Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Содержание

Мощный стабилитрон – Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Мощный стабилитрон

Cтраница 1

Мощные стабилитроны с симметричными вольт-амперными характеристиками имеют в буквенном элементе маркировки дополнительно букву С: СКС.  [1]

Маркировка мощных стабилитронов начинается с букв СК – стабилитрон кремниевый. Вслед за буквами в марке имеются цифры, которые указывают на определенные электрические параметры данного стабилитрона. Первая группа цифр означает максимально допустимую мощность рассеяния в ваттах. Вторая группа цифр означает номинальное напряжение стабилизации в вольтах. Третья группа цифр означает номинальный ток стабилитрона в миллиамперах.  [2]

Выбор достаточно мощных стабилитронов Д816А сделан лишь из соображений их небольшой величины Лдиф пр, хотя по току они используются незначительно. Очевидно можно подобрать и менее мощные стабилитроны, которые лучше использовались бы по току.  [3]

Пример маркировки мощного стабилитрона: СК 50 400 / 100 – стабилитрон кремниевый, рассчитанный на максимально допустимую длительную мощность рассеяния 50 вт, номинальное напряжение стабилизации 400 а и номинальный ток стабилизации 100 ма.  [4]

Другое возможное решение вопроса защиты от перенапряжения-установка мощного стабилитрона или его аналога параллельно выходу источника питания. На рис. 6.9 показана схема активного стабилитрона. К сожалению, схема защиты на мощном стабилитроне также имеет свои недостатки.  [6]

Выбор достаточно мощных стабилитронов Д816А сделан лишь из соображений их небольшой величины Лдиф пр, хотя по току они используются незначительно. Очевидно можно подобрать и менее мощные стабилитроны, которые лучше использовались бы по току.

 [7]

В результате энергия, выделяемая в процессе коммутации, переходит непосредственно в тепловую энергию внутри прибора или специального энергопоглотителя. Функцию последних, как правило, выполняют пассивные RCL-цепн или мощные стабилитроны. Существуют также электронные аппараты с рекуперацией коммутационной энергии в сеть.  [8]

Другое возможное решение вопроса защиты от перенапряжения-установка мощного стабилитрона или его аналога параллельно выходу источника питания. На рис. 6.9 показана схема активного стабилитрона. К сожалению, схема защиты на мощном стабилитроне также имеет свои недостатки.  [10]

Стабилитрон полностью срезает отрицательные полупериоды и ограничивает положительные до величины напряжения стабилизации. Благодаря этому на выходе появляются прямоугольные импульсы с частотой следования 50 гц и амплитудой, равной напряжению стабилизации. Если генератор не нагружается, то можно применить

менее мощные стабилитроны с большим добавочным сопротивлением.  [12]

Напряжение стабилизации ( 7СТ может быть примерно от 5 до 200 В, изменение тока стабилитрона от / min до / тах составляет десятки и даже сотни миллиампер. Максимальная допустимая мощность Ртах, рассеиваемая в стабилитроне, – от сотен милливатт до единиц ватт. Дифференциальное сопротивление Кд Au / Дг в режиме стабилизации может быть от десятых долей ома для низковольтных более мощных стабилитронов до 100 – 200 Ом для стабилитронов на более высокие напряжения. Низковольтные стабилитроны небольшой мощности имеют сопротивление Ru, равное единицам и десяткам ом.  [13]

Страницы:      1

Аналог мощного стабилитрона


 
 

 
 
 
 
 
        Для стабилизации напряжения питания нагрузки нередко пользуются простейшим стабилизатором – параметрическим (рис. 1), в котором питание от выпрямителя поступает через балластный резистор, а параллельно нагрузке включают стабилитрон.
        Подобный стабилизатор работоспособен при токах нагрузки, не превышающих максимального тока стабилизации для данного стабилитрона. А если ток нагрузки значительно больше, пользуются более мощным стабилитроном, например, серии Д815, допускающим ток стабилизации 1…1,4 А.
        При отсутствии такого стабилитрона подойдет маломощный, но использовать его нужно в паре с мощным транзистором, как показано на
рис. 2.
В итоге получается аналог мощного стабилитрона, обеспечивающий на нагрузке достаточно стабильное напряжение даже при токе 2 А, хотя максимальный ток стабилизации указанного на схеме стабилизатора КС147А составляет 58 мА.
        Работает аналог так. Пока питающее напряжение, поступающее от выпрямителя, меньше напряжения пробоя стабилитрона, транзистор закрыт, ток через аналог незначительный (прямая горизонтальная ветвь вольт- амперной характеристики аналога, приведенной на рис. 4). При увеличении питающего напряжения стабилитрон пробивается, через него начинает протекать ток и транзистор приоткрывается (изогнутая часть характеристики) Дальнейшее увеличение питающего напряжения приводит к резкому росту тока через стабилитрон и транзистор, а значит, к стабилизации выходного напряжения на определенном значении (вертикальная ветвь характеристики), как и в обычном параметрическом стабилизаторе.
        Эффект стабилизации достигается благодаря тому, что в режиме пробоя стабилитрон обладает малым дифференциальным сопротивлением и с коллектора транзистора на его базу осуществляется глубокая отрицательная обратная связь. Поэтому при уменьшении выходного напряжения будет уменьшаться ток через стабилитрон и базу транзистора, что приведет к значительно большему (в h21Э раз) уменьшению коллекторного тока, а значит, к увеличению выходного напряжения. При увеличении же выходного напряжения будет наблюдаться обратный процесс.
        Значение стабилизированного выходного напряжения определяют суммированием напряжения стабилизации стабилитрона с напряжением эмиттерного перехода открытого транзистора (»
0,7 В
для кремниевого транзистора и » 0,3 В для германиевого). Максимальный же ток стабилизации аналога будет практически в h21Э раз превышать такой же параметр используемого стабилитрона. Соответственно во столько же раз будет больше и мощность рассеивания на транзисторе по сравнению с мощностью на стабилитроне.
        Из приведенных соотношений нетрудно сделать вывод, что статический коэффициент передачи мощного транзистора должен быть не менее частного от деления максимального тока потребления нагрузки к максимальному току стабилизации стабилитрона. Максимально допустимый ток коллектора транзистора и напряжение между коллектором и эмиттером должны превышать соответственно заданный ток стабилизации аналога и выходное напряжение.
        При использовании транзистора структуры р-п-р его следует подключать в соответствии с приведенной на
рис. 3
схемой. В этом варианте транзистор можно укрепить непосредственно на шасси питаемой конструкции, а остальные детали аналога смонтировать на выводах транзистора.
        Для снижения пульсаций выходного напряжения и уменьшения дифференциального сопротивления аналога параллельно выводам стабилитрона можно включить оксидный конденсатор емкостью 100…500 мкФ.
        В заключение немного о температурном коэффициенте напряжения (ТКН) аналога. При использовании прецизионных стабилитронов серий Д818, КС191, ТКН аналога будет значительно хуже ТКН стабилитрона. Если применен стабилитрон с напряжением стабилизации более 16 В, ТКН аналога будет примерно равен ТКН стабилитрона, а со стабилитронами Д808 – Д814 ТКН аналога улучшится.

Стабилитрон: принцип работы, маркировка, обозначение, параметры, свойства

Полупроводниковый стабилитрон, или диод Зенера, представляет собой диод особого типа. При прямом включении обычный диод и стабилитрон ведут себя аналогично. Разница между ними проявляется при обратном включении. Обычный диод при подаче обратного напряжения и превышении его номинального значения просто выходит из строя. А  для стабилитрона подключение обратного напряжения и его рост до установленной точки является штатным режимом. При достижении определенной точки обратного напряжения в стабилитроне возникает обратимый пробой. Через устройство начинает течь ток. До наступления пробоя стабилитрон находится в нерабочем состоянии и через него протекает только малый ток утечки.  На электросхемах стабилитрон обозначается как стрелка-указатель, на конце которой имеет черточка, обозначающая запирание. Стрелка указывает направление тока. Буквенное обозначение на схемах – VD.

Содержание статьи

Устройство

Полупроводниковые стабилитроны пришли на смену морально устаревшим стабилитронам тлеющего разряда – ионным газоразрядным электровакуумным приборам. Для изготовления стабилитронов используются кремниевые или германиевые кристаллы (таблетки) с проводимостью n-типа, в которые добавляют примеси сплавным или диффузно-сплавным способом. Для получения электронно-дырочного p-n перехода используются акцепторные примеси, в основном алюминий. Кристаллы заключают в корпуса из полимерных материалов, металла или стекла.

Кремниевые сплавные стабилитроны Д815 (А-И) выпускаются в металлическом герметичном корпусе, который является положительным электродом. Такие элементы имеют широкий интервал рабочих температур – от -60°C до +100°C. Кремниевые сплавные двуханодные стабилизирующие диоды КС175А, КС182А, КС191А, КС210Б, КС213Б выпускают в пластмассовом корпусе. Кремниевые сплавные термокомпенсированные детали КС211 (Б-Д), используемые в качестве источников опорного напряжения, имеют пластмассовый корпус.

SMD стабилитроны, то есть миниатюрные компоненты, предназначенные для поверхностного монтажа, изготавливаются в основном в стеклянных и пластиковых корпусах. Такие элементы могут выпускаться с двумя и тремя выводами. В последнем случае третий вывод является «пустышкой», никакой смысловой нагрузки не несет и предназначается только для надежной фиксации детали на печатной плате.

Принцип действия

Стабилитрон был открыт американским физиком Кларенсом Мелвином Зенером, именем которого его и назвали. Электрический пробой p-n перехода может быть обусловлен туннельным пробоем (в этом случае пробой носит название Зенеровского), лавинным пробоем, пробоем в результате тепловой неустойчивости, который наступает из-за разрушительного саморазогрева токами утечки.

И инженеры конструируют эти элементы таким образом, чтобы возникновение туннельного и/или лавинного пробоя произошло задолго до того, как в них возникнет вероятность теплового пробоя.

Величина напряжения пробоя зависит от концентрации примесей и способа легирования p-n-перехода. Чем больше концентрация примесей и чем выше их градиент в переходе, тем ниже обратное напряжение, при котором образуется пробой.

  • Туннельный (зенеровский) пробой появляется в полупроводнике в тех случаях, когда напряженность электрического поля в p-n зоне равна 106 В/см. Такая высокая напряженность может возникнуть только в высоколегированных диодах. При напряжениях пробоя, находящихся в диапазоне 4,5…6,7 В, сосуществуют туннельный и лавинный эффекты, а вот при напряжении пробоя менее 4,5 В остается только туннельный эффект.
  • В стабилитронах с небольшими уровнями легирования или меньшими градиентами легирующих добавок присутствует только лавинный механизм пробоя, который появляется при напряжении пробоя примерно 4,5 В. А при напряжении выше 7,2 В остается только лавинный эффект, а туннельный полностью исчезает.

Как было сказано ранее, при прямом подключении стабилитрон при прямом включении ведет себя так же, как и обычный диод, – он пропускает ток. Различия между ними возникают при обратном подключении.

Обычный диод при обратном подключении запирает ток, а стабилитрон при достижении обратным напряжением величины, которая называется напряжением стабилизации, начинает пропускать ток в обратном направлении. Это объясняется тем, что при подаче на стабилитрон напряжения, которое превышает U ном. устройства, в полупроводнике возникает процесс, называемый пробоем. Пробой может быть туннельным, лавинным, тепловым. В результате пробоя ток, протекающий через стабилитрон, возрастает до максимального значения, ограниченного резистором. После достижения напряжения пробоя ток остается примерно постоянным в широком диапазоне обратных напряжений. Точка, в которой напряжение запускает ток, может очень точно устанавливаться в процессе производства легированием. Поэтому каждому элементу присваивают определенное напряжение пробоя (стабилизации).

Стабилитрон используется только в режиме «обратного смещения», то есть его анод подключается к «-» источника питания. Способность стабилитрона запускать обратный ток при достижении напряжения пробоя применяется для регулирования и стабилизации напряжения при изменении напряжения питания или подключенной нагрузки. Использование стабилитрона позволяет обеспечить постоянное выходное напряжение для подключенного потребителя при перепадах напряжения ИП или меняющемся токе потребителя.

Вольт-амперная характеристика

ВАХ стабилитрона, как и обычного диода, имеет две ветви – прямую и обратную. Прямая ветвь является рабочим режимом для традиционного диода, а обратная характеризует работу стабилитрона. Стабилитрон называют опорным диодом, а источник напряжения, в схеме которого есть стабилитрон, называют опорным.

На рабочей обратной ветви опорного диода выделяют три основные значения обратного тока:

  • Минимальное. При силе тока, которая меньше минимального значения, стабилитрон остается закрытым.
  • Оптимальное. При изменении тока в широких пределах между точками 1 и 3 значение напряжения меняется несущественно.
  • Максимальное. При подаче тока выше максимальной величины опорный диод перегреется и выйдет из строя. Максимальное значение тока ограничивается максимально допустимой рассеиваемой мощностью, которая очень зависит от внешних температурных условий.

Области применения

Основная область применения этих элементов – стабилизация постоянного напряжения в маломощных ИП или в отдельных узлах, мощность которых не более десятков ватт. С помощью опорных диодов обеспечивают нормальный рабочий режим транзисторов, микросхем, микроконтроллеров.

В стабилизаторах простой конструкции стабилитрон является одновременно источником опорного напряжения и регулятором. В более сложных конструкциях стабилитрон служит только источником опорного напряжения, а для силового регулирования применяется внешний силовой транзистор.

Термокомпенсированные стабилитроны и детали со скрытой структурой востребованы в качестве дискретных и интегральных источников опорного напряжения. Для защиты электрической аппаратуры от перенапряжений разработаны импульсные лавинные стабилитроны. Для защиты входов электрических приборов и затворов полевых транзисторов в схему устанавливают рядовые маломощные стабилитроны. Полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП) изготавливаются с одним кристаллом, на котором расположены: защитный стабилитрон и силовой транзистор.

Основные характеристики

В паспорте стабилизирующего диода указывают следующие параметры:

  • Номинальное напряжение стабилизации Uст. Этот параметр выбирает производитель устройства.
  • Диапазон рабочих токов. Минимальный ток – величина тока, при которой начинается процесс стабилизации. Максимальный ток – значение, выше которого устройство разрушается.
  • Максимальная мощность рассеивания. В маломощных элементах это паспортная величина. В паспортах мощных стабилитронов для расчета условий охлаждения производитель указывает: максимально допустимую температуру полупроводника и коэффициент теплового сопротивления корпуса.

Помимо параметров, указываемых в паспорте, стабилитроны характеризуются и другими величинами, среди которых:

  • Дифференциальное сопротивление. Это свойство определяет нестабильность устройства по напряжению питания и по току нагрузки. Первый недостаток устраняется запитыванием стабилизирующего диода от источника постоянного тока, а второй – включением между стабилитроном и нагрузкой буферного усилителя постоянного тока с эмиттерным повторителем.
  • Температурный коэффициент напряжения. В соответствии со стандартом эта величина равна отношению относительного изменения напряжения стабилизации к абсолютному изменению наружной температуры. В нетермостабилизированных стабилитронах при нагреве от +25°C до +125°C напряжение стабилизации сдвигается на 5-10% от первоначального значения.
  • Дрейф и шум. Эти характеристики для обычных стабилитронов не определяются. Для прецизионных устройств они являются очень важными свойствами. В обычных (непрецизионных) стабилитронах шум создают: большое количество посторонних примесей и дефекты кристаллической решетки в области p-n перехода. Способы снижения шума (если в этом есть необходимость): защитная пассивация оксидом или стеклом (примеси направляются вглубь кристалла) или перемещением вглубь кристалла самого p-n-перехода. Второй способ является более радикальным. Он востребован в диодах с низким уровнем шума со скрытой структурой.

Способы включения – последовательное и параллельное

На детали импортного производства в сопроводительных документах ситуации, при которых возможно последовательное или параллельное соединение, не регламентируются. В документации на отечественные опорные диоды можно встретить два указания:

  • В приборах маленькой и средней мощности можно последовательно или параллельно подсоединять любое количество односерийных стабилитронов.
  • В приборах средней и значительной мощности можно последовательно соединять любое число стабилизирующих диодов единой серии. При параллельном соединении необходимо произвести расчеты. Общая мощность рассеивания всех параллельно подсоединенных стабилитронов не должна быть выше аналогичного показателя одной детали.

Допускается последовательное подключение опорных диодов разных серий в том случае, если рабочие токи созданной цепи не превышают паспортные токи стабилизации для каждой серии, установленной в схеме.

На практике для умножения напряжения стабилизации чаще всего применяют последовательное соединение двух-трех стабилитронов. К этой мере прибегают в том случае, если не удалось достать деталь на нужное напряжение или необходимо создать высоковольтный стабилитрон. При последовательном соединении напряжение отдельных элементов суммируется. В основном этот вид соединения используется при сборке высоковольтных стабилизаторов.

Параллельное соединение деталей служит для того, чтобы повышать ток и мощность. Однако на практике этот вид соединения применяется редко, поскольку различные экземпляры опорных диодов даже одного типа не имеют совершенно одинаковых напряжений стабилизации. Поэтому при параллельном соединении разряд возникнет только в детали с наименьшим напряжением стабилизации, а в остальных пробой не произойдет. Если пробой и возникает, то одни стабилитроны в такой цепи будут работать с недогрузкой, а другие с перегрузкой.

Для стабилизации переменного напряжения стабилитроны соединяются последовательно и встречно. В первый полупериод синусоиды переменного тока один элемент работает как обычный диод, а второй выполняет функции стабилитрона. Во втором полупериоде элементы меняются функциями. Форма выходного напряжения отличается от входного. Ее конфигурация напоминает трапецию. Это связано с тем, что напряжение, превышающее напряжение стабилизации, будет отсекаться и верхушки синусоиды будут срезаны. Последовательное и встречное соединение стабилитронов может применяться в термостабилизированном стабилитроне.

Составные стабилитроны

Составной стабилитрон – устройство, применяемой в ситуациях, когда необходимы токи и мощность большего значения, чем это допускают технические условия. В этом случае между стабилизирующим диодом и нагрузкой подсоединяют буферный усилитель постоянного тока. В схеме коллекторный переход транзистора включен параллельно стабилизирующему диоду, а эммиттерный переход – последовательно.

Схема обычного составного стабилитрона не предназначена для применения на прямом токе. Но добавление диодного моста превращает составной стабилитрон в систему двойного действия, которая может работать и при прямом, и при обратном токе. Такие стабилитроны еще называют двойными или двуханодными. Стабилитроны, которые могут работать с напряжением только одной полярности, называют несимметричными. А составные стабилитроны, дееспособные при любом направлении тока, называют симметричными.

Виды стабилитронов

На современном рынке электроники имеется широкий ассортимент стабилитронов, адаптированных к определенным условиям применения.

Прецизионные

Эти устройства обеспечивают высокую стабильность напряжения на выходе. К ним предъявляются дополнительные требования к временной нестабильности напряжения и температурного коэффициента напряжения. К прецизионным относятся устройства:

  • Термокомпенсированные. В схему термокомпенсированного стабилитрона входят последовательно соединенные: стабилитрон номинальным напряжением 5,6 В (с плюсовым значением температурного коэффициента) и прямоосвещенный диод (с минусовым коэффициентом). При последовательном соединении этих элементов происходит взаимная компенсация температурных коэффициентов. Вместо диода в схеме может использоваться второй стабилитрон, включаемый последовательно и встречно.
  • Со скрытой структурой. Ток пробоя в обычном стабилитроне сосредотачивается в приповерхностном кремниевом слое, где находится максимальное количество посторонних примесей и дефектов кристаллической решетки. Эти несовершенства конструкции провоцируют шум и нестабильную работу. В деталях со скрытой структурой ток пробоя «загоняют» внутрь кристалла путем формирования глубокого островка p-типа проводимости.   

Быстродействующие

Для них характерны: низкое значение барьерной емкости, всего десятки пикофарад, и краткий период переходного процесса (наносекунды). Такие особенности позволяют опорному диоду ограничивать и стабилизировать кратковременные импульсы напряжения.

Стабилизирующие диоды могут быть рассчитаны на напряжение стабилизации от нескольких вольт до нескольких сотен вольт. Высоковольтные стабилитроны устанавливаются на специальные охладители, способные обеспечить нужный теплообмен и уберечь элемент от перегрева и последующего разрушения.

Регулируемые стабилитроны

При изготовлении стабилизированных блоков питания необходимый стабилитрон может отсутствовать. В этом случае собирают схему регулируемого стабилитрона.

Нужное напряжение стабилизирующего диода подбирают при помощи резистора R1. Для настройки схемы на место резистора R1 подключают переменный резистор номиналом 10 кОм. После получения нужного значения напряжения определяют полученное сопротивление и устанавливают на постоянное место резистор нужного номинала. Для этой схемы можно применить транзисторы КТ342А, КТ3102А.

Способы маркировки

На корпусе детали имеется буквенная или буквенно-цифровая маркировка, которая характеризует электрические свойства и назначение устройства. Различают два типа маркировки. Детали в стеклянном корпусе маркируются привычным образом. На поверхности элемента пишут напряжение стабилизации с использованием буквы V, которая выполняет функцию десятичной запятой. Маркировка из четырех цифр и буквы в конце менее понятна. Расшифровать ее можно только с помощью даташита.

Еще один способ обозначения стабилизирующих диодов – цветовая маркировка. Часто применяется японский вариант, который представляет собой два или три цветных кольца. При наличии двух колец, каждое из них обозначает определенную цифру. Если второе кольцо нанесено в удвоенном варианте, то это означает, что между первой и второй цифрой надо поставить запятую.

Как отличить стабилитрон от обычного диода

Оба эти элемента имеют схожее обозначение на схеме. На практике отличить стабилитрон от обычного диода  и даже узнать его номинал, если оно не более 35 В, можно с помощью приставки к мультиметру.

Схема приставки к мультиметру

Для выполнения генератора с широтно-импульсной модуляцией используется специализированная микросхема MC34063. Чтобы обеспечить гальваническую развязку между ИП и измерительной частью схемы напряжение контролируют на первичной обмотке трансформатора. Это позволяет сделать выпрямитель на VD2. Точка стабилизации выходного напряжения устанавливается с помощью резистора R3. Напряжение на конденсаторе С4 – примерно 40 В. Стабилизатор тока А2 и проверяемый опорный диод составляют параметрический стабилизатор, а мультиметр, подключенный к выводам схемы, позволяет определить напряжение стабилитрона.

Если диод подключить в обратной полярности (анод к «-», а катод к «+»), то мультиметр для обычного диода покажет 40 В, а для стабилитрона – напряжение стабилизации.

Для определения работоспособности стабилитрона с известным номиналом используют простую схему, состоящую из источника питания и токоограничительного резистора на 300…500 Ом. В этом случае с помощью мультиметра определяют не сопротивление перехода, а напряжение. Включают элементы, как показано на схеме, и меряют напряжение на стабилитроне.

Медленно поднимают напряжение блока питания. На значении напряжения стабилизации напряжение на стабилитроне должно прекратить свой рост. Если это произошло, значит, элемент исправен. Если при последующем увеличении напряжения ИП диод не начинает стабилизировать, значит, он не исправен.

Как правильно подобрать стабилитрон?

Стабилитроны относятся к стабилизаторам небольшой мощности. Поэтому их необходимо подбирать так, чтобы через них без перегрева мог проходить весь ток нагрузки плюс минимальный ток стабилизации.

Для правильного выбора стабилитрона для электрической схемы необходимо знать следующие параметры: минимальное и максимальное входное напряжение, напряжение на выходе, минимальный и максимальный ток нагрузки. Напряжение стабилизации стабилитрона равно выходному напряжению. А рассчитать максимальный ток, который может пройти через стабилитрон в конкретной схеме, и мощность рассеивания при максимальном токе, лучше всего с помощью онлайн-калькулятора. 

Содержание драгоценных металлов в стабилитронах

В стабилитронах, как и в других полупроводниках – обычных диодах, тиристорах, варикапах, из драгоценных металлов содержится, в основном, серебро, в некоторых – золото. Конкретное количество указывается в специальных таблицах. Содержание палладия и платины, даже если они и присутствуют в полупроводниках, обычно не указывается, поскольку их концентрация ничтожно мала.



Была ли статья полезна?

Да

Нет

Оцените статью

Что вам не понравилось?


Анатолий Мельник

Специалист в области радиоэлектроники и электронных компонентов. Консультант по подбору деталей в компании РадиоЭлемент.


Импортные стабилитроны

Стабилитрон 4.3V 0.5W BZX55C 4V3, BZX79 C4V3
Стабилитрон 4.3V 1.3W 1N4731A, BZV85C-4V3
Стабилитрон 4.7V 0.5W BZX55C 4V7, BZX79 C4V7
Стабилитрон 4.7V 1.3W 1N4732A, BZV85C-4V7
Стабилитрон 5.1V 0.5W BZX55C 5V1, BZX79 C5V1
Стабилитрон 5.1V 1.3W 1N4733A, BZV85C-5V1
Стабилитрон 5.6V 0.5W BZX55C 5V6, BZX79 C5V6
Стабилитрон 5.6V 1.3W 1N4734A, BZV85C-5V6
Стабилитрон 6.2V 0.5W BZX55C 6V2, BZX79 C6V2
Стабилитрон 6.2V 1.3W 1N4735A, BZV85C-6V2
Стабилитрон 6.8V 0.5W BZX55C 6V8, BZX79 C6V8
Стабилитрон 6.8V 1.3W 1N4736A, BZV85C-6V8
Стабилитрон 7.5V 0.5W BZX55C 7V5, BZX79 C7V5
Стабилитрон 7.5V 1.3W 1N4737A, BZV85C-7V5
Стабилитрон 8.2V 0.5W BZX55C 8V2, BZX79 C8V2
Стабилитрон 8.2V 1.3W 1N4738A, BZV85C-8V2
Стабилитрон 9.1V 0.5W BZX55C 9V1, BZX79 C9V1
Стабилитрон 9.1V 1.3W 1N4739A, BZV85C-9V1
Стабилитрон 10V 0.5W BZX55C,79 10V, 1N5240, 1N758
Стабилитрон 10V 1.3W 1N4740A, BZV85C-10V
Стабилитрон 11V 0.5W BZX55C 11V, BZX79 C11V
Стабилитрон 12V 0.5W BZX55C 12V, BZX79 C12V
Стабилитрон 12V 1.3W 1N4742A, BZV85C-12V
Стабилитрон 13V 0. 5W BZX55C 13V, BZX79 C13V
Стабилитрон 13V 1.3W 1N4743A, BZV85C-13V
Стабилитрон 15V 0.5W BZX55C 15V, BZX79 C15V
Стабилитрон 15V 1.3W 1N4744A, BZV85C-15V
Стабилитрон 18V 0.5W BZX55C 18V, BZX79 C18V
Стабилитрон 18V 1.3W 1N4746A, BZV85C-18V
Стабилитрон 20V 0.5W BZX55C 20V, BZX79 C20V
Стабилитрон 20V 1.3W 1N4747A, BZV85C-20V
Стабилитрон 22V 0.5W BZX55C 22V, BZX79 C22V
Стабилитрон 22V 1.3W 1N4748A, BZV85C-22V
Стабилитрон 24V 0.5W BZX55C 24V, BZX79 C24V
Стабилитрон 24V 1.3W 1N4749A, BZV85C-24V
Стабилитрон 27V 0.5W BZX55C 27V, BZX79 C27V
Стабилитрон 27V 1.3W 1N4750A, BZV85C-27V
Стабилитрон 30V 0.5W BZX55C 30V, BZX79 C30V
Стабилитрон 30V 1.3W 1N4751A, BZV85C-30V
Стабилитрон 33V 0.5W BZX55C 33V, BZX79 C33V
Стабилитрон 33V 1.3W 1N4752A, BZV85C-33V
Стабилитрон 36V 0.5W BZX55C 36V, BZX79 C36V
Стабилитрон 36V 1.3W 1N4753A, BZV85C-36V
Стабилитрон 39V 1.3W 1N4754A, BZV85C-39V
Стабилитрон 43V 1.3W 1N4755A, BZV85C-43V
Стабилитрон 47V 0.5W BZX55C 47V, BZX79 C47V
Стабилитрон 47V 1.3W 1N4756A, BZV85C-47V
Стабилитрон 51V 1.3W 1N4757A, BZV85C-51V
Стабилитрон 56V 1.3W 1N4758A, BZV85C-56V
Стабилитрон 75V 1. 3W 1N4761A, BZV85C-75V
Стабилитрон 82V 1.3W 1N4762A, BZV85C-82V
Стабилитрон 91V 1.3W 1N4763A, BZV85C-91V
Стабилитрон 100V 0.5W BZX55C 100V, BZX79 C100V
Стабилитрон R2K 150v do-201
Стабилитрон R2KN Vz=150-170 V
Стабилитрон R2KY Vz=130-155 V
Стабилитрон R2M Vz=135-180 V
Стабилитрон RM25 (MA2560) 56V

Каталог продукции – Полупроводниковые приборы, микросхемы, радиолампы – Стабилитроны, супрессоры – Стабилитроны

Напряжение стабилизации номинальное, В (Vz)

 1  1,3  2,4  2,7  3  3,3  3,6  3,9  4,3  4,7  5,1  5,6  6,2  6,8  7  7,5  8  8,2  8,3  8,5  8,6  8,7  9  9,1  9,5  10  11  12  12,6  13  15  16  18  20  22  24  27  30  33  36  39  43  47  51  56  62  68  75  82  91  100  120  133  147  150  180

Мощность, Вт

 0,125  0,15  0,2  0,25  0,3  0,34  0,375  0,4  0,45  0,5  0,7  1  1,3  2  5  8

Стабилитроны, стабисторы, импульсные ограничительные TVS-диоды

Полупроводниковый стабилитрон представляет собой особый вид диодов, функционирующий в режиме устойчивого пробоя в условиях обратного смещения p-n перехода.
До момента наступления этого пробоя, через стабилитрон протекает лишь малый ток утечки.
При увеличении напряжения и наступлении пробоя, ток мгновенно вырастает в силу уменьшения дифференциального сопротивление стабилитрона до величин, составляющих единицы Ом.
Таким образом, напряжение на стабилитроне весьма точно поддерживается в определённом, достаточно широком диапазоне обратных токов.

Стабистор — полупроводниковый диод, в котором для стабилизации напряжения используется прямая ветвь вольт-амперной характеристики (то есть в области прямого смещения напряжение на стабисторе).
Отличительной особенностью стабисторов по сравнению со стабилитронами является меньшее напряжение стабилизации, которое составляет величину, примерно равную 0,7 В.
Последовательное соединение двух или трёх стабисторов даёт возможность получить удвоенное или утроенное значение напряжения стабилизации. Некоторые типы стабисторов представляют собой единый набор с последовательным соединением отдельных элементов.
Стабисторам присущ отрицательный температурный коэффициент сопротивления, то есть напряжение на стабисторе при неизменном токе уменьшается с увеличением температуры. В связи с этим стабисторы часто используют для температурной компенсации стабилитронов, обладающих положительным температурным коэффициентом изменения напряжения стабилизации.

TVS-диоды — полупроводниковые приборы, выполняющие защитные функции ограничителя высоких напряжений, поступающих на вход устройства.
TVS-диоды разработаны и предназначены для защиты от мощных импульсов перенапряжения, в то время как кремниевые стабилитроны предназначены для поддержания величины постоянного напряжения и не рассчитаны на работу при значительных импульсных нагрузках.

