Полевой транзистор IRL540 в Алматы (Полупроводники)
Цена: 450 Тенге
за 1 шт
Оптовые цены:
от 50 шт. – 390 Тенге
Компания ИП “Элеком“ (Алматы) является зарегистрированным поставщиком на сайте BizOrg.su. Вы можете приобрести товар Полевой транзистор IRL540 с доставкой по одному региону Казахстана, расчеты производятся в Тенге. Если у вас возникли проблемы при заказе товара, пожалуйста, сообщите об этом нам через форму обратной связи.
Описание товара
Полевой транзистор IRL540. N-FET 100V 28A 150W Logic Level TO-220 MOSFET
Спецификация
irl540.pdf
Характеристики полевого транзистора IRL540
- — Канал: N-FET (Logic Level)
- — напряжение: 100V
- — Ток: 28A
- — Мощность: 150W
- — Корпус: TO-220
Товары, похожие на Полевой транзистор IRL540
Вы можете приобрести товар Полевой транзистор IRL540 в компании ИП “Элеком” через наш сайт.
Стоимость составляет 450 Тенге, а минимальный заказ – 1 шт. При желании вы можете приобрести товар оптом, оптовая цена – 390.0 – от 50 шт. На данный момент товар находится в статусе “под заказ”.
Компания ИП “Элеком” является зарегистрированным поставщиком на сайте BizOrg.su.
Служебная информация:
На нашей площадке для удобства, каждой компании присвоен уникальный ID. ИП “Элеком” имеет ID 124151. Полевой транзистор IRL540 имеет ID на сайте – 6829326. Если у вас возникли сложности при работе с компанией ИП “Элеком” – сообщите идентификаторы компании и товара/услуги в нашу службу технической поддержки.
Дата создания модели – 13/09/2013, дата последнего изменения – 13/04/2020. За все время товар был просмотрен 288 раз.
Обращаем ваше внимание на то, что торговая площадка BizOrg.su носит исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой.
Заявленная компанией ИП “Элеком“ цена товара «Полевой транзистор IRL540» (450 Тенге) может не быть окончательной ценой продажи.
Для получения подробной информации о наличии и стоимости указанных товаров и услуг, пожалуйста, свяжитесь с представителями компании ИП “Элеком“ по указанным телефону или адресу электронной почты.
Часы работы:
Телефоны:
+7 (727) 241-20-47
Купить полевой транзистор IRL540 в Алматы:
ул. Тургут Озала (бывшая Баумана), д. 71, оф. 30, Алматы, 050009, Казахстан
Условия доставки из другого региона:
Доставка в страны:
– Казахстан
Аналоги отечественных полевых транзисторов
| КП150 | аналог IRF150 |
| КП240 | аналог IRF240 |
| КП250 | аналог IRF250 |
| КП340 | аналог IRF340 |
| КП350 | аналог IRF350 |
| КП365А | аналог BF410C |
| КП382А | аналог BF960 |
| КП440 | аналог IRF440 |
| КП450 | аналог IRF450 |
| КП501А | аналог ZVN2120 |
| КП502 | аналог BSS124 |
| КП503 | аналог BSS129 |
| КП504 | аналог BSS88 |
| КП505 | аналог BSS295 |
| КП510 | аналог IRF510 |
| КП520 | аналог IRF520 |
| КП530 | аналог IRF530 |
| КП540 | аналог IRF540 |
| КП610 | аналог IRF610 |
| КП620 | аналог IRF620 |
| КП630 | аналог IRF630 |
| КП640 | аналог IRF640 |
| КП707Б1 | аналог BUZ90 |
| КП710 | аналог IRF710 |
| КП717Б | аналог IRF350 |
| КП718А | аналог BUZ45 |
| КП718Е1 | аналог IRF453 |
| КП720 | аналог IRF720 |
| КП722А | аналог BUZ36 |
| КП723А | аналог IRFZ44 |
| КП723Б | аналог IRFZ45 |
| КП723В | аналог IRFZ40 |
| КП723Г | аналог IRLZ44 |
| КП724А | аналог MTP6N60 |
| КП724Б | аналог IRF842 |
| КП725А | аналог TPF450 |
| КП726А | аналог BUZ90A |
| КП727А | аналог BUZ71 |
| КП727Б | аналог IRFZ34 |
| КП727В | аналог IRLZ34 |
| аналог BUZ80A | |
| КП730 | аналог IRF730 |
| КП730А | аналог IRGPH50F |
| КП731А | аналог IRF710 |
| КП731Б | аналог IRF711 |
| КП731В | аналог IRF712 |
| КП737А | аналог IRF630 |
| КП737Б | аналог IRF634 |
| КП737В | аналог IRF635 |
| КП739А | аналог IRFZ14 |
| КП739Б | аналог IRFZ10 |
| КП739В | аналог IRFZ15 |
| КП740 | аналог IRF740 |
| КП740А | аналог IRFZ24 |
| КП740Б | аналог IRFZ20 |
| КП740В | аналог IRFZ25 |
| КП741А | аналог IRFZ48 |
| КП741Б | аналог IRFZ46 |
| КП742А | аналог STH75N06 |
| КП742Б | аналог STH75N05 |
| КП743А | аналог IRF510 |
| КП743Б | аналог IRF511 |
| КП743В | аналог IRF512 |
| КП744А | аналог IRF520 |
| КП744Б | аналог IRF521 |
| КП744В | аналог IRF522 |
| КП744Г | аналог IRL520 |
| КП745А | аналог IRF530 |
| КП745Б | аналог IRF531 |
| КП745В | аналог IRF532 |
| КП745Г | аналог IRL530 |
| КП746А | аналог IRF540 |
| КП746Б | аналог IRF541 |
| КП746В | аналог IRF542 |
| КП746Г | аналог IRL540 |
| КП747А | аналог IRFP150 |
| КП748А | аналог IRF610 |
| КП748Б | аналог IRF611 |
| КП748В | аналог IRF612 |
| КП749А | аналог IRF620 |
| КП749Б | аналог IRF621 |
| КП749В | аналог IRF622 |
| КП750А | аналог IRF640 |
| КП750Б | аналог IRF641 |
| КП750В | аналог IRF642 |
| КП750Г | аналог IRL640 |
| КП751А | аналог IRF720 |
| КП751Б | аналог IRF721 |
| КП751В | аналог IRF722 |
| КП752А | аналог IRF730 |
| КП752Б | аналог IRF731 |
| КП752В | аналог IRF732 |
| КП753А | аналог IRF830 |
| КП753Б | аналог IRF831 |
| КП753В | аналог IRF832 |
| КП771А | аналог STP40N10 |
| КП820 | аналог IRF820 |
| КП830 | аналог IRF830 |
| КП840 | аналог IRF840 |
- Просмотров: 20012
Загрузка.
..
IRL540 MOSFET Распиновка, области применения, эквиваленты, характеристики, характеристики и многое другое
IRL540 — это полевой МОП-транзистор логического уровня, способный управлять нагрузкой до 28 А при VDSS до 100 В и RDS(on) 0,077 Ом. Этот МОП-транзистор может использоваться для самых разных целей. В этом посте мы собираемся обсудить распиновку IRL540 MOSFET, области применения, аналоги, функции, характеристики и другую полезную информацию об этом транзисторе.
Объявления
Объявления
Особенности/технические характеристики:
- Тип упаковки: TO-220AB
- Тип транзистора: Канал N
- Максимальное напряжение от стока к источнику: 100 В
- Максимальное напряжение между затвором и источником должно быть: ± 10 В
- Максимальный постоянный ток утечки: 28A
- Максимальный импульсный ток стока: 110 А
- Максимальное рассеивание мощности: 150 Вт
- Макс.
сопротивление сток-исток во включенном состоянии (RDS вкл.): 0,077 Ом - Максимальная температура хранения и эксплуатации Должна быть: от -55°C до +175°C
сопротивление сток-исток во включенном состоянии (RDS вкл.): 0,077 Ом Замена и эквивалент:
IRL540PBF, IRL540N, 2SK1301, RFP12N08L, BUK555-100B, IRC5405.
IRL540 MOSFET Объяснение/описание:
IRL540 — это низковольтный привод N-канального силового MOSFET, доступный в корпусе TO-220. Это N-канальный МОП-транзистор, предназначенный для использования в самых разных приложениях, которые мы обсудим позже в этом посте. МОП-транзистор также имеет множество особенностей, таких как рабочая температура до 175°C, благодаря чему он может работать и обеспечивает хорошие характеристики при высоких температурах по сравнению с полевыми МОП-транзисторами с максимальной температурой 150°C. Низкий RDS(on) обеспечивает низкие потери энергии во время работы, а также выделяет меньше тепла.
Полностью лавинная характеристика означает, что он будет работать стабильно, даже когда его напряжение сток-исток превышает его пределы. Он полностью лавинный, что означает, что он будет работать стабильно, даже когда его напряжение стока к источнику превышает его предел. Он имеет привод затвора логического уровня, поэтому им можно управлять напрямую от ИС и микроконтроллеров, а также от других схем низкого напряжения. Возможность быстрого переключения делает его важным компонентом для использования в приложениях, где быстрое переключение имеет решающее значение. Другими особенностями являются динамические рейтинги dv/dt, распараллеливание к востоку и т. д.
Глядя на характеристики МОП-транзистора, максимальный непрерывный ток стока составляет 28 А, максимальный импульсный ток стока составляет 110 А, максимальное напряжение сток-исток составляет 100 В, минимальное и максимальное пороговое напряжение затвора составляет от 1,0 до 2,0 В, максимальное сопротивление источника во включенном состоянии 0,077, максимальная рассеиваемая мощность 150 Вт.
Где и как использовать:
IRL540 имеет широкий спектр применения: его можно использовать в промышленных и коммерческих целях, а также в домашних условиях и в учебных заведениях. Приложения или схемы, в которых он может использоваться, – это солнечные цепи, автомобильные, работающие от батарей, источники питания, резервные батареи, аудиоусилители и т. Д. Более подробные области применения можно найти ниже.
. Схемы инверторов
Контроллеры двигателей
Портативные схемы и схемы с батарейным питанием
Аудиоусилители
И многое другое…
Рекомендации по безопасной эксплуатации / Абсолютные максимальные рейтинги:
Ниже приведены рекомендации по безопасности, которым рекомендуется следовать, чтобы получить краткосрочную производительность от IRL540.
- Всегда оставайтесь на 20% ниже абсолютных максимальных оценок.
- Максимальный непрерывный ток утечки составляет 28 А; поэтому не подключайте нагрузку более 22,4 А.
- Максимальное напряжение сток-исток составляет 100 В, поэтому не подключайте нагрузку более 80 В.
- Используйте правильный радиатор с транзистором.
- Всегда храните или эксплуатируйте полевой МОП-транзистор при температуре выше -55 °C и ниже +175 °C.
Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в адресную строку браузера.
https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/I/R/L/IRL540-InternationalRectifier.pdf , укажите номер детали: IRL540N
| Часть | IRL540N |
| Категория | Дискретные => Транзисторы => FET (полевые транзисторы) => MOSFET => N-канальные |
| Описание | Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET, 100 В, в корпусе TO-220AB |
| Компания | International Rectifier Corp. |
| Техническое описание | Загрузить IRL540N Техническое описание |
| Крест исх. | Аналогичные детали: STP24NF10, STP30NF10, STP25N10F7, CSD18502KCS, CSD18503KCS, CSD18504KCS, CSD18532KCS, CSD18533KCS, CSD18534KCS, CSD18537NKCS |
| Цитата | Где купить |
| Функции, применение |
Привод затвора логического уровня Усовершенствованный технологический процесс Динамический номинал dv/dt Рабочая температура 175C Быстрое переключение Полностью лавинный рейтинг Описание В МОП-транзисторах пятого поколения компании International Rectifier используются передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на единицу площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства, которыми хорошо известны мощные полевые МОП-транзисторы HEXFET, дает разработчику чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в самых разных приложениях. = 100C IDM PD @TC = 25C VGS EAS IAR EAR dv/dt TJ TSTG Непрерывный ток стока, VGS при 10 В Непрерывный ток стока, VGS при 10 В Импульсный ток стока Рассеиваемая мощность Линейный коэффициент снижения характеристик Напряжение затвор-исток Энергия лавины одиночного импульса Лавинный ток Повторяющийся лавинный пик энергии Восстановление диода dv/dt Рабочая температура перехода и диапазон температур хранения Температура пайки, в течение 10 секунд Момент затяжки или винт M3 RJC RCS RJA Соединение между корпусом и раковиной, плоская, смазанная поверхность Соединение с окружающей средойПараметр Напряжение пробоя сток-исток Напряжение пробоя Темп. Коэффициент Статический Сопротивление сток-исток Пороговое напряжение затвора Прямая крутизна Ток утечки сток-исток Прямая утечка затвор-исток Обратная утечка Затвор-исток Суммарный заряд затвора Заряд затвор-исток Заряд затвор-сток («Миллер») Заряд Время задержки включения Время нарастания Время задержки выключения Время спада Индуктивность внутреннего стока Индуктивность внутреннего источника Входная емкость Выходная емкость Обратная передаточная емкость RDS(on) VGS(th) gfs IDSS IGSS Qg Qgs Qgd td(on) tr td(off) LD LS Ciss Coss Crss Макс. Параметр Непрерывный ток источника (корпусной диод) Импульсный ток источника (корпусной диод) Диод Прямое напряжение Время обратного восстановления Обратное восстановление Время включения при прямом заряде Условия D MOSFET символ 36, показывающий интегральный обратный диод AG со 120 p-n переходом. = 18 A, VGS 1,7 C di/dt = 100 A/с Собственное время включения незначительно (на включение преобладает LS+LD) Максимум. температура соединения. (См. рис. 11) Пуск = 25, IAS = 18А. (См. рис. 12).ISD 18A, di/dt 180A/с, VDD V(BR)DSS, длительность импульса 300 с; рабочий цикл 2% |
Корпус TO-220 повсеместно предпочтительнее для всех коммерческих и промышленных приложений при уровне рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое термическое сопротивление и низкая стоимость упаковки TO-220 способствуют его широкому распространению в отрасли.
Единицы измерения Условия = 250A V/C Базовое значение 1 мА 0,044 VGS 18A 0,053 VGS 18A 0,063 VGS 2,0 В VDS = V GS, 18A 25 VDS = 100 В, VGS A 250 VDS = 80 В, VGS 150C 100 VGS nA -100 VGSV 9,4 нC VDS 5,0 38 VGS = 5,0 В, см. рис. 6 и 13 VDD = 5,0, VGS = 2,7, см. рис. 10 Между выводом (0,25 дюйма) G от корпуса и центром контакта кристалла VGS 0 В пФ VDS = 1,0 МГц, см. рис. 5
Номер детали того же производителя International Rectifier Corp. |
| IRL540NL Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET, 100 В, в корпусе TO-262 |
| IRL540S HexFET(r) Мощный МОП-транзистор: 100 В, 28 А |
| IRL5602S -20 В Одиночный P-канальный силовой МОП-транзистор HexFET в корпусе D2-Pak |
| IRL5NJ024 Логический уровень HexFET(r) Power MOSFET для поверхностного монтажа (smd-0,5): 55 В, 17 А |
| ИРЛ5НЖ7404 |
| IRL5NJ7404 -20 В Одиночный P-канальный полевой МОП-транзистор Hi-rel в корпусе SMD-0,5 |
| ИРЛ5НЖ7413 |
| IRL5NJ7413 Одиночный N-канальный полевой МОП-транзистор Hi-rel 30 В в корпусе SMD-0,5 |
| IRL5Y024CM |
| IRL5Y024CM Одиночный N-канальный полевой МОП-транзистор Hi-rel 55 В в корпусе TO-257AA |
| ИРЛ5И7413СМ |
| IRL5Y7413CM Одиночный N-канальный полевой МОП-транзистор Hi-rel 30 В в корпусе TO-257AA |
| IRL620 Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET, 200 В, в корпусе TO-220AB |
| IRL620S Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET, 200 В, в корпусе D2-Pak |
| IRL630 Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET, 200 В, в корпусе TO-220AB |
| IRL630S Одиночный N-канальный силовой полевой МОП-транзистор HexFET, 200 В, в корпусе D2-Pak |
| IRL640 Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET, 200 В, в корпусе TO-220AB |
| IRL640S Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET, 200 В, в корпусе D2-Pak |
| IRL6903 HexFET (r) Силовой МОП-транзистор: -30 В, -105 А |
| ИРЛ6903С |
| IRL6903S/L HexFET (r) Силовой МОП-транзистор: -30 В, -105 А |
307UA200 : Стандартный восстановительный диод 400CNQ040 : >100 А, 35 В, 400 А, диод Шоттки с общим катодом в неизолированном корпусе TO-244AB IR2103STR: Полумостовой драйвер, отдельные входы высокого и низкого напряжения, инвертирование входа нижнего плеча, фиксированное время простоя 520 нс в 8-контактном DIP-корпусе SD150R25MBC : Стандартный восстановительный диод IRFU3704ZPBF: Hexfet Power Mosfet (VDSS = 30 В, Rds(on)max = 6,5 м, Qg = 17 нКл) AFL27012SW-HB: Усовершенствованные аналоговые высоконадежные гибридные DC/DC преобразователи IRFR9120NTRPBF: -100 В одиночный P-канальный силовой МОП-транзистор HexFET в корпусе D-pak AFL5003R3SY/ES: 1-ВЫХОДНОЙ МОДУЛЬ ПИТАНИЯ РЕГИСТРАЦИОННОГО ПИТАНИЯ 66 Вт DC-DC Технические характеристики: Выходное напряжение: 3,3 В; Входное напряжение: от 30 до 80 вольт; Выходная мощность: 66 Вт (0,0885 л. AHP27006SWHB: 1-ВЫХОДНОЙ МОДУЛЬ ПИТАНИЯ РЕГИСТРАЦИОННОГО ПИТАНИЯ ПОСТОЯННОГО ТОКА 81 Вт Технические характеристики: Выходное напряжение: от 5,88 до 6,12 В; Входное напряжение: от 160 до 400 вольт; Выходная мощность: 81 Вт (0,1086 л.с.); Рабочая температура: от -20 до 85 C (от -4 до 185 F) JANTX2N7372 : 28 А, 100 В, 0,125 Ом, N-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA Технические характеристики: Полярность: N-канал; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 100 вольт; RDS(вкл.): 0,1250 Ом; Количество единиц в IC: 1 OM5236STV : 10 А, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД, TO-257AA Технические характеристики: Тип диода: ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель, ЭФФЕКТИВНОСТЬ; ЕСЛИ: 10000 мА; трр: 0,0350 нс |
с.); Рабочая температура: от -20 до 85 C (от -4 до 185 F)| Та же категория |
2SC5409 : Эпитаксиальный кремниевый транзистор NPN для усиления микроволн с высоким коэффициентом усиления. ALR100 : Кремниевый ВЧ-транзистор NPN. HSB226S : . Что касается изменения названий, упомянутых в документе, таких как Hitachi Electric и Hitachi XX, в Renesas Technology Corp. Полупроводниковые операции Mitsubishi Electric и Hitachi были переданы Renesas Technology Corporation 1 апреля 2003 года. Эти операции включают микрокомпьютер, логику, аналоговые и дискретные устройства, и микросхемы памяти. SUR566EF : Комплекс BRT. Транзистор малой мощности, универсальный комплекс БРТ. Две микросхемы SRC1207 в корпусе SOT-563F Со встроенными резисторами смещения Выходное напряжение Входное напряжение Выходной ток Рассеиваемая мощность Температура перехода Температура хранения Выходной ток отсечки Коэффициент усиления постоянного тока Выходное напряжение Входное напряжение (ВКЛ.) Входное напряжение (ВЫКЛ.) Частота перехода Входной ток . PEMD20 : транзисторы NPN/PNP с резистором; R1 = 2,2 кОм, R2 = 2,2 кОм Транзисторы NPN/PNP с резистором (RET). BAT54TGT/R7 : 0,2 А, 30 В, КРЕМНИЯ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД. s: Упаковка: СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, ПЛАСТИКОВАЯ УПАКОВКА-2; Количество диодов: 1 ; ЕСЛИ: 200 мА. CR0402-16W-1072DPT-13 : РЕЗИСТОР, 0,063 Вт, 0,5 %, 200 частей на миллион, 10700 Ом, ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ, 0402. s: Категория/Применение: Общее использование; Монтаж/упаковка: технология поверхностного монтажа (SMT/SMD), 0402, ЧИП, СООТВЕТСТВУЕТ ROHS; Диапазон сопротивления: 10700 Ом; Допуск: 0,5000 +/- %; Температурный коэффициент: 200 ±ppm/°C; Номинальная мощность: 0,0630 Вт (8,44E-5 л.с.); Рабочее напряжение постоянного тока:. D11HR200100M5%P0 : РЕЗИСТОР, МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ЛАЗУРОВКА/ТОЛСТАЯ ПЛЕНКА, 0,1 Вт, 5 %, 200 частей на миллион, 100000000 Ом, ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ, 0603. |
Встроенные резисторы смещения Упрощает схемотехнику Сокращает количество компонентов Сокращает затраты на сборку и размещение Области применения Слаботочный драйвер периферийных устройств Управление входами ИС Заменяет транзисторы общего назначения в цифровых приложениях.
