Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Содержание

Цветовая и символьно – цветовая маркировка транзисторов

В данной статье речь пойдет об определению основных параметров как отечественных так и зарубежных транзисторов по таблицам цветовой и символьно – цветовой маркировке.

Цветовая маркировка транзисторов

В данной маркировке используют цветные точки для кодирования параметров транзисторов в корпусах КТ-26 (ТО-92) и КТП-4. При полной цветовой маркировке кодирование типономинала, группы и даты выпуска наносится на срезе боковой поверхности согласно принятой цветовой гамме.

Точку, обозначающую типономинал наносят в левом верхнем углу. Она является началом отсчета. Далее, по часовой стрелке наносятся три точки, означающие группу, год и месяц выпуска соответственно.

При сокращении цветовой маркировке дату выпуска опускают (указывается на вкладыше упаковки). Типономинал указывается на срезе боковой поверхности корпуса. Группа указывается на торце корпуса.

Символьно — цветовая маркировка транзисторов

Отличительная особенность данной маркировки – отсутствие цифр и букв.

Типономинал транзистора обозначается на срезе боковой поверхности специальными символом (точки, горизонтальные, вертикальные или пунктирные линии) или цветной геометрической фигурой (круг, полукруг, квадрат, треугольник, ромб и др.). Маркировка группы относится одной (несколькими) точками на торце корпуса (КТ-26, КТП-4).

Цветовая гамма точек, обозначающих группу при данной маркировке, не совпадает со стандартной цветовой гаммой по ГОСТ 24709-81. Она определяется производителем.

Символ круга на боковом срезе транзистора необходимо отличать от точки, которая не имеет четкой формы, т.к. наносится кистью.

Особенности маркировки зарубежных транзисторов

Ряд зарубежных фирм использует цветовую маркировку для обозначения коэффициента усиления радиочастотных транзисторов. В таблице показана цветовая маркировка радиочастотных транзисторов фирмы MOTOROLLA. Возможно либо нанесение буквенного кода, либо цветной точки.

Всего наилучшего! До новых встреч на сайте Raschet. info.

Поделиться в социальных сетях

SMD КОДИРОВКА ТРАНЗИСТОРОВ

Обозначение на корпусе

Тип транзистора

“15” на корпусе SOT-23

MMBT3960 (Datasheet “Motorola”)

“1A” на корпусе SOT-23

BC846A (Datasheet “Taitron”)

“1B” на корпусе SOT-23

BC846B (Datasheet “Taitron”)

“1C” на корпусе SOT-23

MMBTA20LT (Datasheet “Motorola”)

“1D” на корпусе SOT-23

BC846 (Datasheet “NXP”)

“1E” на корпусе SOT-23

BC847A (Datasheet “Taitron”)

“1F” на корпусе SOT-23

BC847B (Datasheet “Taitron”)

“1G” на корпусе SOT-23

BC847C (Datasheet “Taitron”)

“1H” на корпусе SOT-23

BC847 (Datasheet “NXP”)

“1N” на корпусе SOT-416

BC847T (Datasheet “NXP”)

“1J” на корпусе SOT-23

BC848A (Datasheet “Taitron”)

“1K” на корпусе SOT-23

BC848B (Datasheet “Taitron”)

“1L” на корпусе SOT-23

BC848C (Datasheet “Taitron”)

“1M” на корпусе SOT-416

BC846T (Datasheet “NXP”)

“1M” на корпусе SOT-323

BC848W (Datasheet “NXP”)

“1M” на корпусе SOT-23

MMBTA13 (Datasheet “Motorola”)

“1N” на корпусе SOT-23

MMBTA414 (Datasheet “Motorola”)

“1V” на корпусе SOT-23

MMBT6427 (Datasheet “Motorola”)

“1P” на корпусе SOT-23

FMMT2222A,KST2222A,MMBT2222A.

“1T” на корпусе SOT-23

MMBT3960A (Datasheet “Motorola”)

“1Y” на корпусе SOT-23

MMBT3903 (Datasheet “Samsung”)

“2A” на корпусе SOT-23

FMMBT3906,KST3906,MMBT3906

“2B” на корпусе SOT-23

BC849B (Datasheet “G.S.”)

“2C” на корпусе SOT-23

BC849C (Datasheet “G.S.”)

“2E” на корпусе SOT-23

FMMTA93, KST93

“2F” на корпусе SOT-23

FMMT2907A,KST2907A,MMBT2907AT

“2G” на корпусе SOT-23

FMMTA56,KST56

“2H” на корпусе SOT-23

MMBTA55(Datasheet “Taitron”)

“2J” на корпусе SOT-23

MMBT3640(Datasheet “Fairchild”)

“2K” на корпусе SOT-23

FMMT4402(Datasheet “Zetex”)

“2M” на корпусе SOT-23

MMBT404(Datasheet “Motorola”)

“2N” на корпусе SOT-23

MMBT404A(Datasheet “Motorola”)

“2T” на корпусе SOT-23

KST4403,MMBT4403

“2V” на корпусе SOT-23

MMBTA64(Datasheet “Motorola”)

“2U” на корпусе SOT-23

MMBTA63(Datasheet “Motorola”)

“2X” на корпусе SOT-23

MMBT4401,KST4401

“3A” на корпусе SOT-23

MMBTh34(Datasheet “Motorola”)

“3B” на корпусе SOT-23

MMBT918(Datasheet “Motorola”)

“3D” на корпусе SOT-23

MMBTH81(Datasheet “Motorola”)

“3E” на корпусе SOT-23

MMBTh20(Datasheet “Motorola”)

“3F” на корпусе SOT-23

MMBT6543(Datasheet “Motorola”)

“3J-” на корпусе SOT-143B

BCV62A(Datasheet “NXP”)

“3K-” на корпусе SOT-23

BC858B(Datasheet “NXP”)

“3L-” на корпусе SOT-143B

BCV62C(Datasheet “NXP”)

“3S” на корпусе SOT-23

MMBT5551(Datasheet “Fairchild”)

“4As” на корпусе SOT-23

BC859A(Datasheet “Siemens”)

“4Bs” на корпусе SOT-23

BC859B(Datasheet “Siemens”)

“4Cs” на корпусе SOT-23

BC859C(Datasheet “Siemens”)

“4J” на корпусе SOT-23

FMMT38A(Datasheet “Zetex S. “)

“449” на корпусе SOT-23

FMMT449(Datasheet “Diodes Inc.”)

“489” на корпусе SOT-23

FMMT489(Datasheet “Diodes Inc.”)

“491” на корпусе SOT-23

FMMT491(Datasheet “Diodes Inc.”)

“493” на корпусе SOT-23

FMMT493(Datasheet “Diodes Inc.”)

“5A” на корпусе SOT-23

BC807-16(Datasheet “General Sem.”)

“5B” на корпусе SOT-23

BC807-25(Datasheet “General Sem.”)

“5C” на корпусе SOT-23

BC807-40(Datasheet “General Sem.”)

“5E” на корпусе SOT-23

BC808-16(Datasheet “General Sem.”)

“5F” на корпусе SOT-23

BC808-25(Datasheet “General Sem.”)

“5G” на корпусе SOT-23

BC808-40(Datasheet “General Sem. “)

“5J” на корпусе SOT-23

FMMT38B(Datasheet “Zetex S.”)

“549” на корпусе SOT-23

FMMT549(Datasheet “Fairchild”)

“589” на корпусе SOT-23

FMMT589(Datasheet “Fairchild”)

“591” на корпусе SOT-23

FMMT591(Datasheet “Fairchild”)

“593” на корпусе SOT-23

FMMT593(Datasheet “Fairchild”)

“6A-“,”6Ap”,”6At” на корпусе SOT-23

BC817-16(Datasheet “NXP”)

“6B-“,”6Bp”,”6Bt” на корпусе SOT-23

BC817-25(Datasheet “NXP”)

“6C-“,”6Cp”,”6Ct” на корпусе SOT-23

BC817-40(Datasheet “NXP”)

“6E-“,”6Et”,”6Et” на корпусе SOT-23

BC818-16(Datasheet “NXP”)

“6F-“,”6Ft”,”6Ft” на корпусе SOT-23

BC818-25(Datasheet “NXP”)

“6G-“,”6Gt”,”6Gt” на корпусе SOT-23

BC818-40(Datasheet “NXP”)

“7J” на корпусе SOT-23

FMMT38C(Datasheet “Zetex S. “)

“9EA” на корпусе SOT-23

BC860A(Datasheet “Fairchild”)

“9EB” на корпусе SOT-23

BC860B(Datasheet “Fairchild”)

“9EC” на корпусе SOT-23

BC860C(Datasheet “Fairchild”)

“AA” на корпусе SOT-523F

2N7002T(Datasheet “Fairchild”)

“AA” на корпусе SOT-23

BCW60A(Datasheet “Diotec Sem.”)

“AB” на корпусе SOT-23

BCW60B(Datasheet “Diotec Sem.”)

“AC” на корпусе SOT-23

BCW60C(Datasheet “Diotec Sem.”)

“AD” на корпусе SOT-23

BCW60D(Datasheet “Diotec Sem.”)

“AE” на корпусе SOT-89

BCX52(Datasheet “NXP”)

“AG” на корпусе SOT-23

BCX70G(Datasheet “Central Sem. Corp.”)

“AH” на корпусе SOT-23

BCX70H(Datasheet “Central Sem.Corp.”)

“AJ” на корпусе SOT-23

BCX70J(Datasheet “Central Sem.Corp.”)

“AK” на корпусе SOT-23

BCX70K(Datasheet “Central Sem.Corp.”)

“AL” на корпусе SOT-89

BCX53-16(Datasheet “Zetex”)

“AM” на корпусе SOT-89

BCX52-16(Datasheet “Zetex”)

“AS1” на корпусе SOT-89

BST50(Datasheet “Philips”)

“B2” на корпусе SOT-23

BSV52(Datasheet “Diotec Sem.”)

“BA” на корпусе SOT-23

BCW61A(Datasheet “Fairchild”)

“BA” на корпусе SOT-23

2SA1015LT1(Datasheet “Tip”)

“BA” на корпусе SOT-23

2SA1015(Datasheet “BL Galaxy El. “)

“BB” на корпусе SOT-23

BCW61B(Datasheet “Fairchild”)

“BC” на корпусе SOT-23

BCW61C(Datasheet “Fairchild”)

“BD” на корпусе SOT-23

BCW61D(Datasheet “Fairchild”)

“BE” на корпусе SOT-89

BCX55(Datasheet ” BL Galaxy El.”)

“BG” на корпусе SOT-89

BCX55-10(Datasheet ” BL Galaxy El.”)

“BH” на корпусе SOT-89

BCX56(Datasheet ” BL Galaxy El.”)

“BJ” на корпусе SOT-23

BCX71J(Datasheet “Diotec Sem.”)

“BK” на корпусе SOT-23

BCX71K(Datasheet “Diotec Sem.”)

“BH” на корпусе SOT-23

BCX71H(Datasheet “Diotec Sem.”)

“BG” на корпусе SOT-23

BCX71G(Datasheet “Diotec Sem. “)

“BR2” на корпусе SOT-89

BSR31(Datasheet “Zetex”)

“C1” на корпусе SOT-23

BCW29(Datasheet “Diotec Sem.”)

“C2” на корпусе SOT-23

BCW30(Datasheet “Diotec Sem.”)

“C5” на корпусе SOT-23

MMBA811C5(Datasheet “Samsung Sem.”)

“C6” на корпусе SOT-23

MMBA811C6(Datasheet “Samsung Sem.”)

“C7” на корпусе SOT-23

BCF29(Datasheet “Diotec Sem.”)

“C8” на корпусе SOT-23

BCF30(Datasheet “Diotec Sem.”)

“CEs” на корпусе SOT-23

BSS79B(Datasheet “Siemens”)

“CEC” на корпусе SOT-89

BC869(Datasheet “Philips”)

“CFs” на корпусе SOT-23

BSS79C(Datasheet “Siemens”)

“CHs” на корпусе SOT-23

BSS80B(Datasheet “Infenion”)

“CJs” на корпусе SOT-23

BSS80C(Datasheet “Infenion”)

“CMs” на корпусе SOT-23

BSS82C(Datasheet “Infenion”)

“CLs” на корпусе SOT-23

BSS82B(Datasheet “Infenion”)

“D1” на корпусе SOT-23

BCW31(Datasheet “KEC”)

“D2” на корпусе SOT-23

BCW32(Datasheet “KEC”)

“D3” на корпусе SOT-23

BCW33(Datasheet “KEC”)

D6″ на корпусе SOT-23

MMBC1622D6(Datasheet “Samsung Sem. “)

“D7t”,”D7p” на корпусе SOT-23

BCF32(Datasheet “NXP Sem.”)

“D7” на корпусе SOT-23

BCF32(Datasheet “Diotec Sem.”)

“D8” на корпусе SOT-23

BCF33(Datasheet “Diotec Sem.”)

“DA” на корпусе SOT-23

BCW67A(Datasheet “Central Sem. Corp.”)

“DB” на корпусе SOT-23

BCW67B(Datasheet “Central Sem. Corp.”)

“DC” на корпусе SOT-23

BCW67C(Datasheet “Central Sem. Corp.”)

“DF” на корпусе SOT-23

BCW67F(Datasheet “Central Sem. Corp.”)

“DG” на корпусе SOT-23

BCW67G(Datasheet “Central Sem. Corp.”)

“DH” на корпусе SOT-23

BCW67H(Datasheet “Central Sem. Corp.”)

“E2p” на корпусе SOT-23

BFS17A(Datasheet “Philips”)

“EA” на корпусе SOT-23

BCW65A(Datasheet “Central Sem. Corp.”)

“EB” на корпусе SOT-23

BCW65B(Datasheet “Central Sem. Corp.”)

“EC” на корпусе SOT-23

BCW65C(Datasheet “Central Sem. Corp.”)

“EF” на корпусе SOT-23

BCW65F(Datasheet “Central Sem. Corp.”)

“EG” на корпусе SOT-23

BCW65G(Datasheet “Central Sem. Corp.”)

“EH” на корпусе SOT-23

BCW65H(Datasheet “Central Sem. Corp.”)

“F1” на корпусе SOT-23

MMBC1009F1(Datasheet “Samsung Sem.”)

“F3” на корпусе SOT-23

MMBC1009F3(Datasheet “Samsung Sem.”)

“FA” на корпусе SOT-89

BFQ17(Datasheet “Philips”)

“FDp”,”FDt”,”FDW” на корпусе SOT-23

BCV26(Datasheet “Philips(NXP)”)

“FEp”,”FEt”,”FEW” на корпусе SOT-23

BCV46(Datasheet “Philips(NXP)”)

“FFp”,”FFt”,”FFW” на корпусе SOT-23

BCV27(Datasheet “Philips(NXP)”)

“FGp”,”FGt”,”FGW” на SOT-23

BCV47(Datasheet “Philips(NXP)”)

“GFs” на корпусе SOT-23

BFR92P(Datasheet “Infenion”)

“h2p”,”h2t”,”h2W” на корпусе SOT-23

BCV69(Datasheet “Philips(NXP)”)

“h3p”,”h3t”,”h3W” на корпусе SOT-23

BCV70(Datasheet “Philips(NXP)”)

“h4p”,”h4t” на корпусе SOT-23

BCV89(Datasheet “Philips(NXP)”)

“H7p” на корпусе SOT-23

BCF70

“K1” на корпусе SOT-23

BCW71(Datasheet “Samsung Sem. “)

“K2” на корпусе SOT-23

BCW72(Datasheet “Samsung Sem.”)

“K3p” на корпусе SOT-23

BCW81(Datasheet “Philips(NXP)”)

“K1p”,”K1t” на корпусе SOT-23

BCW71(Datasheet “Philips(NXP)”)

“K2p”,”K2t” на корпусе SOT-23

BCW72(Datasheet “Philips(NXP)”)

“K7p”,”K7t” на корпусе SOT-23

BCV71(Datasheet “Philips(NXP)”)

“K8p”,”K8t” на корпусе SOT-23

BCV72(Datasheet “Philips(NXP)”)

“K9p” на корпусе SOT-23

BCF81(Datasheet ” Guangdong Kexin Ind.Co.Ltd”)

“L1” на корпусе SOT-23

BSS65

“L2” на корпусе SOT-23

BSS69(Datasheet “Zetex Sem.”)

“L3” на корпусе SOT-23

BSS70(Datasheet “Zetex Sem. “)

“L4” на корпусе SOT-23

2SC1623L4(Datasheet “BL Galaxy El.”)

“L5” на корпусе SOT-23

BSS65R

“L6” на корпусе SOT-23

BSS69R(Datasheet “Zetex Sem.”)

“L7” на корпусе SOT-23

BSS70R(Datasheet “Zetex Sem.”)

“M3” на корпусе SOT-23

MMBA812M3(Datasheet “Samsung Sem.”)

“M4” на корпусе SOT-23

MMBA812M4(Datasheet “Samsung Sem.”)

“M5” на корпусе SOT-23

MMBA812M5(Datasheet “Samsung Sem.”)

“M6” на корпусе SOT-23

MMBA812M6(Datasheet “Samsung Sem.”)

“M6P” на корпусе SOT-23

BSR58(Datasheet “Philips(NXP)”)

“M7” на корпусе SOT-23

MMBA812M7(Datasheet “Samsung Sem. “)

“P1” на корпусе SOT-23

BFR92(Datasheet “Vishay Telefunken”)

“P2” на корпусе SOT-23

BFR92A(Datasheet “Vishay Telefunken”)

“P4” на корпусе SOT-23

BFR92R(Datasheet “Vishay Telefunken”)

“P5” на корпусе SOT-23

FMMT2369A(Datasheet “Zetex Sem.”)

“Q2” на корпусе SOT-23

MMBC1321Q2(Datasheet “Motorola Sc.”)

“Q3” на корпусе SOT-23

MMBC1321Q3(Datasheet “Motorola Sc.”)

“Q4” на корпусе SOT-23

MMBC1321Q4(Datasheet “Motorola Sc.”)

“Q5” на корпусе SOT-23

MMBC1321Q5(Datasheet “Motorola Sc.”)

“R1p” на корпусе SOT-23

BFR93(Datasheet “Philips(NXP)”)

“R2p” на корпусе SOT-23

BFR93A(Datasheet “Philips(NXP)”)

“s1A” на корпусах SOT-23,SOT-363

SMBT3904(Datasheet “Infineon”)

“s1D” на корпусе SOT-23

SMBTA42(Datasheet “Infineon”)

“S2” на корпусе SOT-23

MMBA813S2(Datasheet “Motorola Sc. “)

“s2A” на корпусе SOT-23

SMBT3906(Datasheet “Infineon”)

“s2D” на корпусе SOT-23

SMBTA92(Datasheet “Siemens Sem.”)

“s2F” на корпусе SOT-23

SMBT2907A(Datasheet “Infineon”)

“S3” на корпусе SOT-23

MMBA813S3(Datasheet “Motorola Sc.”)

“S4” на корпусе SOT-23

MMBA813S4(Datasheet “Motorola Sc.”)

“T1″на корпусе SOT-23

BCX17(Datasheet “Philips(NXP)”)

“T2″на корпусе SOT-23

BCX18(Datasheet “Philips(NXP)”)

“T7″на корпусе SOT-23

BSR15(Datasheet “Diotec Sem.”)

“T8″на корпусе SOT-23

BSR16 (Datasheet “Diotec Sem.”)

“U1p”,”U1t”,”U1W”на корпусе SOT-23

BCX19 (Datasheet “Philips(NXP)”)

“U2″на корпусе SOT-23

BCX20 (Datasheet “Diotec Sem. “)

“U7p”,”U7t”,”U7W”на корпусе SOT-23

BSR13 (Datasheet “Philips(NXP)”)

“U8p”,”U8t”,”U8W”на корпусе SOT-23

BSR14 (Datasheet “Philips(NXP)”)

“U92” на корпусе SOT-23

BSR17A (Datasheet “Philips”)

“Z2V” на корпусе SOT-23

FMMTA64 (Datasheet “Zetex Sem.”)

“ZD” на корпусе SOT-23

MMBT4125 (Datasheet “Samsung Sem.”)

SMD транзисторы, маркировка, расшифровка. Коды: BER … FA

Большая база на биполярные транзисторы в SMD исполнении

Для поиска используйте комбинацию Ctrl+F.

В столбце Код транзистора указаны варианты кодовой маркировки данного элемента. Группа из 2-5 кодов отличающиеся одним символом в конце кода могут принадлежать одному типу транзистора, отличие кодов подразумевается разницей параметра Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ.  

Коды: BER … FA
КодТипКодТипКодТипКодТип
BER2SB1260BES2SB1122BET2SB1122BEU2SB1122
BFP2SB1308BFQ2SB1308BFR2SB1123BFR2SB1308
BFS2SB1123BFT2SB1123BFU2SB1123BGR2SB1124
BGS2SB1124BGT2SB1124BGU2SB1124BH2SB1001
BH2SB1125BHP2SB1386BHQ2SB1386BHR2SB1386
BJ2SB1427BJ2SB1001BJE2SB1427BJR2SB1302
BJS2SB1302BJT2SB1302BK2SB1323BK2SB1590K
BKQ2SB1590KBl2SB1126BL2SB1324BL2SB1561
BLQ2SB1561BM2SB1325BMS2SC4713KBMS2SC4774
BN2SB1394BN2SB1580BO2SA1200BOS2SB1396
BOT2SB1396BOU2SB1396BP2SB1397BQ2SB766A
BQ2SC2412KBQ2SC4617BQ2SC5658BQ2SC4081
BQ2SB1218ABQ2SB709ABR2SB766ABR2SC2412K
BR2SC4617BR2SC5658BR2SC4081BR2SB1218A
BR2SB709ABS2SB766ABS2SC2412KBS2SC4617
BS2SC5658BS2SC4081BS2SB1218ABS2SB709A
BT2SB1048BV12SB624BV22SB624BV32SB624
BV42SB624BV52SB624BW2SA2018BW2SA2030
BW2SA2119KBW12SB736BW22SB736BW32SB736
BW42SB736BW52SB736BX2SC5585BX2SC5663
BY2SA1200C2SB1219C2SB710C12SC5614
C22SC5614C2946K2SC2946(1)C2946L2SC2946(1)C2946M2SC2946(1)
C2946N2SC2946(1)C2983O2SC2983C2983Y2SC2983C3072A2SC3072
C3072B2SC3072C3072C2SC3072C3074O2SC3074C3074Y2SC3074
C30752SC3075C3076O2SC3076C3076Y2SC3076C32332SC3233
C3303O2SC3303C3303Y2SC3303C34052SC3405C34742SC3474
C3518K2SC3518-ZC3518L2SC3518-ZC3518M2SC3518-ZC3588K2SC3588-Z
C3588L2SC3588-ZC3588M2SC3588-ZC3631K2SC3631-ZC3631L2SC3631-Z
C3632K2SC3632-ZC3632L2SC3632-ZC3632M2SC3632-ZC38052SC3805
C42032SC4203C4331K2SC4331-ZC4331L2SC4331-ZC4331M2SC4331-Z
C4332K2SC4332-ZC4332L2SC4332-ZC4332M2SC4332-ZC46842SC4684
C52SC5674C5001Q2SC5001C5001R2SC5001C5161B2SC5161
C535552SC5355C535562SC5356C5825Q2SC5825C5825R2SC5825
C58862SC5886C72SC5231C82SC5231C92SC5231
CA2SA1866CAR2SC3645CAS2SC3645CAT2SC3645
CB2SC4997CB2SC4998CBG2SC3324CBL2SC3324
CBP2SC4132CBQ2SC4132CBR2SC3646CBR2SC4132
CBS2SC3646CBT2SC3646CC2SA2081CC2SA1122
CCA2SC3326CCB2SC3326CCR2SC3647CCS2SC3647
CCT2SC3647CD2SA2081CD2SA1122CDC2SC4673
CDD2SC4673CDE2SC4673CE2SA2081CE2SA1122
CEG2SC3325CEL2SC3325CEP2SC4505CEQ2SC4505
CF2SC3650CG2SA1163CG2SA1587CG2SC3651
CGQ2SC5053CGR2SC5053CH2SB1002CHD2SC4272
CHE2SC4272CHF2SC4272CHO2SC3437CHO2SC4667
CHR2SC3437CHR2SC4667CHY2SC3437CHY2SC4667
CJ2SB1002CKR2SC4520CKS2SC4520CKT2SC4520
CL2SA1163CL2SA1587ClC2SC4080ClD2SC4080
ClE2SC4080ClF2SC4080CLR2SC4521CLS2SC4521
CLT2SC4521CMB2SC4504CMC2SC4504CME2SC4504
CN2SC5537CN32SC4853CN42SC4855CN42SC4853
CN52SC4854CN52SC4853CN52SC4855CN62SC4855
CN62SC4854CN72SC4854CND2SC4548CNE2SC4548
CO2SC2881CO2SC4209CO2SC5087CO2SC4519
CO2SC5087CP2SC2411KCP2SC4705CQ2SC4097
CQ2SB767CQ2SB1219CQ2SC2411KCQ2SB710
CR2SC4422CR2SB1219CR2SC2411KCR2SB710
CR2SC4097CR2SB767CS2SB1219CS2SB710
CS32SA1682CS42SA1682CS52SA1682CT52SD1935
CT62SD1935CT72SD1935CT82SD1935CTS2SC4984
CTT2SC4984CTU2SC4984CU2SC5069CY2SC2881
CY2SC4209CYD2SC5229CYE2SC5229CYF2SC5229
CZD2SC5347CZE2SC5347CZF2SC5347D2SB1219A
D2SB710AD12SC5615D12SC5277D152SC1622A
D162SC1622AD172SC1622AD182SC1622AD22SC5615
D22SC5277D32SC5277D42SA1252D52SA1687
D52SA1252D62SA1252D62SA1687D72SA1252
D72SA1687DA2SC4919DB2SA1669DD2SC2463
DDR2SD1621DDS2SD1621DDT2SD1621DDU2SD1621
DE2SC2463DER2SD1622DES2SD1622DET2SD1622
DEU2SD1622DF2SC2463DFR2SD1623DFS2SD1623
DFT2SD1623DFU2SD1623DG2SC4117DGR2SD1624
DGS2SD1624DGT2SD1624DGU2SD1624DH2SB1025
DH2SD1625DJ2SB1025DK2SB1025DK2SB798
DKP2SC4672DKQ2SC4672DL2SB1026DL2SD1626
DL2SD2099DL2SC4117DL2SB798DM2SB798
DM2SD1998DM2SB1026DN2SD1999DO2SA1201
DO2SA1620DO2SD1997DO2SC5092DP2SD2100
DQ2SB789DQ2SB1219ADQ2SB710ADR2SC5092
DR2SC4643DR2SB1219ADR2SB710ADR2SB789
DS2SB1219ADS2SB710ADS32SA1728DS42SA1728
DS52SA1728DVP2SC4782DVQ2SC4782DVR2SC4782
DY2SA1201DY2SA1620E2SA2164E22SA1226
E32SA1256E32SA1688E32SA1226E42SA1226
E42SA1256E42SA1688E52SA1256E52SA1688
EA2SA1532EA2SC4920EAE2SC5415EAF2SC5415
EB2SA1022EB2SA1790JEB2SA1532EC2SC2732
EC2SC4462EC2SA1532EC2SA1022EC2SA1790J
EH2SB1027EJ2SB1027EK2SB1027EL2SB1028
EM2SB1028EN32SC4861EN42SC4861EN52SC4861
EO2SC2882EO2SC3265EO2SC5097EQ2SB789A
ER2SC5097ER2SC4807ER2SB789AES2SB1694
ES52SA1745ES52SA1753ES62SA1745ES62SA1753
ES72SA1745ES72SA1753EV2SB1689EV2SB1709
EV2SB1732EW2SB1710EW2SB1733EY2SC2882
EY2SC3265F22SC2814F32SC4399F32SC2814
F42SC2814F42SC4399F52SC2814F52SC4399
FA2SC5232FA2SC5233FA2SC5376FA2SC5376F
Коды: * 2 … BER * BER … FA * FA … MER * MER … TT * TY … ZY *

Устройство и маркировка биполярного транзистора

Здравствуйте уважаемые читатели сайта sesaga. ru. Продолжаем знакомиться с полупроводниковыми приборами и с этой статьи начнем разбираться с транзистором. В этой части мы познакомимся с устройством и маркировкой биполярных транзисторов.

Полупроводниковые транзисторы бывают двух видов: биполярные и полевые.
В отличие от полевых транзисторов биполярные получили наиболее широкое применение в радиоэлектронике, а чтобы эти транзисторы как-то отличать друг от друга, биполярные принято называть просто — транзисторами.

1. Устройство и обозначение биполярного транзистора.

Схематично биполярный транзистор можно представить в виде пластины полупроводника с чередующимися областями разной электропроводности, которые образуют два p-n перехода. Причем обе крайние области обладают электропроводностью одного типа, а средняя область электропроводностью другого типа, и где каждая из областей имеет свой контактный вывод.

Если в крайних областях полупроводника преобладает дырочная электропроводность, а в средней области электронная, то такой полупроводниковый прибор называют транзистором структуры p-n-p.

А если в крайних областях преобладает электронная электропроводность, а в средней дырочная, то такой транзистор имеет структуру n-p-n.

А теперь возьмем схематичную часть транзистора и прикроем любую крайнюю область, например, область коллектора, и посмотрим на результат: у нас остались открытыми область базы и эмиттера, то есть получился полупроводник с одним p-n переходом или обычный полупроводниковый диод. О диодах можно почитать здесь.

Если же мы прикроем область эмиттера, то останутся открытыми области базы и коллектора — и также получается диод.

Отсюда возникает вывод, что биполярный транзистор можно представить в виде двух диодов с одной общей областью, включенных навстречу друг другу. При этом общая (средняя) область называется базой, а примыкающие к базе области коллектором и эмиттером. Это и есть три электрода транзистора.

Примыкающие к базе области делают неодинаковыми: одну из областей изготавливают так, чтобы из нее наиболее эффективно происходил ввод (инжекция) носителей заряда в базу, а другую область делают таким-образом, чтобы в нее эффективно осуществлялся вывод (экстракция) носителей заряда из базы.

Отсюда получается:

область транзистора, назначением которой является ввод (инжекция) носителей зарядов в базу называется эмиттером, и соответствующий p-n переход эмиттерным.

область транзистора, назначением которой является вывод (экстракция) носителей из базы, называется коллектором, и соответствующий p-n переход коллекторным.

То есть получается, что эмиттер вводит электрические заряды в базу, а коллектор их забирает.

Различие в обозначениях транзисторов разных структур на принципиальных схемах заключается лишь в направлении стрелки эмиттера: в p-n-p транзисторах она обращена в сторону базы, а в n-p-n транзисторах – от базы.

2. Технология изготовления биполярных транзисторов.

Технология изготовления транзисторов ни чем не отличается от технологии изготовления диодов. Еще в начальный период развития транзисторной техники биполярные транзисторы делали только из германия методом вплавления примесей, и такие транзисторы называют сплавными.

Берется кристалл германия и в него вплавляются кусочки индия.
Атомы индия диффузируют (проникают) в тело кристалла германия, образуя в нем две области p-типа – коллектор и эмиттер. Между этими областями остается очень тонкая (несколько микрон) прослойка полупроводника n-типа, которую именуют базой. А чтобы защитить кристалл от влияния света и механического воздействия его помещают в металлостеклянный, металлокерамический или пластмассовый корпус.

На картинке ниже показано схематическое устройство и конструкция сплавного транзистора, собранного на металлическом диске диаметром менее 10 мм. Сверху к этому диску приварен кристаллодержатель, являющийся внутренним выводом базы, а снизу диска – ее наружный проволочный вывод.

Внутренние выводы коллектора и эмиттера приварены к проводникам, которые впаяны в стеклянные изоляторы и служат внешними выводами этих электродов. Металлический колпак защищает прибор от влияния света и механических повреждений. Так устроены наиболее распространенные маломощные низкочастотные германиевые транзисторы из серии МП37 — МП42.

В обозначении буква «М» говорит, что корпус транзистора холодносварной, буква «П» — это первая буква слова «плоскостной», а цифры означают порядковый заводской номер транзистора. Как правило, после заводского номера ставят буквы А, Б, В, Г и т.д., указывающие на разновидность транзистора в данной серии, например, МП42Б.

С появлением новых технологий научились обрабатывать кристаллы кремния, и уже на его основе были созданы кремниевые транзисторы, получившие наиболее широкое применение в радиотехнике и на сегодняшний день практически полностью вытеснившие германиевые приборы.

Кремниевые транзисторы могут работать при более высоких температурах (до 125ºС), имеют меньшие обратные токи коллектора и эмиттера, а также более высокие пробивные напряжения.

Основным методом изготовления современных транзисторов является планарная технология, а транзисторы, выполненные по этой технологии, называют планарными. У таких транзисторов p-n переходы эмиттер-база и коллектор-база находятся в одной плоскости. Суть метода заключается в диффузии (вплавлении) в пластину исходного кремния примеси, которая может находиться в газообразной, жидкой или твердой фазе.

Как правило, коллектором транзистора, изготовленного по такой технологии, служит пластина исходного кремния, на поверхность которой вплавляют близко друг от друга два шарика примесных элементов. В процессе нагрева до строго определенной температуры происходит диффузия примесных элементов в пластину кремния.

При этом один шарик образует в пластине тонкую базовую область, а другой эмиттерную. В результате в пластине исходного кремния образуются два p-n перехода, образующие транзистор структуры p-n-p. По такой технологии изготавливают наиболее распространенные кремниевые транзисторы.

Также для изготовления транзисторных структур широко используются комбинированные методы: сплавление и диффузия или сочетание различных вариантов диффузии (двусторонняя, двойная односторонняя). Возможный пример такого транзистора: базовая область может быть диффузионная, а коллектор и эмиттер – сплавные.

Использование той или иной технологии при создании полупроводниковых приборов диктуется различными соображениями, связанными с техническими и экономическими показателями, а также их надежностью.

3. Маркировка биполярных транзисторов.

На сегодняшний день маркировка транзисторов, согласно которой их различают и выпускают на производствах, состоит из четырех элементов.
Например: ГТ109А, ГТ328, 1Т310В, КТ203Б, КТ817А, 2Т903В.

Первый элемент — буква Г, К, А или цифра 1, 2, 3 – характеризует полупроводниковый материал и температурные условия работы транзистора.

1. Буква Г или цифра 1 присваивается германиевым транзисторам;
2. Буква К или цифра 2 присваивается кремниевым транзисторам;
3. Буква А или цифра 3 присваивается транзисторам, полупроводниковым материалом которых служит арсенид галлия.

Цифра, стоящая вместо буквы, указывает на то, что данный транзистор может работать при повышенных температурах: германий – выше 60ºС, а кремний – выше 85ºС.

Второй элемент – буква Т от начального слова «транзистор».

Третий элемент – трехзначное число от 101 до 999 – указывает порядковый заводской номер разработки и назначение транзистора. Эти параметры даны в справочнике по транзисторам.

Четвертый элемент – буква от А до К – указывает разновидность транзисторов данной серии.

Однако до сих пор еще можно встретить транзисторы, на которых стоит более ранняя система обозначения, например, П27, П213, П401, П416, МП39 и т.д. Такие транзисторы выпускались еще в 60 — 70-х годах до введения современной маркировки полупроводниковых приборов. Пусть эти транзисторы устарели, но они все еще пользуются популярностью и применяются в радиолюбительских схемах.

В рамках этой части статьи мы рассмотрели лишь общие методы изготовления транзисторных структур, чтобы начинающему радиолюбителю было легче понять внутреннее устройство транзистора.

На этом мы закончим, а в следующей части проведем несколько опытов и на их основе сделаем практические выводы о работе биполярного транзистора.
Удачи!

Литература:

1. Борисов В.Г — Юный радиолюбитель. 1985г.
2. Пасынков В.В., Чиркин Л.К — Полупроводниковые приборы: Учеб. для вузов по спец. «Полупроводники и диэлектрики» и «Полупроводниковые и микроэлектронные приборы» — 4-е изд. перераб. и доп. 1987г.

Маркировка транзисторов серий КТ814, КТ815, КТ816, КТ817

Статистика

Онлайн всего: 1

Гостей: 1

Пользователей: 0

Календарь
«  Март 2021  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
1234567
891011121314
15161718192021
22232425262728
293031
Друзья сайта
У сайта есть друзья – это ВЫ!

Маркировка транзисторов серий КТ814, КТ815, КТ816, КТ817

    Ниже приведена маркировка и цоколевка транзисторов серий КТ814, КТ815, КТ816, КТ817, представленных в корпусе КТ-27. Буква на транзисторе соответственно показывает буквенную группу транзистора (4А – кт814А; 5Б – кт815Б). Два последних символа (U2, V4, B1 и т.д.) показывают дату выпуска.



Маркировка SMD-транзисторов

ОТ КАТОДА ДО АНОДА

Поиск по сайту


Маркировка SMD-транзисторов


Обозначение
на корпусе
Тип транзистораАналог
15MMBT39602N3960
1ABC846ABC546A
1BBC846BBC546B
1CMMBTA20MPSA20
1DBC846
1EBC847ABC547A
1FBC847BBC547B
1GBC847CBC547C
1HBC847
1JBC848ABC548A
1KBC848BBC548B
1LBC848CBC548C
1MBC848
1PFMMT2222A2N2222A
1TMMBT3960A2N3960A
1XMMBT930
1YMMBT39032N3903
2AFMMT39062N3906
2BBC849BBC549B
2CBC849CBC549C
BC109C
MMBTA70
2EFMMTA93
2FBC850BBC550B
2GBC850CBC550C
2JMMBT36402N3640
2KMMBT8598
2MMMBT404
2NMMBT404A
2TMMBT44032N4403
2WMMBT8599
2XMMBT44012N4401
3ABC856ABC556A
3BBC856BBC556B
3DBC856
3EBC857ABC557A
3FBC857BBC557B
3GBC857CBC557C
3JBC858ABC558A
3KBC858BBC558B
3LBC858CBC558C
3SMMBT5551


Обозначение
на корпусе
Тип транзистораАналог
4ABC859ABC559A
4BBC859BBC559B
4CBC859CBC559C
4EBC860ABC560A
4FBC860BBC560B
4GBC860CBC560C
4JFMMT38A
449FMMT449
489FMMT489
491FMMT491
493FMMT493
5ABC807-16BC327-16
5BBC807-25BC327-25
5CBC807-40BC327-40
5EBC808-16BC328-16
5FBC808-25BC328-25
5GBC808-40BC328-40
549FMMT549
589FMMT589
591FMMT591
593FMMT593
6ABC817-16BC337-16
6BBC817-25BC337-25
6CBC817-40BC337-40
6EBC818-16BC338-16
6FBC818-25BC338-25
6GBC818-40BC338-40
9BC849BLT1
AABCW60ABC636
ABBCW60B
ACBCW60CBC548B
ADBCW60D
AEBCX52
AGBCX70G
AHBCX70H
AJBCX70J
AKBCX70K
ALMMBTA55
AMBSS642N3638
AS1BST50BSR50
B2BSV522N2369A
BABCW61ABC635
BBBCW61B
BCBCW61C
BDBCW61D
BEBCX55
BGBCX71G
BHBCX71HBC639
BJBCX71J
BKBCX71K
BNMMBT3638A2N3638A
BR2BSR312N4031
C1BCW29
C2BCW30BC178B
BC558B
C5MMBA811C5
C6MMBA811C6
C7BCF29
C8BCF30
CEBSS79B
CECBC869BC369
CFBSS79C
CHBSS82B
BSS80B
CJBSS80C
CMBSS82C


Обозначение
на корпусе
Тип транзистораАналог
D1BCW31BC108A
BC548A
D2BCW32BC108A
BC548A
D3BCW33BC108C
BC548C
D6MMBC1622D6
D7BCF32
D8BCF33BC549C
BCY58
MMBC1622D8
DABCW67A
DBBCW67B
DCBCW67C
DEBFN18
DFBCW68F
DGBCW68G
DHBCW68H
E1BFS17BFY90
BFW92
EABCW65A
EBBCW65B
ECBCW65C
EDBCW65C
EFBCW66F
EGBCW66G
EHBCW66H
F1MMBC1009F1
F3MMBC1009F3
FABFQ17BFW16A
FDBCV26MPSA64
FEBCV46MPSA77
FFBCV27MPSA14
FGBCV47MPSA27
GFBFR92P
h2BCW69
h3BCW70BC557B
h4BCW89
H7BCF70
K1BCW71BC547A
K2BCW72BC547B
K3BCW81
K4BCW71R
K7BCV71
K8BCV72
K9BCF81
L1BSS65
L2BSS70
L3MMBC1623L3
L4MMBC1623L4
L5MMBC1623L5
L6MMBC1623L6
L7MMBC1623L7
M3MMBA812M3
M4MMBA812M4
M5MMBA812M5
M6BSR58
MMBA812M6
2N4858
M7MMBA812M7
O2BST82
P1BFR92BFR90
P2BFR92ABFR90
P5FMMT2369A2N2369A
Q3MMBC1321Q3
Q4MMBC1321Q4
Q5MMBC1321Q5
R1BFR93BFR91
R2BFR93ABFR91
S1ASMBT3904
S1DSMBTA42
S2MMBA813S2
S2ASMBT3906
S2DSMBTA92
S2FSMBT2907A
S3MMBA813S3
S4MMBA813S4
T1BCX17BC327
T2BCX18
T7BSR152N2907A
T8BSR162N2907A
U1BCX19BC337
U2BCX20
U7BSR132N2222A
U8BSR142N2222A
U9BSR17
U92BSR17A2N3904
Z2VFMMTA64
ZDMMBT41252N4125


Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов

Все чаще и чаще в своих разработках отечественные радиолюбители применяют импортные радиодетали. Обусловлено это многими причинами. Например, если для жителей крупных городов-миллионников проблем с приобретением радиодеталей практически не существует, то для жителей регионов проблема становиться все актуальнее, чем дальше он проживает от областного центра. Поэтому, с развитием интернет торговли, многие переходят на покупку деталей в онлайн, и все чаще на сайты зарубежных магазинов. Еще одна из причин — отсутствие необходимых радиоэлементов в отечественной промышленности. И параметры элементов. Да и просто эстетический вид элемента.

Не так важно, почему мы применяем импортные радиоэлементы, важно разобраться как они обозначаются, что бы иметь представление о том, с чем мы имеем дело. Поэтому пишу для себя небольшую шпаргалку по обозначению импортных полупроводниковых радиоэлементов.

Для обозначения полупроводниковых приборов в странах дальнего зарубежья (относительно бывшего СССР) существует три системы обозначения радиоэлементов:

Некоторые крупные производители полупроводников вводят свои системы обозначений. Например, Samsung, Nec, и другие.  Рассмотрим системы обозначений более подробно.

Американская система обозначений JEDEK

Обозначение элементов состоит из четырех элементов.

Элемент 1. Содержит цифру, которая показывает количество p-n переходов:

1 — диод
2 — транзистор
3 — тиристор

Элемент 2. После цифры идет буква N (номинал?).

Элемент 3. Содержит серийный номер.

Элемент 4. Может содержать буквы или буквы и цифры. Этот элемент обозначает разные параметры для приборов одного типа.

Пример обозначений: 1N4148, 2N2906A, 2N7002LT1.

Элемент 1Элемент 2Элемент 3Элемент 4
Число P-N переходов:
1 — диод
2 — транзистор
3 — тиристор
Буква
N
Серийный номер:
100-9999
Буква:
модификация прибора

Европейская система обозначений PRO ELECTRON

Европейская система более богата в обозначениях. Основа обозначения состоит из пяти символов. Элементы для широкого применения обозначаются как ДВЕ буквы и ТРИ цифры. Элементы для специальных применений — ТРИ буквы и ДВЕ цифры. В любом случае, значение имеют только первые две буквы. Оставшиеся цифры или буква и цифры означают порядковый номер или особое обозначение прибора.

После этого может следовать буква, которая обозначает модификацию параметров приборов одного типа. Как правило, для биполярных транзисторов она означает коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока.

Элемент 1. Первая буква — код материала.

А — германий
В — кремний
С — арсенид галлия
R — сульфид кадмия

Элемент 2. Вторая буква — назначение

А — маломощный диод
В — варикап
С — маломощный низкочастотный транзистор
D — мощный низкочастотный транзистор
Е — туннельный диод
F — маломощный высокочастотный транзистор
G — несколько приборов в одном корпусе
Н — магнитодиод
L — мощный высокочастотный транзистор
М — датчик Холла
Р — фотодиод, фототранзистор
Q — светодиод
R — маломощный регулирующий или переключающий прибор
S — маломощный переключательный транзистор
Т — мощный регулирующий или переключающий прибор
U — мощный переключательный транзистор
Х — умножительный диод
Y — мощный выпрямительный диод
Z — стабилитрон

Элемент 3. Цифры или буква и цифры: 100…999 — приборы широкого применения, Z10…A99 — приборы для промышленной и специальной аппаратуры

Элемент 4 и 5.  Буквы или буква и цифры:

  • для стабилитронов — допустимое изменение номинального напряжения стабилизации (буква) и напряжение стабилизации в вольтах (цифра): А = 1 %; В = 2%; С = 5%; D = 10%; Е = 15%.
  • Для выпрямительных диодов, у которых анод соединен с корпусом (R) — мак­симальная амплитуда обратного напряжения в вольтах (цифра).
  • Для тиристоров, анод которых соединен с корпусом (R) — меньшее из значений максимального напряжение включения или максимальная амплитуда обратного напряжения в вольтах (цифра).

На предприятиях Польши перед тремя цифрами для приборов широкого применения ставится Р и перед двумя цифрами для приборов промышленного или специального назначения ставится ZP, YP, ХР или WP.

Пример обозначений: BZY56, ВС548B, BF492, BU301, BZV55C15.

Элемент 1Элемент 2Элемент 3Элемент 4
Буква — код материала:
А – германий
В – кремний
С – арсенид галлия
R – сульфид кадмия
Буква – назначение
А — маломощный диод
В — варикап
С — маломощный низкочастотный транзистор
D — мощный низкочастотный транзистор
Е — туннельный диод
F — маломощный высокочастотный транзистор
G — несколько приборов в одном корпусе
Н — магнитодиод
L — мощный высокочастотный транзистор
М — датчик Холла
Р — фотодиод, фототранзистор
Q — светодиод
R — маломощный регулирующий или переключающий прибор
S — маломощный переключательный транзистор
Т — мощный регулирующий или переключающий прибор
U — мощный переключательный транзистор
Х — умножительный диод
Y — мощный выпрямительный диод
Z — стабилитрон
Серийный номер:
100-999
приборы общего назначенияZ10…A99
приборы
для промышленного
и специального назначения
Буква:
модификация прибора

Японская система обозначений JIC

Наверно самая универсальная система обозначений. Система JIC — это комбинация обозначений по системам JEDEC и Pro-Electron. Условное обозначение в этой системе состоит из пяти элементов:

Элемент 1. Цифра, обозначающая класс полупроводникового прибора:

0 — фотодиод, фототранзистор
1 — диод
2 — транзистор
3 — тиристор

Элемент 2. Буква S (Semiconductor).
Элемент 3. Тип полупроводникового прибора:

А — высокочастотный p-n-p транзистор
В — низкочастотный p-n-p транзистор
С — высокочастотный n-p-n транзистор
D — низкочастотный n-p-n транзистор
Е — диод Есаки
F — тиристор
G — диод Ганна
Н — однопереходный транзистор
I — полевой транзистор с p-каналом
К — полевой транзистор с n-каналом
М — симметричный тиристор (симистор)
Q — светодиод
R — выпрямительный диод
S — слаботочный диод
Т — лавинный диод
V — варикап
Z — стабилитрон

Элемент 4. Обозначает регистрационный номер и начиная с числа 11.

Элемент 5. Одна или две буквы, которые обозначают разные параметры для приборов одного типа (для биполярных транзисторов это коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока, реже допустимое напряжение).Может отсутствовать.

Элемент 6. Дополнительный индекс «N», «М» или «S», показывающий отношение к требованиям специальных стандартов. У фотоприборов третий элемент маркировки отсутствует.

Пример обозначений: 2SA733, 2SB1116A, 2SC945, 2SD1555.

Маркировка на корпусе прибора часто наносится без первой цифры и буквы. Например: 2SA733 маркируется как А733; 2SB1116A — B1U6A; 2SC945-С945; 2SD1555 — D1555 и т. д.

Другие системы обозначения полупроводниковых элементов

Некоторые фирмы для обозначения своих разработок используют собственную маркировку. Например, фирма SAMSUNG в обозначении некоторых транзисторов использует буквы SS (SS8050B, SS9014C). Фирма MOTOROLA — MJ, MJE, MM, MMT, MPQ, MPS (MJ3521, MJ13003, MJE350, MM1812, MPS5551M, MPS A-92).

Популярные транзисторы фирмы Samsung — SS8050, SS8550, SS9012, SS9013, SS9014 и SS9015 маркируются без первой буквы S. Аналоги этих транзисторов выпускают многие фирмы разных стран. Поэтому, например, транзистор S9014 Вы можете встретить с маркировкой — С9014, Н9014, L9014 или К9014. Транзистор S8050 — С8050 и т. п.

Еще примеры:

  • RCA — RCA
  • RCS — RCS
  • TIP — Texas Instruments power transistor (platic case)
  • TIPL — TI planar power transistor
  • TIS — TI small signal transistor (plastic case)
  • ZT — Ferranti
  • ZTX — Ferranti

Пример обозначений: ZTX302, TIP31A, MJE3055, TIS43.

Base64 Кодирование «транзистора» – Base64 Encode and Decode

Около Встречайте Base64 Decode and Encode, простой онлайн-инструмент, который делает именно то, что говорит: декодирует из кодировки Base64, а также быстро и легко кодирует в нее. Base64 кодирует ваши данные без проблем или декодирует их в удобочитаемый формат. Схемы кодирования

Base64 обычно используются, когда необходимо кодировать двоичные данные, особенно когда эти данные необходимо хранить и передавать на носителях, предназначенных для работы с текстом.Это кодирование помогает гарантировать, что данные останутся нетронутыми без изменений во время транспортировки. Base64 обычно используется в ряде приложений, включая электронную почту через MIME, а также для хранения сложных данных в XML или JSON.

Дополнительные параметры

  • Набор символов: На нашем веб-сайте используется набор символов UTF-8, поэтому ваши входные данные передаются в этом формате. Измените этот параметр, если вы хотите преобразовать данные в другой набор символов перед кодированием.Обратите внимание, что в случае текстовых данных схема кодирования не содержит набора символов, поэтому вам, возможно, придется указать соответствующий набор в процессе декодирования. Что касается файлов, по умолчанию используется двоичный параметр, который не учитывает преобразование; эта опция требуется для всего, кроме текстовых документов.
  • Разделитель новой строки: В системах Unix и Windows используются разные символы разрыва строки, поэтому перед кодированием любой вариант будет заменен в ваших данных выбранным параметром.Для раздела файлов это частично не имеет значения, поскольку файлы уже содержат соответствующие разделители, но вы можете определить, какой из них использовать для функций «кодировать каждую строку отдельно» и «разбивать строки на фрагменты».
  • Кодировать каждую строку отдельно: Даже символы новой строки преобразуются в их закодированные в Base64 формы. Используйте эту опцию, если вы хотите закодировать несколько независимых записей данных, разделенных переносом строки. (*)
  • Разделить строки на фрагменты: Закодированные данные станут непрерывным текстом без пробелов, поэтому отметьте этот параметр, если хотите разбить его на несколько строк. Применяемое ограничение на количество символов определено в спецификации MIME (RFC 2045), в которой указано, что длина закодированных строк не должна превышать 76 символов. (*)
  • Выполнить безопасное кодирование URL: Использование стандартного Base64 в URL требует кодирования символов «+», «/» и «=» в их процентной кодированной форме, что делает строку излишне длиннее. Включите эту опцию для кодирования в вариант Base64, удобный для URL и имени файла (RFC 4648 / Base64URL), где символы «+» и «/» соответственно заменены на «-» и «_», а также заполнение «= знаки опущены.
  • Режим реального времени: Когда вы включаете эту опцию, введенные данные немедленно кодируются с помощью встроенных функций JavaScript вашего браузера, без отправки какой-либо информации на наши серверы. В настоящее время этот режим поддерживает только набор символов UTF-8.
(*) Эти параметры нельзя включить одновременно, поскольку результирующий вывод не будет действителен для большинства приложений.

Надежно и надежно

Все коммуникации с нашими серверами происходят через безопасные зашифрованные соединения SSL (https).Мы удаляем загруженные файлы с наших серверов сразу после обработки, а полученный загружаемый файл удаляется сразу после первой попытки загрузки или 15 минут бездействия (в зависимости от того, что короче). Мы никоим образом не храним и не проверяем содержимое отправленных данных или загруженных файлов. Ознакомьтесь с нашей политикой конфиденциальности ниже для получения более подробной информации.

Совершенно бесплатно

Наш инструмент можно использовать бесплатно. Отныне вам не нужно скачивать какое-либо программное обеспечение для таких простых задач.

Подробная информация о кодировке Base64

Base64 – это общий термин для ряда аналогичных схем кодирования, которые кодируют двоичные данные, обрабатывая их численно и переводя в представление base-64. Термин Base64 происходит от конкретной кодировки передачи содержимого MIME.

Дизайн

Конкретный выбор символов для создания 64 символов, необходимых для Base64, зависит от реализации. Общее правило состоит в том, чтобы выбрать набор из 64 символов, который является как 1) частью подмножества, общего для большинства кодировок, и 2) также пригодным для печати.Эта комбинация оставляет маловероятным изменение данных при передаче через такие системы, как электронная почта, которые традиционно не были 8-битными чистыми. Например, реализация MIME Base64 использует A-Z, a-z и 0-9 для первых 62 значений, а также «+» и «/» для последних двух. Другие варианты, обычно производные от Base64, разделяют это свойство, но отличаются символами, выбранными для последних двух значений; Примером является безопасный для URL и имени файла вариант “RFC 4648 / Base64URL”, в котором используются “-” и “_”.

Пример

Вот цитата из «Левиафана» Томаса Гоббса:

« Человек отличается не только своим разумом, но и…

Это представлено в виде последовательности байтов ASCII и закодировано в схеме MIME Base64 следующим образом:

TWFuIGlzIGRpc3Rpbmd1aXNoZWQsIG5vdCBvbmx5IGJ5IGhpcyByZWFzb24sIGJ1d в кодировке 900u 900u в кодировке 900u в кодировке 900u в кодировке 900u в кодировке 900u в кодировке 900u 9000uFzb24sIGJ1C в кодировке 900u в кодировке 900u 900u в кодировке 9000uFzb24sIGJ1C используется значение 900u в кодировке 900u 9000u буквы «M», «a» и «n» хранятся как байты 77, 97, 110, которые эквивалентны «01001101», «01100001» и «01101110» в базе 2. Эти три байта объединены вместе в 24-битном буфере, образуя двоичную последовательность «010011010110000101101110».8)

РЕАЛИЗАЦИЯ УРОВНЯ ТРАНСИСТОРОВ 19

меньшее энергопотребление и минимум PDP, чем другие методы проектирования

, а также требует минимального количества транзисторов. Аналогичным образом можно реализовать декодер

RS на базе транзисторов с использованием оптимизированной конструкции базовых блоков.

ССЫЛКИ

[1] Стивен Б. Викер, Виджай К. Бхаргава, «Коды Рида-Соломона и их приложения»,

John Wiley & Sons, 1999.

[2] J.Саманта, Дж. Бхаумик и С. Барман, «Компактный кодировщик RS (32, 28)» Proc. Of Intelli-

Гент Вычисления и приложения, Достижения в области интеллектуальных систем и вычислений vol.-

343, 2015, pp 89-95.

[3] Х. Упадхьяй и С.Р. Чоудхури «Высокоскоростной и маломощный 8-битный 8-битный умножитель

, использующий новые двухтранзисторные (2T) вентили XOR», Журнал маломощной электроники,

, том 11, № 1, стр. 2015.

[4] С.С. Мишра, А.К. Агравал и Р.К. Нагария «Сравнительный анализ производительности

различных методов проектирования КМОП для схем XOR и XNOR», Международный журнал

Emerging Technologies, том 1, № 1, стр. 1–10, 2010 г.

[5 ] Р. Кумар, В.К. Панди, «Новая 5-транзисторная схема XOR-XNOR на основе транзисторной логики

», Всемирный конгресс по информационным и коммуникационным технологиям (WICT-

2011), 2011, стр. 667 – 671.

[6] А.М. Шамс, и. М. А. Байуми, «Новая высокопроизводительная 1-битная КМОП-матрица сумматора

», IEEE Transactions on Circuits and Systems II, vol.47, № 5, стр. 478–481,

2000.

[7] А. Моргенштейн, А. Фиш, А. Вагнер, «Вход диффузии ворот (GDI): энергоэффективный метод

» для цифровых комбинаторных схем », транзакции IEEE в системах очень большой интеграции (VLSI), том 10, № 5, 2002 г.

[8] М. Вестербака« 14-транзисторный КМОП полный сумматор с полным узлы качания напряжения », Тр.

IEEE Int. конф. по системе обработки сигналов. 1999, стр: 713-722.

[9] H.Т. Буи, А. К. Аль-Шераида и Я. Ван, «Новые конструкции с 4 транзисторами XOR и XNOR»,

в Proc. 2-я Азиатско-Тихоокеанская конференция IEEE. ASIC, 2000, стр. 25–28.

[10] Х. Ли и Г.Э. Собельман, «Новые схемы XOR / XNOR и полного сумматора для низкого напряжения»,

, приложение с низким энергопотреблением, Microelectronics Journal, vol.29: pp. 509-517, 1998.

[11] A. Islam, A. Imran and М. Хасан, «Вариативность, анализ и проектирование на основе FinFET схемы

XOR и XNOR», Proc. IEEE 2nd International Conference on Computer and

Communication Technology (ICCCT), 2011, pp.239-245.

[12] С.Р. Чоудхури, А. Банерджи, А. Рой и Х. Саха, «Конструирование высокоскоростного 8-транзисторного полного сумматора

с использованием 3-х транзисторных вентилей XOR», Всемирная академия наук, Инженерное дело

и технологии Т. 2, № 10, 2008 г., стр. 625-631.

[13] Г. Серусси «Систолический кодировщик Рида-Соломона», IEEE Trans. Информация. Теория, т.37, №4,

с.1217–1220. 1991.

[14] П. К. Мехер, «Систолические и несистолические масштабируемые модульные конструкции плоскогубцев с конечным полем

для кодека Рида – Соломона», транзакции IEEE по очень крупномасштабной интеграции систем

(VLSI), вып.17, № 6, стр. 747-757, 2009.

[15] П.К. Мехер «Расширенная последовательная логика для оптимизации синхронных цепей и ее

приложений», транзакции IEEE по автоматизированному проектированию интегральных схем и систем-

tems, vol.28, No. 4, pp.469-477, 2009.

JAPED 2015-45.indd 19 01.12.2015 12:21:39

бит и двоичный – Введение в двоичный – компьютер GCSE Science Revision

В компьютерах для хранения данных используется двоичный код – цифры 0 и 1.Двоичная цифра или бит – это наименьшая единица данных в вычислениях. Он представлен 0 или 1. Двоичные числа состоят из двоичных цифр (битов) , например двоичного числа 1001 .

Цепи в процессоре компьютера состоят из миллиардов транзисторов. Транзистор – это крошечный переключатель, который активируется электронными сигналами, которые он получает. Цифры 1 и 0, используемые в двоичном формате, отражают включенное и выключенное состояния транзистора .

Компьютерные программы – это наборы инструкций.Каждая инструкция переводится в машинный код – простые двоичные коды, активирующие ЦП. Программисты пишут компьютерный код, и он преобразуется транслятором в двоичные инструкции, которые может выполнять процессор.

$1.$3″> Все программное обеспечение, музыка, документы и любая другая информация, обрабатываемая компьютером, также хранится в двоичном формате.

Кодировка

Все на компьютере представлено в виде потоков двоичных чисел. Аудио, изображения и символы выглядят как двоичные числа в машинном коде .Эти числа закодированы в различных форматах данных, чтобы придать им смысл, например, 8-битный шаблон 01000001 может быть числом 65 , символом « A » или цветом изображения.

Форматы кодирования стандартизированы для обеспечения совместимости на разных платформах. Например:

  • аудио кодируется как форматы аудиофайлов, например mp3, WAV, AAC
  • видео кодируется как форматы видеофайлов, например MPEG4, h364
  • текст кодируется в наборах символов, например ASCII, Unicode
  • изображения кодируются как форматы файлов, например BMP, JPEG, PNG

Чем больше битов используется в шаблоне, тем больше комбинаций значений становится доступным.Это большее количество комбинаций можно использовать для представления гораздо большего числа вещей, например большего количества различных символов или большего количества цветов в изображении.

Знаете ли вы?

c5cvsmtq0w.0.0.0.1:0.1.0.$0.$3.$1″> На заре компьютерных технологий единственным способом ввода данных в компьютер был щелчок переключателями или загрузка перфокарт или перфоленты.

Поскольку компьютеры работают с использованием двоичного кода, с данными, представленными в виде единиц и нулей, оба переключателя и перфорированные отверстия могут легко отражать эти два состояния: «включено» означает 1, а «выключено» означает 0; отверстие для представления 1 и отсутствие отверстия для представления 0.

Аналитическая машина Чарльза Бэббиджа (в 1837 году) и Колосс (использовавшийся во время Второй мировой войны) работали с использованием перфокарт и лент. Современные компьютеры по-прежнему считывают данные в двоичной форме, но читать их с микрочипов, магнитных или оптических дисков намного быстрее и удобнее.

Эндрю Робинсон объясняет, как используются двоичные данные при мониторинге птиц с помощью Raspberry Pi

A Сравнение общих выходных сигналов кодировщика

Когда дело доходит до выбора кодировщика для приложения управления движением, необходимо сделать несколько вариантов. Инженер, определяющий датчик, должен решить, требуется ли для его применения инкрементальный, абсолютный или коммутационный энкодер. Как только они узнают, какой тип им нужен, есть обширный список других параметров, которые следует учитывать, таких как: разрешение, схема установки, размер вала двигателя и многое другое. Кроме того, что иногда упускается из виду, необходим тип выходного сигнала кодировщика. Ответ не всегда ясен, поэтому в этом посте мы рассмотрим три основных типа выходов, которые можно увидеть практически на любом энкодере: открытый коллектор, двухтактный и дифференциальный линейный драйвер.Эти три типа выходных данных описывают физический уровень цифровой связи.

Будь то квадратурный выход инкрементального энкодера, выход полюса двигателя коммутационного энкодера или последовательный интерфейс, использующий определенный протокол, все эти сигналы являются цифровыми и имеют высокое и низкое состояния. Это означает, что для кодировщика 5 В сигналы всегда будут переключаться между 0 В (земля), который имеет низкий уровень или двоичный 0, и 5 В, который является высоким или двоичным 1. В этом посте мы сосредоточимся на выходах инкрементального кодера, которые обеспечивают основная прямоугольная волна.

Типичный цифровой прямоугольный сигнал 5 В

Выходы с открытым коллектором

Большинство вращающихся энкодеров на рынке будут иметь выход с открытым коллектором. Это означает, что выход цифрового сигнала может быть переведен с низкого уровня на землю, а когда предполагается, что сигнал будет высоким, выход просто отключается. Выход называется открытым коллектором, потому что коллекторный вывод на транзисторе остается открытым или отключенным, когда входной сигнал высокий.

Биполярный переходной транзистор, используемый в энкодерах с открытым коллектором

. Для взаимодействия с этим устройством требуется внешний резистор, чтобы «подтянуть» коллектор до желаемого высокого уровня напряжения.Это полезный тип выхода, если инженер пытается взаимодействовать с системой с разными уровнями напряжения. Коллектор можно подтянуть, чтобы обеспечить более низкие или более высокие уровни напряжения, чем работает энкодер.

Подтягивающий резистор, добавленный извне к энкодеру с открытым коллектором

. Однако недостатки этого интерфейса часто перевешивают возможность изменения уровней напряжения энкодера. Добавление внешних резисторов к энкодерам с открытым коллектором не является чрезвычайно сложной задачей, и многие стандартные контроллеры уже имеют их встроенными, но эти внешние резисторы потребляют ток для работы и влияют на выходной сигнал, изменяя его характеристики в зависимости от частоты.Рассмотрим снова прямоугольную волну инкрементального энкодера, только на этот раз увеличенную очень близко к одному из изменений его состояния. Нам нравится думать о наших цифровых сигналах как о мгновенном переходе от низкого к высокому, но мы, конечно, знаем, что все требует времени. Мы называем эту задержку скоростью нарастания напряжения.

Крупный план прямоугольной волны с более низкой скоростью нарастания

В случае выходов с открытым коллектором на скорость нарастания влияет сопротивление подтягивающего резистора, поскольку резистор действует как резистор R в схеме синхронизации RC. Более низкие скорости нарастания означают пониженную рабочую скорость энкодера (и / или уменьшенную разрешающую способность в случае инкрементальных энкодеров). Скорости нарастания могут быть улучшены с помощью резисторов меньшего номинала (более сильные подтяжки), но этот компромисс означает, что система потребляет больше энергии, поскольку этот подтягивающий резистор должен пропускать через него больше тока, когда сигнал низкий.

Двухтактные выходы

Лучшим ответом на недостатки интерфейса с открытым коллектором является двухтактная конфигурация. В двухтактной схеме используются два транзистора вместо одного.Верхний транзистор работает как активный подтягивающий, а нижний транзистор работает так же, как транзистор в конфигурации с открытым коллектором. Двухтактные конфигурации позволяют осуществлять быстрые цифровые переходы с более высокими скоростями нарастания, чем достижимые с резисторами, формирующими сигнальные линии. Без резисторов, рассеивающих мощность, этот тип выхода также потребляет меньше энергии. Это делает двухтактный выход гораздо лучшим вариантом для приложений с батарейным питанием, где доступная мощность очень высока.

Конфигурация двухтактного транзистора

Все несимметричные энкодеры AMT устройств CUI Devices используют двухтактный тип выхода. Для подключения к выходам моделей кодировщиков AMT не требуется никаких внешних подтягивающих устройств. Это значительно упрощает тестирование и создание прототипов, требуя меньше расходных материалов для запуска и работы. Важно отметить, что выход кодера AMT обозначен в таблице как CMOS . Это просто указывает, как интерфейсное устройство должно интерпретировать высокие и низкие уровни напряжения, которые оно видит на двухтактном выходе.Эти высокие и низкие значения различаются в зависимости от устройства, поэтому следует обращаться к техническому описанию нужного продукта.

Выходы дифференциального драйвера линии

Хотя двухтактные энкодеры предлагают повышение производительности по сравнению с их предшественниками с открытым коллектором, они не обязательно подходят для каждого проекта из-за их несимметричных выходов. Если в приложении требуется большая длина кабеля или если используемые кабели будут подвергаться сильному электрическому шуму и помехам, лучшим выбором будет кодировщик с дифференциальным выходом линейного драйвера.Дифференциальные выходы генерируются с той же конфигурацией транзисторов, что и двухтактные выходы, но вместо одного сигнала генерируются два сигнала. Эти сигналы называются дифференциальной парой; один из сигналов соответствует исходному сигналу, а другой является полной противоположностью исходному сигналу, поэтому его иногда называют дополнительным сигналом .

При несимметричном выходе приемник всегда связывает передаваемый сигнал с общей землей.Однако на больших расстояниях между кабелями, когда напряжение имеет тенденцию к падению и скорость нарастания напряжения уменьшается, часто возникают ошибки сигнала. В дифференциальном приложении хост генерирует исходный несимметричный сигнал, который затем поступает на дифференциальный передатчик. Этот передатчик создает дифференциальную пару, передаваемую по кабелю. Когда генерируются два сигнала, приемник больше не связывает уровень напряжения с землей, а вместо этого связывает сигналы друг с другом. Это означает, что вместо того, чтобы искать конкретные уровни напряжения, приемник всегда смотрит на разницу между двумя сигналами.Затем дифференциальный приемник преобразует пару сигналов обратно в один несимметричный сигнал, который может быть интерпретирован ведущим устройством с использованием надлежащих логических уровней, требуемых ведущим устройством. Этот тип интерфейса также позволяет устройствам с разными уровнями напряжения работать вместе посредством связи между дифференциальными приемопередатчиками. Все это работает вместе, чтобы преодолеть деградацию сигнала, которая могла бы возникнуть в несимметричном приложении при больших расстояниях прокладки кабелей.

Выходной сигнал энкодера управляется дифференциальным драйвером и восстанавливается приемником

. Однако ухудшение сигнала – не единственная проблема, которая возникает при больших расстояниях между кабелями. Чем длиннее кабель внутри системы, тем выше вероятность того, что электрические помехи и помехи попадут на кабели и, в конечном итоге, в электрическую систему. Когда шум попадает на кабели, он проявляется в виде напряжения различной величины. В системах с несимметричными выходными энкодерами это может привести к тому, что принимающая сторона системы будет считывать ложные высокие и низкие логические значения, что приведет к ошибочным данным о местоположении. Это серьезная проблема! К счастью, дифференциальные интерфейсы линейных драйверов хорошо справляются с этим шумом.Устройства CUI обычно рекомендуют использовать драйвер дифференциальной линии для кабелей, длина которых превышает 1 метр.

При использовании драйверов дифференциальной линии необходима витая пара. Кабельная разводка витой пары состоит из сигналов A и A-, переплетенных вместе с определенным числом витков на заданном расстоянии. С этим типом кабеля шум, который генерируется на одном сигнальном проводе, применяется в равной степени к парному проводу. Если пик напряжения возникает на сигнале A, он также применяется к сигналу A-.Поскольку дифференциальный приемник вычитает сигналы друг из друга, чтобы получить восстановленный сигнал, он будет игнорировать шум, одинаково показанный на обоих проводах. Способность дифференциального приемника игнорировать напряжения, одинаковые на обеих сигнальных линиях, называется подавлением синфазного сигнала . Из-за их способности подавлять шум, интерфейсы дифференциальных драйверов линии широко используются в промышленных и автомобильных приложениях.

Дифференциальный приемник игнорирует все, что является общим для обоих сигналов.

Понимая различные типы выходных сигналов энкодера, их преимущества и недостатки, инженер может лучше выбрать оптимальный тип выходного сигнала для своего приложения.Все кодеры AMT CUI Devices предлагаются с двухтактными выходами для низкого энергопотребления и простоты установки. Варианты драйверов дифференциальной линии также доступны во многих моделях для более требовательных приложений.

Дополнительные ресурсы


У вас есть комментарии к этому сообщению или темам, которые вы хотели бы, чтобы мы освещали в будущем?
Отправьте нам письмо по адресу cuiinsights @ cuidevices.com

Двухкудитный вентиль на фотонной платформе достигает массивного запутанного квантового состояния – ScienceDaily

Квантовая обработка информации обещает быть намного быстрее и безопаснее, чем то, что могут сделать современные суперкомпьютеры, но пока не существует, потому что ее строительные блоки, кубиты, заведомо нестабильны.

Исследователи из Университета Пердью одними из первых создали вентиль – то, что может быть квантовой версией транзистора, используемого в современных компьютерах для обработки информации – с помощью квдитов. В то время как кубиты могут существовать только в суперпозициях состояний 0 и 1, кудиты существуют в нескольких состояниях, таких как 0, 1 и 2. Чем больше состояний, тем больше данных можно кодировать и обрабатывать.

Ворота будут не только по своей природе более эффективными, чем ворота кубитов, но и более стабильными, потому что исследователи упаковали кудиты в фотоны, частицы света, которые нелегко нарушить их окружение. Выводы исследователей опубликованы в npj Quantum Information .

Ворота также создают одно из самых больших запутанных состояний квантовых частиц на сегодняшний день – в данном случае фотонов.Запутанность – это квантовое явление, которое позволяет измерениям одной частицы автоматически влиять на измерения другой частицы, обеспечивая, например, возможность сделать связь между сторонами неразрывной или телепортировать квантовую информацию из одной точки в другую.

Чем больше запутанности в так называемом гильбертовом пространстве – сфере, где может происходить квантовая обработка информации – тем лучше.

Предыдущие фотонные подходы позволяли достичь 18 кубитов, закодированных в шести запутанных фотонах в гильбертовом пространстве.Исследователи Purdue максимизировали запутанность с помощью шлюза, используя четыре кудита – эквивалент 20 кубитов – закодированных всего в двух фотонах.

В квантовой коммуникации меньше значит больше. «Фотоны дороги в квантовом смысле, потому что их сложно генерировать и контролировать, поэтому идеально упаковывать как можно больше информации в каждый фотон», – сказал Пулад Имани, научный сотрудник Школы электротехники и компьютерной инженерии Пердью.

Команда достигла большей запутанности с меньшим количеством фотонов, кодируя один кудит во временной области, а другой – в частотной области каждого из двух фотонов.Они построили гейт, используя два кудита, закодированных в каждом фотоне, в общей сложности четыре кудита в 32 измерениях или возможностях как по времени, так и по частоте. Чем больше размеров, тем больше запутанность.

Начиная с двух фотонов, запутанных в частотной области, и затем управляя вентилем, чтобы запутать временную и частотную области каждого фотона, генерирует четыре полностью запутанных кудита, которые занимают гильбертово пространство 1048576 измерений, или 32 в четвертой степени.

Обычно ворота, построенные на фотонных платформах для манипулирования квантовой информацией, закодированной в отдельных фотонах, работают только часть времени, потому что фотоны, естественно, не очень хорошо взаимодействуют друг с другом, что чрезвычайно затрудняет манипулирование состоянием одного фотона на основе состояния. другого.Кодируя квантовую информацию во временной и частотной областях фотонов, исследователи Purdue сделали работу квантовых ворот детерминированной, а не вероятностной.

Команда реализовала шлюз с набором стандартного готового оборудования, которое ежедневно используется в индустрии оптической связи.

«Эти ворота позволяют нам манипулировать информацией предсказуемым и детерминированным образом, что означает, что они могут выполнять операции, необходимые для определенных задач обработки квантовой информации», – сказал Эндрю Вайнер, заслуженный профессор электротехники и компьютерной инженерии семьи Purdue Scifres, чья лаборатория специализируется на сверхбыстрой оптике.

Затем команда хочет использовать ворота в задачах квантовой связи, таких как многомерная квантовая телепортация, а также для выполнения квантовых алгоритмов в таких приложениях, как квантовое машинное обучение или моделирование молекул.

Работа частично финансируется Национальным научным фондом (номер гранта 1839191-ECCS) и стипендией Вигнера в Национальной лаборатории Ок-Ридж.

История Источник:

Материалы предоставлены университетом Purdue . Примечание. Содержимое можно редактировать по стилю и длине.

Патент США на способ перекодирования Патент на декодер (Патент № 6,920,626, выдан 19 июля 2005 г.)

Эта заявка является специализированной патентной заявкой США. № заявки США Сер. № 10 / 050,475, поданной 15 января 2002 г., теперь пат. № 6,757,872 и озаглавленный «ИНТЕРФЕЙС КОМАНДЫ ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ С ПРОГРАММИРУЕМЫМ ДЕКОДЕРОМ», включенный в настоящий документ посредством ссылки и испрашивающий приоритет итальянской заявки № RM001A000298, поданной 31 мая 2001 г.

Настоящее изобретение в целом относится к работе с ПЗУ, а более конкретно к программированию с помощью маски для кодирования ПЗУ.

УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ

Декодеры используются в запоминающих устройствах только для чтения для декодирования входных данных для представления в ПЗУ, чтобы позволить ПЗУ выполнять операцию, запрограммированную в ПЗУ, если представлена ​​надлежащая входная последовательность данных.

Есть несколько проблем с изготовлением декодеров. В некоторых декодерах микроконтроллер выдает последовательность или кодирование для входа в конкретную операцию, которая кодируется в постоянном запоминающем устройстве (ПЗУ) и разрешающей схеме для ПЗУ.Такие конкретные операции включают в себя, например, чтение массива, чтение регистра конфигурации, программу, стирание, приостановку и т.п.

Командный пользовательский интерфейс (CUI) – это конечный автомат, который распознает многоцикловые команды микропроцессора. Команды вводятся с использованием многоцикловых операций. Для каждого цикла CUI изменяет состояние в зависимости от текущих входов и декодирования предыдущего состояния системы. Типичная реализация CUI – это реализация, основанная на синтезе логических схем, начиная с схемных уравнений и автоматического создания компоновки.Хотя этот метод обеспечивает быстрые решения для создания макетов, он очень негибкий. Если хотя бы одно командное уравнение изменяется, вся компоновка схемы и последующий поток генерации также должны быть повторно выполнены. Это приводит к значительным задержкам в производстве. Когда происходят задержки в производстве, теряются деньги.

Общие конечные автоматы, используемые для декодирования, включают конечные автоматы моделей Мили и Мура.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ

В одном варианте осуществления командный пользовательский интерфейс включает в себя декодер, имеющий ряд транзисторов, затворы которых выборочно соединены для приема либо входа, либо его дополнения с использованием переходных отверстий, постоянной памяти и ряда защелок для фиксации входа и выходные данные для командного пользовательского интерфейса.

В другом варианте осуществления программируемый декодер включает в себя первую секцию декодера, имеющую ряд транзисторов, соединенных последовательно. Затворы транзисторов выборочно соединены для приема либо входа, либо его дополнения от одного из пары контактов. Каждый контакт связан со входом или с дополнением к входу.

В другом варианте осуществления способ изменения определения команды декодера включает в себя изменение только местоположений переходных отверстий в изолирующем слое, при этом расположение переходных отверстий определяет контакт, с которым соединен затвор транзистора.

В еще одном варианте осуществления способ программирования декодера включает изготовление ряда последовательно соединенных транзисторов и изготовление пары контактов для каждого транзистора. Каждый контакт жестко подключен либо к входу, либо к дополнительному входу, а затвор каждого транзистора выборочно соединяется с одним из его пар контактов.

Описаны и заявлены другие варианты осуществления.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

Фиг. 1 – блок-схема варианта осуществления настоящего изобретения;

РИС.2 – принципиальная схема части другого варианта осуществления настоящего изобретения;

РИС. 2А – принципиальная схема другого варианта осуществления настоящего изобретения;

РИС. 3 – временная диаграмма временной последовательности варианта осуществления настоящего изобретения; и

на фиг. 4 – блок-схема способа согласно другому варианту осуществления настоящего изобретения.

ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ

В нижеследующем подробном описании вариантов осуществления сделана ссылка на сопроводительные чертежи, которые составляют его часть и на которых в качестве иллюстрации показаны конкретные варианты осуществления, в которых изобретение может быть реализовано на практике.Следует понимать, что могут использоваться другие варианты осуществления, и структурные или логические изменения могут быть внесены без выхода за пределы объема настоящего изобретения.

РИС. 1 является блок-схемой командного пользовательского интерфейса (CUI) , 100, согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения. CUI , 100, содержит в одном варианте осуществления ряд защелок , 102, , постоянное запоминающее устройство (ROM) , 104, и декодер , 106, 106, . Защелки , 102, содержат в одном варианте осуществления защелки синхронизации 108 и защелки состояния 110 .Декодер , 106, в одном варианте осуществления содержит три секции: секцию состояния , 112, , секцию команд DQ , 114, и секцию обратной связи, , 116, . Входные синхронизирующие защелки 108 , и принимают входящие сигналы, содержащие тактовые сигналы, входящие входные данные и обратную связь от конечного автомата записи (WSM). Входные синхронизирующие защелки , 108, , a, выводят исходящие сигналы, включая код команды с защелкиванием DQ и управление выходом с защелкивающейся обратной связью, в декодер , 106, и схему внешней микросхемы, соответственно. Защелки синхронизации вывода 108 b принимают вывод из ПЗУ 104 и выводят команды извне. Защелка состояния , 110, принимает информацию о состоянии из ПЗУ 104 и фиксирует ее для декодера 106 .

Входами в CUI , 100, в одном варианте осуществления являются тактовый сигнал CLK для синхронизации работы и командный код COM. Тактовый сигнал служит для синхронизации работы системы 100 . В одном варианте осуществления тактовый сигнал представляет собой комбинацию сигнала разрешения записи WE * (активный низкий уровень) и сигнала разрешения микросхемы CE * (активный низкий уровень).Командный код COM в одном варианте осуществления представляет собой 8-битный командный код, выдаваемый пользователем и вводимый в систему , 100, через контакты DQ (не показаны). В системе , 100, команды пользователя указывают желаемую операцию, которая должна выполняться ПЗУ, например ПЗУ , 104, . Конкретная операция программируется или кодируется в ПЗУ , 104, посредством кодирования, которое более подробно описывается ниже.

Если операция, запрограммированная в ПЗУ 104 , и операция, указанная предоставленными пользователем данными, идентичны, операция выполняется ПЗУ 104 .Если желаемая операция и запрограммированная операция различаются, возникает ситуация ошибки.

CUI 100 – это конечный автомат, который распознает многоцикловые команды микропроцессора. Командный пользовательский интерфейс в одном варианте осуществления интерпретирует команды, отправленные в систему, обычно пользователем. Команды вводятся с использованием многоцикловых операций. Для каждого цикла CUI изменяет состояние в зависимости от текущих входов и декодирования предыдущего состояния системы.Для каждого состояния CUI генерирует соответствующие выходные данные, которые отправляются в конечный автомат записи (WSM), тем самым делегируя WSM управление выполнением текущего алгоритма.

Декодер в одном варианте осуществления настоящего изобретения скомпонован в трех секциях: секции состояния, секции команд DQ и секции декодера обратной связи. Данные, отправленные в CUI извне в ПЗУ, подаются на синхронизирующие защелки для синхронизации с системными часами.

Декодирование выполняется с помощью декодера, такого как декодер , 106, , для декодирования данных, вводимых в ПЗУ, с защелками, такими как защелки , 108, и , 110, , для хранения различных данных и другой информации из ПЗУ, и с помощью схем управления. для реализации тайминга для системы.Декодер, такой как декодер , 106, , принимает в качестве входных данных в одном варианте осуществления код команды от синхронизирующих защелок , 108, , серию сигналов обратной связи от внешних схем микросхемы декодера и код состояния от защелок состояния. В одном варианте осуществления код команды представляет собой 8-битный код команды. В одном варианте осуществления последовательность сигналов обратной связи отправляется несколькими схемами CUI, включая в различных вариантах осуществления накачки заряда, WSM, аналоговые блоки и т.п. Сигналы обратной связи предоставляют CUI информацию о состоянии схемы, управляемой CUI.В одном варианте осуществления код состояния представляет собой 8-битный код состояния.

Входы в одном варианте осуществления параллельно декодируются декодером, таким как декодер 106 . Входные данные поступают в декодер через защелки, такие как защелки синхронизации 108 . В одном варианте осуществления декодер декодирует входные данные на основе текущего состояния ПЗУ, сигналов обратной связи от внешних схем микросхемы и текущих входов. Когда входы декодируются, они представляются в ПЗУ , 104, .Если то, что закодировано в ПЗУ , 104, , совпадает с декодированными входными данными, то выполняется конкретная операция, записанная в ПЗУ , 104, . Если то, что закодировано в ПЗУ , 104, , не соответствует декодированным входным данным, возникает ситуация ошибки.

Для того, чтобы декодер 106 ПЗУ функционировал, сначала необходимо закодировать ПЗУ. Каждый из сигналов, отправленных в декодер, в одном варианте осуществления декодируется в его собственном отдельном разделе декодера. Каждая секция декодера в одном варианте осуществления содержит серию блоков транзисторов, которые декодируют отдельные биты данных.Такие блоки более подробно описаны ниже. В одном варианте осуществления каждый из блоков является программируемым, чтобы облегчить программирование и, следовательно, кодирование. В одном варианте осуществления каждый байт последовательности команд декодируется с использованием секции декодера , 106, .

Часть декодера 106 более подробно показана на фиг. 2 . Декодер , 106, содержит в одном варианте осуществления ряд блоков, таких как блок 200 . Каждый из блоков декодирует одну из комбинаций входных сигналов.Каждый блок в одном варианте осуществления содержит последовательное соединение восьми транзисторов, сконфигурированных для распознавания конкретной одиночной 8-битной входной конфигурации.

Блок 200 включает в себя последовательное соединение восьми транзисторов 202 , 204 , 206 , 208 , 210 , 212 , 214 и 216 . В одном варианте осуществления серия транзисторов представляет собой серию транзисторов N-типа. Последовательность транзисторов активируется транзистором , 218, , затвор которого подключен к сигналу ROM_READ.Каждый из транзисторов 202 , 204 , 206 , 208 , 210 , 212 , 214 и 216 имеет свой затвор, выборочно подключенный с помощью межсоединений 221 221 , , 225 , 227 , 229 , 231 , 233 и 235 , к одному из пары или более контактов доступа к переходным отверстиям 220 , 222 , 224 , 226 , 228 , 230 , 232 и 234 соответственно. Контакты подключены к шине 236 , несущей все входы состояния в систему (статус), или к шине 238 , несущей все дополнения входов состояния системы (statusb).

Кроме того, в другом варианте осуществления контакты , 220, и , 234, также подключены непосредственно к источнику питания для системы через соединительные линии , 240, . Это соединение настраивает положения транзисторов 202 и 216 как «безразлично», что означает, что для конфигурации приемлемы либо высокий, либо низкий двоичный код.Таким образом, результат декодирования для любого состояния одинаков.

Каждый транзистор в одном варианте осуществления может быть запрограммирован для подключения затвора либо к логической 1, либо к логическому 0 через соответствующие переходные отверстия и контакт. Это соединение выполняется в одном варианте осуществления посредством методов программирования к одному входу или инвертированному значению входа, так что комбинация транзистор / контакт может в различных конфигурациях распознавать логическое значение 0 или 1 входного бита. В другом варианте осуществления два из восьми транзисторов программируются как «безразлично». В одном варианте осуществления это достигается путем подключения затвора транзистора к источнику питания для декодера. Бит «безразлично» (X) используется для уменьшения количества необходимых блоков последовательных транзисторов в декодере, таком как декодер , 106, .

Как показано на фиг. 2, комбинации транзисторов / контактов 202 / 220 , 204 / 222 , 206 / 224 , 208 / 226 и 210 / 228 активированы если их соответствующий входной бит на шине 238 является двоичным 0.Комбинации транзистор / контакты 212 / 230 и 214 / 232 запрограммированы на активацию, если их соответствующий входной бит на шине 236 является двоичной 1, а комбинация транзистор / контакт 216 / 234 запрограммирован как X или бит «безразлично».

С 8 битами информации состояния, как в одном из вариантов осуществления настоящего изобретения, и с 8 входными битами информации, существует 2 8 возможных комбинаций каждого набора битов, которые могут использоваться с декодером.Для декодирования такого количества комбинаций используются как нормальные, так и инвертированные сигналы состояния.

Если ПЗУ изменено, выбор той же строки, которая является одной строкой ПЗУ, может быть выполнен с разными входами, в зависимости от битов состояния. Например, если переходные отверстия DQ изменяются, выполняется та же операция ПЗУ, но с другими пользовательскими данными DQ в качестве входных битов. Если ПЗУ изменяется без изменения декодера, те же входы на линии DQ будут выполнять другую операцию с ПЗУ. Таким образом, данные ПЗУ – это операция, которую необходимо выполнить, а данные декодера определяют, какой ввод должен присутствовать, чтобы точно выполнить желаемую операцию.

Пользовательские данные из внешнего источника передаются через входы DQ в декодер через защелки синхронизации. Все данные, отправленные в декодер, сравниваются с тем, что записано или запрограммировано в программируемом декодере. Одна из общего числа строк слов в ПЗУ декодируется для получения данных, хранящихся в ПЗУ. Эти данные, извлеченные из ПЗУ, если входные данные совпадают с тем, что закодировано в декодере, используются в различных вариантах осуществления для инициирования или выполнения команд для других схем, которые должны выполнять результат, который пользователь запрашивает с входными битами DQ.Некоторая часть данных используется для анализа данных с новыми входами, которые поступят в декодер в следующем тактовом цикле.

Конечный автомат, такой как конечный автомат модели Мили или Мура, реагирует в зависимости от состояния, в котором он находится. Конечный автомат переходит из состояния в состояние, в зависимости в одном варианте осуществления от входных данных, фактического состояния и другой обратной связи от другие системные схемы, такие как флэш-память, DRAM и т. п. В одном варианте осуществления обратная связь определяется как некоторая условная информация.В одном варианте осуществления, если вход – A, результирующее состояние для этого входа – B. Существуют другие условия, такие как C, которые могут изменить состояние. Например, такое условие, как C, может указывать в одном состоянии для данного ввода, что операция не может быть выполнена, и вместо этого должна быть выполнена другая операция.

Предыдущее состояние, новые входные данные и обратная связь определяют следующее состояние конечного автомата. Текущее состояние анализируется с новыми входными данными для определения следующих операций, которые должна выполнить система.Таким образом, ввод идентичных данных в разные существующие состояния дает потенциально разные результаты в зависимости от текущего состояния ПЗУ. Таблицы спецификаций для ПЗУ содержат таблицы информации, описывающие все возможные последовательности и результаты для различных состояний.

В другом варианте осуществления банки транзисторов, такие как банк или блок , 200, , являются программируемыми. Доступ к каждому из контактов осуществляется через переходные отверстия в изолирующем слое. Для завершения контактного соединения в изолирующем слое делаются переходные отверстия, позволяющие соединить контакт в соответствующем месте с затвором его транзистора.Если конкретный транзистор / контакт должен быть запрограммирован на активацию, если его соответствующий входной бит является двоичным 0, то соответствующее отверстие просверливается в месте, чтобы достичь контакта, жестко подключенного к строке состояния , 238, . Если с другой стороны, конкретный транзистор / контакт должен быть запрограммирован на активацию, когда его соответствующий входной бит является двоичным 1, соответствующее отверстие просверливается в месте, чтобы достичь контакта, жестко подключенного к строке состояния 236 .

В некоторых случаях один или несколько битов в конкретном байте не влияют на программирование.Например, в определенном блоке, таком как блок 200 , состояние транзистора 202 в виде двоичной 1 или двоичного 0 может не иметь значения. То есть все программирование для этого конкретного блока будет полагаться на некоторые или все оставшиеся транзисторы, но не на транзистор , 202, . В этом случае для одного блока может быть выполнено несколько возможных программ, и общее количество блоков может быть уменьшено. В этом случае транзистор , 202, запрограммирован как «безразлично» (X).Если 1 или 0 заявлены как входные в строке «безразлично», строка дает любой результат, который необходим, то есть она жестко запрограммирована, чтобы дать правильный ответ.

Один из примеров использования бита «безразлично» – это когда два состояния различаются только для одного бита. В этой конфигурации нет необходимости использовать две строки, как обычно требуется, одну для результата двоичной единицы, а другую – для результата двоичного нуля. Вместо этого используется единственное «безразлично». Принуждение строки без значения к биту, который не имеет значения, позволяет использовать одну строку декодера, а не две строки декодера. Поскольку пространство на линии декодера и занимаемое пространство имеют большое значение, это позволяет сэкономить место.

Положения «безразлично» выбраны в одном варианте осуществления в первом и / или последнем положениях для эффективности компоновки и компактности. Хотя транзисторы , 202, и , 216, являются единственными транзисторами, показанными на фиг. 3, чтобы быть запрограммированными как биты «безразлично», любой из транзисторов в серии может быть сконфигурирован в другом варианте так, чтобы его можно было программировать как «безразлично».

При изготовлении ПЗУ и т.п. описанные выше переходные соединения формируются в одной из последних использованных масок.Из-за этого варианты осуществления настоящего изобретения позволяют вносить изменения в маски и, следовательно, в кодирование ПЗУ на очень поздних этапах процесса изготовления. В некоторых вариантах осуществления вся логическая схема и ПЗУ полностью изготавливаются до того, как необходимо просверлить переходные отверстия. Раньше, если программирование схемы изменялось в любой момент после начала процесса изготовления, всю компоновку схемы и последующий поток генерации также необходимо было повторно выполнить. Это привело к значительным задержкам в производстве, снижению урожайности и дополнительным затратам на изготовление и изготовление.При использовании описанных здесь вариантов осуществления с программируемым переходом через маску и через местоположение, если команды или кодирование ПЗУ изменяются, маска переходного отверстия может быть изменена без повторного выполнения всего процесса. Это экономит время и деньги в процессе изготовления. Все, что меняется, – это маска переходных отверстий и, следовательно, места просверливания переходных отверстий.

РИС. 2A показана схема с тремя энкодерами, секцией DQ, секцией обратной связи и секцией состояния. Однако следует понимать, что конфигурация декодера является модульной.В других вариантах осуществления используется больше или меньше декодеров, не выходя за рамки объема изобретения.

Множество блоков, таких как блок , 200, , используются для декодирования множества байтов входных данных, данных состояния и т.п. в различных вариантах осуществления. Ряд блоков, таких как блок , 200, , показаны связанными в серии секций декодера , 250, на фиг. 2 A. Каждая из секций , 250, декодера имеет размер с количеством блоков 200 для размещения количества комбинаций входных сигналов в декодере.Количество секций , 250, декодера изменяется, чтобы приспособить количество секций декодера, необходимое для работы полного декодера. Поскольку компоновка каждого блока , 200, одинакова, варианты осуществления настоящего изобретения масштабируются до любого требуемого размера декодера.

В работе CUI работает следующим образом. Во время фазы предварительной зарядки все узлы декодера подтягиваются. Во время фазы декодирования, когда утверждается сигнал ROM_READ, все декодеры активируются через дополнительный транзистор, последовательно подключенный к транзисторам декодера. В одном варианте осуществления для распознавания конфигурации входов DQ, состояния и сигналов обратной связи используются 24 транзистора, по восемь для каждого набора сигналов. Если глобальная входная конфигурация для всех транзисторов согласуется с входами DQ, состоянием и обратной связью, то только один из выходных узлов декодера разряжается, и утверждается одна строка слов.

Когда декодер устанавливает строку слов ПЗУ, начинается доступ к ПЗУ. Стандартная схема управления обеспечивает последовательную синхронизацию для ПЗУ.Временная диаграмма для работы одного варианта осуществления CUI , 100, показана на фиг. 3 для фазы предварительной зарядки битовой линии и последующей фазы зондирования. Когда адресные данные сохраняются в защелках, схема управления отключает декодер и ПЗУ для снижения энергопотребления. Сигналы, выдаваемые защелками, управляют следующим состоянием CUI, а также предоставляют информацию WSM о выполняемой операции.

В другом варианте осуществления CUI и ROM используются в маломощных устройствах. Такие устройства включают только в качестве примера, а не в качестве ограничения сотовые телефоны, портативные вычислительные устройства и т.п. Утверждение сигналов CE * и WE * или их комбинации в одном варианте осуществления составляет сигнал пробуждения схемы для начала работы. Время цикла для входных сигналов в одном варианте составляет приблизительно 80 наносекунд. С другой стороны, приблизительное время завершения всех операций с ПЗУ, включая декодирование, доступ к ПЗУ, фиксацию и обратную связь, составляет примерно 40-50 наносекунд.Это оставляет значительную часть каждого цикла, в котором ПЗУ обычно получает питание, но в течение этого времени ПЗУ не выполняет никаких операций.

В одном варианте осуществления CUI настоящего изобретения последняя операция для завершения запускает по ее заднему фронту последовательность отключения, которая отключает питание ПЗУ. Эта точка останова или триггер задается внутри схемой ПЗУ. Последний спад вызывает отключение. Отключение в одном варианте осуществления происходит примерно за 5-6 наносекунд. Следовательно, в одном варианте осуществления мощность сохраняется в течение приблизительно 20-30 наносекунд времени цикла, что приводит к значительной экономии энергии. Следующая фаза декодирования пробуждается новым тактовым сигналом.

В показанных вариантах осуществления для каждой строки слов ПЗУ используется один блок транзисторов. Количество транзисторов зависит от количества входов. Если имеется 16 входов, используются 16 транзисторов. Из-за потери сигнала в серии транзисторов в одном варианте осуществления используются группы из 8, но они могут быть объединены каскадом для размещения большего количества входов.Таким образом, варианты осуществления настоящего изобретения легко масштабируются до больших систем с 50 или более входами.

Различные варианты осуществления настоящего изобретения, описанные выше, могут быть реализованы во множестве различных микросхем, например флэш-памяти, DRAM и т.п. Кроме того, все, что можно закодировать, можно использовать с ПЗУ. Например, любое аналоговое напряжение, температура, состояние других схем и т.п., если они закодированы в двоичной форме, могут быть декодированы с использованием вариантов осуществления декодера настоящего изобретения.Затем при декодировании с помощью декодера могут быть выполнены разные реакции на один и тот же ввод в зависимости от текущих условий.

Способ , 400, программирования декодера более подробно показан на блок-схеме на фиг. 4 . Способ , 400, включает изготовление множества транзисторов, соединенных последовательно в блоке , 402, , и формирование множества контактов для каждого транзистора на входе или в его дополнении в блоке , 404, .Транзисторы в одном варианте осуществления выборочно подключаются к одному из контактов. Последовательность процесса продолжается с выборочного соединения затвора каждого транзистора с одной из его пар контактов в блоке , 406, . Соединение затвора транзистора с контактом в одном варианте осуществления включает создание сквозного отверстия через изолирующий слой в подходящем положении для доступа к соответствующему контакту и соединение переходного отверстия и затвора транзистора. Поскольку создание переходных отверстий находится в конце процесса изготовления или около него, все, что необходимо сделать после создания переходных отверстий в соответствующих местах, – это соединить два межсоединения, вывод переключателя и затвор затвора. его транзистор.

Изменение маски переходного отверстия для перекодирования декодера значительно экономит время и деньги, поскольку маска переходного отверстия является одной из последних масок, используемых в процессе изготовления кодера. Кроме того, поскольку необходимо изменить только маску переходного отверстия, при реализации различных вариантов осуществления настоящего изобретения также происходит меньшая трата ресурсов.

Следует понимать, что приведенное выше описание предназначено для иллюстрации, а не для ограничения. Многие другие варианты осуществления будут очевидны специалистам в данной области техники после прочтения и понимания приведенного выше описания.Следовательно, объем изобретения должен определяться со ссылкой на прилагаемую формулу изобретения вместе с полным объемом эквивалентов, на которые она дает право.

Модульные биосенсоры на полевых транзисторах., Nano Letters

Модульные биосенсоры на полевых транзисторах.
Нано-буквы ( ЕСЛИ 11. 238 ) Дата публикации: 2019-08-22 , DOI: 10.1021 / acs.nanolett.9b02939 Сяочуань Дай, Ричард Во, Хуан-Сюань Сю, Пу Дэн, Исинь Чжан, Сяочэн Цзян

Полевые транзисторы (FET), когда они функционализированы соответствующими элементами биопознавания (такими как антитела или ферменты), представляют собой уникальную платформу для специфической передачи биохимических сигналов в реальном времени без меток. Однако прямая иммобилизация молекул биораспознавания на полевых транзисторах накладывает ограничения на перепрограммируемость, регенерацию сенсора и надежное обращение с устройством. Здесь мы демонстрируем модульную конструкцию биосенсоров на полевых транзисторах с отдельными модулями биораспознавания и преобразователя, которые способны к обратимой сборке и разборке. В частности, гидрогелевые «штампы», иммобилизирующие биорецепторы, были выбраны для создания модулей биораспознавания, которые надежно взаимодействуют с полевыми преобразователями структурно и функционально.Успешное обнаружение пенициллина до 0,25 мМ было достигнуто с помощью модуля гидрогеля, кодируемого пенициллиназой, что демонстрирует эффективную передачу сигнала через гибридный интерфейс. Более того, последовательная интеграция модулей, кодируемых уреазой и пенициллиназой, на одном полевом транзисторе позволяет нам перепрограммировать метод измерения без перекрестного загрязнения. В дополнение к независимому кодированию биорецепторов, модульная конструкция также способствует сложному управлению кинетикой восприятия путем модуляции физико-химического микроокружения в модулях биораспознавания. В частности, различие в пористости гидрогеля между полиэтиленгликолем и желатином обеспечивает контролируемый доступ и обнаружение более крупных молекул, таких как поли-l-лизин (молекулярная масса 150-300 кДа), только через желатиновый модуль. Модули биораспознавания со стандартизованным дизайном интерфейсов также использовались для соответствия требованиям аддитивного массового производства с помощью 3D-печати, демонстрируя потенциал низкой стоимости, простоты хранения, мультиплексирования и большой настраиваемости для персонализированного производства биосенсоров. Эта общая концепция представляет собой уникальную стратегию интеграции для модульной биоэлектроники и может широко повлиять на разработку гибридных устройств.

更新 日期 : 2019-08-19 .

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *