Регулятора напряжения автомобиля на транзисторе irl2905
IRLR2905 MOSFET – описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRLR2905
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 69 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 36 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 32 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.027 Ohm
Тип корпуса: TO252AA
IRLR2905 Datasheet (PDF)
1.1. irlu2905zpbf irlr2905zpbf.pdf Size:328K _international_rectifier
PD – 95774B IRLR2905ZPbF IRLU2905ZPbF Features HEXFET® Power MOSFET Logic Level D Advanced Process Technology VDSS = 55V Ultra Low On-Resistance 175°C Operating Temperature RDS(on) = 13. 5mΩ Fast Switching G Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free >1.2. irlr2905pbf irlu2905pbf.pdf Size:314K _international_rectifier
PD- 95084A IRLR/U2905PbF HEXFET® Power MOSFET l Logic-Level Gate Drive l Ultra Low On-Resistance D l Surface Mount (IRLR2905) VDSS = 55V l Straight Lead (IRLU2905) l Advanced Process Technology RDS(on) = 0.027Ω l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated >
1.3. irlr2905.pdf Size:135K _international_rectifier
PD- 91334E IRLR/U2905 HEXFET� Power MOSFET Logic-Level Gate Drive D Ultra Low On-Resistance VDSS = 55V Surface Mount (IRLR2905) Straight Lead (IRLU2905) RDS(on) = 0.027? G Advanced Process Technology Fast Switching >
дохленький КТ829А2 в миниатюрном корпусе, который дико грелся и в конечном итоге сдох, при этом на крышке регулятора гордо обещают 5а тока.
Он заменен на 2шт полевых транзистора от системных плат. Транзисторы там бывают различные, но они имеют похожие параметры.
У этих сл. параметры: макс. ток стока 120А, макс. напряжение сток-исток 40в. Напряжение отсечки 3,0в.ввиду того, что у меня установлен самодельный выпрямитель на 12шт КД2998, (это диоды Шоттки, при токе 30а прямое напряжение 0,2-0,25в), этот выпрямитель и модифицированный РН установлен на правом крыле. Поэтому, не ставилось целью вписаться в габарит штатного РН. Поэтому же, установлены 2шт. транзистора (вполне хватило бы и 1 шт.) и 2 светодиода, показывающие работу регулятора напряжения.
Вполне возможно было просто заменить штатный КТ829А2 на 1 полевой транзистор, и впаять последний на место первого. А регулятор напряжения установить на штатное место.
у меня при тестовом токе 30А, было падение напряжения 5,5мВ
При построении сильноточных стабилизаторов напряжения радиолюбители обычно используют специализированные микросхемы серии 142 и аналогичные, «усиленные» одним или несколькими, включенными параллельно, биполярными транзисторами. Если для этих целей применить мощный переключательный полевой транзистор, то удастся собрать более простой сильноточный стабилизатор,
Схема одного из вариантов такого стабилизатора приведена на рис. 3.28.0. Со вторичной обмотки трансформатора переменное напряжение около 13 В (эффективное значение) поступает на выпрямитель и сглаживающий фильтр. На конденсаторах фильтра оно равно 16 В. Это напряжение поступает на сток мощного транзистора VT1 и через резистор R1 на затвор, открывая транзистор.
Часть выходного напряжения через делитель R2, R3 подается на вход микросхемы DA1, замыкая цепь ООС. Напряжение на выходе стабилизатора возрастает вплоть до того момента, пока напряжение на входе управления микросхемы DA1 не достигнет порогового, около 2,5 В. В этот момент микросхема открывается, понижая напряжение на затворе мощного транзистора, т.е. частично закрывая его, и, таким образом, устройство входит в режим стабилизации. Лучшие результаты удастся получить, если диод VD2 подключить к выпрямительному мосту (рис. 3.28.6). В этом случае напряжение на конденсаторе С5 увеличится, поскольку падение напряжения на диоде VD2 будет меньше, чем падение напряжения на диодах моста, особенно при максимальном токе.
При необходимости плавной регулировки выходного напряжения постоянный резистор R2 следует заменить переменным или подстроенным резистором.
В стабилизаторе в качестве регулирующего элемента применен мощный полевой транзистор IRLR2905. Хотя он и предназначен для работы в ключевом (переключательном) режиме, в данном стабилизаторе он используется в линейном режиме. Транзистор имеет в открытом состоянии весьма малое сопротивление канала (0,027 Ом), обеспечивает ток до 30 А при температуре корпуса до 100°С, обладает высокой крутизной и требует для управления напряжения на затворе всего 2,5…3 В. Мощность, рассеиваемая транзистором, может достигать 110 Вт.
Полевым транзистором управляет микросхема параллельного стабилизатора напряжения КР142ЕН19 (импортный аналог TL431). Конденсаторы — малогабаритные танталовые, резисторы — MJ1T, С2-33, диод VD2 — выпрямительный с малым падением напряжения (германиевый, диод Шоттки). Параметры трансформатора, диодного моста и конденсатора С1 выбирают исходя из необходимого выходного напряжения и тока. Хотя транзистор и рассчитан на большие токи и большую рассеиваемую мощность, для реализации всех его возможностей необходимо обеспечить эффективный теплоотвод.
Налаживание стабилизатора сводится к установке требуемого значения выходного напряжения. Надо обязательно проверить устройство на отсутствие самовозбуждения во всем диапазоне рабочих токов. Для этого напряжения в различных точках устройства контролируют с помощью осциллографа. Если самовоз
буждение возникает, то параллельно конденсаторам CI, С2 и С4 следует подключить керамические конденсаторы емкостью 0,1 мкФ с выводами минимальной длины. Размещаются эти конденсаторы как можно ближе к транзистору VT1 и микросхеме DA1.
Печатная плата устройства приведена на рис. 3.29. Эта плата рассчитана на установку малогабаритных деталей в корпусах для поверхностного монтажа, в том чис
ле и микросхема КР142ЕН19 требует замены на импортный аналог в корпусе SO-8.
В случае, если полевой транзистор найти не удалось, стабилизатор можно выполнить по другой схеме (рис.
Регулятора напряжения автомобиля на транзисторе irl2905
При построении сильноточных стабилизаторов напряжения радиолюбители обычно используют специализированные микросхемы серии 142 и аналогичные, «усиленные» одним или несколькими, включенными параллельно, биполярными транзисторами. Если для этих целей применить мощный переключательный полевой транзистор, то удастся собрать более простой сильноточный стабилизатор,
Схема одного из вариантов такого стабилизатора приведена на рис. 3.28.0. Со вторичной обмотки трансформатора переменное напряжение около 13 В (эффективное значение) поступает на выпрямитель и сглаживающий фильтр.
На конденсаторах фильтра оно равно 16 В. Это напряжение поступает на сток мощного транзистора VT1 и через резистор R1 на затвор, открывая транзистор.Часть выходного напряжения через делитель R2, R3 подается на вход микросхемы DA1, замыкая цепь ООС. Напряжение на выходе стабилизатора возрастает вплоть до того момента, пока напряжение на входе управления микросхемы DA1 не достигнет порогового, около 2,5 В. В этот момент микросхема открывается, понижая напряжение на затворе мощного транзистора, т.е. частично закрывая его, и, таким образом, устройство входит в режим стабилизации. Лучшие результаты удастся получить, если диод VD2 подключить к выпрямительному мосту (рис. 3.28.6). В этом случае напряжение на конденсаторе С5 увеличится, поскольку падение напряжения на диоде VD2 будет меньше, чем падение напряжения на диодах моста, особенно при максимальном токе.
При необходимости плавной регулировки выходного напряжения постоянный резистор R2 следует заменить переменным или подстроенным резистором.
В стабилизаторе в качестве регулирующего элемента применен мощный полевой транзистор IRLR2905. Хотя он и предназначен для работы в ключевом (переключательном) режиме, в данном стабилизаторе он используется в линейном режиме. Транзистор имеет в открытом состоянии весьма малое сопротивление канала (0,027 Ом), обеспечивает ток до 30 А при температуре корпуса до 100°С, обладает высокой крутизной и требует для управления напряжения на затворе всего 2,5…3 В. Мощность, рассеиваемая транзистором, может достигать 110 Вт.
Полевым транзистором управляет микросхема параллельного стабилизатора напряжения КР142ЕН19 (импортный аналог TL431). Конденсаторы — малогабаритные танталовые, резисторы — MJ1T, С2-33, диод VD2 — выпрямительный с малым падением напряжения (германиевый, диод Шоттки). Параметры трансформатора, диодного моста и конденсатора С1 выбирают исходя из необходимого выходного напряжения и тока. Хотя транзистор и рассчитан на большие токи и большую рассеиваемую мощность, для реализации всех его возможностей необходимо обеспечить эффективный теплоотвод.
