Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

характеристики, цоколевка, параметры и аналоги

В описании технических характеристик на транзисторы КТ827А указано, что они используются в УНЧ, различных стабилизаторах, как тока, так и напряжения, импульсных усилителях мощности, в ключевых схемах и системах автоматики. Этот составной транзистор, сделанный по схеме Дарлингтона, имеет структуру n-p-n. Компонент изготавливается по эпитаксиальной и мезапланарной технологии.

Цоколевка

Самая полезная информация, которую можно увидеть в цоколевке на КТ827А, да и вообще на транзисторы — это расположение ножек, т.к. если этого не знать, можно запутаться и припаять на место эммитера базу, а на место базы коллектор. Поверьте, ничего хорошего из этого не выйдет. Поэтому на рисунке ниже показаны данные параметры, а так же габаритные размеры. Транзисторы серии КТ827 изготавливаются в металлическом корпусе, имеющем стеклянные изоляторы и жёсткие выводы. Маркировка наносится сверху. Масса прибора не более 20 г. 2Т827А-5 производится на пластине для гибридных ИС с контактными площадками.

Технические характеристики

Первое, на что стоит обратить внимание при подборе транзистора для замены или проектировании новой схемы, это предельные эксплуатационные данные. Превышение их недопустимо даже в течение небольших промежутков времени. Также устройство не сможет долго функционировать при значениях параметров равных максимальным. Для КТ827А эти характеристики равны:

  • наибольшее допустимое напряжение между К-Э действующее на протяжении длительного времени ( при сопротивлении Б – Э равном RБЭ = 1000 Ом) – 100 В;
  • максимально возможное напряжение (действующее постоянно или длительное время) между К-Э – 100 В;
  • предельное импульсное напряжение действующее между К-Э (при tФ = 0,2 мкс) – 100 В;
  • наибольшее возможное постоянно действующее напряжение между Э — Б – 5 В;
  • максимально допустимый ток через коллектора (действующий на протяжении длительного времени) – 20 А;
  • наибольший кратковременный ток через коллектора – 40 А;
  • максимальный длительный ток через базу – 0,5 А;
  • предельно допустимый кратковременный ток через базу – 0,8 А;
  • максимальная постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе при (ТК = -60 … +25ОС) – 125 Вт;
  • тепловое сопротивление между переходом и корпусом – 1,4 ОС /Вт;
  • наибольшая возможная температура перехода – +200ОС;
  • рабочий диапазон температур окружающего воздуха – -60 … +100ОС.

При конструировании схем кроме максимальных значений следует также обращать внимание на электрические параметры. Из таблицы, которая находится ниже по тексту, можно узнать их основные величины. Условия тестирования приведены в столбце под названием «Режимы измерения». Наибольшие и наименьшие значения, полученные во время измерения, находятся в колонках «min» и «max».

Параметры
Режимы измеренияОбозн.minmaxЕд. изм
Статический к-т передачи тока для транзистора, включённого по схеме с общим эмиттеромUКЭ = 3 В, IК= 10 A, ТК = 25ОС

Т = ТК макс

ТК = — 60ОС

UКЭ = 3 В, IК= 20 A

h21Э750

750

100

100

6000

 

 

3500

Граничная частота к-та передачи тока для транзистора, включённого по схеме с общим эмиттеромUКЭ = 3 В, IК= 10 Afгр4МГц
Напряжение насыщения перехода К-ЭIК = 10 A, IБ = 40 мA

IК = 20 A, IБ = 200 мA

UКЭнас1

1,8

2

3

В

В

Напряжение насыщения перехода Б-ЭIК = 20 A, IБ = 200 мAUБЭнас2,64В
Входное напряжение Б-ЭIК= 10 A, UКЭ = 3 В1,62,8В
Время включенияIК= 10 A, IБ = 40 мAtвкл0,31мкс
Время выключенияIК= 10 A, IБ = 40 мAtвыкл36мкс
Время рассасыванияIК= 10 A, IБ = 40 мAtрас 24,5мкс
Обратный ток К-Э,UКЭ = UКЭ макс RБЭ = 1000 Ом

Т = +25 и — 60ОС

Т = ТК макс

IКЭO 

 

 

 

3

5

 

мА

мА

Обратный ток через эмиттерUЭБ = 5 ВIЭБО2мА
Емкость коллекторного переходаUКБ = 10 Вcк200400пФ
Емкость эмиттерного переходаUЭБ = 5 Вcк160350пФ

Содержание драгоценных металлов

Многие радиоэлектронные компоненты содержат некоторое количество драгметаллов, таких как золото, платина, серебро и т. д. Это делает их объектом охоты для индивидуальных скупщиков и скупающих компаний. Транзистор КТ827А не является исключением, он содержит золото. Согласно этикетке на изделие, представленной ниже, в 1000 штук содержится 19,090г. благородного металла. В пересчёте на 1 шт. получается 0,01909г.

Аналоги

Аналога транзистора КТ827А, полностью идентичного и по своим параметрам, по типу корпуса и расположению выводов не существует. Однако можно попробовать использовать вместо него такие устройства: 2N6059, 2N6284, BDX63, BDX65A, BDX67, BDX87C, MJ3521, MJ4035. Тем не менее данную замену следует делать осторожно, и предварительно сравнить предъявляемые к изделию требования с техническими характеристиками кандидата на замену. Так как КТ827А является составным, можно попытаться спаять эквивалентную схему, как на рисунке ниже.

 

 

Производители

Выпуском транзисторов КТ827А занимаются две страны Белоруссия и Россия. В Белоруссии их производят на акционерном обществе «Интеграл» г. Минск. В России их выпускает АО «Элиз» г. Фрязино. В Российских магазинах можно приобрести продукцию обоих фирм. (Скачать Datasheet можно кликнув на названии производителя, так же технические параметры приведены еще здесь).

Транзистор кт827а в категории “Электрооборудование”

Транзистор КТ827А npn

На складе

Доставка по Украине

100 грн

Купить

Интернет-магазин “Stereopulse”

Транзистор КТ827А npn

На складе

Доставка по Украине

80 грн

Купить

Интернет-магазин “Stereopulse”

КТ827А транзистор кремнієвий NPN (30А 100В) 125W (ТО-3)

Под заказ

Доставка по Украине

220.50 грн

Купить

CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.

КТ827Б транзистор кремнієвий NPN (30А 80В) 125W (ТО-3)

Доставка из г. Киев

119.70 грн

Купить

CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.

Транзистор КТ805А npn 50 вт 5 А 160В 20 мГц

На складе

Доставка по Украине

25 грн

Купить

Интернет-магазин “Stereopulse”

Транзистор КТ866А 20 А 200 В 30 вт 25 мГц . NPN NI

На складе

Доставка по Украине

250 грн

Купить

Интернет-магазин “Stereopulse”

Транзистор КТ3109А 800 мГц pnp

На складе в г. Чернигов

Доставка по Украине

Купить

Интернет-магазин “Stereopulse”

КТ834А транзистор NPN (20А 500В) 100W

На складе

Доставка по Украине

126 грн

Купить

CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.

КТ605Ам транзистор NPN (0,1А 250В) 2,8W (h31Э 10 40) (ТО126)

На складе в г. Киев

Доставка по Украине

5.46 грн

Купить

CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.

КТ814А транзистор PNP (3А 40В) 10W (ТО126)

На складе в г. Киев

Доставка по Украине

6.30 грн

Купить

CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.

Транзистор КТ972А

Доставка по Украине

12 грн

Купить

ООО “НПП Крафт-электро”

Транзистор кт827б. Новые. В лоте 1 штука!

Заканчивается

Доставка по Украине

75 грн

Купить

AlexZuev

Транзистор КТ326Ам pnp 50 мА 200мВт

На складе в г. Чернигов

Доставка по Украине

Купить

Интернет-магазин “Stereopulse”

ТРАНЗИСТОР КТ935А. НОВЫЕ. В ЛОТЕ 1 ШТУКА!

Заканчивается

Доставка по Украине

50 грн

Купить

AlexZuev

ТРАНЗИСТОР КТ3130А9. НОВЫЕ. В ЛОТЕ 5 ШТУК!

Доставка по Украине

27 грн

Купить

AlexZuev

Смотрите также

ТРАНЗИСТОР КТ603А. НОВЫЕ. В ЛОТЕ 200 ШТУК!

Доставка по Украине

1 022 грн

Купить

AlexZuev

ТРАНЗИСТОР КТ603А. НОВЫЕ. В ЛОТЕ 10 ШТУК!

Доставка по Украине

53 грн

Купить

AlexZuev

Транзистор КТ829А npn 60 вт 8А 100 В

На складе в г. Чернигов

Доставка по Украине

Купить

Интернет-магазин “Stereopulse”

Биполярный транзистор BUX21 , BUX22

Доставка по Украине

от 75 грн

Купить

ТОВ “ЕЛЕКТРОЛОГІСТИК”

Транзистор K50EF5 IKW50N65F5FKSA1 IGBT транзистор для сварочного инвертора

Доставка из г. Днепр

от 220 грн

Купить

ТОВ “ЕЛЕКТРОЛОГІСТИК”

Транзистор биполярный pnp КТ361А2

Доставка по Украине

2.20 грн

Купить

Квазар-Мікро. Компоненти і системи

Транзистор биполярный npn КТ646А

Доставка по Украине

121.11 грн

Купить

Квазар-Мікро. Компоненти і системи

2Т818В (аналог КТ818БМ) транзистор кремнієвий PNP (20А 60В) 100W (ТО3) (військове приймання по якості)

На складе в г. Киев

Доставка по Украине

73.50 грн

Купить

CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.

КТ827Б транзистор

Доставка по Украине

80 грн

Купить

ФОП Гончаров

Транзистор КТ3117 – А1 npn 60 V 2006 год .

На складе в г. Чернигов

Доставка по Украине

Купить

Интернет-магазин “Stereopulse”

Транзистор КТ606А

Доставка по Украине

130 грн

Купить

ФОП Поляков

Транзистор кт630а

Доставка по Украине

100 грн

Купить

Радио-ок

Транзистор кт506а

Доставка по Украине

80 грн

Купить

Радио-ок

Транзистор кт501а

Доставка по Украине

50 грн

Купить

Радио-ок

kt827 техпаспорт и примечания по применению

org/Product”>
org/Product”>

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Каталог техпаспорт MFG и тип ПДФ Теги документов
2T6551

Реферат: информационное приложение информационное приложение микроэлектроник микроэлектроник Heft KD 605 KT825 транзисторный KT 960 A Микроэлектроник информационное приложение KT827 микроэлектроник DDR

Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF
2Т908А

Реферат: 2T602 2T907A KT604 1HT251 1T813 2t903 KT920A PO6 115,05 KT117
Текст: КТ827 КТ828 КТ829 (А-л, Б-И, Б-л) .490


OCR-сканирование
PDF Т-0574Д. 30Эиаа Coi03nojiH 2Т908А 2Т602 2Т907А КТ604 1HT251 1Т813 2т903 КТ920А ПО6 115,05 КТ117
2Т931А

Аннотация: КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2Т904А 2Т808А 2Т603 2Т921А
Текст: -л, Б -И) 2Т 826 (А, Б, Б), КТ826 (А, Б, Б) 2Т827 (А, Б, Б), КТ827 (А, Б, Б > 2Т 828 (А, Б ), КТ828


OCR-сканирование
PDF МОКП51КОБ, KTC631 ТИ2023 II2033 ТТ213 ТИ216 fI217 II302 XI306 н306А 2Т931А КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2Т904А 2Т808А 2Т603 2Т921А
2010 – Ил311АНМ

Резюме: tda8362b ILa1519B1Q iff4n60 IN1307N tda8890 ИЛ311АН ИЛ91214АН MC74HC123АН ИЛ258Д
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF
2010 – КТ827Б

Реферат: KT935A BDX61 kt827 rcs258 TO3VAR пакет
Текст: SML8012 SML8015 SML8070 2N4210 2N3598 2N6046 SDT44332 SDT44332 KT827B NPN NPN NPN PNP PNP PNP NPN NPN


Оригинал
PDF МРФ422 PT9780 2Н2739 2Н2745 2Н2751 2Н1823 СтР-5/16 КТ827Б КТ935А BDX61 кт827 rcs258 Пакет ТО3ВАР
КТ835А

Реферат: КТ827А КТ827А-КТ827Б кт601 КТ827Б КТ604 КТ835Б КТ645 СССР КТ827
Текст: . 51 1 5 . КТ827А-КТ827Б. 54 1 6 . KT835A, K T 8 3 5 E , -2 KT385AM-2 KT827A-KT827B KT835A.KT835B BacoKOHacTOTHHe High-frequency KT932A, KT932B KT933A , spread 53 KT827A-KT827B TPAh4MCT0PH BOJIbUJOR MO«HOCTM CPEflHER 4ACT0TW HIGH POWER MEDIUM FREQUENCY TRANSISTORS S i – n-p-n – MPE Tpah4HCTopi KT827A-KT827B npe«Ha3HaH6HH jyw paóoTH b , ycTpcficTBax mzpoicoro npHMeaeHHH. Транзисторы КТ827А-КТ827Б предназначены для использования в звуковых частотах.


OCR-сканирование
PDF Т336А -КТ336р. КТ384АМ-2. КТ385АМ-2. КТ60ИАМ. КТ602АМ, КТ602ЭМ КТ604АМ, КТ604БМ КТ607А-4, КТ835А КТ827А КТ827А-КТ827Б кт601 КТ827Б КТ604 КТ835Б КТ645 СССР КТ827
2010 – КТ827А

Реферат: SDT7530 SDT80 1748-1820 BLX84 BLX86 sk3561 BLX87
Текст: 85 90 95 SDT3876 SML8003 SML8013 SML8016 SML8071 2N4211 2N3599 SDT44333 SDT44333 KT827V См. индекс0 90 90 90 90 90 90 100 100


Оригинал
PDF SDT3876 SML8003 SML8013 SML8016 SML8071 2Н4211 2Н3599 SDT44333 КТ827В КТ827А SDT7530 СДТ80 1748-1820 гг. BLX84 BLX86 sk3561 BLX87
2010 – КТ8278

Реферат: КТ827В СК3561 сд333 КТ827
Text: KT8278 2S0132 163-07 164-07 2N5039 2N5537 2N5538 S2N5539-8 SML8003 SML8013 SML8016 SML8071 20 20 20 20 , SOT8071 SOT8071 SOT8071 SOT8154 SOT8154 SOT8154 KT827V :SM31 (4 ~~~~~;~ ~~I!tron ~ г ~~ г


Оригинал
PDF 2Н1824 2Н2124 2Н2740 2Н2746 6000н 6000н КТ8278 КТ827В SK3561 СД333 КТ827