Транзистор КТ829 — DataSheet
Перейти к содержимому
|
Цоколевка транзистора КТ829 |
Цоколевка транзистора КТ829(Т-М) |
Описание
Транзисторы кремниевые мезапланарные составные универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, ключевых схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 2 г.
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ829А | BD267B, TIP122, BD901, BDW23C |
|||
| КТ829Б | BD267A, BD263, TIP121,
BD899A, BD899, BDW23B *2, BDW73B *2, BD267 *2 |
||||
| КТ829В | BD331, TIP120, BD897A,
BD897, BDW23A, ТIР120 *2 |
||||
| КТ829Г | BD665, BD675, BD895A,
BD895, BDW23, BDW73, BDW63 *2, BD695 *1 |
||||
| Структура | — | n-p-n | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ829А | — | 60* | Вт |
| КТ829Б | — | 60* | |||
| КТ829В | — | 60* | |||
| КТ829Г | — | 60* | |||
| КТ829АТ | — | 50 | |||
| КТ829АП | — | 50 | |||
| КТ829АМ | — | 60 | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, f***max | КТ829А | — | ≥4 | МГц |
| КТ829Б | ≥4 | ||||
| КТ829В | — | ≥4 | |||
| КТ829Г | — | ≥4 | |||
| КТ829АТ | — | ≥4 | |||
| КТ829АП | — | ≥4 | |||
| КТ829АМ | — | ≥4 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб. |
КТ829А | 1к | 100* | В |
| КТ829Б | 1к | 80* | |||
| КТ829В | 1к | 60* | |||
| КТ829Г | 1к | 45* | |||
| КТ829АТ | — | 100 | |||
| КТ829АП | — | 160 | |||
| КТ829АМ | — | 240 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ829А | — | 5 | В |
| КТ829Б | — | 5 | |||
| КТ829В | — | 5 | |||
| КТ829Г | — | 5 | |||
| КТ829АТ | — | 5 | |||
| КТ829АП | — | 5 | |||
| КТ829АМ | 5 | ||||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ829А | — | 8(12*) | А |
| КТ829Б | — | 8(12*) | |||
| КТ829В | — | 8(12*) | |||
| КТ829Г | — | 8(12*) | |||
| КТ829АТ | — | 5 | |||
| КТ829АП | — | 5 | |||
| КТ829АМ | — | 8 | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I* КЭR, I**КЭO | КТ829А | 100 В | ≤1. 5* |
мА |
| КТ829Б | 80 В | ≤1.5* | |||
| КТ829В | 60 В | ≤1.5* | |||
| КТ829Г | 60 В | ≤1.5* | |||
| КТ829АТ | — | — | |||
| КТ829АП | — | — | |||
| КТ829АМ | — | — | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ829А |
3 В; 3 А | ≥750* | |
| КТ829Б | 3 В; 3 А | ≥750* | |||
| КТ829В | 3 В; 3 А | ≥750* | |||
| КТ829Г | 3 В; 3 А | ≥750* | |||
| КТ829АТ | — | ≥1000 | |||
| КТ829АП | — | ≥700 | |||
| КТ829АМ | — | 400…3000 | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ829А | — | ≤120 | пФ |
| КТ829Б | — | ≤120 | |||
| КТ829В | — | ≤120 | |||
| КТ829Г | — | ≤120 | |||
| КТ829АТ | — | — | |||
| КТ829АП | — | — | |||
| КТ829АМ | — | — | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у. р. |
КТ829А | — | ≤0.57 | Ом, дБ |
| КТ829Б | — | ≤0.57 | |||
| КТ829В | — | ≤0.57 | |||
| КТ829Г | — | ≤0.57 | |||
| КТ829АТ |
— | ≤0.3 | |||
| КТ829АП | — | ≤0.25 | |||
| КТ829АМ | — | ≤0.66 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ829А | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ829Б | — | — | |||
| КТ829В | — | — | |||
| КТ829Г | — | — | |||
| КТ829АТ | — | — | |||
| КТ829АП | — | — | |||
| КТ829АМ | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ829А | — | — | пс |
| КТ829Б | — | — | |||
| КТ829В | — | — | |||
| КТ829Г | — | — | |||
| КТ829АТ | — | — | |||
| КТ829АП | — | — | |||
| КТ829АМ | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
|
Входные характеристики |
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора |
|
Зависимость напряжения насыщения коллектор — эмиттер от Iк/Iб |
Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер |
|
Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса |
Область максимальных режимов |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Кт829б аналог
Новости: 9. Высказывания: Число людей в рабочей группе имеет тенденцию возрастать независимо от объема работы, которую надо выполнить.
Четвертый закон Паркинсона. Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора BDA.
Поиск данных по Вашему запросу:
Схемы, справочники, даташиты:
Прайс-листы, цены:
Обсуждения, статьи, мануалы:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Содержание:
- Зарубежные и отечественные транзисторы
- Транзистор типа: КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г
- Транзистор КТ829Б
- Таблица зарубежных аналогов
- Зарубежные и отечественные полупроводниковые приборы
- Транзистор КТ829
ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: КАКИЕ ПАРАМЕТРЫ ТРАНЗИСТОРОВ НУЖНО ЗНАТЬ [РадиолюбительTV 43]