Налаживание стабилизатора сводится к установке требуемого значения выходного напряжения. Надо обязательно проверить устройство на отсутствие самовозбуждения во всем диапазоне рабочих токов. Для этого напряжения в различных точках устройства контролируют с помощью осциллографа. Если самовоз
буждение возникает, то параллельно конденсаторам CI, С2 и С4 следует подключить керамические конденсаторы емкостью 0,1 мкФ с выводами минимальной длины. Размещаются эти конденсаторы как можно ближе к транзистору VT1 и микросхеме DA1.
Печатная плата устройства приведена на рис. 3.29. Эта плата рассчитана на установку малогабаритных деталей в корпусах для поверхностного монтажа, в том чис
ле и микросхема КР142ЕН19 требует замены на импортный аналог в корпусе SO-8.
В случае, если полевой транзистор найти не удалось, стабилизатор можно выполнить по другой схеме (рис. 3.30), на мощных биполярных транзисторах, с использованием той же микросхемы. Правда, максимальный ток нагрузки у этого варианта стабилизатора не более 3…4 А. Для повышения коэффициента стабилизации применен стабилизатор тока на полевом транзисторе, в качестве регулирующего элемента применен мощный составной транзистор. Трансформатор должен обеспечивать на вторичной обмотке напряжение не менее 15 В при максимальном токе нагрузки.
При построении сильноточных стабилизаторов напряжения радиолюбители обычно используют специализированные микросхемы серии 142 и аналогичные, «усиленные» одним или несколькими, включенными параллельно, биполярными транзисторами. Если для этих целей применить мощный переключательный полевой транзистор, то удастся собрать более простой сильноточный стабилизатор,
Схема одного из вариантов такого стабилизатора приведена на рис. 3.28.0. Со вторичной обмотки трансформатора переменное напряжение около 13 В (эффективное значение) поступает на выпрямитель и сглаживающий фильтр. На конденсаторах фильтра оно равно 16 В. Это напряжение поступает на сток мощного транзистора VT1 и через резистор R1 на затвор, открывая транзистор.
Часть выходного напряжения через делитель R2, R3 подается на вход микросхемы DA1, замыкая цепь ООС. Напряжение на выходе стабилизатора возрастает вплоть до того момента, пока напряжение на входе управления микросхемы DA1 не достигнет порогового, около 2,5 В. В этот момент микросхема открывается, понижая напряжение на затворе мощного транзистора, т.е. частично закрывая его, и, таким образом, устройство входит в режим стабилизации. Лучшие результаты удастся получить, если диод VD2 подключить к выпрямительному мосту (рис. 3.28.6). В этом случае напряжение на конденсаторе С5 увеличится, поскольку падение напряжения на диоде VD2 будет меньше, чем падение напряжения на диодах моста, особенно при максимальном токе.
При необходимости плавной регулировки выходного напряжения постоянный резистор R2 следует заменить переменным или подстроенным резистором.
В стабилизаторе в качестве регулирующего элемента применен мощный полевой транзистор IRLR2905. Хотя он и предназначен для работы в ключевом (переключательном) режиме, в данном стабилизаторе он используется в линейном режиме. Транзистор имеет в открытом состоянии весьма малое сопротивление канала (0,027 Ом), обеспечивает ток до 30 А при температуре корпуса до 100°С, обладает высокой крутизной и требует для управления напряжения на затворе всего 2,5…3 В. Мощность, рассеиваемая транзистором, может достигать 110 Вт.
Полевым транзистором управляет микросхема параллельного стабилизатора напряжения КР142ЕН19 (импортный аналог TL431). Конденсаторы — малогабаритные танталовые, резисторы — MJ1T, С2-33, диод VD2 — выпрямительный с малым падением напряжения (германиевый, диод Шоттки). Параметры трансформатора, диодного моста и конденсатора С1 выбирают исходя из необходимого выходного напряжения и тока. Хотя транзистор и рассчитан на большие токи и большую рассеиваемую мощность, для реализации всех его возможностей необходимо обеспечить эффективный теплоотвод.
Налаживание стабилизатора сводится к установке требуемого значения выходного напряжения. Надо обязательно проверить устройство на отсутствие самовозбуждения во всем диапазоне рабочих токов. Для этого напряжения в различных точках устройства контролируют с помощью осциллографа. Если самовоз
буждение возникает, то параллельно конденсаторам CI, С2 и С4 следует подключить керамические конденсаторы емкостью 0,1 мкФ с выводами минимальной длины. Размещаются эти конденсаторы как можно ближе к транзистору VT1 и микросхеме DA1.
Печатная плата устройства приведена на рис. 3.29. Эта плата рассчитана на установку малогабаритных деталей в корпусах для поверхностного монтажа, в том чис
ле и микросхема КР142ЕН19 требует замены на импортный аналог в корпусе SO-8.
В случае, если полевой транзистор найти не удалось, стабилизатор можно выполнить по другой схеме (рис. 3.30), на мощных биполярных транзисторах, с использованием той же микросхемы. Правда, максимальный ток нагрузки у этого варианта стабилизатора не более 3…4 А. Для повышения коэффициента стабилизации применен стабилизатор тока на полевом транзисторе, в качестве регулирующего элемента применен мощный составной транзистор. Трансформатор должен обеспечивать на вторичной обмотке напряжение не менее 15 В при максимальном токе нагрузки.
Автор: Radioelectronika-Ru · Опубликовано 24.11.2017 · Обновлено 20.03.2018
На основе мощных переключательных полевых транзисторов [1] можно построить линейные стабилизаторы напряжения. Подобное устройство было ранее описано в [2]. Немного изменив схему, как показано на рис. 1, можно улучшить параметры описанного стабилизатора, существенно (в 5…6 раз) уменьшив падение напряжения на регулирующем элементе, в качестве которого применен транзистор IRL2505L. Он имеет в открытом состоянии весьма малое сопротивление канала (0,008 Ом), обеспечивает ток до 74 А при температуре корпуса 100 °С, отличается высокой крутизной характеристики (59 А/В). Для управления им требуется небольшое напряжение на затворе (2,5…3 В). Предельное напряжение сток—исток — 55 В, затвор—исток — ±16 В, мощность, рассеиваемая транзистором, может достигать 200 Вт.
Подобно современным микросхемным стабилизаторам, предлагаемый модуль имеет три вывода: 1 — вход, 2 — общий, 3 — выход. В качестве управляющего элемента применена микросхема DA1 — параллельный стабилизатор напряжения КР142ЕН19 (TL431). Транзистор VT1 выполняет функцию согласующего элемента, а стабилитрон VD1 обеспечивает стабильное напряжение для его базовой цепи. Значение выходного напряжения можно рассчитать по формуле
Uвых=2,5(1+R5/R6).
Выходное напряжение регулируют, изменяя сопротивление резистора R6. Конденсаторы обеспечивают устойчивую работу стабилизатора. Устройство работает следующим образом. При увеличении выходного напряжения повышается напряжение на управляющем входе микросхемы DA1, в результате чего ток через нее увеличивается. Напряжение на резисторе R2 увеличивается, а ток через транзистор VT1 уменьшается. Соответственно напряжение затвор—исток транзистора VT2 уменьшается, вследствие чего сопротивление его канала возрастает. Поэтому выходное напряжение уменьшается, восстанавливаясь до прежнего значения.
Регулирующий полевой транзистор VT2 включен в минусовый провод, а управляющее напряжение поступает на него с плюсового провода. Благодаря такому решению стабилизатор способен обеспечить ток нагрузки 20…30 А, при этом входное напряжение может быть всего на 0,5 В больше выходного. Если предполагается использовать модуль при входном напряжении более 16 В, то транзистор VT2 необходимо защитить от пробоя с помощью маломощного стабилитрона с напряжением стабилизации 10…12 В, катод которого подключают к затвору, анод — к истоку.
В устройстве можно применить любой n-канальный полевой транзистор (VT2), подходящий по току и напряжению из списка, приведенного в [1], желательно выделенный желтым цветом. VT1 — КТ502, КТ3108, КТ361 с любыми буквенными индексами. Микросхему КР142ЕН19 (DA1) допустимо заменить на TL431. Конденсаторы — К10-17, резисторы — Р1-4, МЛТ, С2-33.
Схема подключения модуля стабилизатора приведена на рис. 2.
При большом токе нагрузки на транзисторе VT2 рассеивается большая мощность, поэтому необходим эффективный теплоотвод. Транзисторы этой серии с буквенными индексами L и S устанавливают на теплоотвод с помощью пайки. В авторском варианте в качестве теплоотвода и одновременно несущей конструкции применен корпус от неисправного транзистора КТ912, КП904. Этот корпус разобран, удалена его верхняя часть так, что осталась позолоченная керамическая шайба с кристаллом транзистора и выводами-стойками. Кристалл аккуратно удален, покрытие облужено, после чего к нему припаян транзистор VT2. К покрытию шайбы и выводам транзистора VT2 припаяна печатная плата из двусторонне фольгированного стеклотекстолита (рис. 3). Фольга на обратной стороне платы целиком сохранена и соединена с металлизацией шайбы (стоком транзистора VT2) После налаживания и проверки модуля стабилизатора плата приклеена к корпусу. Выводы 1 и 2 — площадки на печатной плате, а вывод 3 (сток транзистора VT2) — металлический вывод-стойка на керамической шайбе.