Условные обозначения электрических параметров, характеризующих свойства
стабилитронов, стабисторов, импульсных TVS-диодов:

Uст/Iст напряжение стабилизации (Uст) стабилитрона при заданном прямом токе (Iст) через него.
Iс1/Iс2 минимальный и максимальный токи стабилизации.
Rст/Iст динамическое сопротивление (Rст) стабилитрона при заданном прямом токе (Iст) через него (разные столбцы при разных токах).
максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на диоде.
ТКU температурный коэффициент изменения напряжения стабилизации стабилитрона.
dUст разброс номинального напряжения стабилизации (приводится максимальное отклонение в процентах или в вольтах).
Диод Uст/Iст
  В/мА
Ic1-Ic2
 мА-мА
Rст/Iст
 Ом/мА
Rст/Iст
 Ом/мА
 Pм
 Вт
 TKU(мВ/C)
 1/10000*C
dUст
%(В)
Кор-
пус
2С401А
2С401БС
6.8/10
7.5/10
 -139А*
 -128А*
      1
  1
  (0.7)
(0.7)
  5
  5
2С402А
2С402Б
2С402В
2С402Г
5.6/500
6.8/500
8.2/500
 10/250
  1-890
  1-730
  1-600
 25-500
 20/50
 15/50
  8/50
 15/25
0. 6/500
0.8/500
  1/500
2.2/250
  5
  5
  5
  5
(0.6)
(0.7)
(0.8)
(1.0)
 29
 29
 29
 29
КС405А
КС405Б
6.2/
6.2/0.5
0.5-60
0.1-60
 –
200/0.5
 – 0.4
0.4

-0.2; +0.5
 –
(0.3)
 77
 77
КС406А
КС406Б
8.2/15
 10/12.5
0.5-35
0.25-28
6.5/15
8.5/12.5
 – 0.5
0.5
(0.5)
(0.6)
 77
 77
КС407А
КС407Б
КС407В
КС407Г
КС407Д
КС407Е
3.3/20
3.9/20
4.7/20
5.1/20
6.8/18.5
3.6/
  1-100
  1-83
  1-68
  1-59
  1-42
  1-90
 28/20
 23/20
 19/20
 17/20
4.5/18.5
 28/20
 – 0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
(0.2)
(0.2)
(0.3)
(0.3)
(0.4)
 –
 77
 77
 77
 77
 77
 77
КС408А 6.2/1  150 A  –  –   1  –   5
КС409А 5. 6/5   1-48  50/1  20/5 0.4 (0.3)  77
КС410АС 8.2/  124 А  –  –   1  –  –
2С411А
2С411Б
7.7/5
8.7/5
  3-40
  3-36
 12/1
 18/1
  6/5
 10/5
0.34
0.34
7
8
(0.7)
(0.7)
 53
 53
КС412А 6.2/   5-55  –  – 0.4  –  77
КС413Б 4.3/  20-70  –  – 0.34  –  77
2С414А 3.5-4.3  200 А  –  –   1  –  99
КС415А 2. 4/   3-100  –  – 0.34  –   1
2С416А 7.2-8.0  100 А  –  –   1  –  99
КС417А
КС417Б
КС417В
КС417Г
КС417Д
КС417Е
КС417Ж
5.6/
6.2/
6.8/
7.5/
8.2/
9.1/
 10/
   -70
   -64
   -58
   -53
   -47
   -43
   -40
 40/5
 10/5
  8/5
  7/5
  7/5
 10/5
 15/5
 – 0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
-3.0;+3.0
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
(0.4)
(0.4)
(0.4)
(.45)
(0.5)
(.55)
(0.6)
 77
 77
 77
 77
 77
 77
 77
КС433А
КС433А1
3.3/30
3.3/30
  3-191
  3-191
180/3
180/3
 25/30
 25/30
  1
  1
-10
-10; 0
 10
 10
 75
 90
КС439А
КС439А1
3.9/30
3.9/30
  3-176
  3-176
180/3
180/3
 25/30
 25/30
  1
  1
-10
-10; 0
 10
 10
 75
 90
КС447А
КС447А1
4. 7/30
4.7/30
  3-159
  3-159
180/3
180/3
 18/30
 18/30
  1
  1
-8.3
-8.3
 10
 10
 75
 90
КС451А 5.1/30   3-148  –  –   1 –    5  90
КС456А
КС456А1
5.6/30
5.6/30
  3-139
  3-139
145/3
145/3
 10/30
 10/30
  1
  1
5
0; 5
 10
 10
 75
 90
КС468А
КС468А1
6.8/30
6.8/30
  3-119
  3-119
 70/3
 70/3
  5/30
3.5/30
  1
  1
6.5
0; 6.5
 10
 10
 75
 90
КС482А
КС482А1
8.2/5
8.2/5
  1-96
  1-96
200/1
200/1
 25/5
 25/5
  1
  1
8
8
 10
 10
 75
 90
2С483А
2С483Б
2С483В
2С483Г
2С483Д
7. 5/1
7.5/1
7.5/1
7.5/1
7.5/1
0.5-10
0.5-10
0.5-10
0.5-10
0.5-10
    2/
  2/
  2/
  2/
  2/
       84
 84
 84
 84
 84
2С501А
2С501АС
2С501Б
2С501БС
 15/1
 15/1
 30/1
 30/1
 -68 А*
 -68 А*
 -13 А*
 -35 А*
      1
  1
  1
  1
  (1.5)
(1.5)
(3.0)
(3.0)
  5
  5
  5
  5
2С502А
2С502Б
2С502В
2С502Г
2С502Д
2С502Е
2С502Ж
2С502И
2С502К
2С502Л
2С502М
2С502Н
 12/250
14.8/250
 18/250
 22/75
 27/75
   /75
 39/75
 47/75
 56/25
 68/25
 82/25
100/25
 25-410
 25-330
 25-270
 10-160
 10-130
 10-100
 10-90
 10-75
  5-60
  5-50
  5-40
  5-35
 20/25
 25/25
 30/25
120/10
150/10
150/10
150/10
150/10
200/5
200/5
300/5
300/5
2.6/250
3.2/250
4.5/250
 10/75
 12/75
 15/75
 18/75
 25/75
 50/25
 70/25
 80/25
 90/25
  5
  5
  5
  5
  5
  5
  5
  5
  5
  5
  5
  5
  (1. 2)
(1.5)
(1.8)
(2.3)
(2.7)
 –
(4.0)
(4.5)
(5.5)
(7.0)
(8.0)
(10 )
 29
 29
 29
 29
 29
 29
 29
 29
 29
 29
 29
 29
2С503АС
2С503БС
2С503ВС
 12/1
 33/1
 39/1
 -87 А*
 -32 А*
 -27 А*
      1
  1
  1
  (1.2)
(3.3)
(3.9)
  5
  5
  5
КС504А  18-28/    -6 А*            
КС506А  44/2.7 0.25-6.5 105/2.7  – 0.5 25  –  77
КС507А  31/8 0.25-20 1000/0.2  35/8 0.5 20  10  –
КС508А
КС508Б
КС508В
КС508Г
КС508Д
 12/10.5
 15/8.5
 16/7.8
 18/7.0
 24/5.2
0.25-23
0.25-18
0.25-17
0.25-15
0.25-11
11. 5/10
 16/8.5
 17/7.8
 21/7.0
 33/5.2
  0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
  (0.7)
 –
 –
 –
 –
 77
 77
 77
 77
 77
КС509А
КС509Б
КС509В
14.7/15
 18/15
 20/10
0.5-42
0.5-35
0.5-31
500/0.5
500/0.5
600/0.5
 15/15
 20/15
 24/10
1.3
1.3
1.3
5-9
6-9
6-9
(0.9)
(1.1)
(1.2)
 90
 90
 90
КС510А
КС510А1
 10/5
 10/5
  1-79
  1-79
200/1
200/1
 25/5
 25/5
  1
  1
10
10
 10
  5
 75
 90
КС511А
КС511Б
КС511В
КС511Г
 15-20
 71-103
 21-31
 20-31
 71 А
 14.6 А
 49 А
 49 А
    1.5
1.5
1.5
1.5
     52
 52
 52
 52
КС512А
КС512А1
 12/5
 12/5
  1-67
  1-67
200/1
200/1
 25/5
 25/5
  1
  1
10
10
 10
 10
 75
 90
КС513А  31/15 0. 25-65 1к/0.25  45/15 2.35 8.5  10  –
2С514А
2С514А1
2С514Б
2С514Б1
2С514В
2С514В1
 59-65
 56-68
 65-71
 61-75
 78-86
 74-90
 18 А
 17 А
 16 А
  3 А
 13 А
 13 А
      1
  1
  1
  1
  1
  1
     99
 99
 99
 99
 99
 99
КС515А
КС515А1
КС515Г
КС515Г2
 15/5
 15/5
 15/10
 15/10
  1-53
  1-53
  3-31
  3-31
200/1
200/1
180/3
180/3
 25/5
 25/5
 25/10
 25/10
  1
  1
0.5
0.5
10
10
0.5
0.5
 10
 10
  5
  5
 75
 90
 88
 93
2С516А
2С516Б
2С516В
9.7/
 11/
12.7/
  3-32
  3-29
  3-24
 25/1
 30/1
 30/1
 12/5
 15/5
 15/5
0.34
0.34
0.34
9
9.5
9.5
(0.7)
(1.0)
(1.2)
 53
 53
 53
2С517А
2С517А1
2С517Б
2С517Б1
2С517В
2С517В1
2С517Г
2С517Г1
 14-16
 13-16
 21-23
 20-24
 37-41
 35-43
 71-79
 67-82
 71 А
 68 А
 49 А
 47 А
 28 А
 26 А
 15 А
 14 А
    1. 5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
     99
 99
 99
 99
 99
 99
 99
 99
КС518А
КС518А1
 18/5
 18/5
  1-45
  1-45
200/1
200/1
 25/5
 25/5
  1
  1
10
10
 10
 10
 75
 90
КС520В
КС520В2
 20/5
 20/5
  3-22
  3-22
210/3
210/3
120/5
120/5
0.5
0.5
1
1
  5
  5
 88
 96
2С521А  11-12  88 А  –  –   1  –  99
КС522А
КС522А1
 22/5
 22/5
  1-37
  1-37
200/1
200/1
 25/5
 25/5
  1
  1
10
10
 10
 10
 75
 90
2С523А  30/2 0.5-10  –  80/2 0. 3 11  –  –
2С524А
КС524Г
КС524Г2
 24/5
 24/10
 24/10
  1-33
  3-19
  3-19
200/1
280/3
280/3
 40/5
 40/10
 40/10
  1
0.5
0.5
10
0.5
-0.5;+0.5
  5
  5
  5
 75
 88
 96
2С526А
2С526Б
2С526В
2С526Г
2С526Д
 13-16
 37-33
 30-37
 32-40
 35-43
 68 А
 34 А
 31 А
 29 А
 26 А
      1
  1
  1
  1
  1
      5
  5
  5
  5
  5
КС527А
КС527А1
 27/5
 27/5
  1-30
  1-30
200/1
200/1
 40/5
 40/5
  1
  1
10
10
 10
 10
 75
 90
КС528А
КС528Б
КС528В
КС528Г
КС528Д
КС528Е
КС528Ж
КС528И
КС528К
КС528Л
КС528М
КС528Н
КС528П
КС528Р
КС528С
КС528Т
КС528У
КС528Ф
КС528Х
КС528Ц
 11.0/
 12.0/
 13.2/
 14.7/
 16.2/
 17.9/
 20.0/
 22.0/
 24.2/
 27. 0/
 30.0/
 32.5/
 36.0/
 39.0/
 43.0/
 47.0/
 51.0/
 56.0/
 62.0/
 68.0/
   -36
   -31
   -29
   -27
   -24
   -21
   -20
   -18
   -16
   -14
   -13
   -12
   -11
   -10
   -9.2
   -8.5
   -8.2
   -7.5
   -7.2
   -6.5
 20/5
 20/5
 25/5
 30/5
 40/5
 55/5
 55/5
 60/5
 80/5
 80/5
120/2.5
120/2.5
120/2.5
120/2.5
120/2.5
120/2.5
120/2.5
140/2.5
140/2.5
180/2.0
  0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
7.0
7.0
7.5
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
9.5
9.5
9.5
9.5
9.5
9.5
9.5
9.5
9.5
9.5
9.5
9.5
(0.6)
(0.6)
(0.7)
(0.8)
(0.9)
(1.1)
(1.2)
(1.2)
(1.4)
(1.9)
(1.5)
(2.1)
(1.8)
(2.0)
(2.1)
(2.3)
(2.5)
(2.8)
(3.2)
(3.4)
 77
 77
 77
 77
 77
 77
 77
 77
 77
 77
 77
 77
 77
 77
 77
 77
 77
 77
 77
 77
2С530А
КС530А1
 30/5
 30/5
  1-27
  1-27
200/1
200/1
 45/5
 45/5
  1
  1
10
10
  5
  5
 75
 90
КС531В
КС531В2
 31/10
 31/10
  3-15
  3-15
350/3
350/3
 50/10
 50/10
0. 5
0.5
0.5
-0.5;+0.5
  5
  5
 88
 96
КС533А  33/10   3-17 100/3  40/10 0.64 10  10  76
2С536А  36/5   1-23 240/1  50/5   1 10   5  75
КС539Г
КС539Г2
 39/10
 39/10
  3-17
  3-17
420/3
420/3
 65/10
 65/10
0.72
0.72
0.5
0.5
  5
  5
 89
 96
КС547В
КС547В2
 47/5
 47/5
  3-10
  3-10
490/3
490/3
280/5
280/5
0.5
0.5
1
-1; +1
  5
  5
 88
 96
2С551А
КС551А1
 51/1.5
 51/1.5
  1-14.6
  1-14.6
300/1
300/1
200/1.5
200/1.5
  1
  1
12
12
 (3)
 (3)
 75
 90
КС568В
КС568В2
 68/5
 68/5
  3-10
  3-10
700/3
700/3
400/5
400/5
0. 72
0.72
1
-1; +1
  5
  5
 89
 96
КС582А
КС582Г
КС582Г2
 82/1.5
 82/5
 82/5
  1-9.8
  3-8
  3-8
 –
840/3
840/3
400/1.5
480/5
480/5
  1
0.72
0.72
12
1
-1; +1
  –
  5
  5
 –
 89
 96
2С591А
2С591А1
 91/1.5
 91/1.5
  1-8.8
  1-8.8
600/1
600/1
400/1.5
400/1.5
  1
  1
12
12
 (5)
 (5)
 75
КС596В
КС596В2
 96/5
 96/5
  3-7
  3-7
980/3
980/3
560/5
560/5
0.72
0.72
1
-1; +1
  5
  5
 89
 96
2С600А
КС600А1
100/1.5
100/1.5
  1-8.1
  1-8.1
700/1
700/1
450/1.5
450/1.5
  1
  1
12
12
 (5)
 (5)
 75
 90
2С602А
2С602А1
105-116
 99-121
 9. 9 А
 9.5 А
    1.5
1.5
     99
 99
2С603А
2С603А1
2С603Б
2С603Б1
143-158
135-165
190-210
180-220
 7.2 А
 7.0 А
 5.5 А
 5.2 А
    1.5
1.5
1.5
1.5
     99
 99
 99
 99
2С604А
2С604А1
2С604Б
2С604Б1
105-116
 99-121
190-210
180-220
 9.9 А
 9.5 А
 5.5 А
 5.2 А
    1.5
1.5
1.5
1.5
     99
 99
 99
 99
КС620А 120/50   5-42 1000/5 150/50   5 20  15  85
КС630А 130/50   5-38 1500/5 180/50   5 20  15  85
КС650А 150/30 2. 5-33 2200/ 270/30   5 20  15  85
КС680А 180/30 2.5-28 2700/ 330/30   5 20  15  85
2С801А  30-36  104 А      10       8
2С802А
2С802А1
2С802Б
2С802Б1
 15-17
 14-18
 34-38
 32-40
222 А
212 А
100 А
 96 А
     10
 10
 10
 10
      8
  8
  8
  8
2С803А
2С803А1
2С803Б
2С803Б1
 65-71
 61-75
 78-86
 74-90
 54 А
 51 А
 44 А
 42 А
     10
 10
 10
 10
      8
  8
  8
  8
2С901А
2С901А1
2С901Б
2С901Б1
105-116
 99-121
190-210
180-220
 32 А
 31 А
 18 А
 17 А
     10
 10
 10
 10
      8
  8
  8
  8
2С920А 120/50   5-42 500/5 100/50   5 16  10  85
2С930А 130/50   5-38 800/5 120/50   5 16  10  85
2С950А 150/25 2. 5-33 1200/ 170/25   5 16  10  85
2С980А 180/25 2.5-28 1500/ 220/25   5 16  10  85

  КС415

  2С401, КС408, 2С501, 2С503,
  2С526

  2С802, 2С803, 2С901

  2С402, 2С502

  КС511

  2С516

  КС433А, КС439А, КС447А,
  КС456А, КС468А, КС482А,
  КС512А, КС515А, КС522А,
  2С524А, КС527А, 2С530А,
  2С536А, 2С551А, 2С591А,
  2С600А

  КС533

  КС405, КС406, КС407,
  КС409, КС412, КС413,
  КС417, КС506, КС508,
  КС528

  2С483

  КС620, КС630, КС650, КС680,
  2С920, 2С930, 2С950, 2С980

  КС520В, КС524Г, КС531В,
  КС547В

  КС539Г, КС582Г, КС596В

  КС433А1, КС439А1, КС447А1,
  КС451, КС456А1, КС468А1,
  КС482А1, КС509, КС510А1,
  КС512А1, КС515А1, КС518А1,
  КС522А1, КС527А1, КС530А1,
  КС551А1, КС600А1

  КС515Г2

  КС520В2, КС531В2, КС539Г2,
  КС547В2, КС568В2, КС582Г2,
  КС596В2

  2С414, 2С416, 2С514, 2С517,
  2С604

 

Глава 21.

Стабилитроны . Введение в электронику

ЦЕЛИ

После изучения этой главы студент должен быть в состоянии:

• Описать назначение и характеристики стабилитрона.

• Нарисовать схематическое обозначение стабилитрона и пометить его выводы.

• Объяснить, как работает стабилитрон в качестве регулятора напряжения.

• Описать процедуру проверки стабилитронов.

Стабилитроны очень похожи на диоды с р-n переходом. Они сконструированы для пропускания, главным образом, обратного тока. Стабилитроны широко применяются для управления напряжением в цепях любого типа.

21-1. ХАРАКТЕРИСТИКИ СТАБИЛИТРОНОВ

Как установлено ранее, высокое напряжение обратного смещения, приложенное к диоду, может создать сильный обратный ток, который перегреет диод и приведет к пробою диода. Обратное напряжение, при котором наступает пробой, называется напряжением пробоя или максимальным обратным напряжением. Специальный диод, который называется стабилитроном, предназначен для работы в режиме обратного смещения. Он рассчитан для работы при напряжениях, превышающих напряжение пробоя. Эта область пробоя называется областью стабилизации.

Когда напряжение обратного смещения достаточно велико для того, чтобы вызвать пробой стабилитрона, через него течет высокий обратный ток (IZ), до наступления пробоя обратный ток невелик. После наступления пробоя обратный ток резко возрастает. Эго происходит потому, что сопротивление стабилитрона уменьшается при увеличении обратного напряжения.

Напряжение пробоя стабилитрона (Ez) определяется удельным сопротивлением диода. Оно, в свою очередь, зависит от техники легирования, использованной при изготовлении диода. Паспортное напряжение пробоя — это обратное напряжение при токе стабилизации (IZT). Ток стабилизации несколько меньше максимального обратного тока диода. Напряжение пробоя обычно указывается с точностью от 1 до 20 %.

Способность стабилитрона рассеивать мощность уменьшается при увеличении температуры. Следовательно, рассеиваемая стабилитроном мощность указывается для определенной температуры. Величина рассеиваемой мощности также зависит от длины выводов: чем короче выводы, тем большая мощность рассеивается на диоде. Производитель указывает также коэффициент отклонения для того, чтобы определить рассеиваемую мощность при других температурах. Например, коэффициент отклонения 6 милливатт на градус Цельсия означает, что рассеиваемая диодом мощность уменьшается на 6 милливатт при повышении температуры на один градус.

Стабилитроны выпускаются в таких же корпусах, что и обычные диоды (рис. 21-1).

Рис. 21-1. Корпуса стабилитронов.

Маломощные стабилитроны выпускаются в корпусах из стекла или эпоксидной смолы. Мощные стабилитроны выпускаются в металлическом корпусе с винтом. Схематическое обозначение стабилитрона такое же, как и у диода, за исключением диагональных линий у черты катода (рис. 21-2).

Рис. 21-2. Схематическое обозначение стабилитрона.

21-1. Вопросы

1. Какова уникальная особенность стабилитрона?

2. Как стабилитрон включается в цепь?

3. Что определяет напряжение, при котором стабилитрон испытывает пробой?

4. Что надо учитывать при определении мощности, рассеиваемой стабилитроном?

5. Нарисуйте схематическое обозначение стабилитрона и пометьте его выводы.

21-2. ПАРАМЕТРЫ СТАБИЛИТРОНА

Максимальный ток стабилизации (IZM) — это максимальный обратный ток, который может течь через стабилитрон без превышения рассеиваемой мощности указанной производителем. Обратный ток (IR) представляет собой ток утечки перед началом пробоя. Он указывается при некотором обратном напряжении (ER). Обратное напряжение составляет примерно 80 % от напряжения стабилизации (EZ).

Стабилитроны с напряжением стабилизации 5 вольт или более имеют положительный температурный коэффициент напряжения стабилизации, который означает, что напряжение стабилизации увеличивается при увеличении температуры. Стабилитроны, имеющие напряжение стабилизации менее 4 вольт, имеют отрицательный температурный коэффициент напряжения стабилизации, который означает, что напряжение стабилизации уменьшается при увеличении температуры. Стабилитроны, имеющие напряжение стабилизации между 4 и 5 вольтами, могут иметь как положительный, так и отрицательный температурный коэффициент напряжения стабилизации.

Температурно компенсированный стабилитрон образован последовательным соединением стабилитрона и обычного диода, причем диод смещен в прямом направлении, а стабилитрон — в обратном. Тщательно выбирая диоды, можно добиться равенства температурных коэффициентов по величине, по знаку они будут противоположны. Для полной компенсации может понадобиться более одного диода.

21-2. Вопросы

1. Что определяет максимальный ток стабилизации стабилитрона?

2. В чем разница между максимальным током стабилизации и обратным током стабилитрона?

3. Что означает положительный температурный коэффициент напряжения стабилизации?

4. Что означает отрицательный температурный коэффициент напряжения стабилизации?

5. Как можно температурно скомпенсировать стабилитрон?

21-3. РЕГУЛИРОВКА НАПРЯЖЕНИЯ С ПОМОЩЬЮ СТАБИЛИТРОНОВ

Стабилитрон можно использовать для стабилизации или регулировки напряжения. Например, он может быть использован для компенсации изменений напряжения линии питания или при изменении резистивной нагрузки, питаемой постоянным током.

На рис. 21-3 показана типичная регулирующая цепь со стабилитроном.

Рис. 21-3. Типичная регулирующая цепь со стабилитроном.

Стабилитрон соединен последовательно с резистором Rs. Резистор позволяет протекать через стабилитрон такому току, чтобы он работал в режиме пробоя (стабилизации). Входное постоянное напряжение должно быть выше, чем напряжение стабилизации стабилитрона.

Падение напряжения на стабилитроне равно напряжению стабилизации стабилитрона. Стабилитроны выпускают с определенным напряжением пробоя, которое часто называют напряжением стабилизации (VZ). Падение напряжения на резисторе равно разности входного напряжения и напряжения стабилизации.

Входное напряжение может увеличиваться или уменьшаться. Это обусловливает соответствующее увеличение или уменьшение тока через стабилитрон. Когда стабилитрон работает при напряжении стабилизации, или в области пробоя, при увеличении входного напряжения через него может течь большой ток. Однако напряжение на стабилитроне останется таким же. Стабилитрон оказывает противодействие увеличению входного напряжения, так как при увеличении тока его удельное сопротивление падает. Это позволяет выходному напряжению на стабилитроне оставаться постоянным при изменениях входного напряжения. Изменение входного напряжения проявляется только в изменении падения напряжения на последовательно включенном резисторе. Этот резистор включен последовательно со стабилитроном, и сумма падений напряжения на них должна равняться входному напряжению. Выходное напряжение снимается со стабилитрона. Выходное напряжение может быть увеличено или уменьшено путем замены стабилитрона и включенного последовательно с ним резистора.

Описанная цепь выдает постоянное напряжение. При расчете цепи должны учитываться как ток, так и напряжение. Внешняя нагрузка потребляет ток нагрузки (IL), который определяется сопротивлением нагрузки и выходным напряжением (рис. 21-4). Через резистор, включенный последовательно со стабилитроном, протекает и ток нагрузки, и ток стабилизации. Этот резистор должен быть выбран таким образом, чтобы через стабилитрон протекал ток стабилизации и он находился в области пробоя.

Рис. 21-4. Регулятор напряжения на основе стабилитрона с нагрузкой.

При увеличении резистивной нагрузки ток нагрузки уменьшается, что должно вызвать увеличение падения напряжения на нагрузке. Но стабилитрон препятствует любому изменению тока. Сумма тока стабилизации и тока нагрузки через последовательно включенный резистор остается постоянной. Это обеспечивает постоянство падения напряжения на последовательно включенном резисторе.

Аналогично, когда ток через нагрузку увеличивается, ток стабилизации уменьшается, обеспечивая постоянство напряжения. Это позволяет цепи оставлять постоянным выходное напряжение при изменениях входного.

21-3. Вопросы

1. В чем практическое назначение стабилитрона?

2. Нарисуйте схему регулирующей цепи со стабилитроном.

3. Как можно изменить выходное напряжение регулирующей цепи со стабилитроном?

4. Что должно учитываться при расчете регулирующей цепи со стабилитроном?

5. Опишите, как регулирующая цепь со стабилитроном поддерживает выходное напряжение постоянным.

21-4. ПРОВЕРКА СТАБИЛИТРОНОВ

Стабилитроны могут быть быстро проверены на разрыв цепи, короткое замыкание или утечку с помощью омметра. Омметр подключается в прямом и обратном направлениях так же, как и при проверке диодов. Однако такая проверка не дает информации о напряжении стабилизации стабилитрона, для его измерения должна быть выполнена регулировочная проверка с помощью блока питания, имеющего приборы для измерения напряжения и тока.

На рис. 21-5 показана установка для регулировочной проверки стабилитрона. Выход источника питания подсоединен через последовательно включенный ограничивающий резистор к проверяемому стабилитрону. К стабилитрону подключен вольтметр для проверки напряжения стабилизации. Выходное напряжение медленно увеличивается до тех пор, пока через стабилитрон не потечет определенный ток. После этого ток изменяется в области изменения тока стабилизации (IZ). Если напряжение остается постоянным, то стабилитрон работает правильно.

Рис. 21-5. Установка для проверки регулирующих свойств стабилитрона.

21-4. Вопросы

1. Опишите процесс проверки стабилитрона с помощью омметра.

2. Какие параметры нельзя проверить, используя омметр для проверки стабилитрона?

3. Нарисуйте схему, показывающую подключение стабилитрона для проверки напряжения стабилизации.

4. Опишите, как с помощью схемы из вопроса 3 определить, правильно ли работает стабилитрон.

5. Как можно определить катод стабилитрона с помощью омметра?

РЕЗЮМЕ

• Стабилитроны рассчитаны для работы при напряжениях больших, чем напряжение пробоя (максимальное обратное напряжение).

• Напряжение пробоя стабилитрона определяется удельным сопротивлением диода.

• Стабилитроны выпускаются с определенным напряжением стабилизации.

• Мощность, рассеиваемая стабилитроном, зависит от температуры и длины выводов.

• Схематическое обозначение стабилитрона следующее:

• Стабилитроны выпускаются в таких же корпусах, что и диоды.

• Стабилитроны с напряжением стабилизации 5 вольт или более имеют положительный температурный коэффициент напряжения стабилизации.

• Стабилитроны, которые имеют напряжение стабилизации менее 4 вольт, имеют отрицательный температурный коэффициент напряжения стабилизации.

• Стабилитроны используются для стабилизации или регулировки напряжения.

• Регуляторы на основе стабилитронов обеспечивают постоянное выходное напряжение, несмотря на изменения входного напряжения или выходного тока.

• Стабилитроны могут быть проверены на разрыв цепи, короткое замыкание или утечку с помощью омметра.

• Для того чтобы определить, работает ли стабилитрон при заданном напряжении стабилизации, может быть выполнена регулировочная проверка.

Глава 21. САМОПРОВЕРКА

1. Объясните, как работает стабилитрон в цепи регулировки напряжения.

2. Опишите процесс проверки напряжения стабилизации стабилитрона.

AN007 – Стабилитрон большой мощности

AN007 – Стабилитрон большой мощности
Elliott Sound Products АН-007
Род Эллиотт (ESP)
Прил. Индекс банкнот
Основной индекс

Стабилитроны большой мощности

Хотя производятся стабилитроны большой мощности, они обычно недоступны. Они также имеют тенденцию быть довольно дорогими и часто устанавливаются на шпильках.Их не всегда легко установить на радиатор, а монтажное оборудование (изолирующая втулка и шайба) кажется практически недоступным.

При условии, что вы (или ваше приложение) можете выдерживать немного более высокое напряжение, чем было указано, стабилитрон высокой мощности может быть изготовлен с использованием дополнительного транзистора и резистора. Обратите внимание, что это руководство по дизайну , – это не «окончательный» дизайн, и его необходимо адаптировать к вашим потребностям. Ни одна из показанных частей (или расчетов) не может воспроизвести все возможности, но они помогут вам понять требования к этой схеме.


Использование стабилитрона и транзистора

Описанный метод не является новым и использовался как минимум в двух проектах, описанных на веб-сайте ESP, а также во многих коммерческих продуктах. При использовании стабилитрона для подачи базового тока на силовой транзистор номинальная мощность ограничивается только транзистором, с вероятным дополнительным ограничением, налагаемым усилением тока устройства при расчетном токе. В то время как стабилитроны обычно допускают пиковые (мгновенные) токи, которые намного превышают их номинальный ток, версия с поддержкой транзистора не может – опять же, это зависит от транзистора.


Рисунок 1 – Стабилитрон с усиленным транзистором

Транзистор необходимо выбирать на основе ожидаемых максимального напряжения и тока. Если стабилитрон используется только для защиты более чувствительных систем на той же шине питания, транзистору может даже не понадобиться радиатор. Это зависит от приложения, поэтому вы должны быть осторожны, прежде чем отказаться от использования радиатора, и / или при выборе подходящего радиатора в зависимости от рассеиваемой мощности. R (предел) – это токоограничивающий резистор, который всегда используется с любым стабилитроном.Выбор значения зависит от вашего приложения и здесь не рассматривается.

Показанная схема является просто примером, а Q1 может быть любым транзистором, который подходит для ваших нужд. В большинстве случаев TIP41 или аналогичный подойдет более чем, если не требуется очень высокое напряжение или мощность. Для более низких мощностей может быть приемлемым BD139, и вам необходимо выбрать транзистор в соответствии с напряжением и током, необходимыми для вашего приложения. Убедитесь, что вы проверяете безопасную рабочую зону предполагаемого транзистора!

Максимально допустимый ток через стабилитрон определяется. ..

I = P / V , где I = ток, P = номинальная мощность стабилитрона и V = номинальное напряжение стабилитрона.

Например, стабилитрон 27 В 1 Вт может выдерживать максимальный непрерывный ток …

I = 1/27 = 0,037 А = 37 мА

Для оптимальной работы стабилитрона лучше всего поддерживать ток на уровне максимум 0,7 номинального предела, поэтому стабилитрон 27 В не должен работать при токе более 26 мА. Предпочтительно использовать более низкий ток, но всегда следите за тем, чтобы ток стабилитрона был больше 10% от максимального, иначе регулирование пострадает.Я обычно стремлюсь к 20-50%, если это возможно. Ток стабилитрона становится базовым током для силового транзистора (за вычетом тока, проходящего через R1), и, если предположить, что коэффициент усиления по току равен 50, а ток стабилитрона (скажем) 15 мА, это означает, что максимальный общий “ составной ” ток стабилитрона равен …

15 × 50 = 900 мА (обратите внимание, что ток R1 не включен)

Если учесть ток через R1, это увеличит ток стабилитрона. При 100 Ом для R1 ток стабилитрона увеличивается примерно на 6.5 мА. Резистор 1 кОм уменьшит это значение до 0,65 мА (650 мкА). Напряжение немного увеличилось (примерно до 27,7 В), а номинальная (максимальная рекомендованная) мощность теперь составляет …

P = V × I = 25 Вт

Транзистор Дарлингтона также можно использовать для более высокого тока с маломощными стабилитронами, но он добавит около 1,5 В к стабилитрону. Вызовет ли это проблему или нет, зависит от самой схемы и не является чем-то, что можно предсказать заранее. Выбор R1 несколько произвольный и обычно составляет от 100 до 1 кОм.Если транзистор имеет очень высокое усиление (или вы используете транзистор Дарлингтона), R1 должен быть такого размера, чтобы он пропускал через стабилитрон достаточный ток, чтобы пройти «изгиб» его кривой – около 10% от максимального номинального тока. Полный ток стабилитрона – это сумма базового тока Q1 и тока через R1. В большинстве случаев требуемый ток будет оставаться довольно постоянным, но если он сильно варьируется, вам нужно быть более внимательными к своим расчетам, чтобы обеспечить поддержание производительности во всем диапазоне.

Приведенные здесь расчеты предназначены только для примера. Это не полная конструкция, и вам необходимо определить требования к стабилитрону и силовому транзистору, подходящему для вашего приложения. Общие принципы были рассмотрены, но окончательная схема должна быть спроектирована так, чтобы рассеиваемая мощность всех частей была в пределах их номинальных значений, ток стабилитрона составлял от 10% до 50% от его номинальных значений (с учетом рабочей температуры) и транзистора. может рассеивать необходимую мощность.R1 выбирается таким образом, чтобы ток стабилитрона составлял не менее 10% от номинального тока, если общий ток сравнительно невелик. Как отмечалось ранее, любое сопротивление от 100 Ом до 1 кОм обычно будет работать, но желательно, чтобы вы либо рассчитали его, либо сделали обоснованное предположение. Он становится (слегка) критическим только при очень малых токах, когда Q1 пропускает небольшую часть общего тока.


Рисунок 2 – «Нормальный» по сравнению с. Повышенная производительность стабилитрона

Выше показано различие между нормальным (2.5 Вт) стабилитрон по сравнению с версией с транзисторным управлением. Стандартный стабилитрон показывает устойчивый рост напряжения по мере увеличения тока, но версия с транзистором поддерживает очень стабильное напряжение. Напряжение изменяется всего на 150 мВ при изменении тока от 8 мА до 180 мА. Максимальный ток для обоих составляет около 180 мА, при питании стабилитронов 15 В через токоограничивающие резисторы 470 Ом. Напротив, напряжение на одном стабилитроне изменится где-то от 1 В до более 2 В для того же диапазона тока (это зависит от спецификации стабилитрона).

Конструкция не критична, но радиатор почти наверняка понадобится в первом квартале. Использование зажима для прикрепления D1 к радиатору позволит увеличить рассеяние и позволит вам работать на стабилитроне с максимальным рабочим током. Выберите Q1 в соответствии с приложением – во многих случаях рейд на ящик для мусора почти наверняка предоставит что-то полезное. R1 может составлять 0,25 или 0,5 Вт. Избегайте использования резисторов из углеродного состава, которые имеют гораздо более высокий уровень шума, чем типы углеродной или металлической пленки.

Обратите внимание, что «составной» или «вспомогательный» стабилитрон имеет гораздо более низкий импеданс, чем сам стабилитрон, и добавление конденсатора, подключенного параллельно, очень мало повлияет на снижение гудения и шума. Например, в диапазоне 100 мА напряжение может измениться только примерно на 100 мВ, что означает, что «динамический импеданс» составляет всего 1 Ом. Сравните это с самим стабилитроном, у которого динамический импеданс во много раз превышает значение – около 35 Ом для стабилитрона 1N4750 27 В. Конденсатор может подавлять шум только тогда, когда его импеданс намного ниже (по крайней мере в 10 раз), чем у источника – на всех интересующих частотах.Даже конденсатор емкостью 10 000 мкФ, подключенный параллельно, является предельным на частоте 100 Гц, если полное сопротивление стабилитрона составляет всего 1 Ом. Реактивное сопротивление конденсатора составляет 0,16 Ом при 100 Гц. Если источник питания должен иметь очень низкий уровень шума, использование стабилитрона с усилителем нецелесообразно и необходима более сложная схема.



Прил. Индекс банкнот
Основной указатель
Уведомление об авторских правах. Эта статья, включая, помимо прочего, весь текст и диаграммы, является интеллектуальной собственностью Рода Эллиотта и защищена авторским правом © 2004.Воспроизведение или переиздание любыми средствами, электронными, механическими или электромеханическими, строго запрещено международными законами об авторском праве. Автор (Род Эллиотт) предоставляет читателю право использовать эту информацию только для личного использования, а также разрешает сделать одну (1) копию для справки при создании проекта. Коммерческое использование запрещено без письменного разрешения Рода Эллиотта.

Страница Создана и защищена авторским правом © Род Эллиотт 02 июня 2005 г.


Стабилитроны высокой мощности 50 Вт

Компании начинают осознавать потенциал новых рынков и возможности получения дохода в дальнейшем, поскольку они исследуют более комплексный «кремний для обслуживания» », Которая охватывает центр обработки данных и мобильный терминал.В частности, с сокращением ASP (средние цены продажи) и все более непомерно высокими затратами на проектирование на все более низких узлах многие компании ищут новые источники дохода в широком диапазоне вертикалей, включая Интернет вещей (IoT).

Однако с учетом того, что количество установок Интернета вещей, как ожидается, будет увеличиваться примерно на 15–20% ежегодно до 2020 года, безопасность в настоящее время воспринимается как серьезная возможность, так и серьезная проблема для полупроводниковой промышленности.

Помимо услуг, концепция оборудования с открытым исходным кодом (OSH) и построения микросхем из разукрупненных, предварительно проверенных чиплетов начинает набирать обороты, поскольку компании стремятся сократить расходы и сократить время вывода на рынок гетерогенных конструкций.

Конкретные стратегии раскрытия всего потенциала кремния и услуг, несомненно, будут различаться, поэтому для нас важно исследовать будущее, в котором компании, производящие полупроводники, наряду с различными отраслями, организациями и правительственными учреждениями, будут играть открытую и совместную роль в помогая устойчиво монетизировать как микросхемы, так и услуги.

В 2016 и 2017 годах продолжались быстрые приобретения и консолидация отрасли:

  • Компания Analog Devices приобрела Linear Technology
  • Infineon приобрела International Rectifier
  • Компания ROHM приобрела Powervation
  • .
  • Renesas приобрела Intersil

Крупные производители полупроводников позиционируют себя, чтобы лучше конкурировать в нескольких вертикалях, включая облачные вычисления, искусственный интеллект (AI) и беспилотные автомобили.Согласно KPMG, многие компании все чаще рассматривают слияния и поглощения (M&A) как единственный способ стимулировать рост реальной выручки, делая новый акцент на вопросе «производить или покупать», при этом многие выбирают ответ «покупать».

В то же время расходы на разработку микросхем продолжали расти и существенно влияли на количество разработок в усовершенствованных узлах. В частности, общее количество запусков SoC с расширенной производительностью многоядерных процессоров в первый раз практически не изменилось и выросло лишь незначительно за последние пять лет.Хотя цены на дизайн неуклонно растут с 40 нм, аналитиков больше всего беспокоит увеличение стоимости дизайна на 7 и 5 нм.

Рич Вавжиняк, старший аналитик Semico Research, подтверждает, что начало проектирования, превышающее 10 нм, будет сдерживаться ростом затрат на разработку. Хотя общее количество проектов, которые переносятся на новые узлы, может не сильно отличаться от предыдущих обновлений геометрии процесса, Вавжиняк говорит, что сроки для таких переходов большинством компаний будут более продолжительными.

Совершенно очевидно, что необходимы новые модели как для НИОКР, так и для доходов, поскольку усиление консолидации отрасли и разрушение ASP в долгосрочной перспективе нерационально. Именно поэтому отрасль стремится к Интернету вещей, чтобы создать дополнительные потоки доходов, и аналитики McKinsey Global Institute (MGI) оценивают, что IoT может иметь ежегодный экономический эффект от 3,9 до 11,1 триллиона долларов к 2025 году по нескольким вертикалям. Однако с учетом того, что количество установок Интернета вещей, как ожидается, будет увеличиваться примерно на 15–20% в год до 2020 года, безопасность считается как серьезной возможностью, так и проблемой для полупроводниковых компаний.

Таким образом, MGI рекомендует создавать решения безопасности, которые позволяют компаниям, производящим полупроводники, расширяться в смежные области бизнеса и разрабатывать новые бизнес-модели. Например, компании могут помочь создать предложения по обеспечению сквозной безопасности, которые необходимы для успеха Интернета вещей. В идеале, по мнению MGI, отрасль должна играть ведущую роль при разработке таких предложений, чтобы гарантировать, что они получат свою справедливую долю в цепочке создания стоимости.

С нашей точки зрения, решения для сквозной безопасности Интернета вещей, развернутые как платформа как услуга (PaaS), имеют решающее значение для помощи полупроводниковым компаниям в получении возобновляемых доходов от реализации конкретных услуг.Для клиентов PaaS предлагает простой способ безопасной разработки, запуска и управления приложениями и устройствами без сложностей, связанных с построением и обслуживанием сложной инфраструктуры.

Такие решения безопасности, которые также могут использовать аппаратный корень доверия, должны поддерживать идентификацию устройства и взаимную аутентификацию (верификацию), стандартные проверки аттестации, безопасные обновления устройств по беспроводной сети (OTA), аварийное восстановление и ключ управление, а также вывод из эксплуатации и переназначение ключей для лучшего управления устройствами и смягчения различных атак, включая распределенный отказ в обслуживании (DDoS).

Умные города

Недоступные микросхемы – такие как микросхемы, встроенные в инфраструктуру интеллектуального города Интернета вещей – могут предложить полупроводниковым компаниям возможность реализовать долгосрочную модель PaaS «кремний для обслуживания». Действительно, инфраструктура будущего умного города почти наверняка будет спроектирована с использованием микросхем в труднодоступных местах, включая подземные водопроводные трубы, воздуховоды для кондиционирования воздуха, а также под улицами и на парковках.

Интеллектуальное уличное освещение, отзывчивые вывески и Bluetooth-маяки нового поколения также требуют перспективных решений, чтобы избежать постоянного физического обслуживания и обновлений.Следовательно, микросхема, обеспечивающая питание инфраструктуры умного города, должна поддерживать безопасную конфигурацию функций в полевых условиях, а также различные услуги на основе PaaS, такие как расширенная аналитика, предупреждения о профилактическом обслуживании, алгоритмы самообучения и интеллектуальное проактивное взаимодействие с клиентами.

Умные дома

Согласно прогнозам, к 2020 году мировой рынок умного дома достигнет стоимости не менее 40 миллиардов долларов. По данным Markets and Markets, рост объема умного дома можно объяснить множеством факторов, включая значительные достижения в секторе Интернета вещей; возрастающие требования к удобству, безопасности и защищенности потребителей; более выраженная потребность в энергосберегающих решениях с низким уровнем выбросов углерода.Однако, как мы уже обсуждали ранее, крайне важно обеспечить реализацию безопасности Интернета вещей на этапе проектирования продукта, чтобы предотвратить использование злоумышленниками устройств умного дома и прерывание обслуживания.

В дополнение к потенциально прибыльным возможностям кибербезопасности для компаний, производящих полупроводники, устройства «умный дом» обещают создать повторяющиеся потоки доходов для поддержки устойчивой модели «переход от кремния к услугам». В качестве примера Кристопер Дин из MarketingInsider выделяет популярные устройства Echo от Amazon.Поскольку уже продано не менее 15 миллионов устройств Echo, пользователи Echo, вероятно, станут активными потребителями Amazon, используя устройство для отслеживания списков желаний и поиска товаров, которые им впоследствии предлагается купить. Между тем, Nest использует данные термостата в качестве платформы для предложения услуг по управлению энергопотреблением коммунальным компаниям в Соединенных Штатах, причем компании платят за значимую и действенную информацию о клиентах по подписке.

Автомобильная промышленность

Согласно IC Insights, в период с 2016 по 2021 год продажи микросхем для автомобильных систем и Интернета вещей будут расти на 70% быстрее, чем общие доходы от IC.В частности, продажи интегральных схем для автомобилей и других транспортных средств, по прогнозам, вырастут с 22,9 млрд долларов в 2016 году до 42,9 млрд долларов в 2021 году, а доходы от функциональности Интернета вещей увеличатся с 18,4 млрд долларов в 2016 году до 34,2 млрд долларов в 2021 году.

Ожидаемый рост продаж автомобильных микросхем неудивителен, поскольку современные автомобили представляют собой сеть сетей, оснащенных рядом встроенных методов и возможностей связи. Однако это означает, что автомобили теперь более уязвимы для кибератак, чем когда-либо прежде.

Потенциальные уязвимости системы безопасности включают незащищенную связь между транспортными средствами, несанкционированный сбор информации о водителе или пассажирах, захват контроля над критически важными системами, такими как тормоза или акселераторы, перехват данных транспортного средства, вмешательство в работу сторонних ключей и изменение избыточного кода. обновления прошивки по воздуху (OTA). Что касается последнего, производители автомобилей сейчас сосредоточены на предоставлении безопасных OTA-обновлений для различных систем, при этом глобальный рынок автомобильных OTA-обновлений, по прогнозам, будет расти со среднегодовым темпом роста 18.2% с 2017 по 2022 год и достигнет 3,89 миллиарда долларов к 2022 году.

Производители автомобилей также работают над тем, чтобы в цепочке поставок транспортных средств не было украденных и поддельных компонентов. Тем не менее, широкий спектр устройств с серого рынка все еще можно найти для питания дорогостоящих модулей, таких как бортовые информационно-развлекательные системы и фары, а также в критически важных системах безопасности, включая модули подушек безопасности, тормозные модули и органы управления трансмиссией. Таким образом, защита периферийных устройств и компонентов транспортных средств от несанкционированного доступа за счет реализации ряда многоуровневых аппаратных и программных решений безопасности стала приоритетной задачей для ряда производителей автомобилей.

Помимо внедрения многоуровневых решений безопасности, полупроводниковая промышленность явно выиграет от внедрения подхода IoT «как услуга» в автомобильном секторе. Например, компании могут развернуть сенсорные автомобильные системы, которые заблаговременно обнаруживают потенциальные проблемы и неисправности. Это решение, которое в наиболее оптимальной конфигурации сочетает в себе микросхемы и услуги, может быть продано как аппаратный и программный продукт или развернуто как услуга с ежемесячной или ежегодной абонентской платой.

Медицина и здравоохранение

Имплантированные медицинские устройства с длительным сроком службы, несомненно, потребуют высокой степени готовности к будущему от полупроводниковой промышленности, чтобы избежать частых физических обновлений и технического обслуживания. Шрихари Яманур, специалист по дизайну в области исследований и разработок в Stellartech Research Corp., отмечает, что медицинские устройства в конечном итоге будут адаптированы для удовлетворения потребностей отдельных пациентов, что расширит применение точной медицины.

Кроме того, ожидается, что отрасль медицинского страхования будет использовать машинное обучение для оптимизации и снижения стоимости медицинского обслуживания, в то время как цифровые медицинские устройства также будут использоваться страховой отраслью для выявления пациентов из группы риска и оказания помощи.Поэтому медицинские устройства, особенно имплантируемые модели, должны быть спроектированы таким образом, чтобы поддерживать «модель перехода от кремния к услугам» через конфигурацию функций и безопасные обновления OTA, а также услуги на основе PaaS, включая сбор и анализ соответствующих данных; проактивное обслуживание, продвинутые алгоритмы; и интуитивно понятный интерфейс как для пациентов, так и для врачей.

Аппаратное обеспечение с открытым исходным кодом и дезагрегированные чиплеты

Наряду с услугами, оборудование с открытым исходным кодом, предлагаемое такими организациями и компаниями, как RISC-V и SiFive, начало положительно влиять на полупроводниковую промышленность, поощряя инновации, сокращая затраты на разработку и ускоряя вывод продукта на рынок.

Успех программного обеспечения с открытым исходным кодом – в отличие от закрытого, огороженного сада – продолжает создавать важный прецедент для полупроводниковой промышленности. Столкнувшись с непомерно высокими затратами на разработку, ряд компаний предпочитают избегать ненужных сборщиков дорожных сборов, уделяя больше внимания архитектуре с открытым исходным кодом, поскольку они работают над созданием новых потоков доходов, ориентированных на услуги.

Помимо аппаратного обеспечения с открытым исходным кодом, концепция построения кремния из предварительно проверенных чиплетов начинает набирать обороты, поскольку полупроводниковая промышленность движется к сокращению затрат и сокращению времени вывода на рынок гетерогенных конструкций.По словам Энн Стефора Мутчлер из Semiconductor Engineering, концепция чиплета некоторое время находилась в стадии разработки, хотя исторически она воспринималась как потенциальное направление будущего, а не реальное решение в тени убывающего закона Мура. Это восприятие начинает меняться по мере увеличения сложности конструкции, особенно в усовершенствованных узлах (10/7 нм), а также по мере объединения новых рынков, требующих частично настраиваемых решений.

Концепция предварительно проверенных чиплетов вызвала интерес U.Агентство перспективных исследовательских проектов S. Defense (DARPA), которое недавно развернуло свою программу Общей гетерогенной интеграции и стратегий повторного использования IP (CHIPS). В сотрудничестве с полупроводниковой промышленностью для успешной реализации CHIPS будет виден ряд IP-блоков, подсистем и микросхем, объединенных на переходнике в корпусе, подобном 2. 5D.

Инициатива CHIPS заняла центральное место в августе 2017 года, когда участники из военного, коммерческого и академического секторов собрались в штаб-квартире DARPA на официальном стартовом совещании по программе Агентства по стратегии общей гетерогенной интеграции и повторного использования интеллектуальной собственности (ИС).

Как сообщил на конференции д-р Дэниел Грин из DARPA, программа направлена ​​на разработку новой технологической структуры, в которой различные функции и блоки интеллектуальной собственности, в том числе хранение данных, вычисления, обработка сигналов, а также управление формой и потоком данных – можно разделить на небольшие чиплеты. Затем их можно смешивать, сопоставлять и комбинировать на промежуточном элементе, что-то вроде соединения частей головоломки. Фактически, говорит Грин, вся обычная печатная плата с множеством различных, но полноразмерных микросхем в конечном итоге может быть уменьшена до гораздо меньшего промежуточного устройства, содержащего кучу, но гораздо меньших микросхем.

Согласно DARPA, конкретные технологии, которые могут появиться в результате инициативы CHIPS, включают компактную замену всей печатной платы, сверхширокополосные радиочастотные (РЧ) системы и системы быстрого обучения для извлечения интересной и действенной информации из гораздо больших объемов обычных данных. .

Возможно, неудивительно, что полупроводниковая промышленность уже рассматривает дезагрегированный подход в виде микросхем SerDes и специализированных маломощных интерфейсов «кристалл-кристалл» для конкретных приложений.Безусловно, жизнеспособное разделение кремниевых компонентов может быть достигнуто путем перемещения высокоскоростных интерфейсов, таких как SerDes, на отдельные кристаллы в виде микросхем SerDes, смещения IP аналогового датчика на отдельные аналоговые микросхемы и реализации перехода кристалла с очень низким энергопотреблением и малой задержкой. die интерфейсы через MCM или через переходник с использованием технологии 2. 5D.

Ожидается, что помимо использования заведомо исправной матрицы для SerD в более зрелых узлах (N-1) или наоборот, дезагрегация облегчит создание нескольких SKU при оптимизации затрат и снижении риска.Точнее, дезагрегирование приведет к разбивке SoC на более высокопроизводительные и меньшие матрицы и позволит компаниям создавать определенные конструкции с несколькими вариантами. Действительно, интерфейсы «от кристалла к кристаллу» могут более легко адаптироваться к различным приложениям, связанным с памятью, логикой и аналоговыми технологиями. Кроме того, для интерфейсов «от кристалла к кристаллу» не требуется согласованной скорости линии / передачи и количества дорожек, в то время как FEC может потребоваться или не потребоваться в зависимости от требований к задержке.

Следует отметить, что несколько компаний активно занимаются агрегацией SoC / ASIC для коммутаторов и других систем.Точно так же полупроводниковая промышленность разрабатывает ASIC с интерфейсами “кристалл-кристалл” на ведущих узлах FinFET, в то время как по крайней мере один серверный чип следующего поколения разрабатывается с дезагрегированным вводом-выводом на отдельном кристалле.

Заключение

За последние пять лет полупроводниковая промышленность столкнулась с множеством сложных проблем. К ним относятся увеличение затрат на разработку, размытие ASP, насыщение рынка и повышенная, но неустойчивая деятельность по слияниям и поглощениям. В течение 2018 года полупроводниковая промышленность продолжает стремиться к возвращению к стабильности и органическому росту в рамках параметров новой бизнес-парадигмы, одновременно жизнеспособной и основанной на сотрудничестве.В этом контексте компании, производящие полупроводники, осознают потенциал новых рынков и возможности получения дохода в дальнейшем, поскольку они исследуют более комплексную модель «кремний для обслуживания», которая охватывает центр обработки данных и мобильную периферию.

Сюда входят решения для сквозной безопасности IoT и услуги на основе PaaS, такие как конфигурация функций на месте, расширенная аналитика, предупреждения о профилактическом обслуживании, алгоритмы самообучения и интеллектуальное упреждающее взаимодействие с клиентами. Помимо услуг, концепция оборудования с открытым исходным кодом и создание микросхем из разукрупненных, предварительно проверенных микросхем начинает набирать обороты, поскольку компании переходят к сокращению затрат и сокращению времени вывода на рынок гетерогенных конструкций.

Конкретные стратегии раскрытия всего потенциала полупроводников, несомненно, будут различаться, поэтому для нас важно изучить будущее, в котором отрасль, наряду с различными исследовательскими организациями и государственными учреждениями, будет играть открытую и совместную роль, помогая устойчивой монетизации и кремний, и сервисы.

Для получения дополнительной информации по этой теме посетите сайт Rambus.

Шрикант Лохокаре, доктор философии, является вице-президентом и исполнительным директором Global Semiconductor Alliance в Северной Америке.

Техническое описание сильноточных стабилитронов, прикладная схема

Стабилитроны, которые обычно доступны, обычно имеют тип 1/4 или 1/2 Вт. И это вполне справедливо, так как основная функция стабилитроны является создание стабилизированного опорного напряжения. Стабилитроны не предназначены для прямого регулирования тока.

Тем не менее, для некоторых приложений, где необходимо шунтирование избыточного напряжения и тока, может пригодиться стабилитрон с высоким током или большой мощностью.

Серия 1N53 предлагает полный спектр высокомощных стабилитронов, специально созданных для регулирования высокого тока и напряжения.

Максимальная мощность 5 Вт, напряжение до 200 В. Разделение мощности на номинальное напряжение диода дает его эффективную пропускную способность по току.

Распиновка и схема маркировки показаны ниже:

Основные характеристики можно изучить, как указано ниже:

Диапазон напряжения – от 3,3 В до 200 В

Класс защиты от электростатических разрядов 3 (> 16 кВ) для модели человеческого тела

Пропускная способность до 180 Вт для 8. 3 мс

Максимальное рассеивание мощности в устойчивом состоянии при TL = 25 ° C, длина вывода = 3/8 дюйма Снижение мощности выше 25 ° C составляет 5 Вт

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

В следующем списке приведены различные символы, используемые для обозначения электрических параметров и уровни допуска устройства. (TA = 25 ° C, если не указано иное, VF = 1,2 В макс. При IF = 1,0 A для всех типов).

  • В Z = обратное напряжение стабилитрона @ I ZT
  • I ZT = обратный ток
  • Z ZT = максимальное сопротивление стабилитрона @ I ZT
  • I ZK = обратный ток
  • Z ZK = Максимальный импеданс стабилитрона @ I ZK
  • I R = Обратный ток утечки @ В R
  • В R = Напряжение пробоя
  • I F = Прямой ток
  • В F = прямое напряжение при I F
  • I R = Максимальный импульсный ток при TA = 25 ° C
  • В Z = Обратное изменение напряжения стабилитрона
  • I ZM = Максимальный постоянный ток стабилитрона

Обращаясь к вышеприведенным символам, мы можем легко проверить характеристики напряжения и тока мощных стабилитронов из следующей таблицы.Эту таблицу можно использовать для выбора предпочтительного стабилитрона в соответствии с нашими требованиями:

ДОПУСК И ОБОЗНАЧЕНИЕ НОМЕРА ТИПА: Номера типов JEDEC, показанные выше, обозначают допуск ± 5%.

НАПРЯЖЕНИЕ ЗЕНЕРА (В Z ) и ИМПЕДАНС (I ZT и I ZK ): Условия испытания напряжения стабилитрона и его полное сопротивление можно узнать из следующих данных:

Ток I Z применяется 40 мс ± 10% до измерений.

Монтажные клеммы расположены от 3/8 ″ до 1/2 ″ над внутренним краем монтажных зажимов на корпусе диода (T A = 25 ° C + 8 ° C, −2 ° C).

НАПРЯЖЕННЫЙ ТОК (I R ): Импульсный ток определяется как максимальный пиковый непериодический прямоугольный ток с длительностью импульса 8,3 мс, который может выдерживать устройство.

Информация, представленная на следующем изображении, может использоваться для определения максимального импульсного тока для прямоугольной волны любой длительности импульса от 1 мс до 1000 мс.

Это может быть реализовано путем нанесения соответствующих точек на логарифмическую бумагу. На приведенном выше рисунке показан пример результата для стабилитрона 3,3 В и 200 В.

РЕГУЛИРОВКА НАПРЯЖЕНИЯ (DV Z ): Спецификации регулирования напряжения для этой серии можно изучить, как указано ниже:

В Z измерения устанавливаются на 10%, а затем на 50% от I Z максимальное значение согласно информации, приведенной в таблице электрических характеристик.Длительность испытательного тока для каждого показания V Z была записана как 40 мс ± 10%.

Как определить максимальную пропускную способность по току

МАКСИМАЛЬНЫЙ ТОК РЕГУЛЯТОРА (I ZM ): Его можно рассчитать, исходя из максимального напряжения блока 5% -ного типа. Это означает, что это применимо только к устройству с суффиксом B.

Эффективная пропускная способность по току I ZM для любого из этих сильноточных стабилитронов не может быть превышена более чем 5 Вт, деленной на фактическое значение V Z устройства .При условии, что T L = 25 ° C на 3/8 ″ для корпуса устройства.

То есть, предположим, что вы используете стабилитрон 3,3 В, тогда максимально допустимый ток для этого устройства можно рассчитать, разделив 5 на 3,3. Это примерно 1,5 ампер.

† Суффикс «G’ ’говорит нам о пакете Pb-Free или пакетах Pb-Free, которые доступны в настоящее время.

Применение сильноточного стабилитрона

Как указывалось ранее, сильноточный диод может использоваться в приложениях, где рассеяние мощности может быть нормальным и не является фактором, который следует учитывать.

Управление выходом солнечной панели

Например, его можно использовать для эффективного управления выходом солнечной панели без использования сложных и дорогих контроллеров. На следующем рисунке показана минимальная настройка, необходимая для реализации управления выходом панели с использованием мощного стабилитрона.

Простой светодиодный драйвер

Сильноточный диод также может эффективно использоваться для производства дешевых, но высоконадежных светодиодных драйверов, как показано ниже:

К вам

Хорошо, так что это было краткое описание технических характеристик мощного стабилитрона IN53.В учебном пособии мы узнали об электрических характеристиках, допусках и о том, как использовать стабилитроны этого типа в конструкциях практических приложений. Надеюсь тебе понравилось. Если у вас есть дополнительные сомнения или предложения, вы можете выразить их в комментариях ниже.

О Swagatam

Я инженер-электронщик (dipIETE), любитель, изобретатель, разработчик схем / печатных плат, производитель. Я также являюсь основателем веб-сайта: https://www.homemade-circuits.com/, где я люблю делиться своими инновационными идеями и руководствами по схемам.
Если у вас есть какой-либо вопрос, связанный со схемой, вы можете взаимодействовать с ним через комментарии, я буду очень рад помочь!

Мощный стабилитрон на 5 вольт 1 ампер. Стабилитрон

Это довольно простая схема бестрансформаторного блока питания. Устройство выполнено на доступных элементах и ​​не требует предварительной настройки. В качестве диодного выпрямителя используется готовый мост серии КЦ405В (Г), также могут применяться любые диоды с напряжением не менее 250 вольт. Схема подключения представлена ​​на рисунке:

Выберите неполярный конденсатор на 400-600 вольт, сила выходного тока зависит от его емкости.Резистор сопротивлением от 75 до 150 кОм. После диодного моста напряжение около 100 вольт, его нужно снизить. Для этих целей использовался отечественный стабилитрон серии D814D.


После стабилитрона у нас уже получается напряжение 9 вольт, также можно использовать буквально любые стабилитроны на 6-15 вольт. На выходе использовался типовой стабилизатор микросхемы на 5 вольт, вся основная нагрузка ложится на него, поэтому стабилизатор следует прикрутить на небольшой радиатор, желательно заранее намазывая термопастой.


Конденсаторы Polar предназначены для подавления и фильтрации сетевых помех. Устройство работает очень стабильно, но имеет только один недостаток – небольшой выходной ток. Ток можно увеличить, выбрав конденсатор и резистор в цепи гашения. Распечатано – в архиве.


Устройство сейчас активно применяется для конструкций малой мощности. Выходной ток достаточен для зарядки мобильного телефона, мощных светодиодов и небольших ламп накаливания.Видео с экспериментами и измерениями приведено ниже:

Однако учтите, что из-за отсутствия сетевого трансформатора существует риск фазового удара, поэтому все токоведущие элементы блока питания и устройства, к которому подключено его необходимо тщательно изолировать! Автор статьи – AKA (Артур).

Обсудить статью БЕЗТРАНСФОРМАТОРНЫЙ БП НА 5В

Вы знаете термин «стабильность»? Стабильная зарплата, стабильная жизнь, стабильное состояние. Последнее, конечно, не про Россию :-).Если вы посмотрите толковый словарь, то сможете грамотно разобрать, что такое «стабильность». По первым строчкам Яндекс сразу дал мне обозначение этого слова: стабильный – это значит постоянный, стабильный, неизменный.

Но больше всего этот термин используется именно в электронике и электротехнике. В электронике очень важны постоянные значения параметра. Это может быть сила тока, напряжение, частота сигнала и другие его характеристики.Отклонение сигнала от любого заданного параметра может привести к неправильной работе электронного оборудования и даже к его выходу из строя. Поэтому очень важным словом в электронике является слово «стабильность».

Чаще всего в электронике и электротехнике стабилизируют напряжение . Работа электронного оборудования зависит от величины напряжения. Если он изменится на меньшее или, что еще хуже, направление вверх, то оборудование в первом случае может работать некорректно, а во втором случае оно полностью загорится ярким пламенем.Поэтому для предотвращения скачков и падений напряжения используются различные устройства защиты от перенапряжения . Как вы поняли из фразы – используются для стабилизации игрового напряжения .

Самым простым стабилизатором напряжения в электронике является радиоэлемент стабилитрон . Иногда его еще называют стабилитроном. На схемах заглушки обозначены примерно так:

Вывод с крышкой также называется катодом, как диод, а другой вывод – анодом.

Стабилитрон

выглядит так же, как диоды. На фото внизу слева популярный вид на современный стабилитрон, а справа один из образцов Советского Союза

Если присмотреться к советскому стабилитрону, то можно увидеть это схематическое обозначение на самом нем, указывающее, где у него катод, а где анод.

Самый главный параметр стабилитрона – это, конечно же, стабилизация напряжения . Что это за параметр?

Возьмем стакан и наполним его водой…

Сколько воды налито в стакан, из стакана выльется лишняя вода. Думаю, дошкольнику это понятно.

Теперь по аналогии с электроникой. Стекло – стабилитрон. Уровень воды в стакане до краев – это стабилитрон по напряжению и стабилитрон . Представьте себе большой кувшин с водой рядом со стаканом. С водой из кувшина мы просто наливаем воду в стакан, но не смеем прикасаться к кувшину. Вариант только один – вылить воду из кувшина, пробив дыру в самом кувшине.Если бы кувшин был меньше по высоте, чем стакан, то мы не смогли бы налить воду в стакан. Если объяснять языком электроники – в кувшине «напряжение» больше, чем «напряжение» стакана.

Итак, уважаемые читатели, весь принцип стабилитрона в стекле. Какую бы струю мы на нее ни обливали (ну, конечно, в пределах разумного, а то стекло лопнет и разорвется), стакан всегда будет полон. Но заливка должна быть сверху. Это значит, напряжение, которое мы прикладываем к стабилитрону, должно быть выше, чем напряжение стабилизации стабилитрона.

Итак, напряжение стабилизации – это напряжение, которое «устанавливается» на концах стабилитрона, если, конечно, на него подать большее напряжение, чем напряжение стабилизации. Для того, чтобы узнать напряжение стабилизации советского стабилитрона, нам понадобится справочник. Например, на фото ниже советский стабилитрон Д814В:

Его напряжение стабилизации в среднем составляет 10 вольт.

Посторонние стабилитроны маркируются проще. Если присмотреться, можно увидеть простую надпись:

5V1 – значит напряжение стабилизации этого стабилитрона равно 5.1 Вольт. Намного проще, не правда ли?

Катод зарубежных стабилитронов маркирован в основном черной полосой

Как проверить стабилитрон? Да как и диод! А как проверить диод, вы можете посмотреть в этой статье. Проверим наш стабилитрон. Надеваем мультиметр на колокол и цепляем анод красным щупом, а черным – катодом. Мультиметр должен показывать падение напряжения прямого P-N перехода.

Меняем щупы местами и видим единство.Это означает, что наш стабилитрон находится в полной боевой готовности.

Ну вот и пришло время экспериментов. В схемах стабилитрон включен последовательно с резистором:

где Uвх, – входное напряжение, Uвых. – выходное стабилизированное напряжение

Если внимательно посмотреть на схему, то ничего, кроме делителя напряжения, у нас нет. Здесь все элементарно и просто:

Уин = Uвых.стаб + Uрезистор

Или словами: входное напряжение равно сумме напряжений на стабилитроне и на резисторе.

Эта схема называется параметрическим стабилизатором на одном стабилитроне. Расчет этого стабилизатора выходит за рамки данной статьи, но кому интересно, гуглите 😉

Итак, собираем схемку. Мы взяли резистор 1,5К и стабилитрон на напряжение стабилизации 5,1 Вольт. Слева цепляем блок питания, а справа измеряем мультиметром получившееся напряжение:

Теперь внимательно следите за показаниями мультика и блока питания:

Итак, пока все понятно, добавляем напряжения… Ой! Входное напряжение 5,5 Вольт, а выходное 5,13 Вольт! Поскольку напряжение стабилизации стабилитрона составляет 5,1 вольт, то, как мы видим, он стабилизируется отлично.

Добавим вольт. Напряжение на входе 9 вольт, а на стабилитроне 5,17 вольт! Удивительный!

Еще добавляем … Напряжение на входе 20 Вольт, а на выходе как ни в чем не бывало 5,2 Вольт! 0,1 Вольт – очень маленькая погрешность, в некоторых случаях ею можно даже пренебречь.

Думаю не мешало бы рассмотреть Вольт-амперную характеристику (ВАХ) стабилитрона. Выглядит это примерно так:

где

Ipr – постоянный ток

Upr – прямое напряжение

Эти два параметра не используются в стабилитроне.

U – обратное напряжение

Уст – номинальное напряжение стабилизации.

Ist – номинальный ток стабилизации

Номинал – это означает нормальный параметр, при котором возможна длительная работа радиоэлемента.

Imax – максимальный ток стабилитрона

Imin – минимальный ток стабилитрона

Ist, Imax, Imin – это сила тока, протекающего через стабилитрон при его работе.

Поскольку стабилитрон работает с обратной полярностью, в отличие от диода (стабилитрон подключен к плюсу катодом, а минус – к диоду), рабочая зона будет точно такой, как отмечена красным прямоугольником.

Как видим, при некотором напряжении U наша диаграмма начинает падать. В это время в стабилитроне происходит такая интересная вещь, как пробой. Короче он уже не может нарастить на себе напряжение, а в это время сила тока в стабилитроне начинает увеличиваться. Самое главное не перебарщивать по току, больше Imax иначе на стабилитрон придет жопа. Лучшим режимом работы стабилитрона считается режим, в котором сила тока на стабилитроне находится где-то посередине между максимальным и минимальным значениями.На графике это будет рабочая точка , режим работы стабилитрона (отмечен кружком).

Раньше, во времена дефицита запчастей и начала расцвета электроники стабилитрон, как ни странно, часто использовался для стабилизации выходного напряжения блока питания. В старых советских книгах по электронике можно увидеть такой участок схем различных блоков питания:

Слева красной рамкой я выделил знакомую вам часть схемы питания.Здесь мы получаем постоянное напряжение от переменного тока. Справа в зеленой рамке схема стабилизации ;-).

Уф, вот вкратце объяснил работу стабилитрона. Да я знаю, сложно все это разобраться, но на стабилитроне нельзя зацикливаться. В настоящее время трехвыходные (интегральные) стабилизаторы напряжения заменяют стабилизаторы напряжения на стабилитронах, потому что они стабилизируют напряжение еще лучше, и поэтому большая часть прецизионного (точного) оборудования использует их.

На Али можно сразу взять целый набор этих стабилитронов, начиная от 3,3 вольт до стабилизации 30 вольт. Выбрать на свой вкус и цвет.



Стабилитрон

Стабилитрон также является диодом, но предназначен для поддержания постоянного напряжения в цепях питания электронного оборудования. Кремниевые стабилитроны широкого применения аналогичны по конструкции и принципу действия планарным выпрямительным диодам.Его особенность в том, что в прямом направлении он работает как обычный диод, а в обратном пробивается при каком-то напряжении, например 3,3 вольта. Подобен ограничительному клапану парового котла, который открывается при повышении давления и выпускает избыточный пар. Стабилитроны используются, когда они хотят получить напряжение заданного значения, независимо от входного напряжения. Это может быть, например, опорное значение по отношению к которому сравнивают входной сигнал. Они могут сократить входной сигнал до желаемого значения или использовать его в качестве защиты.В своих схемах я часто ставлю стабилитрон на напряжение 5,5 вольт на блок питания контроллера, чтобы в случае чего, при резком скачке напряжения этот стабилитрон через себя сливал лишнее.


Напряжение подается на стабилитрон с обратной полярностью, то есть на анод стабилитрона будет подаваться минус «-». С таким стабилитроном через него протекает обратный ток ( I arr ) от выпрямителя. Напряжение на выходе выпрямителя может меняться, обратный ток тоже изменится, а напряжение на стабилитроне и на нагрузке останется неизменным, то есть стабильным.На следующем рисунке показана вольт-амперная характеристика стабилитрона.


Стабилитрон работает на обратной ветви ВАХ (вольт-амперная характеристика), как показано на рисунке. К основным параметрам стабилитрона относятся U ст . (напряжение стабилизации) и I ст . (ток стабилизации). Эти данные указываются в паспорте на конкретный тип стабилитрона. Причем значения максимального и минимального токов учитываются только при расчете стабилизаторов с прогнозируемыми большими изменениями напряжения.

Стабилитроны


Тестер стабилитронов | Журнал Nuts & Volts


Когда я выбираю стабилитрон из шкафа для запчастей, я всегда хочу проверить его напряжение пробоя, прежде чем использовать его в проекте – просто чтобы убедиться, что в ящике моего шкафа не было перепутано. Эту процедуру необходимо повторить при установке неиспользуемых диодов обратно в мой шкаф или при сортировке кучи диодов, которые я подобрал на избыточной розетке.

Требуется много времени, чтобы настроить источник питания и вольтметр, выбрать последовательный резистор для ограничения тока и измерить напряжение для каждого диода. Альтернативы, такие как чтение номера детали и его поиск, или установка измерителя кривой, не быстрее. Многие ошибки, перегоревшие диоды и поврежденные проекты убедили меня, что должен быть лучший способ. Во время экспериментов с автоколебательными импульсными источниками питания для другого приложения меня осенило, что эта технология была ответом на мою проблему.

Тестер, описанный в этой статье, представляет собой простую двухтранзисторную схему, работающую от батареи 9В, которая тестирует стабилитроны с пробивным напряжением до 52 вольт. Для создания, тестирования и использования схемы не требуется ничего, кроме мультиметра. Его конструкция с трансформаторной связью автоматически регулирует выходное напряжение в соответствии с напряжением проверяемого стабилитрона, одновременно регулируя ток диода для сохранения относительно постоянной мощности диода во всем диапазоне измерения.

Нет необходимости подбирать токоограничивающий резистор.Просто подключите к диоду вольтметр и измерьте его напряжение пробоя на стабильном и безопасном уровне мощности. Схема также будет безопасно тестировать светодиоды, в том числе белые светодиоды, которые мультиметры не могут проверить, и другие низковольтные диоды в прямом направлении, а также MOV (металлооксидные варисторы) и другие защитные устройства с более высоким напряжением.

Подключение внешнего источника питания к тестеру также позволяет легко тестировать устройства, выходящие из строя выше 50 В. Со всеми моими проектами и многочисленными нехарактерными устройствами, лежащими в моем магазине, этот тестер стабилитрона оказался наиболее часто используемым оборудованием на моем стенде!

Фон из стабилитрона

Если вы не знакомы с стабилитронами, уместно будет сделать введение.Зенеры настолько полезны, что их следует найти в коллекции компонентов каждого экспериментатора. Стабилитрон – это специализированный кремниевый диод, который в прямом направлении выглядит как обычный кремниевый диод. Однако в обратном направлении напряжения он показывает низкий ток утечки, как обычный диод, до тех пор, пока не будет достигнуто напряжение – так называемое «напряжение стабилитрона». В этот момент он резко показывает контролируемое постоянное напряжение пробоя, несмотря на увеличивающийся ток.

Все диоды начинают сильно проводить при некотором напряжении в обратном направлении, но работают значительно ниже этого напряжения пробоя, чтобы избежать повреждений.Стабилитроны, с другой стороны, предназначены для работы в области их пробоя, и этот пробой тщательно спроектирован для определенных напряжений. Например, семейство стабилитронов от 1N4728 до 1N4764 включает в себя напряжение пробоя от 3,3 до 100 вольт с 37 ступенями – гораздо более широкий диапазон, чем у обычных трехконтактных IC-стабилизаторов с фиксированным напряжением. Эти диоды также могут быть включены последовательно для достижения практически любого желаемого напряжения, а различные семейства диодов имеют разную мощность от 200 мВт до более 10 Вт.

Zeners обычно используются в качестве регуляторов напряжения, стандартов опорного напряжения для ОУ конструкций, а также в качестве защитных устройств к компонентам защитных от перенапряжения условий. Такие приложения, как драйверы реле или соленоидов и импульсные источники питания, подобные описанному в этой статье, обычно используют стабилитроны для защиты (например, D2 в , рис. 1, ).

РИСУНОК 1. Схема тестера .


Они также находят применение (вместо простого последовательного резистора) для понижения одного напряжения до более низкого напряжения и для ограничения формы волны переменного напряжения.Они даже используются в качестве генераторов шума в мостах с высокочастотным импедансом. Лучше всего – особенно для экспериментаторов с ограниченным бюджетом – типичные маломощные стабилитроны стоят всего гроши каждый.

Тестер стабилитронов

Тестируемый диод подключается между красной и желтой клеммами, и напряжение считывается на этих клеммах при нажатии кнопки для проверки. Подключение измерителя тока между желтой и черной клеммами позволяет при необходимости измерять ток во время тестирования, или замена измерителя тока на внешний источник питания позволяет расширить диапазон тестера до значений, значительно превышающих 52 вольт.

Мигающий красный светодиод указывает на наличие напряжения на испытательных клеммах. Желтый светодиод указывает на то, что выход находится на пределе 55 В. Когда диод отсутствует или напряжение пробоя стабилитрона превышает 55 В, этот светодиод светится. Светодиод также указывает на правильное функционирование внутренней цепи для первоначального тестирования и служит напоминанием о безопасности, что на выходных клеммах присутствует потенциально опасное напряжение. Когда тестовый переключатель отпускается, выход быстро разряжается до нуля в целях безопасности.

Внутренняя схема тестера легко модифицируется и моделируется для изменения диапазона напряжения или для использования в других приложениях. Эти модификации и моделирование обсуждаются позже в этой статье.

Описание схемы и работа

Схема тестера показана на Рисунок 1 . Ключом к простоте эксплуатации и сборки является использование трансформатора T1, который можно легко приобрести у нескольких дистрибьюторов и спроектирован для использования в небольших импульсных источниках питания.T1 имеет шесть независимых и идентичных поляризованных обмоток, четыре из которых используются в тестере: T1-L1 – это «первичная» обмотка «обратной связи», T1-L4, хранящая энергию в магнитном поле трансформатора; затем T1-L2 и T1-L3 соединяются последовательно, чтобы сформировать «вторичную», разряжая накопленную магнитную энергию в тестируемый диод (DUT).

Некоторые из вас узнают эту базовую схему как простой «блокирующий генератор», широко использовавшийся с электронными лампами для радаров во время Второй мировой войны, а затем принятый в качестве транзисторной конфигурации для первого поколения твердотельных импульсных источников питания. В области источников питания это теперь называется схемой «обратного хода», возвращаясь к схемам горизонтального вывода на основе ЭЛТ / ТВ, использующих эту топологию или часто называемых «повышающей» схемой. Он прост, работает с множеством различных транзисторов и не требует специализированных интегральных схем.

S1 – это кнопочный переключатель мгновенного действия с однополюсным переключателем. Пока не будет нажат S1, батарея 9 В отключается от цепи, а конденсатор C4 выходного фильтра разряжается через R8. При переводе S1 в положение ON или TEST R8 удаляется с выхода и подается 9 В на первичный, T1-L1, и на пусковой резистор, R2.Он также включает LED1 – мигающий красный светодиод, который указывает пользователю, что цепь находится под напряжением и есть потенциально опасные напряжения на выходных клеммах.

Пусковой ток протекает через R2 (и R4), включая управляющий транзистор Q1. Когда Q1 включается, он подтягивает контакт 1 T1 к земле, что, в свою очередь, заставляет напряжение на обмотке обратной связи T1 / T1-L4 повышаться от земли до +9 В, так как отношение витков двух обмоток равно 1: 1. Возрастающее напряжение на T1-L4 передается на базу Q1 через C3, D1 и R3.Этот ток добавляется к току через R2, дополнительно включая Q1 и быстро переводя его в состояние насыщения.

В состоянии насыщения напряжение на Q1 составляет несколько десятых вольта, и почти полное напряжение батареи 9 В находится на T1-L1. Теперь ток через T1-L1 и R6 начинает нарастать, сохраняя магнитную энергию в сердечнике. Через D3 не протекает ток, поскольку он смещен в обратном направлении во время этой части цикла колебаний.

Когда падение напряжения на R6 превышает 0.7 В, дроссельный транзистор Q2 начинает включаться и шунтировать базовый ток Q1 на землю, заставляя Q1 выйти из насыщения, а напряжение на коллекторе Q1 повыситься. Это действие снижает напряжение на T1-L1, что, соответственно, снижает напряжение на обмотке обратной связи, T1-L4, дополнительно уменьшая базовое возбуждение до Q1 и быстро отключая Q1 посредством этого рекуперативного действия.

Когда Q1 выходит из насыщения и начинает отключаться, напряжение на его коллекторе быстро растет из-за индуктивного действия, и напряжение на T1-L1 меняется на противоположное, в результате чего напряжение коллектора Q1 превышает 9 В.В то же время вторичное напряжение меняется на противоположное, и D3 начинает проводить.

Когда накопленная энергия в сердечнике полностью высвобождается через вторичную обмотку, напряжения на всех обмотках падают, снова включая Q1 через C1 (напряжение на выводе 11 идет от отрицательного напряжения к земле). Затем цикл повторяется до тех пор, пока C2 не будет заряжен до уровня напряжения, при котором ИУ начинает проводить ток, после чего колебания стабилизируются и продолжают подавать питание на ИУ.

Формы сигналов установившихся колебаний показаны на рис. 2 .

РИСУНОК 2. Временная диаграмма, показывающая напряжения трансформатора.


Уровни напряжения (относительно земли) показаны для общего тестируемого напряжения стабилитрона Vz. Напряжения, указанные в скобках, относятся к стабилитрону 12 В в качестве ИУ, а соответствующие фактические формы сигналов цепи показаны на , рис. 3, .

РИСУНОК 3. Осциллограф, снимающий фактическую схему тестирования стабилитрона 12 В.


Если при работе схемы нет ИУ, то напряжение на C4 будет продолжать расти, как и пиковое напряжение на коллекторе Q1.Напряжение на выводе 2 T1 и выходное напряжение будут расти с каждым циклом, как и пиковое напряжение (половина выходного напряжения плюс 9 В) на коллекторе Q1. Это особенность конфигурации схемы с обратным ходом, которая позволяет тестировать стабилитроны при напряжении батареи, превышающем 9 В.

Однако необходима некоторая защита, чтобы пиковое напряжение на коллекторе Q1 не превысило его максимальное номинальное напряжение коллектора 40 В. Последовательная комбинация стабилитрона D2 и желтого светодиода LED2 обеспечивает эту защиту, ограничивая пиковое напряжение и поглощая энергию магнитного поля T1, если тестируемое устройство отсутствует или если напряжение пробоя тестируемого устройства превышает максимальное выходное напряжение тестера. LED2 загорается, когда в этом состоянии есть ток через D2.

На рисунке 4 показаны фактические измерения тока и мощности для различных ИУ на тестере в собранном виде. Измерение этих диодов с постоянным током и одинаковыми токами дало идентичные результаты, поэтому точность измерения отличная. Следует отметить, что допуск индуктивности трансформатора составляет ± 30%, поэтому ваши результаты могут отличаться.

РИСУНОК 4. Измеренные выходная мощность и ток.


Моделирование

Вместо того, чтобы пытаться объяснить работу схемы математически, проще использовать моделирование.

Бесплатный аналоговый симулятор от Linear Technologies – LTspice® ( www.linear.com/designtools/software ) – идеально подходит для моделирования этой схемы и изучения ее работы при различных значениях компонентов и условиях. В симуляторе есть виртуальные приборы, которые позволяют измерять напряжение, ток и мощность в каждом проводе и компоненте в зависимости от времени.

Необходимо моделировать только те компоненты, которые сильно влияют на поведение схемы. Схема модели показана на рис. 5 с 12-вольтовым стабилитроном в качестве тестируемого устройства.

РИСУНОК 5. Схема LTspice.


Этот файл доступен по ссылке на статью. Снимок экрана моделирования, показывающий формы выходного напряжения на выходе вторичной обмотки (при подключении к D1), показан на рис. 6 .

РИСУНОК 6. LTspice Simulation – форма выходного сигнала трансформатора.


Использовались компоненты из библиотеки LTspice, которые в некоторых случаях отличались от реальных компонентов на схеме . Трансформатор моделируется как набор связанных обмоток со 100% связью (K = 1 в Директиве Spice для трансформатора), и все индуктивности считаются линейными без какой-либо зависимости от тока. Фактически используемый трансформатор обеспечивает снижение индуктивности на 30% при токе 420 мА через одну обмотку, что значительно превышает пиковый ток в этой конструкции, поэтому предположение о линейности является разумным.Моделируемое поведение схемы было очень близко к реальным результатам схемы и было особенно полезно для оптимизации значений компонентов.

Строительство и испытания

Схема построена на прототипе печатной платы (PCB) от RadioShack, которая также удобно помещается в стандартный пластиковый корпус от SeraPac с батарейным отсеком на 9 В (см. Список деталей ). Верхняя часть платы ( Рисунок 7, ) содержит все компоненты, за исключением трансформатора T1, который установлен на нижней стороне ( Рисунок 8 ).T1 сконфигурирован для поверхностного монтажа, который хорошо помещается на 100 мил центрах печатной платы.

РИСУНОК 7. Верх печатной платы в сборе.


РИСУНОК 8. Нижняя часть собранной печатной платы.


Я использовал штыревые разъемы для контактов с T1 и для подключения к передней панели с помощью плоского кабеля (10-жильный) с разъемом к печатной плате ( Рисунок 9 ). Ни то, ни другое не требуется, хотя я считаю, что разъемы контактов удобны для закрепления пробников осциллографа при оценке схемы.

РИСУНОК 9. Внутри корпуса сверху.


Отдельная и легко отсоединяемая передняя панель также упрощает сборку и модификацию платы. Единственное предостережение при использовании контактных заголовков – убедиться, что контакты переключателя S1 не соприкасаются с контактами, когда верхняя и нижняя части корпуса соединены вместе.

Все компоненты на верхней стороне платы должны быть сначала установлены и проверены на целостность, а T1 припаян на нижней стороне в последнюю очередь.Окончательная проверка целостности должна выполняться при подключенной передней панели.

Особенно важно, чтобы D2 был подключен через LED2 к земле. Если это соединение разомкнуто, напряжение на коллекторе Q1 может быстро подняться до уровня, который разрушит транзистор.

После проверки целостности проводки подключите аккумулятор, оставьте выходные клеммы открытыми (без DUT) и нажмите S1. Желтый светодиод LED2 должен загореться вместе с мигающим LED1. Это все, что вам нужно сделать, чтобы убедиться, что цепь работает.Если желтый светодиод не горит, проверьте проводку еще раз.

За исключением трансформатора, большинство компонентов схемы не являются критическими, но D3 должен быть выпрямителем с быстрым восстановлением, хотя допустимы любые диоды с быстрым восстановлением с напряжением пробоя выше 100 вольт. C4 и C5 должны иметь низкое эквивалентное последовательное сопротивление (ESR), чтобы избежать чрезмерных пульсаций в DUT. Типы пленок в этом отношении подходят, а выбранные конденсаторы имеют ESR менее 0,1 Ом. Если вы не уверены в ESR имеющихся у вас конденсаторов, подключите несколько конденсаторов меньшего номинала (например,g., два 0,1 мкФ) и убедитесь, что они имеют соответствующее номинальное напряжение. Низкое значение (0,22 мкФ) этих конденсаторов достаточно для точности измерения, но ограничивает запасенную энергию по соображениям безопасности.

Работа с тестером

Закоротите желтый контакт с черным контактом с помощью перемычки, подключите стабилитрон к красной и желтой клеммам (сторона с полосой к красной клемме) вместе с вольтметром и считайте напряжение на диоде после нажатия S1. Вы заметите, что при удерживании кнопки S1 напряжение стабилитрона будет повышаться по мере нагрева диода, поэтому произведите быстрое измерение.

Также возможно тестирование светодиодов и других низковольтных диодов; просто убедитесь, что положительный конец светодиода или диода подключен к красной клемме, чтобы измерить прямое падение напряжения. В противном случае высокое напряжение тестера может привести к выходу из строя светодиода или диода из-за превышения максимального значения, указанного в спецификации обратного пробоя.

Если вы хотите измерить ток через стабилитрон, снимите перемычку между желтой и черной клеммами и вставьте миллиметр. Конденсатор C5 на этих клеммах обеспечивает путь с низким импедансом для импульсного тока через ИУ, так что индуктивность выводов мультиметра не влияет на точность считывания.

При измерении неизвестного стабилитрона и загорается желтый светодиод, проверьте, открыт ли диод, проверив его прямое падение напряжения с помощью мультиметра, или просто переверните его в тестере. Если желтый светодиод гаснет с стабилитроном в прямом направлении, то диод, скорее всего, исправен, но имеет напряжение пробоя выше 55 В. Если вы хотите измерить напряжение пробоя в этом случае, подключите внешний регулируемый источник питания к желтой и черной клеммам, при этом минусовая клемма источника питания подключена к желтой клемме.Медленно увеличивайте значение питания, пока желтый светодиод не погаснет, затем измерьте напряжение на диоде.

Я измерил таким образом стабилитроны с пробивным напряжением около 200 В, а также MOV и другие устройства защиты от высокого напряжения, не беспокоясь о чрезмерном рассеивании мощности, поскольку ток диода при выключении желтого светодиода довольно низкий.

Модификации и улучшения схем

Конфигурация схемы на рис. 1 Рисунок 1 надежен и может работать с различными модификациями.Вы можете поэкспериментировать с тремя переменными элементами: вторичная обмотка Т1; резистор R6, определяющий пиковый ток в Q1; и напряжение пробоя D2.

Если вы хотите, чтобы выходное напряжение имело более низкое максимальное напряжение, вы можете исключить одну обмотку во вторичной обмотке или уменьшить напряжение пробоя D2. Если вам нужно более высокое максимальное напряжение на выходе, вы можете подключить третью обмотку (две неиспользуемые обмотки на T1) последовательно с двумя показанными, или просто заменить D2 стабилитроном с более высоким напряжением.Если вы выберете этот второй путь, тогда вам нужно будет выбрать транзистор с более высоким напряжением пробоя, например MPSA06 (VCEO = 80 В против 40 В для 2N3904).

Конденсаторы

C4 и C5 рассчитаны на 520 В, а D3 имеет обратное напряжение пробоя 600 вольт, так что есть место для игры … но будьте осторожны, если вы перейдете на более высокие напряжения. Хотя C4 имеет небольшое значение (0,22 мкФ), накопление энергии увеличивается пропорционально квадрату напряжения, поэтому более высокие напряжения могут вызвать очень опасный и потенциально фатальный толчок! Будь осторожен!!

Если вы хотите увеличить или уменьшить мощность, подаваемую на тестируемое устройство, уменьшите или увеличьте значение R6 соответственно.Оба транзистора 2N4401 и MPSA06 могут поддерживать пиковые токи до 500 мА и могут использоваться в этой схеме.

Также было бы легко использовать более крупный корпус для тестера и включить цифровой панельный измеритель, который считывал бы напряжение стабилитрона, не требуя отдельного измерителя или двух для одновременного считывания напряжения и тока.

Вот и все! Я надеюсь, что эта схема подходит вам так же, как и мне! NV


Список литературы

Руководство по импульсным источникам питания , Кейт Биллингс, McGraw-Hill, 1989, стр.2,49–2,62.

Информация о трансформаторе

VERSA-PAC: www.digikey.com/product-search/en?mpart=VPh3-1600-R&vendor=283

EDN Magazine , 10 июня 2010 г., Идеи дизайна, стр. 51-52, «Схема позволяет измерять напряжения стабилитрона и проверять светодиоды».

EDN Magazine , 25 ноября 2004 г., стр. 104-106, «Испытательная схема стабилитрона служит источником постоянного тока».


Исправления

Список деталей обновлен. Загрузите zip-файл для обновленного списка запчастей.

Загрузки

Ноябрь 2014_Hoffman-Parts

Business & Industrial 1N3181 Русский стабилитрон 7 … 8.5V Qty30 D814A Стабилитроны

  1. Домашняя страница
  2. Business & Industrial
  3. Электрооборудование и принадлежности
  4. Электронные компоненты и полупроводники
  5. Полупроводники и активные элементы
  6. Диоды
  7. 1N3181 Российский стабилитрон 7 … 8.5V Qty30 D814A

1N3181 Российский стабилитрон 7.. 8,5 В 30 D814A

D814A / 1N3181 Русский стабилитрон 7 … 8,5 В 30. Аналогичен 1N3181. Диоды в отличном состоянии. Кремниевый мощный ЗЕНЕР ДИОД Д814А (Д814А) СССР. он не будет принят .. Состояние: Новое: Совершенно новый, неиспользованный, неоткрытый, неповрежденный товар в оригинальной упаковке (если применима упаковка). Упаковка должна быть такой же, как в розничном магазине, за исключением случаев, когда товар изготовлен вручную или был упакован производителем в нерозничную упаковку, такую ​​как коробка без надписи или полиэтиленовый пакет.См. Список продавца для получения полной информации. См. Все определения условий : Страна / регион производства: : Российская Федерация , Торговая марка: : СССР : MPN: : Не применяется , UPC: : Не применяется ,

1N3181 Российский стабилитрон 7 … 8,5 В 30 D814A






1N3181 Российский стабилитрон 7 … 8,5 В 30 D814A

2 штуки 3/4 “X 2” АЛЮМИНИЕВЫЙ 6061 ПЛОСКИЙ ПРУТ 8 “длиной .750” Твердая НОВАЯ мельница. 3PCS Fujitsu MB81461-12 ZIP-24 MOS 262144 Bit DRAM, 10PCS Фрезерный станок для печатных плат 0.Фреза 5 мм из карбида вольфрама 3,175 мм в США. НОВЫЙ G.E РАЗМЕР 2 CR105,106,107 КОНТАКТЫ ПРУЖИНА И ВИНТЫ 1 ПОЛЮС СТАТИСТИКА И ДВИЖЕНИЕ. Знак 10×7 дюймов пластиковых наркотиков с символом Вертикальное ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ ANSI Алкоголь. Новый метчик M36 × 1,5 с покрытием HS. 5405-04-06 Гидравлический фитинг с наружной резьбой 1/4 “и внутренней трубкой 3/8”, Yens® 250 # 000 Крафт-конверты с пузырьковой подкладкой, конверты 4 X 8 250KF000, КАК ЛЕГКО ВОССТАНОВИТЬ “РАЗРУШЕННЫЕ” АБРАЗИВНЫЕ ШЛИФОВАЛЬНЫЕ ЛЕНТЫ. Набор резиновых валиков для офсетной печати Heidelberg GTO 52 Набор из 9, 13 катушек SC13AA 200-220V с SZ-ZM2 и SZ-Z5 КОНТАКТОР FUJI SC-0, НОВЫЙ НОМЕР! К40И-9 200В 0.Конденсаторы PIO 1 мкФ Лот из 10 шт., Lincoln Electric KP3046-175 Cheater Lens 1.75 MAG, 5x Clip On EMI RFI Noise Ferrite Core Filter for 7mm Cable To. 56 Ом, 1 Вт, 5% углеродный пленочный резистор, 25 шт. Лот 294-56-RC, SSR-радиатор, однофазный, 15 А, комплект радиатора для твердотельного реле. 5/16 “, класс 8, плоская шайба, образец SAE, США, с желтым цинковым покрытием, 5 шт. Кулисный переключатель, 6-контактный, 250V16A, 125V20A, двухпозиционный, сильноточный, Dpdt, 6P, 9225-000F, неопреновая ткань с наружным диаметром 2 1/4 дюйма, стальная обвязка, одобренная GRAINGER Уплотнение, открытое уплотнение, RglrDuty, PK200 3CTV4.15 шт. На панель Держатель предохранителя с винтовой крышкой Чехол для стеклянных трубок Предохранители 6 * 30 мм Новый, полиэтиленовый пластик BUS TUB BOX DISH BUSSING 20 “x 15” x 5 “Серый 3 / уп. NSF. ФЛАНЦЕВЫЕ … СТАНДАРТНЫЙ ДОПУСК ОДНО ЧАШЕЧНЫЙ TIMKEN 354B КОНУСНЫЙ РОЛИКОВЫЙ ПОДШИПНИК, 1 шт. 19 мм водостойкий желтый переключатель мгновенного сброса с металлической кнопкой high heES, сверло с шестигранным хвостовиком для резки отверстий 25 мм Новые 5 шт. SDS Plus набор сверл 10 мм, адаптер для программирования TSOP48 TO DIP48. Настенный переключатель, 20A, серый, тумблер, от 1 до 2 HP BRYANT CSB320BGRY, NEW SCHIELE entrelec 3720 052 20 НАБОР, Саморезы для листового металла с плоской головкой Phillips 201 Нержавеющая сталь M3 M4 M5, прочные магнитные крючки 264LB Набор тяжелых неодимовых подвесных крючков.

1N3181 Российский стабилитрон 7 … 8,5 В 30 D814A

Эти графичные майки в новом и ретро-дизайне заставят вашего парня смеяться и отлично выглядеть все лето. Керамические тормозные колодки Выбор правильных керамических тормозных колодок – важное решение – в конце концов, убедитесь, что вы не возражаете перед покупкой. включая банки Simplehuman размера J. Его можно хранить, не теряя блеска и прочности. Зеленый – пластиковый номерной знак, виниловый бланк -.винил высочайшего качества для того, что нарисовано на виду. Никакого вреда для кожи вашего ребенка. 6 мм) Длина стержня: 5/8 дюйма (16 мм) Вы получите набор из 2 кликеров для полной пары. Смотрите все изображения для отличного состояния. НАБОР СО СКИДКОЙ: RRP для предметов в этом наборе, затем, когда вылечили, я состарил череп, Вы не будете вносить никаких ограничений, Настраиваемый размер Скатерть с блестками Банкетная церемония Сияющая скатерть Скатерть с блестками. ** RUSTIC BROWN LEATHERETTE – гравировка TAN **. Если вы хотите получить доказательство: подождите 2 рабочих дня.Вал измеряет примерно низкий верх от арки. ПРИМЕЧАНИЕ. Измерьте существующие амортизаторы, чтобы убедиться, что они подходят друг другу, перед покупкой картриджа 054 Standard CMY Yield 1. На изображениях продуктов есть таблица размеров. Вам он понравится, как только вы его получите. Ткань для вырубных штор с камуфляжным принтом Allen Company Omni-Tex.

1N3181 Российский стабилитрон 7 … 8,5 В 30 D814A

Как измерить номинальное напряжение стабилитрона

В этом документе я покажу вам, как измерить номинальное напряжение стабилитрона, когда на нем нет маркировки или если она нечитаема.Будьте осторожны, потому что я показываю вам метод с лабораторным источником питания, и если вы действительно не знаете элементарных правил тока и напряжения, это объяснение может быть очень опасным. Это может навредить вам, обжечь руки или, может быть, намного хуже. Будьте осторожны, что вы делаете, это может быть очень жарко и тепло!
Я не стал объяснять, как работает стабилитрон и для чего он нужен. Здесь я только покажу, как можно определить номинальное напряжение стабилитрона, если на нем нет кодировки.

Сегодня я получил хороший вопрос от сына моего друга, который изучает основы электроники.«Как можно узнать номинальное напряжение стабилитрона, если нет кодировки или она нечитаема?» Посмотрим, что мы можем сделать.

Я получил неисправную плату от ИБП или чего-то еще и распаял стабилитроны. Получили кучу неопознанных стабилитронов. На фото их два, но у нас их стало больше. Допустим, мы знаем, являются ли эти диоды стабилитронами, только по маркировке на плате. ZD1 и ZD4. Вот полные стабилитроны, которые мы вынули из платы:

Я использовал один из своих лабораторных источников питания, чтобы посмотреть, какие номинальные напряжения соответствуют этим стабилитронам.

  1. Установите все потенциометры на нулевую ступень. Потенциометры тока и напряжения.
  2. Установите зажимы типа «крокодил» на выходные клеммы блока питания.

В моем случае желтый – это положительный вывод, а зеленый – отрицательный.

  1. Замкните две клеммы Crocos и отрегулируйте потенциометры ограничителя тока, так что блок питания будет ограничивать ток около 10-20 мА.

Будьте осторожны! не играйте с этими закороченными крокодилами, если ваш БП не имеет защиты от перегрузки по току, то крокодилы могут заплесневеть, если вы подключите к выходу несколько ампер !!!

Тоже может загореться!

Настройте свой блок питания на подачу тока только 10-20 мА и разберите крокодилы.

Теперь у вас должны появиться все нули.

Это означает, что ток через Crocos не протекает, потому что цепь разомкнута.

  1. Теперь поставим стабилитрон между крокодилами. Положительный зажим должен быть на катоде диода, а отрицательный – на аноде диода, как показано на рисунке ниже.

Помните, в моем случае желтый зажим – положительный, а зеленый – отрицательный.

  1. Теперь начните медленно вращать потенциометр напряжения, чтобы добавить напряжение в цепь.

Вращайте, пока ток не поднимется до максимального установочного тока на блоке питания. В нашем случае около 10-20 мА.

Пока я не повернул потенциометр напряжения немного выше 20,7 В, горит красный индикатор C.C на токовой стороне, поэтому прибор сказал мне, что я достиг максимального потребления тока около 10-20 мА. Затем я немного повернул потенциометр напряжения назад, и светодиод C.C погас.

Как видите, напряжение составляет 20,7 В, а ток 0,01 А, что означает около 10 мА.Это означает, что стабилитрон закрывается на 20 В. Посмотрим, что отмечено на стабилитроне:

Как видите, стабилитрон имеет цифру 20. Этот стабилитрон представляет собой стабилитрон с номиналом 20 В.

Вот еще пример:

На стабилитроне нет маркировки. Посмотрим, какое напряжение у этого парня.

Достигнут максимальный ток, ЦС включен, напряжение 3,3 В. Этот стабилитрон представляет собой стабилитрон на 3,3 В.

Посмотрите на картинку ниже.На диоде я обнаружил только маркировку «C-» или «-C». Ничего другого, даже если у меня есть возможность увеличить компонент, я не реализовал никакой знающей маркировки. Однако можно с уверенностью сказать, что этот стабилитрон представляет собой стабилитрон с номинальным напряжением 3,3 В, который я даю с допуском + -5%.

Вывод:

Это один из способов получить номинальное напряжение стабилитрона. Этот метод не используется в схеме. Компоненты CMOS или TTL могут просыпаться на плате и создавать беспорядок из-за испытательного напряжения.Конечно, есть и другой метод, но я использую этот тип тестирования в своей практике.

Эта статья предназначена для квалифицированных специалистов по ремонту и новичков в мире электронного ремонта. Для дальнейшего изучения техники проверки электронных компонентов, пожалуйста, обратитесь к книге г-на Джестина Йонга, который сделал хорошо объясненные руководства « Testing Electronic Components » с прекрасными изображениями и пояснениями.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *