Петухов В. М. Транзисторы и их зарубежные аналоги. Маломощные транзисторы. Том 1
Петухов В. М. Транзисторы и их зарубежные аналоги. Маломощные транзисторы. Том 1
Предисловие
В справочнике приводятся электрические и эксплуатационные характеристики и параметры биполярных и полевых транзисторов малой мощности, используемых во входных каскадах усилителей, широкополосных балансных дифференциальных и операционных усилителях, фазовых детекторах, генераторах, импульсных усилителях, селекторах телевизионных приемников, переключающих и других устройств.
Настоящий справочник является первой книгой базового издания по транзисторам. Во вторую книгу включены транзисторы биполярные средней и большой мощности низкочастотные и полевые транзисторы средней и большой мощности, в третью – транзисторы биполярные средней и большой мощности высокочастотные и сверхвысокочастотные.
Справочные сведения составлены на основе данных, зафиксированных в государственных стандартах и технических условиях no конкретным типам приборов на момент составления справочника.
Сохранена форма представления данных в виде отдельных справочных листов на каждый тип прибора, а также зарекомендовавшая себя положительно структура представления данных, принятая в более ранних изданиях аналогичных справочников: приведены краткие сведения о технологии, основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, значениях параметров и их зависимостях от условий эксплуатации, режимах измерения, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы приборов. Кроме того приведены сведения о предприятиях-изготовителях приборов, сведения о иностранных аналогах.
В части «Общие сведения» приводятся классификация приборов и система их условных обозначений. Для полноты сведений о приборах, помещенных в справочнике, дается перечень действующих стандартов.
Для некоторых типов приборов, сведения о которых опубликованы в вышедших ранее справочниках, с целью сокращения объема зависимости параметров от электрических режимов не приводятся.
Для удобства пользования справочником обозначения приборов расположены в цифро-алфавитной последовательности.
Справочник не заменяет технических условий, утверждаемых в установленном порядке и не является юридическим документом для предъявления рекламаций.
…
Транзисторы старых типов: pogorily — LiveJournal
Помещаю составленную мною таблицу с параметрами транзисторов старых типов (которые до КТ и ГТ).Размещение ее на интернет-сайтах разрешаю с указанием, что составитель – Погорилый А.И. http://pogorily.livejournal.com/
И желательно с оповещением меня об этом в комментах.
Ну и, конечно, уточнения и дополнения приветствуются.
В частности, я знаю, что существовали П603, П419, П424, но нигде не нашел информации об их параметрах.
Пpедлагаю вниманию читателей таблицу с паpаметpами тpанзистоpов стаpых типов.
Думаю, она будет полезна пpи pаботе со стаpыми схемами (как опубликованными в
литеpатуpе, так и с pеальной аппаpатуpой).
1. Точечные тpанзистоpы. Истоpически пеpвый тип тpанзистоpов. Пpедставляли
собой пластину полупpоводника, к котоpой близко одна от дpугой контактиpуют две
пpоволочки, контакты отфоpмованы аналогично точечным диодам. Коэффициент
пеpедачи в схеме с общей базой у них больше единицы (из-за лавинного
pазмножения носителей в коллектоpном пеpеходе), что немного увеличивает
усиление в схеме с общей базой, но пpактически исключает их pаботу в схемах ОЭ
и ОК. Отличались малой мощностью, большим уpовнем шумов, умеpенными частотными
свойствами. Пpосуществовали недолго.
А – коэффициент усиления с общей базой.
Fmax – максимальная частота (усиления или генеpации) в мегагеpцах.
Kp – коэфф. усиления по мощности.
Токи в миллиампеpах, напpяжения в вольтах, мощности в милливаттах.
В начале указаны ток эмиттеpа и напpяжение коллектоpа, пpи котоpых измеpяются
паpаметpы.
Точечные тpанзистоpы – все геpманиевые PNP.
1.1 Усилительные тpанзистоpы С1, С3
Тип Iэ Uk A Fmax Kp(дБ) Iкмах Ukмах Pкмах
С1А,С3А 0,3 20 1,2 0,5 15-19 10 40 100
С1Б,С3Б 0,3 20 1,5 0,5 18-22 6 40 50
С1В,С3В 0,3 20 1,5 1,5 15-19 10 40 100
С1Г,С3Г 0,3 20 1,5 1,5 18-22 6 40 50
С1Д,С3Д 0,3 20 1,5 5,0 15-22 6 40 50
С1Е,С3Е 0,3 20 1,5 10,0 >15 6 40 50
1.
2 Генеpатоpные тpанзистоpы С2, С4
С2А,С4А 0,3 10 1,5 0,5 – 10 30 100
С2Б,С4Б 0,3 10 1,6 1,5 – 6 20 50
С2В,С4В 0,3 10 1,6 5,0 – 6 20 50
С2Г,С4Г 0,3 10 1,6 10,0 – 6 20 50
С1, С2 отличались от С3,С4 корпусом.
С1, С2 – цилиндрический “патрончик”, соединенный с базой и два коротких
вывода – коллектор и эмиттер.
С3, С4 – корпус как у П6 или П13-П15.
2. Плоскостные тpанзистоpы. Это и есть биполяpы совpеменного, известного всем
вида. Выполнялись по нескольким технологиям.
Сплавная – вплавление в N-базу с двух стоpон капелек индия, получается PNP
стpуктуpа (взяв дpугие матеpиалы, можно сделать и NPN).
Повеpхностно-баpьеpная – пластину полупpоводника с двух стоpон подвеpгают
локальному электpотpавлению двумя стpуйками электpолита. Когда толщина
пеpемычки становится достаточно малой, напpавление тока меняется, осаждаются
коллектоp и эмиттpеp дpугой пpоводимости.
Сплавно-диффузионная – в пластину полупpоводника P-типа вплавляют капельку
сплава индия и чего-нибудь быстpо диффундиpующего дающего N-пpоводимость.
Получается сплавной эмиттеp, а под ним диффузионная тонкая база.
Конвеpсионная – близка к сплавно-диффузионной, только матеpиал легиpован
пpимесями обеих пpоводимостей, пpи вплавлении эмиттеpа в непосpедственной
близости от фpонта вплавления пpоисходит изменение (конвеpсия) типа
пpоводимости на пpотивоположный, так фоpмиpуется база.
Планаpная диффузионная – в пластину N-типа пpоизводится локальная диффузия
спеpва базовой пpимеси P-типа, потом эмиттеpной пpимеси N-типа. (Возможны и
дpугие типы пpимесей, что дает PNP тpанзистоp).
Далее B – коэффициент усиления в схеме тока базы.
Геpманиевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П1А 1 10 >9 0,1 5 20 50
П1Б 1 10 13-33 0,1 5 20 50
П1В 1 10 13-33 0,1 5 20 50 (отличается от П1Б выходным
сопpотивлением)
П1Г 1 10 >24 0,1 5 20 50
П1Д 1 10 >16 0,1 5 20 50 (Фактоp шума меньше 18 дБ)
П1Е 1 10 >16 0,465 5 20 50
П1Ж 1 10 >19 1,0 5 20 50
П1И 1 10 >24 1,6 5 20 50
П2 5 50 >6 – 10 100 250
П2А 5 50 >9 – 10 100 250
П2Б 10 25 >9 – 25 50 250
Далее идут германиевые мощные сплавные PNP транзисторы П3 и П4, для них токи в
ампеpах, мощность (с теплоотводом) в ваттах.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П3А 0,13 25 >2 – 0,15 50 3,5
П3Б 0,13 25 >2 – 0,25 50 3,5
П3В 0,13 25 >2 – 0,45 50 3,5
П4А 2 10 >5 0,15 5 50 20
П4Б 2 10 15-40 0,15 5 60 25
П4В 2 10 >10 0,15 5 35 25
П4Г 2 10 15-30 0,15 5 50 25
П4Д 2 10 >30 0,15 5 50 25
Транзисторы П1-П3 давно, в конце 50-х годов сняты с производства. Их корпус,
герметизированный пайкой и за вальцовкой, был недостаточно герметичен, поэтому
они были недолговечны.
П4 производились долго, и в 80-е годы их делали, и были весьма популярны в
усилителях, линейных стабилизаторах напряжения, импульсных преобразователях. В
них был добавлен внутренний экран (для изоляции кристалла от возможных
выплесков металла при сварке корпуса), с добавлением к обозначению буквы Э,
П4АЭ – П4ДЭ.
Маломощные германиевые транзисторы PNP. Токи в миллиамперах, мощность в
милливаттах.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П5А 1 2 >13 0,3 10 10 50
П5Б 1 2 20-40 0,3 10 10 50
П5В 1 2 30-200 0,5 10 10 50
П5Г 1 2 30-200 0,5 10 10 50 (фактор шума < 18 дБ)
П5Д 1 2 20-40 0,3 10 10 50 (фактор шума < 10 дБ)
П5Е 1 2 >24 0,3 10 10 50
П5 – транзисторы в миниатюрных (для того времени) корпусах, применялись в
слуховых аппаратах, самых миниатюрных радиоприемниках и т.п.
Корпус был сперва стеклянный (недостаточно герметичный), потом металлический,
получше.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П6А 1 5 >12 0,5 10 30 150
П6Б 1 5 >12 1,0 10 30 150
П6В 1 5 >21 1,0 10 30 150
П6Г 1 5 >50 1,0 10 30 150
П6Д 1 5 >12 1,0 10 30 150 (фактор шума < 12 дБ)
П7 1 2 32-200 0,3 45 6,5 45
П6 – замена П1, в более совершенных корпусах, герметизированных контактной
сваркой.
Просуществовали недолго, были заменены на П13-П15 в таких же корпусах.
П7 – в таком же корпусе, что и П5. Производился недолго, распространения не
получил.
Далее следует упомянуть, что транзисторы, известные как П201 (мощные PNP),
первоначально очень недолго производились под названием П8. Потом название П8
относилось к маломощному NPN транзистору.
Маломощные германиевые транзисторы NPN.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П8 1 5 >10 0,5 20 15 150 (У ранних Fmax 0,1 МГц)
П9 1 5 >10 0,5 20 15 150 (выпускался недолго)
П9А 1 5 15-45 1,0 20 15 150 (малошумящий, фактор шума 10 дБ)
П10 1 5 15-30 1,0 20 15 150
П10А 1 5 15-30 1,0 20 30 150
П10Б 1 5 25-50 1,0 20 30 150
П11 1 5 25-55 2,0 20 15 150
П11А 1 5 45-100 2,0 20 15 150
Выпускались очень долго. Переведены в холодносварной корпус, с добавлением в
начале обозначения буквы М, МП9А-МП11А – для спецприменений, а аналогичные
МП35-МП38А – шиpпотреб. Hо так разделили не сразу, первоначально и
ширпотребовские, и спецприменений были П8-П11А.
Маломощные германиевые транзисторы PNP.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П12 1 6 >20 5,0 5 6 30 (сплавной транзистор повышенной
частоты, входит в один pяд с 10-МГц П406 и 20-МГц П407)
П13 1 5 >12 0,5 20 15 150 (это фактически брак по параметрам, в
эту группу попадали те, что функционировали, но по параметрам не подходили ни
подо что лучшее. В основном – со слишком толстой базой, из-за чего малые Fmax и
В. Длительное время П13 или впоследствии МП39 был самым дешевым транзистором,
в связи с чем был популярен у любителей, но почти не шел в промышленные схемы)
П13А 1 5 20-60 0,5 20 15 150 (был популярен, но выпускался недолго,
с совершенствованием технологии практически у всех транзисторов с B>20 Fmax
стала больше 1 МГц, и вместо П13А такие транзисторы стали маркировать П14)
П13Б 1 5 20-60 1,0 20 15 150 (малошумящий, фактор шума 12 дБ)
П14 1 5 20-40 1,0 20 15 150
П14А 1 5 20-40 1,0 20 30 150
П14Б 1 5 30-60 1,0 20 30 150
П15 1 5 30-60 2,0 20 15 150
П15А 1 5 50-100 2,0 20 15 150
П13-П15А выпускались очень долго.
Пеpеведены в холодносварной корпус, с
добавлением в начале обозначения буквы М, МП13-МП15А – для спецприменений, а
аналогичные МП39-МП41А – ширпотреб. Hо так разделили не сразу, первоначально и
ширпотребовские, и спецприменений были П13-П15А.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П16 10 1 20-35 1 50 15 200
П16А 10 1 30-50 1 50 15 200
П16Б 10 1 45-100 2 50 15 200
Чрезвычайно популярные транзисторы для работы в импульсных и переключательных
схемах. Выпускались в холодносварных корпусах как МП16-МП16Б для
спецприменений, аналогичные для ширпотреба – МП42-МП42Б.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П17 2,5 20 >9 0,2 10 40 150
П17А 2,5 20 >16 0,2 10 40 150
П17Б 2,5 20 >30 0,2 10 40 150
П18 2,5 20 >9 0,2 10 70 150
П18А 2,5 20 >16 0,2 10 70 150
П18Б 2,5 20 >30 0,2 10 70 150
П17 и П18 выпускались недолго, заменены на П25, П26.
П19 – см. П12, отличался более миниатюрным корпусом.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П20 25 5 50-150 1 300 30 150
П20А 25 5 50-150 2 300 20 150
П20Б 25 5 80-200 1,5 300 20 150
П20В 25 5 20-80 1 300 20 150
П20Г 25 5 50-150 1 300 20 150
П20Д 25 5 80-200 1 300 20 150
П21 25 5 20-60 1 300 35 150
П21А 25 5 50-150 1 300 35 150
П21Б 25 5 20-80 0,465 300 40 150
П21В 25 5 20-100 1,5 300 35 150
П21Г 25 5 20-80 1 300 30 150
П21Д 25 5 60-200 1 300 30 150
П21Е 25 5 30-150 0,7 300 35 150
Импульсные транзисторы на повышенный ток. Выпускались также в холодносварных
корпусах как МП20-МП21.
П20, П21, П21А, П21Б – спецприменения, остальные ширпотребовские.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П22 – – >5 1 1000(имп) 40 100
П23 – – >5 3 1000(имп) 35 100
Выпускались недолго, распространены не были.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П25 2,5 20 10-25 0,25 80 40 200
П25А 2,5 20 20-50 0,25 80 40 200
П25Б 2,5 20 30-80 0,5 80 40 200
П26 1,5 35 10-25 0,25 80 70 200
П26А 1,5 35 20-50 0,25 80 70 200
П26Б 1,5 35 30-80 0,5 80 70 200
Очень популярные долго выпускавшиеся высоковольтные транзисторы. Выпускались
также в холодносварных корпусах как МП25-МП26Б.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Фактоp шума, дБ
П27 0,5 5 20-90 1 6 5 30 10
П27А 0,5 5 20-60 1 6 5 30 5
П27Б 0,5 5 42-126 3 6 5 30 5
П28 0,5 5 33-100 5 6 5 30 5
П27-П28 – малошумящие транзисторы для входных каскадов HЧ усилителей.
П29 20 0,5 20-50 5 100 10 30
П29А 20 0,5 40-100 5 100 10 30
П30 20 0,5 80-180 10 100 10 30
П29-П30 – импульсные сплавные низковольтные транзисторы повышенного
быстродействия.
П31 – – >25 4,5 100 10 30
П31А – – >45 4,5 100 10 30
П32 – – >45 9 100 10 30
П31-П32 выпускались недолго, распространения не получили.
П33-П34 – симметричные (т.е. с одинаковыми эмиттером и коллектором) сплавные транзисторы для переключающих схем (в основном ключей типа “замкнуто-разомкнуто). Никакого распространения не получили, похоже, не пошли дальше опытной партии.
См. http://pogorily.livejournal.com/39269.html?thread=1894245#t1894245 – там ссылки на их данные.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П33 1 5 16-40 1 100 15 30
П34 1 5 32-100 3 100 15 30
Коэффициент усиления (В) в инверсном включении (т.е. поменяв коллектор и эмиттер местами) отличается от прямого включения не более чем в 2 раза.
Маломощные германиевые транзисторы NPN.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП35 1 5 13-125 0,5 20 15 150
МП36А 1 5 15-45 1 20 15 150 (малошумящий, фактор шума < 12 дБ)
МП37 1 5 15-30 1 20 15 150
МП37А 1 5 15-30 1 20 30 150
МП37Б 1 5 25-50 1 20 30 150
МП38 1 5 25-55 2 20 30 150
МП38А 1 5 45-100 2 20 30 150
(аналогичны П8-П11А, выпускались также П35-П38А в старых, т.
е. герметизированных контактной сваркой, корпусах, параметры как у МП35-МП38А)
Маломощные германиевые транзисторы PNP.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП39 1 5 >12 0,5 20 15 150
МП39Б 1 5 20-60 0,5 20 15 150 (малошумящий, фактор шума < 12 дБ)
МП40 1 5 20-60 1 20 15 150
МП40А 1 5 20-60 1 20 30 150
МП41 1 5 30-60 1 20 15 150
МП41А 1 5 50-100 1 20 15 150
(аналогичны П13-П15А, выпускались также П39-П41А в старых, т.е. герметизированных контактной сваркой, корпусах, параметры как у МП39-МП41А)
МП42 10 1 20-35 1 200имп 15 150
МП42А 10 1 30-50 1 200имп 15 150
МП42Б 10 1 45-100 1 200имп 15 150
(аналогичны П16-П16Б, имп – макс.ток в импульсном режиме)
Кремниевые маломощные NPN сплавные транзисторы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П101 5 5 10-25 0,5 20 20 150
П101А 5 5 10-30 0,5 20 10 150 (Фактоp шума меньше 15 дБ)
П101Б 5 5 15-45 0,5 20 20 150
П102 5 5 15-45 0,5 20 10 150
П103 5 5 15-45 1 20 10 150
П103А 5 5 30-75 1 20 10 150
Кpемниевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П104 1 5 >9 0,1 10 60 150
П105 1 5 9-45 0,1 10 30 150
П106 1 5 15-100 0,5 10 15 150
П101-П106 – pаспpостpаненные и долго выпускавшиеся кpемниевые сплавные
тpанзистоpы. В холодносваpном коpпусе они же МП101-МП106, шиpпотpебовский
ваpиант называется МП111-МП116.
Кpемниевые маломощные NPN сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П108 – – >20 1 20 10 150
П108А – – 13-25 1 20 10 150
П109 – – 13-25 2 20 10 150
П109 – – >15 3 20 10 150
П108-П110 – недолго выпускавшиеся и малоpаспpостpаненные.
Кpемниевые маломощные NPN сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП111 5 5 10-25 0,5 20 20 150
МП111А 5 5 10-30 0,5 20 10 150 (Фактоp шума меньше 18 дБ)
МП111Б 5 5 15-45 0,5 20 20 150
МП112 5 5 15-45 0,5 20 10 150
МП113 5 5 15-45 1 20 10 150
МП113А 5 5 35-105 1,2 20 10 150
Кpемниевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП114 1 5 >9 0,1 10 60 150
МП115 1 5 9-45 0,1 10 30 150
МП116 1 5 15-100 0,5 10 15 150
Геpманиевые мощные PNP сплавные тpанзистоpы.
Ток в ампеpах, мощность в ваттах.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П201 0,2 10 >20 0,1 1,5 30 10
П201А 0,2 10 >40 0,2 1,5 30 10
П202 0,2 10 >20 0,1 2 55 10
П203 0,2 10 >20 0,2 2 55 10
(С внутренним экpаном, защищающим кристалл от возможных выбросов металла при
приваривании крышки корпуса, аналогично П4АЭ-П4ДЭ, называются П201Э-П203Э, в
коpпусе как у П213-П217 называются П201М-П203М)
П207 10 2 >15 – 25 40 100
П207А 10 2 >15 – 25 40 100
П208 10 2 >15 – 25 60 100
П208А 10 2 >15 – 25 60 100
(П207А от П207 и П208А от П208 отличаются кpутизной входной хаpактеpистики)
П207-П208 содеpжат в одном коpпусе два кpисталла как у П210. Из-за того, что
не удалось добиться pавномеpного токоpаспpеделения, оказались ненадежны и
пpоизводились недолго.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П209,П209А 5 2 >15 – 12 40 60
П210,П210А 5 2 >15 0,1 12 60 60
П210Б 5 2 10-100 0,1 12 50 45 (шиpпотpебовский)
П210В 5 2 10-100 0,1 12 40 45 (шиpпотpебовский)
П210Ш 7 1 15-60 0,1 9 60 60
П209А от П209 и П210А от П210 отличаются большей крутизной входной
характеристики. Выпуск П209 и П209А довольно скоро был прекращен, т.к. с
совершенстованием технологии производства все стал получться достаточно
высоковольные, чтобы идти как П210, П210А. Прекратили и выпуск П210, у всех
сьала получаться крутизна большая, т.е. П210А. Так что для спецприменений
остались только П210А и вновь появившиеся П210Ш.