Если применить детали для поверхностного монтажа: микросхему TL431CD (рис. 4), транзистор VT1 КТ3129А-9, транзистор VT2 IRLR2905S, резисторы Р1-12, то часть их можно разместить на печатной плате, а другую часть — навесным монтажом непосредственно на керамической шайбе корпуса. Внешний вид собранного устройства показан на рис. 5. Модуль стабилизатора напряжения не имеет гальванической связи с основанием (винтом) корпуса, поэтому его можно непосредственно разместить на теплоотводе, даже если он соединен с общим проводом питаемого устройства.
Также допустимо использовать корпус от неисправных транзисторов серий КТ825, КТ827. В таком корпусе кристаллы транзистора прикреплены не к керамической, а к металлической шайбе. Именно к ней, предварительно удалив кристалл, припаивают транзистор VT2. Остальные детали устанавливают аналогично. Сток транзистора VT2 в этом случае соединен с корпусом, поэтому модуль можно непосредственно установить на теплоотвод, соединенный с минусовым проводом питания нагрузки.
Налаживание устройства сводится к установке требуемого выходного напряжения подстроечным резистором R6 и к проверке отсутствия самовозбуждения во всем интервале выходного тока. Если оно возникнет, его нужно устранить увеличением емкости конденсаторов.
ЛИТЕРАТУРА
1. Мощные полевые переключательные транзисторы фирмы International Rectifier. — Радио, 2001, № 5, с. 45.
2. Нечеев И. Стабилизатор напряжения на мощном полевом транзисторе. — Радио, 2003, № 8. с. 53, 54.
И. НЕЧАЕВ, г. Курск
“Радио” №2 2005г.
Транзистор — аналог | Транзистор — аналог | Транзистор — аналог |
2N1221 — КТ501Г | 2N4260 — КТ363АМ- Купить | 2N5875 — 2Т818Б- Купить |
2N1613 — КТ630Г — Купить | 2N4261 — КТ363ЕМ- Купить | 2N6034 — КТ8130А- Купить |
2N1715 — КТ630B — Купить | 2N4271 — 2Т653А — Купить | 2N6035 — КТ8130Б — Купить |
2N2218 — КТ928А — Купить | 2N4400 — КТ660А — Купить | 2N6036 — КТ8130В — Купить |
2N2219 — КТ928Б — Купить | 2N4401 — КТ660А — Купить | 2N6037 — КТ8131А — Купить |
2N2219A — КТ928В — Купить | 2N4402 — КТ685А — Купить | 2N6038 — КТ8131Б — Купить |
2N2221 — КТ3117А — Купить | 2N4403 — КТ685В — Купить | 2N6039 — КТ8131В — Купить |
2N2222A — КТ3117Б — Купить | 2N4411 — КТ3127А — Купить | 2N6047 — КТ947А — Купить |
2N2332 — 2Т208Б — Купить | 2N4440 — 2Т921А — Купить | 2N6053 — КТ825Б — Купить |
2N2334 — 2Т208Г — Купить | 2N4494 — KT645А — Купить | 2N6054 — КТ825А — Купить |
2N2335 — 2Т208Д — Купить | 2N4930 — КТ505Б — Купить | 2N6093 — КТ912А — Купить |
2N2336 — 2Т208Л — Купить | 2N4931 — КТ505А — Купить | 2N6202 — КТ934А — Купить |
2N2337 — 2Т208М — Купить | 2N4933 — КТ927А — Купить | 2N6203 — КТ934Б — Купить |
2N2369 — КТ3142А — Купить | 2N5069 — КТ3102Е — Купить | 2N6204 — КТ934В — Купить |
2N2405 — 2Т630А — Купить | 2N5086 — КТ3107Б — Купить | 2N6253 — 2Т818В — Купить |
2N2440 — 2Т630Б — Купить | 2N5087 — КТ3107К — Купить | 2N6278 — КТ879Б — Купить |
2N2904 — КТ692А — Купить | 2N5088 — КТ3102Е — Купить | 2N6279 — КТ879А — Купить |
2N3055 — КТ8150А — Купить | 2N5092 — КТ504А — Купить | 2N6362 — КТ930А — Купить |
2N3250 — КТ3108А — Купить | 2N5177 — КТ909А — Купить | 2N6364 — КТ930Б — Купить |
2N3250A — КТ3108Б — Купить | 2N5178 — КT909Б — Купить | 2N6369 — КТ931А — Купить |
2N3251 — КТ3108В — Купить | 2N5210 — КТ3102Б — Купить | 2N6388 — КТ899А — Купить |
2N3448 — 2Т504А — Купить | 2N5400 — КТ6116Б — Купить | 2N6428 — КТ3117Б — Купить |
2N3725 — КТ635Б — Купить | 2N5401 — КТ6116А — Купить | 2N6515 — КТ504Б — Купить |
2N3733 — КТ907А — Купить | 2N5483 — 2Т919А — Купить | 2N6516 — КТ504В — Купить |
2N3903 — КТ645А — Купить | 2N5550 — КТ6117Б — Купить | 2N6517 — КТ504А — Купить |
2N3904 — КТ6137А — Купить | 2N5551 — КТ6117А — Купить | 2N6518 — КТ505Б — Купить |
2N3905 — КТ313А — Купить | 2N5589 — КТ920А — Купить | 2N6519 — КТ505А — Купить |
2N3906 — КТ6136А — Купить | 2N5590 — КТ920Б — Купить | 2N6520 — КТ505А — Купить |
2N3939 — 2Т506А — Купить | 2N5591 — КТ920В — Купить | 2N6542 — КТ840Б — Купить |
2N4001 — 2Т653Б — Купить | 2N5641 — КТ922А — Купить | 2N6543 — КТ840А — Купить |
2N4060 — КТ681А — Купить | 2N5642 — КТ922Б — Купить | 2N6546 — 2Т878Б — Купить |
2N4123 — КТ503А — Купить | 2N5643 — КТ922В — Купить | 2N6618 — 2Т3132А — Купить |
2N4124 — КТ503Б — Купить | 2N5650 — 2Т3114А — Купить | 2N6721 — КТ504Б — Купить |
2N4125 — КТ502А — Купить | 2N5672 — 2Т974А — Купить | 2N6853 — 2Т708Б — Купить |
2N4126 — КТ502Е — Купить | 2N5709 — КТ944А — Купить | 2N6972 — КТ874А — Купить |
2N4236 — КТ830Г — Купить | 2N5758 — 2Т818А — Купить | 2N940 — 2Т208Ж — Купить |
2N4239 — КТ831Г — Купить | 2N5773 — КТ8101А — Купить | |
Транзисторы | * * * | Транзисторы |
2SA1106 — КТ8101Б — Купить | 2SA7330 — КТ3107А — Купить | 2SA733R — КТ3107А — Купить |
2SA610 — КТ361А2 — Купить | 2SA733G — КТ3107И — Купить | 2SA733Y — КТ3107Б — Купить |
2SA611 — КТ361А3 — Купить | 2SA733L — КТ3107И — Купить | |
* * * | ||
2SB546A — КТ851В — Купить | 2SB710 — КТ3173А9 — Купить | 2SB970 — КТ3171А9 — Купить |
2SВ506A — 2Т842А — Купить | 2SB772 — КТ9176А — Купить | |
* * * | ||
2SC1618 — КТ808БМ — Купить | 2SC3150 — КТ8118А — Купить | 2SC4242 — КТ8110А — Купить |
2SC1619A — КТ808АМ — Купить | 2SC3217 — 2Т9155А — Купить | 2SC456 — КТ645А — Купить |
2SC1815BL — КТ3102Б — Купить | 2SC3218 — 2Т9155Б — Купить | 2SC544 — КТ315А1 — Купить |
2SC1815GR — КТ3102Б — Купить | 2SC3257 — КТ854А — Купить | 2SC546 — КТ315Б1 — Купить |
2SС1815L — КТ3102Б — Купить | 2SC3277M — 2Т718А — Купить | 2SC714 — КТ645Б — Купить |
2SC1815O — КТ3102А — Купить | 2SC3306 — КТ8117А — Купить | 2SC730 — КТ610А — Купить |
2SC1815Y — КТ3102Б — Купить | 2SC3360 — 2Т9155В — Купить | 2SC9110 — КТ637Б — Купить |
2SC1929 — КТ504В — Купить | 2SC3412 — КТ886А1 — Купить | 2SC9450 — КТ3102А — Купить |
2SC2122 — КТ841Б — Купить | 2SC3750 — КТ8108А — Купить | 2SC945G — КТ3102Б — Купить |
2SC216B — КТ850А — Купить | 2SC380 — КТ315Г — Купить | 2SC945L — КТ3102Б — Купить |
2SC2240BL — КТ503Е — Купить | 2SC388 — КТ315Г — Купить | 2SC945R — КТ3102А — Купить |
2SC2240GR — КТ503Е — Купить | 2SC4055 — KT8120A — Купить | 2SC945Y — КТ3102Б — Купить |
2SC2270 — КТ9157 — Купить | 2SC4173 — КТ645Б — Купить | |
Транзисторы | * * * | Транзисторы |
2SD1172 — 2Т713А — Купить | 2SD415 — КТ683Д — Купить | 2SD882 — КТ9177А — Купить |
2SD1565 — 2Т9136АС — Купить | 2SD602 — КТ3176А9 — Купить | 2SD900B — КТ8183А — Купить |
2SD401A — КТ8123А — Купить | 2SD814 — КТ3179А9 — Купить | |
* * * | ||
ВС119 — КТ630Б — Купить | BC338-16 — КТ660Б — Купить | |
BC136 — КТ639Б — Купить | BC338-25 — КТ660Б — Купить | BC560B— КТ3107И — Купить |
ВС140 — КТ630Д — Купить | BCЗЗ8-40 — КТ660Б — Купить | BC560C — КТ3107И — Купить |
BC223A — КТ660Б — Купить | BC516 — КТ686Ж — Купить | BC635 — КТ503Б — Купить |
BC223B — КТ660Б — Купить | BC517 — КТ645А — Купить | BC636 — КТ684А — Купить |
ВС237А — КТ3102А — Купить | BC546A — КТ503Д — Купить | BC637 — КТ503Г — Купить |
BC237B — КТ3102Б — Купить | BC546B — КТ3117Б — Купить | BC638 — КТ684Б — Купить |
BC237C— КТ3102Б — Купить | BC546С — КТ3117Б — Купить | BC639 — КТ503Е — Купить |
BC238A— КТ645А — Купить | BC547A — КТ645А — Купить | BC640 — КТ684В — Купить |
BC238B— КТ3102В — Купить | BC547B — КТ3102БМ — Купить | BC847A — КТ3189А9 — Купить |
BC238C— КТ3102В — Купить | BC547C — КТ3102БМ — Купить | BC847B — КТ3189Б9 — Купить |
BC239A— КТ3102Д — Купить | BC548A — КТ3102ВМ — Купить | BC847C — КТ3189В9 — Купить |
BC239В — КТ3102Д — Купить | BC548B — КТ3102ВМ — Купить | BC857A — КТ3129Б9 — Купить |
BC239C— КТ3102Д — Купить | BC549A — КТ3102ВМ — Купить | BC857B — КТ3129Г9 — Купить |
BC307A— КТ3107Б — Купить | BC549B — КТ3102ВМ — Купить | BC858A — КТ3129В9 — Купить |
BC307B— КТ3107И — Купить | BC549C — КТ3102ВМ — Купить | |
BC307C— КТ3107И — Купить | BC54BC — КТ3102ВМ — Купить | BCF32 — КТ3172А9 — Купить |
BC308A— КТ3107Г — Купить | BC550A — КТ3102АМ — Купить | BCХ53 — 2Т664А9 — Купить |
BC308B— КТ3107Д — Купить | BC550B — КТ3102БМ — Купить | BCХ56 — КТ665А9 — Купить |
BC308С — КТ3107К — Купить | BC550C — КТ3102БМ — Купить | BCХ70 — КТ3153А9 — Купить |
BC309А — КТ3107Е — Купить | BC556A — КТ502Д — Купить | BCY38 — КТ501Д — Купить |
BC309В — КТ3107Ж — Купить | BC556B — КТ502Д — Купить | BCY39— КТ501М — Купить |
BC309С — КТ3107Л — Купить | BC556C — КТ502Д — Купить | BCY54— КТ501К — Купить |
BC327-16 — КТ686А — Купить | BC557A — КТ6б8Б — Купить | BCY92— 2Т3152А — Купить |
BC327-25 — КТ686Б — Купить | BC557B — КТ668В — Купить | BCY93B— КТ501Л — Купить |
BC327-40 — КТ686В — Купить | BC557C — КТ3107И — Купить | BCW31 — КТ3130Д9 — Купить |
BC328-16 — КТ686Г — Купить | BC558A — КТ3107Г — Купить | BCW33LT1— КТ3130Е9 — Купить |
BC328-25 — КТ686Д — Купить | BC558C — КТ3107К — Купить | BCW71— КТ3139А — Купить |
BC328-40 — КТ686Е — Купить | BC559A — КТ3107Е — Купить | BCW72— КТ3139Б — Купить |
BC337-16 — КТ660А — Купить | BC559B — КТ3107Ж — Купить | BCW73— КТ3139В — Купить |
BC337-25 — КТ660А — Купить | BC559C — КТ3107Л — Купить | |
BC337-40 — КТ660А — Купить | BC560A — КТ3107Б — Купить | |
* * * | ||
BD130 — КТ819БМ — Купить | BD233 — КТ817Б — Купить | BDW22 — КТ818БМ — Купить |
BD135 — КТ815Б — Купить | BD234 — КТ816Б — Купить | BDW51 — КТ819АМ — Купить |
BD136 — КТ814Б — Купить | BD235 — КТ817В — Купить | BDW51B — 2Т819А — Купить |
BD136-10 — КТ639В — Купить | BD236 — КТ816В — Купить | BDW64A — КТ896А — Купить |
BD136-16 — КТ639А — Купить | BD237 — КТ817Г — Купить | BDW65A — КТ8106А — Купить |
BD137 — КТ815В — Купить | BD238 — КТ816Г — Купить | BDX53 — КТ829Г — Купить |
BD138 — КТ814В — Купить | BD242B — КТ818Г — Купить | BDX53A — КТ829В — Купить |
BD138-10 — КТ639Е — Купить | BD291 — КТ819А — Купить | BDX53B — КТ829Б — Купить |
BD138-16 — КТ639Г — Купить | BD292 — КТ818А — Купить | BDX53E — КТ829Д — Купить |
BD138-6 — КТ639Д — Купить | BD293 — КТ819Б — Купить | BDX54 — КТ853Г — Купить |
BD139 — КТ815Г — Купить | BD295 — КТ819В — Купить | BDX54F — КТ712А — Купить |
BD140 — КТ814Г — Купить | ВD534 — КТ837А — Купить | BDX62 — КТ825Д — Купить |
BD140-10 — КТ639Ж — Купить | BD536 — КТ837Б — Купить | BDX63A — КТ827А — Купить |
BD140-6 — КТ639И — Купить | BD875 — КТ972А — Купить | BDY20 — 2Т819В — Купить |
BD142 — 2Т819Б — Купить | BD876 — КТ973А — Купить | BDY73 — КТ819ВМ — Купить |
BD202 — КТ818Б — Купить | BDV64 — КТ8159В — Купить | BDY98 — 2Т841Б — Купить |
BD203 — КТ819Г — Купить | BDV65 — КТ8158В — Купить | |
BD204 — КТ818В — Купить | BDW21 — КТ819ГМ — Купить | |
* * * | ||
BF391 — КТ698К — Купить | BF492 — КТ505Б — Купить | BF970 — КТ3165А — Купить |
BF392 — КТ504Б — Купить | BF493 — КТ505А — Купить | BF979S — КТ3109А — Купить |
BF393 — КТ504В — Купить | BF506 — КТ3126А — Купить | BFP194 — КТ6129А9 — Купить |
BF419 — КТ969А — Купить | BF554 — КТ3170А9 — Купить | BFR90 — КТ3198А — Купить |
BF422 — КТ940А — Купить | BF565 — КТ3169А9 — Купить | BFR90A — КТ3198Б — Купить |
BF423 — КТ9115А — Купить | BF569 — КТ3192А9 — Купить | BFR91 — КТ3198В — Купить |
BF458 — КТ940Б — Купить | BF595 — КТ3169А9 — Купить | BFR91A — КТ3198Г — Купить |
BF459 — КТ940А — Купить | BF599 — КТ368А9 — Купить | BFR92 — КТ3187А9 — Купить |
BF472 — КТ9115А — Купить | BF820S — КТ666А9 — Купить | BFT92 — КТ3191А9 — Купить |
BF491 — КТ6127К — Купить | BF821S — КТ867А9 — Купить | BFY68 — КТ630Е — Купить |
* * * | ||
BLX96 — КТ98ЗА — Купить | BLX98 — КТ983В — Купить | BLY53 — КТ925Б — Купить |
BLX97 — КТ983Б — Купить | BLY38 — КТ925А — Купить | |
Транзисторы | * * * | Транзисторы |
BU106 — 2Т841А — Купить | BU426A — KT868A — Купить | BUX21 — 2T866A — Купить |
BU126 — КТ845А — Купить | BU508 — KT872A — Купить | BUX37 — KT848A — Купить |
BU207 — КТ846Б — Купить | BU508A — KT8107A — Купить | BUX48 — КТ856Б — Купить |
BU208 — КТ8127Б — Купить | BU508D — KT872B — Купить | BUX48A — 2T856A — Купить |
BU208A — КТ8127А — Купить | BU931PFI — KT898A1 — Купить | BUX54 — KT506A — Купить |
BU209 — КТ846Г — Купить | BU931Z — KT897A — Купить | BUX98 — KT878A — Купить |
BU406 — КТ8124А — Купить | BU931ZP — KT898A — Купить | BUX98A — KT878B — Купить |
BU406 — КТ858А — Купить | BU932Z — КТ892Б — Купить | BUY21 — KT867A — Купить |
BU407 — KT8124B — Купить | BUT92A — 2T891A — Купить | BUZ60 — КП707А1 — Купить |
BU407 — KT857A — Купить | BUW76 — KT847A — Купить | BUZ90 — КП707Б1 — Купить |
BU408 — КТ8124Б — Купить | BUX12 — 2T862A — Купить | |
BU426 — КТ868Б — Купить | BUX17B — 2Т718Б — Купить | |
* * * | ||
BV807 — KT8156A — Купить | BVS98A — 2T885A — Купить | |
* * * | ||
BY67A — KT630A — Купить | ||
* * * | ||
DTA124E — КР1054НК2Б — Купить | DTC114E — KP1054HK1B — Купить | DTC144E — KP1054HK1A — Купить |
DTA144E — KP1054HK2A — Купить | DTC124E — КР1054НК1Б — Купить | |
* * * | ||
FJ401E — 2T3115A-2 — Купить | ||
* * * | ||
KSA539 — KT502A — Купить | KSC5021 — КТ8108Б — Купить | KSD362 — КТ805БМ — Купить |
КSC4106 — Т8136А — Купить | KSD227 — KT503A — Купить | KSD363 — KT805AM — Купить |
* * * | ||
MD5000A — KTC3103A — Купить | MD5000F — КТС3103Б — Купить | |
* * * | ||
MJ2955 — KT8102A — Купить | MJE13004 — КТ8164Б — Купить | MJE2955T — KT8149A2 — Купить |
MJ4645 — 2Т505Б — Купить | MJE13005 — KT8164A — Купить | MJE3055T — KT8150A2 — Купить |
MJ4646 — 2T505A — Купить | MJE13006 — КТ8182Б — Купить | MJE340 — КТ504В — Купить |
MJE13002 — КТ8175Б — Купить | MJE13007 — KT8182A — Купить | MJE350 — КТ505А — Купить |
MJE13003 — KT8175A — Купить | MJE13009 — KT8145A — Купить | |
* * * | ||
MPS2923 — KT680A — Купить | MPSA43 — KT6135B — Купить | MPSL01 — KT638A — Купить |
MPS404 — KT209A — Купить | MPSA92 — КТ505А — Купить | MPSL51 — КТ632Б1 — Купить |
MPSA42 — КТ6135Б — Купить | MPSA93 — KT698K — Купить | |
* * * | ||
PN2905A — KT644A — Купить | PN2906A — КТ685Б — Купить | PN2907A — КТ644Г — Купить |
PN2906 — КТ644Б — Купить | PN2907 — KT644B — Купить | |
* * * | ||
SC558B — КТ3107Д — Купить | ||
* * * | ||
SS8050B — KT6114A — Купить | SS9013E — КТ6110Б — Купить | SS9016E — КТ6128Б — Купить |
SS8050C — КТ6114Б — Купить | SS9013F — KT6110B — Купить | SS9016F — KT6128B — Купить |
SS8050D — KT6114B — Купить | SS9013G — КТ6111Г — Купить | SS9016G — КТ6128Г — Купить |
SS8550B — KT6115A — Купить | SS9013H — КТ6111Д — Купить | SS9016H — КТ6128Д — Купить |
SS8550C — КТ6115Б — Купить | SS9014A — KT6111A — Купить | SS9016I — KT6128E — Купить |
SS8550D — KT6115B — Купить | SS9014B — КТ6111Б — Купить | SS9018C — КТ6113Г — Купить |
SS9012D — KT6109A — Купить | SS9014C — KT6111B — Купить | SS9018D — КТ6113А — Купить |
SS9012E — КТ6109Б — Купить | SS9014D — КТ6111Г — Купить | SS9018E — КТ6113Б — Купить |
SS9012F — KT6109B — Купить | SS9015A — KT6112A — Купить | SS9018F — KT6113B — Купить |
SS9012G — КТ6109Г — Купить | SS9015B — КТ6112Б — Купить | SS9018H — КТ6113Д — Купить |
SS9012H — КТ6109Д — Купить | SS9015C — KT6112B — Купить | SS9018I — KT6113E — Купить |
SS9013D — KT6110A — Купить | SS9016D — KT6128A — Купить | |
* * * | ||
STF143 — КТ501Ж — Купить | STF144 — КТ501И — Купить | |
Транзисторы | * * * | Транзисторы |
TIP110 — KT716B — Купить | TIP125 — KT8115B — Купить | TIP150 — КТ8109Б — Купить |
TIP111 — КТ716Б — Купить | TIP125 — KT853B — Купить | TIP151 — KT8109A — Купить |
TIP112 — KT716A — Купить | TIP126 — КТ8115Б — Купить | TIP3055 — KT8150A1 — Купить |
TIP115 — KT852B — Купить | TIP126 — КТ853Б — Купить | TIP41A — KT8125B — Купить |
TIP116 — КТ852Б — Купить | TIP127 — KT8115A — Купить | TIP41B — КТ8125Б — Купить |
TIP117 — KT852A — Купить | TIP127 — KT853A — Купить | TIP41C — KT8125A — Купить |
TIP120 — KT8116B — Купить | TIP140 — KT8111B — Купить | TIP48 — KT859A — Купить |
TIP121 — КТ8116Б — Купить | TIP141 — КТ8111Б — Купить | TIP661 — KT892A — Купить |
TIP122 — KT8116A — Купить | TIP142 — KT8111A — Купить | |
* * * | ||
VN1231 — KP1054HK3A — Купить |
Размер На Опаковката | 25cm x 25cm x 10cm (9.84in x 9.84in x 3.94in) |
Тип На Блока | парче |
Тегло На Опаковката | 0.17kg (0.37lb.) |
Когда и почему выходят из строя MOSFET?
Высокие температуры и другие параметры эксплуатационной среды, превышающие пределы безопасной работы, могут привести к выходу из строя полевых транзисторов, используемых в коммутационных цепях.
Современные полевые транзисторы MOSFET (полевой транзистор структуры металл-оксид-полупроводник) являются основными компонентами в преобразователях мощности, коммутаторах электрических цепей, в электроприводах и импульсных источниках питания (рис. 1). MOSFET отличаются высоким входным сопротивлением затвора, а ток, протекающий через канал между истоком и стоком, управляется напряжением на затворе. Однако при отсутствии надлежащей защиты высокие значения входного импеданса и коэффициента усиления могут привести к повреждению транзистора.
Рассмотрим несколько базовых принципов, позволяющих избежать повреждения MOSFET. Очевидно, напряжения между затвором и истоком, стоком и истоком не должны превышать предельные значения. То же касается и протекающего тока, ID. Существует также ограничение по мощности с учетом максимальной температуры перехода. Базовые значения для верхнего предела по этим параметрам приведены на графике в спецификации транзистора как области безопасной работы (ОБР – англ. SOA). Применяются и другие тепловые ограничения. Например, график ОБР предполагает температуру окружающей среды 25°C при определенной температуре перехода (как правило, ниже 150°С). Но есть различные условия, которые могут вызвать высокие перепады температур, способные привести к физическому разрушению кристалла MOSFET.
Рис.1. Новое поколение MOSFET ON Semiconductor
Новое поколение MOSFET обладает пониженным сопротивлением канала «сток-исток» RDS (в открытом состоянии) для минимизации проводимости и оптимизации рабочего режима. Например, ON Semiconductor выпускает транзисторы NTMFS5C404NLT, NTMFS5C410NLT и NTMFS5C442NLT, имеющие максимальное значение RDS (во включенном состоянии) 0,74, 0,9 и 2,8 мОм, соответственно. Они дополняются комплементарными приборами NTMFS5C604NL, NTMFS5C612N и NTMFS5C646NL с номинальными напряжениями пробоя 60 В. Для облегчения температурного режима конструкции транзисторы с предельным напряжением в 40 В и 60 В рассчитаны на работу при температуре перехода до 175°C.
В связи с этим следует обратить внимание, что тепловое сопротивление транзистора – среднее значение, применимое тогда, когда весь кристалл имеет одинаковую температуру. Но MOSFET, предназначенные для импульсных блоков питания, могут иметь широкий разброс по температуре в разных зонах кристалла. Транзисторы, оптимизированные для работы в режиме включения/ выключения, не так хорошо работают в линейной области рабочей характеристики.
Типичный режим «отказа» MOSFET связан с коротким замыканием между истоком и стоком. В этом случае только сопротивление источника питания ограничивает пиковый ток. Короткое замыкание является причиной оплавления кристалла и металла. Например, достаточно высокое напряжение между затвором и истоком (VGS) может разрушить оксидный слой затвора MOSFET. Рассчитанные на 12 В затворы скорее всего разрушатся примерно при 15 В. Затворы, имеющие запас до 20 В, могут выйти из строя при напряжении около 25 В.
В конечном итоге превышение номинального напряжения транзистора в течение нескольких наносекунд может привести к разрушению MOSFET. Производители рекомендуют выбирать транзистор с запасом по ожидаемым уровням напряжения и при условии подавления любых скачков и импульсов напряжения.
Минимальная мощность управления затвором
MOSFET спроектированы с расчетом на то, что в открытом состоянии выделяется минимальная рассеиваемая мощность: для уменьшения рассеиваемой мощности транзистор должен быть полностью открыт. В противном случае повышенное сопротивление MOSFET приведет к выделению значительной мощности в виде тепла.
В сущности, MOSFET перегревается из-за действия высокого тока; плохой теплоотвод может быть причиной разрушения MOSFET от чрезмерной температуры. Одним из способов ограничения чрезмерного тока является параллельное соединение нескольких транзисторов, когда ток нагрузки разделяется между ними.
Рис.2. График зависимости рассеиваемой мощности MOSFET от температуры
Графики зависимости рассеиваемой мощности транзистора от температуры позволяют судить о требуемом теплоотводе и креплении – как в примере с представленным выше графиком ON Semiconductor для CPh4348 (рис. 2).
Многие p- и n-канальные MOSFET используются в схемах с топологией Н и L мостов, включенных между шинами напряжения питания. В этом случае, если управляющие сигналы на затворах транзисторов частично перекрываются, оба транзистора будут кратковременно находиться в открытом состоянии, фактически накоротко замыкая источник питания. Когда это происходит, все конденсаторы цепей развязки по питанию быстро разряжаются через сквозной канал из двух транзисторов (во время их переходных состояний при переключении), вызывая короткие, но большие импульсы тока.
Чтобы предотвратить одновременное открытое состояние транзисторов, необходимо обеспечить короткую паузу между их переключениями из открытого состояния в закрытое и наоборот.
Рис.3. График типичной ОБР для MOSFET
На рис. 3 представлен типичный график ОБР для MOSFET CPh4348 компании ON Semiconductor. График ОБР предполагает температуру окружающей среды 25 °С при температуре перехода ниже 150 °С.
Превышение тока даже на короткое время может привести к прогрессирующему повреждению MOSFET, часто с малозаметным повышением температуры перед отказом транзистора. Многие транзисторы, имеющие высокие значения допустимого пикового тока, как правило, рассчитаны на пиковые токи длительностью примерно до 300 мкс. Это особенно важно в случае перегрузки MOSFET по пиковому току при переключении индуктивных нагрузок.
При коммутации индуктивных нагрузок должна быть предусмотрена цепь погашения обратной ЭДС во время выключения транзистора. При резком отключении напряжения питания на индуктивной нагрузке возникает всплеск обратного напряжения. На этот случай в некоторых MOSFET имеется защитный диод.
Катушки индуктивности и емкости в высокочастотных резонансных контурах способны накапливать значительное количество энергии. При определенных условиях эта высокопотенциальная энергия от всплесков обратного напряжения вызывает появление тока через встроенные диоды транзисторов MOSFET, когда один транзистор выключается, а другой включается. (Внутренний встроенный диод, подключенный между стоком и истоком, формируется в р-n переходе «корпус-сток». В n-канальных MOSFET анод встроенного диода подключается к стоку. Полярность включения становится обратной в p-канальных транзисторах.) Проблема может возникнуть из-за медленного выключения (обратного восстановления) встроенного диода, когда противоположный MOSFET пытается открыться.
Встроенные диоды MOSFET имеют длительное время восстановления запирающего слоя по сравнению с рабочими циклами самих транзисторов. Если во время работы комплементарного транзистора встроенный диод на одном MOSFET окажется в проводящем состоянии, то возникает сквозное замыкание источника питания. Эту проблему можно решить посредством диода Шоттки и диода с быстро восстанавливаемым обратным сопротивлением. Диод Шоттки подключается последовательно с истоком MOSFET и предотвращает протекание тока прямого смещения через встроенный диод MOSFET при всплесках напряжения на индуктивной нагрузке. Высокоскоростной (быстрое восстановление) диод подключается параллельно с парой MOSFET/диод Шоттки, что позволяет пропустить ток, возникающий при всплесках напряжения на индуктивной нагрузке, в обход MOSFET и диода Шоттки. Это гарантирует, что встроенный в MOSFET диод никогда не будет находиться в проводящем состоянии.
Рис. 4. Зависимость теплового сопротивления от длительности открытого состояния транзистора
На тепловое сопротивление MOSFET может существенно влиять длительность периода включенного состояния. На рис. 4 приведен конкретный пример графика для транзистора ON Semiconductor CPh4348.
Переходные состояния
Транзисторы MOSFET рассеивают незначительную энергию, когда находятся во включенном или выключенном состоянии, но во время переходного процесса между этими состояниями выделяемая энергия значительно возрастает. Таким образом, чтобы свести к минимуму рассеиваемую мощность, желательно переключаться как можно быстрее. Так как затвор MOSFET является емкостью, он требует значительных импульсов тока заряда и разряда в течение нескольких десятков наносекунд. Пиковые токи затвора могут достигать нескольких ампер.
Высокий входной импеданс MOSFET может быть причиной нестабильности. При определенных условиях высоковольтные транзисторы могут стать генераторами высоких частот из-за паразитных индуктивностей и емкостей в окружающих цепях (частоты обычно в нижней части мегагерцового диапазона). Производители рекомендуют использовать низкоомные цепи управления затворами MOSFET, чтобы предотвратить появление в них паразитных сигналов.
Почему приложение не поддерживается на моем устройстве
Приложение не поддерживается на вашем устройстве Android. Смартфон не поддерживает приложение, которое вы хотите загрузить из Google Play Маркете? Такое случалось и ранее, но единичные жалобы на проблему слились в хор недовольных голосов, когда появилась и мгновенно взлетела на пик популярности новая игра из серии Asphalt – Asphalt Xtreme. Особенно были разочарованы владельцы смартфонов Xiaomi Redmi 3S, массово получающие сообщение «Не поддерживается на вашем устройстве». Сегодня мы научим вас, как обойти данное ограничение.
Если вы хотите загрузить большую новую игру или подключить новый стриминговый сервис, но приложение или услуга несовместимы с вашим устройством либо недоступны в вашей стране, это вовсе не повод отказываться от своих намерений. Тем и хороша наша любимая операционная система, что на Android-устройствах всегда найдется способ получить желаемое. Итак, мы покажем вам, как установить несовместимые приложения на Android с помощью нехитрых манипуляций.
Чтобы установить приложение, несовместимое с вашим устройством, вам понадобится программа Market Helper. Предположим, что у вас есть права суперпользователя на ваше устройство. Тогда все, что вам нужно сделать, это разрешить устанавливать приложения из неизвестных источников в настройках безопасности, а затем загрузить Market Helper .
1. Запустите Market Helper.
2. Выберите совместимое устройство:
Вы увидите четыре выпадающих меню: тип устройства, модель устройства, местоположение (страна) и носители. Они будут автоматически заполнены в соответствии со спецификациями вашего устройства. Вы можете изменить эту информацию, выбрав соответствующие поля другого устройства или модели, совместимой с приложением, которое вы хотите загрузить. Так что, если вы хотите скачать на смартфон приложение, которое предназначено только для планшетных компьютеров, вы можете выбрать модель планшета из выпадающих меню и зарегистрировать его данные на смартфоне в качестве «нового» устройства. Понятно, что выбор моделей не будет огромным, но того, что предлагается из нужной категории устройств, вполне достаточно для достижения цели.
- Выбрать тип устройства;
- Выбрать модель устройства;
- Выбрать регион;
- Выбрать носитель (при необходимости).
3. Нажмите “Активировать” в нижней части экрана и ответьте согласием на запрос суперпользователя, когда он всплывает. Вам также, возможно, придется согласиться на определенные права приложений, касающихся доступа к информации, в зависимости от версии Android, под управлением которой работает ваше устройство.
4. Вы увидите сообщение “Активировано успешно” с указанием выбранной модели устройства и оператора, а также предложение перейти в диспетчер устройств и дождаться, когда данные изменятся на нужные вам. Как только это произойдёт, можно смело запускать Play Маркет и загружать интересующее вас приложение.
- Если у вас возникли проблемы с работой Play Маркета, попробуйте очистить кэш или просто загрузить apk-файл нужного приложения, потратив немного времени на его поиск в Chrome или позаимствовав у других пользователей.
- Чтобы установить приложение, недоступное в стране вашего пребывания, попробуйте действовать по инструкции , опубликованной на нашем сайте ранее.
- Если вы хотите вернуть реальные данные, вы можете вернуться к Market Helper и восстановить настройки по умолчанию или перезагрузить телефон.
Некоторые приложения, несмотря на все ваши старания, на вашем устройстве будут работать некорректно. Причина в том, что вы обманули Play Маркет с их загрузкой, но не учли такие простые вещи, как, например, разницу в разрешении экрана или в соотношении его сторон. Отдельные приложения могут не работать вообще.
2. Выберите совместимое устройство:
Вы увидите четыре выпадающих меню: тип устройства, модель устройства, местоположение (страна) и носители. Они будут автоматически заполнены в соответствии со спецификациями вашего устройства. Вы можете изменить эту информацию, выбрав соответствующие поля другого устройства или модели, совместимой с приложением, которое вы хотите загрузить. Так что, если вы хотите скачать на смартфон приложение, которое предназначено только для планшетных компьютеров, вы можете выбрать модель планшета из выпадающих меню и зарегистрировать его данные на смартфоне в качестве «нового» устройства. Понятно, что выбор моделей не будет огромным, но того, что предлагается из нужной категории устройств, вполне достаточно для достижения цели.
Итак, необходимо:
- Выбрать тип устройства;
- Выбрать модель устройства;
- Выбрать регион;
- Выбрать носитель (при необходимости).
4. Вы увидите сообщение “Активировано успешно” с указанием выбранной модели устройства и оператора, а также предложение перейти в диспетчер устройств и дождаться, когда данные изменятся на нужные вам. Как только это произойдёт, можно смело запускать Play Маркет и загружать интересующее вас приложение.
Примечания:
- Если у вас возникли проблемы с работой Play Маркета, попробуйте очистить кэш или просто загрузить apk-файл нужного приложения, потратив немного времени на его поиск в Chrome или позаимствовав у других пользователей.
- Чтобы установить приложение, недоступное в стране вашего пребывания, попробуйте действовать по инструкции, опубликованной на нашем сайте ранее.
- Если вы хотите вернуть реальные данные, вы можете вернуться к Market Helper и восстановить настройки по умолчанию или перезагрузить телефон.
Некоторые приложения, несмотря на все ваши старания, на вашем устройстве будут работать некорректно. Причина в том, что вы обманули Play Маркет с их загрузкой, но не учли такие простые вещи, как, например, разницу в разрешении экрана или в соотношении его сторон. Отдельные приложения могут не работать вообще.
Какие приложения вы скачали с помощью этих методов? Есть ли у вас какие-либо другие способы решения проблемы? Делитесь с другими пользователями вашим положительным и отрицательным опытом — он может помочь нашим читателям преодолеть сложности.
Твой andro >Google Play ➜ Не поддерживается на вашем устройстве Google Play
Ваш Андроид не поддерживает приложение, которое вы хотели бы установить из Google Play Маркете? Это может говорить например, о том, что ваше устройство со старой операционной системой Andro > Не спешите расстраиваться, если при скачивании приложения появилось сообщение: «Не поддерживается на вашем устройстве», в данной статье, мы дадим инструкции как обходить такие ограничения.
Как исправить — не поддерживается на вашем устройстве
Чтобы установить желанное приложение, несовместимое с вашим устройством, вам необходимо установить программу Market Helper. Скачать её нужно с сайта разработчика (удостоверьтесь что у вас есть возможность устанавливать программы на Андроид устройство из других источников). Также для работы программы Market Helper нужны root права, Как получить Рут на Андроид вы можете узнать из нашего раздела.
- Откройте программу Market Helper на своем Андроид устройстве.
- Выберите характеристики устройства. По умолчанию в характеристиках будут указаны данные вашего устройства, зная какие условия нужны для скачивания приложения вы может их сменить в выпадающем меню. Можно сменить:
- тип устройства;
- модель устройства;
- регион расположения;
- Дождавшись сообщения: «Активировано успешно» с указанными вами данными модели устройства. Переходите в Google Play Маркет и устанавливайте «проблемное» приложение.
Альтернативные способы решения если приложение не поддерживается на вашем устройстве
- Самый простой и иногда верный способ — это откатчика кеша приложения.
- Не можете скачать из Google Play, установите тогда APK файл данного приложения. (Скачать apk можно с множества источников).
- Если ограничения касаются из-за региона в котором вы находитесь, установите VPN. Сменив виртуально свое местонахождение вы сможете установить приложение.
Важно понимать, что сменив установочные характеристики для того чтобы скачать из Google Play, приложение может работать не корректно так как может не тянуть процессор или разрешения экрана. А может даже и не работать вовсе, но попробовать стоит!
Делитесь в комментариях о своем опыте установки приложений с ограничением для устройства. Сталкивались ли вы с таким и как поступали в таких случаях?
Транзистор – популярный полупроводниковый прибор, выполняющий в электросхемах функции формирования, усиления или преобразования электросигналов и переключения электроимпульсов. Выделяют три типа этих приборов:
Домашним мастерам, специалистам по ремонту радиоаппаратуры, конструкторам часто требуется подобрать отечественный аналог импортных приборов или наоборот. В некоторых случаях это необходимо для экономии средств – российская продукция гораздо дешевле импортной. Это можно сделать несколькими способами:
В нашем каталоге транзисторов вы можете подобрать и купить отечественные аналоги зарубежных транзисторов. Таблицы зарубежных аналогов транзисторовЕсли вы нашли неточность в таблицах аналогов или хотите дополнить их – напишите об этом в комментариях внизу страницы! Таблица аналогов биполярных транзисторов
Биполярные транзисторы до 40 В
Биполярные транзисторы до 60 В
Биполярные транзисторы до 70 В
Биполярные транзисторы до 80 В
Биполярные транзисторы до 130 В
Биполярные транзисторы до 160 В
Биполярные транзисторы до 200 В
Биполярные транзисторы до 250 В
Биполярные транзисторы до 300 В
Биполярные транзисторы до 400 В
Биполярные транзисторы до 500 В
Биполярные транзисторы до 600 В
Биполярные транзисторы до 700 В
Биполярные транзисторы до 800 В
Биполярные транзисторы до 900 В
Биполярные транзисторы до 1500 В
Биполярные транзисторы свыше 2000 В
Однопереходные транзисторы
Мощные полевые транзисторы
Слабые полевые транзисторы
Была ли статья полезна?Да Нет Оцените статью Что вам не понравилось? Другие материалы по темеАнатолий Мельник Специалист в области радиоэлектроники и электронных компонентов. Консультант по подбору деталей в компании РадиоЭлемент. |
IRLR2905 datasheet – Одноканальный силовой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором, 55 В в D-пакете
201CNQ035 : 35 В, 200 А, диод Шоттки с общим катодом в неизолированном корпусе TO-244AB.
2N2218 : Транзистор NPN, упаковка: TO-39. Соответствует требованиям MIL-PRF-19500/251 Устройства 2N2219A 2N2219AL Соответствующий уровень JAN JANTX JANTXV JANS Напряжение коллектор-эмиттер коллектор-база Напряжение эмиттер-база Напряжение коллектора Ток Общая рассеиваемая мощность = + 250 ° C (2) Рабочая и накопительная температура перехода.Диапазон Характеристики Символ Термическое сопротивление, соединение между корпусом RJC 1) Линейное снижение номинальных значений 4,6 мВт / 0C.
2SB1648 :. Symbol VCBO VCEO VEBO PC Tj Tstg +150 (Ta = 25C) Блок C Symbol ICBO IEBO V (BR) CEO hFE VCE (sat) VBE (sat) fT COB Условия 320typ V Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор PNP (дополнение к типу 2SD2561) Применение : Аудио, последовательный регулятор и внешние габариты общего назначения MT-200 VCC (V) 4 IC (A) 10 VBB1 (V) 10 VBB2 (V) 5 IB1 (mA) 10 IB2 (mA).
BCR1AM-12 : Тип = симистор ;; Напряжение = 600В ;; Ток = 1А ;; Пакет = Устаревший.Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Пенсильвания (412) 925-7272: Симистор – это твердотельный кремниевый переключатель переменного тока, который может запускаться затвором из выключенного состояния во включенное состояние для любой полярности приложенного напряжения. : Применение пассивации стекла: Информация для заказа переключателя переменного тока: Пример: выберите полный семизначный или восьмизначный номер детали, который вам нужен.
CPH5604 :. Низкое сопротивление при включении. Сверхскоростная коммутация. Привод 4В. Композитный тип с 2 полевыми МОП-транзисторами, содержащимися в одном корпусе, что обеспечивает высокую плотность монтажа.s Параметр Напряжение сток-исток Напряжение сток-исток Ток стока (постоянный ток) Ток стока (импульс) Допустимая температура канала рассеивания мощности Обозначение температуры хранения VDSS VGSS ID IDP PD Tch Tstg.
IXFT26N50Q : Силовые МОП-транзисторы HiperFET ™: 500 В, 26a. N-канальный режим расширения Номинальный уровень лавин, низкий Qg, высокий dv / dt Символ VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv / dt PD TJ TJM Tstg TL Md Условия испытаний веса до 150 ° C; RGS 1 M Непрерывный переходный процесс = 25C, Note 25C IS IDM, di / dt 100 A / s, VDD VDSS, 24N50Q 26N50Q мм (0.063 дюйма) из ящика на 10 с. Момент крепления TO-247 TO-268 Условия испытаний IXYS advanced.
KST42 : Эпитаксиальный. Эпитаксиальный кремниевый транзистор NPN. Абсолютные максимальные номинальные значения Ta = 25C, если не указано иное Символ VCBO Параметр Базовое напряжение коллектора: KST43 VCEO Напряжение коллектор-эмиттер: KST43 VEBO IC PC TSTG RTH (ja) Напряжение эмиттер-база Коллектор Токосъемник Рассеиваемая мощность Температура хранения Тепловое сопротивление перехода к окружающей среде мВт CC / Вт 200 В Значение Единицы Обозначение Параметр BVCBO.
STK1828UF : МОП-транзистор слабого сигнала. Малосигнальный транзистор, малосигнальный МОП-полевой транзистор. Приложение для высокоскоростного переключения. Применение аналогового переключателя. Привод затвора 2,5 В. Низкое пороговое напряжение: Vth = 0,5 ~ 1,5 В. Высокоскоростной. Напряжение сток-исток Напряжение затвор-исток Постоянный ток Ток утечки Рассеиваемая мощность Температура канала Диапазон температур хранения Напряжение пробоя сток-исток Напряжение затвора-пороговое напряжение Ток отсечки стока Ток утечки затвора.
IXGR40N60B2 : Типы среднечастотного диапазона (15–40 кГц) Один IGBT DCB Изолированный монтажный язычок Соответствует корпусу TO-247AD Краткое описание Возможность работы с большими токами Процесс HDMOSTM последнего поколения Включение MOS Gate.
GRM55N7U2A223JZ01L : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 100 В, U2J, 0,022 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 2220. s: Конфигурация / форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Диэлектрик: керамический состав; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 0,0220 мкФ; Допуск емкости: 5 (+/-%); WVDC: 100 вольт; Температурный коэффициент: -750 частей на миллион / ° C; Тип монтажа: Поверхность.
KSD526OJ69Z : 4 А, 80 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, ТО-220. s: Полярность: NPN; Тип упаковки: ТО-220, ТО-220, 3 контакта.
LLL216R71A224MA01B : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 10 В, X7R, 0,22 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0508. s: Конфигурация / форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 0,2200 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 10 вольт; Тип установки:.
PK502h201H0 : RES, TAPPED, CERMET, 100 Ом, 200 Вт постоянного тока, 20% +/- TOL, -100,100PPM TC, 2225 КОРПУС.s: Тип потенциометра: Триммер.
S841-1X1T-Y7 : ТРАНСФОРМАТОР DATACOM ДЛЯ. s: Категория: Сигнал; Другие типы трансформаторов / применения: импульсные трансформаторы, DATACOM TRANSFORMER.
1623781-9 : РЕЗИСТОР, МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛЕНКА, 10 Вт, 5%, 300 ppm, 10000 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: металлооксид; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, радиальные выводы, радиальные выводы, соответствие требованиям ROHS; Диапазон сопротивления: 10000 Ом; Допуск: 5 +/-%; Температурный коэффициент: 300 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 10 Вт.
2N3502E4 : 45 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, ТО-18. s: Полярность: PNP. Эти кремниевые планарные эпитаксиальные транзисторы PNP предназначены для цифровых и аналоговых приложений при уровнях тока до 0,5 А. АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ (TA = 25C, если не указано иное) Максимальные напряжения VCBO VCEO VEBO Напряжение базы коллектора Коллектор Эмиттер Базовое напряжение эмиттера 0,4 Вт Максимальная рассеиваемая мощность PD TJ Semelab plc. Общее.
Искать
может быть отправлен в тот же день.Paypal принят, закажите онлайн сегодня!
Тщательно выберите номер детали, производителя и упаковку из приведенной ниже таблицы, а затем добавьте в корзину, чтобы перейти к оформлению заказа.
Купите сейчас, получите удовольствие
✓ Отправьте заказ в тот же день!
✓ Доставка по всему миру!
✓ Распродажа с ограниченным сроком
✓ Легкий возврат.
Обзор продукта | |
Название продукта | Поиск |
Доступное количество | Возможна немедленная отправка |
Модель NO. | |
Код ТН ВЭД | 8529908100 |
Минимальное количество | От одной штуки |
Атрибуты продукта | |
Категории | |
Код товара | |
артикул | |
gtin14 | |
mpn | |
Состояние детали | Активный |
Paypal (AMEX принимается через Paypal)
Мы также принимаем банковский перевод. Просто отправьте нам электронное письмо с URL-адресами или кодами продукта. Включите свой адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы отправим вам полные инструкции по электронной почте.
Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal
Товары доставляются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости.Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней с момента оплаты. Доставка может быть объединена при покупке большего количества.
Другие способы перевозки могут быть доступны при оформлении заказа – вы также можете сначала связаться со мной для уточнения деталей.
Судоходная компания | Расчетное время доставки | Информация для отслеживания |
---|---|---|
Плоская транспортировка | 30-60 дней | Не доступен |
Зарегистрированная Авиапочта | 15-25 дней | В наличии |
DHL / EMS / FEDEX / TNT | 5-10 дней | В наличии |
Окончательный срок поставки Может быть задержан вашей местной таможней из-за таможенного оформления. |
Благодарим за покупку нашей продукции на нашем веб-сайте.
Чтобы иметь право на возмещение, вы должны вернуть товар в течение 30 календарных дней с момента покупки. Товар должен быть в том же состоянии, в котором вы его получили, и не иметь каких-либо повреждений.
После того, как мы получим ваш товар, наша команда профессионалов проверит его и обработает ваш возврат. Деньги будут возвращены на исходный способ оплаты, который вы использовали при покупке. При оплате кредитной картой возврат средств может появиться в выписке по кредитной карте в течение 5–10 рабочих дней.
Если товар поврежден каким-либо образом или вы инициировали возврат по прошествии 30 календарных дней, вы не имеете права на возврат.
Если что-то неясно или у вас есть вопросы, свяжитесь с нашей службой поддержки клиентов.
Получите заказанный товар или верните свои деньги.
Покрывает вашу закупочную цену и первоначальную доставку.
Если вы не получите товар в течение 25 дней, просто сообщите нам, будет выпущена новая посылка или замена.
PayPal Защита покупателей
Защита вашей покупки от клика до доставки
Вариант 1) Полный возврат средств, если вы не получили свой заказ
Вариант 2) Полный или частичный возврат, если товар не соответствует описанию
Если ваш товар значительно отличается от нашего описания продукта, вы можете: A: вернуть его и получить полный возврат, или B: получить частичный возврат и сохранить товар.
Лист данных или технические спецификации в формате PDF доступны по запросу для загрузки.
Почему выбирают нас?
Каковы ваши основные продукты?
Наша основная продукция | ||
Интегральные схемы (ИС) | Дискретный полупроводник | Потенциометры, переменные R |
Аудио специального назначения | Принадлежности | Реле |
Часы / синхронизация | Мостовые выпрямители | Датчики, преобразователи |
Сбор данных | Diacs, Sidacs | Резисторы |
Встроенный | Диоды | Индукторы, катушки, дроссели |
Интерфейс | МОП-транзисторы | Фильтры |
Изоляторы – Драйверы ворот | БТИЗ | Кристаллы и генераторы |
Линейный | JFETs (полевой эффект перехода) | Разъемы, межкомпонентные соединения |
Логика | Полевые транзисторы РФ | Конденсаторы |
Память | РЧ Транзисторы (БЮТ) | Изоляторы |
PMIC | SCR | светодиод |
Транзисторы (БЮТ) | ||
Транзисторы | ||
Симисторы |
Какая цена?
Какой способ оплаты?
Что такое возврат и замена?
Какое минимальное количество для заказа вашей продукции?
Когда вы пришлете мне детали?
Как разместить заказ?
Предлагаете ли вы техническую поддержку?
Предлагаете ли вы гарантию?
Как сделать наш бизнес долгосрочным и хорошим?
По любым другим вопросам, пожалуйста, свяжитесь с нами.Мы всегда к вашим услугам!
10PCS S1M ADG749BKSZ-REEL7 SC70-6 в транзисторах и интегральных схемах
10 шт. S1M ADG749BKSZ-REEL7 SC70-6
Купите сейчас, и вы получите удовольствие
✓Отправьте заказ в тот же день!
✓ Доставка по всему миру!
✓ Распродажа с ограниченным сроком
✓ Легкий возврат.