Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб

M378T2953Cz3 ce6 характеристики: Модуль памяти Samsung M378T2953EZ3-CE6 DDR2 1 Gb

0 Comments

Оперативная память Samsung M378T2953CZ3-CE6 DDRII 1024Mb

Возврат или обмен товара производится только в случае, если обнаружен производственный дефект или брак. По вопросам обмена и возврата купленных в нашем магазине товаров можно обратиться к менеджерам отдела рекламации – [email protected]

Замена неисправного товара или возврат денег производится в течение 10 дней с момента обращения покупателя. При необходимости проведения дополнительной экспертизы срок может быть увеличен до 20 дней. 

Важно! Необходимо использовать услуги квалифицированных специалистов по подключению, наладке и пуску в эксплуатацию технически сложных товаров, которые по техническим требованиям не могут быть пущены в эксплуатацию без участия соответствующих специалистов. 

Условия проведения гарантийного обслуживания: 

• Фактическое наличие неисправного товара в момент обращения в сервисный центр;

• Срок гарантийного обслуживания не превышает 45 дней;

• Гарантийное обслуживание осуществляется в течение всего гарантийного срока, установленного на товар;

Право на гарантийный ремонт не распространяется на случаи: 

• неисправность устройства вызвана нарушением правил его эксплуатации, транспортировки и хранения;

• на устройстве отсутствует, нарушен или не читается оригинальный серийный номер;

• на устройстве отсутствуют или нарушенызаводскиеили гарантийные пломбы и наклейки; 

• ремонт, техническое обслуживание или модернизация устройства производились лицами, не уполномоченными на то компанией-производителем;

• дефекты устройства вызваны использованием устройства с программным обеспечением, не входящим в комплект поставки устройства, или не одобренным для совместного использования производителем устройства;

• дефекты устройства вызваны эксплуатацией устройства в составе комплекта неисправного оборудования;

• обнаруживается попадание внутрь устройства посторонних предметов, веществ, жидкостей, насекомых и т.д.;

• неисправность устройства вызвана прямым или косвенным действием механических сил, химического, термического воздействия, излучения, агрессивных или нейтральных жидкостей, газов или иныхтоксичныхили биологических сред, а так же любых иных факторов искусственного или естественного происхождения, кроме тех случаев, когда такое воздействие прямо допускается «Руководством пользователя»; 

• неисправность устройства вызвана действием сторонних обстоятельств (стихийных бедствий, скачков напряжения электропитания и т.д.)

• неисправность устройства вызвана несоответствием Государственным Стандартам параметров питающих, телекоммуникационных и кабельных сетей;

• иные случаи, предусмотренные производителями.

Гарантийные обязательства не распространяются на расходные элементы и материалы (элементы питания, картриджи и т.п.).

Системная память для системной платы Intel® для настольных ПК D975XBX2

Поставщик модуля/номер детали модуляРазмер модуляТактовая частота модуля (МГц)Время задержки CL-Тркд-ТРПКод коррекции ошибок или без ECC?Организация модулей DIMMКод даты модуляИспользованный компонент/номер детали
Критически важный * CT12864AA 667.16 Демон1 ГБ6675-5-5Без кода коррекции ошибокDSx80650Мкм * MT47H64M8B6
Решающий CT12872AA 667.9 FE1 ГБ6675-5-5ОбнаружениеSSx80706Мкм MT47h228M8HQ
Критически важный CT12864AA80E. 16FD1 ГБ8005-5-5Без кода коррекции ошибокDSx80644Мкм MT47H64M8B6
Решающий CT25664AA 667.16 FE2 ГБ6675-5-5Без кода коррекции ошибокDSx80732Мкм MT47h228M8HQ
Решающий CT12864AA 667.8 FE1 ГБ6675-5-5Без кода коррекции ошибокSSx80650Мкм MT47h228M8HQ
Критически важный CT3264AA 667.4 ДемонX1950 256 МБ6675-5-5Без кода коррекции ошибокSSx160604Мкм MT47h42M16BN
Критически важный CT6464AA 667.4 ДемонX1950 256 МБ6675-5-5Без кода коррекции ошибокSSx160604Мкм MT47h42M16BN
Критически важный CT12864AA53E. 16FB512 МБ5334-4-4Без кода коррекции ошибокDSx80644Мкм MT47H64M8B6 — 37E
Критически важный CT6464AA53E. 8FD512 МБ5334-4-4Без кода коррекции ошибокSSx80645Мкм MT47H64M8B6 — 37E
Критически важный CT6464AA80E. 8FD512 МБ8005-5-5Без кода коррекции ошибокSSx80610Мкм MT47H64M8B6
Решающее CT6472AA 667.9 ФБ512 МБ6675-5-5ОбнаружениеSSx80612Мкм MT47H64M8CB
Решающее CT6464AA 667.8 ФБ512 МБ6675-5-5Без кода коррекции ошибокSSx80646Мкм MT47H64M8B6
2 модуля Hynix * HYMP512U64AP8-S5 AB1 ГБ8005-5-5Без кода коррекции ошибокDSx805492 модуля Hynix HY5PS12821A FP-5S 529A
2 модуля Hynix HYMP564U64AP8-S5 AA512 МБ8005-5-5Без кода коррекции ошибокSSx805352 модуля Hynix HY5PS12821A FP-5S 529A
Kingston * KVR800D2N5/1 ГБ1 ГБ8005-5-5Без кода коррекции ошибокDSx80125Елпида * E5108AHSE-8E-E
Мкм MT16HTF12864AY — 667A31 ГБ6675-5-5Без кода коррекции ошибокSSx80508Мкм MT47H64M8BT-3:
Мкм MT16HTF12864AY — 667B31 ГБ6675-5-5Без кода коррекции ошибокDSx80602Мкм MT47H64M8CB-3: B
Мкм MT16HTF12864AY — 667D41 ГБ6675-5-5Без кода коррекции ошибокDSx80650Мкм MT47H64M8B6
Мкм MT16HTF12864AY — 80ED41 ГБ8005-5-5Без кода коррекции ошибокDSx80610Мкм MT47H64M8B6 — 25E: D
Мкм MT16HTF12864AY — 80ED41 ГБ8005-5-5Без кода коррекции ошибокDSx80644Мкм MT47H64M8B6
Мкм MT18HTF12872AY — 667B31 ГБ6675-5-5ОбнаружениеDSx80528Мкм MT47H64M8CB
Мкм MT8HTF12864AY — 53EE11 ГБ5334-4-4Без кода коррекции ошибокSSx80649Мкм MT47h228M8HQ
Мкм MT9HTF12872AY — 667E11 ГБ6675-5-5ОбнаружениеSSx80706Мкм MT47h228M8HQ
Мкм MT8HTF12864AY — 667E11 ГБ6675-5-5Без кода коррекции ошибокSSx80650Мкм MT47h228M8HQ
Мкм MT8HTF12864AY — 667E11 ГБ6675-5-5Без кода коррекции ошибокSSx80650Мкм MT47h228M8HQ
Мкм MT16HTF25664AY — 667E12 ГБ6675-5-5Без кода коррекции ошибокDSx80732Мкм MT47h228M8HQ
Мкм MT16HTF25664AY — 800E12 ГБ8006-6-6Без кода коррекции ошибокDSx80716Мкм MT47h228M8HQ
Мкм MT4HTF3264AY — 667B1256 МБ6675-5-5Без кода коррекции ошибокSSx160527Мкм MT47h42M16CC-3: B
Мкм MT4HTF3264AY — 800D3256 МБ8006-6-6Без кода коррекции ошибокSSx160632Мкм MT47h42M16BN
Мкм MT4HTF3264AY — 80ED3256 МБ8005-5-5Без кода коррекции ошибокSSx160611Мкм MT47h42M16BN — 25E: D
Мкм MT4HTF3264AY — 667D3X1950 256 МБ6675-5-5Без кода коррекции ошибокSSx160604Мкм MT47h42M16BN
Мкм MT16HTF12864AY — 53ED4512 МБ5334-4-4Без кода коррекции ошибокDSx80644Мкм MT47H64M8B6 — 37E
Мкм MT18HTF6472AY — 667B4512 МБ6675-5-5ОбнаружениеDSx80527Мкм MT47h42M8BP
Мкм MT8HTF6464AY — 53ED7512 МБ533 Без кода коррекции ошибокSSx80645Мкм MT47H64M8B6
Мкм MT8HTF6464AY — 667B3512 МБ6675-5-5Без кода коррекции ошибокSSx80542Мкм MT47H64M8CB-3: B
Мкм MT8HTF6464AY — 667D7512 МБ6675-5-5Без кода коррекции ошибокSSx80646Мкм MT47H64M8B6
Мкм MT8HTF6464AY — 80ED4512 МБ8005-5-5Без кода коррекции ошибокSSx80610Мкм MT47H64M8B6 — 25E: D
Мкм MT8HTF6464AY — 80ED4512 МБ8005-5-5Без кода коррекции ошибокSSx80610Мкм MT47H64M8B6
Мкм MT9HTF6472AY — 667B3512 МБ6675-5-5ОбнаружениеSSx80528Мкм MT47H64M8CB
Мкм MT9HTF6472AY — 667B3512 МБ6675-5-5ОбнаружениеSSx80612Мкм MT47H64M8CB
Мкм MT4HTF6464AY — 667E1Емкость6675-5-5Без кода коррекции ошибокSSx160708Мкм MT47H64M16HR
Кимонда * HYS72T256020HU-3S-A2 ГБ6675-5-5ОбнаружениеDSX80638Кимонда HYB18T1G800AF — 3S
Samsung * M378T2953CZ3-CE61 ГБ6675-5-5Без кода коррекции ошибокDSx80518Samsung K4T51083QC — ZCE6
Samsung M378T2953CZ3 — CE71 ГБ8005-5-5Без кода коррекции ошибокDSx80548Samsung K4T51083QC — ZCE7
Samsung M378T2953EZ3 — CE61 ГБ6675-5-5Без кода коррекции ошибокDSx80702Samsung K4T51083QE — ZCE6
Samsung M378T2953EZ3 — CE71 ГБ8005-5-5Без кода коррекции ошибокDSx80705Samsung K4T51083QE — ZCE7
Samsung M378T2953EZ3 — CF71 ГБ8006-6-6Без кода коррекции ошибокDSx80704Samsung K4T51083QE — ZCF7
Samsung M391T2953CZ3 — CE71 ГБ8005-5-5ОбнаружениеDSx80548Samsung K4T51083QC — ZCE7
Samsung M391T5663DZ3 — CE72 ГБ8005-5-5ОбнаружениеDSx80725Samsung K4T1G084QD
Samsung M378T3354CZ3 — CE6256 МБ6675-5-5Без кода коррекции ошибокSSx160522Samsung K4T51163QC — ZCE6
Samsung M378T3354EZ3 — CE6256 МБ6675-5-5Без кода коррекции ошибокSSx160704Samsung K4T51163QE — ZCE6
Samsung M378T3354EZ3 — CE7256 МБ8005-5-5Без кода коррекции ошибокSSx160704Samsung K4T51163QE — ZCE7
Samsung M378T3354EZ3 — CF7256 МБ8006-6-6Без кода коррекции ошибокSSx160705Samsung K4T51163QE — ZCF7
Samsung M378T6553CZ3 — CE6512 МБ6675-5-5Без кода коррекции ошибокSSx80525Samsung K4T51083QC — ZCE6
Samsung M378T6553CZ3 — CE7512 МБ8005-5-5Без кода коррекции ошибокSSx80548Samsung K4T51083QC — ZCE7
Samsung M378T6553EZ3 — CE6512 МБ6675-5-5Без кода коррекции ошибокSSx80705Samsung K4T51083QE — ZCE6
Samsung M378T6553EZ3 — CE7512 МБ8005-5-5Без кода коррекции ошибокSSx80705Samsung K4T51083QE — ZCE7
Samsung M378T6553EZ3 — CF7512 МБ8006-6-6Без кода коррекции ошибокSSx160705Samsung K4T51083QE — ZCF7
Samsung M391T6553CZ3 — CE7512 МБ8005-5-5ОбнаружениеSSx80548Samsung K4T51083QC — ZCE7

характеристики Samsung 1GB PC2-5300 DDR2 667MGHZ 2RX8 модуль пам’яті Модулі Пам’яті (M378T2953EZ3-CE6-RFB)

  • Користувачам Icecat
  • Виробникам
  • Partners
  • Більше
  • Країна:
  • Мова:
    • Українська
    • English
    • Deutsch
    • Français
    • Español
    • Catalán
    • Dansk
    • Deutsch (AT)
    • Deutsch (BE)
    • Deutsch (CH)
    • English (IN)
    • English (SG)
    • English (US)
    • Español (AR)
    • Español (CL)
    • Español (CO)
    • Español (MX)
    • Español (PE)
    • Estonian
    • Français (BE)
    • Français (CA)
    • Français (CH)
    • Hrvatski
    • Indonesian
    • Italiano
    • Latviski
    • Lietuviškai
    • Magyar
    • Malay
    • Malayalam
    • Nederlands
    • Nederlands (BE)
    • Norsk
    • Polski
    • Português
    • Português (BR)
    • Română
    • Slovenski
    • Slovenský
    • Srpski/Српски
    • Suomi
    • Svenska
    • Thai
    • Tiếng Việt
    • Türkçe
    • UAE (EN)
    • Česky
    • Ελληνικά
    • Български
    • Македонски
    • Русский
    • עברית
    • العربية
    • فارسی
    • मराठी
    • हिंदी
    • বাংলা

MSI P43T-C51 Список поддерживаемой памяти онлайн [2/6]

OCZ OCZ26671024

Auto Run DDRII800

1GB

V O

(OCZ X42P120840A-3)

ProMOS V916765K24QBFW-F5 1GB

V O

(ProMOS V59C1512804QBF3)

Qimonda HYS64T128020EU-3S-B2 1GB V V O

(Qimonda HYB18T512800B2F3S)

SAMSUNG M378T2863DZS-CE6 1GB V V O

SAMSUNG K4T1G084QD-ZCE6

SAMSUNG M378T2953CZ3-CE6 1GB

V O

(SAMSUNG K4T51083QC-ZCE6)

Su

ertalent T667UB1GC 1GB V V O

SAMSUNG K4T51083QE-ZCE6

TakeMS TMS1GB264C081-665QI 1GB V V O

TakeMS MS18T51280-3

OCI 04701G16CX5S1G 1GB V V O

Infinit

64M8PC5300

Samsun

M378T2863QZS-CE6 1GB V V O

Samsun

K4T1G084QQ-HCE6

Kin

ston KVR667D2N5/1G 1GB V V O

El

ida E1108AEBG-8E-F

Kin

ston KVR667D2N5/1G 1GB V V O

El

ida E1108AFSE-8E-F

Kin

ston KVR667D2N5/2G 2GB V V O

El

ida E1108AFBG-8E-F

Kin

Box EP2GD2667PS 2GB V V O

Kin

Box EPD2128082200-4

Buffalo Select D2U667C-2GMEJ 2GB V V O

Micron D9HNL

CORSAIR V

LUESELECT VS2GB667D2 2GB V O

Micro D9HNL

Crucial CT25664

A667.16FA 2GB V O

Micron D9FTB

GOODRAM GR667D264L5/2G 2GB V V O

El

ida E1108ACBG-6E-E

HYNIX HYMP125U64CP8-Y5 2GB V V O

HYNIX HY5PS1G831CFP-Y5

Kin

ston KVR667D2N5/2G 2GB V V O

El

ida E1108ACBG-6E-E

Micron MT16HTF25664AY-667E1

2GB V V O

(Micron D9HNL)

Qimonda

HYS64T256020EU-3S-B

2GB V V O

(Qimonda HYB18T1G800BF-3S)

Qimonda HYS64T256020EU-3S-C2 2GB V V O

Qimonda HYB18T1G800C2F-3S

SAMSUNG M378T5663QZ3-CE6 2GB V V O

SAMSUNG K4T1G084QQ-HCE6

Su

ertalent T667UB2G/S 2GB V V O

SAMSUNG K4T1G084QD-ZCE6

TakeMS TMS2GB264D081-665U

2GB V V O

ELPIDA E1108AB-6E-E

Samsun

M378T5263AZ3-CE6 4GB V V O

Samsun

K4T2G084QA-HCE6

IC Datashee-Технические характеристики,усилитель,процессор,транзисторы,диодные,интегральных схем и других полупроводниковых Datasheets поиска и загрузки IC-Datasheet.com

