	175		79	421	0.014	TO220AB
PHP75NQ08T	N	MOSFET	157	75	20	4	75	175		36	320	0. 013	TO220AB
PHP79NQ08LT	N	MOSFET	157	75	15	2	73	175	30			0.016	TO220AB
PSMN012-80PS	N	MOSFET	148	80	20	4	74	175	43			0.011	TO220AB
PSMN013-100PS	N	MOSFET	170	100	20	4	68	175	59			0.0139	TO220AB
PSMN015-60PS	N	MOSFET	86	60	20	4	50	175	20.сен			0.0148	TO220AB
PSMN016-100PS	N	MOSFET	148	100	20	4	96	175	49			0.016	TO220AB
PSMN017-80PS	N	MOSFET	103	80	20	4	50	175	26			0. 017	TO220AB
PSMN7R6-60PS	N	MOSFET	149	60	20	4	92	175	38.7			0.0078	TO220AB
PSMN8R7-80PS	N	MOSFET	170	80	20	4	90	175	52			0.0087	TO220AB
RFP50N06LE	N	MOSFET	142	60			50	150				0.022	TO220AB
RJK1008DPN	N	MOSFET	125	100			80					0.0085	TO220AB
RJK1021DPN	N	MOSFET	100	100			70					0.016	TO220AB
RJK1536DPN	N	MOSFET	125	150			50					0.024	TO220AB
SQP120N06-06	N	MOSFET	175	60	20	03.май	119	175		14	708	0.006	TO220AB
SQP120N10-09	N	MOSFET	375	100	20	03.май	120	175		24	635	0.0095	TO220AB
SQP60N06-15	N	MOSFET	107	60	20	03.май	56	175		12	314	0.015	TO220AB
STK5006P	N	MOSFET	120	60	20		50	150		105	445	0.022	TO220AB
STK7006P	N	MOSFET	147	60	20		70	175	43	200	722	0.016	TO220AB

IRFZ44N MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики

Наименование прибора: IRFZ44N

• Тип транзистора: MOSFET
• Полярность: N
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
• Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V
• Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
• Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 41 A
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
• Общий заряд затвора (Qg): 62 nC
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.024 Ohm
• Тип корпуса: TO220AB

Автор: Редакция сайта

Электрическая зажигалка для газовой плиты своими руками

На китайских сайтах имеются в продаже различные электродуговые зажигалки промышленного производства. Но можно сделать такую зажигалку для газовых плит своими руками.

Идея заключается в том, что нужно получить высокое напряжение высокой частоты, которое образует горячую дугу. При помощи этой дуги можно с легкостью воспламенить бытовой газ, бумагу или сигареты.

Зажигалка состоит из нескольких узлов:

1. Плата зарядки для одного Li-ion аккумулятора со встроенной защитой от разряда. Плата имеет несколько индикаторных светодиодов, один из которых горит в процессе заряда, а другой загорается, когда аккумулятор полностью зарядиться. Наличие такой платы позволит зарядить аккумулятор током до 1 А от любого источника в 5 В, к примеру, от обыкновенного USB-порта.

2. Li-ion аккумулятор подойдет любого размера и емкости. В примере используется аккумулятор стандарта 18490 с емкостью 1400 мАч. Он немного короче обычных 18650. Выбор обусловлен габаритными размерами корпуса зажигалки.

3. Преобразователь, построенный по простой автогенераторной схеме на базе полевого транзистора IRFZ44 и высоковольтного трансформатора. Трансформатор придется мотать самому.

За основу трансформатора был взят сердечник от электронного трансформатора для галогенных ламп на 50 Вт. Также отлично подойдет сердечник от дежурки компьютерного блока питания.

трансформатор

Трансформатор необходимо аккуратно выпаять, разобрать и удалить штатные обмотки. Сетевую обмотку нужно сохранить – она еще пригодится.

Половинки сердечника приклеены друг к другу, поэтому перед расстыковкой их нужно немного прогреть паяльником, чтобы не поломать.

Первичная обмотка состоит из 8 витков с отводом от середины. В качестве примерного измерителя используется указательный палец.

Обмотка намотана двумя шинами, каждая из которых состоит из 4 жил провода 0,5 мм, который был взят от сетевой обмотки разобранного ранее трансформатора.

После намотки первичную обмотку изолируют 10 слоями обычного скотча. Поверх мотается вторичная или повышающая обмотка.

Для намотки вторичной обмотки был использован провод от катушки реле. Подойдет любое компактное реле на 12 или 24 В. Диаметр провода может быть от 0,08 до 0,1 мм.

Для начала необходимо припаять кусочек многожильного провода в изоляции к тонкому проводу обмотки, а затем производить намотку. На любой стадии намотки провод не отрезается. Обмотка мотается послойно, и каждый слой может содержать от 70 до 100 витков. Поверх каждого слоя ставится изоляция тем же скотчем. В итоге должно получиться около 800 витков.

Далее, фиксируются половинки сердечника, и припаивается кусочек многожильного провода ко второму концу вторичной обмотки. Не помешает и прозвонить обмотку мультиметром, чтобы проверить на целостность. Затем ставится конечная изоляция с помощью изоленты.

После окончания всех этих процедур необходимо произвести фазирование первичной обмотки. Начало одного плеча нужно соединить с концом другого. Так получается средняя точка, куда подключается плюс от источника питания.

Далее, собирается схема автогенератора и проверяется на работоспособность. Высоковольтная дуга образуется уже на расстоянии в полсантиметра и растягивается до 1 см. Это свидетельствует о нормальной работе инвертора.

Теперь можно все установить в корпус.

Полевой транзистор не был установлен на теплоотвод, но очень рекомендуется сделать это. А также рекомендуется запрятать под термоусадку все оголенные части схемы.

Автор: АКА КАСЬЯН.

---

 

FGh50N60SFD – мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247)

ВНИМАНИЕ: отпускные (оптовые) цены на дискретные элементы резко поднялись на более чем 40%. 

     Пожалуй самые популярные мощные IGBT транзисторы FGh50N60SFD производства фирмы ON Semiconductor (до 2017 года Fairchild). Применяются в широком спектре силового оборудования: инверторные сварочные аппараты, выпрямители, стабилизаторы, мощные блоки питания и зарядные устройства.

     Современная отрасль силовой аппаратуры развивается по нескольким направлениям, основой для которых являются технологии ключевой схемотехники. Современные технические решения должны быть рассчитаны на уровни напряжений не менее 600 вольт при токах коммутации в районе нескольких десятков ампер. При этом необходимо учитывать высокую частоту переключений, что позволяет уменьшить размеры трансформаторов. Также ключевым требованием является стойкость к короткому замыканию.

     Благодаря совмещению структуры биполярного и полевого транзисторов удалось получить своего рода гибрид – Биполярный Транзистор с Изолированным Затвором (по английски IGBT). Типовым и востребованным в современной схемотехнике является IGBT транзистор FGh50N60SFD корпусе ТО-247 со встроенным быстродействующим диодом.

Краткие характеристики

• Полное наименование: FGh50N60SFDTU IGBT транзистор
• Максимальное напряжение VCES: 600 Вольт
• Максимальный ток коллектора IC: 40 Ампер при Тс=100°C (80 Ампер при Тс=25°C)
• Максимальная мощность: 116 Ватт Тс=100°C (290 Ватт при Тс=25°C)
• Максимальная температура: 150°C
• Тип корпуса: TO-247A

Подробные характеристики вы можете найти в прилагаемом datasheet на транзисторы FGh50N60SFD последней ревизии (предоставлен компанией ON Semi) – ссылка на документ внизу текущей страницы.

Распиновка и внешний вид

Рис. №2 Назначение выводов БТИЗ транзистора FGh50N60SFD

Рис. №3 Типовые размеры и форма корпуса оригинальных транзисторов FGh50N60SFD

     В связи с поглощением фирмой ON Semiconductor компании Fairchild в продаже встречаются два вида обозначений транзисторов: с буквой ” F “ – произведенные до 2018 года и с буквами ” ON “, произведенные с 2018 года. Внешний вид обоих вариантов представлен на фотографии ниже.

Рис. №4 Сравнение оригинальных IGBT транзисторов FGh50N60SFD, произведенных до и после 2018 года

Гарантии

Закупка IGBT транзисторов FGh50N60SFD производится исключительно в запечатанных заводских упаковках напрямую у производителя в составе крупнооптовых заказов для производственных сборочных линий.

Мы снимаем на видео вскрытие заводских упаковок и выкладываем на нашем канале на youtube (ссылка внизу страницы).

В 2017 годe компания ON Semiconductor выкупила фирму Fairchild, поэтому все новые оригинальные транзисторы, произведенные после 2017 года, имеют на корпусе логотип “ON” (вместо прежней “F”)!

В настоящее время встречается огромное количество подделок на IGBT транзисторы. Оригинальный FGh50N60SFD не может стоить дешевле отпускной оптовой цены производителя – 1.9334$/шт!

Рис. №5 Отпускная оптовая цена на транзисторы FGh50N60SFD на официальном сайте производителя

      Гарантия надежной работы это 100% оригиналы! При рабочей обвязке работоспособность гарантируется! Встречались случаи неоднократного выхода из строя из-за проблем в схеме – пожалуйста, доверьте ремонт устройства профессиональным мастерам!

     Дополнительной гарантией является тот факт, что мы продаем транзисторы FGh50N60SFD в нашем магазине на торговой площадке ebay (ссылки внизу данной страницы), где очень жестко наказывают за продажу некачественного товара. Покупателями оставлены только положительные отзывы.

Рис. №6 Отзывы покупателей IGBT транзисторов FGh50N60SFD в нашем магазине на ebay

Оптовые поставки

Для желающих купить IGBT транзисторы FGh50N60SFD оптом у нас имеются автоматические скидки.

Для представителей промышленности и сервисных центров по ремонту сварочного оборудования мы производим поставки IGBT транзисторов FGh50N60SFD оптом по самым выгодным ценам. Благодаря большим закупкам на протяжении более 10 лет мы вышли на прямые поставки от производителей. Оптовые поставки производятся в составе ежемесячных контейнеров. Окончательные цены обсуждаются индивидуально.

Статистические данные: величина закупленной партии для промышленного заказчика – 13 тыс штук (в 2016 г.) и 4500 шт (в 2017 г.).

Третья закупка произведена в июне 2018 г. (3 коробки по 450 штук в каждой).

Партия от 2019 года – 3 коробки по 450 штук (уже с логотипом “ON” на корпусе).

В 2021 году получена партия 2020 года выпуска в количестве 3 коробок – 1350 штук.

Обращений на подозрение брака: 0 человек

Доставка

     Отправка транзисторов FGh50N60SFD производится в любой город России с доставкой от 2 до 7 рабочих дней для срочных заказов и от 5 до 10 дней для обычных. В нашем магазине имеется специальная отправка для небольших радиокомпонентов общим весом до 100 грамм, поэтому до четырех транзисторов могут быть отправлены заказной бандеролью с трек номером для отслеживания местоположения и стоимостью от 90 руб. Данный вид отправки включает картонную книжку, внутрь которой в герметичном пакете помещаются транзисторы. Вся конструкция помещается в пластиковый пакет Почты России.

Заказы с количеством транзисторов от 10 штук отправляются в распиленных пластиковых рейках, помещенных в толстые картонные коробки. На коробку наклеивается адресный ярлык.

Оптовые заказы транзисторов FGh50N60SFD в количестве от 450 штук (одна заводская коробка) отправляются в промышленной упаковке без вскрытия (заводская пломба не нарушается). По желанию покупателя может быть вскрыто и отправлено фото погрузки (после поступления оплаты). 

Ссылки

Шим регулятор напряжения ваз – Все о Лада Гранта

Регулировка оборотов электродвигателей в современной электронной технике достигается не изменением питающего напряжения, как это делалось раньше, а подачей на электромотор импульсов тока, разной длительности. Для этих целей и служат, ставшие в последнее время очень популярными – ШИМ (широтно-импульсно модулируемые) регуляторы. Схема универсальная – она же и регулятор оборотов мотора, и яркости ламп, и силы тока в зарядном устройстве.

Схема ШИМ регулятора

Указанная схема отлично работает, печатная плата прилагается.

Без переделки схемы напряжение можно поднимать до 16 вольт. Транзистор ставить в зависимости от мощности нагрузки.

Можно собрать ШИМ регулятор и по такой электрической схеме, с обычным биполярным транзистором:

А при необходимости, вместо составного транзистора КТ827 поставить полевой IRFZ44N, с резистором R1 – 47к. Полевик без радиатора, при нагрузке до 7 ампер, не греется.

Работа ШИМ регулятора

Таймер на микросхеме NE555 следит за напряжением на конденсаторе С1, которое снимает с вывода THR. Как только оно достигнет максимума – открывается внутренний транзистор. Который замыкает вывод DIS на землю. При этом на выходе OUT появляется логический ноль. Конденсатор начинает разряжаться через DIS и когда напряжение на нем станет равно нулю – система перекинется в противоположное состояние — на выходе 1, транзистор закрыт. Конденсатор начинает снова заряжаться и все повторяется вновь.

Заряд конденсатора С1 идет по пути: «R2->верхнее плечо R1 ->D2«, а разряд по пути: D1 -> нижнее плечо R1 -> DIS. Когда вращаем переменный резистор R1, у нас меняются соотношения сопротивлений верхнего и нижнего плеча. Что, соответственно, меняет отношение длины импульса к паузе. Частота задается в основном конденсатором С1 и еще немного зависит от величины сопротивления R1. Меняя отношение сопротивлений заряда/разряда – меняем скважность. Резистор R3 обеспечивает подтяжку выхода к высокому уровню — так так там выход с открытым коллектором. Который не способен самостоятельно выставить высокий уровень.

Рекомендации по сборке и настройке

Диоды можно ставить любые, конденсаторы примерно такого номинала, как на схеме. Отклонения в пределах одного порядка не влияют существенно на работу устройства. На 4.7 нанофарадах, поставленных в С1, например, частота снижается до 18кГц, но ее почти не слышно.

Если после сборки схемы греется ключевой управляющий транзистор, то скорее всего он полностью не открывается. То есть на транзисторе большое падение напряжения (он частично открыт) и через него течет ток. В результате рассеивается большая мощность, на нагрев. Желательно схему параллелить по выходу конденсаторами большой емкости, иначе будет петь и плохо регулировать. Чтобы не свистел – подбирайте С1, свист часто идет от него. В общем область применения очень широкая, особенно перспективным будет её использование в качестве регулятора яркости мощных светодиодных ламп, LED лент и прожекторов, но про это в следующий раз. Статья написана при поддержке ear, ur5rnp, stalker68.

Принципиальные электросхемы, подключение устройств и распиновка разъёмов

Представляем простую конструкцию регулятора мощности, схема которого построена на таймере 555, работающем в режиме ШИМ. Транзисторы IRF3205 являются управляемыми элементами, причем транзисторы соединены параллельно для уменьшения сопротивления и лучшего рассеивания тепла.

Схема ШИМ на 12 В для ламп

Напряжение от трансформатора выпрямляется мостом на 50 А, установленным на радиаторе. Подается оно далее на стабилизатор 8 В, а затем в схему управления. Устройство должно было работать с несколькими галогенками 12 В 50 Вт.

Кстати, вы можете хорошо уменьшить нагрев транзисторов снизив частоту коммутации — на это стоит обратить внимание.

При полной яркости будет ток в нагрузке около 25 А. Так что уделите особое внимание винтовым соединительным разъемам. Кабели сечением 1,5 мм2 тоже недостаточны для такого большого тока.

Конечно, затворы лучше переключать напряжением около 10 — 12 В (не более 15 В для безопасности МОП-транзисторов), чем 6 В, хотя бы для того чтобы быть уверенным в их насыщении во включенном состоянии. А более высокое напряжение также означает более быструю перезагрузку затворов, что приводит к более короткому переходному времени, а это снижает потери мощности на них. Если они не насыщаются, то тепло, генерируемое на них с высокой рабочей мощностью, заставит транзисторы сильно греться.

Чтобы поднять управляющее напряжение, достаточно подключить R3 напрямую к источнику питания, а не к стабилизатору. Чтобы ускорить переключение, предлагаем конденсатор 0.1 мкФ поставить параллельно с R2 и, если необходимо, дополнительно в ряд перед этим параллельным соединением резистор, чтобы минимизировать токи при разряде конденсатора.

Вместо резистора R3 ещё лучше ставить резисторы 5-10 Ом в затворах mosfet и использовать более мощные биполярные транзисторы, например семейства BD136 — BD140 соответствующих типов проводимости.

Упрощенный ШИМ 12V регулятор постоянного тока

Для регуляторов оборотов мотора постоянного тока можно использовать эту, показанную выше схему. Здесь нет необходимости использовать управляющие транзисторы. Mosfet могут быть подключены параллельно, добавив один 30-ти омный резистор к затвору каждого транзистора. Плату можете скачать в архиве.

Предлагаемые усовершенствования регулятора обеспечивают повышенную стабильность выходного напряжения автомобильного генератора при изменении тока его нагрузки и режима работы двигателя. Современные автомобили имеют сложное и многофункциональное электрооборудование,

надёжная работа которого обеспечивает работоспособность транспортного средства и безопасность его эксплуатации. Надёжность электрооборудования во многом зависит от стабильности напряжения в бортовой сети. Обеспечение неизменности этого напряжения — сложная задача, особенно на переходных режимах, когда частота вращения генератора и ток его нагрузки резко изменяются.

Вместе с регулятором напряжения, поддерживающим его постоянство, генератор образует систему автоматического регулирования. При определённых условиях такая система может терять устойчивость, что проявляется в виде резких колебаний выходного напряжения генератора и зарядного тока аккумуляторной батареи. Поэтому очень важно обеспечить устойчивость системы регулирования во всех условиях эксплуатации.

Наиболее широкое распространение сегодня получили электронные регуляторы, работающие в релейном автоколебательном режиме Такой регулятор при превышении выходным напряжением генератора заданного верхнего порога отключает его обмотку возбуждения от бортсети.

Ток в обмотке начинает спадать, что приводит к уменьшению генерируемого напряжения. Как только оно становится меньше нижнего порога, обмотка возбуждения вновь подключается к бортсети и ток в ней, а с ним и выходное напряжение генератора нарастают Таким образом, напряжение генератора всё время колеблется, но его среднее значение поддерживается стабильным.

Регуляторы с «принудительной» ШИМ более совершенны. За счёт повышенной частоты коммутации обмотки возбуждения напряжение генератора в установившемся режиме практически неизменно, хотя в переходных режимах колебания всё же могут возникать.

Такие регуляторы (один из них описан в статье Е. Тышкевича «ШИ регулятор напряжения». — Радио, 1984, № 6, с. 27, 28) не получили широкого распространения, вероятно, из-за того, что их параметры не намного лучше, чем обычных автоколебательных. Хотя они и выпускаются серийно, в магазинах их найти трудно. Продавцы либо вообще ничего не знают о таких регуляторах, либо утверждают, что они не пользуются спросом.

При эксплуатации автомобиля важную роль имеет такой параметр, как нагрузочная способность генератора при малых оборотах двигателя. От неё зависит минимальная частота вращения вала двигателя, при которой обеспечивается зарядка батареи. Электронные регуляторы напряжения чаще всего теряют устойчивость именно в ситуациях, когда частота вращения мала, а ток нагрузки велик.

Эта их особенность хорошо известна автомобилистам, некоторые из которых заменяют электронные регуляторы устаревшими контактно-вибрационными, которые в этом отношении более надёжны. Но вместе с повышенной устойчивостью они получают недостатки, свойственные этому типу регуляторов. Многие автомобилисты заменяют штатную аккумуляторную батарею другой, имеющей повышенную ёмкость, так как считают, что это улучшает устойчивость работы электронных регуляторов.

К сожалению, колебания выходного напряжения генератора не берутся устранять в автосервисах. При этом их работники утверждают, что никакой неисправности нет, поскольку аккумуляторная батарея всё-таки заряжается, хотя и зарядный ток, и напряжение генератора пульсируют.

Учитывая всё сказанное, автор попытался повысить устойчивость работы стандартного электронного регулятора напряжения 59.3702-01. На рис. 1 изображена его схема после первого варианта доработки, которая свелась к установке дополнительной цепи из резистоpa R8 и конденсатора С2, выделенной на рисунке цветом. Импортный диод S1М можно заменить отечественным из серии КД202 или КД209.

Принцип работы регулятора остался прежним. По мере увеличения напряжения в бортсети, поданного на вывод «15» регулятора, потенциал базы транзистора VT1 относительно его эмиттера становится более отрицательным и при некотором значении этого напряжения (заданном перемычками S1— S3) транзистор открывается.

В результате закрываются транзисторы VT2 и VT3 разрывающие цепь питания обмотки возбуждения генератора, подключённой между выводом «67» регулятора и общим проводом. Но ток в обладающей значительной индуктивностью обмотке не может прекратиться мгновенно. Он продолжает течь через открывшийся диод VD2, постепенно спадая.

Вместе с током возбуждения спадает и напряжение, отдаваемое генератором в бортсеть. Через некоторое время транзистор VT1 закрывается, a VT2 и VT3 открываются, что приводит к нарастанию тока в обмотке возбуждения генератора и увеличению напряжения. Описанный процесс периодически повторяется, и среднее значение напряжения генератора поддерживается неизменным. Цепь R7C3 ускоряет процесс переключения транзисторов VT1—VT3.

При увеличении напряжения в бортсети, вызванном, например, отключением мощной нагрузки или увеличением частоты вращения двигателя, вновь установленный конденсатор С2 заряжается, причём зарядный ток, часть которого протекает через базовую цепь транзистора VT1, пропорционален скорости нарастания напряжения.

В результате VT1 открывается, а транзисторы VT2 и VT3 закрываются раньше, чем это было без конденсатора. Спад тока в обмотке возбуждения также начинается раньше, что в значительной мере замедляет или вовсе устраняет увеличение напряжения, вызванное внешним фактором. Подобный процесс происходит и при быстром снижении напряжения.

Возникающие колебания демпфируются, и их размах значительно уменьшается. При медленных изменениях напряжения ток через конденсатор С2 мал и практически не влияет на работу регулятора в установившемся режиме, а также на точность стабилизации среднего значения напряжения.

Для проверки устойчивости системы стабилизации напряжения можно при работающем двигателе и генераторе включать и выключать мощный потребитель, например фары, контролируя амперметром ток аккумуляторной батареи.

При этом стрелка амперметра после первичного максимального отклонения от установившегося положения (оно связано с инерционностью генератора и неизбежно даже при идеальном регуляторе) должна возвращаться к старому или приходить к новому установившемуся положению монотонно без каких-либо колебаний.

Можно в некоторых пределах регулировать динамические характеристики системы, подбирая ёмкость конденсатора С2 и сопротивление включенного с ним последовательно резистора R8. Минимальная длительность переходного процесса обычно достигается при емкости конденсатора С2, немного большей той, при которой возникают колебания. Дальнейшее увеличение ёмкости приводит к сильному замедлению реакции системы на изменяющиеся внешние условия.

Следует обратить внимание, что для регулятора с описанной доработкой очень опасен момент его первичного подключения к бортсети. Конденсатор С2 в это время полностью разряжен Его зарядный ток вполне может достичь опасного для транзистора VT1 значения и вывести его из строя. Поэтому не следует значительно уменьшать номинал резистора R8 или вовсе исключать его.

Рис. 2

Хотя в практике автора отказов доработанного регулятора по описанной причине не случалось, рекомендуется принять меры по ограничению тока, текущего через базу транзистора VT1, например, включить дополнительный резистор в разрыв цепи, связывающей базу с точкой соединения резисторов R6—R8, конденсатора С1 и стабилитрона VD1. Номинал его следует выбирать максимальным, не ухудшающим заметно работу регулятора без конденсатора С2.

Известно, что для увеличения срока службы аккумуляторной батареи напряжение в бортсети должно возрастать с понижением температуры. Поэтому на практике производят сезонную регулировку напряжения В регуляторе 59.3702-01 перемычками S1—S3, замыкающими резисторы R1—R3, среднее напряжение генератора можно изменять в пределах 13,8… 14,6 В. При удалении перемычек оно уменьшается. Резисторы R1—R3 можно заменить одним под-строечным, что позволит регулировать напряжение генератора плавно.

Назначение светодиодов HL1 и HL2 после доработки не изменилось. Они позволяют оценить работоспособность системы регулирования. При включённом зажигании и неработающем двигателе должен светиться только светодиод HL2, показывая, что напряжение на обмотку возбуждения генератора подано. Свечение светодиода HL1 при неработающем двигателе означает, что регулятор неисправен. Когда двигатель работает, светятся оба светодиода.

Уменьшение частоты его вращения или увеличение нагрузки на бортсеть приводит к тому, что яркость светодиода HL2 растёт, a HL1 — падает. С увеличением частоты вращения или снижением нагрузки яркость изменяется в обратном направлении.

Регулятор до и после описанной доработки был испытан на старом автомобиле со старым аккумулятором. Было замечено, что на этом автомобиле из-за окисления контактов заметно увеличилось сопротивление электропроводки, а у аккумулятора возросло внутреннее сопротивление. Оба этих фактора приводят к снижению устойчивости системы регулирования напряжения.

С недоработанным регулятором 59.3702-01 стрелка амперметра, включённого в разрыв провода, соединяющего плюсовой вывод аккумуляторной батареи с бортсетью автомобиля, обычно колебалась с размахом 5… 10 А. Непосредственно после запуска двигателя размах колебаний нередко превышал 10 А начинали мигать фары. При длительной езде с большой скоростью размах иногда становился меньше 5 А, но это происходило нечасто.

После рассмотренной выше доработки регулятора стрелка амперметра никогда не колебалась с размахом более 0,5… 1 А. После запуска двигателя включённые фары никогда не мигали При длительной езде на большой скорости размах колебаний стрелки обычно уменьшался настолько, что их трудно было заметить.

При дальнейшей доработке из рассматриваемого регулятора были удалены резистор R7 и конденсатор СЗ, а между базой транзистора VT2 и точкой соединения коллектора транзистора VT1 с конденсатором С1 и резистором R9 вставлен узел, схема которого приведена на рис. 2. На схеме, изображённой на рис. 1, места разрывов цепей показаны крестами. Нумерация элементов на рис. 2 продолжает начатую на рис. 1.

В регулятор добавлены генератор импульсов экспоненциальной формы на логических элементах DD1.1 и DD1.3 и пороговое устройство на элементе DD1 2 с усилителем импульсов на транзисторе VT4. Микросхема DD1 питается напряжением 5 В от интегрального стабилизатора DA1.

После доработки транзистор VT1 служит усилителем сигнала рассогласования. Напряжение на его нагрузке — резисторе R9 — линейно зависит от разности текущего и номинального значений напряжения в бортсети. Это напряжение с помощью резисторов R13 и R14 суммируется с импульсами генератора. Сумма поступает на вход порогового устройства.

В результате на его выходе формируются импульсы, длительность которых зависит от отклонения напряжения в бортсети от номинала, а частота следования постоянна (около 2 кГц). Через усилитель на транзисторе VT4 они поступают на базу транзистора VT2 и управляют напряжением на обмотке возбуждения генератора.

Вид доработанного регулятора со снятой крышкой показан на рис. 3.

Дополнительные детали добавлены в него навесным монтажом. После установки этого регулятора на автомобиль стрелка амперметра никогда не колебалась с размахом более 0,5 А. Можно предположить, что при малом переходном сопротивлении контактов электропроводки и с новой аккумуляторной батареей колебания тока будут ещё меньше.

Автор; А. СЕРГЕЕВ, г. Сасово Рязанской обл Радио 314

1n4007: все, что нужно знать об этом диоде

Это не первый диод, который мы анализируем в этом блоге, 1n4007 в данном случае является диодом выпрямительного типа и одним из многих Электронные компоненты что вы можете использовать с Arduino. Дешевые дискретные полупроводниковые элементы, которые могут найти множество применений.

Например, эти выпрямительные диоды, как и 1n4007, они могут помочь вам преобразовать сигнал из переменного тока в постоянный, как в источниках питания (как я объяснил в этой другой статье), использовать их в других цепях, где необходимы выпрямления электрического сигнала, в цепях фиксации, регуляторах напряжения и т. д.

Выпрямительные диоды – это твердотельные устройства из полупроводникового материала, которые заменили вакуумные клапаны для выпрямления электрического сигнала.

Что такое выпрямительный диод?

Un выпрямительный диодКак и 1n4007, это один из существующих типов диодов и один из самых старых. Это один из самых простых способов, но, как я уже упоминал, он имеет множество применений, что делает его весьма важным в мире электроники.

Как вы хорошо знаете, название диода связано с его способностью разделять ток в положительные циклы альтернативного сигнала. Другими словами, это позволит прохождение положительных циклов переменного напряжения, когда оно поляризовано напрямую. Во время отрицательных циклов диод имеет обратную поляризацию, что предотвращает прохождение тока в этом направлении.

Другими словами, грубо говоря, это своего рода фильтр, который пропускает только положительные циклы сигнала, имея возможность различать негативы. Представьте себе все, чего вы могли бы достичь с помощью этой способности …

И для того, чтобы это было возможно, помните, что эти элементы изготовлены для работы с максимальной частотой, при которой они будут работать должным образом, с поддержкой максимального тока или интенсивности, при которой они смогут проводить в прямом направлении, и направлять поддерживаемое максимальное обратное напряжение. Те факторы таблицы Это те, которые вы должны учитывать в выбранной модели, чтобы не выходить за ее пределы и чтобы она работала правильно.

Как и другие диоды, он основан на PN полупроводниковый переход, обычно кремний, хотя могут быть и другие полупроводники, такие как германий. Как правило, они имеют тенденцию выдерживать до 200 ° C на стыке, очень высокие температуры, с очень низким сопротивлением и очень низким обратным напряжением.

1n4007 Особенности

El 1N4007 – выпрямительный диод широко используется во многих электроприборах, особенно в источниках питания, чтобы предотвратить возникновение проблем с источником отрицательного напряжения в цепи, которая перегорает из-за обратной полярности, или для источников питания в процессе преобразования сигнала переменного тока в постоянный и т. д.

Этот диод выдерживает токи до 1А непрерывно с напряжением, которое может идти до 700в. Это оставляет широкий диапазон действий для множества приложений. Кроме того, он также поддерживает определенные пики обратного напряжения до 1000 В и токи до 30 А.

Он заключен в пакет ДО-41, в общем, с двумя типичными клеммами. Что касается других функций, о которых вам следует знать:

• Обратное напряжение: от 500 до 700в.
• Пиковое обратное напряжение: 1000 В или 1 КВ
• Максимальный импульсный ток: 30A
• Максимальная сила постоянного тока: 1A
• Прямое падение напряжения: 1.1v
• Диапазон рабочих температур: От -55 ° C до 150 ° C. В некоторых случаях температура может варьироваться от -65ºC до 125ºC в зависимости от производителя …

Распиновка и таблица данных

О ваша распиновка, Это очень просто. Ранее я сказал, что у него всего два контакта. Один из них – катод, а другой – анод. Чтобы отличить его, вы должны смотреть на серую полосу на одном из ее концов на корпусе 1n4007. Этот конец полосы соответствует катоду (-), а другой конец – аноду (+).

Для получения дополнительной информации вы можете получить все подробности в таблице данных от производителя конкретного компонента, который вы выбрали. Здесь у вас есть пример этого, но помните, что могут быть небольшие отличия друг от друга, хотя большинство технических деталей одинаковы.

Цена и где купить

Цена на электронные компоненты этого типа крайне дешевая, они всего лишь стоят несколько евроцентов. Поэтому они очень доступны по цене. Вы можете найти их в специализированных магазинах электроники или купить в Интернете в таких магазинах, как Amazon. Например, вот некоторые продукты, которые могут вас заинтересовать:

1n4007 практическое применение

Раньше я уже связывал вас со статьей, в которой объяснял работу блок питания, но чтобы более наглядно увидеть использование 1n4007 и то, как вы можете создать свой собственный источник питания, чтобы узнать об основных принципах работы электроники и этого компонента, я оставляю вам это поучительное видео …

к Дополнительную информациюВы можете прочтите статью, в которой я описал эти этапы как только блок питания питается от сети, например, переменного тока 220В, а на его выходе выводится блок питания постоянного тока более низкого напряжения …

2n5401 транзистор характеристики, datasheet, цоколевка, аналоги

Производители

Далее по ссылкам и названием компаний можете найти datasheet 2N5401 от следующих производителей: NXP Semiconductors, Semtech Corporation, Boca Semiconductor Corporation, Micro Electronics, ON Semiconductor, Weitron Technology, UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Samsung semiconductor, Motorola, Inc, Multicomp, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD., SEMTECH ELECTRONICS LTD, Inchange Semiconductor Company Limited, KODENSHI KOREA CORP, New Jersey Semi-Conductor Products, Inc, Daya Electric Group Co., Ltd, Dc Components, Central Semiconductor Corp, AUK corp, Fairchild Semiconductor, Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd, Micro Commercial Components, Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD.

NTHS5404 Datasheet (PDF)

1.1. nths5404t1g.pdf Size:106K _update-mosfet

NTHS5404T1
Power MOSFET
20 V, 7.2 A, N-Channel ChipFETE
Features
• Low RDS(on) for Higher Efficiency
http://onsemi.com
• Logic Level Gate Drive
• Miniature ChipFET Surface Mount Package Saves Board Space
V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX
• Pb-Free Package is Available
20 V 25 mW @ 4.5 V 7.2 A
Applications
• Power Management in Portable and Battery-Powered Products; i.e.,
Cellul

1.2. nths5404t1.pdf Size:111K _onsemi

NTHS5404T1
Power MOSFET
20 V, 7.2 A, N-Channel ChipFETE
Features
Low RDS(on) for Higher Efficiency
http://onsemi.com
Logic Level Gate Drive
Miniature ChipFET Surface Mount Package Saves Board Space
V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX
Pb-Free Package is Available
20 V 25 mW @ 4.5 V 7.2 A
Applications
Power Management in Portable and Battery-Powered Products; i.e.,
Cellular and Cordle

 3.1. nths5402t1.pdf Size:200K _update-mosfet

NTHS5402T1
Power MOSFET
N-Channel ChipFETE
4.9 Amps, 30 Volts
Features
http://onsemi.com
• Low RDS(on) for Higher Efficiency
• Miniature ChipFET Surface Mount Package
4.9 AMPS
Applications
• Power Management in Portable and Battery-Powered Products; i.e., 30 VOLTS
Cellular and Cordless Telephones and PCMCIA Cards
RDS(on) = 35 mW
D
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise

NTHS5404 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: NTHS5404

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.2
A

Общий заряд затвора (Qg): 12
nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025
Ohm

Тип корпуса: ChipFET8

NTHS5404

Datasheet (PDF)

1.1. nths5404t1g.pdf Size:106K _update-mosfet

NTHS5404T1
Power MOSFET
20 V, 7.2 A, N-Channel ChipFETE
Features
• Low RDS(on) for Higher Efficiency
http://onsemi.com
• Logic Level Gate Drive
• Miniature ChipFET Surface Mount Package Saves Board Space
V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX
• Pb-Free Package is Available
20 V 25 mW @ 4.5 V 7.2 A
Applications
• Power Management in Portable and Battery-Powered Products; i.e.,
Cellul

1.2. nths5404t1.pdf Size:111K _onsemi

NTHS5404T1
Power MOSFET
20 V, 7.2 A, N-Channel ChipFETE
Features
Low RDS(on) for Higher Efficiency
http://onsemi.com
Logic Level Gate Drive
Miniature ChipFET Surface Mount Package Saves Board Space
V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX
Pb-Free Package is Available
20 V 25 mW @ 4.5 V 7.2 A
Applications
Power Management in Portable and Battery-Powered Products; i.e.,
Cellular and Cordle

 3.1. nths5402t1.pdf Size:200K _update-mosfet

NTHS5402T1
Power MOSFET
N-Channel ChipFETE
4.9 Amps, 30 Volts
Features
http://onsemi.com
• Low RDS(on) for Higher Efficiency
• Miniature ChipFET Surface Mount Package
4.9 AMPS
Applications
• Power Management in Portable and Battery-Powered Products; i.e., 30 VOLTS
Cellular and Cordless Telephones and PCMCIA Cards
RDS(on) = 35 mW
D
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise

Другие MOSFET… NTHD3102C
, NTHD3133PF
, NTHD4102P
, NTHD4502N
, NTHD4508N
, NTHD4P02
, NTHS4101P
, NTHS4166N
, IRF150
, NTHS5441T1
, NTHS5443
, NTJD1155L
, NTJD4001N
, NTJD4105C
, NTJD4152P
, NTJD4158C
, NTJD4401N
.

IRFZ44N MOSFET Распиновка, характеристики, аналоги и техническое описание

IRFZ44N – это N-канальный полевой МОП-транзистор с высоким током стока 49 А и низким сопротивлением сопротивления 17,5 мОм. Он также имеет низкое пороговое напряжение 4 В, при котором полевой МОП-транзистор начинает проводить. Следовательно, он обычно используется с микроконтроллерами для управления напряжением 5 В. Однако схема драйвера необходима, если MOSFET должен быть полностью включен.

Конфигурация контактов

Номер контакта	Имя контакта	Описание
1	Ворота	Управляет смещением полевого МОП-транзистора
2	Слив	Ток протекает через сток
3	Источник	Ток течет через Источник

Характеристики

• N-канальный полевой МОП-транзистор слабого сигнала
• Непрерывный ток утечки (ID) составляет 49 А при 25 ° C
• Импульсный ток утечки (ID-пик) составляет 160 А
• Минимальное пороговое напряжение затвора (VGS-ое) 2В
• Максимальное пороговое напряжение затвора (VGS-ое) 4В
• Напряжение затвор-исток (VGS) составляет ± 20 В (макс.)
• Максимальное напряжение сток-исток (VDS) составляет 55 В
• Время нарастания и спада составляет около 60 нс и 45 нс соответственно.
• Обычно используется с Arduino из-за низкого порогового тока.
• Поставляется в упаковке К-220

Примечание: Полную техническую информацию можно найти в таблице данных IRFZ44N , приведенной в конце этой страницы.

Альтернативы IRFZ44N

IRF2807, IRFB3207, IRFB4710

Где использовать IRFZ44N MOSFET

IRFZ44N известен своим высоким током стока и высокой скоростью переключения .В дополнение к этому он также имеет низкое значение Rds, что поможет повысить эффективность коммутационных схем. МОП-транзистор начнет включаться при небольшом напряжении затвора 4 В, но ток стока будет максимальным только при приложении напряжения затвора 10 В. Если МОП-транзистор должен управляться напрямую от микроконтроллера, такого как Arduino, попробуйте версию МОП-транзистора IRLZ44N с логическим уровнем.

Разница между IRLZ44N и IRFZ44N Mosfet

МОП-транзисторы IRLZ44N и IRFZ44N часто путают друг с другом и используются неправильно.IRLZ44N – это МОП-транзистор логического уровня с очень низким пороговым напряжением затвора 5 В, что означает, что МОП-транзистор может быть полностью включен с помощью всего 5 В на его выводе затвора, что позволяет избежать необходимости в схеме драйвера.

IRFZ44N, с другой стороны, требует схемы драйвера затвора, если MOSFET должен быть полностью включен с помощью микроконтроллера, такого как Arduino. Тем не менее, он частично включается при прямом питании 5 В от вывода ввода / вывода, но выходной ток стока будет ограничен.

Как использовать IRFZ44N MOSFET

В отличие от транзисторов полевые МОП-транзисторы являются устройствами, управляемыми напряжением.Это означает, что они могут быть включены или выключены путем подачи необходимого порогового напряжения затвора (VGS). IRFZ44N – это N-канальный полевой МОП-транзистор, поэтому выводы стока и истока будут оставаться открытыми, когда на вывод затвора не подается напряжение. Когда подается напряжение затвора, эти контакты закрываются.

Если требуется переключение с помощью Arduino, тогда простая схема управления с использованием транзистора будет работать, чтобы обеспечить необходимое напряжение затвора, чтобы запустить полевой МОП-транзистор для полного открытия. Для других применений коммутации и усиления требуется специальный драйвер MOFET IC .

IRFZ44N с затвором 5 В (Arduino)

Если вывод затвора MOSFET напрямую подключен к выводу ввода-вывода микроконтроллера, такого как Arduino, PIC и т. Д., То он не откроется полностью, и максимальный ток стока будет зависеть от напряжения, приложенного к выводу затвора. График ниже показывает, какой ток стока разрешен для порогового напряжения затвора от 4 В до 10 В.

Как видите, полевой МОП-транзистор полностью открывается только тогда, когда напряжение затвора составляет около 10 В.Если оно где-то около 5 В, то ток стока ограничен до 20 А и так далее.

Приложения

• Коммутационные аппараты большой мощности
• Регулировка частоты вращения двигателей
• Светодиодные диммеры или мигалки
• Приложения высокоскоростной коммутации
• Преобразователи или схемы инверторов

2D модель детали

Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы данных будет полезен, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.

Irfz44 pdf

1 2 3 to- 220 tab am01475v1_ nozen d (2, tab) g (1) s (3) характеристики код заказа vds rds (on) макс. температура корпуса vds 90% 10% vgs td (on) tr td (off) tf ≤ 1 ≤ 0. Пример логотипа выпрямителя с международным номером детали: это irf1010 с кодом партии сборки 9b1m код партии сборки код даты (yyww) yy = год ww = неделя. купить mosfet irfz44n to- 220ab n- канал 55в. Сегодня я собираюсь подробно познакомить вас с irfz44n.irfz44 datasheet, irfz44 pdf, irfz44 datasheet, datasheet, data sheet, pdf, международный выпрямитель, 60-вольтовый одноканальный n-канальный полевой МОП-транзистор с шестью полевыми транзисторами в корпусе to-220ab. это силовой МОП-транзистор. позвоните или запросите цитату онлайн. com для получения контактной информации по продажам. irfz44 sihfz44 абсолютные максимальные номинальные значения (tc = 25 ° c, если не указано иное) параметр символ предельное значение единица напряжение сток-исток vds 60 В напряжение затвор-исток vgs ± 20 непрерывный ток стока vgs при 10 В tc = 25 ° c id 50 непрерывный сток ток tc = 100 ° C 36 импульсный ток стока a idm 200 коэффициент линейного снижения 1.

изготовлен по «траншейной» технологии и заключен в пластиковую структуру. pdf размер: 252k _ lrc leshan radio company, ltd 55v n-channel mode mosfet vds = 55v lirfz44n rds (on), = 17. это огромная разница между 3a 40v и 3a 5v. irfz44n power mosfet components datasheet pdf data sheet free from datasheet4u. Бесплатная доставка доступна.

irfz44: силовой МОП-транзистор (vdss = 55 В, rds (on) = 17. Тест импульса 250 мкс 2. Он также имеет низкое пороговое напряжение 4 В, при котором МОП-транзистор начинает проводить ток.irfz44 datasheet, irfz44 pdf, замена, аналог, техпаспорт, irfz44 распиновка, схема, электрическая схема. поиск по перекрестным ссылкам.

irfz44 datasheet, pdf подробнее. n-канал и p-канал. нетто / б / сс / вишайпрод / 1 / ч. да, МОП-транзистор перейдет в режим теплового разгона, если напряжение затвор-исток ниже порога нулевого температурного коэффициента. что такое irf z44n? pdf размер: 859k _ международный_ выпрямитель pdirfz44pbf • бессвинцовый 14.01.04 номер документа: 91291 www.

com даташиты на электронные компоненты.irfz44 datasheet – vds = 60v, power mosfet – vishay, даташит sihfz44, irfz44 pdf, распиновка irfz44, руководство irfz44, схема irfz44, эквивалент irfz44. при подаче напряжения на затвор эти контакты закрываются. в наличии запчасти отправляются в тот же день!

сот78 (то220аб); контакт 2 подключен к монтажной базе. Я уже поделился базовой информацией о различных ИС и транзисторах в своих предыдущих уроках. e. irfz44 datasheet (pdf) 1 страница – полупроводники nxp: арт. Техническое описание irfz44, irfz44 pdf, техническое описание irfz44, техническое описание, техническое описание, pdf.01_ 00 | | pdf | 701 кб.

Штаб-квартира com ir world: 233 kansas st. Mouser предлагает инвентарь, цены и спецификации для irfz44n MOSFET. irfz44 – это n-канальный мощный МОП-транзистор от компании Infineon International Rectifier. см. полный список на всем листе. согласно спецификации irfz44, это силовой МОП-транзистор третьего поколения, который обеспечивает наилучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. – канальные силовые МОП-транзисторы исток-сток, характеристики и характеристики символ ism vsd trr характеристика непрерывного тока источника irfz44 / 40 (корпусный диод) irfz45 / 42 win – импульсный ток источника irfz44 / 40 – (3) irfz45 / 42 | diod e Прямое напряжение все время обратного восстановления – typ _ – – max 3faunits a a a.

это техническое описание было загружено с: www. 5 МОм Усовершенствованный техпроцесс сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии динамический рейтинг du / dt 175 ° C рабочая температура быстрое переключение полностью лавинный номинальный до 220 дг с абсолютный максимальный номинальный параметр макс. номер детали: irfz44 функции: это своего рода полупроводник, n-канальный силовой МОП-транзистор. jrc4558 datasheet, jrc njm4558 pdf – двойной усилитель; buz91af pdf – транзистор сипмос / 600в / 8а; cev65m- pb – абсолютный энкодер; rm5101 – жидкокристаллический дисплей диагональю 15 дюймов.irfz44nspbf: одноканальный полевой МОП-транзистор с n-каналом 55 В в корпусе d2-pak. a, 07- июл- 081power mosfetirfz44, sihfz44vishay Siliconixfeatures • динамический рейтинг dv / dt • поиск в технических данных для рабочих температур 175 ° C, технических описаний, на сайте поиска технических данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов и других полупроводников. 5 МОм, id = 49a) международный выпрямитель. как работает irfz44n? Этот МОП-транзистор представляет собой силовой МОП-транзистор третьего поколения с особым сочетанием быстрого переключения, прочной конструкции и низкого сопротивления во включенном состоянии.в то время я не понимал кривых soa. irfz44n MOSFET можно приобрести в магазине Mouser Electronics.

com datasheet (техническое описание) поиск интегральных схем (ic), полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы и диоды. Бесплатная доставка квалифицированных заказов. irfz44 pdf datasheet – 60v, 50a, power mosfet, распиновка irfz44, аналог, замена, схема irfz44, руководство irfz44, данные, схема, части. 40 ω 9 a • чрезвычайно высокая способность dv / dt • очень низкая собственная емкость.Максимальный ток стока в зависимости от МОП-транзистора Подробный анализ поведения МОП-транзистора ru. irf-z44n в основном принадлежит к семейству металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (mosfet). Разница между IRLZ44N и IRFZ44N MOSFET – описание производителя. com 1 irfz44pbf номер документа: 91291. Надеюсь, вы все будете в порядке и весело проведете время.

Расположение выводов

: 1. irlz44n представляет собой МОП-транзистор логического уровня с очень низким пороговым напряжением затвора 5 В, что означает, что МОП-транзистор может быть полностью включен с помощью всего 5 В на его выводе затвора, что устраняет необходимость в схеме драйвера.если требуется переключение с помощью Arduino, то простая схема управления с использованием транзистора будет работать, чтобы обеспечить. irfz44 datasheet (pdf) – международный выпрямитель на полу документ о тепловой нестабильности infineon документ о тепловой нестабильности то же самое из документа fairchild nasa, объясняющий его рисунок в техническом паспорте? 5 v i d, сток irfz44 pdf ток. n-канальный режим улучшения транзистора trenchmos, таблица данных irfz44n, схема irfz44n, таблица данных irfz44n: philips, таблица данных, таблица данных, сайт поиска электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.IRFZ44 MOSFET datasheet, pdf – аналог.

номер документа: 91291www. Этот товар irfz44 irfz44n mosfet n- канал 49a 55v 5 шт. irfz44n irfz44npbf n- канальный силовой транзистор с полевым эффектом 55v, 49a, rohs совместимый с irfz44 pdf 220 bridgold, 20 шт. irfz44n irfz44 n- канальный МОП-транзистор, международный выпрямитель, мощность 3 49а 55 в – штырь. irfz44 datasheet, irfz44 datasheets, irfz44 pdf, irfz44 circuit: vishay – power mosfet, alldatasheet, datasheet, datasheet, поисковый сайт электронных компонентов и.Есть два типа МОП-транзисторов i. irfz44: описание n-канального режима улучшения транзистора trenchmos: загрузка 8 страниц: прокрутка / масштабирование: 100%. Купите irfz44 на amazon! Корпус to-220ab универсально предпочтителен для коммерческих и промышленных применений при уровнях рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Запросите vishay irfz44: транзистор, mosfet, n-канал, 60v v (br) dss, 50a i (d), to- 220ab онлайн с elcodis, просмотрите и скачайте irfz44 pdf datasheet, другие полупроводники – дискретные спецификации., Эль-Сегундо, Калифорния , США тел: такс факс: посетите нас на www. irf-z44n принадлежит к семейству n-каналов.

, следовательно, он обычно используется с микроконтроллерами для работы с напряжением 5 В. Введение в 75n75, lm386, lm393, lm741, lm833 и lm1458. 6- – ns / 0 “height =” 1 “width =” 1 “border =” 0 “alt =” “>. Tc = 25 oc v GS top: 1 5 v 1 0 v 8. irfz44n является n-каналом mosfet, поэтому контакты стока и истока будут оставаться открытыми, когда на вывод затвора не подается напряжение.irfz44 hoja de datos, irfz44 datasheet, fairchild – power mosfet, hoja técnica, irfz44 pdf, dataark, wiki, arduino, regalador, ampificador, circuito, distribuidor. irfz44n – n-канальный МОП-транзистор с высоким током стока 49a и низким значением rds 17.

irfz44, irfz44 n-канальный МОП-транзистор, купить транзистор irfz44. гарантия возврата денег! Спецификация продукции philips semiconductors n-канальный режим расширения irfz44n trenchmostm транзистор механические данные размеры irfz44 pdf в мм масса нетто: 2 г рис.irfz44 datasheet, irfz44 pdf, irfz44 data sheet, irfz44 manual, irfz44 pdf, irfz44, datenblatt, electronics irfz44, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data. МОП-транзисторы irlz44n и irfz44n часто путают друг с другом и используются неправильно. в чем разница между irlz44n и irfz44n?

Как проверить МОП-транзистор с помощью цифрового мультиметра

В сообщении объясняется, как проверить МОП-транзистор с помощью мультиметра с помощью набора шагов, которые помогут вам точно определить хорошее или неисправное состояние МОП-транзистора.

МОП-транзисторы эффективны, но Комплексные устройства

МОП-транзисторы являются выдающимися устройствами, когда дело доходит до усиления или переключения различных видов нагрузок.Хотя транзисторы также широко используются для вышеуказанных целей, оба аналога сильно различаются по своим характеристикам.

Потрясающая эффективность МОП-транзисторов в значительной степени нивелируется одним недостатком, связанным с этими устройствами. Это сложность, которая затрудняет понимание и настройку этих компонентов.

Даже простейшие операции, такие как проверка хорошего МОП-транзистора от плохого, никогда не являются легкой задачей, особенно для новичков в этой области.

Хотя МОП-транзисторы обычно требуют сложного оборудования для проверки их состояния, простой способ использования мультиметра также считается эффективным большую часть времени для их проверки.

Мы возьмем в качестве примера два типа N-канальных МОП-транзисторов, K1058 и IRFP240, и посмотрим, как эти МОП-транзисторы могут быть протестированы с помощью обычного цифрового мультиметра с немного разными процедурами.

Как проверить N-канальные МОП-транзисторы

1) Установите цифровой мультиметр на диодный диапазон.

2) Держите МОП-транзистор на сухом деревянном столе на его металлическом выступе стороной с печатью к вам и выводами к вам.

3) С помощью отвертки или измерительного щупа закоротите затвора и сливайте штырьки МОП-транзистора. Изначально внутренняя емкость устройства будет полностью разряжена.

4) Теперь прикоснитесь черным щупом измерителя к источнику , а красным щупом к источнику устройства.

5) Вы должны увидеть индикацию обрыва цепи на счетчике.

6) Теперь, прикасаясь черным щупом к источнику , поднимите красный щуп со стока , на мгновение прикоснитесь им к затвору МОП-транзистора и верните его обратно на сток МОП-транзистора.

7) На этот раз измеритель покажет короткое замыкание (извините, не короткое замыкание, а “непрерывность”).

Результаты пунктов 5 и 7 подтверждают, что МОП-транзистор в порядке.

Повторите эту процедуру много раз для надлежащее подтверждение.

Для повторения описанной выше процедуры каждый раз вам потребуется сбросить полевой МОП-транзистор , закоротив выводы затвора и стока с помощью измерительного щупа, как описано ранее.

Как проверить МОП-транзисторы P-канала

Для P-канала этапы тестирования будут такими же, как 1,2,3,4 и 5, но полярность измерителя изменится.Вот как это сделать.

1) Установите цифровой мультиметр на диодный диапазон.

2) Закрепите МОП-транзистор на сухом деревянном столе на его металлическом язычке так, чтобы сторона с надписью была обращена к вам, а провода были направлены к вам.

3) С помощью любого проводника или измерительного щупа закоротите штырьки затвора и стока P-mosfet. Первоначально это позволит разрядить внутреннюю емкость устройства, что важно для процесса тестирования.

4) Теперь прикоснитесь КРАСНЫМ датчиком измерителя к источнику , а ЧЕРНЫМ датчиком к источнику устройства.

5) Вы обнаружите “обрыв” цепи на счетчике.

6) Затем, не перемещая КРАСНЫЙ датчик от источника , снимите черный датчик со стока и прикоснитесь им к затвору МОП-транзистора на секунду и верните его обратно на сток МОП-транзистора. .

7) На этот раз измеритель покажет непрерывность или низкое значение на измерителе.

Вот и все, это подтвердит, что ваш MOSFET в порядке и без каких-либо проблем. Любая другая форма чтения укажет на неисправный МОП-транзистор.

Если у вас возникнут какие-либо сомнения относительно процедур, пожалуйста, не стесняйтесь высказать свои мысли в разделе комментариев.

Как проверить МОП-транзистор IRF540

Процедуры в точности аналогичны описанным выше процедурам тестирования N-канального МОП-транзистора. Следующий видеоролик показывает и доказывает, как это можно реализовать с помощью обычного мультиметра.

Практическое видеоурок

Схема простого тестера Mosfet

Если вам неудобно использовать вышеупомянутую процедуру тестирования с помощью мультиметра, то вы можете быстро построить следующее приспособление для проверки любого N-канала MOSFET эффективно.

После того, как вы сделаете это приспособление, вы можете подключить соответствующие контакты МОП-транзистора к данным гнездам G, D, S. После этого вам просто нужно нажать кнопку для подтверждения состояния MOSFET.

Если светодиод светится только при нажатии кнопки, то с вашим МОП-транзистором все в порядке, любые другие результаты будут указывать на неисправный или неисправный МОП-транзистор.

Катод светодиода перейдет на сторону стока или сливное гнездо.

Для MOSFET с p-каналом вы можете просто изменить конструкцию, как показано на следующем изображении.

Контроллер яркости светодиода

– JLCPCB

В этом проекте мы научим вас создавать схему регулируемого регулятора напряжения с нажимным переключателем.Также можно сделать эту схему с помощью потенциометра, но мы следуем уникальному методу, чтобы сделать эту схему.

Чтобы сделать эту удивительную схему электроники, нам может понадобиться какой-то электронный компонент. Список этих компонентов должен быть приведен ниже.

Список компонентов:

1. МОП-транзистор – IRF z44n

2. LDR – светозависимый резистор

3. Резистор – 100 кОм (2 шт.)

1 МОм

4.Нажимной переключатель – 2 шт.

5. Светодиод – 12В

6. Пленочный конденсатор – 105j250v

7. Источник питания – 12 В постоянного тока

8. Радиатор

Распиновка Mosfet – Mosfet IRF Z44n содержит 3 ножки. У этих трех ножек разные имена. Если считать ногу с левой стороны, то 1 ^st без «ворот», 2 ^-й без «слива» и 3 ^rd без «источника».

Подключение цепи

– 1 ^st Подключите резистор 100 кОм к «истоку» ножки Mosfet.Затем подключите кнопочный переключатель к резистору 100 кОм, а другой кнопочный переключатель – к пустой клемме кнопочного переключателя, которая подключена к резистору 100 кОм.

Теперь подключаем светодиодный светильник DC-12v к цепи. Подключите отрицательную ножку светодиодной лампы к «сливной» ножке Mosfet.

Теперь подключаем пленочный конденсатор к цепи. Подключите этот пленочный конденсатор к «затвору» и «сливной» ножке Mosfet.

Вы знаете, мы используем 2 резистора 100 кОм. 1 шт подключен к цепи.Теперь подключаем остальные по 1 штуке. Мы подключаем этот должный резистор 100 кОм к пустой ножке кнопочного переключателя и «сливной» ножке Mosfet.

Теперь мы подключаем резистор 1 МОм к цепи. Подключите этот резистор 1 МОм к месту соединения 2-х кнопочного переключателя и ножки «затвора» МОП-транзистора.

Наша схема почти готова к использованию. В качестве источника питания мы используем DC-12v. Подключите положительный (+) кабель DC-12v к положительной ножке светодиода и отрицательный (-) кабель DC-12v к ножке «Source» Mosfet.

Пришло время использовать схему регулятора яркости светодиода. Когда вы нажимаете переключатель 1no, светодиодный индикатор загорается, а когда вы нажимаете переключатель 2no, светодиодный индикатор загорается.

Подключите Mosfet к радиатору и наслаждайтесь схемой.

Datenblatt PDF Suche – Datenblätter

Teilenummer	Beschreibung	Hersteller	PDF
ZXTR2112F	12В 15мА РЕГУЛЯТОР ТРАНЗИСТОР	Диоды
ZXTR2108F	8V 15mA ТРАНЗИСТОР РЕГУЛЯТОРА	Диоды
ZXTR2105F	5V 15mA ТРАНЗИСТОР РЕГУЛЯТОРА	Диоды
ZXTR2012Z	12В 30мА ТРАНЗИСТОР РЕГУЛЯТОРА	Диоды
ZXTR2012P5	12V 40mA ТРАНЗИСТОР РЕГУЛЯТОРА	Диоды
ZXTR2012K	12В 50мА ТРАНЗИСТОР РЕГУЛЯТОРА	Диоды
ZXTR2008Z	8.РЕГУЛЯТОР ТРАНЗИСТОР 2V 30mA	Диоды
ZXTR2008P5	8,2 В 40 мА ТРАНЗИСТОР РЕГУЛЯТОРА	Диоды
ZXTR2008K	8,2 В 50 мА ТРАНЗИСТОР РЕГУЛЯТОРА	Диоды
ZXTR2005Z	5V 30mA ТРАНЗИСТОР РЕГУЛЯТОРА	Диоды
ZXTR2005P5	5V 40mA ТРАНЗИСТОР РЕГУЛЯТОРА	Диоды
W45NM60	STW45NM60	ST Микроэлектроника

Datenblatt PDF Suche – Datenblätter

Teilenummer	Beschreibung	Hersteller	PDF
ZXTR2112F	12В 15мА РЕГУЛЯТОР ТРАНЗИСТОР	Диоды
ZXTR2108F	8V 15mA ТРАНЗИСТОР РЕГУЛЯТОРА	Диоды
ZXTR2105F	5V 15mA ТРАНЗИСТОР РЕГУЛЯТОРА	Диоды
ZXTR2012Z	12В 30мА ТРАНЗИСТОР РЕГУЛЯТОРА	Диоды
ZXTR2012P5	12V 40mA ТРАНЗИСТОР РЕГУЛЯТОРА	Диоды
ZXTR2012K	12В 50мА ТРАНЗИСТОР РЕГУЛЯТОРА	Диоды
ZXTR2008Z	8.РЕГУЛЯТОР ТРАНЗИСТОР 2V 30mA	Диоды
ZXTR2008P5	8,2 В 40 мА ТРАНЗИСТОР РЕГУЛЯТОРА	Диоды
ZXTR2008K	8,2 В 50 мА ТРАНЗИСТОР РЕГУЛЯТОРА	Диоды
ZXTR2005Z	5V 30mA ТРАНЗИСТОР РЕГУЛЯТОРА	Диоды
ZXTR2005P5	5V 40mA ТРАНЗИСТОР РЕГУЛЯТОРА	Диоды
W45NM60	STW45NM60	ST Микроэлектроника

Таблица замены МОП-транзистора – Falop

Перекрестная ссылка на замену МОП-транзистора и техническое описание.

Общие сведения об эквиваленте перекрестных ссылок транзисторов.

Спросите Hackaday, чувак, где мой Mosfet Hackaday.

В поисках замены транзистору Что искать.

Замена транзистора.

Irfz44n Mosfet Datasheet, Pdf Эквивалентная перекрестная ссылка.

Ap4439gmt Hf Mosfet Datasheet Pdf Equivalent Cross.

Сильноточные интерфейсные транзисторы Arduino Mosfets.

Замена перекрестных ссылок Mosfet и лист данных.

Ади Дхаз Книга о ноутбуке типа Mosfet на материнской плате ноутбука.

Сильноточные интерфейсные транзисторы Arduino Mosfets.

Устройство Power Mosfet, работающее в цепи индуктивной нагрузки.

F4 Datasheet Datasheet Транзистор для поиска эквивалентных перекрестных ссылок.

Транзисторные реле и управление сильноточными нагрузками.

12 В 300 В N Channel Power Mosfet Infineon Technologies.

Cs10j65a3 Лист данных Huajing Microelectronics.

Спросите Hackaday, чувак, где мой Mosfet Hackaday.

20n50 Mosfet Datasheet Pdf Эквивалентная перекрестная ссылка Поиск.

Как сделать простой переключатель Mosfet Airsoft Canada.

Схема инвертора

Pwm на основе Sg3524 12В вход 220В.

Irfz44n Распиновка Mosfet Характеристики Эквивалентные данные.

Разница между Igbt и Mosfet Разница между.

Руководство по правильному выбору и использованию МОП-транзисторов.

Ади Дхаз Книга о ноутбуке типа Mosfet на материнской плате ноутбука.

Транзисторные реле и управление сильноточными нагрузками.

Альтернатива Mosfet Irf520 в схеме отключения Arduino.

12 В 300 В N Channel Power Mosfet Infineon Technologies.

Схема рассмотренного в то время силового мосфета.

Разница между Igbt и Mosfet Разница между.

Поиск по замене и аналогичным деталям Ic.

Сильноточные интерфейсные транзисторы Arduino Mosfets.

Irfz44n Mosfet Datasheet, Pdf Эквивалентная перекрестная ссылка.

Без названия.

N Канал Mosfet 60в 30а.

Моделирование Mosfets в режиме истощения.

Irf540n Распиновка Особенности Эквивалентный лист данных.

Транзисторы Основное различие между BJT и Mosfet.

Ади Дхаз Книга о ноутбуке типа Mosfet на материнской плате ноутбука.

Разница между Jfet и Mosfet Разница между.

Силовая электроника Raspberry Pi несовместима с Mosfet.

Как узнать, неисправен ли Mosfet Electronicsbeliever.

Как проверить Mosfet с помощью мультиметра.

Патент США 6177788 Нелинейный Мосфет с компенсацией телесного эффекта.

Спросите Hackaday, чувак, где мой Mosfet Hackaday.

Патент США 6177788 Мосфет с компенсацией нелинейных телесных эффектов.

Irf540n Распиновка Особенности Эквивалентный лист данных.

Трехпозиционные преобразователи уровня с зажимом на полевом транзисторе без полета.

Поиск по замене и аналогичным деталям Ic.

Патентный отчет Us 10116212 Регулирование напряжения на основе.