Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Содержание

Регулятора напряжения автомобиля на транзисторе irl2905

IRLR2905 MOSFET – описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRLR2905

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 69 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 36 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 32 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.027 Ohm

Тип корпуса: TO252AA

IRLR2905 Datasheet (PDF)

1.1. irlu2905zpbf irlr2905zpbf.pdf Size:328K _international_rectifier

PD – 95774B IRLR2905ZPbF IRLU2905ZPbF Features HEXFET® Power MOSFET Logic Level D Advanced Process Technology VDSS = 55V Ultra Low On-Resistance 175°C Operating Temperature RDS(on) = 13. 5mΩ Fast Switching G Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free >1.2. irlr2905pbf irlu2905pbf.pdf Size:314K _international_rectifier

PD- 95084A IRLR/U2905PbF HEXFET® Power MOSFET l Logic-Level Gate Drive l Ultra Low On-Resistance D l Surface Mount (IRLR2905) VDSS = 55V l Straight Lead (IRLU2905) l Advanced Process Technology RDS(on) = 0.027Ω l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated >

1.3. irlr2905.pdf Size:135K _international_rectifier

PD- 91334E IRLR/U2905 HEXFET� Power MOSFET Logic-Level Gate Drive D Ultra Low On-Resistance VDSS = 55V Surface Mount (IRLR2905) Straight Lead (IRLU2905) RDS(on) = 0.027? G Advanced Process Technology Fast Switching >

дохленький КТ829А2 в миниатюрном корпусе, который дико грелся и в конечном итоге сдох, при этом на крышке регулятора гордо обещают 5а тока.

Он заменен на 2шт полевых транзистора от системных плат. Транзисторы там бывают различные, но они имеют похожие параметры. У этих сл. параметры: макс. ток стока 120А, макс. напряжение сток-исток 40в. Напряжение отсечки 3,0в.

ввиду того, что у меня установлен самодельный выпрямитель на 12шт КД2998, (это диоды Шоттки, при токе 30а прямое напряжение 0,2-0,25в), этот выпрямитель и модифицированный РН установлен на правом крыле. Поэтому, не ставилось целью вписаться в габарит штатного РН. Поэтому же, установлены 2шт. транзистора (вполне хватило бы и 1 шт.) и 2 светодиода, показывающие работу регулятора напряжения.

Вполне возможно было просто заменить штатный КТ829А2 на 1 полевой транзистор, и впаять последний на место первого. А регулятор напряжения установить на штатное место.

у меня при тестовом токе 30А, было падение напряжения 5,5мВ

При построении сильноточных стабилизаторов напряжения радиолюбители обычно используют специализированные микросхемы серии 142 и аналогичные, «усиленные» одним или несколькими, включенными параллельно, биполярными транзисторами. Если для этих целей применить мощный переключательный полевой транзистор, то удастся собрать более простой сильноточный стабилизатор,

Схема одного из вариантов такого стабилизатора приведена на рис.

3.28.0. Со вторичной обмотки трансформатора переменное напряжение около 13 В (эффективное значение) поступает на выпрямитель и сглаживающий фильтр. На конденсаторах фильтра оно равно 16 В. Это напряжение поступает на сток мощного транзистора VT1 и через резистор R1 на затвор, открывая транзистор.

Часть выходного напряжения через делитель R2, R3 подается на вход микросхемы DA1, замыкая цепь ООС. Напряжение на выходе стабилизатора возрастает вплоть до того момента, пока напряжение на входе управления микросхемы DA1 не достигнет порогового, около 2,5 В. В этот момент микросхема открывается, понижая напряжение на затворе мощного транзистора, т.е. частично закрывая его, и, таким образом, устройство входит в режим стабилизации. Лучшие результаты удастся получить, если диод VD2 подключить к выпрямительному мосту (рис. 3.28.6). В этом случае напряжение на конденсаторе С5 увеличится, поскольку падение напряжения на диоде VD2 будет меньше, чем падение напряжения на диодах моста, особенно при максимальном токе.

При необходимости плавной регулировки выходного напряжения постоянный резистор R2 следует заменить переменным или подстроенным резистором.

В стабилизаторе в качестве регулирующего элемента применен мощный полевой транзистор IRLR2905. Хотя он и предназначен для работы в ключевом (переключательном) режиме, в данном стабилизаторе он используется в линейном режиме. Транзистор имеет в открытом состоянии весьма малое сопротивление канала (0,027 Ом), обеспечивает ток до 30 А при температуре корпуса до 100°С, обладает высокой крутизной и требует для управления напряжения на затворе всего 2,5…3 В. Мощность, рассеиваемая транзистором, может достигать 110 Вт.

Полевым транзистором управляет микросхема параллельного стабилизатора напряжения КР142ЕН19 (импортный аналог TL431). Конденсаторы — малогабаритные танталовые, резисторы — MJ1T, С2-33, диод VD2 — выпрямительный с малым падением напряжения (германиевый, диод Шоттки). Параметры трансформатора, диодного моста и конденсатора С1 выбирают исходя из необходимого выходного напряжения и тока.

Хотя транзистор и рассчитан на большие токи и большую рассеиваемую мощность, для реализации всех его возможностей необходимо обеспечить эффективный теплоотвод.

Налаживание стабилизатора сводится к установке требуемого значения выходного напряжения. Надо обязательно проверить устройство на отсутствие самовозбуждения во всем диапазоне рабочих токов. Для этого напряжения в различных точках устройства контролируют с помощью осциллографа. Если самовоз

буждение возникает, то параллельно конденсаторам CI, С2 и С4 следует подключить керамические конденсаторы емкостью 0,1 мкФ с выводами минимальной длины. Размещаются эти конденсаторы как можно ближе к транзистору VT1 и микросхеме DA1.

Печатная плата устройства приведена на рис. 3.29. Эта плата рассчитана на установку малогабаритных деталей в корпусах для поверхностного монтажа, в том чис

ле и микросхема КР142ЕН19 требует замены на импортный аналог в корпусе SO-8.

В случае, если полевой транзистор найти не удалось, стабилизатор можно выполнить по другой схеме (рис.

3.30), на мощных биполярных транзисторах, с использованием той же микросхемы. Правда, максимальный ток нагрузки у этого варианта стабилизатора не более 3…4 А. Для повышения коэффициента стабилизации применен стабилизатор тока на полевом транзисторе, в качестве регулирующего элемента применен мощный составной транзистор. Трансформатор должен обеспечивать на вторичной обмотке напряжение не менее 15 В при максимальном токе нагрузки.

Регулятора напряжения автомобиля на транзисторе irl2905

При построении сильноточных стабилизаторов напряжения радиолюбители обычно используют специализированные микросхемы серии 142 и аналогичные, «усиленные» одним или несколькими, включенными параллельно, биполярными транзисторами. Если для этих целей применить мощный переключательный полевой транзистор, то удастся собрать более простой сильноточный стабилизатор,

Схема одного из вариантов такого стабилизатора приведена на рис. 3.28.0. Со вторичной обмотки трансформатора переменное напряжение около 13 В (эффективное значение) поступает на выпрямитель и сглаживающий фильтр.

На конденсаторах фильтра оно равно 16 В. Это напряжение поступает на сток мощного транзистора VT1 и через резистор R1 на затвор, открывая транзистор.

Часть выходного напряжения через делитель R2, R3 подается на вход микросхемы DA1, замыкая цепь ООС. Напряжение на выходе стабилизатора возрастает вплоть до того момента, пока напряжение на входе управления микросхемы DA1 не достигнет порогового, около 2,5 В. В этот момент микросхема открывается, понижая напряжение на затворе мощного транзистора, т.е. частично закрывая его, и, таким образом, устройство входит в режим стабилизации. Лучшие результаты удастся получить, если диод VD2 подключить к выпрямительному мосту (рис. 3.28.6). В этом случае напряжение на конденсаторе С5 увеличится, поскольку падение напряжения на диоде VD2 будет меньше, чем падение напряжения на диодах моста, особенно при максимальном токе.

При необходимости плавной регулировки выходного напряжения постоянный резистор R2 следует заменить переменным или подстроенным резистором.

В стабилизаторе в качестве регулирующего элемента применен мощный полевой транзистор IRLR2905. Хотя он и предназначен для работы в ключевом (переключательном) режиме, в данном стабилизаторе он используется в линейном режиме. Транзистор имеет в открытом состоянии весьма малое сопротивление канала (0,027 Ом), обеспечивает ток до 30 А при температуре корпуса до 100°С, обладает высокой крутизной и требует для управления напряжения на затворе всего 2,5…3 В. Мощность, рассеиваемая транзистором, может достигать 110 Вт.

Полевым транзистором управляет микросхема параллельного стабилизатора напряжения КР142ЕН19 (импортный аналог TL431). Конденсаторы — малогабаритные танталовые, резисторы — MJ1T, С2-33, диод VD2 — выпрямительный с малым падением напряжения (германиевый, диод Шоттки). Параметры трансформатора, диодного моста и конденсатора С1 выбирают исходя из необходимого выходного напряжения и тока. Хотя транзистор и рассчитан на большие токи и большую рассеиваемую мощность, для реализации всех его возможностей необходимо обеспечить эффективный теплоотвод.

Налаживание стабилизатора сводится к установке требуемого значения выходного напряжения. Надо обязательно проверить устройство на отсутствие самовозбуждения во всем диапазоне рабочих токов. Для этого напряжения в различных точках устройства контролируют с помощью осциллографа. Если самовоз

буждение возникает, то параллельно конденсаторам CI, С2 и С4 следует подключить керамические конденсаторы емкостью 0,1 мкФ с выводами минимальной длины. Размещаются эти конденсаторы как можно ближе к транзистору VT1 и микросхеме DA1.

Печатная плата устройства приведена на рис. 3.29. Эта плата рассчитана на установку малогабаритных деталей в корпусах для поверхностного монтажа, в том чис

ле и микросхема КР142ЕН19 требует замены на импортный аналог в корпусе SO-8.

В случае, если полевой транзистор найти не удалось, стабилизатор можно выполнить по другой схеме (рис. 3.30), на мощных биполярных транзисторах, с использованием той же микросхемы. Правда, максимальный ток нагрузки у этого варианта стабилизатора не более 3…4 А.

Для повышения коэффициента стабилизации применен стабилизатор тока на полевом транзисторе, в качестве регулирующего элемента применен мощный составной транзистор. Трансформатор должен обеспечивать на вторичной обмотке напряжение не менее 15 В при максимальном токе нагрузки.

При построении сильноточных стабилизаторов напряжения радиолюбители обычно используют специализированные микросхемы серии 142 и аналогичные, «усиленные» одним или несколькими, включенными параллельно, биполярными транзисторами. Если для этих целей применить мощный переключательный полевой транзистор, то удастся собрать более простой сильноточный стабилизатор,

Схема одного из вариантов такого стабилизатора приведена на рис. 3.28.0. Со вторичной обмотки трансформатора переменное напряжение около 13 В (эффективное значение) поступает на выпрямитель и сглаживающий фильтр. На конденсаторах фильтра оно равно 16 В. Это напряжение поступает на сток мощного транзистора VT1 и через резистор R1 на затвор, открывая транзистор.

Часть выходного напряжения через делитель R2, R3 подается на вход микросхемы DA1, замыкая цепь ООС. Напряжение на выходе стабилизатора возрастает вплоть до того момента, пока напряжение на входе управления микросхемы DA1 не достигнет порогового, около 2,5 В. В этот момент микросхема открывается, понижая напряжение на затворе мощного транзистора, т.е. частично закрывая его, и, таким образом, устройство входит в режим стабилизации. Лучшие результаты удастся получить, если диод VD2 подключить к выпрямительному мосту (рис. 3.28.6). В этом случае напряжение на конденсаторе С5 увеличится, поскольку падение напряжения на диоде VD2 будет меньше, чем падение напряжения на диодах моста, особенно при максимальном токе.

При необходимости плавной регулировки выходного напряжения постоянный резистор R2 следует заменить переменным или подстроенным резистором.

В стабилизаторе в качестве регулирующего элемента применен мощный полевой транзистор IRLR2905. Хотя он и предназначен для работы в ключевом (переключательном) режиме, в данном стабилизаторе он используется в линейном режиме. Транзистор имеет в открытом состоянии весьма малое сопротивление канала (0,027 Ом), обеспечивает ток до 30 А при температуре корпуса до 100°С, обладает высокой крутизной и требует для управления напряжения на затворе всего 2,5…3 В. Мощность, рассеиваемая транзистором, может достигать 110 Вт.

Полевым транзистором управляет микросхема параллельного стабилизатора напряжения КР142ЕН19 (импортный аналог TL431). Конденсаторы — малогабаритные танталовые, резисторы — MJ1T, С2-33, диод VD2 — выпрямительный с малым падением напряжения (германиевый, диод Шоттки). Параметры трансформатора, диодного моста и конденсатора С1 выбирают исходя из необходимого выходного напряжения и тока. Хотя транзистор и рассчитан на большие токи и большую рассеиваемую мощность, для реализации всех его возможностей необходимо обеспечить эффективный теплоотвод.

Налаживание стабилизатора сводится к установке требуемого значения выходного напряжения. Надо обязательно проверить устройство на отсутствие самовозбуждения во всем диапазоне рабочих токов. Для этого напряжения в различных точках устройства контролируют с помощью осциллографа. Если самовоз

буждение возникает, то параллельно конденсаторам CI, С2 и С4 следует подключить керамические конденсаторы емкостью 0,1 мкФ с выводами минимальной длины. Размещаются эти конденсаторы как можно ближе к транзистору VT1 и микросхеме DA1.

Печатная плата устройства приведена на рис. 3.29. Эта плата рассчитана на установку малогабаритных деталей в корпусах для поверхностного монтажа, в том чис

ле и микросхема КР142ЕН19 требует замены на импортный аналог в корпусе SO-8.

В случае, если полевой транзистор найти не удалось, стабилизатор можно выполнить по другой схеме (рис. 3.30), на мощных биполярных транзисторах, с использованием той же микросхемы. Правда, максимальный ток нагрузки у этого варианта стабилизатора не более 3…4 А. Для повышения коэффициента стабилизации применен стабилизатор тока на полевом транзисторе, в качестве регулирующего элемента применен мощный составной транзистор. Трансформатор должен обеспечивать на вторичной обмотке напряжение не менее 15 В при максимальном токе нагрузки.

Автор: Radioelectronika-Ru · Опубликовано 24.11.2017 · Обновлено 20.03.2018


На основе мощных переключательных полевых транзисторов [1] можно построить линейные стабилизаторы напряжения. Подобное устройство было ранее описано в [2]. Немного изменив схему, как показано на рис. 1, можно улучшить параметры описанного стабилизатора, существенно (в 5…6 раз) уменьшив падение напряжения на регулирующем элементе, в качестве которого применен транзистор IRL2505L. Он имеет в открытом состоянии весьма малое сопротивление канала (0,008 Ом), обеспечивает ток до 74 А при температуре корпуса 100 °С, отличается высокой крутизной характеристики (59 А/В). Для управления им требуется небольшое напряжение на затворе (2,5…3 В). Предельное напряжение сток—исток — 55 В, затвор—исток — ±16 В, мощность, рассеиваемая транзистором, может достигать 200 Вт.

Подобно современным микросхемным стабилизаторам, предлагаемый модуль имеет три вывода: 1 — вход, 2 — общий, 3 — выход. В качестве управляющего элемента применена микросхема DA1 — параллельный стабилизатор напряжения КР142ЕН19 (TL431). Транзистор VT1 выполняет функцию согласующего элемента, а стабилитрон VD1 обеспечивает стабильное напряжение для его базовой цепи. Значение выходного напряжения можно рассчитать по формуле
Uвых=2,5(1+R5/R6).
Выходное напряжение регулируют, изменяя сопротивление резистора R6. Конденсаторы обеспечивают устойчивую работу стабилизатора. Устройство работает следующим образом. При увеличении выходного напряжения повышается напряжение на управляющем входе микросхемы DA1, в результате чего ток через нее увеличивается. Напряжение на резисторе R2 увеличивается, а ток через транзистор VT1 уменьшается. Соответственно напряжение затвор—исток транзистора VT2 уменьшается, вследствие чего сопротивление его канала возрастает. Поэтому выходное напряжение уменьшается, восстанавливаясь до прежнего значения.

Регулирующий полевой транзистор VT2 включен в минусовый провод, а управляющее напряжение поступает на него с плюсового провода. Благодаря такому решению стабилизатор способен обеспечить ток нагрузки 20…30 А, при этом входное напряжение может быть всего на 0,5 В больше выходного. Если предполагается использовать модуль при входном напряжении более 16 В, то транзистор VT2 необходимо защитить от пробоя с помощью маломощного стабилитрона с напряжением стабилизации 10…12 В, катод которого подключают к затвору, анод — к истоку.

В устройстве можно применить любой n-канальный полевой транзистор (VT2), подходящий по току и напряжению из списка, приведенного в [1], желательно выделенный желтым цветом. VT1 — КТ502, КТ3108, КТ361 с любыми буквенными индексами. Микросхему КР142ЕН19 (DA1) допустимо заменить на TL431. Конденсаторы — К10-17, резисторы — Р1-4, МЛТ, С2-33.
Схема подключения модуля стабилизатора приведена на рис. 2.

При большом токе нагрузки на транзисторе VT2 рассеивается большая мощность, поэтому необходим эффективный теплоотвод. Транзисторы этой серии с буквенными индексами L и S устанавливают на теплоотвод с помощью пайки. В авторском варианте в качестве теплоотвода и одновременно несущей конструкции применен корпус от неисправного транзистора КТ912, КП904. Этот корпус разобран, удалена его верхняя часть так, что осталась позолоченная керамическая шайба с кристаллом транзистора и выводами-стойками. Кристалл аккуратно удален, покрытие облужено, после чего к нему припаян транзистор VT2. К покрытию шайбы и выводам транзистора VT2 припаяна печатная плата из двусторонне фольгированного стеклотекстолита (рис. 3). Фольга на обратной стороне платы целиком сохранена и соединена с металлизацией шайбы (стоком транзистора VT2) После налаживания и проверки модуля стабилизатора плата приклеена к корпусу. Выводы 1 и 2 — площадки на печатной плате, а вывод 3 (сток транзистора VT2) — металлический вывод-стойка на керамической шайбе.

Если применить детали для поверхностного монтажа: микросхему TL431CD (рис. 4), транзистор VT1 КТ3129А-9, транзистор VT2 IRLR2905S, резисторы Р1-12, то часть их можно разместить на печатной плате, а другую часть — навесным монтажом непосредственно на керамической шайбе корпуса. Внешний вид собранного устройства показан на рис. 5. Модуль стабилизатора напряжения не имеет гальванической связи с основанием (винтом) корпуса, поэтому его можно непосредственно разместить на теплоотводе, даже если он соединен с общим проводом питаемого устройства.

Также допустимо использовать корпус от неисправных транзисторов серий КТ825, КТ827. В таком корпусе кристаллы транзистора прикреплены не к керамической, а к металлической шайбе. Именно к ней, предварительно удалив кристалл, припаивают транзистор VT2. Остальные детали устанавливают аналогично. Сток транзистора VT2 в этом случае соединен с корпусом, поэтому модуль можно непосредственно установить на теплоотвод, соединенный с минусовым проводом питания нагрузки.
Налаживание устройства сводится к установке требуемого выходного напряжения подстроечным резистором R6 и к проверке отсутствия самовозбуждения во всем интервале выходного тока. Если оно возникнет, его нужно устранить увеличением емкости конденсаторов.

ЛИТЕРАТУРА
1. Мощные полевые переключательные транзисторы фирмы International Rectifier. — Радио, 2001, № 5, с. 45.
2. Нечеев И. Стабилизатор напряжения на мощном полевом транзисторе. — Радио, 2003, № 8. с. 53, 54.

И. НЕЧАЕВ, г. Курск
“Радио” №2 2005г.

Транзисторы и их аналоги

Транзистор   — аналог

Транзистор   — аналог

Транзистор   — аналог

2N1221 —   КТ501Г

2N4260 — КТ363АМ- Купить 2N5875 — 2Т818Б- Купить
2N1613 —   КТ630Г — Купить 2N4261 — КТ363ЕМ- Купить 2N6034 — КТ8130А- Купить
2N1715 — КТ630B — Купить 2N4271 — 2Т653А — Купить 2N6035 — КТ8130Б — Купить
2N2218 — КТ928А — Купить 2N4400 — КТ660А — Купить 2N6036 — КТ8130В — Купить
2N2219 — КТ928Б — Купить 2N4401 — КТ660А — Купить 2N6037 — КТ8131А — Купить
2N2219A — КТ928В — Купить 2N4402 — КТ685А — Купить 2N6038 — КТ8131Б — Купить
2N2221 — КТ3117А — Купить 2N4403 — КТ685В — Купить 2N6039 — КТ8131В — Купить
2N2222A — КТ3117Б — Купить 2N4411 — КТ3127А — Купить 2N6047 — КТ947А — Купить
2N2332 — 2Т208Б — Купить 2N4440 — 2Т921А — Купить 2N6053 — КТ825Б — Купить
2N2334 — 2Т208Г — Купить 2N4494 — KT645А — Купить 2N6054 — КТ825А — Купить
2N2335 — 2Т208Д — Купить 2N4930 — КТ505Б — Купить 2N6093 — КТ912А — Купить
2N2336 — 2Т208Л — Купить 2N4931 — КТ505А — Купить 2N6202 — КТ934А — Купить
2N2337 — 2Т208М — Купить 2N4933 — КТ927А — Купить 2N6203 — КТ934Б — Купить
2N2369 — КТ3142А — Купить 2N5069 — КТ3102Е — Купить 2N6204 — КТ934В — Купить
2N2405 — 2Т630А — Купить 2N5086 — КТ3107Б — Купить 2N6253 — 2Т818В — Купить
2N2440 — 2Т630Б — Купить 2N5087 — КТ3107К — Купить 2N6278 — КТ879Б — Купить
2N2904 — КТ692А — Купить 2N5088 — КТ3102Е — Купить 2N6279 — КТ879А — Купить
2N3055 — КТ8150А — Купить 2N5092 — КТ504А — Купить 2N6362 — КТ930А — Купить
2N3250 — КТ3108А — Купить 2N5177 — КТ909А — Купить 2N6364 — КТ930Б — Купить
2N3250A — КТ3108Б — Купить 2N5178 —   КT909Б — Купить 2N6369 — КТ931А — Купить
2N3251 — КТ3108В — Купить 2N5210 —   КТ3102Б — Купить 2N6388 — КТ899А — Купить
2N3448 — 2Т504А — Купить 2N5400 — КТ6116Б — Купить 2N6428 — КТ3117Б — Купить
2N3725 — КТ635Б — Купить 2N5401 — КТ6116А — Купить 2N6515 — КТ504Б — Купить
2N3733 — КТ907А — Купить 2N5483 — 2Т919А — Купить 2N6516 — КТ504В — Купить
2N3903 — КТ645А — Купить 2N5550 — КТ6117Б — Купить 2N6517 — КТ504А — Купить
2N3904 — КТ6137А — Купить 2N5551 — КТ6117А — Купить 2N6518 — КТ505Б — Купить
2N3905 — КТ313А — Купить 2N5589 — КТ920А — Купить 2N6519 — КТ505А — Купить
2N3906 — КТ6136А — Купить 2N5590 — КТ920Б — Купить 2N6520 — КТ505А — Купить
2N3939 — 2Т506А — Купить 2N5591 — КТ920В — Купить 2N6542 — КТ840Б — Купить
2N4001 — 2Т653Б — Купить 2N5641 — КТ922А — Купить 2N6543 — КТ840А — Купить
2N4060 — КТ681А — Купить 2N5642 — КТ922Б — Купить 2N6546 — 2Т878Б — Купить
2N4123 — КТ503А — Купить 2N5643 — КТ922В — Купить 2N6618 — 2Т3132А — Купить
2N4124 — КТ503Б — Купить 2N5650 — 2Т3114А — Купить 2N6721 — КТ504Б — Купить
2N4125 — КТ502А — Купить 2N5672 — 2Т974А — Купить 2N6853 — 2Т708Б — Купить
2N4126 — КТ502Е — Купить 2N5709 — КТ944А — Купить 2N6972 — КТ874А — Купить
2N4236 — КТ830Г — Купить 2N5758 — 2Т818А — Купить 2N940 — 2Т208Ж — Купить
2N4239 — КТ831Г — Купить 2N5773 — КТ8101А — Купить