TPS2211AIDB CXK5863 KAQW210S KAQW210 CY7C164-35PC KMA200 PW-1634BA-CST02 PW-1634CA-CST02 PW-1634DA-CST02 PW-1634EA-CST02 AD640 IXTP180N055T STP180N55 LMC660AI LMC660AIMX LMC660C LMC660CMX LM612IM LM612IN M378T2953BGZ0-CD5CC M378T2953BGZ3-CD5CC M378T2953BG0-CD5CC M378T2953CZ0-CD5 M378T2953CZ3-CD5 M378T2953CZ3-CE6 M378T3253FG0-CD5 M378T3253FG0-CE6 M378T3253FG0-D5 M378T3253FG3-CD5 M378T3253FZ0-CD5 M378T3253FZ0-CE6 M378T3354BG LTC1458I SI1021R CC1021 MSM7512BRS LTC2424CG LTC2424C DL40R-F-11M LAW57B-FYGY-24 RQ5RW57BB TC75W57FK TC75W57FU JM3851038411BCA KRA572E KRA572U SA572 TDA3664AT MAX814N HT9290A MC145193F MAX6468US22D3 MC33169 ADM202EARU-REEL7 ADM202EARUZ MC74ACT109DR2 MC74ACT163DR2 MC74HC02AFEL MC74HC02AFELG MC74HC04AF MGF4954A MGF4961B MBR0520LTI MC74HC139AFEL MC74HC139AFELG MC74HC164AFEL MC74HC164AFELG MC74HCU04AFEL MC74HCU04AFELG AZ1084S-1.5TR AZ1084S-1.8E1 THC2504 HM9121 AM5901AF44-E1 TL34072ADR JM3851011601BCA JM3851011601BCC JM3851011601BIA JM3851011602BCA JM3851011602BCC JM3851011602BIA JM3851011604BCA JM3851011604BCC JM3851012909BPA HN58X2402 MIC1427CM MIC1427CN LT211 MC14402 MC145472 MK1412 MC71000 24C01A SP34063AENTR IS80C32-40PL IS80C32-40PLI IS80C32-40PQ IS80C32-40W IS80C32-40WI LM13080 LTC1657IGN IRF7751 IRF7754 IRF7756 SI5933DC CD4042BF3A 2SC3606 TC4016BP IDT74FCT244AP IDT74FCT244APY IDT74FCT244APYB IDT74FCT244A BSP230 ADC601 2SC3607 MAX9374-MAX9374A MAX9394-MAX9395 MAX9703-MAX9704 MAX975-MAX977 MAX985-MAX994 LSC3100-BI LSC3100-FP LSC3100-SC LSC3X00 B82442-h2332-K ADXL210AQC-1 ADXL210JQC-1 ADXL210QCX ADXL213AE ADXL213EB ADXL213 GP2L01 GP2L01F TM070WA22L01 TM121SV-02L01 TM121SV02L01 TM121XG02L01 TM150XG-22L01A TM150XG22L01A FS8853-30CF FS8853-30CK FS8853-30CL FS8853-30CV FS8853-33PY SN75LP1185DB SN75LP1185DW APL5507-13KC APL5507-18XC APL5507-20KC APL5507-22XC L6610 IL208 XCR22V10-10VO24C LD1117DT25TR K8D6316UTM-DC07 K8D6316UTM-DC08 K8D6316UTM-DC09 K8D6316UTM-DI07 K8D6316UTM-DI08 K8D6316UTM-DI09 K8D6316UTM-FC07 K8D6316UTM-FC08 K8D6316UTM-FC09 K8D6316UTM-FI07 K8D6316UTM-FI08 K8D6316UTM-FI09 K8D6316UTM-LC07 K8D6316UTM-LC08 K8D6316UTM-LC09 LF18ABDT-TR LF50CDT-TR M29F100B-90M1R M29F100B-90M1TR M29F100B-90M3R M29F100B-90M3TR M29F100B-90M6R M29F100B-90M6TR CM2400-02 M29F400BB55M1 M29F400BB55M1E M29F400BB55M1F M29F400BB55M1T M29F400BB55M3 M29F400BB55M3E M29F400BB55M3F M29F400BB55M3T M29F400BB55M6 M29F400BB55M6E M29F400BB55M6F M29F400BB55M6T CS20118D0C103K5E CS20118D0C103M5E CS20118D0C103M5P CS20118D0C103SSE CS20118D0S103K5E CS20118D0S103MSE IS62WV2568BLL KBL606 MC100EL16DR2 MC100EL16DR2G

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30

Скачать

  • Page 4 and 5: BIOS ABit ASRock ASUS BioStar Gigab
  • Page 6: Содержание НОВОСТИ
  • Page 9 and 10: Монитор для iPod К ол
  • Page 11 and 12: Память от Corsair с осо
  • Page 13 and 14: Переход на новую те
  • Page 15 and 16: Перспективы объеди
  • Page 17 and 18: Undelete PLUS ExtractNow Автор
  • Page 19 and 20: Chaintech GSE795GT n/a ÕÀÐÀÊÒ
  • Page 21 and 22: www.oldi.ru ул. Донская, 3
  • Page 23 and 24: Canon Pixma MP160 MSI Geminium Go 7
  • Page 25 and 26: АППАРАТНАЯ ЧАСТЬ Т
  • Page 27 and 28: ADSL РОУТИМ С ПРОВОДА
  • Page 30 and 31: ДЕТАЛЬНЫЙ ТЕСТ WESTERN
  • Page 32 and 33: ДЕТАЛЬНЫЙ ТЕСТ SAMSUNG
  • Page 34 and 35: ТЕСТ МОЩНЫЕ ВИДЕОК
  • Page 36 and 37: ТЕСТ МОЩНЫЕ ВИДЕОК
  • Page 38: ТЕСТ МОЩНЫЕ ВИДЕОК
  • Page 42 and 43: ТЕСТ МОЩНЫЕ ВИДЕОК
  • Page 44 and 45: ТЕСТ DDR2 Corsair Hynix Kingmax
  • Page 46 and 47: ТЕСТ DDR2 Corsair Hynix Kingmax
  • Page 48 and 49: ТЕСТ DDR2 Corsair Hynix Kingmax
  • Page 50: ТЕСТ DDR2 Corsair Hynix Kingmax
  • Page 53 and 54:

    ÕÀÐÀÊÒÅÐÈÑÒÈÊÈ Фор

  • Page 55 and 56:

    ÕÀÐÀÊÒÅÐÈÑÒÈÊÈ Фор

  • Page 57 and 58:

    ÒÅÑÒÎÂÛÉ ÑÒÅÍÄ: Про

  • Page 59 and 60:

    ÕÀÐÀÊÒÅÐÈÑÒÈÊÈ Пол

  • Page 61 and 62:

    Результаты тестиро

  • Page 63 and 64:

    ÕÀÐÀÊÒÅÐÈÑÒÈÊÈ Сов

  • Page 65 and 66:

    КОНКУРС Журнал «Же

  • Page 67 and 68:

    Лазерное шоу ЛАЗЕР

  • Page 69 and 70:

    ÕÀÐÀÊÒÅÐÈÑÒÈÊÈ Мак

  • Page 71 and 72:

    ÕÀÐÀÊÒÅÐÈÑÒÈÊÈ Мак

  • Page 73 and 74:

    Кулеры ЧЬИ ТЕХНОЛО

  • Page 75 and 76:

    Оверклокерский кон

  • Page 77 and 78:

    РЕЗУЛЬТАТЫ ТЕСТИРО

  • Page 79 and 80:

    6 5 ВИНЧЕСТЕР Компан

  • Page 81 and 82:

    Водянка во всей сво

  • Page 83 and 84:

    1 Радиатор 70 60 50 40 30 2

  • Page 85 and 86:

    Memtest86+ О дна из самы

  • Page 87 and 88:

    SuperSpeed RamDisk Plus О пера

  • Page 89 and 90:

    КАК ОФОРМИТЬ ЗАКАЗ

  • Page 91 and 92:

    Сфокусируйся Если

  • Page 93 and 94:

    Рекорды октября Ок

  • Page 95 and 96:

    Фишки IT РАЗВИТИЕ, А

  • Page 97 and 98:

    Фишки IT РАЗВИТИЕ, А

  • Page 99 and 100:

    КОРОЛЬ ORB’А Мастер

  • Page 101 and 102:

    Фотографии даже оч

  • Page 103 and 104:

    ENGINE start www .maxi-tuning.ru Е

  • Page 105 and 106:

    НА ЗАМЕТКУ: ATI Radeon X19

  • Page 107 and 108:

    ÍÅ ÕÂÀÒÀÅÒ ×ÅÃÎ-ÒÎ

  • Page 109 and 110:

    НА ЗАМЕТКУ: В знаме

  • Page 111 and 112:

    возможность воспла

  • Page 113 and 114:

    Реализация PhysX от ASU

  • Page 115 and 116:

    Не просто месиво, а

  • Page 117 and 118:

    КОНЦЕПЦИЯ оявились

  • Page 120 and 121:

    ИНФО ЛИНЕЙКА Монит

  • Page 122 and 123:

    ИНФО ЛИНЕЙКА Монит

  • Page 124 and 125:

    ИНФО ЛИНЕЙКА Монит

  • Page 126 and 127:

    ИНФО / FAQ FAQ [email protected] О

  • Page 128 and 129:

    ПРАКТИКА / РАЗГОН Р

  • Page 130 and 131:

    ПРАКТИКА РАЗГОН Quad

  • Page 132 and 133:

    ПРАКТИКА / РЕМОНТ Р

  • Page 134 and 135:

    ПРАКТИКА РЕМОНТ НА

  • Page 136 and 137:

    ПРАКТИКА / МОДДНИГ

  • Page 138 and 139:

    ПРАКТИКА МОДДНИГ п

  • Page 140 and 141:

    ПРАКТИКА / УЧИМ РЕМ

  • Page 142 and 143:

    ПРАКТИКА УЧИМ КАК Н

  • Page 144 and 145:

    ПОЧТА ВОПРОСЫ mail@xard

  • Page 146:

    А для следующего но

    • M378T2953CZ3-CE6 техническое описание – DDR2 Unbuffered Sdram Module 240pin Unbuffered Module

    K6R1004V1D-08: Быстрая SRAM Описание = K6R1004V1D 256Kx4 бит (с OE) Высокоскоростное статическое ОЗУ CMOS (3,3 В в рабочем режиме) ;; Организация = 256Kx4 ;; Vcc (V) = 3,3 ;; Скорость-tAA (нс) = 8,10 ;; Рабочая температура = C ;; Рабочий ток (мА) = 80,65 ;; Ток в режиме ожидания (мА) = 5 ;; Пакет = 32SOJ ;; Статус производства = массовое производство

    MD16R162GDF0: x32 RIMM Описание = MD16R1624 (8 / G) DF0, MD18R1624 (8 / G) DF0 (16Mx16) * Модуль RIMM (TM) 4 (8/16) шт. 32 мс Ref, 2.5В ;; Плотность (МБ) = 512 ;; Организация = 128Mx32 ;; Состав компонентов = 256M (5-й) x16 ;; Напряжение (В) = 2,5 ;; Обновить = 16K / 32 мс ;; Скорость (МГц) / TRAC (нс) = 800-40 (

    S5F329PU02:

    S5T8808A: Синтезатор частоты ФАПЧ для пейджера

    STD80LS2: Стандартные библиотеки ячеек Описание = STD80 0,5 микрон STD80 Стандартная библиотека ячеек ;; Напряжение питания (В) = 5 ;; Технология (микрон) = 0,5 микрон

    K7A403200B-QC (I) 16/14: 128Kx32 бит, синхронная конвейерная пакетная SRAM K7A403600B, K7A403200B и K7A401800B – это 4718 592-битная синхронная статическая оперативная память, предназначенная для высокопроизводительной кэш-памяти второго уровня Pentium и системы Power PC

    .

    AT-FC-P-M6-10-A: ФИКСИРОВАННЫЙ АТТЕНЮАТОР ВЧ / МИКРОВОЛН, МАКСИМАЛЬНЫЕ ПОТЕРЯ НА ВСТАВКУ 20 дБ Технические характеристики: Тип аттенюатора: Фиксированный; Вносимые потери: 20 дБ; Затухание: 1 дБ

    K4B2G0446D-HCMAT: DDR DRAM Технические характеристики: Категория памяти: Чип DRAM

    K8S5615EZC-SC1C0: 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PBGA44 Технические характеристики: Категория памяти: Flash, PROM; Плотность: 268435 кбит; Количество слов: 16000 тыс .; Биты на слово: 16 бит; Тип упаковки: 7,70 X 6,20 мм, высота 1 мм, шаг 0,50 мм, бессвинцовый, FBGA-44; Контакты: 44; Семейство логики: CMOS; Напряжение питания: 1,8 В; Время доступа: 100 нс; Рабочая температура

    M485L3324BT0-LA2: МОДУЛЬ DRAM DDR 32M X 72, 0,75 нс, DMA200 Технические характеристики: Категория памяти: Чип DRAM; Плотность: 2415919 кбит; Количество слов: 32000 тыс .; Биты на слово: 72 бита; Тип упаковки: SODIMM-200; Контакты: 200; Напряжение питания: 2.5В; Время доступа: 0,7500 нс; Рабочая температура: от 0 до 70 C (от 32 до 158 F)

    Системная память

    для системной платы Intel® D945GCLF

    для настольных ПК

    Содержимое:

    Характеристики системной памяти
    Плата имеет один 240-контактный разъем DIMM и поддерживает следующие функции памяти:

    • 1,8 В (только) DDR2 SDRAM DIMM с позолоченными контактами
    • Небуферизованный, одинарный -сторонние или двусторонние модули DIMM со следующим ограничением: двусторонние модули DIMM с организацией x16 не поддерживаются
    • Максимальный общий объем системной памяти 2 ГБ
    • Минимальный общий объем системной памяти: 128 МБ
    • Модули DIMM без ECC
    • Обнаружение последовательного присутствия
    • DDR2 533 МГц или DDR2 400 МГц DIMM SDRAM (DDR2 800 МГц и DDR2 667 МГц утверждены для работы только на частоте 533 МГц)
    Примечание Для полной совместимости со всеми применимыми спецификациями памяти DDR2 SDRAM, на плате должны быть установлены модули DIMM, поддерживающие структуру данных последовательного обнаружения присутствия (SPD).Это позволяет BIOS считывать данные SPD и программировать набор микросхем для точной настройки параметров памяти для достижения оптимальной производительности. Если установлена ​​память без SPD, BIOS попытается правильно настроить параметры памяти, но это может повлиять на производительность и надежность, или модули DIMM могут не работать при определенной частоте.

    Поддерживаемые конфигурации DIMM
    В следующей таблице перечислены поддерживаемые конфигурации DIMM:

    Емкость DIMM Конфигурация Плотность SDRAM Организация SDRAM Лицевая сторона / Задняя сторона Количество устройств SDRAM
    128 МБ SS 256 Мбит 16 M x 16 / пустой 4
    256 МБ SS 256 Мбит 32 M x 8 / пустой 8
    256 МБ SS 512 Мбит 32 M x 16 / пустой 4
    512 МБ DS 256 Мбит 32 M x 8/32 M x 8 16
    512 МБ SS 512 Мбит 64 M x 8 / пустой 8
    512 МБ SS 1 Гбит 64 M x 16 / пустой 4
    1024 МБ DS 512 Мбит 64 M x 8/64 M x 8 16
    1024 МБ SS 1 Гбит 128 M x ​​8 / пустой 8
    2048 МБ DS 1 Гбит 128 M x ​​8/128 M x ​​8 16

    Примечание Во втором столбце «DS» относится к двусторонним модулям памяти ( содержащие две строки SDRAM), а «SS» относится к односторонним модулям памяти (содержащим одну строку SDRAM).

    Протестированная память

    В таблице ниже перечислены детали, прошедшие тестирование во время разработки. Эти номера деталей могут быть недоступны на протяжении всего жизненного цикла продукта.

    VS 9006 52 Corsair533 MB CT12864AA667.8FG KINGMAX KING -ECC Leadmax LRMP512U64A8-S6 Micron MT4HTF3264AY-667B2

    Micron MT8HTF52 ГБ

    900 52 SAMSUNG M378T2953CZ3-CE6
    Поставщик модуля / Номер детали модуля Размер модуля Скорость модуля (МГц) ECC или Non-ECC?
    Adata M20AD5G3I4176I1C52 1 ГБ 667 без ECC
    Adata M20HY5G3I4170L1C5Z 1 ГБ 667 667 без ECC 667 GB Без ECC
    Corsair VS1GB533D2 1 ГБ 533 Без ECC
    Corsair VS1GB667D2 1 ГБ 667 Без ECC
    533 без ECC
    Corsair VS512MB533D2 512 МБ 533 без ECC
    Corsair VS512MB667D2 512 МБ 667 Crucial без ECC 1 ГБ 667 Без ECC
    Crucial CT6464AA667.4FG 512 МБ 667 Без ECC
    Geil G216E2864T2AG0ABT7LAA8662 ГБ ECC
    HYNIX HYMP532U64CP6-Y5 AB 256 Мбайт 667 Без ECC
    KINGMAX KLBC28F-A8Kh5 512 Мбайт 533 King Non-ECC
    King Non-ECC
    1 ГБ 533 без ECC
    Kingston KVR533D2N4 / 256 256 МБ 533 без ECC
    Kingston KVR533D2N4 / 512 512 МБ 533
    Kingston KVR667D2N5 / 1G 1 ГБ 667 без ECC
    Kingston KVR667D2N5 / 512 512 МБ 667 без ECC
    Kingston KVR800D2N5 / 1G 1 ГБ 800 без ECC
    1 ГБ 800 без ECC
    Leadmax LRMP564U64A8-Y5 512 МБ 667 без ECC
    Micron MT16HTF12864
    Micron MT16HTF12864 ГБ 667 без ECC
    Micron MT16HTF129644AY-667B3 512 МБ 667 без ECC
    Micron MT16HTF6464AY-53EB2 512 МБ 533 без ECC
    256 МБ 667 Без ECC
    Micron MT4HTF3264AY-667D3 256 МБ 667 Non-ECC
    Micron MT4HTF6464AY-667G1 512 МБ 667 Non-ECC
    667 Без ECC
    Micron MT8HTF6464AY-53ED7 512 МБ 533 Без ECC
    Micron MT8HTF6464AY-80ED4 512 МБ 800 Без ECC
    Ramaxel RML1060HC46D5F-533 256 МБ 533 Non-ECC
    Ramaxel RML1660LA46D57-667 256 МБ 667 без ECC
    Samaxel 536 MB 533 Без ECC
    1 ГБ 667 без ECC
    Transcend 178190-783 256 МБ 667 без ECC
    Transcend 503696-8574 1 ГБ 667 Без ECC
    Transcend 505037-3259 512 МБ 667 Без ECC
    VDATA M2YVD2G3h41P6I1B52 512 МБ 533 без ECC

    0

    Системная память для системной платы Intel® DG33TL

    для настольных ПК

    Функции системной памяти
    Плата имеет четыре разъема DIMM и поддерживает следующие функции памяти:

    • 1.Модули DIMM DDR2 SDRAM на 8 В (только) с позолоченными контактами.
    • Небуферизованные, односторонние или двусторонние модули DIMM со следующим ограничением: двусторонние модули DIMM с организацией x16 не поддерживаются.
    • Максимальный общий объем системной памяти 8 ГБ при использовании модулей DIMM DDR2 667 или DDR2 800.
    • Минимальный общий объем системной памяти: 512 МБ.
    • Модули DIMM без ECC.
    • Обнаружение последовательного присутствия.
    • DDR2 800 или DDR2 667 МГц SDRAM DIMM.
    • DDR2 667 SIMM с таймингами SPD всего 5-5-5 (tCL-tRCD-tRP).
    • DDR2 800 SIMM с таймингами SPD только 5-5-5 или 6-6-6 (tCL-tRCD-tRP).
    Примечание Минимум 512 МБ системной памяти требуется для полного включения как встроенной графики, так и механизма управления.

    Примечание Для полной совместимости с применимыми спецификациями памяти DDR SDRAM на плате должны быть модули DIMM, поддерживающие структуру данных Serial Presence Detect (SPD).Эта структура позволяет BIOS считывать данные SPD и программировать набор микросхем для точной настройки параметров памяти для обеспечения оптимальной производительности. Если установлена ​​память без SPD, BIOS пытается правильно настроить параметры памяти. Это может повлиять на производительность и надежность, или модули DIMM могут не работать при указанной частоте.

    Поддерживаемые конфигурации DIMM
    В следующей таблице перечислены поддерживаемые конфигурации DIMM:

    Тип DIMM Технология SDRAM Наименьший используемый DIMM (один x16 односторонний DIMM ) Самый большой используемый модуль DIMM (один двухсторонний DIMM x8) Максимальная емкость с четырьмя идентичными двусторонними модулями DIMM x8
    DDR2 667 512 Мбит 256 МБ 1 ГБ 4 ГБ
    DDR2 667 1 Гбит 512 МБ 2 ГБ 8 ГБ
    DDR2 800 512 Мбит 256 МБ 1 ГБ 4 ГБ
    DDR2 800 1 Гбит 512 МБ 2 ГБ 9 0055 8 ГБ

    Протестированная память

    Память, протестированная сторонними организациями *
    Память, протестированная сторонними организациями, осуществляется по запросу поставщиков памяти.Память тестируется в независимом центре памяти, не входящем в состав Intel – Computer Memory Test Labs (CMTL).

    Самопроверка памяти поставщиком
    Intel предоставляет поставщикам памяти, участвующим в этой программе, общий план тестирования памяти для использования в качестве базовой проверки стабильности памяти. Память перечислена, завершенное тестирование поставщиком памяти или корпорацией Intel с использованием этого плана тестирования. Эти номера деталей могут быть недоступны на протяжении всего жизненного цикла продукта.

    В таблице ниже перечислены компоненты, прошедшие тестирование с использованием программы Intel Self Test для системной платы Intel® DG33TL для настольных ПК.

    ECC

    51

    Поставщик модуля / Номер детали модуля Размер модуля Скорость модуля (МГц) ECC или Non-ECC
    Crucial CT6464AA667.4FE 512 МБ 667 Без ECC
    Infineon HYS64T32000HU-3S-B 256 МБ 667 Без ECC
    Infineon HYS64T64000HU-3S-A 512 МБ 667
    Micron MT16HTF12864AY-80ED4 1 ГБ 800 Non-ECC
    Micron MT16HTF256664AY-667A3 2 ГБ 667 Non-ECC
    25 Micron 2 ГБ 800 без ECC
    микрон MT4HTF64 64AY-667E1 512 МБ 667 Без ECC
    Qimonda HYS64T128020HU-2.5-B 1 ГБ 800 Без ECC
    Qimonda HYS64T256020EU-2.5FB 2 ГБ 800 Без ECC
    Qimonda HYS64T64020HU-25F-A 512 800 Без ECC
    Samsung M378T2953CZ3-CE6 1 ГБ 667 Без ECC
    Samsung M378T2953CZ3-CE7 1 ГБ 800 Non-ECC
    Samsung M378T3354CZ3-CE6 256 МБ 667 Без ECC

    Оперативная память Samsung DDR2 Оперативная память Samsung RAMBUS Обновление ОЗУ

    Samsung предлагает самый широкий в отрасли выбор модулей DIMM DDR2? небуферизованные и зарегистрированные, а также SODIMM? доступны с плотностью от 256 МБ до 2 ГБ.Эти передовые модули памяти основаны на технологии монолитных компонентов DDR2 от 256 Мбайт до 1 Гбайт от Samsung.

    DDR2 – это память с самой высокой пропускной способностью, доступная на сегодняшний день, поддерживающая многопоточные приложения, улучшенную графику и многозадачность, часто встречающуюся на самых продвинутых ПК и рабочих станциях. По сравнению с предыдущими решениями памяти этот новый стандарт памяти JEDEC также имеет лучшую целостность сигнала, более низкое энергопотребление и лучшие тепловые характеристики. Кроме того, улучшенная скорость и плотность памяти DDR2 идеально подходят для появляющихся двухъядерных систем, где эту мощность можно использовать для ресурсоемких задач, таких как многопроцессорная обработка и управление большими видео- или графическими файлами.

    Модули DIMM без буферизации DDR2 Samsung

    Samsung M378T3253FZ3-CCC 256 МБ PC2 3200 ОЗУ DDR2 (DDR2 400 МГц) DIMM

    Samsung M378T3253FZ3-CD5 256 МБ PC2 4200 DDR2 RAM (DDR2 533 МГц) DIMM

    Samsung M378T3253FZ3-CE6 256 МБ PC2 5300 DDR2 RAM (DDR2 667 МГц) DIMM

    Samsung M378T6453FZ3-CCC 512 МБ PC2 3200 DDR2 RAM (DDR2 400 МГц) DIMM

    Samsung M378T6453FZ3-CD5 512 МБ PC2 4200 DDR2 RAM (DDR2 533 МГц) DIMM

    Samsung M378T6453FZ3-CE6 512 МБ PC2 5300 DDR2 RAM (DDR2 – 667 МГц) DIMM

    Samsung M378T2953CZ3-CCC 1 ГБ PC2 3200 DDR2 RAM (DDR2 400 МГц) DIMM

    Samsung M378T2953CZ3-CD5 1 ГБ PC2 4200 DDR2 RAM (DDR2 533 МГц) DIMM

    Samsung M378T2953CZ3-CE6 1 ГБ PC2 5300 DDR2 RAM (DDR2 667 МГц) DIMM

    Samsung M378T5663AZ3-CCC 2 ГБ PC2 3200 DDR2 RAM (DDR2 400 МГц) DIMM

    Samsung M378T5663AZ3-CD5 2 ГБ PC2 4200 DDR2 RAM (DDR2 533 МГц) DIMM

    Samsung M378T5663AZ3-CE6 2 ГБ PC2 5300 DDR2 RAM (DDR2 667 МГц) DIMM

    Модули SODIMM Samsung DDR2

    Samsung M470T3354CZ3-CCC 256 МБ PC2 3200 DDR2 RAM (DDR2 400 МГц) SODIMM

    Samsung M470T3354CZ3-CD5 256 МБ PC2 4200 DDR2 RAM (DDR2 533 МГц) SODIMM

    Samsung M470T3354CZ3-CE6 256 МБ PC2 5300 DDR2 RAM (DDR2 667 МГц) SODIMM

    Samsung M470T6554CZ3-CCC 512 МБ PC2 3200 DDR2 RAM (DDR2 400 МГц) SODIMM

    Samsung M470T6554CZ3-CD5 512 МБ PC2 4200 DDR2 RAM (DDR2 533 МГц) SODIMM

    Samsung M470T6554CZ3-CE6 512 МБ PC2 5300 DDR2 RAM (DDR2 – 667 МГц) SODIMM

    Samsung M470T2953CZ3-CCC 1 ГБ PC2 3200 DDR2 RAM (DDR2 400 МГц) SODIMM

    Samsung M470T2953CZ3-CD5 1 ГБ PC2 4200 DDR2 RAM (DDR2 533 МГц) SODIMM

    Samsung M470T2953CZ3-CE6 1 ГБ PC2 5300 DDR2 RAM (DDR2 667 МГц) SODIMM

    Зарегистрированные модули DIMM Samsung DDR2 SDRAM

    Samsung M393T3253FZ3-CCC 256 МБ PC2 3200 DDR2 RAM (DDR2 400 МГц) Зарегистрированный модуль DIMM

    Samsung M393T3253FZ3-CD5 256 МБ PC2 4200 DDR2 RAM (DDR2 533 МГц) Зарегистрированный модуль DIMM

    Samsung M393T3253FZ3-CE6 256 МБ PC2 5300 DDR2 RAM (DDR2 667 МГц) Зарегистрированный DIMM

    Samsung M393T6450FZ3-CCC 512 МБ PC2 3200 DDR2 RAM (DDR2 400 МГц) Зарегистрированный модуль DIMM

    Samsung M393T6450FZ3-CD5 512 МБ PC2 4200 DDR2 RAM (DDR2 533 МГц) Зарегистрированный модуль DIMM

    Samsung M393T6450FZ3-CE6 512 МБ PC2 5300 DDR2 RAM (DDR2 – 667 МГц) Зарегистрированный DIMM

    Samsung M393T2950CZ3-CCC 1 ГБ PC2 3200 DDR2 RAM (DDR2 400 МГц) Зарегистрированный модуль DIMM

    Samsung M393T2950CZ3-CD5 1 ГБ PC2 4200 DDR2 RAM (DDR2 533 МГц) Зарегистрированный модуль DIMM

    Samsung M393T2950CZ3-CE6 1 ГБ PC2 5300 DDR2 RAM (DDR2 667 МГц) Зарегистрированный DIMM

    Samsung M393T5750CZ3-CCC 2 ГБ PC2 3200 DDR2 RAM (DDR2 400 МГц) Зарегистрированный модуль DIMM

    Samsung M393T5750CZ3-CD5 2 ГБ PC2 4200 DDR2 RAM (DDR2 533 МГц) Зарегистрированный модуль DIMM

    Samsung M393T5750CZ3-CE6 2 ГБ PC2 5300 DDR2 RAM (DDR2 667 МГц) Зарегистрированный модуль DIMM

    Память Samsung RAMBUS

    Рамбус? РИММ? module – это высокопроизводительный модуль памяти общего назначения, подходящий для использования в широком спектре приложений, включая компьютерную память, персональные компьютеры, рабочие станции и другие приложения, где требуются высокая пропускная способность и низкая задержка.


    Samsung 64 МБ RAMBUS NON-ECC-600 MR16R0824BN1-CG6 RAMBUS MODULE Samsung Electronic

    Samsung RIMM 64MB NON ECC MR16R0824BN1-CK7 RAMBUS MODULE Samsung Electronic

    Samsung RIMM 64MB NON ECC MR16R0824BN1-CK8 RAMBUS MODULE Samsung Electronic

    128 МБ 184-контактный PC600 RDRAM без ECC Rambus RIMM MR16R0828BN1-CG6 МОДУЛЬ RAMBUS Samsung Electronic

    28 МБ 184-контактный PC700 (PC711-45) Rambus Non-ECC RIMM MR16R0828BN1-CK7 RAMBUS MODULE Samsung Electronic

    128 МБ Rambus 184-контактный PC800-45 8 устройств NonECC RDRAM RIMM MR16R0828BN1-CK8 МОДУЛЬ RAMBUS Samsung Electronic

    256 МБ Samsung 184-контактный PC600 16d без ECC RDRAM RIMM MR16R082CGBN1-CG6 МОДУЛЬ RAMBUS Samsung Electronic

    Rambus PC800-45 256 МБ, 16 устройств, RDRAM RIMM без ECC MR16R082CGBN1-CK8 МОДУЛЬ RAMBUS Samsung Electronic

    Модуль Rambus RIMM состоит из устройств Direct Rambus DRAM со скоростью 128/144 Мбайт.Это чрезвычайно высокоскоростные КМОП DRAM, организованные в виде 8-мегабайтных слов по 16 или 18 бит. Использование технологии Rambus Signaling Level (RSL) обеспечивает скорость передачи данных 600 МГц, 711 МГц или 800 МГц при использовании традиционных технологий проектирования систем и плат. Устройства RDRAM способны поддерживать устойчивую передачу данных со скоростью 1,25 нс на два байта (10 нс на 16 байтов).

    Архитектура RDRAM обеспечивает максимальную устойчивую полосу пропускания для множественных одновременных транзакций с произвольной адресацией памяти. Отдельные шины управления и данных с независимым управлением строками и столбцами обеспечивают эффективность шины более 95%.Архитектура RDRAM с 32 банками поддерживает до четырех одновременных транзакций на устройство.

    Запасные части для компьютеров – Desktop RAM DDR3

    Марка ПК Toshiba
    Емкость жесткого диска 1 ТБ
    Состояние Новый
    Тип процессора i3
    Гарантия 1 год

    Основные особенности
    • Емкость Гб: 1 ТБ
    • Внешнее питание: Нет
    • Гарантия: 2 года
    • Возможности подключения: USB 2.0
    • Характеристики: нет данных
    • SUPC: SDL961175898
    Серебристый и черный
    Конфигурация привода
    Устройство Рабочий стол
    Тип устройства 3.5-дюймовый жесткий диск
    Емкость диска 1 ТБ
    Скорость вращения 7200 об / мин
    Интерфейс SATA 6,0 Гбит / с
    Кэш-память 64 Мб
    Питание
    Стандартное входное напряжение 5
    Потребляемая мощность 3,7
    Размеры продукта
    Длина 14.7 см
    Высота 2,61 см
    Ширина 10,16 см
    Гарантия
    Период 2 года гарантии производителя
    Тип Ограниченная Гарантия
    Описание

    Внутренний жесткий диск Toshiba обладает рядом преимуществ, которыми могут воспользоваться его постоянные клиенты. Этот доступный по цене и высокопроизводительный внутренний жесткий диск, поддерживаемый обширным хранилищем, можно легко приобрести у Snapdeal.Это внутренний жесткий диск емкостью 1 ТБ, который лучше всего подходит для настольных компьютеров. Этот жесткий диск, демонстрирующий привлекательную цветовую комбинацию серебристого и черного, можно купить не только из-за его декоративных элементов, но и из-за присущих ему характеристик производительности. Таким образом, внутренний жесткий диск Toshiba, на который распространяется 2-летняя ограниченная гарантия, представляет собой беспроблемное приобретение, которое будет иметь большое значение для удовлетворения и превосходства требований пользователей компьютеров к хранению.

    Возможности подключения

    Облегчение USB 2.0, внутренний жесткий диск Toshiba обладает рядом функций, которые способствуют его высоким стандартам производительности.

    Коэффициент долговечности

    Это надежный жесткий диск, для которого большое значение имеют характеристики ударопрочности. Демонстрация 70 G с 2-х минутной половинной синусоидой во время использования сопровождается 350 G с 2-х минутной половинной синусоидой в режиме ожидания.

    Размер диска и интерфейс

    Как и все другие жесткие диски, на этот внутренний жесткий диск распространяется гарантия 8.89-см жесткий диск с интерфейсом SATA 6.0 GBPS.

    Совместимость

    Этот жесткий диск, хорошо совместимый с настольными компьютерами, занимает прочное место в категории внутренних жестких дисков для настольных ПК.

    Дополнительная информация

    Важно знать, что скорость отжима составляет 7200 об / мин. Это позволяет называть его устройством, работающим на максимальной скорости, поэтому этот жесткий диск является горячим выбором среди многих пользователей, обеспокоенных скоростью передачи.

    Положения и условия

    Изображения представляют реальный продукт, хотя цвет изображения и продукта могут незначительно отличаться.

    По претензиям, связанным с гарантией, обращайтесь в сервисный центр бренда.

    Memoria del sistema para la placa Intel® para equipos de sobremesa …

    Характеристики памяти системы
    Память памяти DIMM совместима с сигнальными функциями памяти:

    • DIMM de SDRAM DDR2 1,8 v (соло) с контактами
      • 34 DIMM с контактами34 DIMM búfer, de una cara o de doble cara con la siguiente constración: los DIMM de doble cara con organación x16 no son Compatible
    • Общая память системы максимум 8 ГБ с DIMM de DDR2 667 или DDR2 800
    • Общая память системы : 512 МБ
    • DIMM с ECC
    • Обнаружение присутствия в серии
    • DIMM de SDRAM DDR2 800 или DDR2 667 МГц
    • SIMM de 667 DDR2 с временным подключением SPD к одиночному 5-5-5 (tCL-tRCD-tRP)
    • SIMM 800 de DDR2 с синхронизацией SPD соло 5-5-5 или 6-6-6 (tCL-tRCD-tRP)
    Nota Требуется минимальная память 512 МБ del sistema para activar completetamente tanto los gráficos integrationdos como el motor de capacity de gestión.

    Nota Для полной совместимости с применимой специальной памятью DDR SDRAM, которая может быть установлена ​​на DIMM, совместимую с конструкцией серии данных обнаружения (SPDD). Разрешите BIOS, содержащую данные SPD, и программу набора микросхем для настройки точной памяти для быстрого обновления. Если память не установлена, BIOS должен правильно настроить память.El rendimiento y la fiabilidad pueden verse afectados o los DIMM podrían no funcionar en la frecuencia designada.

    Конфигурации, совместимые с DIMM
    En la tabla siguiente se enumeran las configuiente se enumeran las configuiente se enumeran las configuiente se enumeran las configuiente se enumeran las configuiente se enumeran las configuiente se enumeran las configuraciones DIMM Compatible:

    x16 de un solo lado) DIMM, которые можно использовать больше (un DIMM doble de x8) Максимальная емкость с двойным модулем DIMM x8 с двойным подключением
    DDR2 667 512 Mbit MB 1 ГБ 4 ГБ
    DDR2 667 1 Гбит. DE 512 МБ 2 ГБ 8 ГБ
    DDR2 800 512 Мбит DE 256 МБ 1 ГБ 4 ГБ
    DDR2 800 1 Гбит. DE 512 МБ 2 ГБ 8 ГБ

    Memoria probada

    Memoria probada por terceros *
    La memoria probada por terceros se realiza como lo solicitan los proofedores de memoria.La memoria se prueba en una casa de memoria independiente que no forma parte de los laboratorios de prueba de memoria (CMTL) de Intel.

    Memoria autoprobada por el proofedor
    Intel proporciona a los proofedores de memoria que member en este programa un plan de prueba de memoria común que puede utilizarse como verificación básica de la creatilidad de la memoria. La memoria que se indica aquí ha completetado la prueba realizada por el proofedor de la memoria o por Intel использует этот план де pruebas.Estos números de piezas podrían no estar disponibles a lo largo del ciclo de vida del producto.

    Эта таблица непрерывно включает пьезы, которые сверхвысокого уровня реализованы с помощью программы самотестирования Intel для платформы Intel® для установки оборудования.

    importante52 80055 GB Kingston D6408TR7CGL51 Kingston ГБMT 9005 2 MT47H64M8B6 Micron2 MT47H64M8B6 Micron2 MT8 MT47H64M8CB MicronAY -80ED3 de Micron2 MTH MB 900 52 Sin ECC

    52 Samsung K4

    52 Samsung KCT4

    Proveedor del módulo / número de pieza del módulo Tamaño del módulo Velocidad del módulo (MHz) Latencia CL-tRCD-tRP 55 ECC или ECC? Организация DIMM Código de fecha de módulo Componente utilizado / número de pieza de comp.
    Crucial * CT12864AA 667.8 FE 1 ГБ 667 5-5-5 Sin ECC SSx8 0650 MT47h228M8HQ Micron *
    CT12864AA FE 800 6-6-6 Sin ECC SSx8 0808 MT47h228M8HQ Micron
    CT6464AA importante 667.4 FE DE 512 MB 667 5-5-5 Sin ECC SSx16 0708 MT47H64M16HR Micron
    Hynix * HYMP564U64AP8-S5 AA DE 512 Мбайт 800 5-5-5 Sin ECC SSx8 053535 HYY5PS12821A
    Hynix HYMP564U64AP8-S5 AA DE 512 МБ 800 5-5-5 Sin ECC SSx8 0535 Hynix HYY5PS12821A
    Kingston * KVR667D2N5 / 1G 1 ГБ 667 5-5-5 Sin ECC DSx8 0806 Kingston D6408TR7CGL51 Kingston D6408TR7CGL3U
    800 5-5-5 Sin ECC DSx8 0806 Kingston D6408TR4CGL25U
    MT16HTF25664AY-800E1 de Micron 2 ГБ 800 5-5-5 Sin ECC DSx8 0716 MT47h228M8HQ Micron
    MT16HTF12864AY-667B3 de Micron 1 ГБ 667 5-5-5 Sin ECC DSx8 0547 MT47h228M8HQ
    MT16HTF12864AY-80ED4 de Micron 1 ГБ 800 5-5-5 Sin ECC DSx8 0609
    MT16HTF12864AY-80ED4 de Micron 1 ГБ 800 5-5-5 Sin ECC DSx8 0609 MT47H64M8B6 Micron
    1 ГБ 667 5-5-5 Sin ECC SSx8 0532 MT47h228M8BT Micron
    MT8HTF12864AY-667A3 de Micron 1 ГБ 667 5-5-5 Sin ECC SSx8 0532 MT47h228M8BT Micron
    MT8HTF12864AY-667E1 de Micron 1 ГБ 667 5-5-5 Sin ECC SSx8 Sin ECC SSx8 Micron
    MT8HTF12864AY-800E1 de Micron 1 ГБ 800 6-6-6 Sin ECC SSx8 0808 MT47h228M8HQ Micron
    MT16HTF12864AY-667B3 de Micron 1 ГБ 667 5-5-5 Sin ECC DSx8 0528 MT47H64M8CB Micron
    2 ГБ 800 5-5-5 Sin ECC DSx8 0716 MT47h228M8HQ Micron
    MT4HTF3264AY-667B1 de Micron DE 256 MB 667 5-5- 5 Sin ECC SSx16 0527 MT47h42M16CC Micron
    MT4HTF3264AY-667B1 de Micron DE 256 MB 667 5-5-5 Sin ECC SSx16 MT47h42M16CC Micron
    MT4HTF3264AY-800D3 de Micron DE 256 МБ 800 6-6-6 Sin ECC SSx16 9005 5 0632 MT47h42M16BN Micron
    MT4HTF3264AY-80ED3 de Micron DE 256 Мбайт 800 5-5-5 Sin ECC SSx16 0617 MT47h42M16BN Micron DE 256 MB 800 5-5-5 Sin ECC SSx16 0617 MT47h42M16BN Micron
    MT8HTF6464AY-667B3 de Micron DE 512 MB 667 5-5-5 Sin ECC SSx8 0531 MT47H64M8CB Micron
    MT8HTF6464AY-667B3 de Micron DE 512 MB 667 5-5-5 Sin ECC SSx8 0531 MT47H64M8CB Micron
    MT8HTF6464AY-80ED4 de Micron DE 512 МБ 800 5-5-5 Sin E CC SSx8 0610 MT47H64M8B6 Micron
    MT8HTF6464AY-80ED4 de Micron DE 512 MB 800 5-5-5 Sin ECC SSx8 0610
    MT4HTF6464AY-667E1 de Micron DE 512 МБ 667 5-5-5 Sin ECC SSx16 0708 MT47H64M16HR Micron
    MT4HTF6464AY-667E1 DE Micron 667 5-5-5 Sin ECC SSx16 0708 MT47H64M16HR Micron
    Samsung * M378T2953CZ3-CE6 1 ГБ 667 5-5-5 Sin ECC DSx8 0518 Samsung K4T51083QC
    Samsung M378T2953CZ3-CE7 1 ГБ 800 5-5-5 DSx8 0548 Samsung K4T51083QC
    Samsung M378T2953CZ3-CE7 1 ГБ 800 5-5-5 Sin ECC DSx8 0548
    Samsung M378T2953CZ3-CE6 1 ГБ 667 5-5-5 Sin ECC DSx8 0518 Samsung K4T51083QC
    Samsung M378T3354CZ3-CE6 DE 667 5-5-5 Sin ECC SSx16 0522 Samsung K4T51163QC
    Samsung M378T3354CZ3-CE6 DE 256 MB 667 5-5-5 Sin ECC SSx16 0522 Samsung K4T51163QC-
    Samsung M378T6553CZ3-CE6 DE 512 МБ 667 5-5-5 Sin ECC SSx8 0525 Samsung K4T51083QC
    Samsung M378T6553CZ3-CE6 DE 512 МБ 667 5-5-5 Sin ECC SSx8 0525
    Samsung M378T6553CZ3-CE7 DE 512 МБ 800 5-5-5 Sin ECC SSx8 0548 Samsung K4T51083QC
    Samsung M378T6553CZ3-CE7 512 DE 800 5-5-5 Sin ECC SSx8 0548 Samsung K4T51083QC

    System Speicher для настольных ПК Intel® DG965SS

    -5 E0 Elpida * Elpida 8E-E Micron MT16HTF12864AY – 667A3 Micron MT47h228M8HQ 90 058 667 667 DSx8 MTH MT16HTF25664AY – 800EE1 – 53EE1 5-5 Micron MT647H64M MT8HTF6464AY – 667B3 MT47H64M8B6 Samsung K4T51083QC – ZCE652 Nicht-ECC52 Samsung –6 900 52 256 МБ 90 052 Samsung M378T6553EZ3 – CF7
    Entscheidende * CT12864AA53E.8FE 1 ГБ 533 4-4-4 Nicht-ECC SSx8 0648 микрон * MT47h228M8HQ
    Entscheidende ct12864aa 667,16 FB 1 ГБ 667,16 FB 1 ГБ 667,16 FB 5-5 Nicht-ECC DSx8 0602 Micron MT47H64M8CB-3: B
    Entscheidende ct12864aa 667.16 FD 1 ГБ 667 5-5-5 Nicht-EC DSx8 0650 Микрон MT47H64M8B6
    Entscheidende CT12864AA80E.16FD 1 ГБ 800 5-5-5 Nicht-ECC DSx8 0645 Micron MT47H64M8B6
    Entscheidende CT12864AA80E. 16FD 1 ГБ 800 5-5-5 Nicht-ECC DSx8 0610 Micron MT47H64M8B6-25E: D
    Entscheidende ct25664aa 667.16 FE 2 ГБ 5-5-5 Nicht-ECC DSx8 0652 Микрон MT47h228M8HQ
    Entscheidende ct3264aa 667.4 FB 256 МБ 667 5-5-5 Nicht-ECC SSx16 0527 Micron MT47h42M16CC-3: B
    Entscheidende ct12864aa 667,8 FE3 512 МБ 4-4-4 Nicht-ECC DSx8 0651 Micron MT47h228M8HQ
    Entscheidende CT25664AA53E. 16FE 512 МБ 533 4-4-4 Nicht-ECC DSx8 0651 Micron MT47h228M8HQ
    Entscheidende CT6464AA53E.4FE 512 МБ 533 4-4-4 Nicht-ECC SSx16 0648 Micron MT47H64M16HR
    Entscheidende ct6464aa 667.4 FE 512 МБ 667 Nicht-ECC SSx16 0708 Micron MT47H64M16HR
    Entscheidende ct6464aa 667.4 FE 512 МБ 667 5-5-5 Nicht SSx16 Nicht SS70 Микрон MT47H64M16HR
    Entscheidende ct6464aa 667.4 FE 512 МБ 667 5-5-5 Nicht-ECC SSx16 0708 Micron MT47H64M16HR
    Entscheidende ct6464aa 667,8 FB 512 МБ 667 512 МБ 667 5-5 Nicht-ECC SSx8 0543 Micron MT47H64M8CB-3: B
    Entscheidende CT6464AA80E. 8FD 512 МБ 800 5-5-5 Nicht-ECC SSx8 0610 Micron MT47H64M8B6-25E: D
    Entscheidende CT6464AA80E.8FD 512 МБ 800 5-5-5 Nicht-ECC SSx8 0610 Micron MT47H64M8B6
    HYMP512U64AP8-S5 ab 1 ГБ 800 5-5 -5 Nicht-ECC DSx8 0549 HY5PS12821A FP-5S 529A
    HYMP564U64AP8-S5 AA 512 МБ 800 5-5 Nicht-ECC SS 0535 HY5PS12821A FP-5S 529A
    Kingston * KVR800D2N5 / 1G 1 ГБ 800 5-5-5 Nicht-ECC DSx8 0125
    Kingston KVR800D2N5 / 1G 1 ГБ 800 5-5-5 Nicht-ECC DSx8 НЕТ Micron MT47H64M8B6-25E: d
    Kingston KVR800D2N5 / 512 9 0055 512 МБ 800 5-5-5 Nicht-ECC SSx8 НЕТ Micron MT47H64M8B6-25E: d
    Micron MT16HTF25664AY – 80EE1 2 ГБ 800 5-5-5 Nicht-ECC DSx8 0718 Micron MT47h228M8HQ
    Micron MT16HTF12864AY – 53ED4 1 ГБ 533 4-4-4 Nicht-ECC DSx8 0621 Micron MT47H64M8B6
    Micron MT16HTF12864AY – 53ED4 1 ГБ 533 4-4-4 Nicht-ECC DSx8 0620 Micron 1 ГБ 667 5-5-5 Nicht-ECC SSx8 0508 Micron MT47H64M8BT-3: ein
    Micro n MT16HTF12864AY – 667B3 1 ГБ 667 5-5-5 Nicht-ECC DSx8 0602 Micron MT47H64M8CB-3: B
    Micron MT16HTF12864AY – 80ED4 ГБ 800 5-5-5 Nicht-ECC DSx8 0610 Micron MT47H64M8B6-25E: D
    Micron MT16HTF12864AY – 80ED4 1 ГБ 800 5-5-5 Nicht-ECC DSx8 0645 Micron MT47H64M8B6
    Micron MT16HTF25664AY – 53EE1 1 ГБ 667 5-5-5 Nicht-ECC SSx8 SSx8
    Micron MT8HTF12864AY – 53EE1 1 ГБ 533 4-4-4 Nicht-ECC SSx8 0648 Micron MT47h228M8HQ
    микрон MT8HTF12864AY – 667D1 1 ГБ 667 5-5-5 Nicht-ECC SSx8 0651 микрон MT47h228M8HQ
    микрон MT8HTFD12864 5-5-5 Nicht-ECC DSx8 0650 Micron MT47H64M8B6
    Micron MT16HTF25664AY – 667E1 2 ГБ 667 5-5-5 Nicht-ECC 0652 микрон MT47h228M8HQ
    микрон MT16HTF25664AY – 800E1 2 ГБ 800 6-6-6 Nicht-ECC DSx8 0716 Micron
    2 ГБ 800 6-6-6 Nicht-ECC DSx8 0716 Micron MT47h228M8HQ
    микрон MT4HTF3264AY – 53ED3 256 МБ 533 4-4-4 Nicht-ECC SSx16 0612 микрон MT47h42M16BN
    микрон
    микрон MT4HTF326455 533 4-4-4 Nicht-ECC SSx16 0605 микрон MT47h42M16BN
    микрон MT4HTF3264AY – 667B1 256 МБ 667 5-5-5 Nicht ECC SSx16 0527 Micron MT47h42M16CC-3: B
    Micron MT4HTF3264AY – 667D3 256 МБ 667 5-5-5 Nicht-ECC SSx16 060 Micron MT47h42M16BN
    Micron MT4HTF3264AY – 800D3 256 МБ 800 6-6-6 Nicht-ECC SSx16 0646 микрон MT47h42M16BN
    микрон MT4HTF3264AY – 80ED3 256 МБ 800 5-5-5 Nicht-ECC SSx16 0611 микрон MT47h42M16HTF64 Micron 512 МБ 533 4-4-4 Nicht-ECC SSx16 0648 Micron MT47H64M16HR
    Micron MT4HTF6464AY – 667E1 512 МБ 667 Nicht-ECC SSx16 0708 Micron MT47H64M16HR
    Micron MT4HTF6464AY – 667E1 512 МБ 667 5-5-5 Nicht SSx16 0708 Micron MT47H64M16HR
    Micron MT4HTF6464AY – 667E1 512 МБ 667 5-5-5 Nicht-ECC SSx1 6 0708 Micron MT47H64M16HR
    Micron MT8HTF6464AY – 53ED7 512 МБ 533 4-4-4 Nicht-ECC SSx8 0610 Micron
    512 МБ 667 5-5-5 Nicht-ECC SSx8 0542 Micron MT47H64M8CB-3: B
    MB55 MT8HTF6464AY – 667D7 MB55 667 5-5-5 Nicht-ECC SSx8 0646 Micron MT47H64M8B6
    Micron MT8HTF6464AY – 667D7 512 МБ 667 5-5-5 Nicht-ECC SSx8 0604 Micron MT47H64M8B6
    Micron MT8HTF6464AY – 80ED4 512 МБ 800 5-5-5 Nicht-ECC SSx8 0610 Micron MT47H64M8B6-25E: D
    Micron MT8HTF6464AY – 80ED4 512 МБ 800 5-5-5 Nicht-ECC SSx8 0610
    Samsung * M378T2953CZ3 – CE6 1 ГБ 667 5-5-5 Nicht-ECC DSx8 0518 Samsung K4T51083QC – ZCE6
    1 ГБ 800 5-5-5 Nicht-ECC DSx8 0548 Samsung K4T51083QC – ZCE7
    Samsung M378T2953EZ3 – CE6 1 ГБ 667 5-5 -5 Nicht-ECC DSx8 0702 Samsung K4T51083QE – ZCE6
    Samsung M378T2953EZ3 – CE7 1 ГБ 800 5 -5-5 Nicht-ECC DSx8 0705 Samsung K4T51083QE – ZCE7
    Samsung M378T2953EZ3 – CF7 1 ГБ 800 6-6-6 Nicht-ECC DSx8 0704 Samsung K4T51083QE – ZCF7
    Samsung M378T3354CZ3 – CE6 256 МБ 667 5-5-5 Nicht-ECC SSx16 054 SSx16 054 –
    Samsung M378T3354EZ3 – CE6 256 МБ 667 5-5-5 Nicht-ECC SSx16 0704 Samsung K4T51163QE – ZCE6
    Samsung M373T3354 MBE CE6 800 5-5-5 Nicht-ECC SSx16 0704 Samsung K4T51163QE – ZCE7
    Samsung M378T3354EZ3 – CF7 800 6-6-6 Nicht-ECC SSx16 0705 Samsung K4T51163QE – ZCF7
    Samsung M378T6553CZ3 – CE6 512 МБ 667 5-5 -5 Nicht-ECC SSx8 0525 Samsung K4T51083QC – ZCE6
    Samsung M378T6553CZ3 – CE7 512 МБ 800 5-5-5 Nicht SS-ECC 0548 Samsung K4T51083QC – ZCE7
    Samsung M378T6553EZ3 – CE6 512 МБ 667 5-5-5 Nicht-ECC SSx8 0705 Samsung K4T51083 Samsung M378T6553EZ3 – CE7 512 МБ 800 5-5-5 Nicht-ECC SSx8 0705 Samsung K4T51083QE – ZCE7
    512 МБ 800 6-6-6 Nicht-ECC SSx16 0705 Samsung K4T51083QE – ZCF7
    WINTAC * 384C; W31008 1 ГБ 800 5-5-5 Nicht-ECC DSx8 0631 Samsung K4T51083QC – ZCE7 Green C die
    WINTAC 3

    84C; W31007

    		 512 МБ 800 5-5-5 Nicht-ECC SSx8 0631 Samsung K4T51083QC – ZCE7 Green C die
    .

    Больше новостей

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *