Радио и телевидение?.. Это очень просто!
Радио и телевидение?.. Это очень просто!
ОглавлениеПРЕДИСЛОВИЕ К РУССКОМУ ИЗДАНИЮПРЕДИСЛОВИЕ АВТОРА БЕСЕДА ПЕРВАЯ. ТЕЛЕГРАФИЯ БЕЗ ПРОВОДОВ — РАДИО-ЭЛЕКТРОНИКА Покорение Вселенной Всемогущество электроники Рождение телеграфии без проводов Эпоха радио Быстрое развитие электроники КОММЕНТАРИЙ ПРОФЕССОРА РАДИОЛЯ СТРОЕНИЕ ВЕЩЕСТВА БЕСЕДА ВТОРАЯ. ЭЛЕКТРОНЫ НА ПРОГУЛКЕ КОММЕНТАРИЙ ПРОФЕССОРА РАДИОЛЯ ЦЕПИ ПОСТОЯННОГО ТОКА Применение закона Ома Электрическая мощность БЕСЕДА ТРЕТЬЯ.  Рождение магнетизма Соленоид. Электромагнит Рождение электрического тока КОММЕНТАРИЙ ПРОФЕССОРА РАДИОЛЯ ИНДУКЦИЯ И ИНДУКТИВНОСТЬ Самоиндукция Устройство гальванометра Измерительные приборы БЕСЕДА ЧЕТВЕРТАЯ. ЕМКОСТЬ И ЕМКОСТНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ Заряд конденсатора Рождение конденсатора Заряд и разряд Величина емкости Конденсаторы постоянной, переменной емкости и подстроечные Прохождение переменного тока Емкостное сопротивление конденсатора КОММЕНТАРИЙ ПРОФЕССОРА РАДИОЛЯ СОЕДИНЕНИЕ КОМПОНЕНТОВ Явление резонанса БЕСЕДА ПЯТАЯ. КОЛЕБАТЕЛЬНЫЙ КОНТУР. ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ВОЛНЫ Поддержание колебаний Радиоволны Прием радиоволн КОММЕНТАРИЙ ПРОФЕССОРА РАДИОЛЯ РАДИОПЕРЕДАТЧИКИ И РАДИОПРИЕМНИКИ БЕСЕДА ШЕСТАЯ. ОТ РАМОЧНОЙ АНТЕННЫ К ЭЛЕКТРОВАКУУМНОМУ ДИОДУ Рамочные антенны Радиопеленгация Рамочные антенны с ферромагнитными сердечниками Эмиссия электронов Выпрямление тока и детектирование КОММЕНТАРИЙ ПРОФЕССОРА РАДИОЛЯ ОТ ЭЛЕКТРОВАКУУМНОГО ДИОДА К ТРИОДУ Характеристики триода Использование триода для усиления БЕСЕДА СЕДЬМАЯ.  УСИЛЕНИЕ КОЛЕБАНИЙ НЧДетектирование с одновременным усилением Усиление колебаний НЧ Резистивно-емкостная связь Двухтактная схема Сдвиг фазы с помощью лампы Катодный повторитель КОММЕНТАРИЙ ПРОФЕССОРА РАДИОЛЯ ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ. РАДИОПЕРЕДАЧА. МНОГОЭЛЕКТРОДНЫЕ ЛАМПЫ Явление интерференции Модуляция и радиопередача Тетрод Вторичная эмиссия. Пентод Комбинированные лампы. Гептоды. Октоды БЕСЕДА ВОСЬМАЯ. СУПЕРГЕТЕРОДИН КОММЕНТАРИЙ ПРОФЕССОРА РАДИОЛЯ СИСТЕМЫ ПИТАНИЯ Как получают напряжение накала и анодное напряжение Фильтрация высокого напряжения Электролитические конденсаторы Полупроводниковые выпрямители Распространение радиоволн Принцип действия системы автоматической регулировки усиления Напряжение АРУ Ручная регулировка громкости звука КОММЕНТАРИЙ ПРОФЕССОРА РАДИОЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ Полупроводниковый диод БЕСЕДА ДЕСЯТАЯ.  ТРАНЗИСТОРТранзистор p-n-p Транзистор n-p-n Аналогия транзистор — триод Условные обозначения Усилительный каскад Входное и выходное сопротивления КОММЕНТАРИЙ ПРОФЕССОРА РАДИОЛЯ ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ БЕСЕДА ОДИННАДЦАТАЯ. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Крутизна характеристики транзистора Напряжение смещения затвора Радиоприемник на транзисторах КОММЕНТАРИЙ ПРОФЕССОРА РАДИОЛЯ Основные схемы включения триода БЕСЕДА ДВЕНАДЦАТАЯ. СВЯЗЬ ВЫХОД — ВХОД. ОТРИЦАТЕЛЬНАЯ ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ Согласование между источником и нагрузкой Схемы с отрицательной обратной связью КОММЕНТАРИЙ ПРОФЕССОРА РАДИОЛЯ СХЕМЫ СВЯЗИ БЕСЕДА ТРИНАДЦАТАЯ. СУПЕРГЕТЕРОДИН НА ТРАНЗИСТОРАХ КОММЕНТАРИЙ ПРОФЕССОРА РАДИОЛЯ ПЕЧАТНЫЕ И ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ БЕСЕДА ЧЕТЫРНАДЦАТАЯ. ЧАСТОТНАЯ МОДУЛЯЦИЯ Сколько передатчиков может работать в каждом диапазоне волн? Ширина боковых полос при ЧМ Дальность распространения метровых волн Принцип и преимущества ЧМ Как модулируют частоту? КОММЕНТАРИЙ ПРОФЕССОРА РАДИОЛЯ ПРИЕМ ПЕРЕДАЧ С ЧАСТОТНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ БЕСЕДА ПЯТНАДЦАТАЯ.  АНАЛИЗ ТЕЛЕВИЗИОННОГО ИЗОБРАЖЕНИЯПолоса видеочастот Чересстрочное разложение изображения Основные принципы телевидения КОММЕНТАРИЙ ПРОФЕССОРА РАДИОЛЯ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ ТРУБКА БЕСЕДА ШЕСТНАДЦАТАЯ. ГЕНЕРАТОРЫ РАЗВЕРТОК КОММЕНТАРИЙ ПРОФЕССОРА РАДИОЛЯ ПЕРЕДАЮЩИЕ ТЕЛЕВИЗИОННЫЕ ТРУБКИ БЕСЕДА СЕМНАДЦАТАЯ. ТЕЛЕВИЗИОННЫЕ ПЕРЕДАТЧИКИ И ПРИЕМНИКИ Амплитуда видеосигналов Форма сигналов синхронизации Волны, модулированные сигналами изображения и звука Устройство телевизионных передатчиков Устройство телевизионных приемников БЕСЕДА ВОСЕМНАДЦАТАЯ. ФИЗИКА ЦВЕТА И ФИЗИОЛОГИЯ ЗРЕНИЯ Спектр цветов Физиология зрения Восприятие цветов Передача цветов в телевидении КОММЕНТАРИЙ ПРОФЕССОРА РАДИОЛЯ Яркость — сумма цветов Сигналы, передаваемые в цветном телевидении Цветная передающая телевизионная камера Системы NTSC, SECAM, PAL БЕСЕДА ДЕВЯТНАДЦАТАЯ. ЦВЕТНЫЕ ТЕЛЕВИЗОРЫ Системы NTSC и PAL Принцип системы SECAM Линии задержки КОММЕНТАРИЙ ПРОФЕССОРА РАДИОЛЯ ЗАПИСЬ И ВОСПРОИЗВЕДЕНИЕ ЗВУКА И ИЗОБРАЖЕНИЯ БЕСЕДА ДВАДЦАТАЯ И ПОСЛЕДНЯЯ.  ПРИМЕНЕНИЕ ЭЛЕКТРОНИКИ |
Крутизна характеристики транзистора
Как видим, максимальная величина крутизны проходной характеристики каскада S является условием получения усиления по току и напряжению. Полученные соотношения будут использованы при анализе конкретных схем усилительных каскадов. Усиление сигнала при преобразовании зависит от крутизны проходной характеристики транзистора лампы в режиме преобразования – крутизны преобразования Snp. При расчете преобразователей на электронных лампах, имеющих ярко выраженный максимум крутизны проходной характеристики , за 5 акс при расчетах принимают значение крутизны характеристики, указанное в справочных данных.
Поиск данных по Вашему запросу:
Крутизна характеристики транзистора
Схемы, справочники, даташиты:
Прайс-листы, цены:
Обсуждения, статьи, мануалы:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Содержание:
- 2.5. Параметры полевых транзисторов с управляющим p-n переходом
- ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА
- Вы точно человек?
- Основы устройства и применения силовых МОП-транзисторов (MOSFET)
- Транзистор КП901А
- Малосигнальные параметры
- Исследование статических характеристик полевых транзисторов с управляющим р-n переходом
- Характеристики и параметры полевого транзистора — схемы включения, ВАХ
- Транзистор КП302АМ
ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Лекция 82.
Полевой транзистор.
2.5. Параметры полевых транзисторов с управляющим p-n переходом
О компании Реквизиты Сотрудники Вакансии. Информация Сертификаты Вопрос-ответ Справочники. Общие положения Оплата и доставка Гарантия на товар Заказать товар. КПАМ Купить: Задать вопрос. Предназначены для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 1,5 г. Тип корпуса: КТ ТО Технические условия: ЖК3. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
Компания “Электроника и связь” eandc.
ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА
Параметры полевых транзисторов определяются из связи между выходным током – током стока и напряжениями затвор-исток, сток-исток:. Из функционального уравнения 9 получаем дифференциальное уравнение в частных производных вида. Э ффективность управляющего действия затвора в полевых транзисторах оценивается крутизной сток-затворной характеристики. Крутизна характеристики S показывает, на сколько миллиампер изменяется величина тока стока при изменении напряжения на затворе на один вольт.
При определении крутизны S напряжение сток-исток должно оставаться постоянным. Графически величина S соответствует крутизне сток-затворной характеристики, то есть наклону касательной в заданной точке сток-затворной характеристики.
(ОЭ) (рис. ). Характеристики транзисторов измеряются как при стандартной крутизна (проводимость прямой передачи при коротком замыкании по.
Вы точно человек?
Рассматриваются различные типы и страктуры МОП-транзисторов, технологии их изготовления. Также приводятся основные способы и принципы применения МОП-транзисторов в силовых устройствах. На рис. На примере этой структуры можно уяснить основной принцип работы МОП-транзистора. На приведенной характеристике указан уровень напряжения V T , при котором формируется канал. Этот факт определяет существование такой важной характеристики МОП-транзистора, как крутизна. Четвертый электрод на условном обозначении транзистора рис. Для быстрого выключения транзистора требуется значительный импульс базового тока противоположной полярности.
Биполярные транзисторы отличаются температурной нестабильностью.
Основы устройства и применения силовых МОП-транзисторов (MOSFET)
Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом ПТУП — это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала p-n — переходом, смещенным в обратном направлении рис. При подключении к истоку отрицательного для n-канала , а к стоку положительного напряжения в канале возникает электрический ток, создаваемый движением электронов от истока к стоку, то есть основными носителями заряда. В этом заключается существенное отличие полевого транзистора от биполярного. Это напряжение называется напряжением затвор-исток отсечки U зи отс. Канал в этом случае будет иметь вид, показанный на рис.
Задача: Одной из наиболее важных характеристик определяющих быстродействаие МОП-транзистора является крутизна характеристики.
Транзистор КП901А
Скачать файл: referat. Схемы включения полевого транзистора. Эквивалентная схема полевого транзистора.
Параметры полевого транзистора. Действие транзистора можно сравнить с действием плотины.
Малосигнальные параметры
Войдите , пожалуйста. Хабр Geektimes Тостер Мой круг Фрилансим. Войти Регистрация. Полевые транзисторы. For dummies Электроника для начинающих Введение А теперь давайте поговорим о полевых транзисторах. Что можно предположить уже по одному их названию?
Выходные характеристики полевого транзистора с управляющим . Удельная крутизна характеристики МОП-транзистора определяется выражением.
Исследование статических характеристик полевых транзисторов с управляющим р-n переходом
Крутизна характеристики транзистора
Прибор для проверки основных параметров маломощных полевых транзисторов выполнен на основе недорогих цифровых мультиметров, возможно, даже с неисправными переключателями пределов измерения. Это минимизировало затраты труда по монтажу и изготовлению конструкции. Цифровые показания несколько облегчают сравнение транзисторов и подбор пар для дифференциальных каскадов.
Характеристики и параметры полевого транзистора — схемы включения, ВАХ
ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Характеристики транзистора (Транзистор- это просто 17)
Снятие статических характеристик полевого транзистора с р – n переходом. Изучение полевых транзисторов с n и p каналом, снятие статических выходных характеристик и сток-затворную характеристику. Исследовать влияние сопротивления нагрузки на сток-затворную характеристику и коэффициент усиления напряжения. Полевым транзистором называется полупроводниковый прибор, в котором ток через канал управляется электрическим полем, возникающим при подаче напряжения между затвором и истоком.
Примерный вид нескольких характеристик из серии I с U зи U си показан на рис. Напряжение U зи , при котором ток стока становится равным нулю, называют напряжением отсечки U зи.
Транзистор КП302АМ
В общем случае крутизна реальных приборов и устройств зависит от величины выходного тока и, соответственно, от управляющего напряжения.
Полевые транзисторы в практике начинающих радиолюбителей. Думаю, начинающие радиолюбители оценят это. С другой стороны прибор В.
Что такое крутизна? | Определение из TechTarget
К
- Участник TechTarget
Transconductance – это характеристика биполярного или полевого транзистора (FET).
В общем, чем больше коэффициент крутизны устройства, тем большее усиление (усиление) оно способно обеспечить, когда все остальные факторы остаются неизменными.
Формально для биполярного устройства крутизна определяется как отношение изменения тока коллектора к изменению напряжения базы в течение определенного произвольно малого интервала на кривой зависимости тока коллектора от напряжения базы. Для полевого транзистора крутизна – это отношение изменения тока стока к изменению напряжения затвора в течение определенного, сколь угодно малого интервала на кривой зависимости тока стока от напряжения затвора.
Символ крутизны г м . Единицей является сименс, та же единица, которая используется для проводимости постоянного тока (DC).
Если dI представляет собой изменение тока коллектора или стока, вызванное небольшим изменением напряжения базы или затвора dE , тогда крутизна приблизительно равна:
г м = dI / dE
По мере того, как размер интервала приближается к нулю, то есть изменение напряжения базы или затвора становится все меньше и меньше, значение dI / dE подходит к наклону линии, касательной к кривой в определенной точке.
Наклон этой линии представляет собой теоретическую крутизну биполярного транзистора при заданном напряжении базы и токе коллектора или теоретическую крутизну полевого транзистора при заданном напряжении затвора и токе стока.
Последнее обновление: декабрь 2021 г.
распознавание образов
Распознавание изображений в контексте машинного зрения — это способность программного обеспечения идентифицировать объекты, места, людей, надписи и действия на цифровых изображениях.
Сеть
- фильтрация пакетов
Фильтрация пакетов — это процесс пропуска или блокировки пакетов данных на сетевом интерфейсе брандмауэром на основе источника и …
- WAN (глобальная сеть)
Глобальная вычислительная сеть (WAN) — это географически распределенная частная телекоммуникационная сеть, которая соединяет между собой несколько локальных …
- сетевой протокол
Сетевой протокол — это набор установленных правил, которые определяют, как форматировать, отправлять и получать данные, чтобы компьютерная сеть .
..
..Безопасность
- Альянс облачной безопасности (CSA)
Альянс по безопасности облачных вычислений (CSA) — это некоммерческая организация, которая продвигает исследования передовых методов обеспечения безопасности облачных …
- квантовое превосходство
Квантовое превосходство — это экспериментальная демонстрация доминирования и преимущества квантового компьютера над классическими компьютерами с помощью …
- антивирусное программное обеспечение (антивирусная программа)
Антивирусное программное обеспечение (антивирусная программа) – программа обеспечения безопасности, предназначенная для предотвращения, обнаружения, поиска и удаления вирусов и других…
ИТ-директор
- сделка
В вычислительной технике транзакция представляет собой набор связанных задач, рассматриваемых как одно действие.
- бережливое управление
Бережливое управление — это подход к управлению организацией, который поддерживает концепцию постоянного совершенствования, долгосрочного …
- идентификатор устройства (идентификация устройства)
Идентификатор устройства (идентификация устройства) — это анонимная строка цифр и букв, которая однозначно идентифицирует мобильное устройство, такое как …
HRSoftware
- кадровый резерв
Кадровый резерв — это база данных кандидатов на работу, которые могут удовлетворить немедленные и долгосрочные потребности организации.
- разнообразие, равенство и инклюзивность (DEI)
Разнообразие, справедливость и инклюзивность — термин, используемый для описания политики и программ, которые способствуют представительству и …
- пассивный кандидат
Пассивный кандидат (пассивный кандидат на работу) — это любой работник, который не ищет работу активно.
Служба поддержки клиентов
- лид, квалифицированный продуктом (PQL)
Лид, квалифицированный по продукту (PQL), — это физическое или юридическое лицо, которое получило выгоду от использования продукта в результате бесплатного …
- квалифицированный маркетолог лид (MQL)
Квалифицированный маркетолог (MQL) — это посетитель веб-сайта, уровень вовлеченности которого указывает на то, что он может стать клиентом.
- успех клиента
Успех клиента — это стратегия, направленная на то, чтобы продукция компании отвечала потребностям клиента.
транзисторов – Почему так определена крутизна?
Я знаю, что вы хотите сосредоточиться на BJT.
Для биполярного транзистора значение \$g_m\$ указывает на максимально возможный коэффициент усиления по напряжению, которого можно добиться, поместив резистор в коллекторную ветвь (конечно, при условии, что напряжения на шине питания и другие детали схемы позволяют это сделать.
) И для BJT, в отличие от MOSFET, это не основано на конструкции, а вместо этого зависит только от рабочих условий, которые легко контролируются разработчиком с использованием дискретных частей.
При использовании термина \$g_m\$ для BJT это параметр, который зависит только от постоянного тока коллектора \$I_\text{C}\$: \$g_m=\frac{I_\text{C }}{В_Т}\$. (Это исключает коэффициент эмиссии \$n\$, который почти всегда равен 1 для BJT.) \$V_T=\frac{k\: T}{q}\$ – физический параметр, основанный на равнораспределении Закон энергии и применение большой статистики населения. \$V_T\$ не является регулируемым или управляемым кроме как изменением температуры устройства.
(\$g_m\$ применяется в активном режиме для BJT, а не в насыщении. Это связано с тем, что коллектор работает как источник тока (приемник для NPN) в активном режиме, но больше как источник напряжения в режиме насыщения.)
Например, максимальный коэффициент усиления по напряжению от биполярного транзистора, работающего в режиме с общим эмиттером, будет равен \$A_\text{V}=-g_m\cdot R_\text{C}\$.
Это можно уменьшить, вставив эмиттерный резистор (что часто и происходит). Но это максимум, который вы можете ожидать от биполярного транзистора.
Термин весьма полезный. Например, если вы собираетесь использовать биполярный транзистор при токе покоя коллектора около \$1\:\text{мА}\$, то вы знаете, что максимально возможное усиление напряжения при использовании конфигурации с общим эмиттером будет \$\приблизительно 39\cdot R_\text{C}\$, если \$R_\text{C}\$ выражается в тысячах Ом (и источник питания выдерживает падение на \$R_\text{C}\$.)
Для биполярных транзисторов \$g_m\$ зависит только от постоянного тока коллектора, \$I_\text{C}\$. \$g_m\$ не заботится о геометрии конструкции биполярного транзистора (в отличие от полевого МОП-транзистора). даже тогда.) В BJT в активном режиме, за исключением модификаций, таких как Early Effect, \$I_\text{C}\$ определяется \$V_\text{BE}\$. Для сравнения, \$g_m\$ MOSFET зависит от \$I_\text{D}\$, \$V_{OV}\$ и отношения \$\frac{W}{L}\$ .
