Транзистор КТ829 — DataSheet
Перейти к содержимому
Цоколевка транзистора КТ829 | Цоколевка транзистора КТ829(Т-М) |
Описание
Транзисторы кремниевые мезапланарные составные универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, ключевых схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 2 г.
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ829А | BD267B, TIP122, BD901, BDW23C | |||
КТ829Б | BD267A, BD263, TIP121, BD899A, BD899, BDW23B *2, BDW73B *2, BD267 *2 | ||||
КТ829В | BD331, TIP120, BD897A, BD897, BDW23A, ТIР120 *2 | ||||
КТ829Г | BD665, BD675, BD895A, BD895, BDW23, BDW73, BDW63 *2, BD695 *1 | ||||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ829А | — | 60* | Вт |
КТ829Б | — | 60* | |||
КТ829В | — | 60* | |||
КТ829Г | — | 60* | |||
КТ829АТ | — | 50 | |||
КТ829АП | — | 50 | |||
КТ829АМ | — | 60 | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, f***max | КТ829А | — | ≥4 | МГц |
КТ829Б | ≥4 | ||||
КТ829В | — | ≥4 | |||
КТ829Г | — | ≥4 | |||
КТ829АТ | — | ≥4 | |||
КТ829АП | — | ≥4 | |||
КТ829АМ | — | ≥4 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб. , U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ829А | 1к | 100* | В |
КТ829Б | 1к | 80* | |||
КТ829В | 1к | 60* | |||
КТ829Г | 1к | 45* | |||
КТ829АТ | — | 100 | |||
КТ829АП | — | 160 | |||
КТ829АМ | — | 240 | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ829А | — | 5 | В |
КТ829Б | — | 5 | |||
КТ829В | — | 5 | |||
КТ829Г | — | 5 | |||
КТ829АТ | — | 5 | |||
КТ829АП | — | 5 | |||
КТ829АМ | 5 | ||||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ829А | — | 8(12*) | А |
КТ829Б | — | 8(12*) | |||
КТ829В | — | 8(12*) | |||
КТ829Г | — | 8(12*) | |||
КТ829АТ | — | 5 | |||
КТ829АП | — | 5 | |||
КТ829АМ | — | 8 | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I* КЭR, I**КЭO | КТ829А | 100 В | ≤1. 5* | мА |
КТ829Б | 80 В | ≤1.5* | |||
КТ829В | 60 В | ≤1.5* | |||
КТ829Г | 60 В | ≤1.5* | |||
КТ829АТ | — | — | |||
КТ829АП | — | — | |||
КТ829АМ | — | — | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ829А | 3 В; 3 А | ≥750* | |
КТ829Б | 3 В; 3 А | ≥750* | |||
КТ829В | 3 В; 3 А | ≥750* | |||
КТ829Г | 3 В; 3 А | ≥750* | |||
КТ829АТ | — | ≥1000 | |||
КТ829АП | — | ≥700 | |||
КТ829АМ | — | 400…3000 | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ829А | — | ≤120 | пФ |
КТ829Б | — | ≤120 | |||
КТ829В | — | ≤120 | |||
КТ829Г | — | ≤120 | |||
КТ829АТ | — | — | |||
КТ829АП | — | — | |||
КТ829АМ | — | — | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у. р. | КТ829А | — | ≤0.57 | Ом, дБ |
КТ829Б | — | ≤0.57 | |||
КТ829В | — | ≤0.57 | |||
КТ829Г | — | ≤0.57 | |||
КТ829АТ | — | ≤0.3 | |||
КТ829АП | — | ≤0.25 | |||
КТ829АМ | — | ≤0.66 | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ829А | — | — | Дб, Ом, Вт |
КТ829Б | — | — | |||
КТ829В | — | — | |||
КТ829Г | — | — | |||
КТ829АТ | — | — | |||
КТ829АП | — | — | |||
КТ829АМ | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ829А | — | — | пс |
КТ829Б | — | — | |||
КТ829В | — | — | |||
КТ829Г | — | — | |||
КТ829АТ | — | — | |||
КТ829АП | — | — | |||
КТ829АМ | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Входные характеристики | Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора |
Зависимость напряжения насыщения коллектор — эмиттер от Iк/Iб | Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер |
Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса | Область максимальных режимов |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Кт829б аналог
Новости: 9. Высказывания: Число людей в рабочей группе имеет тенденцию возрастать независимо от объема работы, которую надо выполнить. Четвертый закон Паркинсона. Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора BDA.
Поиск данных по Вашему запросу:
Схемы, справочники, даташиты:
Прайс-листы, цены:
Обсуждения, статьи, мануалы:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Содержание:
- Зарубежные и отечественные транзисторы
- Транзистор типа: КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г
- Транзистор КТ829Б
- Таблица зарубежных аналогов
- Зарубежные и отечественные полупроводниковые приборы
- Транзистор КТ829
ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: КАКИЕ ПАРАМЕТРЫ ТРАНЗИСТОРОВ НУЖНО ЗНАТЬ [РадиолюбительTV 43]
youtube.com/embed/XLJt-0HlU5I” frameborder=”0″ allowfullscreen=””/>Зарубежные и отечественные транзисторы
Нужны еще сервисы? Архив Каталог тем Добавить статью. Как покупать? Храните микросхемы в упаковке, обеспечивающей закорачивание их выводов, например, завернутыми в алюминиевую фольгу. Щуп станет универсальным, если с обратной стороны его на коротком проводе припаять”крокодил” в резиновом чехле. Вход Регистрация Востановить пароль. Видео Как это работает? Участников : 3 Гостей : 72 an , G o o g l e , Я ндекс , далее Рекорд человек онлайн установлен Новые объявления Продам: Генератор сигналов.
Разное Храните микросхемы в упаковке, обеспечивающей закорачивание их выводов, например, завернутыми в алюминиевую фольгу.
Интересно Щуп станет универсальным, если с обратной стороны его на коротком проводе припаять”крокодил” в резиновом чехле. Случайные новости [ Партнёры Новые объявления Продам: Генератор сигналов. Пожалуйста, перед заменой элемента на аналогичный, ознакомьтесь с его даташитом. Мы не несём ответственности за выход вашего устройства из строя по вине неправильного аналога.
Совпадение выводов и корпуса, электрических и функциональных характеристик. Замена производится без внесения изменений в существующую электрическую схему. Выводы на корпусе совпадают, но в электрической схеме компонентов есть некоторые различия, например разная функциональность.
Элементы входят в одну функциональную группу, например усилители, со схожими характеристиками. Замена возможна с изменением схемы печатной платы. Данная информация представлена в ознакомительных целях. Перед заменой обязательно прочитайте документацию на эти компоненты.
Транзистор типа: КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г
Не удивительно, что при проверки тестером переход база-эмиттер будет звониться в обе стороны, причем у разных КТ может наблюдаться значительный разброс по значению обратного сопротивления. От суммы сопротивлений изображенных в схеме на картинке, до гораздо меньших значений 7 кОм, к примеру. Отчего разброс так велик, автору доподлинно не известно, но то что на работоспособность КТ это влияет незначительно — это точно. Где сейчас можно найти советские транзисторы? В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама. Во время промышленного коллапса начала х? Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день.
Не стоит, также, забывать, что транзисторы 2Т8ххх являются аналогами транзисторов . КТБ, n-p-n, 80, 80, (), (60), ≥, ≤, 4, 2.
Транзистор КТ829Б
Для удобства в таблице отсутствуют некоторые параметры. Развёрнутый список параметров каждого транзистора показан на странице с его описанием. Не стоит, также, забывать, что транзисторы 2Т8ххх являются аналогами транзисторов КТ8ххх, а отличаются тем, что имеют более жёсткую приёмку, однако параметры для обоих типов транзисторов аналогичны. Обозначения: U кб и максимально допустимое напряжение коллектор-база в скобках указано значение для импульсного напряжения U кэ и максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер в скобках указано значение для импульсного напряжения I к max и максимально допустимый постоянный ток коллектора в скобках указан максимальный импульсный ток P к max т максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода в скобках значение максимальной рассеиваемой мощности при наличии теплоотвода h 21э статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером I ко обратный ток коллектора f гр граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером К ш коэффициент шума Выбор по параметрам: N-P-N К ш не более: Дб I ко не более: мкА P-N-P f гр не менее: МГц Наимен. К ш не более: Дб. I ко не более: мкА.
Таблица зарубежных аналогов
Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, ключевых схемах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами. Для улучшения теплового контакта рекомендуется смачивать нижнее основание транзистора полиметилсилоксановой жидкостью ПМС ГОСТ Температура корпуса транзистора измеряется на поверхности основания корпуса со стороны держателя. Входные характеристики.
Регистрация Вход. Ответы Mail.
Зарубежные и отечественные полупроводниковые приборы
Узнать владельца домена. Эта страница отображается, если: ваш домен настроен на хостинг, для которого ещё не создан хостинг-аккаунт; вы указали неправильные настройки для домена; ваш хостинг-аккаунт удалён с сервера. Who is the owner of this domain name? This page may be displayed in the following cases: your domain is directed to a server, for which a hosting account has not been created; the settings for the domain that you set contain an error; your hosting account has been deleted from the server. For any questions please contact customer support.
Транзистор КТ829
Новости: 9. Высказывания: Расширение означает усложнение, а усложнение – разложение. Третий закон Паркинсона. Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора BD Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора BD Перед заменой транзистора на аналогичный,! Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.
BDA, ТО, КТА, Транзисторы. BD, ТО, КТБ аналог КТА решено – Список форумов – ESpec – мир электроники.
Справочник по транзисторам биполярным низкочастотным средней и большой мощности. Цены в магазинах. Входные и выходные характеристики транзисторов кта, ктб, ктв, ктг, аналоги, цена. Параметры кта, ктб, ктв, ктг, цоколевка.
Заявки на поставку электронных компонентов направляйте: sales optochip. Стоимость продукции рассчитывается индивидуально, исходя из объема, условий заказа. Чтобы узнать окончательную цену, необходимо оставить заявку. Перечень содержит преимущественно перспективную номенклатуру изделий военного назначения категорий качества “ВП”, “ОС” и “ОСМ” с техническим уровнем и характеристиками, отвечающими требованиям действующих нормативных документов НД на изделия и позволяющими создавать образцы аппаратуры ВВСТ различного назначения.
Агульныя тэхнiчныя патрабаваннi ГОСТ Класс
Зарубежные и отечественные полупроводниковые приборы. Главная страница. Скачать 4. Тип зарубежного транзистора. Отечественный Тип зарубежного Отечественый аналог транзистора аналог. Правила оформления статей для журнала “Электронная техника. Содержание статей должно соответствовать тематике рубрикатору сборника, его научно-техническому уровню и представлять интерес для
Нужны еще сервисы? Архив Каталог тем Добавить статью. Как покупать?
DataSheet PDF Search Site
Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных вам спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39. com, основного источника таблиц данных. С обширной коллекцией спецификаций для электронных компонентов, от транзисторов до микроконтроллеров, Datasheet39В домене .com есть все, что вам нужно для завершения ваших электронных проектов. |
Новые списки
Номер детали | Функция | Производители | ПДФ |
1PS10SB82 | Диод с барьером Шоттки | NXP Полупроводники | |
1PS66SB17 | Диод с барьером Шоттки | NXP Полупроводники | |
1PS66SB82 | Диод с барьером Шоттки | NXP Полупроводники | |
1ПС70СБ20 | Однодиодный барьер Шоттки | NXP Полупроводники | |
1ПС76СБ17 | Диод с барьером Шоттки | NXP Полупроводники | |
1ПС79СБ17 | Диод с барьером Шоттки | NXP Полупроводники | |
78T05 | РЕГУЛЯТОР ПОЛОЖИТЕЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ НА 3 КЛЕММЫ 0,5 А | Юнисоник Текнолоджиз | |
78T05A | 3-КЛЕММЫ 1A РЕГУЛЯТОР ПОЛОЖИТЕЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ | Юнисоник Текнолоджиз | |
78T06 | РЕГУЛЯТОР ПОЛОЖИТЕЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ НА 3 КЛЕММЫ 0,5 А | Юнисоник Текнолоджиз | |
78T06A | 3-КЛЕММЫ 1A РЕГУЛЯТОР ПОЛОЖИТЕЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ | Юнисоник Текнолоджиз |
Номер пьезы | Описание | Фабрикантес | ПДФ |
9NK60Z | N-канальный режим расширения MOSFET | STMicroelectronics | ПДФ |
А210Е | А210Э / А210К | И Т. Д. | ПДФ |
А210К | А210Е / А210К | И Т.Д. | ПДФ |
АМС303 | КОМПАРАТОР МИКРОМОЩНОСТИ | АМС | ПДФ |
АМС3109 | Микромощный 700 мА малошумящий LDO с быстрой переходной характеристикой | АМС | ПДФ |
АМС3120 | 2A Линейный регулятор с быстрым переходным процессом | АМС | ПДФ |
АМС3131 | 3A Линейный регулятор с быстрым переходным процессом | АМС | ПДФ |
АМС6104 | 1A ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ПОВЫШАЮЩЕГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ | АМС | ПДФ |
АПМ4050АПУ | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | Анпец | ПДФ |
APW7165C | Контроллер синхронного понижающего преобразователя 5–12 В | Корпорация электроники Анпек | ПДФ |
АСБ404Л | Кремниевые мостовые выпрямители 4 А | ДИОТЕК | ПДФ |
АСБ406Л | Кремниевые мостовые выпрямители 4 А | ДИОТЕК | ПДФ |
АСБ408Л | Кремниевые мостовые выпрямители 4 А | ДИОТЕК | ПДФ |
AZV3001 | Одноканальные/двухканальные двухтактные компараторы с низковольтным выходом | Диоды | ПДФ |
Una ficha técnica, hoja técnica u hoja de datos (datasheet на английском языке), también ficha de characterísticas u hoja de characterísticas, es un documento que резюме el funcionamiento y otras characteristicas de un componente (por ejemplo, un componente electronico) o subsistema por ejemplo, una fuente de alimentación) con el suficiente detalle para ser utilizado por un ingeniero de diseño y diseñar el componente en un sistema. |