Переключательный мощный высоковольтный n-p-n транзистор 2Т839А/ИМ
Срок доставки:
5 – 15 дней
Цена:
По запросу
Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный транзистор 2Т839А/ИМ предназначен для использования в схемах вторичных источников электропитания, высоковольтных ключевых схемах, а также других узлах и блоках аппаратуры специального назначения.
Основное назначение транзистора – использование в схемах источников питания, высоковольтных ключевых схемах и других схемах аппаратуры специального назначения. Значение собственной резонансной частоты элементов конструкции транзистора 10,3 кГц. Допустимое значение статического потенциала 2 000 В. 95-процентный ресурс транзистора Т в режимах и условиях, допускаемых ТУ, 50 000 ч. 95-процентный ресурс транзистора Т в облегченных режимах и условиях – 100 000 ч.
Транзистор пригоден для монтажа в аппаратуре методом пайки паяльником. Температура припоя не выше 265 С. Время пайки не более 4 с. Время лужения 2 с. Допустимое число перепаек выводов транзистора при проведении монтажных (сборочных) операций не более трех. Расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) не менее 5 мм. При распайке температура корпуса не должна превышать 125 С. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С.
Особенности
- Категория качества ВП.
- Напряжение коллектор-база 1500 В.
- Ток коллектора 10 А.
- Мощность коллектора 65 Вт.
Обозначение технических условий – АЕЯР.432140.254 ТУ. Корпусное исполнение – металлостеклянный корпус КТ-9 (ТО-3).
Конструктивные требования
- Масса транзистора не более 20 г.
- Показатель герметичности транзистора не более 5 ·10-4 л·мкм рт.ст/с.
- Значение растягивающей силы, направленной вдоль оси вывода, не более 20 (2,00) Н (кгс).
- Минимальное расстояние от корпуса до места пайки выводов 5 мм.
| Наименование | Буквенное обозначение | Норма | Температура среды, корпуса, С | |
| не менее | не более | |||
| Обратный ток коллектора, мА (UКБ = 1 500 В) | IКБО | – | 0,2 | 25±10 |
| Обратный ток коллектора, мА (UКБ = 1 100 В) | IКБО | – | 1,0 | 125±5 |
| Обратный ток коллектора, мА (UКБ = 1 100 В) | IКБО | – | 1,0 | 60±3 |
| Обратный ток эмиттера, мА (UЭБ = 5 В) | IЭБО | – | 10 | 25±10 |
| Статический коэффициент передачи тока (UКЭ = 10 В, IК = 4 А, tи 300 мкс, Q 50)* | h31Э | 5 | 25±10 | |
| Граничное напряжение, В (IК = 100 мА, L = 40 мГн) | UКЭО гр | 700 | – | 25±10 |
| Время спада, мкс (IК = 5 А, IБ1 = IБ2 = 1,8 А, UКЭ = 500 В, tИ1 = tИ2= 50 мкс) | tсп | 1,5 | – | 25±10 |
* В схеме с общей базой: UКБ = 9,0 В, IЭ = 4,8 А. | ||||
Переключательный мощный высоковольтный n-p-n транзистор 2Т845А/ИМ
Срок доставки:
5 – 15 дней
Цена:
По запросу
Кремниевый планарный переключательный мощный n-р-n транзистор “2Т845А/ИМ” в металлостеклянном корпусе предназначен для использования в схемах вторичных источников электропитания, высоковольтных ключевых схемах, а также других узлах и блоках аппаратуры специального назначения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от – 60 до 125 С.
Особенности
- Категория качества ВП.
- Напряжение коллектор-эмиттер 400 В.
- Ток коллектора 5 А.
- Мощность коллектора 50 Вт.
- Коэффициент передачи тока 15 …100
Обозначение технических условий – АЕЯР.432140.255 ТУ. Корпусное исполнение – металлостеклянный корпус КТ-9 (ТО-3).
Требования надежности
Минимальная наработка транзистора Тн.м. в режимах и условиях, допускаемых ТУ, должна быть не менее 25 000 ч, а в облегченных режимах (РК max = 0,7 РК max; Ткор = 100 С, Тпер = 125 С) – 50 000 ч. Гамма – процентный срок сохраняемости Тс транзистора при = 99,5 % при хранении в упаковке изготовителя в условиях отапливаемых хранилищ, хранилищ с кондиционированием воздуха по ГОСТ В 9.003, а также вмонтированных в защищенную аппаратуру или находящихся в защищенном комплекте ЗИП во всех местах хранения, должен быть не менее 25 лет. Значения Тс в условиях, отличных от указанных в зависимости от мест хранения, приведены в таблице 2 ГОСТ В 28146.
Конструктивные требования
- Масса транзистора не более 20 г.
- Показатель герметичности транзистора не более 5 ·10-4 л·мкм рт.ст/с.
- Значение растягивающей силы, направленной вдоль оси вывода, не более 20 (2,00) Н (кгс).
- Минимальное расстояние от корпуса до места пайки выводов 5 мм.
Условия эксплуатации
Расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) не менее 5 мм. При распайке температура корпуса не должна превышать 125 С. За температуру корпуса принимается температура любой точки основания транзистора диаметром не более 19 мм со стороны опорной плоскости. Допускаются другие режимы и условия пайки при обеспечении сохранения целостности конструкции и надежности транзистора, что должно подтверждаться проведением ресурсных испытаний на предприятии-потребителе. Не допускается прикладывать к выводам вращающих и изгибающих усилий. Транзистор необходимо применять с теплоотводом. Крепление транзистора к теплоотводу должно обеспечивать надежный тепловой контакт. Не рекомендуется эксплуатация транзистора при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во всем диапазоне температур. При конструировании схем следует учитывать возможность самовозбуждения за счет паразитных связей.
| Наименование | Буквенное обозначение | Норма параметра | |
| Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В (RБЭ = 10 Ом) | UКЭR mах | 400 | |
| Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер, В (RБЭ = 10 Ом) | UКЭR, и mах | 400 | |
| Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В | UЭБ mах | 4 | |
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А | IК mах | 5 | |
| Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А | IK,и max | 7,5 | |
| Максимально допустимый постоянный ток базы, А | IБ max | 1,5 | |
| Максимально допустимый импульсный ток базы, А | IБ,и max | 4 | |
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора1), Вт (при температуре корпуса не более 50 С) | РК mах | 50 | |
| Максимально допустимая температура перехода, °С | Тпер mах | 150 | |
| Тепловое сопротивление переход-корпус, °С/Вт | R пер-кор | 2 | |
1) При температуре корпуса более 50 °С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определяется по формуле: РКMАХ= (ТПЕР MAX ТКОР)/R ПЕР-КОР. | |||
38 наиболее часто используемых транзисторов с их выводами и характеристиками
2 комментария
Транзисторы являются одним из важнейших компонентов почти всех электронных схем. Транзистор — это в основном полупроводниковое устройство, которое в основном используется для усиления или переключения электронных сигналов и электроэнергии. Он состоит из полупроводникового материала и в целом делится на две категории — транзисторы PNP и NPN. С 3 клеммами, когда на одну пару клемм транзистора подается напряжение или ток, он управляет током через другую пару клемм. В зависимости от тока или напряжения, подаваемого на первый набор клемм (вход), ток или напряжение на другой паре клемм могут быть равны нулю или превышать входной ток или напряжение. Таким образом, он работает как переключатель или усилитель.
Транзисторы широко используются в электронных схемах, поэтому разработчики выбирают подходящий транзистор для своих нужд в зависимости от номинального тока и напряжения транзисторов.
Вот список самых популярных транзисторов, представленных на сайте component101.com, где представлены распиновка, спецификации и подробный анализ этих транзисторов. Чтение этих статей поможет вам понять основную концепцию транзисторов и то, чем они отличаются друг от друга, и как выбрать один из них при разработке собственной схемы.
- 2SA1943 PNP POWER TRANSISTOR
- TIP32C PNP POWER TRANSISTOR
- BD139 MEDIUM POWER NPN TRANSISTOR
- SS9014 BIPOLAR NPN TRANSISTOR
- S8550 PNP TRANSISTOR
- BC857 PNP TRANSISTOR
- 2SC945 BIPOLAR NPN TRANSISTOR
- BC549 NPN TRANSISTOR
- FGA25N120ANTD 1200V NPT TRENCH IGBT
- KSA1220 PNP ТРАНЗИСТОРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ
- 2N6107 PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР
- BD136 PNP ТРАНЗИСТОР СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ
- KSP2222A NPN TRANSISTOR
- 2N2219 NPN TRANSISTOR
- 2N5306 NPN DARLINGTON TRANSISTOR
- PCR406 SENSITIVE GATE THYRISTOR
- 2N5088 NPN TRANSISTOR
- 2N4401 NPN TRANSISTOR
- A1015 PNP TRANSISTOR
- S8050 NPN TRANSISTOR
- IRF1010E N-CHANNEL POWER MOSFET
- BC558 PNP ТРАНЗИСТОР
- SL100 NPN ТРАНЗИСТОР МАЛОЙ МОЩНОСТИ
- TIP31C NPN СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР
- BC548 NPN ТРАНЗИСТОР
- BS170 N-CHANNEL MOSFET
- TYN612 THYRISTOR
- 2N5551 NPN AMPLIFIER TRANSISTOR
- TIP122 DARLINGTON NPN TRANSISTOR
- 2N3906 PNP TRANSISTOR
- MPSA42 NPN TRANSISTOR
- 2N2222A NPN TRANSISTOR
- IRF540N N-CHANNEL MOSFET
- 2N2907 BIPOLAR PNP TRANSISTOR
- 2N7000 N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор
- 2N3904 NPN ТРАНЗИСТОР
- BC557 PNP ТРАНЗИСТОР
- BC547 ТРАНЗИСТОР
Источник: https://1components010003
2 комментария
D882 NPN Транзистор TO-126 Корпус
- Описание продукта
- ИНФОРМАЦИЯ О ПРОДУКТЕ
- информация о доставке
- Перевозка и доставка
Описание продукта
D882 NPN Транзистор TO-126 Упаковка
2SD882 — транзистор общего назначения, обладающий достаточно высокими характеристиками.
и электронные проекты для любителей. D882 можно использовать для самых разных целей коммутации и усиления. 2SD882 можно использовать в различных приложениях. Например, его можно использовать в цепях питания, цепях регулятора напряжения, цепях зарядного устройства, приводных двигателях, переключении любой нагрузки до 3 А и т. д. Помимо вышеперечисленных приложений, он также будет работать при использовании для усиления аудиосигналов и может может использоваться в небольших аудиоусилителях, выходных каскадах цепей приемника, цепях звонка, связанных со звуком цепях и т. д. Этот продукт известен как BD676, BD676 Кремниевые транзисторы Дарлингтона средней мощности PNP, транзистор BD676, биполярный транзистор средней мощности, компонент, D882 Транзистор NPN, транзистор D882, транзистор средней мощности, транзистор
Характеристики/характеристики:
- Тип транзистора: NPN
- Максимальный ток коллектора (IC): 3A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCE): 30 В
- Максимальное напряжение коллектор-база (VCB): 40 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 В
- Максимальное рассеивание коллектора (ПК): 10 Вт
- Макс. частота перехода (fT): 90 МГц
- Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (hFE): 60–400
- Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -55 до +150 по Цельсию
- Тип упаковки: ТО-126
частота перехода (fT): 90 МГцПрименение:
- Драйвер реле
- Аудиоусилитель
- Коммутация нагрузки до 3А
- Пары Дарлингтона
В комплект поставки входят:
1 x D882 NPN транзистор TO-126 Упаковка
Спецификация: D882 NPN транзистор
Доставка и доставка
Мы делаем все возможное, чтобы добраться до каждого уголка Индии, используя несколько лучших курьерских служб, работающих в стране, таких как Delhivery, DTDC, BlueDart, XpressBees, Ecom Express и т. д. согласно отзывам. для курьера-партнера на территории заказчика. Некоторые внутренние районы Индии, которые не покрываются этими курьерскими службами, покрываются нами через India-Post.
