Как простым омметром проверить полевой транзистор
В современной электронной аппаратуре все чаще находят применение полевые транзисторы. Разработчики используют их в блоках питания телевизоров, мониторов, видеомагнитофонов и другой аппаратуре. При проведении ремонта мастер сталкивается с необходимостью проверки исправности мощных полевых транзисторов. В статье автор рассказывает, как произвести проверку полевого транзистора с помощью обычного омметра.
Полевые транзисторы (ПТ), благодаря ряду уникальных параметров, в том числе высокому входному сопротивлению, находят широкое применение в блоках питания телевизоров, мониторов, видеомагнитофонов и другой радиоэлектронной аппаратуры.
При ремонте аппаратов, в которых применены полевые транзисторы, у ремонтников очень часто возникает задача проверки целостности и работоспособности этих транзисторов. Чаще всего приходится иметь дело с вышедшими из строя мощными полевыми транзисторами импульсных блоков питания.
Расположение выводов полевых транзисторов (Gate – Drain – Source) может быть различным.
Чтобы предотвратить выход из строя транзистора во время проверки, очень важно при проверке полевых транзисторов соблюдать правила безопасности. Дело в том, что полевые транзисторы очень чувствительны к статическому электричеству, поэтому их рекомендуется проверять, предварительно организовав заземление. Для того чтобы снять с себя накопленные статические электрические заряды, необходимо надеть на руку заземляющий антистатический браслет. Также следует помнить, что при хранении полевых транзисторов, особенно маломощных, их выводы должны быть замкнуты между собой.
При проверке ПТ чаще всего пользуются обычным омметром. У исправного полевого транзистора между всеми его выводами должно быть бесконечное сопротивление. Причем бесконечное сопротивление прибор должен показывать независимо от прикладываемого тестового напряжения.
Нужно поменять местами щупы тестера, и он должен показать бесконечное сопротивление между стоком и истоком. Если этого не произошло, то, скорее всего, транзистор пробит. В остальном проверка транзистора не отличается от приведенной выше. Таким образом, имея под рукой обычный омметр, можно легко и быстро проверить мощный полевой транзистор. Александр Столовых
Ключевые теги: измерения
Как проверить полевой транзистор не выпаивая
http://www.telesputnik.ru/archive/162/article/82.htmlhttp://progcode.narod.ru/stati/p_tranz.html
Конечно, если выпаять полевик для проверки, то тестером можно проверить даже, как он открывается и закрывается.
В схеме просто смотрим омметром сопротивление между выводами стока и истока: в правильной полярности для канала сопротивление должно быть как можно больше (с учётом влияния элементов схемы), а в обратной – должно звониться как обыкновенный диод.
Затвор не должен звониться малым сопротивлением (опять же, с учётом схемы).
Если всё так и есть, то в первом приближении можно считать полевик исправным.
Пробой полевика вызванивается элементарно без выпаивания.
Диодам, стабилитронам и маломощным транзисторам в блоках питания можно
дать предварительную оценку, не выпаивая, грубо — сравнив по
сопротивлениям относительно общего провода с исправным блоком, если
таковой имеется. На некоторых моделях ресиверов попадаются транзисторы в
пластмассовых корпусах (характерно для мощных и работающих при высоких
температурах), у которых начинают болтаться ножки в корпусе. Скорее
всего, это происходит от впайки автоматом с большим механическим
напряжением в выводах. Резисторы бывают без видимых дефектов, но
неисправные. Проверять их проще всего так — выпаять одну ногу и
подержать под напряжением минуту, наблюдая, не изменяются ли показания
прибора. Пробой диодов Шоттки можно определить сразу (омметром), без
выпайки. Если на блоке питания стоит мощный полевой транзистор,
проверять его нужно обязательно в рабочем режиме.
Проверка оксидных (или, как их еще называют, электролитических) конденсаторов при ремонте спутниковой аппаратуры является, во многих случаях, первоочередным делом. Вздувшиеся (пухлые, бочкообразные) конденсаторы в блоке питания стали уже привычным явлением при открывании крышки неисправного ресивера. Конденсатор — это накопительный элемент источника питания. Если внешнее напряжение больше, чем в конденсаторе, то он начинает запасать в себе энергию, если внешнее меньше, конденсатор отдает запасенную энергию из себя.
Чем
больше его емкость, тем лучше демпфирующие или фильтрующие свойства
конденсатора. К особенностям оксидных конденсаторов относится то, что в
фильтрах выпрямителей их можно применять лишь на частотах до 1000 Гц. В настоящее время выросли мощности и частоты, на которых применяются оксидные емкости. Частота современных импульсных преобразователей, а к ним относятся и блоки питания, и ВЧ-блоки, составляет сотни кГц, мощности — десятки Вт. Это приводит к росту токов, протекающих через сами конденсаторы, соответственно, повышаются требования к их параметрам. Превышение допустимой переменной составляющей напряжения может вызвать нарушение теплового равновесия в конденсаторе, приводящее к термическому разрушению диэлектрика. Развитие этого явления обусловлено тем, что активная проводимость диэлектрика возрастет с повышением температуры.
Причина появления таковых неисправностей в историческом
смысле — это то, что ресиверы от модели к модели стали потреблять все
больше и больше мощности, что приводит, в итоге, к большему и большему
нагреву внутри корпусов ресиверов вследствие увеличения потребляемой
мощности, в первую очередь — процессоров. В частности, именно поэтому в
большинстве случаев пухлые оксидные конденсаторы чаще всего
обнаруживаются в блоках питания или около процессоров ресиверов.Транзистор Дарлингтона. Как проверить и принцип работы
Составной транзистор Дарлингтона компонуется из пары стандартны транзисторов, объединённых кристаллом и общим защитным покрытием. Обычно на чертежах для отметки положения подобного транзистора не применяют никаких специальных символов, только тот, которым отмечают транзисторы стандартного типа.
К эмиттерной цепи одного из элементов присоединён нагрузочный резистор. Выводы транзистора Дарлингтона аналогичны биполярному полупроводниковому триоду:
- база;
- эмиттер;
- коллектор.
Помимо общепринятого варианта составного транзистора существует несколько его разновидностей.
Пара Шиклаи и каскодная схема
Другое название составного полупроводникового триода – пара Дарлингтона. Кроме неё существует также пара Шиклаи. Это сходная комбинация диады основных элементов, которая отличается тем, что включает в себя разнотипные транзисторы.
Что до каскодной схемы, то это также вариант составного транзистора, в котором один полупроводниковый триод включается по схеме с ОЭ, а другой по схеме с ОБ. Такое устройство аналогично простому транзистору, который включён в схему с ОЭ, но обладающему более хорошими показателями по частоте, высоким входным сопротивлением и большим линейным диапазоном с меньшими искажениями транслируемого сигнала.
Достоинства и недостатки составных транзисторов
Мощность и сложность транзистора Дарлингтона может регулироваться через увеличение количества включённых в него биполярных транзисторов. Существует также IGBT-транзистор, который включает в себя биполярный и полевой транзистор, используется в сфере высоковольтной электроники.
Главным достоинством составных транзисторов считается их способность давать большой коэффициент усиления по току. Дело в том, что, если коэффициент усиления у каждого из двух транзисторов будет по 60, то при их совместной работе в составном транзисторе общий коэффициент усиления будет равен произведению коэффициентов входящих в его состав транзисторов (в данном случае — 3600). Как результат — для открытия транзистора Дарлингтона потребуется довольно небольшой ток базы.
Недостатком составного транзистора считается их низкая скорость работы, что делает их пригодными для использования только в схемах работающих на низких частотах. Зачастую составные транзисторы фигурируют как компонент выходных каскадов мощных низкочастотных усилителей.
Особенности работы устройства
У составных транзисторов постепенное уменьшение напряжения вдоль проводника на переходе база-эмиттер вдвое превышает стандартное. Уровень уменьшения напряжения на открытом транзисторе примерно равен тому падению напряжения, которое имеет диод.
По данному показателю составной транзистор сходен с понижающим трансформатором. Но относительно характеристик трансформатора транзистор Дарлингтона обладает гораздо большим усилением по мощности. Подобные транзисторы могут обслуживать работу переключателей частотой до 25 Гц.
Система промышленного выпуска составных транзисторов налажена таким образом, что модуль полностью укомплектован и оснащён эмиттерным резистором.
Как проверить транзистор Дарлингтона
Самый простой способ проверки составного транзистора заключается в следующем:
- Эмиттер подсоединяется к «минусу» источника питания;
- Коллектор подсоединяется к одному из выводов лампочки, второй её вывод перенаправляется на «плюс» источника питания;
- Посредством резистора к базе передаётся плюсовое напряжение, лампочка светится;
- Посредством резистора к базе передаётся минусовое напряжение, лампочка не светится.
Если всё получилось так, как описано, то транзистор исправен.
Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то пропустил. Загляните на карту сайта, буду рад если вы найдете на моем сайте еще что-нибудь полезное.
ПохожееПроизошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie
Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.
Настройка вашего браузера для приема файлов cookie
Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:
- В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки вашего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
- Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались.
Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, нажмите кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
- Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
- Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
- Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.
Почему этому сайту требуются файлы cookie?
Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie
потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.
Что сохраняется в файле cookie?
Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.
Как правило, в cookie-файлах может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.
% PDF-1.3
%
3693 0 объект
>
эндобдж
xref
3693 210
0000000016 00000 н.
0000004575 00000 п.
0000004826 00000 н.
0000004968 00000 н.
0000005026 00000 н.
0000005164 00000 н.
0000020500 00000 н.
0000021042 00000 п.
0000021112 00000 п.
0000021201 00000 п.
0000021365 00000 п.
0000021472 00000 н.
0000021530 00000 н.
0000021624 00000 п.
0000021725 00000 п.
0000021783 00000 п.
0000021910 00000 п.
0000021968 00000 п.
0000022075 00000 п.
0000022133 00000 п.
0000022248 00000 п.
0000022306 00000 п.
0000022415 00000 п.
0000022473 00000 п.
0000022583 00000 п.
0000022641 00000 п.
0000022778 00000 п.
0000022836 00000 п.
0000023010 00000 п.
0000023068 00000 п.
0000023197 00000 п.
0000023254 00000 п.
0000023385 00000 п.
0000023443 00000 п.
0000023501 00000 п.
0000023566 00000 п.
0000023681 00000 п.
0000023746 00000 п.
0000023884 00000 п.
0000023983 00000 п.
0000024085 00000 п.
0000024211 00000 п.
0000024326 00000 п.
0000024391 00000 п.
0000024447 00000 п.
0000024512 00000 п.
0000024632 00000 п.
0000024702 00000 п.
0000024805 00000 п.
0000024870 00000 п.
0000024927 00000 п.
0000024984 00000 п.
0000025040 00000 п.
0000025110 00000 п.
0000025170 00000 п.
0000025230 00000 н.
0000025287 00000 п.
0000025365 00000 п.
0000025511 00000 п.
0000025731 00000 п.
0000025996 00000 п.
0000027001 00000 н.
0000027024 00000 п.
0000028245 00000 п.
0000028462 00000 п.
0000041670 00000 п.
0000041808 00000 п.
0000042091 00000 п.
0000042356 00000 п.
0000042638 00000 п.
0000042903 00000 п.
0000044017 00000 п.
0000044040 00000 п.
0000045261 00000 п.
0000045478 00000 п.
0000058686 00000 п.
0000059795 00000 п.
0000059818 00000 п.
0000061039 00000 п.
0000061256 00000 п.
0000074464 00000 п.
0000075551 00000 п.
0000075574 00000 п.
0000076795 00000 п.
0000077012 00000 п.
00000
00000 п. 00000 00000 п. 00000
00000 п. 00000 00000 п.
00000
00000 п.
0000092437 00000 п.
0000093658 00000 п.
0000093875 00000 п.
0000107083 00000 н.
0000108184 00000 н.
0000108207 00000 н.
0000109428 00000 н.
0000109645 00000 н.
0000122853 00000 н.
0000123939 00000 н.
0000123962 00000 н.
0000125183 00000 н.
0000125400 00000 н.
0000138608 00000 н.
0000138890 00000 н.
0000139152 00000 н.
0000139431 00000 н.
0000139693 00000 п.
0000140667 00000 н.
0000140690 00000 н.
0000141879 00000 п.
0000142095 00000 н.
0000172018 00000 н.
0000172992 00000 н.
0000173015 00000 н.
0000174204 00000 н.
0000174420 00000 н.
0000204343 00000 н.
0000205297 00000 н.
0000205320 00000 н.
0000206509 00000 н.
0000206725 00000 н.
0000236648 00000 н.
0000236930 00000 н.
0000237192 00000 н.
0000237471 00000 н.
0000237733 00000 п.
0000238704 00000 н.
0000238727 00000 н.
0000239916 00000 н.
0000240132 00000 н.
0000270055 00000 н.
0000271025 00000 н.
0000271048 00000 н.
0000272237 00000 н.
0000272453 00000 н.
0000302376 00000 н.
0000303328 00000 н.
0000303351 00000 п.
0000304540 00000 н.
0000304756 00000 н.
0000334679 00000 н.
0000335238 00000 п.
0000335717 00000 н.
0000351647 00000 н.
0000351991 00000 н.
0000352363 00000 н.
0000352838 00000 н.
0000353241 00000 н.
0000356527 00000 н.
0000356935 00000 н.
0000357230 00000 н.
0000361806 00000 н.
0000362306 00000 н.
0000362731 00000 н.
0000373566 00000 н.
0000373900 00000 н.
0000374348 00000 п.
0000374371 00000 п.
0000375182 00000 н.
0000375205 00000 н.
0000375920 00000 н.
0000375943 00000 н.
0000376643 00000 н.
0000376666 00000 н.
0000377325 00000 н.
0000377348 00000 н.
0000378035 00000 н.
0000378058 00000 н.
0000378801 00000 н.
0000379365 00000 н.
0000395295 00000 н.
0000395774 00000 н.
0000396199 00000 н.
0000396674 00000 н.
0000407509 00000 н.
0000407955 00000 п.
0000408299 00000 н.
0000408709 00000 н.
0000409004 00000 н.
0000412290 00000 н.
0000412787 00000 н.
0000413190 00000 п.
0000417766 00000 н.
0000418138 00000 н.
0000418472 00000 н.
0000418495 00000 н.
0000419236 00000 п.
0000419259 00000 н.
0000419538 00000 п.
0000419589 00000 н.
0000419647 00000 н.
0000419696 00000 п.
0000419747 00000 н.
0000419805 00000 н.
0000419914 00000 н.
0000419965 00000 н.
0000420120 00000 н.
0000420572 00000 н.
0000420684 00000 н.
0000420839 00000 н.
0000421291 00000 н.
0000421403 00000 н.
0000421558 00000 н.
0000421623 00000 н.
0000421679 00000 п.
0000421746 00000 н.
0000005207 00000 н.
0000020475 00000 п.
трейлер
]
>>
startxref
0
%% EOF
3694 0 объект
>
эндобдж
3695 0 объект
[\ n% ׅ 6 Ģ {q0Z! /)
/ U ({ӭ8fLP ޠ h ^ E ~ l)
/ П -64
/ V 1
>>
эндобдж
3696 0 объект
>
эндобдж
3697 0 объект
г ^)
>>
эндобдж
3698 0 объект
>
эндобдж
3901 0 объект
>
транслировать
+ \ – Х;
s’̖ ~ W66U_ @ n36lt $ (| Q, lAA6ovAi72ы˜ = & Y \ TB / ^ O2} h2 \ ++ ܤ W8z @ sWXVE + KpNi \ = ‘bN0! l! mo̍fh *) D! rcbpsVJjUG LYT # 38 “-57҉.2ɠOƮfK]
Туннельные полевые транзисторы для чувствительного терагерцового обнаружения
Дьяконов М., Шур М. Обнаружение, смешение и умножение частоты терагерцового излучения двумерной электронной жидкостью. IEEE Trans. Электрон. Dev. 43 , 380–387 (1996).
ADS CAS Статья Google ученый
Knap, W. et al. Полевые транзисторы для обнаружения терагерцового диапазона: физика и первые приложения для визуализации. J. Инфракрасные миллиметровые терагерцовые волны 30 , 1319–1337 (2009).
CAS Google ученый
Boppel, S. et al. КМОП интегрированные полевые транзисторы с антенной связью для регистрации излучения от 0,2 до 4,3 ТГц. IEEE Trans. Теория СВЧ. 60 , 3834–3843 (2012).
ADS Статья Google ученый
Hou, H., Liu, Z., Teng, J., Palacios, T. и Chua, S. Высокотемпературные терагерцовые детекторы, реализованные на основе GaN-транзистора с высокой подвижностью электронов. Sci. Отчетность 7 , 46664 (2017).
ADS CAS PubMed PubMed Central Статья Google ученый
Viti, L. et al. Термоэлектрические графеновые фотодетекторы с субнаносекундным временем отклика на терагерцовых частотах. Нанофотоника 10 , 89–98 (2020).
Артикул CAS Google ученый
Муравьев В. М., Соловьев В. В., Фортунатов А. А., Цыдынжапов Г., Кукушкин И. В. О времени отклика плазмонных детекторов терагерцового диапазона. Письма в ЖЭТФ. 103 , 792–794 (2016).
ADS CAS Статья Google ученый
Румянцев С., Лю X., Качоровский В., Шур М.Гомодинный фазочувствительный терагерцовый спектрометр. Заявл. Phys. Lett. 111 , 121105 (2017).
ADS Статья CAS Google ученый
Glaab, D. et al. Детектирование терагерцовых гетеродинов с помощью кремниевых полевых транзисторов. Заявл. Phys. Lett. 96 , 042106 (2010).
ADS Статья CAS Google ученый
Vitiello, M. S. et al. Детекторы терагерцового диапазона для комнатной температуры на основе полевых полупроводниковых нанопроволок. Nano Lett. 12 , 96–101 (2012).
ADS CAS PubMed Статья Google ученый
Vicarelli, L. et al. Графеновые полевые транзисторы как детекторы терагерцового диапазона при комнатной температуре. Nat. Матер. 11 , 865–871 (2012).
ADS CAS PubMed Статья Google ученый
Viti, L. et al. Фотоприемники терагерцового диапазона с черным фосфором. Adv. Матер. 27 , 5567–5572 (2015).
CAS PubMed Статья Google ученый
Исобе, Х., Сюй, С.-Й. И Фу Л. Высокочастотное выпрямление с помощью киральных блоховских электронов. Sci. Adv. 6 , eaay2497 (2020).
ADS CAS PubMed PubMed Central Статья Google ученый
Olbrich, P. et al. Терагерцовые храповые эффекты в графене с боковой сверхрешеткой. Phys. Ред. B 93 , 075422 (2016).
ADS Статья CAS Google ученый
Walsh, E. D. et al. Детектор одиночных фотонов на джозефсоновском переходе на основе графена. Phys. Rev. Appl. 8 , 024022 (2017).
ADS Статья Google ученый
Auton, G. et al. Обнаружение и визуализация терагерцового диапазона с использованием графеновых баллистических выпрямителей. Nano Lett. 17 , 7015–7020 (2017).
ADS CAS PubMed Статья Google ученый
Принципи А., Бандурин Д., Ростами Х. и Полини М. Уравнения псевдо-Эйлера из нелинейной оптики: фотодетектирование с помощью плазмонов за пределами гидродинамики. Phys. Ред. B 99 , 075410 (2019).
ADS CAS Статья Google ученый
Castilla, S. et al. Быстрое и чувствительное обнаружение терагерцового диапазона с использованием графена со встроенной антенной p – n перехода. Nano Lett. 19 , 2765–2773 (2019).
ADS CAS PubMed Статья Google ученый
Муравьев В.М., Кукушкин И.V. Плазмонный детектор-спектрометр субтерагерцового излучения на основе двумерной электронной системы со встроенным дефектом. Заявл. Phys. Lett. 100 , 082102 (2012).
ADS Статья CAS Google ученый
Bandurin, D.A. et al. Детектирование резонансного терагерца с использованием графеновых плазмонов. Nat. Commun. 9 , 5392 (2018).
ADS CAS PubMed PubMed Central Статья Google ученый
Хавронин, М., Петров, А., Казанцев, А., Никулин, Э., Бандурин, Д. Детектирование терагерцового диапазона с усилением сингулярности в полевых транзисторах с высокой подвижностью. Phys. Rev. Appl. 13 , 064072 (2020).
ADS CAS Статья Google ученый
Sakowicz, M. et al. Терагерцовая чувствительность полевых транзисторов в зависимости от их статической проводимости канала и эффектов нагрузки. J. Appl.Phys. 110 , 054512 (2011).
ADS Статья CAS Google ученый
Ионеску А. М. и Риэль Х. Туннельные полевые транзисторы как энергоэффективные электронные переключатели. Природа 479 , 329–337 (2011).
ADS CAS PubMed Статья Google ученый
Sarkar, D. et al. Субтермионный туннельный полевой транзистор с атомарно тонким каналом. Nature 526 , 91–95 (2015).
ADS CAS PubMed Статья Google ученый
Лу, Х. и Сибо, А. Туннельные полевые транзисторы: современное состояние. IEEE J. Electron. Dev. Soc. 2 , 44–49 (2014).
Артикул Google ученый
Emboras, A. et al. Плазмонный переключатель атомного масштаба. Nano Lett. 16 , 709–714 (2016).
ADS CAS PubMed Статья Google ученый
Баски, А., Альбрехт, Т. и Кват, К. Туннельный акселерометр. J. Microsc. 152 , 73–76 (1988).
Артикул Google ученый
Саркар, Д., Госснер, Х., Ханш, В. и Банерджи, К. Датчик газа на основе туннельного полевого транзистора: введение в обнаружение газа с помощью квантово-механического преобразователя. Заявл. Phys. Lett. 102 , 023110 (2013).
ADS Статья CAS Google ученый
Саркар, Д. и Банерджи, К. Предложение по туннельному полевому транзистору в качестве сверхчувствительных биосенсоров без меток. Заявл. Phys. Lett. 100 , 143108 (2012).
ADS Статья CAS Google ученый
Гао, А., Лу, Н., Ван, Ю. и Ли, Т. Надежный сверхчувствительный туннельный биосенсор на полевых транзисторах для диагностики в местах оказания медицинской помощи. Sci. Отчет 6 , 22554 (2016).
ADS CAS PubMed PubMed Central Статья Google ученый
Yang, Q. et al. Оценка характеристик туннельного полевого транзистора при обнаружении терагерцового диапазона. 2018 Китайская международная конференция по полупроводниковым технологиям (CSTIC) , Шанхай, 1–3 (2018).
Окамото, Т., Фудзимура, Н., Креспи, Л., Кодера, Т. и Кавано, Ю. Обнаружение терагерцового диапазона с помощью антенно-связанной квантовой точки из высоколегированного кремния. Sci. Отчетность 9 , 18574 (2019).
ADS CAS PubMed PubMed Central Статья Google ученый
Ринзан, М., Дженкинс, Г., Дрю, Х. Д., Шафранжук, С. и Барбара, П. Квантовые точки из углеродных нанотрубок как высокочувствительные спектрометры с терагерцовым охлаждением. Nano Lett. 12 , 3097–3100 (2012).
ADS CAS PubMed Статья Google ученый
Лю, Л., Рахман, С. М., Цзян, З., Ли, У. и Фэй, П. Усовершенствованные системы терагерцового зондирования и визуализации, основанные на интегрированных устройствах межполосного туннелирования III-V. Proc. IEEE 105 , 1020–1034 (2017).
CAS Статья Google ученый
Kang, T. et al. Терагерцовое выпрямление в кольцевых квантовых барьерах. Nat. Commun. 9 , 4914 (2018).
ADS PubMed PubMed Central Статья CAS Google ученый
Nishida, Y. et al. Когерентный приемник терагерцового диапазона с одним резонансным туннельным диодом. Sci. Отчетность 9 , 18125 (2019).
ADS CAS PubMed PubMed Central Статья Google ученый
Шарма А., Сингх В., Бугер Т. Л. и Кола Б. А. Оптическая ректенна из углеродных нанотрубок. Nat. Nanotechnol. 10 , 1027–1032 (2015).
ADS CAS PubMed Статья Google ученый
Davids, P. S. et al. Инфракрасное выпрямление в туннельном диоде металл-оксид-полупроводник с наноантенной связью. Nat. Nanotechnol. 10 , 1033–1038 (2015).
ADS CAS PubMed Статья Google ученый
Уорд, Д. Р., Хюзер, Ф., Паули, Ф., Куэвас, Дж. К. и Нательсон, Д. Оптическое выпрямление и усиление поля в плазмонной нанощели. Nat. Nanotechnol. 5 , 732–736 (2010).
ADS CAS PubMed Статья Google ученый
Ariyoshi, S. et al. Терагерцовая визуализация с помощью прямого детектора на сверхпроводящих туннельных переходах. Заявл. Phys. Lett. 88 , 203503 (2006).
ADS Статья CAS Google ученый
Vischi, F. et al. Электронное охлаждение с помощью туннельных переходов графен-диэлектрик-сверхпроводник для приложений в быстрой болометрии. Phys. Rev. Appl. 13 , 054006 (2020).
ADS CAS Статья Google ученый
Lee, G.-H. и другие. Микроволновый болометр на джозефсоновском переходе на основе графена. Nature 586 , 42–46 (2020).
ADS CAS PubMed Статья Google ученый
Чакраборти, А. и Саркар, А. Исследование аналоговых / радиочастотных характеристик полевых транзисторов с туннельным туннелированием на основе нанопроволок. Микроструктура сверхрешеток. 80 , 125–135 (2015).
ADS CAS Статья Google ученый
Рыжий В., Шур М.С. Резонансный детектор терагерцового диапазона, использующий плазменные колебания в двумерной электронной системе с боковым переходом Шоттки. Jpn. J. Appl. Phys. 45 , L1118 – L1120 (2006).
ADS CAS Статья Google ученый
Макканн Э., Фалько В. И. Вырождение уровня Ландау и квантовый эффект Холла в бислое графита. Phys. Rev. Lett. 96 , 086805 (2006).
ADS PubMed Статья CAS Google ученый
Zhang, Y. et al. Прямое наблюдение широко настраиваемой запрещенной зоны в двухслойном графене. Природа 459 , 820–823 (2009).
ADS CAS PubMed Статья Google ученый
Banszerus, L. et al. Заданные затвором двойные электронно-дырочные точки в двухслойном графене. Nano Lett. 18 , 4785–4790 (2018).
ADS CAS PubMed Статья Google ученый
Eich, M. et al. Связанные квантовые точки в двухслойном графене. Nano Lett. 18 , 5042–5048 (2018).
ADS CAS PubMed Статья Google ученый
Eich, M. et al. Спиновые и долинные состояния в квантовых точках двухслойного графена, заданных затвором. Phys. Ред. X 8 , 031023 (2018).
CAS Google ученый
Кретинин А.В. и др. Электронные свойства графена, заключенного в различные двумерные атомные кристаллы. Nano Lett. 14 , 3270–3276 (2014).
ADS CAS PubMed Статья Google ученый
Зибров А.А. и др.Перестраиваемые взаимодействующие составные фермионные фазы на наполовину заполненном уровне Ландау двухслойного графена. Nature 549 , 360–364 (2017).
ADS CAS PubMed Статья Google ученый
Spirito, D. et al. Высокопроизводительные детекторы терагерцового диапазона на двухслойном графене. Заявл. Phys. Lett. 104 , 061111 (2014).
ADS Статья CAS Google ученый
Bandurin, D.A. et al. Двойное происхождение фотоотклика суб-терагерцового диапазона при комнатной температуре в графеновых полевых транзисторах. Заявл. Phys. Lett. 112 , 141101 (2018).
ADS Статья CAS Google ученый
Райх М., Рузин И. Флуктуации прозрачности случайно-неоднородных барьеров конечной площади. Сов. Phys. ЖЭТФ 65 , 1273–1282 (1987).
Google ученый
Алымов Г., Вюрков В., Рыжий В., Свинцов Д. Резкое переключение тока в двухслойных туннельных графеновых транзисторах, вызванное особенностями Ван Хова. Sci. Отчетность 6 , 24654 (2016).
ADS CAS PubMed PubMed Central Статья Google ученый
Петросян С., Шик А. Ю. Контактные явления в низкоразмерных электронных системах. Ж. Эксп. Теор. Физ. 69 , 1261 (1989).
Google ученый
Смит А. Д., Тинкхэм М. и Скочпол В. Дж. Новый термоэлектрический эффект в туннельных переходах. Phys. Ред. B 22 , 4346–4354 (1980).
ADS CAS Статья Google ученый
Bauer, M. et al. Высокочувствительный терагерцовый детектор AlGaN / GaN HEMT со встроенной широкополосной антенной-бабочкой. IEEE Trans.Terahertz Sci. Technol. 9 , 430–444 (2019).
ADS CAS Статья Google ученый
Санчес А., Дэвис К. Ф., Лю К. К. и Джаван А. Туннельный диод MOM: теоретическая оценка его характеристик на микроволновых и инфракрасных частотах. J. Appl. Phys. 49 , 5270–5277 (1978).
ADS Статья Google ученый
Kim, S. et al. Туннельный полевой транзистор с черным фосфором с регулируемой толщиной для маломощных переключателей. Nat. Nanotechnol. 15 , 203–206 (2020).
ADS CAS PubMed Статья Google ученый
Gandhi, R., Chen, Z., Singh, N., Banerjee, K. & Lee, S. Вертикальные Si-нанопроволоки n туннельные полевые транзисторы типа с низким подпороговым размахом (≤ 5 0 м V / d e c a d e ) при комнатной температуре. IEEE Electron. Dev. Lett. 32 , 437–439 (2011).
ADS CAS Статья Google ученый
Шукла Н. и др. Крутой транзистор на основе резкого электронного фазового перехода. Nat. Commun. 6 , 1–6 (2015).
Google ученый
Si, M. et al. Крутая отрицательная емкость без гистерезиса MoS 2 транзисторов. Nat. Nanotechnol. 13 , 24–28 (2018).
ADS CAS PubMed Статья Google ученый
Datta, S. Электронный транспорт в мезоскопических системах (Cambridge University Press, 1997).
Castro, E. V. et al. Электронные свойства смещенного бислоя графена. J. Phys. Конденс. Дело 22 , 175503 (2010).
ADS PubMed Статья CAS Google ученый
Максвелл, Дж. К. Трактат об электричестве и магнетизме , Vol. 1, ст. 202 (Clarendon Press, 1873).
Силовой полевой транзистор E Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ НЕТ ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 30В, 0.025 Ом, 1-элементный, N-канальный, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF3420 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 170 А, I (D), 75 В, 0,005 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF7505 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 8А, I (D), 800В, 1.55 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF8N80 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 3 А, I (D), 100 В, 0,15 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF0115 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор GSF0102 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 45 А I (D), 100 В, 0.022ohm, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF1030 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ НЕТ ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 5 А, I (D), 30 В, 0,03 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF3402 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ НЕДАВНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 20В, 0.021 Ом, 2-элементный, N-канальный, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF8822 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 60 А, I (D), 60 В, 0,014 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF6114 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 5.8A I (D), 30 В, 0,035 Ом, 1 элемент, N-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF3324 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 30 В, 0,018 Ом, 1 элемент, P-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF3617 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 75 А, I (D), 75 В, 0.01ohm, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF7510 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 6,2 А, I (D), 30 В, 0,05 Ом, 1-элементный, P-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF3745 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 200 А, I (D), 100 В, 0.006ohm, 1-элементный, N-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF1006 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 60 А, I (D), 60 В, 0,014 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF6014 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 15 А I (D), 100 В, 0.09ohm, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF1090 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 75 А, I (D), 150 В, 0,0108 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSS1510 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор GSF0304 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 30В, 0.035ohm, 2-элементный, N-канальный, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF3626 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 140 А, I (D), 55 В, 0,005 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF5506 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 30В, 0.014ohm, 1-элементный, P-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF3615 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ НЕТ ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 220 А, I (D), 75 В, 0,004 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF7504 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 30В, 0.012 Ом, 1-элементный, N-канальный, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF3612 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 30 В, 0,009 Ом, 1 элемент, N-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF3610 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 4.1A I (D), 30 В, 0,052 Ом, 1 элемент, P-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF3339 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 6,9 А, I (D), 30 В, 0,028 Ом, 2-элементный, N-канал и P-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF4606 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 20В, 0.089ohm, 1-элементный, P-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF2305 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 2 А, I (D), 600 В, 4 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF2N60 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор SSF6602 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 75 А, I (D), 75 В, 0.009ohm, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF7609 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 160 А, I (D), 60 В, 0,0035 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF6005 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 64 А, I (D), 60 В, 0.013ohm, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF6010 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 75 А, I (D), 68 В, 0,008 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF6908 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор SSF6905 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ НЕТ ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 3А I (D), 20В, 0.158 Ом, 1-элементный, P-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF2315 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ НЕТ ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 75 А, I (D), 110 В, 0,016 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF1116 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 18.5A I (D), 30 В, 0,0045 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF3604 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ НЕДАВНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 20 В, 0,058 Ом, 2 элемента, P-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF2649 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ НЕДАВНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 30В, 0.047ohm, 1-элементный, N-канальный, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF3338 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 75 А, I (D), 100 В, 0,008 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF1009 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ НЕТ ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 85 А I (D), 30 В, 0.013ohm, 1-элементный, P-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF3005 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 30 В, 0,035 Ом, 1 элемент, N-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF2306 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 20В, 0.05ohm, 2-элементный, P-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF2841 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ НЕТ ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 20 В, 0,028 Ом, 2 элемента, N-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF9926 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ НЕТ ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 4А, I (D), 20В, 0.03ohm, 2-элементный, N-канальный, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF8205 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ НЕДАВНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор SSF3912 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор SSF6974 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор GSF0205 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 3А I (D), 20В, 0.09ohm, 1-элементный, P-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF2301 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор SSF3907 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор SSF6903 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 60 А, I (D), 68 В, 0.014ohm, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF6814 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ НЕТ НЕДАВНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор SSF4960 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор GSF3404 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 20В, 0.045ohm, 1-элементный, N-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF2336 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ НЕТ ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 20 В, 0,06 Ом, 1 элемент, P-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF2449 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ НЕТ ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 20В, 0.033ohm, 1-элементный, N-канальный, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF2312 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор SSF3446 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ НЕТ ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 60В, 0.09ohm, 2-элементный, N-канальный, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF6670 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 60 А, I (D), 110 В, 0,022 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF1122 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 7А I (D), 30В, 0.0185ohm, 2-элементный, N-канальный, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF3620 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 64 А, I (D), 60 В, 0,013 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF6008 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 60 А, I (D), 100 В, 0.02ohm, 1-элементный, N-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF1020 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 6 А, I (D), 30 В, 0,032 Ом, 2-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF3624 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор GSF3446 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор SSF8970 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ НЕТ ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 80 А, I (D), 85 В, 0.009ohm, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF8509 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 100 А, I (D), 100 В, 0,01 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF1010 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 30В, 0.053ohm, 1-элементный, P-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF9435 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 20 В, 0,05 Ом, 1 элемент, P-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF6401 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 30В, 0.053ohm, 2-элементный, P-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF4953 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ НЕТ ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 60 А, I (D), 25 В, 0,006 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-252 SSF2506 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 30В, 0.006ohm, 1-элементный, N-канальный, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF3606 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ НЕДАВНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 130 А, I (D), 100 В, 0,006 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF1007 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 4.2A I (D), 30 В, 0,05 Ом, 1 элемент, P-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF3341 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д НЕДАВНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 60 В, 0,06 Ом, 2 элемента, N-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF6646 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ НЕТ ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 30В, 0.034ohm, 1-элементный, N-канальный, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF3428 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 20 В, 0,12 Ом, 1 элемент, P-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF3117 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 110 А, I (D), 75 В, 0.006ohm, 1-элементный, N-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF7507 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ НЕДАВНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 30 В, 0,08 Ом, 1 элемент, P-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF2307 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор SSF2218 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 8.2A I (D), 600 В, 1,1 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF8N60 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 75 А, I (D), 68 В, 0,008 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF7008 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ НЕДАВНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 20В, 0.033ohm, 1-элементный, N-канальный, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF2314 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 20 В, 0,035 Ом, 1 элемент, P-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF2429 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 30В, 0.052ohm, 2-элементный, P-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF3637 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор GSF1002 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 110 А, I (D), 55 В, 0.0055ohm, 1-элементный, N-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF5508 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ НЕДАВНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 30 В, 0,08 Ом, 1 элемент, P-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF3365 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ НЕТ ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 75 А, I (D), 45 В, 0.004ohm, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF4203 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 30 В, 0,049 Ом, 2 элемента, P-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF3641 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ НЕТ ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 20В, 0.08ohm, 1-элементный, P-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF8521 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 3,5 А, I (D), 12 В, 0,05 Ом, 1-элементный, P-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор SSF1341 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ НЕТ ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 60 А I (D), 60 В, 0.025 Ом, 1-элементный, P-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF6025 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ НЕТ НЕДАВНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор SSF2215 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор GSF3909 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ НЕТ НЕДАВНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор SSF6004 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н / Д ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н / Д | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 100 А, I (D), 75 В, 0.008ohm, 1-элементный, N-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF7508 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие | ||
Силовой полевой транзистор, 75 А, I (D), 75 В, 0,007 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB SSF7607 Лист данных | ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ НЕТ ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ НЕТ | Проверить наличие |
Диагностика | Бесплатный полнотекстовый | Транзисторы с графеновым полевым эффектом для биомедицинских приложений: текущее состояние и перспективы на будущее
2.1. Свойства графена
Графен, или атом углерода толщиной с один атом, является первым полученным чисто двумерным (2D) материалом [18]. Графен состоит из атомов углерода, которые связаны с тремя другими атомами под углом связи 120 °, что приводит к гексагональной решетке из sp 2 -гибризованного углерода [19]. Двумерная природа и гексагональное расположение углерода лежат в основе высокой удельной поверхности графена (2630 м 2 / г), что особенно выгодно в приложениях для биодатчиков [20].Графен считается привлекательным для электронных приложений из-за присущего ему исключительного баллистического переноса заряда [18]. Экспериментально сообщалось, что подвижность носителей примерно на 2 порядка больше, чем у полупроводника «золотого стандарта» – кремния. Известно, что подвижность носителей превышает 10 7 см 2 · V −1 · с −1 в графене, отделенном от объемного графита, и достигает 10 5 см 2 · V −1 · с −1 в устройствах с подвешенным графеном [21] и около 4 · 10 3 см 2 · V −1 · с −1 для CVD-графена на SiO 2 подложка.Более того, графеновый материал может производиться в больших количествах и относительно дешево, что делает его подходящей подложкой для крупномасштабного производства электронных устройств [22]. Графен состоит из двух энергетических зон, валентной зоны (VB) и зоны проводимости (CB ), которые содержат дырки и электроны соответственно [23]. Расположение атомов углерода графена в сотовой решетке создает полностью полный VB и пустой CB, как показано на рисунке 1 [19]. Две полосы пересекаются в точке, называемой точкой Дирака, или точками K и K ’в зоне Бриллюэна.В точке их встречи, отображаемой напряжением Дирака (V D ) в измерениях V g –I DS , уровень Ферми проходит. Этот уровень Ферми может быть настроен и адаптирован из-за легирования внешними воздействиями, такими как электронно-дефицитные (p-легирование) или богатые электронами (n-легирование) молекулы [18], что по существу вызывает сдвиг V D на более положительное напряжение (p-легирование) или более отрицательное напряжение (n-легирование). Таким образом, V D можно контролировать и использовать как средство обнаружения биологических молекул.На электронные свойства, такие как V D , подвижность носителей и сопротивление, могут влиять многие внешние источники, в том числе: приложение электрического поля, заряженные фрагменты вблизи поверхности графена или химическая модификация поверхности, например химическое связывание с графеном как ковалентно, так и нековалентно [18].2.2. G-FET Development
Графеновые полевые транзисторы обычно изготавливаются с использованием методов микропроизводства, таких как фотолитография в сочетании с напылением металла или физическим осаждением из паровой фазы (PVD), для формирования рисунка и проявления контактов устройства.Затем графен либо переносится с медной подложки, используемой для его роста (графен CVD), либо с расслоенного графена на устройство с рисунком [24]. В качестве альтернативы объемный слой графена (CVD-графен на SiO 2 / Si или эпитаксиальный графен) вытравливается плазмой с образованием канала [25]. Многие G-FET, полученные таким образом, выделены в таблице 1. Затем канал модифицируется для обнаружения целевых биомаркеров путем иммобилизации биорецепторов на графеновом канале. Это можно сделать напрямую (адсорбция) или через линкерную молекулу.Иммобилизация высокоспецифичного биорецептора (процесс, называемый биофункционализацией) на поверхности графена вызывает химическую специфичность по отношению к целевому биомаркеру. Такие рецепторы могут включать аминокислоты, ферменты, антитела, аптамеры или любую селективную и специфическую молекулу [26]. Однако, если требуется линкерная молекула, графеновый канал сначала должен быть химически функционализирован, чтобы обеспечить иммобилизацию биорецептора. Химическая функционализация графена также может быть использована для настройки электронных свойств графена с помощью эффектов легирования и инженерии запрещенной зоны, вызванных химической модификацией или адсорбцией молекул на графене [18].Функционализацию графена линкерной молекулой можно осуществить посредством ковалентного связывания с атомами углерода гексагональной матрицы или нековалентного связывания с графеном за счет электростатических и / или слабых сил Ван-дер-Ваальса [18]. Для графена разработан широкий спектр возможных химических процессов функционализации, таких как галогенирование, гидроксилирование, эпоксидирование, карбоксилирование, аминирование, алкилирование и азидирование [27]. Наличие sp 2 атомов углерода делает поверхность графена потенциальным кандидатом на ковалентную связь [28].Ковалентная химия, используемая для создания функционального графена, включает фторирование [29] и гидрирование [30] с помощью плазменной обработки. Также используется свободнорадикальное присоединение к атомам углерода гексагональной матрицы [31], такое как диазотирование [32]. Другие ковалентные методы включают ковалентное присоединение полимеров, таких как PEG [31], и силанизацию 3-аминопропилтриэтоксисиланом (APTES) [33]. Тегерани и др. продемонстрировали разработку G-FET для биомаркера риска рака (8-OHdG) с пределом обнаружения 0.1 нг · мл -1 с использованием химии функционализации диазония [34]. Тейшейра и его сотрудники сообщили об обнаружении хорионического гонадотропина человека (ХГЧ) в концентрации 0,62 нг · мл -1 с использованием эпитаксиального G-FET, функционализированного с использованием метода APTES [33]. Хотя ковалентная химия оказалась успешной, она также создает нежелательное нарушение sp 2 природы атомов углерода. В результате гибридизация sp 2 будет преобразована в гибридизацию sp 3 [28], которая нарушает электронную структуру графена и, следовательно, снижает прекрасные и желательные электронные свойства графена.Поэтому были исследованы другие пути функционализации графена [18]. В нековалентной функционализации преобладает физическая адсорбция молекул графена за счет слабых сил Ван-де-Ваальса [18]. Более конкретно, эта нековалентная функционализация часто происходит через взаимодействие между π-электронным облаком графена и функциональной молекулой, иначе известное как π – π стэкинг. Графит (объемный графен) является примером π – π взаимодействия. Графит представляет собой несколько слоев графеновых листов, наложенных друг на друга посредством взаимодействия между соответствующими π-электронными облаками [31].Поскольку эта нековалентная функционализация графена происходит таким образом, природа атомов углерода sp 2 не изменяется. Следовательно, электронные и структурные свойства не сильно нарушены [18], что делает этот метод функционализации желательным для разработки биосенсоров G-FET. Часто молекула, используемая для функционализации, имеет полиароматическое углеводородное основание, такое как бензол, нафталин или пирен, при этом пирен проявляет сильное сродство к графену за счет π-стэкинга [35].Chen et al. продемонстрировали влияние некоторых из этих электроноакцепторных и электронодонорных молекул на электронные свойства графена. Сообщалось, что функционализация тетрафульваленом (TTF), донором электронов, действует для p-допирования графена, в то время как акцептор электронов, гексаазатрифенилен-гексакарбонитрил (HATCN), действует для n-допирования графена. Однако оба оставались неразрушающими для электронных и структурных свойств графена [18]. Кроме того, функционализация поверхности графена с использованием сукцинимидилового эфира пиренбутановой кислоты (PBASE) посредством π-стэкинга является привлекательной, поскольку пиреновое основание этой молекулы проявляет сильное сродство к графеновому листу, в то время как сукцинимидиловый эфир обеспечивает сайт связывания для аминов различных типов. биомолекулы, включая антитела, ферменты, бактерии и зонды нуклеиновых кислот [25,36,37,38,39,40].Кроме того, было разработано несколько методов нековалентной функционализации для украшения поверхности графена с использованием металлических наночастиц, таких как золото [41], платина [42], палладий [43] и оксид цинка [44]. Наночастицы металла могут быть нанесены на каналы графена путем погружения канала в раствор соли металла, электрохимического осаждения или процесса химического восстановления. Gutes et al. сообщили, что природа металла определяет размер и плотность полученных металлических наночастиц, несмотря на те же экспериментальные условия.Например, металлическая платина, по-видимому, образует более мелкие частицы с более низкой плотностью по сравнению с золотом и палладием [43]. Cai et al. использовали наночастицы золота на G-FET, чтобы создать сайт связывания для молекулы биораспознавания с концевым серным концом. Более того, Cai et al. сообщили о присутствии наночастиц для увеличения активной поверхности G-FET, что, в свою очередь, улучшило чувствительность, предоставив больше сайтов связывания для иммобилизации биомолекул [41].Подробная характеристика полевого транзистора на основе кремниевых нанопроволок (SiNW-FET) для нейронной записи и прямого сравнения характеристик с пассивным MEA
- 1 Корейский передовой институт науки и технологий, кафедрабио- и мозговой инженерии, Корея
- 2 Корейский институт передовых наук и технологий, Школа электротехники, Корея
Мотивация Активные подходы MEA, такие как полевые транзисторы, были разработаны для усиления сигнала на кристалле или обработки данных с минимизацией паразитных компонентов.Например, полевые транзисторы на основе нанопроволоки привлекли внимание своей высокой чувствительностью. Однако необходимо дополнительно понять работу этих полевых транзисторов для нейронной записи и то, как их электрические характеристики соотносятся с производительностью нейронной записи. Более того, не было достаточно усилий для прямого сравнения обычных пассивных МПС и активных МПС. В этой работе мы тщательно изучили электрические характеристики высокопроизводительных SiNW-FET для нейронной записи и провели прямое сравнение со стандартными пассивными планарными MEA.Материал и методы SiNW-FET с протяженным электродом затвора из поликремния изготавливаются в трехзатворной структуре (длина канала: 130 нм, ширина канала: 50 – 78 нм). Транзисторы работали в конфигурации усилителя с общим истоком, который может преобразовывать потенциал внеклеточного поля в ток стока транзистора за счет крутизны (gm) до 40 мкс, что на порядок выше, чем у SiNW-FET, которые, как сообщалось, используются для нейронной записи. Трансимпедансные малошумящие усилители предназначены для усиления регистрируемого тока транзистора.Для прямого сравнения использовался стандартный 60-канальный пассивный планарный МЭБ (металлические электроды толщиной 30 мкм на стекле). Для сигнала источника мы сгенерировали и подали серию всплесков потенциала действия УФ-шкалы и гауссову форму волны от функционального генератора через платиновую проволоку, погруженную в физиологический раствор с фосфатным буфером. В отличие от сигнала культивируемых нейронных клеток, мы можем точно контролировать свойства сигнала и сравнивать электрические / электрохимические характеристики двух записывающих систем. Усиленные выходные напряжения как активных, так и пассивных MEA фильтруются в цифровом виде (150 Гц – 5.5 кГц). В частности, описываются и сравниваются форма и величина записанного сигнала, шумовые характеристики обеих технологий записи и отношение сигнал / шум (SNR). Результаты и обсуждение Для обоих типов МЭБ зарегистрированный сигнал имел ту же форму волны, что и сигнал напряжения источника, что указывает на отсутствие емкостного эффекта на границе раздела электрод / электролит из поли-Si. Амплитуда записываемого сигнала SiNW-полевыми транзисторами точно определяется массой полевых транзисторов. Хотя полевые транзисторы способны преобразовывать сигнал 100 мкВ в сигнал тока 4 нА, было обнаружено, что собственный 1 / f-шум полевых транзисторов является ограничивающим фактором для записи сигнала менее ~ 800 мкВ с хорошим отношением сигнал / шум (> 5). .Такое же отношение сигнал / шум при записи было также достигнуто, когда полевой транзистор работал только при 50 мВ (линейный режим) из-за снижения собственных шумов при более низком рабочем напряжении. Заключение SiNW-FET размером всего 50 нм x 130 нм показал, что он способен регистрировать потенциал внеклеточного поля в ультрафиолетовом масштабе. Величина зарегистрированного сигнала точно соответствует теоретически оцененным значениям, основанным на электрических характеристиках транзистора. Хотя активный MEA в этой работе показал в ~ 7 раз худшее SNR по сравнению с пассивным MEA, дальнейшая оптимизация размеров полевого транзистора и снижение собственного шума улучшили бы SNR для гораздо меньшего сигнала источника в будущем.Эта информация обеспечит прочное руководство для разработки новых типов полевых транзисторов в нейронной записи.
Благодарности
Эта работа была поддержана Программой фундаментальных научных исследований через Национальный исследовательский фонд Кореи (NRF) (NRF-2015R1A2A1A0
05) и Центром интегрированных интеллектуальных датчиков как глобальный проект границ (CISS-2011-0031848), оба финансируемые Министерством науки. , ИКТ и будущее планирование.Это исследование также было поддержано KAIST Institute for the NanoCentury.Ключевые слова: 1 / f шум, Нейронная запись, Кремниевая нанопроволока, Полевой транзистор (FET)
Конференция: Встреча MEA 2016 | 10-е Международное совещание по электродным массивам, интегрированным в подложку, Ройтлинген, Германия, 28 июня – 1 июля 2016 г.
Тип презентации: Постерная презентация
Тема: Встреча MEA 2016
Цитата: Канг ЧАС, Ким J, Чой Y и Нам Y (2016).Углубленная характеристика полевого транзистора на кремниевых нанопроволоках (SiNW-FET) для нейронной записи и прямого сравнения характеристик с пассивным MEA. Передний. Neurosci. Тезисы конференции: Встреча MEA 2016 | 10-е международное совещание по электродным массивам, интегрированным в подложку. DOI: 10.3389 / conf.fnins.2016.93.00062
Авторское право: Рефераты в этой коллекции не подвергались какой-либо экспертной оценке или проверкам Frontiers и не одобрены Frontiers.Они доступны через платформу публикации Frontiers в качестве услуги для организаторов конференций и докладчиков.
Авторские права на отдельные рефераты принадлежат автору каждого реферата или его / ее работодателю, если не указано иное.
Каждый реферат, а также сборник рефератов публикуются под лицензией Creative Commons CC-BY 4.0 (с указанием авторства) (https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/) и, таким образом, могут воспроизводиться, переводиться, адаптироваться и являться производными работами при условии указания авторов и Frontiers.
Условия и положения Frontiers можно найти на странице https://www.frontiersin.org/legal/terms-and-conditions.
Полученный: 22 июня 2016 г .; Опубликовано в Интернете: 24 июн 2016.
*
Переписка:
Д-р Хонки Канг, Корейский передовой институт науки и технологий, отдел био- и мозговой инженерии, Тэджон, Корея, [email protected]
– полевые транзисторы (полевые транзисторы) – ток, диод, заряд и смещение
Полевые транзисторы (FET) – это твердотельные активные устройства, основанные на другом принципе, чем биполярные транзисторы, но дающие практически тот же результат.Полевые транзисторы – это трехконтактные устройства, как и BJT. Входной вывод полевого транзистора называется его затвором и представляет собой один из электродов диода с обратным смещением. Полевые транзисторы обеспечивают управление током, направляя ток через узкий канал типа n или p , проводимость которого регулируется входным сигналом. Выходной ток, управляемый полевым транзистором, проходит между двумя оставшимися выводами, называемыми истоком и стоком. Ток через полевой транзистор должен проходить через узкий канал, образованный переходом входного диода.Поскольку этот входной диод имеет обратное смещение, в этом канале обычно мало носителей заряда. Входной сигнал на полевой транзистор может истощить или увеличить количество доступных носителей заряда в этом канале, регулируя ток в цепи стока. Поскольку входной диод имеет обратное смещение, полевой транзистор почти не требует тока от источника сигнала, поэтому питание почти не требуется. Коэффициент усиления мощности, обычно достигаемый в усилителе на полевых транзисторах, очень высок.
Конкретный тип полевого транзистора, называемый MOSFET (металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор), может иметь входное сопротивление до 10 18 Ом.Из-за очень высокого входного сопротивления полевые транзисторы мгновенно разрушаются, если они получают даже небольшой статический электрический заряд из-за неосторожного обращения. Скольжение по пластиковому стулу может передать достаточно заряда телу техника, чтобы разрушить входной диод полевого транзистора при первом касании . Работать с полевыми транзисторами должны только лица, которые заземлились перед тем, как прикоснуться к этим устройствам, чтобы сначала рассеять статические заряды.
Полевые транзисторы особенно полезны в качестве усилителей очень слабых сигналов, например, создаваемых высококачественными микрофонами.Полевые транзисторы имеют более желательные характеристики перегрузки, чем биполярные транзисторы, так что полевые транзисторы могут обрабатывать множество сигналов одновременно, некоторые сильные и некоторые слабые, без серьезных искажений.Больше новостей