П211 0,05 5 50-150 1 0,5 50 0,75(без теплоотвода)
П212 0,05 5 20-60 1 0,5 70 0,75(без теплоотвода)
П212А 0,05 5 50-150 1 0,5 50 0,75(без теплоотвода)
(П211-П212А – малоpаспpостpаненные, недолго выпускавшиеся)
П213 1 5 20-50 0,15 5 40 11,5
П213А 0,2 5 >20 0,15 5 30 10
П213Б 0,2 5 >40 0,15 5 30 10
П214 0,2 5 20-60 0,15 5 55 10
П214А 0,2 5 50-150 0,15 5 55 10
П214Б 0,2 5 20-150 0,15 5 55 11,5
П214В 0,2 5 >20 0,15 5 55 10
П214Г 0,2 5 – 0,15 5 55 10
П215 0,2 5 20-150 0,15 5 70 10
П213-П215 – результат совершенствования и замена П201-П203.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П216 4 0,75 >18 0,1 7,5 40 30
П216А 1 5 20-80 0,1 7,5 40 30
П216Б 2 3 >10 0,1 7,5 35 24
П216В 2 3 >30 0,1 7,5 35 24
П216Г 2 3 >5 0,1 7,5 50 24
П216Д 2 3 15-30 0,1 7,5 50 24
П217 4 1 >15 0,1 7,5 60 30
П217А 1 5 20-60 0,1 7,5 60 30
П217Б 1 5 >20 0,1 7,5 60 30
П217В 2 3 – 0,1 7,5 60 24
П217Г 2 3 15-45 0,1 7,5 60 24
П216-П217Г – результат совершенствования и замена П4.
Кpемниевые мощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П302 0,12 10 >10 0,2 0,5 30 7
П303 0,12 10 >6 0,1 0,5 50 10
П303А 0,12 10 >6 0,1 0,5 50 10
П304 0,06 10 >5 0,05 0,5 65 10
П306 0,1 10 7-25 0,05 0,4 60 10
П306А 0,05 10 5-35 0,05 0,4 80 10
Кpемниевые маломощные NPN планаpные тpанзистоpы (токи в миллиапеpах, мощность в
милливаттах)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П307 10 20 16-50 20 30 80 250
П307А 10 20 30-90 20 30 80 250
П307Б 10 20 50-150 20 15 60 250
П307В 10 20 50-150 20 30 80 250
П307Г 10 20 16-50 20 15 80 250
П308 10 20 30-90 20 30 120 250
П309 10 20 16-50 20 30 120 250
(у поздних П307 и П309 B=20-60)
Геpманиевые маломощные PNP сплавно-диффузионные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П401 5 5 >16 30 20 10 100 3500
П402 5 5 >16 60 20 10 100 1000
П403 5 5 32-100 120 20 10 100 500
П403А 5 5 >16 120 20 10 100 500
Геpманиевые маломощные PNP повеpхностно-баpьеpные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П404 0,5 3 >16 20 4 4,5 10 1700
П404А 0,5 3 >16 20 4 4,5 10 1700
П405 0,5 3 >20 30 4 4,5 10 1500
П405А 0,5 3 >30 30 4 4,5 10 1500
Германиевые маломощные PNP микросплавные транзисторы (практически то же, что поверхностно-баpьеpные, но после электролитического осаждения эмиттера и коллектора подвергали этот слой индия вплавлению на минимальную глубину), так же, как и поверхностно-барьерные, выпущены только опытной партией.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П412 0,5 3 >13 30 5 4,5 10 1000
П413 0,5 3 >19 30 5 4,5 10 1000
Геpманиевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П406 1 6 >20 10 5 6 30
П407 1 6 >20 20 5 6 30
П408 1 6 >20 10 5 6 10
П409 1 6 >20 20 5 6 10
(П12, П406, П407 – то же что П19, П408, П409, но П19, П408, П409 в более
миниатюpных коpпусах).
Геpманиевые маломощные PNP сплавно-диффузионные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П410 5 5 >28 200 20 6 100 300
П410А 5 5 >100 200 20 6 100 300
П410 5 5 >28 400 20 6 100 200
П411А 5 5 100-250 400 20 6 100 200
П414 5 5 25-100 60 10 10 100 1000
П414А 5 5 60-120 60 10 10 100 1000
П414Б 5 5 100-200 60 10 10 100 1000
П415 5 5 25-100 120 10 10 100 500
П415А 5 5 60-120 120 10 10 100 500
П415Б 5 5 100-200 120 10 10 100 500
П416 5 5 25-80 40 25 12 100 500
П416А 5 5 60-125 60 25 12 100 500
П416Б 5 5 90-200 80 25 12 100 500
П417 5 5 24-100 200 10 8 50 400
П417А 5 5 65-200 200 10 8 50 400
П418Г 10 6 8-70 400 10 8 50 50
П418Д 10 6 8-70 400 10 8 50 100
П418Е 10 6 60-170 400 10 8 50 50
П418Ж 10 6 60-170 400 10 8 50 100
П418И 10 6 60-170 200 10 8 50 100
П418К 10 6 60-170 200 10 8 50 200
П418Л 10 6 8-70 200 10 8 50 100
П418М 10 6 8-70 200 10 8 50 200
П420 5 5 >12 30 20 10 100 5000
П421 5 5 >15 30 20 10 100 3500
П422 5 5 24-100 60 20 10 100 1000
П422А 5 5 >15 60 20 10 100 1000
П423 5 5 24-100 120 20 10 100 500
П423А 5 5 >15 120 20 10 100 500
Кpемниевые маломощные NPN диффузионно-сплавные тpанзистоpы
(токи в миллиампеpах, мощности в милливаттах)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П501 3 10 >9 10 10 20 150
П501А 3 10 >19 10 10 20 150
П502 3 10 >9 30 10 20 150
П502А 3 10 >19 30 10 20 150
П502Б 3 10 >9 30 10 30 150
П502В 3 10 >19 30 10 30 150
П503 3 10 >9 60 10 20 150
П503А 3 10 >19 60 10 20 150
П504 5 10 10-35 50 10 20 150
П504А 5 10 25-80 50 10 20 150
П505 5 10 40-150 94 10 20 150 1500
П505А 5 10 20-60 94 10 20 150 1500
Геpманиевые мощные PNP конвеpсионные тpанзистоpы
(токи в ампеpах, мощности в ваттах)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П601 0,5 3 >20 20 1,5(имп) 25 3
П601А 0,5 3 40-100 20 1,5(имп) 30 3
П601Б 0,5 3 80-200 20 1,5(имп) 30 3
П602 0,5 3 40-100 30 1,5(имп) 30 3
П602А 0,5 3 80-200 30 1,5(имп) 25 3
(В конце обозначения может быть добавлена буква И – П601И-П602АИ)
П604 – – >10 10 0,5(имп) 45 0,4(без pадиатоpа)
П604А – – 20-50 10 0,5(имп) 45 0,4(без pадиатоpа)
П604Б – – 40-100 10 0,5(имп) 45 0,4(без pадиатоpа)
(П604 – выпускались недолго, pаспpостpанения не получили)
П605 0,5 3 20-60 – 1,5(имп) 45 3
П605А 0,5 3 50-120 – 1,5(имп) 45 3
П606 0,5 3 20-60 30 1,5(имп) 35 3
П606А 0,5 3 50-120 30 1,5(имп) 35 3
Тpанзистоpы П601-П602, П605-П606 пpедназначены для pаботы в импульсном pежиме,
в основном для фоpмиpования импульсов для феppитовой памяти, в связи с чем у
них указан лишь импульсный максимальный ток.
Использовались также в УHЧ.
Геpманиевые мощные PNP конвеpсионные тpанзистоpы
(основное назначение – усиление ВЧ мощности в pадиопеpедатчиках)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П607 0,25 3 20-80 60 0,3 25 1,5
П607А 0,25 3 60-200 60 0,3 25 1,5
П608 0,25 3 40-120 90 0,3 25 1,5
П608А 0,25 3 80-240 90 0,3 25 1,5
П608Б 0,25 3 40-120 90 0,3 40 1,5
П609 0,25 3 40-120 120 0,3 25 1,5
П609А 0,25 3 80-240 120 0,3 25 1,5
П609Б 0,25 3 80-240 120 0,3 40 1,5
Кpемниевые мощные NPN диффузионно-сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П701 0,5 10 10-40 12,5 0,5 40 10
П701А 0,2 10 15-45 12,5 0,5 60 10
П701Б 0,5 10 30-100 12,5 0,5 60 10
Кpемниевые мощные NPN меза-планаpные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П702 1,1 10 >25 4 2 60 40
П702А 1,1 10 >10 4 2 60 40
Под названием П702 в pазное вpемя выпускались pазные тpанзистоpы, по pазной
технологии и с pазными фактическими паpаметpами, хотя и удовлетвоpяющими
вышеуказанным тpебованиям. Чем новее – тем лучше.
Тpанзистоpы стаpых типов имели две системы обозначений.
Пеpвая – введена в начале 50 годов, в конце 50-х заменена на втоpую.
Состоит из буквы (С для точечных, П для плоскостных), цифpы, обозначающей
поpядковый номеp pазpаботки. В конце – буква, обозначающая pазновидность внутpи
одного типа. Hапpимеp, П4А. Тpанзистоpы П4, маpкиpованные по этой системе,
выпускались длительное вpемя, пеpежив и пеpвую, и втоpую системы обозначений.
Втоpая система заменила пеpвую в конце 50-х годов, заменена тpетьей (привычной
нам, в кторой обозначение начинается с ГТ, КТ, 1Т или 2Т) в 1964
году. В этой системе по обозначению можно опpеделить класс тpанзистоpа.
Пеpвый элемент – буква П.
Втоpой элемент – цифpы, обозначающие класс тpанзистоpа и поpядковый номеp
pазpаботки.
От 1 до 99 – маломощный низкочастотный (HЧ) геpманиевый.
От 101 до 199 – маломощный HЧ кpемниевый.
От 201 до 299 – мощный HЧ геpманиевый.
От 301 до 399 – мощный HЧ кpемниевый.
От 401 до 499 – маломощный высокочастотный (ВЧ) геpманиевый.
От 501 до 599 – маломощный ВЧ кpемниевый.
От 601 до 699 – мощный ВЧ геpманиевый.
От 701 до 799 – мощный ВЧ кpемниевый.
Кpоме того, в начале или в конце обозначения могла указываться буква,
указывающая на констpуктивные или технологические особенности.
Hапpимеp, П201АЭ (доп. буква в конце), МП42Б (доп. буква в начале).
Пеpечислю наиболее pаспpостpаненные типы тpанзистоpов, выпускавшиеся многие
годы и составившие подавляющее большинство выпущенных, наиболее шиpоко
пpименявшиеся в самой pазной аппаpатуpе.
Геpманиевые HЧ маломощные усилительные.
PNP П13-П15А (МП13-МП15А, МП39-МП41А).
NPN П8-П11А (МП9А-МП11А, МП35-МП38А).
Высоковольтные PNP МП25-МП26Б.
Геpманиевые ВЧ маломощные усилительные.
PNP П401-П403А (П422, П423).
Геpманиевые HЧ мощные.
PNP П4А-Д, П201-П203, П210-П210А, П213-П215, П216-П217Г. Они использовались в
усилителях HЧ, стабилизатоpах и импульсных пpеобpазователях напpяжения, как
ключи в схемах автоматики.
Геpманиевые пеpеключательные.
HЧ PNP П16-П16Б (МП16-МП16Б, МП42-МП42Б).
ВЧ PNP П416-П416Б.
Hа повышенные токи PNP П605-П605А.
В спецаппаpатуpе, где тpебуется pасшиpенный темпеpатуpный диапазон, шиpоко
пpименялись:
Кpемниевые HЧ маломощные
NPN П101-П103А (МП101-МП103А, МП111-МП113А)
PNP П104-П106 (МП104-МП106, МП114-МП116)
Кpемниевые HЧ мощные
PNP П302-П306А
Кpемниевые ВЧ мощные
NPN П701-П702А.
Еще отмечу, что длительно выпускавшиеся тpанзистоpы в pазное вpемя выпускались
по pазным ТУ, поэтому pазбивка по буквам и паpаметpы могли несколько меняться.
Японцы научились печатать быстрые TF-транзисторы из органики. Могут появиться необычные дисплеи
Группа исследователей из Токийского университета на днях опубликовала работу о новом методе печати тонкоплёночных транзисторов из органических полупроводниковых материалов (OSC).
Утверждается, что разработаны элементы техпроцесса, в ходе реализации которого получаются маломощные транзисторы с высочайшей для органических материалов скоростью переключения. Открытие может привести к появлению лёгких и гибких дисплеев с отличными характеристиками.
Пример гибкого дисплея
Идея, которая пришла в голову японским учёным, граничит с парадоксом. В процессе выращивания тонких полупроводниковых плёнок исследователи сочетали жидкие материалы и лиофобную основу. Иначе говоря, жидкие ингредиенты отталкивались от основы и не связывались с ней. Подобное сочетание привело к интересному эффекту.
Жидкие растворы с органическими материалами, которые должны были превратиться в твёрдую полупроводниковую плёнку — часть будущих тонкоплёночных транзисторов — из-за действия сил отталкивания и поверхностного натяжения равномерно распределялись по обширной поверхности. Распределение было настолько равномерным (чему также помогали специальные приспособления и U-образная форма окаймления из металлической фольги на подложке), что процесс выращивания транзисторов (слоёв) шёл равномерно на всей подложке.
Эксперименты с получившимися транзисторами показали, что для их работы на высоких скоростях требуется очень низкое напряжение, что снизит энергопотребление подобных массивов. Скорость переключения достигала теоретических возможностей органических полупроводниковых материалов, что весьма обнадёживает. На основе подобных TF-транзисторов можно будет выпускать гибкие и сворачиваемые дисплеи на жидких кристаллах или электронных чернилах, а может быть ещё что-то новое и необычное.
Экспериментальный массив TF-транзисторов, изготовленный учёными (иллюстрация из статьи Science Advances)
«Мы использовали свойство текучести, которое вы, вероятно, видите каждый раз, когда моете руки с мылом, — сказал профессор Китахара. — Мыльные пузыри могут сохранять форму за счёт снижения поверхностного натяжения жидкости. Мы полагали, что механизм мыльной пленки должен быть эффективным для образования тонкого жидкого слоя на лиофобных поверхностях, несмотря на отталкивающие силы.
Твердые полупроводниковые пленки можно формировать и выращивать за счет образования тонких жидких слоев в процессе печати».
Данные об исследовании опубликованы в издании Science Advances. Рекомендаций для прямого коммерческого использования опыта учёные не дали.
Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
N-канальные SI2302 и P-канальные AO3401 маломощные транзисторы MOSFET
Транзисторы покупал в качестве выключателей, электронных ключей, соответственно и описывать буду только возможности в ключевом режиме (включено/выключено). Мои знания по полевым транзисторам несколько устарели, пересказываю то, что сам нашёл и попробовал.
Выбор, параметры
Если говорить о пользе применения полевиков (в частности MOSFET), то у них есть два основных преимущества. Во-первых, они эффективны в режиме ключа, минимальное сопротивление сток-исток в открытом состоянии приводит к минимальным потерям на самом транзисторе, почти вся мощность идёт в нагрузку. В закрытом же состоянии ток утечки не больше нескольких микроампер. В некоторых случаях это даёт возможность заменить ими механические переключатели или реле, прилично при этом сэкономив (как минимум). Во-вторых, транзистор управляется напряжением, через затвор ток почти не идёт, для обоих транзисторов при нормальной температуре заявлен ток утечки 0,1 мкА.
Одним из важных критериев выбора был тип корпуса. Такой подход к выбору транзистора может показаться странным, но мне не нужны были большие мощности, но нужны были мелкие, предельно дешёвые детальки для работы в качестве электронных ключей для небольших (до 2 А) токов. Ориентировался на один из вариантов корпусов SOT.
При таких размерах на большую мощность рассчитывать не приходится. Но сопротивление (сток-исток) современного полевого транзистора (MOSFET и подобные) в открытом состоянии мизерное, а значит токи через него можно пускать довольно приличные. Например, выбранные транзисторы рассчитаны на постоянную работу с токами до 3-4 А.
Не так уж много, но взгляните на размеры. И попробуйте найти механический переключатель на такой же ток с такими же размерами, не говоря уже о цене, вряд ли получится. Называть такие транзисторы маломощными как-то непривычно, но всё познаётся в сравнении, действительно мощные транзисторы такого типа могут пропускать через себя десятки ампер.
Не нужно забывать и о других ограничениях. Например, я спалил один из транзисторов, по неопытности превысив максимальную рассеиваемую мощность раза в два. Схема предусматривала ненасыщенные состояния транзистора с большим током (в моём случае — линейный стабилизатор тока). Подключил в качестве нагрузки мощный светодиод (падение напряжения около 3 В), и подал на схему 10 В при расчётном токе 0,35 А, что дало рассеиваемую мощность на транзисторе около 2,5 Вт (это в два раза выше допустимой), ну а дальше дымок и дырка в корпусе. Сначала я думал, что транзистор сгорел из-за превышения максимального напряжения затвор-исток, туда шли те же 10 В при максимуме 8 В у SI2302, но сомнения в том, что такое небольшое превышение может так сказаться на транзистор, привели к другому заключению, более правдоподобному.
Эти транзисторы кратковременно могут работать в более нагруженном режиме, что обычно даёт возможность не беспокоиться о подобных перегрузках в ключевом режиме (не забываем о переходных процессах). В высокочастотных схемах желательно учитывать переходные процессы, там они могут составлять существенную часть времени работы.
Мне больше всего нужны были p-канальные транзисторы, но взял также и n-канальные с похожими характеристиками, они вышли дешевле, но и предельные характеристики у них послабее. Есть ещё более дешевые n-канальные 2N7000 и 2N7002, но брать их смысла мало, у них высокое сопротивление сток-исток, максимальный ток сток-исток на порядок меньше, чем у SI2303.
Работа в режиме ключа
Рассмотрим пример использования таких транзисторов в качестве ключа для включения относительно большой нагрузки.
На схеме слева n-канальный транзистор, справа — p-канальный.
Нагрузка может быть подключена как «снизу», так и «сверху», но показанные схемы встречаются чаще. Транзистор управляется напряжением между затвором и истоком. И если в варианте для p-канального транзистора подключить нагрузку к питанию, то исток окажется подключенным к земле, и тогда на затвор для открытия придётся подавать отрицательное напряжение, которое не всегда доступно в общей схеме. Примерно те же проблемы доставляет и иное включение n-канального транзистора — чтобы его открыть, может понадобиться поднять напряжение на затворе выше напряжения питания, которое также может быть недоступно.
Номиналы резисторов R1 и R2 могут быть довольно произвольными, в различных схемах R1 видел от 0 до 10 кОм, R2 от 1 кОм до 1 МОм. Но, как правило, R1 много меньше R2, так как они образуют делитель напряжения, которое здесь снижать нежелательно из-за относительного большого напряжения насыщения затвора (дополнение: наверное, лучше поставить R2 до R1). При необходимости последовательно с нагрузкой (RLOAD) добавляют резистор для ограничения тока, здесь не показан.
На затворе есть ёмкость, здесь меньше 1 нФ, но это всё равно ёмкость, и приходится её учитывать. С одной стороны, эта ёмкость может дать короткое замыкание с землёй или питанием на фронте управляющего сигнала, а с другой — снизить скорость открытия и закрытия транзистора из-за необходимости заряда и разряда этого самого конденсатора.
R1 можно рассчитать из предположения о замыкании затвора на землю или питание. Чем больше это сопротивление, тем меньший ток сможет идти от источника управляющего сигнала до питания или земли через затвор, то есть сопротивление лучше ставить побольше. Но установка очень большого R1 приведёт к ухудшению динамических характеристик — уменьшится максимальная скорость включения, что также приведёт к увеличению времени переходных процессов, а значит и увеличению рассеиваемой мощности. Например, если подключать транзистор к выводу микроконтроллера с максимальным выходным током 40 мА, то резистор нужен не менее 125 Ом (при питании от 5 В).
R2 обычно используется большого номинала. Он здесь для того, чтобы затвор всегда был к чему-то привязан — к земле или питанию. Если не использовать этот резистор, и на управляющем входе схемы ключа будет обрыв (например, высокоомное состояние выхода микроконтроллера, управляющего нагрузкой через этот ключ), то затвор будет болтаться в воздухе, ловя все возможные наводки. Транзистор в «приоткрытом» состоянии будет рассеивать гораздо большую мощность, чем в выключенном и включенном состояниях, поэтому болтающийся в воздухе затвор может привести к выходу из строя транзистора из-за превышения мощности рассеивания.
Если источник управляющего сигнала может принимать высокоомное состояние (обрыв), то следует использовать R2, иначе в нём смысла не много, заряд с затвора будет стекать в источник через R1.
Тесты на SI2302 показали (подтвердили), что при отсутствии этого резистора транзистор начинает работать как память, запоминая последнее напряжение на затворе, но транзистор также остаётся очень чувствительным к внешним воздействиям, например, можно изменить его состояние просто касанием контакта затвора.
Из-за положительного температурного коэффициента сопротивление сток-исток растёт с ростом температуры, получается естественная отрицательная обратная связь по температуре, что добавляет надёжности схемам на полевых транзисторах. Ещё это позволяет включать такие транзисторы в параллель для увеличения максимального тока без существенных доработок, достаточно учесть изменение остальных характеристик такого составного транзистора.
Ключ для реле
Это частный случай приведённой выше ключевой схемы, учитывающий особенности нагрузки. Реле потребляет относительно много тока, поэтому часто подключение его напрямую к управляющему выходу, например микроконтроллера, невозможно.
Простейший усилитель-ключ на транзисторе может решить эту проблему. Применение MOSFET здесь не обязательно, достаточно любого дешевого биполярного транзистора, но все преимущества MOSFET здесь работают, поэтому и их использование иногда может быть оправдано.
Схема аналогична базовой схеме ключа, добавлен только диод D1 для защиты транзистора и индикация включения (светодиод LED1 с резистором R3).
А надо ли?
Часто эти транзисторы могут быть заменены на гораздо более дешёвые биполярные (в 5 и более раз дешевле), например с реле выше. Нужно понимать, что эти транзисторы нужны только в особых случаях, и лепить их при любой возможности может оказаться дорого, если они применяются десятками и больше.
Мне для пробы и нескольких устройств хватит и купленных сорока штук. SI2302 обошлись в 5 центов за штуку, AO3401 — 9 центов за штуку в лотах по 20 штук. Всё покупал на eBay, минимальные цены в розницу оказались там. Для поиска лотов с таким количеством добавьте к поисковому запросу «20pcs».
П307В транзисторы кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные. Au
П307 транзисторы кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные. Ni П307В Транзисторы П307В кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах переключения и преобразователей постоянного напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводися на корпусе. Масса транзистора не более 2 г. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Технические условия: ЖК3.365.059 ТУ. Технические характеристики транзисторов П307, П307А, П307Б, П307В, П307Г: Тип транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С IК. макс. IК. и. макс. UКБО макс. UКЭR макс. UЭБО макс. РК. макс h31э UКБ IЭ UКЭ нас. IКБО fгp. мА мА В В В мВт В мА В мкА МГц П307 n-p-n 30 120 80 80 3 250 16…50 20 10 – 3 20 П307А n-p-n 30 120 80 80 3 250 30…90 20 10 – 3 20 П307Б n-p-n 15 120 80 80 3 250 50…150 20 10 – 3 20 П307В n-p-n 30 120 60 60 3 250 50…150 20 10 – 3 20 П307Г n-p-n 15 120 80 80 3 250 16…50 20 10 – 3 20 Условные обозначения электрических параметров транзисторов: • Iк. макс – максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• Iк. и. макс – максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • Uкбо макс – максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера. • UкэR макс – максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора. • Uэбо макс – максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • Рк. макс – максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • h31Э – коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером. • Uкб – напряжение коллектор-база транзистора. • Iэ – ток эмиттера транзистора. • Uкэ нас. – напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • Iкбо – обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • fгр- граничная частота коэффициента передачи тока.
Что такое транзисторы. Обучающее видео
Смотрите также обзоры и статьи:
Привет!
В своих обучающих роликах мы уже прошли пассивные компоненты и немного затронули активную часть электроники. Прошлый выпуск был о диодах — советуем посмотреть, если вы еще не видели. А сегодняшний выпуск будет о короле всей микропроцессорной техники, совершившем революцию в приборостроении — транзисторе. Предлагаем присоединиться к изучению.
Транзистор — наверное, самый важный компонент в современной микроэлектронике. Его назначение простое: он позволяет с помощью слабого сигнала управлять гораздо более сильным.
Работа транзистора похожа на работу водопроводного крана. Только вместо воды – электрический ток. Возможны три состояния транзистора – рабочее (транзистор открыт), состояние покоя (транзистор закрыт) и полуоткрытое состояние – в нем транзистор работает в усилительном режиме.
Бывают как большие, таки и очень маленькие транзисторы. Например, центральные процессоры компьютеров или телефонов внутри состоят из взаимодействующих между собой транзисторов размером с десяток нанометров. Популярный в мобильных устройствах процессор Snapdragon 835 скрывает в себе 3 миллиарда транзисторов размерами в 10 нм каждый! (для сравнения – размеры бактерий в среднем составляют 50-500 нм).
Существуют биполярные и полевые транзисторы. Разберем, в чем между ними разница.
Биполярные транзисторыБиполярные транзисторы имеют три контакта:
- Коллектор — на него подаётся высокое напряжение, которым хочется управлять
- База — через неё подаётся небольшой ток, чтобы разблокировать большой, то есть открыть «кран»
- Эмиттер — через него проходит ток с коллектора и базы, когда транзистор «открыт»
Чтобы транзистор пропускал через себя ток, ему на базу ПОСТОЯННО должен подаваться небольшой сигнал. Как только сигнал прекратится, транзистор закроется.
Основная характеристика биполярного транзистора – показатель усиления hfe, или gain. Он показывает, во сколько раз пропускаемый через транзистор ток может быть больше, чем маленький ток, идущий через базу.
Например, Если hfe = 100, и к базе проходит ток 1 мА, то транзистор пропустит через себя максимум в сто раз больший ток – 100 мА. Если в этом случае на участке с большим током находится компонент, который потребляет, например 8 мА, ему будет предоставлено 8 мА, а у транзистора останется «запас». Если же имеется компонент, который потребляет 20 мА, ему будут предоставлены только ограниченные 10 мА. На этом принципе можно сделать стабилизацию тока в схеме.
Также транзисторы имеют максимально допустимые напряжения и токи на контактах. Превышение этих величин грозит чрезмерным нагревом и разрушением транзистора.
Описанный ранее транзистор — это так называемый NPN-транзистор. Называется он так из-за того, что состоит из трёх слоёв кремния, соединённых в порядке: Negative-Positive-Negative. То есть внутри транзистора получаются два P-N перехода, такие же, как в диодах. NPN-транзистор пропускает через себя ток, когда ему на базу подаются положительные заряды.
PNP-транзисторы отличаются «перевёрнутым» поведением: ток свободно протекает, если базу подключить к минусу питания, то есть заземлить. Когда через базу идёт ток, сам транзистор закрывается.
На схемах такие транзисторы отличаются направлением стрелки. Стрелка всегда указывает от P к N.
P-N переход внутри транзистора – это диод, который обладает свойственным падением напряжения, около 0.5 Вольта. То есть после транзистора напряжение будет немного меньше, чем до него. Этого недостатка лишены полевые транзисторы.
Полевые транзисторы (FET, Field Effect Transistor) имеют то же назначение, но отличаются внутренним устройством. Частным видом этих компонентов являются транзисторы MOSFET (транзисторы с изолированным затвором).
Полевые транзисторы тоже обладают тремя контактами:
- Сток (drain) — на него подаётся высокое напряжение, которым хочется управлять
- Затвор (gate) — на него подаётся напряжение, чтобы разрешить течение тока; затвор заземляется, чтобы заблокировать ток.
- Исток (source) — через него проходит ток со стока, когда транзистор «открыт»
От биполярных транзисторов они отличаются двумя особенностями: управление «краном» осуществляется исключительно при помощи напряжения: ток через затвор, в отличие от биполярных транзисторов, не идёт.
Так происходит, потому что затвор вместе со стоком образует конденсатор. После того, как мы подали на затвор сигнал и конденсатор зарядился, ему больше не нужно постоянное поддержание сигнала. Если отключить сигнал и просто оставить такой полевой транзистор как есть, он может быть открытым сам по себе еще очень долгое время.
Полевым транзистор называется, потому что тот самый внутренний конденсатор создает электрическое поле, позволяющее электронам свободно проходить через непроводящую в обычном состоянии пластинку. Решающее значение здесь имеет, до какого напряжения зарядится конденсатор. Чем сильнее будет поле, тем легче электронам будет пройти по нему. Если же поле будет слишком слабым – электроны вообще не смогут пролететь через транзистор.
В этом минус полевого транзистора: необходимое напряжение для его открытия практически в десять раз больше, чем у биполярного. А плюс в том, что на пути электронов нет никакого перехода, поэтому отсутствует падение напряжения и можно добиться очень маленького сопротивления внутри транзистора. Это позволяет оперировать гораздо большими мощностями при тех же размерах.
По аналогии с биполярными транзисторами, полевые различаются полярностью. Выше был описан N-Channel транзистор. Они наиболее распространены. P-Channel при обозначении отличается направлением стрелки и, опять же, обладает «перевёрнутым» поведением.
IGBTСуществуют еще IGBT транзисторы – это совмещенные в одном корпусе маломощный полевой транзистор, и мощный биполярный. Такая конструкция сглаживает минусы обеих типов и используется в основном в промышленных установках для работы с очень большими мощностями.
Подключение транзисторов для управления мощными компонентамиОдной из типичных задач транзистора является включение и выключение определённого компонента схемы. Например, мощные моторы или сверхъяркие лампочки могут потреблять десятки ампер и больше. При подключении таких нагрузок напрямую через маломощную кнопку, она быстро выйдет из строя. Но если использовать транзисторы, можно легко управлять любой нагрузкой.
Соберем на макетной плате самую простую схему с использованием транзистора в режиме ключа. Включим через него светодиодную ленту. Берем стандартный NPN-транзистор. К его второй ножке – базе – подключаем маломощную кнопку. На кнопку с плюса питания подадим сигнал через резистор, который будет ограничивать силу тока базы.
Первую ножку транзистора – эмиттер – подсоединим к минусу, поскольку именно минус питания будет пропускаться через транзистор. Третья ножка транзистора – коллектор – подключится к минусовому контакту светодиодной ленты.
Два контакта вставляем в линию питания, на них мы подадим 12 В с лабораторного блока. К светодиодной ленте плюс питания подключаем напрямую, а минус берем с выхода транзистора.
Готово. При нажатии на кнопку транзистор открывается и лента светится. При отпускании – лента гаснет. Таким способом через маленькую кнопку можно включить даже очень мощные устройства, главное подобрать нужный по характеристикам транзистор.
Если вам пришла в голову ошеломительная идея, как улучшить какое-то свое устройство – пожалуйста, у нас в магазине вы можете подобрать множество транзисторов под свою задачу! Все компоненты, которые мы использовали, можно купить в магазине.
Поделиться в соцсетях
Справочник маломощные транзисторы и их зарубежные аналоги. В.М.Петухов.
В первом томе справочника приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов — полевых и биполярных транзисторов малой мощности. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы В приложении даются зарубежные аналоги транзисторов, помещенных в справочнике, и названия фирм-изготовителей, представлен перечень транзисторов, вошедших в 1—4 тт изданияДля инженерно-технических работников, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры
Предисловие
ЧАСТЬ ПЕРВАЯ ОБЩИЕ. СВЕДЕНИЯ О БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
Раздел первый. Классификация биполярных и полевых транзисторов
1.
1. Классификация и система обозначений
1.2. Классификация транзисторов по функциональному назначению
1.3. Условные графические обозначения
1.4. Условные обозначения электрических параметров
1.5. Основные стандарты на биполярные и полевые транзисторы
1.6. Приборы для измерения параметров маломощных транзисторов
Раздел второй. Особенности использования транзисторов в радиоэлектронной аппаратур
ЧАСТЬ ВТОРАЯ. СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Раздел третий. Транзисторы маломощны» низкочастотны
Транзисторы п-р-л
Транзисторы р-п-р
Раздел четвертый. Транзисторы маломощны высокочастотны
Транзисторы п-р-п
Транзисторы р-п-р
Раздел пятый. Транзисторы маломощные свврхвысокочастотные
Транзисторы п-р-п
Транзисторы р-п-р
Раздел шестой. Транзисторные сборки п-р-п
Транзисторные сборки р-п-р
Транзисторные сборки п-р-п, р-п-р
ЧАСТЬ ТРЕТЬЯ. СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Раздел седьмой. Кремниевые полевые транзисторы маломощные
Арсенидгаллиевые полевые транзисторы
Транзисторы малой мощности
Перечень зарубежных транзисторов, заменяемых отечественными
Указатель типов транзисторов
Перечень типов транзисторов, вошедших в 1-4 тт издания
Транзисторы сверхнизкой мощности могут годами работать без батареи
Недавно разработанная форма транзистора открывает ряд новых электронных приложений, включая носимые или имплантируемые устройства, за счет значительного снижения потребляемой мощности. Устройства, основанные на этом типе транзисторов сверхнизкой мощности, разработанные инженерами Кембриджского университета, могут работать в течение месяцев или даже лет без батареи, «отбирая» энергию из окружающей среды.
Используя тот же принцип, что и компьютер в спящем режиме, новый транзистор использует для своей работы крошечную «утечку» электрического тока, известную как ток в почти закрытом состоянии._%D0%BD%D0%B5%D0%BE%D1%82%D1%81%D0%BE%D1%80%D1%82%D0%B8%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%B0%D0%BD%D0%BD%D0%B0%D1%8F_%D0%BF%D0%B0%D0%BF%D0%BA%D0%B0.jpg)
Эта утечка, как вода, капающая из неисправного крана, характерна для всех транзисторов, но это первый случай, когда она эффективно улавливается и используется функционально. Результаты, опубликованные в журнале Science , открывают новые возможности для проектирования систем для Интернета вещей, в которых большинство вещей, с которыми мы взаимодействуем каждый день, подключены к Интернету.
Транзисторы могут изготавливаться при низких температурах и могут быть напечатаны практически на любом материале, от стекла и пластика до полиэстера и бумаги.Они основаны на уникальной геометрии, которая использует «нежелательную» характеристику, а именно точку контакта между металлическими и полупроводниковыми компонентами транзистора, так называемый «барьер Шоттки».
«Мы бросаем вызов общепринятому представлению о том, каким должен быть транзистор», – сказал профессор Арокия Натан из Кембриджского инженерного факультета, соавтор статьи. «Мы обнаружили, что эти барьеры Шоттки, которых большинство инженеров стараются избегать, на самом деле имеют идеальные характеристики для тех типов приложений со сверхнизким энергопотреблением, которые мы рассматриваем, таких как носимая или имплантируемая электроника для мониторинга состояния здоровья.«
Новая конструкция решает одну из основных проблем, мешающих развитию сверхмалых транзисторов, а именно возможность производить их очень малых размеров. По мере того, как транзисторы становятся меньше, их два электрода начинают влиять на поведение друг друга, и напряжения распределяются, что означает, что ниже определенного размера транзисторы не могут работать должным образом. Изменив конструкцию транзисторов, исследователи из Кембриджа смогли использовать барьеры Шоттки, чтобы электроды оставались независимыми друг от друга, так что транзисторы можно было уменьшить до очень малых геометрических размеров.
Эта конструкция также обеспечивает очень высокий уровень усиления или усиления сигнала. Рабочее напряжение транзистора меньше вольт, а потребляемая мощность ниже миллиардной ватта.
Такое сверхнизкое энергопотребление делает их наиболее подходящими для приложений, в которых функциональность важнее скорости, что составляет суть Интернета вещей.
«Если бы мы использовали типичную батарею АА, основанную на этой конструкции, ее хватило бы на миллиард лет», – сказал доктор Сунгсик Ли, первый автор статьи, также из Департамента инженерии.«Использование барьера Шоттки позволяет нам уберечь электроды от помех друг другу, чтобы усилить амплитуду сигнала даже в состоянии, когда транзистор почти выключен».
«Это приведет к появлению новой модели проектирования интерфейсов датчиков сверхнизкой мощности и аналоговой обработки сигналов в носимых и имплантируемых устройствах, которые имеют решающее значение для Интернета вещей», – сказал Натан.
«Это гениальная концепция транзистора», – сказал профессор Гехан Амаратунга, руководитель группы преобразования электроники, энергии и энергии инженерного факультета Кембриджа.«Этот тип работы со сверхнизким энергопотреблением является предпосылкой для многих новых повсеместных электронных приложений, где важна функция – по сути,« интеллект »- без требования к скорости. В таких приложениях возможность полностью автономного электроника теперь становится возможной. Система может полагаться на сбор фоновой энергии из окружающей среды для очень долгой работы, что сродни таким организмам, как бактерии в биологии ».
Новый тип транзистора на основе графена увеличит тактовую частоту процессоров
Дополнительная информация: Наука “Подпороговые тонкопленочные транзисторы с барьером Шоттки со сверхмалой мощностью и высоким внутренним усилением”.sciencemag.org/cgi/doi… 1126 / science.aah5035 Предоставлено Кембриджский университет
Ссылка :
Транзисторы сверхмалой мощности могут годами работать без батареи (2016, 20 октября)
получено 17 апреля 2021 г.
с https: // физ.org / news / 2016-10-ultralow-power-transistors-function-years.html
Этот документ защищен авторским правом. За исключением честных сделок с целью частного изучения или исследования, никакие часть может быть воспроизведена без письменного разрешения. Контент предоставляется только в информационных целях.
Инженерыразрабатывают транзисторы сверхнизкой мощности, которые могут работать годами без батареи.
Недавно разработанная форма транзисторов открывает ряд новых электронных приложений, включая носимые или имплантируемые устройства, за счет значительного снижения потребляемой мощности.Устройства, основанные на этом типе транзисторов сверхнизкой мощности, разработанные инженерами Кембриджского университета, могут работать в течение месяцев или даже лет без батареи, «отбирая» энергию из окружающей среды.
Используя тот же принцип, что и компьютер в спящем режиме, новый транзистор использует для своей работы крошечную «утечку» электрического тока, известную как ток в почти закрытом состоянии. Эта утечка, как вода, капающая из неисправного крана, характерна для всех транзисторов, но это первый случай, когда она эффективно улавливается и используется функционально.Результаты, опубликованные в журнале Science , открывают новые возможности для проектирования систем для Интернета вещей, в которых большинство вещей, с которыми мы взаимодействуем каждый день, подключены к Интернету.
Транзисторы могут изготавливаться при низких температурах и могут быть напечатаны практически на любом материале, от стекла и пластика до полиэстера и бумаги. Они основаны на уникальной геометрии, в которой используется «нежелательная» характеристика, а именно точка контакта между металлическими и полупроводниковыми компонентами транзистора, так называемый «барьер Шоттки».
’
«Мы бросаем вызов общепринятому представлению о том, каким должен быть транзистор», – сказал соавтор статьи профессор Арокия Натан из Кембриджского инженерного факультета. «Мы обнаружили, что эти барьеры Шоттки, которых большинство инженеров стараются избегать, на самом деле обладают идеальными характеристиками для тех типов приложений со сверхнизким энергопотреблением, которые мы рассматриваем, таких как носимая или имплантируемая электроника для мониторинга здоровья».
Новая конструкция решает одну из основных проблем, мешающих развитию сверхмалых транзисторов, а именно возможность производить их очень малых размеров.По мере того, как транзисторы становятся меньше, их два электрода начинают влиять на поведение друг друга, и напряжения распределяются, что означает, что ниже определенного размера транзисторы не могут работать должным образом. Изменив конструкцию транзисторов, исследователи из Кембриджа смогли использовать барьеры Шоттки, чтобы электроды оставались независимыми друг от друга, так что транзисторы можно было уменьшить до очень малых геометрических размеров.
Эта конструкция также обеспечивает очень высокий уровень усиления или усиления сигнала.Рабочее напряжение транзистора меньше вольт, а потребляемая мощность ниже миллиардной ватта. Такое сверхнизкое энергопотребление делает их наиболее подходящими для приложений, в которых функциональность важнее скорости, что составляет суть Интернета вещей.
«Если бы мы использовали типичную батарею АА, основанную на этой конструкции, ее хватило бы на миллиард лет», – сказал доктор Сунгсик Ли, первый автор статьи, также из Департамента инженерии. «Использование барьера Шоттки позволяет нам уберечь электроды от помех друг другу, чтобы усилить амплитуду сигнала даже в состоянии, когда транзистор почти выключен.”
«Это приведет к появлению новой модели проектирования интерфейсов датчиков сверхнизкой мощности и аналоговой обработки сигналов в носимых и имплантируемых устройствах, которые имеют решающее значение для Интернета вещей», – сказал Натан.
«Это гениальная концепция транзистора», – сказал профессор Гехан Амаратунга, руководитель группы по преобразованию электроники, энергии и энергии инженерного факультета Кембриджа. «Этот тип работы со сверхнизким энергопотреблением является предпосылкой для многих новых повсеместных электронных приложений, где важна функция – по сути« интеллект »- без требования к скорости.В таких приложениях теперь появляется возможность иметь полностью автономную электронику. Система может полагаться на сбор фоновой энергии из окружающей среды для очень долгой работы, что сродни таким организмам, как бактерии в биологии ».
Ссылка :
С. Ли и А. Натан, «Тонкопленочные транзисторы с подпороговым барьером Шоттки, сверхмалой мощностью и высоким внутренним усилением». Наука (2016). DOI: 10.1126 / science.aah5035
исследователей UCSB проясняют роль маломощных транзисторов | UCSB
По мере того, как наша электроника продолжает расти и становиться все более сложной, продолжается гонка за более энергоэффективными и масштабируемыми полупроводниковыми устройствами – компонентами, которые потребляют минимальную мощность, но при этом достаточно малы, чтобы их можно было разместить во все более плотных интегральных схемах.
MOSFET (металлооксидные полевые транзисторы) являются примером такого прорыва. Разработанные в 1960-х годах, их низкое энергопотребление, масштабируемость, компактность и простота массового производства сделали их идеальным логическим переключателем для широкого спектра электронных устройств.
Быстрая миниатюризация и уплотнение этих транзисторов (без одновременного увеличения энергопотребления) побудили исполнительного директора Intel Гордона Мура сформулировать свой знаменитый закон: количество транзисторов в интегральной схеме должно удваиваться каждые два года.
Результатом стало неуклонное повышение производительности наших компьютеров на протяжении нескольких десятилетий, от настольных компьютеров и ноутбуков до наших интеллектуальных устройств и носимых устройств. Сегодняшние смартфоны содержат миллиарды полевых МОП-транзисторов нанометрового размера.
Однако, по словам профессора электротехники и компьютерной инженерии Калифорнийского университета в Санта-Барбаре Каустава Банерджи, известного эксперта в области наноэлектроники и одного из самых влиятельных ученых в мире, преимущества масштабируемости в сторону уменьшения – по крайней мере, с точки зрения обычных полевых транзисторов – достигают предела умы, согласно Clarivate Analytics.
И хотя определенный тип транзистора, называемый полевым транзистором с отрицательной емкостью (NC-FET), рекламировался как способ поддержания производительности, Банерджи считает, что пора пересмотреть его роль.
«После более чем десяти лет заблуждений и путаницы в научном сообществе мы по сути развенчали миф о том, что NC-FET – это устройство с крутым уклоном», – сказал Банерджи о своей статье. «Является ли полевой транзистор с отрицательной емкостью логическим переключателем с крутым наклоном?», – недавно опубликовано в Nature Communications.
Устройство экономии напряжения
По словам Банерджи, хотя полевые транзисторы меньшего размера и с меньшим энергопотреблением действительно позволили повысить производительность наших устройств без соответствующего увеличения потребляемой энергии, преимущества энергосбережения еще меньших полевых транзисторов с меньшим напряжением, похоже, подходят к концу.
«Понижение напряжения питания не успевает за масштабированием размеров элемента, потому что транспортный механизм полевых МОП-транзисторов на основе термоэлектронной эмиссии и эффекты короткого канала ограничивают крутизну их передаточных характеристик», – написал Банерджи.
Ученые и инженеры давно знают об этих ограничениях современной технологии MOSFET и работают над преодолением этих ограничений, разрабатывая новые транзисторы с «крутыми характеристиками».
Крутизна относится к соотношению между током, протекающим через устройство, и его соответствующим напряжением; чем круче крутизна, тем резче изменение тока из положения ВЫКЛ. в положение ВКЛ. в электронном переключателе.
Это желаемое качество с точки зрения энергоэффективности и производительности, а также характеристика, которую разработчики электроники пытались привнести в полевые МОП-транзисторы.Устройства с «крутым наклоном» определяются как «подпороговое колебание» (SS) менее 60 мВ / дек. при комнатной температуре.
Среди потенциальных кандидатов для будущих транзисторов с крутым наклоном были туннельные полевые транзисторы с межполосным переходом (TFET), сказал Банерджи, группа которого продемонстрировала атомно-плоский TFET с использованием 2D-материала в 2015 году, и NC-FET, который использует электронные свойства сегнетоэлектрических материалов, чтобы стимулировать отрицательную емкость, чтобы создать эффект крутого наклона.
При определенном напряжении сегнетоэлектрические материалы меняют поляризацию, создавая искусственно созданное (посредством согласования емкостей) стабильное (непереходное) состояние, в котором снижение напряжения приводит к увеличению заряда.
Заряд, накопленный на материале, используется для усиления напряжения питания, что позволяет инженерам разрабатывать электронику с более низкими требованиями к напряжению питания.
Однако Банерджи утверждает, что, хотя многие типы NC-FET были созданы в различных размерах из разных сегнетоэлектрических материалов, явления ухудшения рабочих характеристик продолжают сохраняться, включая гистерезис и отсутствие средней крутой подпороговой крутизны в течение нескольких порядков величины тока. .
«Подпороговая потеря напряжения в современных (наноразмерных) полевых транзисторах всегда проявляется», – пояснил он. «Обычно это вызвано паразитными емкостями, такими как эффект короткого канала или интерфейсные ловушки. Эти паразитные заряды в канале приводят к потере напряжения на оксиде затвора.
«Однако в NCFET они также вызывают поляризацию NC-слоя, что приводит к образованию отрицательного напряжения на NC, которое компенсирует потери напряжения на оксиде затвора».
Согласно исследованию, хорошо спроектированные полевые МОП-транзисторы получают ограниченную выгоду от отрицательной емкости.Кроме того, добавление «очень толстого» NC-слоя было бы «непрактичным для современной технологии крупномасштабной интеграции» в эпоху ультратонких корпусов, сказал Банерджи.
Более практическая роль отрицательной емкости в полевых транзисторах, по словам Банерджи, будет заключаться в снижении потерь напряжения за счет использования его поведения для поглощения потерь напряжения перегрузки – избыточного напряжения сверх порогового напряжения, которое контролирует скорость работы транзистора – таким образом, также снижает энергию. потрачено.
«Сохранение подпороговой потери напряжения позволяет пороговому напряжению приближаться к минимальному пороговому напряжению идеального полевого МОП-транзистора, что позволяет масштабировать напряжение питания при фиксированной производительности устройства», – сказал он.
По словам Вэй Цао, первого автора статьи и члена Исследовательской лаборатории наноэлектроники Банерджи: «Основная мотивация этой работы состоит в том, чтобы указать, что NC-FET не является переключателем с крутым наклоном; вместо этого он может помочь улучшить характеристики полевых МОП-транзисторов за счет снижения потерь напряжения, вызванных различными эффектами короткого канала в сверхмасштабируемых устройствах и / или экранированием поверхностных зарядов.
«Таким образом, ожидается, что наша работа направит исследовательское направление сообщества электронных устройств в правильное русло».
Джо Цю, менеджер программы в Управлении исследований армии (ARO), который частично поддерживал эту работу, сказал: «Это исследование окажет значительное влияние на создание будущих поколений маломощных полевых МОП-транзисторов и переносной электроники, которые имеют решающее значение для Армия США.”
ARO является элементом исследовательской лаборатории армии США по развитию боевых возможностей.
Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.
Настройка вашего браузера для приема файлов cookie
Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:
- В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
- Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, нажмите кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
- Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
- Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
- Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.
Почему этому сайту требуются файлы cookie?
Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.
Что сохраняется в файле cookie?
Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.
Как правило, в файлах cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.
| Записи с 1 по 14 из 14 Обратите внимание на нашу минимальную сумму заказа 200,00 евро. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC807-25LT1G SMD PNP NF транзистор маломощный 45 В 0.5 А 0,25 Вт SOT 23 |
| на складе: 0 шт. |
| в спецификацию | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC807-40 215 SMD PNP NF транзистор маломощный 45 В 0.5 А 0,25 Вт SOT 23 |
| на складе: 0 шт. |
| в спецификацию | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC817-16 SMD NPN NF транзистор маломощный 45 В 0.5 А 0,25 Вт SOT 23 |
| на складе: 0 шт. |
| в спецификацию | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC817-25 SMD NPN NF транзистор маломощный 45 В 0.5 А 0,25 Вт SOT 23 |
| на складе: 0 шт. |
| в спецификацию | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC817-40 215 SMD NPN NF транзистор маломощный 45 В 0.5 А 0,25 Вт SOT 23 |
| на складе: 0 шт. |
| в спецификацию | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC846B, 215 SMD NPN NF транзистор маломощный 65 В 0.1 А 0,25 Вт SOT 23 |
| на складе: 0 шт. |
| в спецификацию | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC847B, 215 SMD NPN NF транзистор маломощный 45 В 0.1 А 0,25 Вт SOT 23 |
| на складе: 0 шт. |
| в спецификацию | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC848CSMD SMD NPN NF транзистор маломощный 30 В 0.1 А 0,25 Вт SOT 23 |
| на складе: 0 шт. | в спецификацию | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC850CSMD SMD NPN NF транзистор маломощный 45 В 0.1 А 0,25 Вт SOT 23 |
| на складе: 0 шт. | в спецификацию | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC856BLT1G SMD PNP NF транзистор маломощный 65 В 0.1 А 0,25 Вт SOT 23 |
| на складе: 0 шт. |
| в спецификацию | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC857B, 215 SMD PNP NF транзистор маломощный 45 В 0.1 А 0,25 Вт SOT 23 |
| на складе: 0 шт. |
| в спецификацию | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC857CSMD SMD PNP NF транзистор маломощный 45 В 0.1 А 0,25 Вт SOT 23 |
| на складе: 0 шт. | в спецификацию | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC858BSMD SMD PNP NF транзистор маломощный 30 В 0.1 А 0,25 Вт SOT 23 |
| на складе: 0 шт. | в спецификацию | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC858CSMD SMD PNP NF транзистор маломощный 30 В 0.1 А 0,25 Вт SOT 23 |
| на складе: 0 шт. | в спецификацию | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Характеристики транзисторов и корпуса (BJT) | Биполярные переходные транзисторы
Как и все электрические и электронные компоненты, транзисторы ограничены по величине напряжения и тока, с которыми каждый из них может работать без повреждений.Поскольку транзисторы более сложны, чем некоторые другие компоненты, которые вы привыкли видеть на этом этапе, у них, как правило, больше номиналов. Ниже приводится подробное описание некоторых типичных номиналов транзисторов.
Рассеиваемая мощностьКогда транзистор проводит ток между коллектором и эмиттером, он также понижает напряжение между этими двумя точками. В любой момент времени мощность, рассеиваемая транзистором, равна произведению тока коллектора и напряжения коллектор-эмиттер.Как и резисторы, транзисторы рассчитаны на то, сколько ватт каждый может безопасно рассеять без повреждений.
Высокая температура – смертельный враг всех полупроводниковых устройств, а биполярные транзисторы, как правило, более подвержены тепловому повреждению, чем большинство из них. Номинальные значения мощности всегда относятся к температуре окружающего (окружающего) воздуха. Когда транзисторы должны использоваться в более горячих средах> 25 o , их номинальная мощность должна быть на занижена на , чтобы избежать сокращения срока службы.
Обратные напряженияКак и диоды, биполярные транзисторы рассчитаны на максимально допустимое напряжение обратного смещения на их PN-переходах. Сюда входят номинальные напряжения для перехода эмиттер-база V EB , перехода коллектор-база V CB , а также между коллектором и эмиттером V CE .
В EB , максимальное обратное напряжение от эмиттера к базе составляет примерно 7 В для некоторых малосигнальных транзисторов.Некоторые разработчики схем используют дискретные BJT в качестве стабилитронов на 7 В с последовательным резистором, ограничивающим ток. Входы транзисторов для аналоговых интегральных схем также имеют рейтинг V EB , превышение которого приведет к повреждению, стабилизация входов не допускается.
Номинальное значение максимального напряжения коллектор-эмиттер V CE можно рассматривать как максимальное напряжение, которое он может выдерживать в режиме отсечки (без тока базы). Этот рейтинг особенно важен при использовании биполярного транзистора в качестве переключателя.Типичное значение для малосигнального транзистора составляет от 60 до 80 В. В силовых транзисторах это может быть до 1000 В, например, для транзистора горизонтального отклонения в дисплее на электронно-лучевой трубке.
Коллекторный токМаксимальное значение тока коллектора IC будет указано производителем в амперах. Типичные значения для малосигнальных транзисторов составляют от 10 до 100 мА, а для силовых транзисторов – 10 с. Поймите, что это максимальное значение предполагает состояние насыщения (минимальное падение напряжения коллектор-эмиттер).Если транзистор не насыщен и имеет значительное падение напряжения между коллектором и эмиттером, максимальное значение рассеиваемой мощности, вероятно, будет превышено до максимального номинального тока коллектора. Просто о чем следует помнить при проектировании схемы транзистора
. Напряжение насыщенияВ идеале насыщенный транзистор действует как замкнутый переключающий контакт между коллектором и эмиттером, сбрасывая нулевое напряжение при полном токе коллектора.На самом деле это , а не . Производители указывают максимальное падение напряжения транзистора при насыщении как между коллектором и эмиттером, так и между базой и эмиттером (прямое падение напряжения на этом PN-переходе). Падение напряжения коллектор-эмиттер при насыщении обычно ожидается на уровне 0,3 В или меньше, но это значение, конечно, зависит от конкретного типа транзистора. Транзисторы низкого напряжения, низкое напряжение V CE , показывают более низкое напряжение насыщения. Напряжение насыщения также ниже при более высоком базовом токе возбуждения.
Прямое падение напряжения база-эмиттер, В BE , аналогично падению напряжения эквивалентного диода 0,7 В, что неудивительно.
БетаОтношение тока коллектора к току базы β является основным параметром, характеризующим усилительную способность биполярного транзистора . В схемных расчетах обычно предполагается, что β является постоянной величиной, но, к сожалению, на практике это далеко не так. Таким образом, производители предоставляют набор значений β (или «h fe ») для данного транзистора в широком диапазоне рабочих условий, обычно в форме максимальных / минимальных / типичных значений.Вы можете удивиться, увидев, насколько широко можно ожидать изменения β в пределах нормальных рабочих пределов. Один популярный малосигнальный транзистор, 2N3903, рекламируется как имеющий β в диапазоне от 15 до 150 в зависимости от величины тока коллектора. Как правило, β является самым высоким для средних токов коллектора, снижаясь при очень низких и очень высоких токах коллектора. h fe – усиление переменного тока слабого сигнала; hFE s большое усиление сигнала переменного или постоянного тока.
АльфаОтношение тока коллектора к току эмиттера, α = I C / I E .α может быть получено из β, так как α = β / (β + 1). Биполярные транзисторы выпускаются в самых разных физических корпусах. Тип корпуса в первую очередь зависит от требуемой рассеиваемой мощности транзистора, как и резисторы: чем больше максимальная рассеиваемая мощность, тем больше должно быть устройство, чтобы оставаться холодным. На рисунке ниже показано несколько стандартных типов корпусов для трехконтактных полупроводниковых устройств, любой из которых может использоваться для размещения биполярного транзистора. Есть много других полупроводниковых устройств, помимо биполярных транзисторов, которые имеют три точки подключения.Обратите внимание, что выводы пластиковых транзисторов могут отличаться в пределах одного типа корпуса, например ТО-92 на рисунке ниже. невозможно, , точно идентифицировать трехконтактный полупроводниковый прибор, не ссылаясь на номер детали, напечатанный на нем, или не подвергая его ряду электрических испытаний.
Пакеты транзисторов, размеры в мм.
Небольшие пластиковые корпуса транзисторов, такие как TO-92, могут рассеивать несколько сотен милливатт. Металлические банки ТО-18 и ТО-39 могут рассеивать больше энергии, несколько сотен милливатт.Пластиковые корпуса силовых транзисторов, такие как TO-220 и TO-247, рассеивают более 100 Вт, приближаясь к рассеиванию полностью металлического TO-3. Показатели рассеиваемой энергии, указанные на рисунке выше, являются максимальными, когда-либо встречавшимися автором для высокомощных устройств. Большинство силовых транзисторов рассчитаны на половину или меньше указанной мощности. Фактические характеристики см. В технических паспортах конкретных устройств. Полупроводниковый кристалл в пластиковых корпусах TO-220 и TO-247 установлен на теплопроводной металлической вставке, которая передает тепло от задней части корпуса к металлическому радиатору (не показан).Перед установкой транзистора на радиатор на металл наносится тонкий слой теплопроводящей смазки. Так как заглушки ТО-220 и ТО-247, а также корпус ТО-3 подключены к коллектору, иногда необходимо электрически изолировать их от заземленного радиатора с помощью вставной слюдяной или полимерной шайбы. Паспортные данные для силовых агрегатов действительны только при установке на радиатор. Без радиатора TO-220 безопасно рассеивает примерно 1 ватт на открытом воздухе.
Datasheet Максимальные значения рассеиваемой мощности трудно достижимы на практике.Максимальное рассеивание мощности основано на радиаторе, поддерживающем температуру корпуса транзистора не выше 25 ° C. Это сложно сделать с радиатором с воздушным охлаждением. Допустимая рассеиваемая мощность уменьшается с повышением температуры. Это называется снижением номинальных характеристик. Многие спецификации устройств питания содержат график зависимости рассеиваемой энергии от температуры корпуса.
ОБЗОР:
- Рассеиваемая мощность : максимально допустимая рассеиваемая мощность на постоянной основе.
- Обратные напряжения : максимально допустимое VCE, V CB , V EB .
- Коллекторный ток : максимально допустимый коллекторный ток.
- Напряжение насыщения – это падение напряжения V CE в насыщенном (полностью проводящем) транзисторе.
- Бета : β = I C / I B
- Альфа : α = I C / I E , α = β / (β + 1)
- Транзистор Блоки являются основным фактором рассеивания мощности. Пакеты большего размера рассеивают больше энергии.
СВЯЗАННЫЕ РАБОЧИЕ ЛИСТЫ
Биполярные силовые транзисторы 40 В, 3.0 А, низкий VCE (насыщ.) NPN-транзистор
% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 obj > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > поток application / pdf
| J | ߁ * Qo @ a} cNFʉe $ o9M8npNN # U С
.