Транзисторы

 *  *  *  Транзисторы
2SA1106 — КТ8101Б — Купить 2SA7330 — КТ3107А — Купить 2SA733R — КТ3107А — Купить
2SA610 — КТ361А2 — Купить 2SA733G — КТ3107И — Купить 2SA733Y — КТ3107Б — Купить
2SA611 —   КТ361А3 — Купить 2SA733L — КТ3107И — Купить
 *  *  *
2SB546A — КТ851В — Купить 2SB710 — КТ3173А9 — Купить 2SB970 — КТ3171А9 — Купить
2SВ506A — 2Т842А — Купить 2SB772 — КТ9176А — Купить
 *  *  *
2SC1618 — КТ808БМ — Купить 2SC3150 — КТ8118А — Купить 2SC4242 — КТ8110А — Купить
2SC1619A — КТ808АМ — Купить 2SC3217 — 2Т9155А — Купить 2SC456 — КТ645А — Купить
2SC1815BL — КТ3102Б — Купить 2SC3218 — 2Т9155Б — Купить 2SC544 — КТ315А1 — Купить
2SC1815GR — КТ3102Б — Купить 2SC3257 — КТ854А — Купить 2SC546 — КТ315Б1 — Купить
2SС1815L — КТ3102Б — Купить 2SC3277M — 2Т718А — Купить 2SC714 — КТ645Б — Купить
2SC1815O — КТ3102А — Купить 2SC3306 — КТ8117А — Купить 2SC730 — КТ610А — Купить
2SC1815Y — КТ3102Б — Купить 2SC3360 — 2Т9155В — Купить 2SC9110 — КТ637Б — Купить
2SC1929 — КТ504В — Купить 2SC3412 — КТ886А1 — Купить 2SC9450 — КТ3102А — Купить
2SC2122 — КТ841Б — Купить 2SC3750 — КТ8108А — Купить 2SC945G — КТ3102Б — Купить
2SC216B — КТ850А — Купить 2SC380 — КТ315Г — Купить 2SC945L — КТ3102Б — Купить
2SC2240BL — КТ503Е — Купить 2SC388 — КТ315Г — Купить 2SC945R — КТ3102А — Купить
2SC2240GR — КТ503Е — Купить 2SC4055 — KT8120A — Купить 2SC945Y — КТ3102Б — Купить
2SC2270 — КТ9157 — Купить 2SC4173 — КТ645Б — Купить
 Транзисторы  *  *  *  Транзисторы
2SD1172 — 2Т713А — Купить 2SD415 — КТ683Д — Купить 2SD882 —   КТ9177А — Купить
2SD1565 — 2Т9136АС — Купить 2SD602 — КТ3176А9 — Купить 2SD900B — КТ8183А — Купить
2SD401A — КТ8123А — Купить 2SD814 — КТ3179А9 — Купить
 *  *  *
ВС119 — КТ630Б — Купить BC338-16 — КТ660Б — Купить
BC136 — КТ639Б — Купить BC338-25 — КТ660Б — Купить BC560B— КТ3107И — Купить
ВС140 — КТ630Д — Купить BCЗЗ8-40 — КТ660Б — Купить BC560C — КТ3107И — Купить
BC223A — КТ660Б — Купить BC516 — КТ686Ж — Купить BC635 — КТ503Б — Купить
BC223B — КТ660Б — Купить BC517 — КТ645А — Купить BC636 — КТ684А — Купить
ВС237А — КТ3102А — Купить BC546A — КТ503Д — Купить BC637 — КТ503Г — Купить
BC237B — КТ3102Б — Купить BC546B — КТ3117Б — Купить BC638 — КТ684Б — Купить
BC237C— КТ3102Б — Купить BC546С — КТ3117Б — Купить BC639 — КТ503Е — Купить
BC238A— КТ645А — Купить BC547A — КТ645А — Купить BC640 — КТ684В — Купить
BC238B— КТ3102В — Купить BC547B — КТ3102БМ — Купить BC847A — КТ3189А9 — Купить
BC238C— КТ3102В — Купить BC547C — КТ3102БМ — Купить BC847B — КТ3189Б9 — Купить
BC239A— КТ3102Д — Купить BC548A — КТ3102ВМ — Купить BC847C — КТ3189В9 — Купить
BC239В — КТ3102Д — Купить BC548B — КТ3102ВМ — Купить BC857A — КТ3129Б9 — Купить
BC239C— КТ3102Д — Купить BC549A — КТ3102ВМ — Купить BC857B — КТ3129Г9 — Купить
BC307A— КТ3107Б — Купить BC549B — КТ3102ВМ — Купить BC858A — КТ3129В9 — Купить
BC307B— КТ3107И — Купить BC549C — КТ3102ВМ — Купить
BC307C— КТ3107И — Купить BC54BC — КТ3102ВМ — Купить BCF32 — КТ3172А9 — Купить
BC308A— КТ3107Г — Купить BC550A — КТ3102АМ — Купить BCХ53 — 2Т664А9 — Купить
BC308B— КТ3107Д — Купить BC550B — КТ3102БМ — Купить BCХ56 — КТ665А9 — Купить
BC308С — КТ3107К — Купить BC550C — КТ3102БМ — Купить BCХ70 — КТ3153А9 — Купить
BC309А — КТ3107Е — Купить BC556A — КТ502Д — Купить BCY38 — КТ501Д — Купить
BC309В — КТ3107Ж — Купить BC556B — КТ502Д — Купить BCY39— КТ501М — Купить
BC309С — КТ3107Л — Купить BC556C — КТ502Д — Купить BCY54— КТ501К — Купить
BC327-16 — КТ686А — Купить BC557A — КТ6б8Б — Купить BCY92— 2Т3152А — Купить
BC327-25 — КТ686Б — Купить BC557B — КТ668В — Купить BCY93B— КТ501Л — Купить
BC327-40 — КТ686В — Купить BC557C — КТ3107И — Купить BCW31 — КТ3130Д9 — Купить
BC328-16 — КТ686Г — Купить BC558A — КТ3107Г — Купить BCW33LT1— КТ3130Е9 — Купить
BC328-25 — КТ686Д — Купить BC558C — КТ3107К — Купить BCW71— КТ3139А — Купить
BC328-40 — КТ686Е — Купить BC559A — КТ3107Е — Купить BCW72— КТ3139Б — Купить
BC337-16 — КТ660А — Купить BC559B — КТ3107Ж — Купить BCW73— КТ3139В — Купить
BC337-25 — КТ660А — Купить BC559C — КТ3107Л — Купить
BC337-40 — КТ660А — Купить BC560A — КТ3107Б — Купить
 *  *  *
BD130 — КТ819БМ — Купить BD233 — КТ817Б — Купить BDW22 — КТ818БМ — Купить
BD135 — КТ815Б — Купить BD234 — КТ816Б — Купить BDW51 — КТ819АМ — Купить
BD136 — КТ814Б — Купить BD235 — КТ817В — Купить BDW51B — 2Т819А — Купить
BD136-10 — КТ639В — Купить BD236 — КТ816В — Купить BDW64A — КТ896А — Купить
BD136-16 — КТ639А — Купить BD237 — КТ817Г — Купить BDW65A — КТ8106А — Купить
BD137 — КТ815В — Купить BD238 — КТ816Г — Купить BDX53 — КТ829Г — Купить
BD138 — КТ814В — Купить BD242B — КТ818Г — Купить BDX53A — КТ829В — Купить
BD138-10 — КТ639Е — Купить BD291 — КТ819А — Купить BDX53B — КТ829Б — Купить
BD138-16 — КТ639Г — Купить BD292 — КТ818А — Купить BDX53E — КТ829Д — Купить
BD138-6 — КТ639Д — Купить BD293 — КТ819Б — Купить BDX54 — КТ853Г — Купить
BD139 — КТ815Г — Купить BD295 — КТ819В — Купить BDX54F — КТ712А — Купить
BD140 — КТ814Г — Купить ВD534 — КТ837А — Купить BDX62 — КТ825Д — Купить
BD140-10 — КТ639Ж — Купить BD536 — КТ837Б — Купить BDX63A — КТ827А — Купить
BD140-6 — КТ639И — Купить BD875 — КТ972А — Купить BDY20 — 2Т819В — Купить
BD142 — 2Т819Б — Купить BD876 — КТ973А — Купить BDY73 — КТ819ВМ — Купить
BD202 — КТ818Б — Купить BDV64 — КТ8159В — Купить BDY98 — 2Т841Б — Купить
BD203 — КТ819Г — Купить BDV65 — КТ8158В — Купить
BD204 — КТ818В — Купить BDW21 — КТ819ГМ — Купить
 *  *  *
BF391 — КТ698К — Купить BF492 — КТ505Б — Купить BF970 — КТ3165А — Купить
BF392 — КТ504Б — Купить BF493 — КТ505А — Купить BF979S — КТ3109А — Купить
BF393 — КТ504В — Купить BF506 — КТ3126А — Купить BFP194 — КТ6129А9 — Купить
BF419 — КТ969А — Купить BF554 — КТ3170А9 — Купить BFR90 — КТ3198А — Купить
BF422 — КТ940А — Купить BF565 — КТ3169А9 — Купить BFR90A — КТ3198Б — Купить
BF423 — КТ9115А — Купить BF569 — КТ3192А9 — Купить BFR91 — КТ3198В — Купить
BF458 — КТ940Б — Купить BF595 — КТ3169А9 — Купить BFR91A — КТ3198Г — Купить
BF459 — КТ940А — Купить BF599 — КТ368А9 — Купить BFR92 — КТ3187А9 — Купить
BF472 — КТ9115А — Купить BF820S — КТ666А9 — Купить BFT92 — КТ3191А9 — Купить
BF491 — КТ6127К — Купить BF821S — КТ867А9 — Купить BFY68 — КТ630Е — Купить
 *  *  *
BLX96 — КТ98ЗА — Купить BLX98 — КТ983В — Купить BLY53 — КТ925Б — Купить
BLX97 — КТ983Б — Купить BLY38 — КТ925А — Купить
 Транзисторы  *  *  *  Транзисторы
BU106 — 2Т841А — Купить BU426A — KT868A — Купить BUX21 — 2T866A — Купить
BU126 — КТ845А — Купить BU508 — KT872A — Купить BUX37 — KT848A — Купить
BU207 — КТ846Б — Купить BU508A — KT8107A — Купить BUX48 — КТ856Б — Купить
BU208 — КТ8127Б — Купить BU508D — KT872B — Купить BUX48A — 2T856A — Купить
BU208A — КТ8127А — Купить BU931PFI — KT898A1 — Купить BUX54 — KT506A — Купить
BU209 — КТ846Г — Купить BU931Z — KT897A — Купить BUX98 — KT878A — Купить
BU406 — КТ8124А — Купить BU931ZP — KT898A — Купить BUX98A — KT878B — Купить
BU406 — КТ858А — Купить BU932Z — КТ892Б — Купить BUY21 — KT867A — Купить
BU407 — KT8124B — Купить BUT92A — 2T891A — Купить BUZ60 — КП707А1 — Купить
BU407 — KT857A — Купить BUW76 — KT847A — Купить BUZ90 — КП707Б1 — Купить
BU408 — КТ8124Б — Купить BUX12 — 2T862A — Купить
BU426 — КТ868Б — Купить BUX17B — 2Т718Б — Купить
 *  *  *
BV807 — KT8156A — Купить BVS98A — 2T885A — Купить
 *  *  *
BY67A — KT630A — Купить
 *  *  *
DTA124E — КР1054НК2Б — Купить DTC114E — KP1054HK1B — Купить DTC144E — KP1054HK1A — Купить
DTA144E — KP1054HK2A — Купить DTC124E — КР1054НК1Б — Купить
 *  *  *
FJ401E — 2T3115A-2 — Купить
 *  *  *
KSA539 — KT502A — Купить KSC5021 — КТ8108Б — Купить KSD362 — КТ805БМ — Купить
КSC4106 — Т8136А — Купить KSD227 — KT503A — Купить KSD363 — KT805AM — Купить
 *  *  *
MD5000A — KTC3103A — Купить MD5000F — КТС3103Б — Купить
 *  *  *
MJ2955 — KT8102A — Купить MJE13004 — КТ8164Б — Купить MJE2955T — KT8149A2 — Купить
MJ4645 — 2Т505Б — Купить MJE13005 — KT8164A — Купить MJE3055T — KT8150A2 — Купить
MJ4646 — 2T505A — Купить MJE13006 — КТ8182Б — Купить MJE340 — КТ504В — Купить
MJE13002 — КТ8175Б — Купить MJE13007 — KT8182A — Купить MJE350 — КТ505А — Купить
MJE13003 — KT8175A — Купить MJE13009 — KT8145A — Купить
 *  *  *
MPS2923 — KT680A — Купить MPSA43  — KT6135B — Купить MPSL01 — KT638A — Купить
MPS404 — KT209A — Купить MPSA92 — КТ505А — Купить MPSL51 — КТ632Б1 — Купить
MPSA42 — КТ6135Б — Купить MPSA93 — KT698K — Купить
 *  *  *
PN2905A — KT644A — Купить PN2906A — КТ685Б — Купить PN2907A — КТ644Г — Купить
PN2906 — КТ644Б — Купить PN2907 — KT644B — Купить
 *  *  *
SC558B — КТ3107Д — Купить
 *  *  *
SS8050B — KT6114A — Купить SS9013E — КТ6110Б — Купить SS9016E — КТ6128Б — Купить
SS8050C — КТ6114Б — Купить SS9013F — KT6110B — Купить SS9016F — KT6128B — Купить
SS8050D — KT6114B — Купить SS9013G — КТ6111Г — Купить SS9016G — КТ6128Г — Купить
SS8550B — KT6115A — Купить SS9013H — КТ6111Д — Купить SS9016H — КТ6128Д — Купить
SS8550C — КТ6115Б — Купить SS9014A — KT6111A — Купить SS9016I — KT6128E — Купить
SS8550D — KT6115B — Купить SS9014B — КТ6111Б — Купить SS9018C — КТ6113Г — Купить
SS9012D — KT6109A — Купить SS9014C — KT6111B — Купить SS9018D — КТ6113А — Купить
SS9012E — КТ6109Б — Купить SS9014D — КТ6111Г — Купить SS9018E — КТ6113Б — Купить
SS9012F — KT6109B — Купить SS9015A — KT6112A — Купить SS9018F — KT6113B — Купить
SS9012G — КТ6109Г — Купить SS9015B — КТ6112Б — Купить SS9018H — КТ6113Д — Купить
SS9012H — КТ6109Д — Купить SS9015C — KT6112B — Купить SS9018I — KT6113E — Купить
SS9013D — KT6110A — Купить SS9016D — KT6128A — Купить
 *  *  *
STF143 — КТ501Ж — Купить STF144 — КТ501И — Купить
 Транзисторы  *  *  *  Транзисторы
TIP110 — KT716B — Купить TIP125 — KT8115B — Купить TIP150 — КТ8109Б — Купить
TIP111 — КТ716Б — Купить TIP125 — KT853B — Купить TIP151 — KT8109A — Купить
TIP112 — KT716A — Купить TIP126 — КТ8115Б — Купить TIP3055 — KT8150A1 — Купить
TIP115 — KT852B — Купить TIP126 — КТ853Б — Купить TIP41A — KT8125B — Купить
TIP116 — КТ852Б — Купить TIP127 — KT8115A — Купить TIP41B — КТ8125Б — Купить
TIP117 — KT852A — Купить TIP127 — KT853A — Купить TIP41C — KT8125A — Купить
TIP120 — KT8116B — Купить TIP140 — KT8111B — Купить TIP48 — KT859A — Купить
TIP121 — КТ8116Б — Купить TIP141 — КТ8111Б — Купить TIP661 — KT892A — Купить
TIP122 — KT8116A — Купить TIP142 — KT8111A — Купить
 *  *  *
VN1231 — KP1054HK3A — Купить

Автомобил-стайлинг багажника ред за съхранение на нетната чанта за Mercedes-Benz all class A B C E S G M ML CL CLK, CLS, GL, GLK R SL, SLK SLS-Series

Моля, обърнете внимание: 1 Безплатна доставка според "China Post Ordinary Air Mail Plus",не можете да следите своя парцел . 2 Ако искате да следите Вашите продукти от Prasno-Novo.news във вашата страна, Моля, изберете "China Post Registered Air Mail" или "метод на доставка на продавача" * * * * силно ви препоръчваме да изберете" China Post Registered Air Mail "или" Prasno-Novo.news Standard Shipping " размер (прибл. ) :

Нормален размер на:27,5 инча x 27,5 инча ( 700mm*700mm )

Максимален разширено размер на периметъра: 59 см x 59 см (приблизително)

(тегло на продукта, на чист около 0.15 кпс / PC)

Моля, потвърдете размер, преди да купите.

Инструкции за инсталиране: Ако вашият багажника на колата има четири линии вътре, можете да го използвате.

Тъй като куки могат да се движат, а след това ще можете сами да ги регулира на дължина и ширина.

Съхранявайте предмети от пристрастия по време на движение и защитени грузовую зона от разливи.

Характеристика: състояние: високо качество и 100% Нова (никога не е бил използван или е) * Продукт на трета страна, не е оригинал! Цвят: Черен

Материал: Мрежест + Полипропилен+Гъвкава Струна

100% чисто нов и високо качество

Лесно се закрепва към местата за закрепване на задния товарен отсек с помощта на 4 самоблокирующихся куки

Двухцелевая найлон: стил паяк или стил на капсулиране на

Гума за лесно товарене и помага да се поддържа тежки предмети в мрежата

Съхранявайте предмети от пристрастия по време на движение и защитени грузовую зона от разлив

Инструкции За Инсталиране:

Лесна инсталация, без модификации.

Пакетът включва: 1бр автомобил заден багажник ред за съхранение на нетната Чанта 2.на вниманието на: 1). Когато вие имате някакви разследване или въпрос,моля dont се колебайте да се свържете ние,ние ще ви отговорим скоро. 2). грешки могат да съществуват ръчно измерване. 3). Всички наши подробности проста опаковка, без търговията на дребно кутии. 4).Снимка с участието на магазина ни е основата на истинския продукт,се дължи на различни монитори и яркост, там би могло да бъде известна малюсенькой разлика в цветовете. 5). руският купувач обърнете внимание:моля, предложете пълно име на получателя на поръчка. В противен случай ние не носим отговорност за недоставку, причинена от липсата на информация. 6) Когато имате някакви въпроси относно това,моля, свържете се с нас, преди да се въведат някакви отзиви в нашия уеб сайт. 7) Ако от Саудитска Арабия, моля, уведомете ни на собствен номер на пощенската кутия и изпратете копие от идентификационната карта. Според правилата на Саудитска Арабия, документ за самоличност е задължително условие за митническото оформяне. 3. Доставка: ние доверены и честни. пред плати на поръчката, трябва да следвате тези конвенции : 1) цената не включва никакви митническа такса или данък.допълнително мито или такса на митническия отговорност за купувачите. 2) Срокът за доставка зависи от дестинацията и други фактори, може да отнеме до няколко дни. Доставката може да зависи от празници, събития и други неясноти.Ние не може да гарантира време на пристигането си. 3)ако не достигне до 50 трудодней, моля те, кажи ми, ние продлим време на защита 4) Ако не получи стоките в 60 работни дни (Бразилия 90 работни дни), след това ние ще ти върнем или ще повторно. ако не искате да следвате конвенции,моля, не плащате за поръчка и ние не сме добре дошли никакви спорове за доставка . Обикновено времето за доставка до много от страните е 25-45 работни дни (Русия Аржентина някъде 45-70 работни дни и Бразилия 70-90 работни дни) 5)в Prasno-Novo.news само около 25 страни могат да избират за доставка ", China Post Ordinary Small Packet Plus"или "Posti Finland Economy", това е безплатна доставка, но без информация за проследяване. 4. обратна връзка: вашето удовлетворение и положителен резултат на експозиция на много много важни за нас. Моля, оставете положителна оценка и да ни оценка е 5 звезди, ако сте доволни от нашите стоки и услуги. И ако имате някакъв проблем с нашите продукти или услуги, моля, не се колебайте да се свържете с нас, преди да напусне отрицателна обратна връзка. Ние ще направим всичко възможно, за да реши всички проблеми с най-доброто обслужване на клиентите. 1. ние се надяваме, че всички ще имат прекрасни покупки в магазина ми!Ние зависим от нашата удовлетвореност на клиентите, за да се постигне успех.Така че вашата обратна връзка, е наистина важно за нас, моля, пишете ни на положителните отзиви, ако сте доволни от нашия продукт или услуга, много ви благодаря ! 2. моля, свържете се с нас, преди да напусне неутрална(3 звезди) или отрицателна(1-2 звезди) обратна връзка.Ние ще се опитаме да направим всичко възможно, за да разреши този проблем и да ви оставя щастливо настроение за пазаруване тук. Благодарим ви! 3.Ако се чувствате недоволни и Вашето обяснение разумно, ние ще изпратим стоката повторно или върнем обратно. Ние ви гарантираме нулев риск на пазаруване тук. Ние ви предлагаме пълно връщане на парите, ако на продукта има някакви проблеми с качеството, защото не можете да го използвате. Свържете се с нас ако имате някакви въпроси или се нуждаете от някаква помощ, моля не се колебайте да се свържете с нас! Благодарим ви! Предупреждение: нашето обещание: Южна Америка: не е получил стоката в срок от 90 работни дни, пълно възстановяване на парите. Други страни: не са получили стоката в рамките на 60 работни дни, пълно възстановяване на парите. Моля, не спорете, подаден в продължение на период от време на нашето обещание. (Можете да се свържете с нас, за да се удължи време на защита на закупуване, за да се гарантира ви парцел) Ако това не ви харесва, моля, не се купуват нашите продукти. За избора на shippingment и проблема с проследяване на доставката Posti Finland Economy tracking, web: track. yw56.com.cn/en-US/ (само на пистата във Финландия, без проследяване на информацията във вашата страна) КЪМ BG или на около 40 дни можете да получите China Post Ordinary Small Packet Plus tracking, web: без проследяване на информация (само на пистата в Китай), на около 15 до 45 дни можете да получите на метод на доставка на продавача или проследяване на препоръчана въздушна поща China Post web:www.17track.net/en и може да се използва пощенска сайта на вашата държава, за да

Размер На Опаковката 25cm x 25cm x 10cm (9.84in x 9.84in x 3.94in)
Тип На Блока парче
Тегло На Опаковката 0.17kg (0.37lb.)

Когда и почему выходят из строя MOSFET?

Высокие температуры и другие параметры эксплуатационной среды, превышающие пределы безопасной работы, могут привести к выходу из строя полевых транзисторов, используемых в коммутационных цепях.

Современные полевые транзисторы MOSFET (полевой транзистор структуры металл-оксид-полупроводник) являются основными компонентами в преобразователях мощности, коммутаторах электрических цепей, в электроприводах и импульсных источниках питания (рис. 1). MOSFET отличаются высоким входным сопротивлением затвора, а ток, протекающий через канал между истоком и стоком, управляется напряжением на затворе. Однако при отсутствии надлежащей защиты высокие значения входного импеданса и коэффициента усиления могут привести к повреждению транзистора.

Рассмотрим несколько базовых принципов, позволяющих избежать повреждения MOSFET. Очевидно, напряжения между затвором и истоком, стоком и истоком не должны превышать предельные значения. То же касается и протекающего тока, ID. Существует также ограничение по мощности с учетом максимальной температуры перехода. Базовые значения для верхнего предела по этим параметрам приведены на графике в спецификации транзистора как области безопасной работы (ОБР - англ. SOA).  Применяются и другие тепловые ограничения. Например, график ОБР предполагает температуру окружающей среды 25°C при определенной температуре перехода (как правило, ниже 150°С). Но есть различные условия, которые могут вызвать высокие перепады температур, способные привести к физическому разрушению кристалла MOSFET.

Рис.1. Новое поколение MOSFET ON Semiconductor

Новое поколение MOSFET обладает пониженным сопротивлением канала «сток-исток» RDS (в открытом состоянии) для минимизации проводимости и оптимизации рабочего режима. Например, ON Semiconductor выпускает транзисторы NTMFS5C404NLT, NTMFS5C410NLT и NTMFS5C442NLT, имеющие максимальное значение RDS (во включенном состоянии) 0,74, 0,9 и 2,8 мОм, соответственно. Они дополняются комплементарными приборами NTMFS5C604NL, NTMFS5C612N и NTMFS5C646NL с номинальными напряжениями пробоя 60 В. Для облегчения температурного режима конструкции транзисторы с предельным напряжением в 40 В и 60 В рассчитаны на работу при температуре перехода до 175°C.

В связи с этим следует обратить внимание, что тепловое сопротивление транзистора - среднее значение, применимое тогда, когда весь кристалл имеет одинаковую температуру. Но MOSFET, предназначенные для импульсных блоков питания, могут иметь широкий разброс по температуре в разных зонах кристалла. Транзисторы, оптимизированные для работы в режиме включения/ выключения,  не так хорошо работают в линейной области рабочей характеристики.

Типичный режим «отказа» MOSFET связан с коротким замыканием между истоком и стоком. В этом случае только сопротивление источника питания ограничивает пиковый ток. Короткое замыкание является причиной оплавления кристалла и металла. Например, достаточно высокое напряжение между затвором и истоком (VGS) может разрушить оксидный слой затвора MOSFET. Рассчитанные на 12 В затворы скорее всего разрушатся примерно при 15 В.  Затворы, имеющие запас до 20 В, могут выйти из строя при напряжении около 25 В.

В конечном итоге превышение номинального напряжения транзистора в течение нескольких наносекунд может привести к разрушению MOSFET. Производители рекомендуют выбирать транзистор с запасом по ожидаемым уровням напряжения и при условии подавления любых скачков и импульсов напряжения.

Минимальная мощность управления затвором

MOSFET спроектированы с расчетом на то, что в открытом состоянии выделяется минимальная рассеиваемая мощность: для уменьшения рассеиваемой мощности транзистор должен быть полностью открыт. В противном случае повышенное сопротивление MOSFET приведет к выделению значительной мощности в виде тепла.

В сущности, MOSFET перегревается из-за действия высокого тока; плохой теплоотвод может быть причиной разрушения MOSFET от чрезмерной температуры. Одним из способов ограничения чрезмерного тока является параллельное соединение нескольких транзисторов, когда ток нагрузки разделяется между ними.

Рис.2. График зависимости рассеиваемой мощности MOSFET от температуры

Графики зависимости рассеиваемой мощности транзистора от температуры позволяют судить о требуемом теплоотводе и креплении –  как в примере с представленным выше графиком ON Semiconductor для CPh4348 (рис. 2).

Многие p- и n-канальные MOSFET используются в схемах с топологией Н и L мостов, включенных между шинами напряжения питания. В этом случае, если управляющие сигналы на затворах транзисторов частично перекрываются, оба транзистора будут кратковременно находиться в открытом состоянии, фактически накоротко замыкая источник питания. Когда это происходит, все конденсаторы цепей развязки по питанию быстро разряжаются через сквозной канал из двух транзисторов (во время их переходных состояний при переключении), вызывая короткие, но большие импульсы тока.

Чтобы предотвратить одновременное открытое состояние транзисторов, необходимо обеспечить короткую паузу между их переключениями из открытого состояния в закрытое и наоборот.

Рис.3. График типичной ОБР для MOSFET

На рис. 3 представлен типичный график ОБР для MOSFET CPh4348 компании ON Semiconductor. График ОБР предполагает температуру окружающей среды 25 °С при температуре перехода ниже 150 °С.

Превышение тока даже на короткое время может привести к прогрессирующему повреждению MOSFET, часто с малозаметным повышением температуры перед отказом транзистора. Многие транзисторы, имеющие высокие значения допустимого пикового тока, как правило, рассчитаны на пиковые токи длительностью примерно до 300 мкс. Это особенно важно в случае перегрузки MOSFET по пиковому току при переключении индуктивных нагрузок.

При коммутации индуктивных нагрузок должна быть предусмотрена цепь погашения обратной ЭДС во время выключения транзистора. При резком отключении напряжения питания на индуктивной нагрузке возникает всплеск обратного напряжения. На этот случай в некоторых MOSFET имеется защитный диод.

Катушки индуктивности и емкости в высокочастотных резонансных контурах способны накапливать значительное количество энергии. При определенных условиях эта высокопотенциальная энергия от всплесков обратного напряжения вызывает появление тока через встроенные диоды транзисторов MOSFET, когда один транзистор выключается, а другой включается. (Внутренний встроенный диод, подключенный между стоком и истоком, формируется в р-n переходе «корпус-сток». В n-канальных MOSFET анод встроенного диода подключается к стоку. Полярность включения становится обратной в p-канальных транзисторах.) Проблема может возникнуть из-за медленного выключения (обратного восстановления) встроенного диода, когда противоположный MOSFET пытается открыться.

Встроенные диоды MOSFET имеют длительное время восстановления запирающего слоя по сравнению с рабочими циклами самих транзисторов. Если во время работы комплементарного транзистора встроенный диод на одном MOSFET окажется в проводящем состоянии, то возникает сквозное замыкание источника питания. Эту проблему можно решить посредством диода Шоттки и диода с быстро восстанавливаемым обратным сопротивлением. Диод Шоттки подключается последовательно с истоком MOSFET и предотвращает протекание тока прямого смещения через встроенный диод MOSFET при всплесках напряжения на индуктивной нагрузке. Высокоскоростной (быстрое восстановление) диод подключается параллельно с парой MOSFET/диод Шоттки, что позволяет пропустить ток, возникающий при всплесках напряжения на индуктивной нагрузке, в обход MOSFET и диода Шоттки. Это гарантирует, что встроенный в MOSFET диод никогда не будет находиться в проводящем состоянии.

Рис. 4. Зависимость теплового сопротивления от длительности открытого состояния транзистора

На тепловое сопротивление MOSFET может существенно влиять длительность периода включенного состояния. На рис. 4 приведен конкретный пример графика для транзистора ON Semiconductor CPh4348.

Переходные состояния

Транзисторы MOSFET рассеивают незначительную энергию, когда находятся во включенном или выключенном состоянии, но во время переходного процесса между этими состояниями выделяемая энергия значительно возрастает. Таким образом, чтобы свести к минимуму рассеиваемую мощность, желательно переключаться как можно быстрее. Так как затвор MOSFET является емкостью, он требует значительных импульсов тока заряда и разряда в течение нескольких десятков наносекунд. Пиковые токи затвора могут достигать нескольких ампер.

Высокий входной импеданс MOSFET может быть причиной нестабильности. При определенных условиях высоковольтные транзисторы могут стать генераторами высоких частот из-за паразитных индуктивностей и емкостей в окружающих цепях (частоты обычно в нижней части мегагерцового диапазона). Производители рекомендуют использовать низкоомные цепи управления затворами MOSFET, чтобы предотвратить появление в них паразитных сигналов.

Почему приложение не поддерживается на моем устройстве

Приложение не поддерживается на вашем устройстве Android. Смартфон не поддерживает приложение, которое вы хотите загрузить из Google Play Маркете? Такое случалось и ранее, но единичные жалобы на проблему слились в хор недовольных голосов, когда появилась и мгновенно взлетела на пик популярности новая игра из серии Asphalt – Asphalt Xtreme. Особенно были разочарованы владельцы смартфонов Xiaomi Redmi 3S, массово получающие сообщение «Не поддерживается на вашем устройстве». Сегодня мы научим вас, как обойти данное ограничение.

Если вы хотите загрузить большую новую игру или подключить новый стриминговый сервис, но приложение или услуга несовместимы с вашим устройством либо недоступны в вашей стране, это вовсе не повод отказываться от своих намерений. Тем и хороша наша любимая операционная система, что на Android-устройствах всегда найдется способ получить желаемое. Итак, мы покажем вам, как установить несовместимые приложения на Android с помощью нехитрых манипуляций.

Чтобы установить приложение, несовместимое с вашим устройством, вам понадобится программа Market Helper. Предположим, что у вас есть права суперпользователя на ваше устройство. Тогда все, что вам нужно сделать, это разрешить устанавливать приложения из неизвестных источников в настройках безопасности, а затем загрузить Market Helper .

1. Запустите Market Helper.

2. Выберите совместимое устройство:

Вы увидите четыре выпадающих меню: тип устройства, модель устройства, местоположение (страна) и носители. Они будут автоматически заполнены в соответствии со спецификациями вашего устройства. Вы можете изменить эту информацию, выбрав соответствующие поля другого устройства или модели, совместимой с приложением, которое вы хотите загрузить. Так что, если вы хотите скачать на смартфон приложение, которое предназначено только для планшетных компьютеров, вы можете выбрать модель планшета из выпадающих меню и зарегистрировать его данные на смартфоне в качестве «нового» устройства. Понятно, что выбор моделей не будет огромным, но того, что предлагается из нужной категории устройств, вполне достаточно для достижения цели.

  • Выбрать тип устройства;
  • Выбрать модель устройства;
  • Выбрать регион;
  • Выбрать носитель (при необходимости).

3. Нажмите "Активировать" в нижней части экрана и ответьте согласием на запрос суперпользователя, когда он всплывает. Вам также, возможно, придется согласиться на определенные права приложений, касающихся доступа к информации, в зависимости от версии Android, под управлением которой работает ваше устройство.

4. Вы увидите сообщение "Активировано успешно" с указанием выбранной модели устройства и оператора, а также предложение перейти в диспетчер устройств и дождаться, когда данные изменятся на нужные вам. Как только это произойдёт, можно смело запускать Play Маркет и загружать интересующее вас приложение.

  • Если у вас возникли проблемы с работой Play Маркета, попробуйте очистить кэш или просто загрузить apk-файл нужного приложения, потратив немного времени на его поиск в Chrome или позаимствовав у других пользователей.
  • Чтобы установить приложение, недоступное в стране вашего пребывания, попробуйте действовать по инструкции , опубликованной на нашем сайте ранее.
  • Если вы хотите вернуть реальные данные, вы можете вернуться к Market Helper и восстановить настройки по умолчанию или перезагрузить телефон.

Некоторые приложения, несмотря на все ваши старания, на вашем устройстве будут работать некорректно. Причина в том, что вы обманули Play Маркет с их загрузкой, но не учли такие простые вещи, как, например, разницу в разрешении экрана или в соотношении его сторон. Отдельные приложения могут не работать вообще.

2. Выберите совместимое устройство:
Вы увидите четыре выпадающих меню: тип устройства, модель устройства, местоположение (страна) и носители. Они будут автоматически заполнены в соответствии со спецификациями вашего устройства. Вы можете изменить эту информацию, выбрав соответствующие поля другого устройства или модели, совместимой с приложением, которое вы хотите загрузить. Так что, если вы хотите скачать на смартфон приложение, которое предназначено только для планшетных компьютеров, вы можете выбрать модель планшета из выпадающих меню и зарегистрировать его данные на смартфоне в качестве «нового» устройства. Понятно, что выбор моделей не будет огромным, но того, что предлагается из нужной категории устройств, вполне достаточно для достижения цели.

Итак, необходимо:

  • Выбрать тип устройства;
  • Выбрать модель устройства;
  • Выбрать регион;
  • Выбрать носитель (при необходимости).

4. Вы увидите сообщение "Активировано успешно" с указанием выбранной модели устройства и оператора, а также предложение перейти в диспетчер устройств и дождаться, когда данные изменятся на нужные вам. Как только это произойдёт, можно смело запускать Play Маркет и загружать интересующее вас приложение.

Примечания:

  • Если у вас возникли проблемы с работой Play Маркета, попробуйте очистить кэш или просто загрузить apk-файл нужного приложения, потратив немного времени на его поиск в Chrome или позаимствовав у других пользователей.
  • Чтобы установить приложение, недоступное в стране вашего пребывания, попробуйте действовать по инструкции, опубликованной на нашем сайте ранее.
  • Если вы хотите вернуть реальные данные, вы можете вернуться к Market Helper и восстановить настройки по умолчанию или перезагрузить телефон.

Некоторые приложения, несмотря на все ваши старания, на вашем устройстве будут работать некорректно. Причина в том, что вы обманули Play Маркет с их загрузкой, но не учли такие простые вещи, как, например, разницу в разрешении экрана или в соотношении его сторон. Отдельные приложения могут не работать вообще.

Какие приложения вы скачали с помощью этих методов? Есть ли у вас какие-либо другие способы решения проблемы? Делитесь с другими пользователями вашим положительным и отрицательным опытом — он может помочь нашим читателям преодолеть сложности.

Твой andro >Google Play ➜ Не поддерживается на вашем устройстве Google Play

Ваш Андроид не поддерживает приложение, которое вы хотели бы установить из Google Play Маркете? Это может говорить например, о том, что ваше устройство со старой операционной системой Andro > Не спешите расстраиваться, если при скачивании приложения появилось сообщение: «Не поддерживается на вашем устройстве», в данной статье, мы дадим инструкции как обходить такие ограничения.

Как исправить — не поддерживается на вашем устройстве

Чтобы установить желанное приложение, несовместимое с вашим устройством, вам необходимо установить программу Market Helper. Скачать её нужно с сайта разработчика (удостоверьтесь что у вас есть возможность устанавливать программы на Андроид устройство из других источников). Также для работы программы Market Helper нужны root права, Как получить Рут на Андроид вы можете узнать из нашего раздела.

  • Откройте программу Market Helper на своем Андроид устройстве.

  • Выберите характеристики устройства. По умолчанию в характеристиках будут указаны данные вашего устройства, зная какие условия нужны для скачивания приложения вы может их сменить в выпадающем меню. Можно сменить:
  • тип устройства;
  • модель устройства;
  • регион расположения;
  • Далее, после смены характеристик нажмите «Активировать» подтвердив права суперпользователя (root).
    • Дождавшись сообщения: «Активировано успешно» с указанными вами данными модели устройства. Переходите в Google Play Маркет и устанавливайте «проблемное» приложение.

    Альтернативные способы решения если приложение не поддерживается на вашем устройстве

    1. Самый простой и иногда верный способ — это откатчика кеша приложения.
    2. Не можете скачать из Google Play, установите тогда APK файл данного приложения. (Скачать apk можно с множества источников).
    3. Если ограничения касаются из-за региона в котором вы находитесь, установите VPN. Сменив виртуально свое местонахождение вы сможете установить приложение.

    Важно понимать, что сменив установочные характеристики для того чтобы скачать из Google Play, приложение может работать не корректно так как может не тянуть процессор или разрешения экрана. А может даже и не работать вовсе, но попробовать стоит!

    Делитесь в комментариях о своем опыте установки приложений с ограничением для устройства. Сталкивались ли вы с таким и как поступали в таких случаях?

    Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги - замена транзисторов на отечественные

    Транзистор – популярный полупроводниковый прибор, выполняющий в электросхемах функции формирования, усиления или преобразования электросигналов и переключения электроимпульсов. Выделяют три типа этих приборов:

    • Однопереходные – иначе называются «двухбазовыми диодами». Представляют собой трехэлектродные полупроводники с одним p-n переходом;
    • Биполярные – имеют два p-n перехода;
    • Полевые – специальный класс, могут служить выключателями или регуляторами тока.

    Домашним мастерам, специалистам по ремонту радиоаппаратуры, конструкторам часто требуется подобрать отечественный аналог импортных приборов или наоборот. В некоторых случаях это необходимо для экономии средств – российская продукция гораздо дешевле импортной. Это можно сделать несколькими способами:

    • Найти data sheets – техническую документацию к зарубежным электронным компонентам, в которой указываются основные параметры, обозначение на схемах и краткое описание. Затем воспользоваться справочниками на отечественные устройства. И методом подбора найти российские аналоги транзисторов или близкие по характеристикам устройства. Это длительный и сложный путь.
    • Использовать таблицу, представленную на нашем сайте. Она поможет заменить зарубежный транзистор отечественным или уменьшить диапазон поиска до нескольких экземпляров.

    В нашем каталоге транзисторов вы можете подобрать и купить отечественные аналоги зарубежных транзисторов.

    Таблицы зарубежных аналогов транзисторов

    Если вы нашли неточность в таблицах аналогов или хотите дополнить их - напишите об этом в комментариях внизу страницы!

    Таблица аналогов биполярных транзисторов

    Зарубежные Отечественные
    2SC3217 2T9155A
    2SC3660 2T9155B
    2SC3218 2T9155Б
    Bak0510-50 2T9156БС
    BF423C 2Т3129В9-Г9,2Т3152В
    KF423 2Т3129Д9, 2Т3152Б
    BFY80 2Т3130А9
    2N2463 2Т3130Б9
    2N2459 2Т3130В9
    2N735A 2Т3130Г9
    2N844 2Т3130Д9
    PBC108A, B 2Т3133А2
    2N4260 2Т3135А1
    2N4261 2Т3135Б1
    S923TS 2Т3152А, Г, Д
    PBC107B 2Т3158А2
    2N2906A 2Т3160А2
    DC5108 2Т370А9
    CX954 2Т370Б9
    BD825 2Т642А2
    2N2218 2Т649А2
    SF123A 2Т672А2
    BD202 2Т818А
    1561-1015 2Т874А
    1561-1008 2Т874Б
    SDT69504 2Т880Д
    2N3584 2Т881Д
    2SA1009AM 2Т887А, Б
    BLY47A 2Т892А, 2Т892Б
    2N5050 2Т892В
    2SC2093 2Т9102А2, Б2, 2Т9103Б2
    2307(A) 2Т9103А2
    NE243499 2Т9108А2
    NE080481E-12 2Т9109А
    THA-15 2Т9111А
    THX-15 2Т9111Б
    AM1416200 2Т9114А, Б
    SDR075 2Т9117А, 2Т9118А
    2DR405B 2Т9117Б
    MRF846 2Т9117В
    LDR405B 2Т9118Б
    MRF846 2Т9118В
    NE3001 2Т9119А2
    PZB27020V 2Т9122А
    Ph2214-60 2Т9122Б
    MSC81400M 2Т9127В, Г
    MSC81325M 2Т9127Д, Е
    TN20 2Т9130А
    2SA1584 2Т9143А
    2023-6 2Т9146А
    2023-12 2Т9146Б
    2023-16 2Т9146В
    2SC3217 2Т9155А
    2SC3218 2Т9155Б, КТ9142А
    2SC3660 2Т9155В, КТ9152А
    222430 2Т9158А
    2023-6 2Т9158Б
    MRF544 2Т9159А
    AM1416200 2Т986А, Б
    MPF873 2Т987А
    AM1416200 2Т994А2—2Т994В2
    2N5177 2Т998А
    2SC3218* KT9142A
    2SC3660* KT9152A
    SD1483 KT9174A
    SD1492* Г101A
    ADY25 ГТ 701А, П210Б
    SD1492 ГТ101А
    AC128 ГТ402И
    AC127 ГТ404Б
    AD162 ГТ703Г
    AU106 ГТ810А, КТ812Б
    BC239B КТ 3102Ж
    SS9012 КТ209
    2N2784 КТ3101АМ
    BC109BP КТ3102И
    BC455D КТ3107Е1
    BC456B КТ3107И1
    BC526C КТ3107К1-Л1
    BF680 КТ3109А1
    BF979 КТ3109Б1
    BF970 КТ3109В1
    2N2615 КТ3132Д2
    2N2616 КТ3132Е2
    2N2906 КТ313А1
    2N2906A КТ313Б1
    2SA1090 КТ313В1
    2SA876H КТ313Г1
    PXT2222 КТ3153А9
    BFP720 КТ315В1
    2N3397 КТ315Р1
    2SD1220Q КТ3169А9, 2Т3129А9
    2SA1660 КТ3171А9, 2Т3129Б9
    2SD814 КТ3176А9
    MPS6513 КТ3184Б9
    TBC547A КТ3186А
    BCW47B КТ3187А
    BC408 КТ342А
    BC107B КТ342Б, КТ3102Б
    2SC404 КТ359А3
    SS9015 КТ361, КТ3107
    2SA556 КТ361Ж (И)
    BSW62A КТ361К (Л, М)
    BSW63A КТ361Н (П)
    MD5000A КТ363А
    2N3839 КТ370А9
    2N5651 КТ370Б9
    BC147 КТ373А
    2N3904 КТ375А, КТ375Б
    2SC601 КТ396А2
    2N709 КТ397А2
    MJE13001 КТ538А
    2SC64 КТ6110А (Б)
    2N1051 КТ6110В (Г, Д)
    BF337 КТ6113А (Б, В)
    BF338 КТ6113Г (Д, Е)
    2SA738B КТ6116А (Б)
    2N3114 КТ6117А
    2N3712 КТ6117Б
    BD136 КТ626Е, КТ6109А
    BC527-6 КТ629А2
    BD386 КТ629А3
    2N2368 КТ633А
    2N3303 КТ635А
    BD370A6 КТ639А1
    BD372 КТ639Б1
    2N2218A КТ647А2
    MPS706 КТ648А2
    2SA715C КТ664Б9
    BF177 КТ671А2, 2Т3130Е9
    BF179B КТ682Б2
    BD166 КТ720А
    2N4238 КТ721А
    BD168 КТ722А
    2N3054 КТ723А
    BD170 КТ724А
    BD165 КТ728А
    BUY90 КТ8107В (Г)
    MIE13005 КТ8121А2
    MIE13004 КТ8121Б2
    2SD401A КТ8146А
    2SC4055 КТ8146Б
    TIP41C КТ8212А—В
    BU2506D КТ8248А1
    BUD44D2 КТ8261А
    STD18202 КТ828Г
    BU205 КТ838Б
    2SB834 КТ842В
    2SD1279 КТ846Б
    BVX14 КТ846В
    BD223 КТ856А1
    BD944 КТ856Б1
    2N5839 КТ862Б
    2N5840 КТ862В
    2SC1173 КТ862Г
    2SC1624 КТ863Б
    2SC1625 КТ863В
    2SC2794 КТ866А
    2N4913 КТ866Б
    BU508 КТ872
    2SA1682-5 КТ9115А, Б, КТ9143А, Б, В
    SD1015 КТ9116А
    MRF422 КТ9116А, В
    I02015A КТ9116Б
    2SC3596F КТ9142А
    TCC2023-6L КТ9150А, 2Т9155В
    2SC3812 КТ9151АС
    2023-15T КТ9152А
    27AM05 КТ9170А
    SDT3207 КТ9171А, Б
    LT1739 КТ9171В
    2SB596 КТ9176А
    MJE2801T КТ9177А
    SD1483 КТ917А
    2N6180 КТ9180А, Б, 2Т877Г
    2N6181 КТ9180В, Г
    D44H7 КТ9181А, Б
    MRF430 КТ9181В, Г
    2N5102 КТ921А, В
    2N2219 КТ928Б
    BC303 КТ933А
    2N5996 КТ945Б
    2N5642 КТ945В, Г
    2N5643 КТ949А
    2SC2331 КТ961, КТ9171
    2N4440 КТ972В
    2N5995 КТ972Г
    LOT-1000D1-12B КТ979А
    2N4976 КТ996А2
    2SC976 КТ996Б2
    2N4128 КТ997В
    MP42 МП42Б
    ASZ18 П217В, ГТ711

    Биполярные транзисторы до 40 В

    Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
    SG769 2Т3133А npn 0.3 ТО-126
    2Т837В,Е pnp 8 ТО-220
    2SA1020 2Т860В pnp 2 ТО-39
    2Т877В pnp 20 ТО-3
    KT315H n-p-n 20 0.1
    KT503A n-p-n 25 0.15
    KT503B n-p-n 25 0.15
    KT686F p-n-p 25 0.8
    KTJ107B p-n-p 25 0.1
    авзтт p-n-p 30 7.5
    ГТ313А p-n-p 15 0.03
    ГТ313Б p-n-p 15 0.03
    ГТ313В p-n-p 15 0.03
    ГТ328А p-n-p 15 0.01
    ГТ328Б p-n-p 15 0.01
    ГТ328В p-n-p 15 0.01
    ГТ346А p-n-p 20 0.01
    ГТ346Б p-n-p 20 0.01
    ГТ346В p-n-p 20 0.01
    К13115Г-2 n-p-n 7 0.08
    КГ117Г n-база 30 0.05
    КГ201А(М) n-p-n 20 0.02
    КТ117А n-баэа 30 0.05
    КТ117Б n-баэа 30 0.05
    КТ117В n-база 30 0.05
    КТ201Б(М) n-p-n 20 0.02
    КТ201В(М) n-p-n 10 0.02
    КТ201Г(М) n-p-n 10 0.02
    КТ201Д(М) n-p-n 10 0.02
    КТ203Б(М) p-n-p 30 0.01
    КТ203В(М) p-n-p 15 0.01
    КТ208А(1) p-n-p 20 0.3
    КТ208Б(1) p-n-p 20 0.3
    КТ208В(1) p-n-p 20 0.3
    КТ208Г(1) p-n-p 30 0.3
    КТ208Д(1) p-n-p 30 0.3
    КТ208Е(1) p-n-p 30 0.3
    КТ209А p-n-p 15 0.3
    КТ209Б p-n-p 15 0.3
    КТ209Б1 p-n-p 15 0.3
    КТ209В p-n-p 15 0.3
    КТ209В1 p-n-p 15 0.3
    КТ209В2 p-n-p 15 0.3
    КТ209Г p-n-p 30 0.3
    КТ209Д p-n-p 30 0.3
    КТ209Е p-n-p 30 0.3
    КТ306Б(М) n-p-n 10 0.03
    кт306в(М) n-p-n 10 0.03
    кт306г(М) n-p-n 10 0.03
    кт306д(М) n-p-n 10 0.03
    КТ3101А-2 n-p-n 15 0.02
    КТ3102K(M) n-p-n 20 0.1
    КТ3102В(М) n-p-n 30 0.1
    КТ3102Г(М) n-p-n 20 0.1
    КТ3102Д(М) n-p-n 30 0.1
    КТ3102Е(М) n-p-n 20 0.1
    КТ3102Ж(М) n-p-n 20 0.1
    КТ3102И(М) n-p-n 20 0.1
    КТ3107Г p-n-p 25 0.1
    BC179AP КТ3107Д p-n-p 25 0.1
    BC179 КТ3107Е p-n-p 20 0.1
    КТ3107Ж p-n-p 20 0.1
    КТ3107К p-n-p 25 0.1
    КТ3107Л p-n-p 20 0.1
    КТ3109А p-n-p 25 0.05
    КТ3109Б p-n-p 20 0.05
    КТ3109В p-n-p 20 0.05
    КТ3115А-2 n-p-n 10 0.08
    КТ3115В-2 n-p-n 10 0.08
    КТ3120А n-p-n 15 0.02
    КТ3123А-2 p-n-p 15 0.03
    КТ3123Б-2 p-n-p 15 0.03
    КТ3123В-2 p-n-p 10 0.03
    КТ3126А p-n-p 20 0.02
    КТ3126Б p-n-p 20 0.02
    КТ3127А p-n-p 20 0.02
    кт3128А(1) p-n-p 40 0.02
    КТ3129В-9 p-n-p 30 0.1
    КТ3129Г-9 p-n-p 30 0.1
    КТ3129Д-9 p-n-p 20 0.1
    КТ312А n-p-n 20 0.03
    BFY39 КТ312Б n-p-n 35 0.03
    КТ312В n-p-n 20 0.03
    КТ3130В-9 n-p-n 30 0.1
    КТ3130Г-9 n-p-n 20 0.1
    КТ3130Д-9 n-p-n 30 0.1
    КТ3130Е-9 n-p-n 20 0.1
    КТ3130Ж-9 n-p-n 30 0.1
    2N2712 КТ315А n-p-n 25 0.1
    2N2926 КТ315Б n-p-n 20 0.1
    КТ315В n-p-n 40 0.1
    КТ315Г n-p-n 35 0.1
    BFP722 КТ315Г1 n-p-n 35 0.1
    2SC634 КТ315Д n-p-n 40 0.1
    КТ315Е n-p-n 35 0.1
    2SC641 КТ315Ж n-p-n 20 0.05
    КТ315Р n-p-n 35 0.1
    КТ3168А-9 n-p-n 15 0.03
    КТ316А(М) n-p-n 10 0.05
    КТ316Б(М) n-p-n 10 0.05
    КТ316В(М) n-p-n 10 0.05
    КТ316Г(М) n-p-n 10 0.05
    КТ316Д(М) n-p-n 10 0.05
    КТ325А(М) n-p-n 15 0.03
    КТ325Б(М) n-p-n 15 0.03
    КТ325В(М) n-p-n 15 0.03
    КТ326А(М) p-n-p 15 0.05
    КТ326Б(М) p-n-p 15 0.05
    КТ339А(М) n-p-n 25 0.03
    КТ339Б n-p-n 15 0.03
    КТ339В n-p-n 25 0.03
    КТ339Г n-p-n 25 0.03
    КТ339Д n-p-n 25 0.03
    КТ342А(М) n-p-n 30 0.05
    КТ342Б(М) n-p-n 25 0.05
    КТ342В(М) n-p-n 10 0.05
    КТ342ГМ n-p-n 30 0.05
    КТ342ДМ n-p-n 25 0.05
    КТ345А p-n-p 20 0.2
    КТ345Б p-n-p 20 0.2
    КТ345В p-n-p 20 0.2
    КТ347А p-n-p 15 0.05
    КТ347Б p-n-p 9 0.05
    КТ347В p-n-p 6 0.05
    КТ349А p-n-p 15 0.05
    BC178 КТ349Б p-n-p 15 0.05
    КТ349В p-n-p 15 0.05
    КТ350А p-n-p 20 0.6
    КТ351А p-n-p 15 (-0.4)
    КТ351Б p-n-p 15 (-0.4)
    КТ352А p-n-p 15 (-0.2)
    КТ352Б p-n-p 15 (-0.2)
    КТ355АМ n-p-n 15 0.03
    2SA555 КТ361А p-n-p 25 0.1
    КТ361Б p-n-p 20 0.1
    КТ361В p-n-p 40 0.1
    КТ361Г p-n-p 35 0.1
    КТ361Г1 p-n-p 35 0.1
    КТ361Д p-n-p 40 0.05
    КТ361Е p-n-p 35 0.05
    BC251 КТ361И p-n-p 15 0.05
    КТ363А(М) p-n-p 15 0.03
    КТ363Б(М) p-n-p 12 0.03
    КТ368А(М) n-p-n 15 0.03
    КТ371А n-p-n 10 0.02
    КТ372А n-p-n 15 0.01
    КТ372Б n-p-n 15 0.01
    КТ382А(М) n-p-n 10 0.02
    КТ382Б(М) n-p-n 10 0.02
    КТ391А-2 n-p-n 10 0.01
    КТ391Б-2 n-p-n 10 0.01
    КТ391В-2 n-p-n 10 0.01
    КТ399А n-p-n 15 0.02
    КТ399АМ n-p-n 15 0.03
    2N3906 КТ501 Ж,И,К pnp 0.3 ТО-92
    КТ501А p-n-p 15 0.3
    КТ501Б p-n-p 15 0.3
    КТ501В p-n-p 15 0.3
    КТ501Г p-n-p 30 0.3
    КТ501Д p-n-p 30 0.3
    КТ501Е p-n-p 30 0.3
    КТ502А p-n-p 25 0.15
    КТ502Б p-n-p 25 0.15
    КТ502В p-n-p 40 0.15
    КТ502Г p-n-p 40 0.15
    2SC1815 КТ503 А,Б npn 0.15 ТО-92
    КТ503В n-p-n 40 0.15
    КТ503Г n-p-n 40 0.15
    КТ603А n-p-n 30 0.3
    КТ603Б n-p-n 30 0.3
    Кт603в n-p-n 15 0.3
    КТ603Г n-p-n 15 0.3
    Кт603д n-p-n 10 0.3
    КТ603Е n-p-n 10 0.3
    Кт603и n-p-n 30 0.3
    BC547  КТ6111 (А-Г) npn 0.1 ТО-92
    2SA1266  КТ6112 (А-В) pnp 0.1 ТО-92
    КТ6127Г p-n-p 30 2
    КТ6127Д p-n-p 12 2
    КТ6127Е p-n-p 12 2
    2N4403  КТ626А pnp 0.5 ТО-126
    КТ626Г p-n-p 20 0.5
    КТ626Д p-n-p 20 0.5
    BD136 КТ639А,Б,В pnp 1.5 ТО-126
    КТ639И p-n-p 30 1.5
    КТ644В p-n-p 40 0.6
    КТ644Г p-n-p 40 0.6
    2N3904 КТ645Б n-p-n 40 0.3 ТО-92
    2N4401  КТ646Б n-p-n 40 1 ТО-126
    BC337  КТ660А npn 0.8 ТО-92
    КТ660Б n-p-n 30 0.8
    BC557  КТ668 (А-В) pnp 0.1 ТО-92
    КТ680А n-p-n 25 0.6
    КТ681А p-n-p 25 0.6
    BC635 КТ684А npn 1 ТО-92
    КТ685 А,В pnp 40 0.6 ТО-92
    КТ685д p-n-p 25 0.6
    КТ685Е p-n-p 25 0.6
    КТ685Ж p-n-p 25 0.6
    BC327 КТ686 А,Б,В pnp 45 0.8 ТО-92
    КТ686Г p-n-p 25 0.8
    КТ686Д p-n-p 25 0.8
    КТ686Ж p-n-p 25 0.8
    BC636 КТ692А pnp 1 ТО-39
    КТ695А n-p-n 25 0.03
    КТ698Г n-p-n 30 2
    КТ698Д n-p-n 12 2
    КТ698Е n-p-n 12 2
    КТ8111Б' n-p-n 40 0.02
    КТ8111В" n-p-n 30 0.02
    КТ8130А* p-n-p 40 4
    КТ8131А* n-p-n 40 4
    КТ814А pnp 25 1.5 ТО-126
    КТ814Б p-n-p 40 1.5
    BD135 КТ815А npn 30 1.5 ТО-126
    BD434 КТ816А p-n-p 40 3
    КТ816А2 p-n-p 40 3
    2SB856 КТ816Б pnp 3 ТО-126
    BD435 КТ817А,Б npn 40 3 ТО-126
    TIP33 КТ818А pnp 40 10 ТО-220
    КТ818АМ p-n-p 40 15
    TIP34 КТ819А,Б npn 40 10 ТО-220,
    9527 КТ819АМ n-p-n 40 15
    КТ825Е* p-n-p 30 0.02
    КТ829Г npn 8 ТО-220
    КТ835А p-n-p 30 3
    КТ835Б pnp 7.5 ТО-220
    КТ837Ж p-n-p 30 7.5
    КТ837И p-n-p 30 7.5
    КТ837К p-n-p 30 7.5
    FMMT717 КТ852Г pnp 2 ТО-220
    КТ853Г pnp 8 ТО-220
    2SD1062 КТ863А npn 30 10 ТО-220
    КТ896В* p-n-p 30 0.02
    КТ943А npn 2 ТО-126
    КТ972Б npn 4 ТО-126
    2SB857 КТ973Б  pnp 4 ТО-126
    ктзб1Ж p-n-p 10 0.05
    ктзевБ(М) n-p-n 15 0.03
    КТЗОвА(М) n-p-n 10 0.03
    КТЭ72В n-p-n 15 10
    СТ837У p-n-p 30 7.5
    СТ837Ф p-n-p 30 7.5

    Биполярные транзисторы до 60 В

    Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
    2Т708Б pnp 2.5 ТО-39
    MJE2955 2Т709В pnp 10  ТО-3
    2Т709В2* p-n-p 60 10
    BDX85 2Т716В,В1 npn 60 10 ТО-3
    BDX78 2Т818В p-n-p 60 15
    2Т819В p-n-p 60 15
    2Т825В pnp 20 ТО-3
    2Т825В2 pnp 60 15 ТО-220
    2Т830Б pnp 2 ТО-39
    2Т831Б npn 2 ТО-39
    2Т836В pnp 3 ТО-39
    2Т837Б,Д pnp 8 ТО-220
    MJE3055 2Т875В npn 10 ТО-3
    2Т877Б pnp 20 ТО-3
    2Т880В pnp 2 ТО-39
    2Т881В npn 2 ТО-39
    2SC3402  503В,Г npn 0.15 ТО-92
    ICT814B p-n-p 60 1.5
    KT6S8B n-p-n 50 2
    ГТ806Г p-n-p 50 15
    ГТ905Б p-n-p 60 3
    КТ203А(М) p-n-p 60 0.1
    КТ208Ж(1) p-n-p 45 0.3
    КТ208И(1) p-n-p 45 0.3
    КТ208К(1) p-n-p 45 0.3
    КТ208Л(1) p-n-p 60 0.3
    КТ208М(1) p-n-p 60 0.3
    КТ209Ж p-n-p 45 0.3
    КТ209И p-n-p 45 0.3
    КТ209К p-n-p 45 0.3
    КТ209Л p-n-p 60 0.3
    КТ209М p-n-p 60 0.3
    BC182 КТ3102А(М) n-p-n 50 0.1
    КТ3102Б(М) n-p-n 50 0.1
    BC212 КТ3107А p-n-p 45 0.1
    BCY78 КТ3107Б p-n-p 45 0.1
    BCY78 КТ3107И p-n-p 45 0.1
    КТ3108А p-n-p 60 0.2
    КТ3108Б p-n-p 45 0.2
    КТ3108В p-n-p 45 0.2
    PN5132 КТ3117А(1) n-p-n 60 0.4
    КТ3129А-9 p-n-p 50 0.1
    КТ3129Б-9 p-n-p 50 0.1
    КТ3130А-9 n-p-n 50 0.1
    КТ3130Б-9 n-p-n 50 0.1
    КТ313А(М) p-n-p 60 0.35
    2N2907 КТ313Б(М) p-n-p 60 0.35
    КТ315И n-p-n 60 0.05
    КТ361К p-n-p 60 0.05
    КТ501Ж p-n-p 45 0.3
    КТ501И p-n-p 45 0.3
    КТ501К p-n-p 45 0.3
    КТ501Л p-n-p 60 0.3
    КТ501М p-n-p 60 0.3
    КТ502Д p-n-p 60 0.15
    КТ502Е p-n-p 60 0.15
    BSR41 КТ530А npn 1 TO-92
    КТ6127В p-n-p 50 2
    BD138  КТ626Б pnp 60 0.5 ТО-126
    BC637  КТ630Д,Е npn 1 ТО-39
    КТ639А p-n-p 45 1.5
    КТ639Б p-n-p 45 1.5
    КТ639В p-n-p 45 1.5
    КТ639Г p-n-p 60 1.5
    BD138 КТ639Г,Д pnp 60 1.5 ТО-126
    2N3545 КТ644(А-Г) pnp 60 0.6 ТО-126
    КТ645А npn 60 0.3 ТО-92
    BD137  КТ646А npn 0.5 ТО-126
    КТ659А npn 1.2 ТО-39
    2SA684  КТ661А  pnp 0.6 ТО-39
    BC556 КТ662А pnp 0.4 ТО-39
    КТ668А p-n-p 45 0.1
    КТ668Б p-n-p 45 0.1
    КТ668В p-n-p 45 0.1
    КТ683Д n-p-n 60 1
    2SD1616 КТ683Д,Е npn 60 1 ТО-126
    КТ685Б p-n-p 60 0.6
    BC638 КТ685Б,Г pnp 60 0.6 ТО-92
    SA1245 КТ686А p-n-p 45 0.8
    КТ686Б p-n-p 45 0.8
    КТ686В p-n-p 45 0.8
    2SC2655  КТ698В npn 2 ТО-92
    КТ801Б n-p-n 60 2
    КТ8106Б n-p-n 45 0.02 ТО-220
    КТ8111А' n-p-n 50 0.02
    КТ8111В9 npn 20 ТО-218
    КТ8116В npn 8 ТО-220
    КТ8118Б* n-p-n 60 8
    2SA1469  КТ8130Б pnp 60 4 ТО-126
    КТ8131Б' n-p-n 60 4
    КТ815Б n-p-n 45 1.5
    2SB1366  КТ816В pnp 60 3 ТО-126
    КТ817Б n-p-n 45 3
    КТ817Б2 n-p-n 45 3
    2N5191  КТ817В npn 60 3 ТО-126
    КТ818Б p-n-p 50 10
    9535 КТ818БМ p-n-p 50 15
    КТ819Б n-p-n 50 10
    2N3055 КТ819БМ n-p-n 50 15
    КТ825Д* p-n-p 60 20
    КТ827В npn 60 20 ТО-3
    TIP3055 КТ8284А npn 12 ТО-220
    TIP120 КТ829В npn 60 8 ТО-220
    КТ837Б p-n-p 60 7.5
    КТ837В p-n-p 60 7.5
    КТ837Г p-n-p 45 7.5
    КТ837Д p-n-p 45 7.5
    КТ837Л p-n-p 60 7.5
    КТ837М p-n-p 60 7.5
    КТ852В pnp 2 ТО-220
    КТ853В pnp 8 ТО-220
    КТ896Б pnp 20 ТО-220
    КТ908А n-p-n 60 10
    КТ908Б n-p-n 60 10
    BD137 КТ961В npn 45 1.5 ТО-126
    BD677 КТ972А npn 60 4 ТО-126
    BD678  КТ973А pnp 4 ТО-126
    КТ973А' p-n-p 60 4
    КТ997А n-p-p 45 10
    КТ997Б n-p-n 45 10
    КТМ7Е p-n-p 45 7.5
    ОГ837Н p-n-p 60 7.5
    СГ837П p-n-p 45 7.5
    СГ837Р p-n-p 45 7.5
    Т852В* p-n-p 60 2.5
    Т852Г p-n-p 45 2.5
    Т853В* p-n-p 60 8
    Т853Г p-n-p 45 8
    Тв37С p-n-p 45 7.5

    Биполярные транзисторы до 70 В

    Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
    2Т831В npn 2 ТО-39
    2Т837А,Г pnp 8 ТО-220
    2Т860Б pnp 2 ТО-39
    2Т875Б npn 10 ТО-3
    2Т876Б pnp 10  ТО-3
    КТ6127Б p-n-p 70 2
    КТ698Б npn 2 ТО-92
    КТ69ВБ n-p-n 70 2
    КТ808ГМ npn 10 ТО-3
    КТ814В pnp 65 1.5 ТО-126
    КТ815В npn 1.5 ТО-126
    КТ818В pnp 70 10 ТО-220,
    КТ818ВМ p-n-p 70 15
    КТ919В n-p-n 70 10
    КТ919ВМ n-p-n 70 15
    КТ943 Б,Д npn 2 ТО-126

    Биполярные транзисторы до 80 В

    Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
    TIP33B 2Т709Б pnp 10 ТО-3
    2Т709Б2* p-n-p 80 10
    2Т716Б,Б1 npn 10 ТО-3
    2Т716б1* n-p-n 80 10
    BD204 2Т818Б p-n-p 80 15
    2Т819Б p-n-p 80 15
    2Т825Б pnp 20 ТО-3
    2Т825Б2 pnp 80 15 ТО-220
    BD140  2Т830В pnp 2 ТО-39
    2Т836А,Б pnp 3 ТО-39
    2Т875А,Г npn 10 ТО-3
    2Т876А,Г pnp 10 ТО-3
    2Т877А pnp 20 ТО-3
    2Т880Б pnp 2 ТО-39
    BD139 2Т881Б npn 2 ТО-39
    ГТ806А p-n-p 75 15
    ГТ905А p-n-p 75 3
    ГТ906А(М) p-n-p 75 6
    КДТ8281А pnp 60 ТО-218
    PN3691 КТ3117Б n-p-n 75 0.4
    2SC1627 КТ503Д npn 0.15 ТО-92
    КТ602В n-p-n 80 0.075
    КТ602Г n-p-n 80 0.075
    2SA935 КТ626В pnp 80 0.5 ТО-126
    КТ684Б npn 1 ТО-92
    КТ801А n-p-n 80 2
    КТ808ВМ npn 10 ТО-3
    КТ8106А npn 80 20 ТО-220
    TIP151 КТ8111Б9 npn 20 ТО-218
    2SD2025  КТ8116Б npn 80 8 ТО-220
    КТ8130В* p-n-p 80 4
    КТ8131В* n-p-n 80 4
    TIP34B КТ819Б,В* npn 10 ТО-220
    КТ827Б npn 80 20 ТО-3
    КТ8284Б npn 12 ТО-220
    BD679  КТ829Б npn 80 8 ТО-220
    КТ837А p-n-p 80 7.5
    КТ852Б pnp 2 ТО-220
    BDX34B КТ853Б pnp 8 ТО-220
    2N6039 КТ943В,Г npn 2 ТО-126
    КТ961Б npn 1.5 ТО-126
    КТД8280А npn 60 ТО-218
    КТД8283А pnp 60 ТО-218
    Т852Б* p-n-p 80 2.5
    Т853Б' p-n-p 80 8

    Биполярные транзисторы до 130 В

    Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
    1Т813А p-n-p 100 30
    1Т813Б p-n-p 125 30
    2Т708А pnp 2.5 ТО-39
    BDX34C 2Т709А pnp 100 10  ТО-3
    BDX33C 2Т716А,А1 npn 10 ТО-3
    2Т716АГ* n-p-n 100 10
    2Т819А p-n-p 100 15
    2Т825А pnp 20 ТО-3
    2Т825А2 pnp 15 ТО-220
    2Т830Г pnp 2 ТО-39
    SD1765 2Т831Г npn 2 ТО-39
    2Т860А pnp 2 ТО-39
    2Т880А,Г pnp 2 ТО-39
    2Т881А,Г npn 2 ТО-39
    2Т935Б npn 20 ТО-220
    ГТ806Б p-n-p 100 15
    ГТ806В p-n-p 120 15
    КТ503Е npn 0.15 ТО-92
    SK3835 КТ601А,АМ npn 100 0.03 ТО-126
    КТ602А,АМ npn 0.075 ТО-126
    КТ602Б(М) n-p-n 100 0.075
    2SA715D КТ6102А pnp 1.5 ТО-92
    BF336 КТ6103А npn 1.5 ТО-92
    КТ6127А p-n-p 90 2
    КТ6127Ж p-n-p 120 2
    BSY52 КТ630А n-p-n 120 1 ТО-39
    КТ630Б n-p-n 120 1 ТО-39
    2N1613 КТ630Г n-p-n 100 1 ТО-39
    2SC2240 КТ638А,Б npn 0.1 ТО-92
    КТ639Е p-n-p 100 1.5
    КТ6836 n-p-n 120 1
    КТ683Б npn 120 1 ТО-126
    КТ683В n-p-n 120 1 ТО-126
    КТ683Г n-p-n 100 1 ТО-126
    BC639 КТ684В npn 1 ТО-92
    BD237 КТ698А npn 2 ТО-92
    КТ698Ж n-p-n 120 2
    2N4237 КТ719А npn 1.5 ТО-126
    КТ802А n-p-n 130 5
    КТ805БМ,ВМ npn 5 ТО-220
    КТ807А n-p-n 100 0.5
    КТ807А,Б npn 100 0.5 ТО-126
    КТ808 АМ,БМ npn 10 ТО-3
    TIP150 КТ8111А9 npn 20 ТО-218
    КТ8115А pnp 8 ТО-220
    КТ8116А npn 100 8 ТО-220
    2N5400  КТ814Г pnp 1.5 ТО-126
    КТ815Г npn 85 1.5 ТО-126
    TIP42C  КТ816Г pnp 90 3 ТО-126
    КТ817Г npn 90 3 ТО-126
    КТ817Г2 n-p-n 90 3
    TIP33B  КТ818Г pnp 90 10 ТО-220
    КТ818ГМ p-n-p 90 15
    TIP34C КТ819А,Г npn 100 10 ТО-220
    2N3055 КТ819ГМ n-p-n 100 15
    КТ8246 А,Б npn 15 ТО-220
    КТ825* p-n-p 90 20
    КТ827А npn 100 20 ТО-3
    КТ8284В npn 12 ТО-220
    TIP122 КТ829А npn 100 8 (5) ТО-220
    КТ852А pnp 2 ТО-220
    КТ853А pnp 8 ТО-220
    BD946 КТ896А pnp 20 ТО-220
    КТ961А npn 1.5 ТО-126
    ктвзэж p-n-p 100 1.5
    КТД8257А npn 20 ТО-220
    КТД8278Б,В npn 20 ТО-220
    КТД8280Б npn 60 ТО-218
    КТД8281Б pnp 60 ТО-218
    КТД8283Б pnp 60 ТО-218
    ПИЛОН-3А npn 15 ТО-220
    Т852А- p-n-p 100 2.5
    Т853А- p-n-p 100 8

    Биполярные транзисторы до 160 В

    Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
    1Т813В p-n-p 150 30
    ГТ806Д p-n-p 140 15
    2N5401 КТ6116 pnp 0.6 ТО-92
    2N5551 КТ6117 npn 0.6 ТО-92
    2SC2383 КТ630В npn 150 1 ТО-39
    КТ663А n-p-n 150 1
    КТ683А npn 1 ТО-126
    КТ698И n-p-n 160 2
    2SA1186 КТ712Б pnp 10 ТО-220
    КТ805АМ npn 5 ТО-220
    BU289 КТ8101А n-p-n 160 16 ТО-218
    КТ8101Б npn 16 ТО-218
    2SA1294  КТ8102А p-n-p 160 16 ТО-218
    2SA1216 КТ8102Б pnp 16 ТО-218
    КТ8123А npn 150 2 ТО-220
    КТ8246В,Г npn 15 ТО-220
    КТ850В npn 2 ТО-220
    2SA940  КТ851В pnp 2 ТО-220
    КТ855Б p-n-p 150 5
    КТ855Б,В pnp 150 5 ТО-220
    2SC3907 КТ863БС npn 12 ТО-220
    КТ899А npn 150 8 ТО-220
    КТ940В npn 160 0.1 ТО-126
    2N5996 КТ945А n-p-n 150 15 ТО-3
    КТД8257Б npn 20 ТО-220
    ПИР-2 (КТ740А) npn 20 ТО-220
    2SC2230  Т611В,Г npn 0.1 ТО-126
    Т850В n-p-n 150 2
    Т851В p-n-p 150 2

    Биполярные транзисторы до 200 В

    Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
    КГвИ AM n-p-n 180 0.1
    КТ504Б npn 200 1 ТО-39
    2SC1473  КТ611А,Б npn 0.1 ТО-126
    КТ611БМ n-p-n 180 0.1
    КТ6127К p-n-p 200 2
    КТ698К n-p-n 200 2
    КТ712А pnp 10  ТО-220
    КТ8105А n-p-n 200 20
    КТ8124А n-p-n 200 7
    КТ8124Б n-p-n 200 7
    КТ8140А n-p-n 200 7
    КТ842Б pnp 5 ТО-3
    КТ851А pnp 2 ТО-220
    BU406 КТ864А npn 10 ТО-3
    КТ865А pnp 10 ТО-3
    BVR11 КТ867А npn 25 ТО-3
    КТ879А npn 200 50 КТ-5
    BVT91 КТ879Б n-p-n 200 50
    КТ897Б npn 200 20 ТО-218
    2N6077 КТ898Б npn 200 20 ТО-218
    КТД8257(А-Г) npn 20 ТО-220
    КТД8278А npn 20 ТО-220
    Т850А n-p-n 200 2
    Т851А p-n-p 200 2

    Биполярные транзисторы до 250 В

    Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
    2Т862А,Б npn 15 ТО-3
    2Т882В npn 1 ТО-220
    2SA1837 2Т883Б pnp 1 ТО-220
    КТ3157А p-n-p 250 0.03
    КТ504В npn 1 ТО-39
    КТ505Б pnp 250 1 ТО-39
    КТ604А(М) n-p-n 250 0.2
    КТ604Б(М) n-p-n 250 0.2
    КТ605А(М) n-p-n 250 0.1
    0.1 КТ605А,Б npn 250 0.1 ТО-126
    КТ844А npn 10 ТО-3
    КТ850А,Б npn 2 ТО-220
    КТ851Б pnp 2 ТО-220
    КТ855А pnp 5 ТО-220
    MJE15032 КТ857А npn 250 7 ТО-220
    КТ940Б npn 250 0.1 ТО-126
    КТ969А npn 0.1 ТО-126
    КТ999А n-p-n 250 0.05
    КТЭвЭА n-p-n 250 0.1
    Т850Б n-p-n 250 2
    Т851Б p-n-p 250 2
    Т855А p-n-p 250 5

    Биполярные транзисторы до 300 В

    Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
    MJE340  2Т882Б npn 1 ТО-220
    2Т883А pnp 1 ТО-220
    MJE13002 КТ504А npn 1 ТО-39
    КТ505А p-n-p 300 1
    2SA1371 КТ6104А pnp 0.15 ТО-92
    BFJ57 КТ6105А npn 0.15 ТО-92
    КТ8109А,Б npn 7 ТО-220
    КТ8109Б* n-p-n 300 7
    КТ8121Б npn 300 4 ТО-220
    КТ8124В npn 7 ТО-220
    КТ812В n-p-n 300 8
    КТ8232А,Б npn 20 ТО-218
    КТ8258Б npn 4 ТО-220
    КТ8259Б npn 8 ТО-220
    КТ8260А npn 15 ТО-220
    КТ8285А npn 30 ТО-218
    КТ842А pnp 5 ТО-3
    КТ854Б npn 10 ТО-220
    КТ890(А-В) npn 20 ТО-218
    КТ892А,В npn 15 ТО-3
    КТ897А npn 20 ТО-218
    КТ898А npn 20 ТО-218
    2SA1091  КТ9115А pnp 300 0.1 ТО-126
    КТ940А n-p-n 300 0.1
    КТД8252(А-Г) npn 15 ТО-220
    КТД8262(А-В) npn 7 ТО-220
    КТД8279(А-В) npn 10 ТО-220
    MJE350 Т505А pnp 1 ТО-39
    2SC2482  Т940А npn 0.1 ТО-126

    Биполярные транзисторы до 400 В

    Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
    2SA1625  2Т509А pnp 0.02 ТО-39
    MJE13009  2Т862В npn 10 ТО-3
    2SC4138 2Т862Г npn 10 ТО-3
    MJE13003  2Т882А npn 1 ТО-220
    2Т885А npn 40 ТО-3
    ав40Б n-p-n 350 8
    BUX84 КТ704Б,В npn 2.5
    КТ809А n-p-n 400 3
    BU208A КТ8104А n-p-n 350 20
    2SC2625 КТ8117А npn 400 10 ТО-218
    КТ8121А npn 400 4 ТО-220
    2SC3039 КТ8124А,Б npn 7 ТО-220
    MJE13007 КТ8126А npn 8 ТО-220
    КТ8136А n-p-n 400 10
    MJE13005 КТ8258А npn 4 ТО-220
    2SC4834 КТ8259А npn 8 ТО-220
    КТ8260Б npn 15 ТО-220
    КТ8285Б npn 30 ТО-218
    КТ834В npn 400 15 ТО-3
    2SD1409 КТ840А,Б npn 6 ТО-3
    2SC3306 КТ841Б npn 10 ТО-3
    BUT11 КТ845А npn 5 ТО-3
    КТ848А npn 15 ТО-3
    2SC2335 КТ858А npn 400 7 ТО-220
    2N4914 КТ890А* n-p-n 350 20
    2N4915 КТ890Б* n-p-n 350 20
    КТ890В* n-p-n 350 20
    MI10000 КТ892Б npn 400 15 ТО-3
    КТД8279А npn 10 ТО-220
    Т840А n-p-n 400 6
    Т848А n-p-n 400 15
    Т854Б n-p-n 400 10

    Биполярные транзисторы до 500 В

    Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
    2Т812Б n-p-n 500 10
    2Т856В npn 10 ТО-3
    2Т885Б npn 40 ТО-3
    ICT8110B n-p-n 450 7
    KT8120A n-p-n 450 8
    SF123C КТ6107А npn 0.13 ТО-92
    BD140 КТ6108А pnp 0.13 ТО-92
    2SC3970 КТ704А npn 2.5
    КТ8108А n-p-n 500 5
    КТ8108Б n-p-n 500 5
    КТ8110А n-p-n 450 7
    КТ8110Б n-p-n 450 7
    BUL310 КТ8120А npn 3 ТО-220
    КТ812Б npn 500 8 ТО-3
    КТ8260В npn 15 ТО-220
    КТ8285В npn 30 ТО-218
    КТ834А n-p-n 500 15
    КТ834А,Б npn 450 15 ТО-3
    КТ854А npn 10 ТО-220
    ПИР-1 npn 20 ТО-218

    Биполярные транзисторы до 600 В

    Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
    2SC5249 2Т884Б npn 2 ТО-220
    КТ506Б npn 600 2 ТО-39
    КТ8107В n-p-n 600 5
    КТ8144Б npn 25 ТО-3
    2SC5386 КТ8286А npn 5 ТО-218
    2SC2027 КТ828Б n-p-n 600 5
    2SD2499  КТ828Б,Г npn 5 ТО-3
    2SC5387 КТ841А,В npn 10 ТО-3
    2SC4706  КТ847А npn 15 ТО-3
    ST1803 КТ856А1,Б1 npn 10 ТО-218
    КТ878В npn 600 30 ТО-3
    2SA1413 КТ887Б pnp 2 ТО-3
    КТ888Б pnp 0.1 ТО-39
    СТ841А n-p-n 600 10
    СТ841В n-p-n 600 10
    Т854А n-p-n 600 10

    Биполярные транзисторы до 700 В

    Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
    2Т812А n-p-n 700 10
    2Т856Б npn 10 ТО-3
    КТ8107(А-Г) npn 700 8 ТО-220
    КТ8114А n-p-n 700 8
    КТ8127А(1) n-p-n 700 5
    КТ8127Б(1) n-p-n 700 5
    КТ8127В(1) n-p-n 700 5
    КТ8129А n-p-n 700 5
    BUh200 КТ812А npn 700 10 ТО-3
    КТ8137А npn 1.5 ТО-126
    КТ826(А-В) npn 700 1 ТО-3
    КТ8286Б npn 5 ТО-218
    КТ887А pnp 2 ТО-3
    Т847А n-p-n 650 15

    Биполярные транзисторы до 800 В

    Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
    2Т884А npn 2 ТО-220
    КТ506А npn 2 ТО-39
    КТ8118А npn 800 3 ТО-220
    2SC3998 КТ8144А npn 25 ТО-3
    КТ8286В npn 5 ТО-218
    SML804 КТ828А,В npn 800 5 ТО-3
    2SC3150 КТ859А npn 800 3 ТО-220
    2SC5002  КТ868Б npn 6 КТ-9
    BVP38 КТ878Б npn 800 30 ТО-3
    СТ841Б n-p-n 800 10

    Биполярные транзисторы до 900 В

    Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
    КТ888А pnp 0.1 ТО-39
    2SC3979 КТ868А npn 6 КТ-9
    2Т856А npn 10 ТО-3
    КТ878А npn 30 ТО-3

    Биполярные транзисторы до 1500 В

    Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
    BU108 КТ8107А n-p-n 1500 8
    BU508 КТ838А npn 5 ТО-3
    BU2520 КТ839А npn 10 ТО-3
    BU2506 КТ846А npn 5 ТО-3
    BU2508  КТ872А,Б npn 8 ТО-218
    2SC5270 КТ886А1 npn 10 ТО-218
    BU1508 КТ886Б1 npn 8 ТО-218
    Т846А n-p-n 1500 5
    Т846В n-p-n 1500 5
    Т848Б n-p-n 1200 5

    Биполярные транзисторы свыше 2000 В

    Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
    2Т713А npn 2500 3 ТО-3
    КТ710А npn 5 ТО-3

    Однопереходные транзисторы

    Зарубежные Отечественные
    2N1573 КТ117ВМ
    2N1923 КТ117АМ

    Мощные полевые транзисторы

    Импортные Отечественные
    IRFZ10 КП739Б
    IRFZ15 КП739В
    IRF740 КП740
    IRFZ24 КП740А
    IRFZ20 КП740Б
    IRFZ25 КП740В
    IRFZ48 КП741А
    IRFZ46 КП741Б
    STH75N06 КП742А
    STH75N05 КП742Б
    IRF510 КП743А
    IRF511 КП743Б
    IRF512 КП743В
    IRF520 КП744А
    IRF521 КП744Б
    IRF522 КП744В
    IRL520 КП744Г
    IRF530 КП745А
    IRF531 КП745Б
    IRF532 КП745В
    IRL530 КП745Г
    IRF540 КП746А
    IRF541 КП746Б
    IRF542 КП746В
    IRL540 КП746Г
    IRFP150 КП747А
    IRF610 КП748А
    IRF611 КП748Б
    IRF612 КП748В
    IRF620 КП749А
    IRF621 КП749Б
    IRF622 КП749В
    IRF640 КП750А
    IRF641 КП750Б
    IRF642 КП750В
    IRL640 КП750Г
    IRF720 КП751А
    IRF721 КП751Б
    IRF722 КП751В
    IRF730 КП752А
    IRF731 КП752Б
    IRF732 КП752В
    IRF830 КП753А
    IRF831 КП753Б
    IRF832 КП753В
    STP40N10 КП771А
    IRF820 КП820
    IRF830 КП830
    IRF840 КП840
    IRF150 КП150
    IRF240 КП240
    IRF250 КП250
    IRF340 КП340
    IRF350 КП350
    BF410C КП365А
    BF960 КП382А
    IRF440 КП440
    IRF450 КП450
    ZVN2120 КП501А
    BSS124 КП502
    BSS129 КП503
    BSS88 КП504
    BSS295 КП505
    IRF510 КП510
    IRF520 КП520
    IRF530 КП530
    IRF540 КП540
    IRF610 КП610
    IRF620 КП620
    IRF630 КП630
    IRF640 КП640
    BUZ90 КП707Б1
    IRF710 КП710
    IRF350 КП717Б
    BUZ45 КП718А
    IRF453 КП718Е1
    IRF720 КП720
    BUZ36 КП722А
    IRFZ44 КП723А
    IRFZ45 КП723Б
    IRFZ40 КП723В
    IRLZ44 КП723Г
    MTP6N60 КП724А
    IRF842 КП724Б
    TPF450 КП725А
    BUZ90A КП726А
    BUZ71 КП727А
    IRFZ34 КП727Б
    IRLZ34 КП727В
    BUZ80A КП728А
    IRF730 КП730
    IRGPH50F КП730А
    IRF710 КП731А
    IRF711 КП731Б
    IRF712 КП731В
    IRF630 КП737А
    IRF634 КП737Б
    IRF635 КП737В
    IRFZ14 КП739А

    Слабые полевые транзисторы

    Импортные Отечественные
    U1899E КП329A
    2N2841 КП301Г
    2N3332 КП301Б
    2N3365 КП329A
    2N3368 КП329A
    2N3369 КП333A
    2N3331 КП307B
    2N3370 КП329A
    2N3436 КП329A
    2N3438 КП333A
    2N3458 КП333A
    2N3459 КП329A
    2N3460 КП329A
    2N3796 КП303B
    2N3797 КП303Г
    2N3819 КП307Б
    2N3823 КП329A
    2N3909 КП301B
    2N3971 КП902A
    2N3972 КП902A
    2N4038 КП329A
    2N4091 КП902A
    2N4092 КП902A
    2N4220 КП329Б
    2N4220A КП329Б
    2N4221 КП333A
    2N4221A КП329A
    2N4222A КП329A
    2N4224 КП329A
    2N4302 КП329Б
    2N4303 КП329Б
    2N4304 КП329Б
    2N4351 КП333A
    2N4352 КП304A
    2N4360 КП301B
    2N4393 КП902A
    2N4416A КП329A
    2N4860 КП333Б
    2N4867 КП333A
    2N5078 КП333A
    2N5163 КП307Ж
    2N5458 КП304A
    2N5457 КП307E
    2N5459 КП307Б
    2N5654 КП329Б
    2N6656 КП801Б
    2SK11 КП303Д
    2SK12 КП303Г
    2SK15 КП303Г
    2SK68A КП329A
    2SK21H КП306A
    2SK39 КП350A
    BFW11 КП333Б
    BF244 КП329А
    BF245 КП329А
    BF256B КП329А
    BF960 КП327А
    BF981 КП327Б
    BSV79 КП333А
    BSV80 КП333А
    BUZ20 КП704А
    CP652 КП907B
    E100 КП333Б
    E102 КП333Б
    E111 КП329Б
    E112 КП333Б
    IRF120 КП922Б
    MPF103 КП307Б
    MPF102 КП303E
    M103 КП304A
    TIS68 КП307E
    UC714 КП329Б
    U1897E КП333A

    Была ли статья полезна?

    Да

    Нет

    Оцените статью

    Что вам не понравилось?


    Другие материалы по теме


    Анатолий Мельник

    Специалист в области радиоэлектроники и электронных компонентов. Консультант по подбору деталей в компании РадиоЭлемент.


    IRLR2905 datasheet - Одноканальный силовой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором, 55 В в D-пакете

    201CNQ035 : 35 В, 200 А, диод Шоттки с общим катодом в неизолированном корпусе TO-244AB.

    2N2218 : Транзистор NPN, упаковка: TO-39. Соответствует требованиям MIL-PRF-19500/251 Устройства 2N2219A 2N2219AL Соответствующий уровень JAN JANTX JANTXV JANS Напряжение коллектор-эмиттер коллектор-база Напряжение эмиттер-база Напряжение коллектора Ток Общая рассеиваемая мощность = + 250 ° C (2) Рабочая и накопительная температура перехода.Диапазон Характеристики Символ Термическое сопротивление, соединение между корпусом RJC 1) Линейное снижение номинальных значений 4,6 мВт / 0C.

    2SB1648 :. Symbol VCBO VCEO VEBO PC Tj Tstg +150 (Ta = 25C) Блок C Symbol ICBO IEBO V (BR) CEO hFE VCE (sat) VBE (sat) fT COB Условия 320typ V Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор PNP (дополнение к типу 2SD2561) Применение : Аудио, последовательный регулятор и внешние габариты общего назначения MT-200 VCC (V) 4 IC (A) 10 VBB1 (V) 10 VBB2 (V) 5 IB1 (mA) 10 IB2 (mA).

    BCR1AM-12 : Тип = симистор ;; Напряжение = 600В ;; Ток = 1А ;; Пакет = Устаревший.Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Пенсильвания (412) 925-7272: Симистор - это твердотельный кремниевый переключатель переменного тока, который может запускаться затвором из выключенного состояния во включенное состояние для любой полярности приложенного напряжения. : Применение пассивации стекла: Информация для заказа переключателя переменного тока: Пример: выберите полный семизначный или восьмизначный номер детали, который вам нужен.

    CPH5604 :. Низкое сопротивление при включении. Сверхскоростная коммутация. Привод 4В. Композитный тип с 2 полевыми МОП-транзисторами, содержащимися в одном корпусе, что обеспечивает высокую плотность монтажа.s Параметр Напряжение сток-исток Напряжение сток-исток Ток стока (постоянный ток) Ток стока (импульс) Допустимая температура канала рассеивания мощности Обозначение температуры хранения VDSS VGSS ID IDP PD Tch Tstg.

    IXFT26N50Q : Силовые МОП-транзисторы HiperFET (tm): 500 В, 26a. N-канальный режим расширения Номинальный уровень лавин, низкий Qg, высокий dv / dt Символ VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv / dt PD TJ TJM Tstg TL Md Условия испытаний веса до 150 ° C; RGS 1 M Непрерывный переходный процесс = 25C, Note 25C IS IDM, di / dt 100 A / s, VDD VDSS, 24N50Q 26N50Q мм (0.063 дюйма) из ящика на 10 с. Момент крепления TO-247 TO-268 Условия испытаний IXYS advanced.

    KST42 : Эпитаксиальный. Эпитаксиальный кремниевый транзистор NPN. Абсолютные максимальные номинальные значения Ta = 25C, если не указано иное Символ VCBO Параметр Базовое напряжение коллектора: KST43 VCEO Напряжение коллектор-эмиттер: KST43 VEBO IC PC TSTG RTH (ja) Напряжение эмиттер-база Коллектор Токосъемник Рассеиваемая мощность Температура хранения Тепловое сопротивление перехода к окружающей среде мВт CC / Вт 200 В Значение Единицы Обозначение Параметр BVCBO.

    STK1828UF : МОП-транзистор слабого сигнала. Малосигнальный транзистор, малосигнальный МОП-полевой транзистор. Приложение для высокоскоростного переключения. Применение аналогового переключателя. Привод затвора 2,5 В. Низкое пороговое напряжение: Vth = 0,5 ~ 1,5 В. Высокоскоростной. Напряжение сток-исток Напряжение затвор-исток Постоянный ток Ток утечки Рассеиваемая мощность Температура канала Диапазон температур хранения Напряжение пробоя сток-исток Напряжение затвора-пороговое напряжение Ток отсечки стока Ток утечки затвора.

    IXGR40N60B2 : Типы среднечастотного диапазона (15–40 кГц) Один IGBT DCB Изолированный монтажный язычок 􀁺 Соответствует корпусу TO-247AD Краткое описание 􀁺 Возможность работы с большими токами 􀁺 Процесс HDMOSTM последнего поколения 􀁺 Включение MOS Gate.

    GRM55N7U2A223JZ01L : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 100 В, U2J, 0,022 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 2220. s: Конфигурация / форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Диэлектрик: керамический состав; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 0,0220 мкФ; Допуск емкости: 5 (+/-%); WVDC: 100 вольт; Температурный коэффициент: -750 частей на миллион / ° C; Тип монтажа: Поверхность.

    KSD526OJ69Z : 4 А, 80 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, ТО-220. s: Полярность: NPN; Тип упаковки: ТО-220, ТО-220, 3 контакта.

    LLL216R71A224MA01B : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 10 В, X7R, 0,22 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0508. s: Конфигурация / форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 0,2200 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 10 вольт; Тип установки:.

    PK502h201H0 : RES, TAPPED, CERMET, 100 Ом, 200 Вт постоянного тока, 20% +/- TOL, -100,100PPM TC, 2225 КОРПУС.s: Тип потенциометра: Триммер.

    S841-1X1T-Y7 : ТРАНСФОРМАТОР DATACOM ДЛЯ. s: Категория: Сигнал; Другие типы трансформаторов / применения: импульсные трансформаторы, DATACOM TRANSFORMER.

    1623781-9 : РЕЗИСТОР, МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛЕНКА, 10 Вт, 5%, 300 ppm, 10000 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: металлооксид; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, радиальные выводы, радиальные выводы, соответствие требованиям ROHS; Диапазон сопротивления: 10000 Ом; Допуск: 5 +/-%; Температурный коэффициент: 300 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 10 Вт.

    2N3502E4 : 45 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, ТО-18. s: Полярность: PNP. Эти кремниевые планарные эпитаксиальные транзисторы PNP предназначены для цифровых и аналоговых приложений при уровнях тока до 0,5 А. АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ (TA = 25C, если не указано иное) Максимальные напряжения VCBO VCEO VEBO Напряжение базы коллектора Коллектор Эмиттер Базовое напряжение эмиттера 0,4 Вт Максимальная рассеиваемая мощность PD TJ Semelab plc. Общее.

    Искать

    может быть отправлен в тот же день.Paypal принят, закажите онлайн сегодня!

    Тщательно выберите номер детали, производителя и упаковку из приведенной ниже таблицы, а затем добавьте в корзину, чтобы перейти к оформлению заказа.

    Купите сейчас, получите удовольствие
    ✓ Отправьте заказ в тот же день!
    ✓ Доставка по всему миру!
    ✓ Распродажа с ограниченным сроком
    ✓ Легкий возврат.

    Обзор продукта
    Название продукта Поиск
    Доступное количество Возможна немедленная отправка
    Модель NO.
    Код ТН ВЭД 8529908100
    Минимальное количество От одной штуки
    Атрибуты продукта
    Категории
  • Поиск
  • Код товара
    артикул
    gtin14
    mpn
    Состояние детали Активный
    Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal.
    Paypal (AMEX принимается через Paypal)
    Мы также принимаем банковский перевод. Просто отправьте нам электронное письмо с URL-адресами или кодами продукта. Включите свой адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы отправим вам полные инструкции по электронной почте.

    Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal

    Товары доставляются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости.
    Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней с момента оплаты. Доставка может быть объединена при покупке большего количества.
    Другие способы перевозки могут быть доступны при оформлении заказа - вы также можете сначала связаться со мной для уточнения деталей.
    Судоходная компания Расчетное время доставки Информация для отслеживания
    Плоская транспортировка 30-60 дней Не доступен
    Зарегистрированная Авиапочта 15-25 дней В наличии
    DHL / EMS / FEDEX / TNT 5-10 дней В наличии
    Окончательный срок поставки Может быть задержан вашей местной таможней из-за таможенного оформления.

    Благодарим за покупку нашей продукции на нашем веб-сайте.
    Чтобы иметь право на возмещение, вы должны вернуть товар в течение 30 календарных дней с момента покупки. Товар должен быть в том же состоянии, в котором вы его получили, и не иметь каких-либо повреждений.
    После того, как мы получим ваш товар, наша команда профессионалов проверит его и обработает ваш возврат. Деньги будут возвращены на исходный способ оплаты, который вы использовали при покупке. При оплате кредитной картой возврат средств может появиться в выписке по кредитной карте в течение 5–10 рабочих дней.
    Если товар поврежден каким-либо образом или вы инициировали возврат по прошествии 30 календарных дней, вы не имеете права на возврат.
    Если что-то неясно или у вас есть вопросы, свяжитесь с нашей службой поддержки клиентов.

    См. Подробную информацию о защите покупок PayPal.
    Получите заказанный товар или верните свои деньги.
    Покрывает вашу закупочную цену и первоначальную доставку.
    Если вы не получите товар в течение 25 дней, просто сообщите нам, будет выпущена новая посылка или замена.
    PayPal Защита покупателей
    Защита вашей покупки от клика до доставки
    Вариант 1) Полный возврат средств, если вы не получили свой заказ
    Вариант 2) Полный или частичный возврат, если товар не соответствует описанию
    Если ваш товар значительно отличается от нашего описания продукта, вы можете: A: вернуть его и получить полный возврат, или B: получить частичный возврат и сохранить товар.

    Лист данных или технические спецификации в формате PDF доступны по запросу для загрузки.

    Почему выбирают нас?

  • Расположен в Шэньчжэне, центре электронного рынка Китая.
  • 100% гарантия качества компонентов: Подлинный оригинал.
  • Достаточный запас на ваш срочный запрос.
  • Опытные коллеги помогут вам решить проблемы и снизить риски с помощью производства по требованию.
  • Более быстрая доставка: компоненты, имеющиеся на складе, могут быть отправлены в тот же день.
  • Круглосуточное обслуживание.
  • Каковы ваши основные продукты?

    Наша основная продукция
    Интегральные схемы (ИС) Дискретный полупроводник Потенциометры, переменные R
    Аудио специального назначения Принадлежности Реле
    Часы / синхронизация Мостовые выпрямители Датчики, преобразователи
    Сбор данных Diacs, Sidacs Резисторы
    Встроенный Диоды Индукторы, катушки, дроссели
    Интерфейс МОП-транзисторы Фильтры
    Изоляторы - Драйверы ворот БТИЗ Кристаллы и генераторы
    Линейный JFETs (полевой эффект перехода) Разъемы, межкомпонентные соединения
    Логика Полевые транзисторы РФ Конденсаторы
    Память РЧ Транзисторы (БЮТ) Изоляторы
    PMIC SCR светодиод
    Транзисторы (БЮТ)
    Транзисторы
    Симисторы

    Какая цена?

  • Все цены являются ценами за единицу в долларах США (USD).
  • Цена на некоторые детали нестабильна в зависимости от рынка, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней и лучшей цены.
  • Какой способ оплаты?

  • PayPal, кредитные карты через PayPal, банковский перевод, Western Union, MoneyGram.
  • Покупатель несет ответственность за все расходы по доставке.
  • Свяжитесь с нами, если вы предпочитаете другой способ оплаты.
  • Что такое возврат и замена?

  • Если есть какие-либо проблемы с качеством, убедитесь, что все эти предметы должны быть возвращены в их первоначальном состоянии, чтобы претендовать на возврат или замену.(Любые использованные или поврежденные предметы не подлежат возврату или замене).
  • Какое минимальное количество для заказа вашей продукции?

  • Минимальная партия заказа от ОДНОЙ штуки.
  • Вы можете купить сколько угодно.
  • Когда вы пришлете мне детали?

  • Мы отправим вам детали в тот же день после получения оплаты.
  • Как разместить заказ?

  • Добавьте товар в корзину, а затем перейдите к оформлению заказа на нашем веб-сайте.
  • Предлагаете ли вы техническую поддержку?

  • Да, наш технический инженер поможет вам с информацией о распиновке 2SD1733TLR, указаниями по применению, замена, техническое описание в pdf, руководство, схема, аналог, перекрестная ссылка.
  • Предлагаете ли вы гарантию?

  • Да, мы предоставляем 6 месяцев гарантии на наш продукт.
  • Как сделать наш бизнес долгосрочным и хорошим?

  • Мы поддерживаем хорошее качество и конкурентоспособные цены.
  • Мы уважаем каждого клиента как друга и добросовестно ведем бизнес!
  • По любым другим вопросам, пожалуйста, свяжитесь с нами.Мы всегда к вашим услугам!

    10PCS S1M ADG749BKSZ-REEL7 SC70-6 в транзисторах и интегральных схемах

    10 шт. S1M ADG749BKSZ-REEL7 SC70-6


    Купите сейчас, и вы получите удовольствие
    ✓Отправьте заказ в тот же день!
    ✓ Доставка по всему миру!
    ✓ Распродажа с ограниченным сроком
    ✓ Легкий возврат.

    Почему выбирают нас?

  • Расположен в Шэньчжэне, центре электронного рынка Китая.
  • 100% гарантия качества компонентов: Подлинный оригинал.
  • Достаточный запас на ваш срочный запрос.
  • Опытные коллеги помогут вам решить проблемы и снизить риски с помощью производства по требованию.
  • Более быстрая доставка: компоненты, имеющиеся на складе, могут быть отправлены в тот же день.
  • Круглосуточное обслуживание.
  • Какая цена?

  • Все цены указаны на условиях FOB Шэньчжэнь.
  • Цена на некоторые детали нестабильна в зависимости от рынка, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней и лучшей цены.
  • Какой способ оплаты?

  • TT (проводной банк), PayPal, Western Union.
  • Покупатель несет ответственность за все расходы по доставке.
  • Если вы предпочитаете другие условия оплаты, свяжитесь с нами.
  • Что такое возврат и замена?

  • Если есть какие-либо проблемы с качеством, убедитесь, что все эти предметы должны быть возвращены в их первоначальном состоянии, чтобы претендовать на возврат или замену. (Любые использованные или поврежденные предметы не подлежат возврату или замене).
  • Какое минимальное количество для заказа вашей продукции?

  • Минимальная партия заказа начинается от ОДНОЙ штуки или ОДНОЙ партии.
  • Обычно пишется на названии продукта.
  • Когда вы пришлете мне детали?

  • Мы отправим вам детали в тот же день после получения оплаты.
  • Как разместить заказ?

  • Добавьте товар в корзину, а затем перейдите к оформлению заказа на нашем веб-сайте.
  • Как сделать наш бизнес долгосрочным и хорошим?

  • Мы поддерживаем хорошее качество и конкурентоспособные цены.
  • Мы уважаем каждого клиента как друга и добросовестно ведем бизнес!
  • По любым другим вопросам, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы всегда к вашим услугам!

    Вы можете выбрать подходящий способ доставки и способ оплаты при оформлении заказа на нашем веб-сайте. Мы принимаем PayPal так же, как ebay. .

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *