Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб

Мощный полевой транзистор: Мощные полевые транзисторы: история, развитие и перспективы

0 Comments

Мощные полевые транзисторы 2П7160 АЕЯР.432140.374ТУ в металлостеклянных корпусах с приемкой ВП

Мощные переключательные МОП транзисторы с n-каналом используются в различных областях электронной техники: устройствах коммутации многоканальных систем, вторичных источниках питания, схемах управления электродвигателями, системах терморегулирования и приводах солнечных батарей, космических аппаратах и другой специальной аппаратуре.

Транзисторы обладают повышенной стойкостью к воздействиям спецфакторов.

МОП транзисторы изготавливаются в плоских металлостеклянных корпусах с планарными выводами КТ-97A, КТ-97B, КТ-97C. Масса транзистора в корпусе КТ-97A — 5 г, КТ-97B — 8,5 г, КТ-97C — 10 г.

Основные электрические параметры
Наимено­вание
изделия		Тип
корпуса		Покры­тие
кор­пуса		UСИ max,
B		IС max,
A		IС(И) max,
A		RСИ отк,
Ом		PС max,
Вт
2П7160А
2П7160А1		КТ-97CAu
Ni		3046700,006
(IС = 20 А, UЗИ = 12 В)		125
2П7160Б
2П7160Б1		КТ-97AAu
Ni		10020500,048
(IС = 15 А, UЗИ = 10 В)		75
2П7160В
2П7160В1		КТ-97BAu
Ni		20035700,080
(IС = 12 А, UЗИ = 10 В)		125
2П7160Г
2П7160Г1		КТ-97CAu
Ni		40023460,200
(IС = 10 А, UЗИ = 10 В)		150
2П7160Д
2П7160Д1		КТ-97CAu
Ni		50020460,230
(IС = 10 А, U
ЗИ = 10 В)		150
2П7160Е
2П7160Е1		КТ-97BAu
Ni		6035700,008
(IС = 15 А, UЗИ = 10 В)		150
2П7160Ж
2П7160Ж1		КТ-97AAu
Ni		10020500,036
(IС = 15 А, UЗИ = 10 В)		100
2П7160И
2П7160И1		КТ-97CAu
Ni		20035700,055
(IС = 12 А, UЗИ = 10 В)		150
2П7160К
2П7160К1		КТ-97CAu
Ni		60020460,270
(IС = 10 А, UЗИ = 10 В)		150

Каждый типономинал содержит две группы вариантов исполнения:

  • вариант исполнения в корпусах с покрытием на основе золота;
  • вариант исполнения в корпусах с покрытием на основе никеля (в окончании обозначения типономинала цифра «1».

Условное обозначение транзисторов при заказе и в конструкторской документации другой продукции:

Транзистор 2П7160А АЕЯР.432140.374ТУ.

Транзистор 2П7160А1 АЕЯР.432140.374ТУ.

Транзистор рекомендуется прижать к теплоотводу прижимом.

Рекомендуемый крутящий момент не более 28 Н·см для корпуса КТ-97А, не более 36 Н·смдля корпуса КТ-97В, не более 48 Н·см для корпуса КТ-97С.

Для улучшения теплового контакта рекомендуется наносить на нижнее основание корпуса транзисторов пасту типа КПТ-8 ГОСТ 19783-74.

Мощные полевые транзисторы-принцип работы, применение

Существует два главных основополагающих типа полевых (униполярных, управляемых напряжением) транзисторов, являющихся активными полупроводниковыми элементами, обладающими высокой мощностью – это n-канальные иp-канальные.

Первые из них применяются более часто и отличаются наибольшим диапазоном токов и напряжений. Кроме этих моделей производятся полевые транзисторы, управляемые сигналом логического уровня, они обладают ограничением по току и защелкой по напряжению.

Определение полевого транзистора

Транзистор полевого типа считается полупроводниковым прибором, в конструкции которого регулировка осуществляется измерением проводимости проводящего канала, благодаря использованию поперечного электрического поля.

Другими словами, он является источником тока, который управляется Uз-и. От параметра напряжения между затвором и истоком зависит проводимость канала. Помимо p–n – канальных транзисторов существует их разновидность с затвором из металла, который изолирован от канала кремниевым диэлектриком. Это МДП-транзисторы (металл – диэлектрик, (окисел) – проводник). Транзисторы с использованием окисела называются МОП-транзисторы.

Параметры, характеризующие полевой транзистор

  1. Ширина канала – расстояние между p-n-переходами W.
  2. Напряжение отсечки — напряжение на затворе при исчезновении каналов.
  3. Напряжение насыщения – с него начинается формирование пологой части ВАХ.
  4. Стоко-затворная ВАХ (вольт-амперная характеристика).

Рис. №1. Стоко-затворная ВАХ n-канального транзистора с

Ic= Icmax (I – Uзи / U0)2 , здесь Icmax стока.

  1. Крутизна определяется по формуле S = dI
    c     / dUзи(мА/В),что является следствием увеличенияU рабочего стока, при этом крутизна полевого транзистора становится меньше.
  2. Внутреннее сопротивление транзистора (дифференциальное сопротивление) rcсоставляет в пологой части характеристики несколько МОм.
  3. Лавинный пробой p-n-переходов возможен после повышения напряжения области стока и истока, что считается причиной ограничения применения полевого транзистора относительноUc.
  4. Коэффициент усиления относительно напряжения µu= srспри уменьшении величины тока стока коэффициент µuповышается.
  5. Инерционность полевого транзистора обуславливается временем,отводимым на заряд барьерной емкости переходов затвора.
  6. Полевой транзистор обладает граничной частотой для улучшения своих качественных частотных свойств.

Проводимость транзистора

Существует две разновидности проводимости – электронная и дырочная, это означает, что в основе работы лежит использование электронов и дырок. Транзистор с электронной проводимостью относится к n-канальным устройствам, p-канальные транзисторы обладают дырочной проводимостью.

Отличие полевых униполярных транзисторов от биполярных заключается в наличии значительно высокого значения величины входного сопротивления. Потребление электроэнергии полевыми транзисторами отличается значительной экономией.

Небольшие габаритные размеры МОП-транзисторах позволяет занимать очень малую площадь в конструкции интегральной схемы, в противоположность биполярным аналогам. Благодаря этому достигается значительно уплотненная компоновка элементов в интегральных схемах. Технология производства интегральной схемы на МОП-транзисторах затрачивает намного меньшее количество операций, чем технология производства ИС с применением биполярного транзистора.

Структура полевого транзистора

Основополагающий принцип работы, на котором осуществляется действие полевого транзистора с использованием управляющего p-n-перехода основывается на изменении проводимости канала, которая возможна благодаря изменению поперечного сечения. Сток и исток включают напряжение полярности, при котором главные носители заряда (ими являются электроны в канале n-типа) движутся от истока к стоку. В свою очередь, между затвором и истоком включается отрицательное напряжение, управляющее запиранием p – n–переходом.

Рис. №2. Структуры (а) полевых транзисторов с управляющим p—n-перехода и (б) структура транзистора с изолированным затвором.

При большем значении напряжения расширяется запирающий активный слой и канал становится уже. С уменьшением поперечного размера канала происходит увеличение сопротивления и уменьшение величины тока между стоком и истоком. Это действие позволяет управлять протеканием тока. При невысоком значении напряжения затвор  — исток происходит перекрытие канала запирающим слоем, что снижает проводимость канала. Ширина канала варьируется от нулевого значения  до отрицательных величин, иначе говоря, p-n-переходы затвора сдвигаются в обратном направлении, сопротивление увеличивается.

Напряжение на затворе после исчезновения канала и смыкании  p-n-перехода, определяется, как напряжение отсечки U0– это величина считается одной из основополагающих для всех  разновидностей полевых транзисторов.

Рис. №3. Структура полевого транзистора. Канал, расположенный между электродами стоком и истоком сформирован из слабообогащенного полупроводника

n-типа.

 

Сфера использования полевых транзисторов

Полевой транзистор является устройством, рассчитанным на большую мощность, характерным в конструкции регуляторов, конвертеров, драйверов, электродвигателей, реле и мощных биполярных транзисторов. Они применяются в конструкции зарядных устройств, автоэлектроники, устройствах управления температурным режимом, широкополосных и малошумящих усилителях в схемах зарядочувствительных предусилителей и прочее.  Для полевых транзисторов характерно наличие высокого входного сопротивления. Управление полевым транзистором производится непосредственно от микросхемы, без применения добавочных усиливающих каскадов.

Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то пропустил. Загляните на карту сайта, буду рад если вы найдете на моем сайте еще что-нибудь полезное.

Датчики на ионоселективных полевых транзисторах (FET) с модуляцией сильного поля с чувствительностью выше идеальной чувствительности Нернста

. 2018 29 мая; 8(1):8300.

doi: 10.1038/s41598-018-26792-9.

Йи-Тин Чен 1 , Инду Сарангадхаран 1 , Ревати Сукесан 1 , Чинг-Йен Сей 2 , Гэн-Йен Ли 3 , Джен-Инн Чии 3 , Ю-Линь Ван 4 5

Принадлежности

  • 1 Институт наноинженерии и микросистем, Национальный университет Цинхуа, Синьчжу, 300, Тайвань, Китайская Республика.
  • 2 Кафедра энергетического машиностроения, Национальный университет Цинхуа, Синьчжу, 300, Тайвань, Китайская Республика.
  • 3 Факультет электротехники, Национальный центральный университет, город Чжунли, округ Таоюань, 320, Тайвань, Китайская Республика.
  • 4 Институт наноинженерии и микросистем, Национальный университет Цинхуа, Синьчжу, 300, Тайвань, Китайская Республика. [email protected].
  • 5 Кафедра энергетического машиностроения, Национальный университет Цинхуа, Синьчжу, 300, Тайвань, Китайская Республика. [email protected].
  • PMID: 29844607
  • PMCID: PMC5974191
  • DOI: 10. 1038/с41598-018-26792-9

Бесплатная статья ЧВК

Йи-Тин Чен и др. Научный представитель .

Бесплатная статья ЧВК

. 2018 29 мая; 8(1):8300.

doi: 10.1038/s41598-018-26792-9.

Авторы

Йи-Тин Чен 1 , Инду Сарангадхаран 1 , Ревати Сукесан 1 , Чинг-Йен Сей 2 , Гэн-Йен Ли 3 , Джен-Инн Чии 3 , Ю-Линь Ван 4 5

Принадлежности

  • 1 Институт наноинженерии и микросистем, Национальный университет Цинхуа, Синьчжу, 300, Тайвань, Китайская Республика.
  • 2 Кафедра энергетического машиностроения, Национальный университет Цинхуа, Синьчжу, 300, Тайвань, Китайская Республика.
  • 3 Факультет электротехники, Национальный центральный университет, город Чжунли, округ Таоюань, 320, Тайвань, Китайская Республика.
  • 4 Институт наноинженерии и микросистем, Национальный университет Цинхуа, Синьчжу, 300, Тайвань, Китайская Республика. [email protected].
  • 5 Кафедра энергетического машиностроения, Национальный университет Цинхуа, Синьчжу, 300, Тайвань, Китайская Республика. [email protected].
  • PMID: 29844607
  • PMCID: PMC5974191
  • DOI: 10. 1038/с41598-018-26792-9

Абстрактный

Транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT) из AlGaN/GaN с покрытием из свинцово-ион-селективной мембраны (Pb-ISM) использовались для демонстрации совершенно новой методологии создания ионоселективных датчиков на полевых транзисторах, которые могут обеспечивать сверхвысокую чувствительность (-36 мВ/log [Pb 2+ ]), превосходя предел идеальной чувствительности (-29,58 мВ/log [Pb 2+ ]) в типичном уравнении Нернста для иона свинца. Значительно улучшенная чувствительность значительно снизила предел обнаружения (10 -10 М) для концентрации ионов свинца на несколько порядков по сравнению с типичным ионоселективным электродом (ИСЭ) (10 -7 М). Высокая чувствительность была получена за счет создания сильного поля между электродом затвора и каналом HEMT. Было проведено систематическое исследование путем измерения различной конструкции датчика и смещения затвора, указывающее на сверхвысокую чувствительность и сверхнизкий предел обнаружения, полученные только в достаточно сильном поле. Теоретическое исследование чувствительности последовательно согласуется с экспериментальными данными и предсказывает максимальную и минимальную чувствительность. Предел обнаружения нашего датчика сравним с пределом обнаружения масс-спектра с индуктивно-связанной плазмой (ИСП-МС), который также имеет предел обнаружения около 10 -10 М.

Заявление о конфликте интересов

Авторы заявляют об отсутствии конкурирующих интересов.

Цифры

Рисунок 1

AlGaN/GaN HEMT с высокопольным вентилем…

Рисунок 1

Высокопольный стробируемый датчик AlGaN/GaN HEMT. Схематическое изображение датчика AlGaN/GaN HEMT (…

Рисунок 1

Высокопольный стробируемый датчик AlGaN/GaN HEMT. Схематическое изображение датчика AlGaN/GaN HEMT ( a ) без ISM ( b ) с ISM. Электрические характеристики датчика AlGaN/GaN HEMT ( c ) без ISM ( d ) с ISM.

Рисунок 2

Характеристики AlGaN/GaN HEMT без…

Рисунок 2

Характеристики AlGaN/GaN HEMT без ISM. ( a ) Текущая характеристика усиления…

фигура 2

Характеристики AlGaN/GaN HEMT без ISM. ( a ) Реакция датчика на усиление тока при увеличении ионной силы тестового раствора. ( b ) Текущее усиление отклика датчика на увеличение концентрации свинца.

Рисунок 3

Характеристики селективных ионов свинца…

Рисунок 3

Характеристики HEMT, селективного к ионам свинца (Pb-ISHEMT). ( a ) Текущая характеристика усиления…

Рисунок 3

Характеристики HEMT, селективного к ионам свинца (Pb-ISHEMT). ( a ) Текущая характеристика усиления Pb-ISHEMT во времени. ( b ) Текущая характеристика усиления Pb-ISHEMT для изменения pH тестового раствора.

Рисунок 4

Влияние зазора электрода затвора…

Рисунок 4

Влияние зазора электрода затвора и приложенного напряжения V g на коэффициент усиления по току. (…

Рисунок 4

Влияние зазора электрода затвора и приложенного напряжения V г по усилению тока. ( a ) Тестовая установка для оценки реакции датчика на различное приложенное электрическое поле. ( b — g ) Коэффициент усиления по току в зависимости от зазора для фиксированного V g .

Рисунок 5

Обнаружение ионов свинца с помощью Pb-ISHEMT…

Рисунок 5

Обнаружение ионов свинца с помощью Pb-ISHEMT и сравнение чувствительности. ( и ) Текущий…

Рисунок 5

Обнаружение ионов свинца с использованием Pb-ISHEMT и сравнение чувствительности. ( a ) Реакция на усиление тока для различных приложенных V g . ( b ) Текущая характеристика усиления для различных концентраций ионов свинца. ( c ) Эффективный V г применяется для различных концентраций ионов свинца.

Рисунок 6

Характеристики двойного электрического слоя…

Рисунок 6

Характеристики двойного электрического слоя с ISM и без него. Распределение заряда в AlGaN/GaN…

Рисунок 6

Характеристики двойного электрического слоя с ISM и без него. Распределение заряда в датчике AlGaN/GaN HEMT ( a ) без ISM ( b ) с ISM ( c ) Ток утечки электрода затвора Pb-ISHEMT.

См. это изображение и информацию об авторских правах в PMC

Похожие статьи

  • Мгновенное обнаружение ионов ртути в промышленных сточных водах с помощью микрочипа с использованием полевых транзисторов с удлиненным затвором и портативного устройства.

    Сукесан Р., Чен Ю.Т., Шахим С., Ван С.Л., Сарангадхаран И., Ван Ю.Л. Сукесан Р. и соавт. Датчики (Базель). 201913 мая; 19(9):2209. дои: 10.3390/s19092209. Датчики (Базель). 2019. PMID: 31086067 Бесплатная статья ЧВК.

  • Мультиплексное сверхчувствительное обнаружение ионов Cr(III) и Cr(VI) с помощью матрицы полевых транзисторов в жидкой среде.

    Шахим С., Сукесан Р., Сарангадхаран И., Ван Ю.Л. Шахим С. и др. Датчики (Базель). 2019 26 апреля; 19 (9): 1969. дои: 10.3390/s19091969. Датчики (Базель). 2019. PMID: 31035499 Бесплатная статья ЧВК.

  • Селективные датчики ртути(II) на основе транзисторов AlGaN/GaN.

    Асадния М., Майерс М., Ахаван Н. Д., О’Доннелл К., Умана-Мембрено Г.А., Мишра Великобритания, Ненер Б., Бейкер М., Пэриш Г. Асадния М. и соавт. Анальный Чим Акта. 2016 2 ноября; 943: 1-7. doi: 10.1016/j.aca.2016.08.045. Epub 2016 20 сентября. Анальный Чим Акта. 2016. PMID: 27769368

  • Датчики на основе транзисторов с высокой подвижностью электронов (GaN)/GaN на основе нитрида алюминия-галлия для обнаружения глюкозы в конденсате выдыхаемого воздуха.

    Чу Б.Х., Канг Б.С., Хун С.К., Чен К.Х., Рен Ф., Шиулло А., Гила Б.П., Пиртон С.Дж. Чу Б.Х. и др. J Diabetes Sci Technol. 2010 1 января; 4 (1): 171-9. дои: 10.1177/193229681000400122. J Diabetes Sci Technol. 2010. PMID: 20167182 Бесплатная статья ЧВК.

  • Высокочувствительные FET-датчики для обнаружения кадмия в одной капле сыворотки человека с помощью ручного устройства и исследования механизма обнаружения.

    Ван С.Л., Се К.И., Ву Ч.Р., Чен Д.К., Ван Ю.Л. Ван С.Л. и соавт. Биомикрофлюидика. 2021 12 апреля; 15 (2): 024110. дои: 10.1063/5.0042977. Электронная коллекция 2021 март. Биомикрофлюидика. 2021. PMID: 33868537 Бесплатная статья ЧВК.

Посмотреть все похожие статьи

Цитируется

  • Состояние и перспективы HEMT на основе гетеропереходов для биосенсоров следующего поколения.

    Фаузи Н., Мохд Асри Р.И., Мохамед Омар М.Ф., Манаф А.А., Каварада Х., Фалина С., Сямсул М. Фаузи Н. и др. Микромашины (Базель). 2023 27 января; 14 (2): 325. дои: 10.3390/ми14020325. Микромашины (Базель). 2023. PMID: 36838025 Бесплатная статья ЧВК. Обзор.

  • Плоские металлооксидные транзисторы с симметричным ионно-затворным управлением для высокочувствительной и низковольтной биоэлектроники.

    Kang J, Jang YW, Moon SH, Kang Y, Kim J, Kim YH, Park SK. Кан Дж. и др. Adv Sci (Вейн). 2022 май;9(13):e2103275. doi: 10.1002/advs.202103275. Epub 2022 3 марта. Adv Sci (Вейн). 2022. PMID: 35240004 Бесплатная статья ЧВК.

  • Десятилетний прогресс в области электрического обнаружения ионов тяжелых металлов (HMI) с использованием различных наносенсоров на полевых транзисторах (FET): обзор.

    Фалина С., Сямсул М., Раффор Н.А., Сал Хамид С., Мохамед Заин К.А., Абд Манаф А., Каварада Х. Фалина С. и др. Биосенсоры (Базель). 2021 25 ноября; 11 (12): 478. дои: 10.3390/биос11120478. Биосенсоры (Базель). 2021. PMID: 34940235 Бесплатная статья ЧВК. Обзор.

  • Моделирование и анализ производительности биосенсора траншейного затвора TFET с двойным источником с диэлектрической модуляцией.

    Чонг С., Лю Х., Ван С., Чен С. Чонг С и др. Nanoscale Res Lett. 2021 12 февраля; 16 (1): 34. doi: 10.1186/s11671-021-03486-2. Nanoscale Res Lett. 2021. PMID: 33576891 Бесплатная статья ЧВК.

  • Мгновенное обнаружение ионов ртути в промышленных сточных водах с помощью микрочипа с использованием полевых транзисторов с удлиненным затвором и портативного устройства.

    Сукесан Р., Чен Ю.Т., Шахим С., Ван С.Л., Сарангадхаран И., Ван Ю.Л. Сукесан Р. и соавт. Датчики (Базель). 2019 13 мая; 19(9):2209. дои: 10.3390/s19092209. Датчики (Базель). 2019. PMID: 31086067 Бесплатная статья ЧВК.

Просмотреть все статьи “Цитируется по”

Рекомендации

    1. Даффус Дж. Х. «Тяжелые металлы» — бессмысленный термин? (Технический отчет IUPAC) Чистая и прикладная химия. 2002; 74: 793–807. дои: 10.1351/pac200274050793. – DOI
    1. Шукла Г.С., Сингхал Р.Л. Современное состояние биологического действия токсичных металлов в окружающей среде: свинца, кадмия, марганца. Канадский журнал физиологии и фармакологии. 1984; 62: 1015–1031. дои: 10.1139/y84-171. – DOI – пабмед
    1. Fang HH, Xu LC, Chan KY. Воздействие токсичных металлов и химикатов на биопленку и биокоррозию. Исследования воды. 2002; 36: 4709–4716. doi: 10.1016/S0043-1354(02)00207-5. – DOI – пабмед
    1. Всемирная организация здравоохранения, Десять химических веществ, вызывающих серьезную озабоченность в области общественного здравоохранения, http://www.who.int/ipcs/assessment/public_health/chemicals_phc/en/ (2017).
    1. Settle DM, Паттерсон CC. Свинец в альбакоре: руководство по загрязнению свинцом у американцев. Наука. 1980; 207:1167–1176. doi: 10.1126/science.6986654. – DOI – пабмед

Оптимальная работа полевого транзистора для биохимических измерений с высоким разрешением

1. Vo-Dinh T and Cullum B, Fresenius J. Anal. Химия 366, 540 (2000). [PubMed] [Google Scholar]

2. Рапини Р. и Маррацца Г. Биоэлектрохимия. 118, 47 (2017). [PubMed] [Google Scholar]

3. Justino CIL, Duarte AC, and Rocha-Santos TAP, Sens. Switz 17, (2017). [Google Scholar]

4. Wen HW, in Handb. Food Chem (Springer Berlin Heidelberg, 2015), стр. 1103–1136. [Академия Google]

5. Cooper MA, Nat. Преподобный Друг Дисков 1, 515 (2002). [PubMed] [Google Scholar]

6. Xie LM, Nanoscale 7, 18392 (2015). [PubMed] [Google Scholar]

7. Jariwala D, Sangwan VK, Lauhon LJ, Marks TJ и Hersam MC, ACS Nano 8, 1102 (2014). [PubMed] [Google Scholar]

8. Choi W, Choudhary N, Han GH, Park J, Akinwande D, and Lee YH, Mater. Сегодня 20, 116 (2017). [Google Scholar]

9. Kim KK, Lee HS, and Lee YH, Chem. соц. 47, 6342 (2018). [PubMed] [Академия Google]

10. Ионеску А.М. и Риэль Х., Природа 479, 329 (2011). [PubMed] [Google Scholar]

11. Климов Н.Н., Le ST, Yan J, Agnihotri P, Comfort E, Lee JU, Newell DB, and Richter CA, Phys. Ред. В 92, 241301 (2015). [Google Scholar]

12. Le ST, Hagmann JA, Klimov N, Newell D, Lee JU, Yan J, and Richter CA, ArXiv1726 Cond-Mat (2019). [Google Scholar]

13. Huo N, Kang J, Wei Z, Li S-S, Li J, and Wei S-H, Adv. Функц. Мать 24, 7025 (2014). [Академия Google]

14. Wang F, Wang Z, Xu K, Wang F, Wang Q, Huang Y, Yin L, and He J, Nano Lett. 15, 7558 (2015). [PubMed] [Google Scholar]

15. Biacchi AJ, Le ST, Alberding BG, Hagmann JA, Pookpanratana SJ, Heilweil EJ, Richter CA и Hight Walker AR, ACS Nano 12, 10045 (2018). [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

16. Le ST, Guros NB, Bruce RC, Cardone A, Amin ND, Zhang S, Klauda JB, Pant HC, Richter CA и Balijepalli A, Nanoscale 11, 15622 (2019). [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

17. Le ST, Morris MA, Cardone A, Guros NB, Klauda JB, Sperling BA, Richter CA, Pant HC и Balijepalli A, Analyst 145, 2925 (2020). [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

18. Батлер С.З., Холлен С.М., Цао Л., Цуй Ю., Гупта Дж.А., Гутьеррес Х.Р., Хайнц Т.Ф., Хонг С.С., Хуан Дж., Исмач А.Ф., Джонстон-Гальперин Э. , Куно М., Плашница В.В., Робинсон Р.Д., Руофф Р.С., Салахуддин С., Шан Дж., Ши Л., Спенсер М.Г., Терронес М., Виндл В. и Голдбергер Дж.Е., ACS Nano 7, 2898 (2013). [PubMed] [Академия Google]

19. Guros NB, Le ST, Zhang S, Sperling BA, Klauda JB, Richter CA и Baljepalli A, ACS Appl. Матер. Интерфейсы 11, 16683 (2019). [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

20. Bhalla N, Jolly P, Formisano N, and Estrela P, Essays Biochem. 60, 1 (2016). [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

21. Schöning MJ и Poghossian A, The Analyst 127, 1137 (2002). [PubMed] [Google Scholar]

22. Parizi KB, Xu X, Pal A, Hu X и ​​Wong HSP, Sci. 7, 41305 (2017). [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

23. Лай Стефано, Виола Фабрицио, Коседду Пьеро и Бонфильо Аннализа, Sensors 18, 688 (2018). [Google Scholar]

24. Kaisti M, Biosens. Биоэлектрон 98, 437 (2017). [PubMed] [Google Scholar]

25. Lee CS, Kim S, and Kim M, Sensors 9, 7111 (2009). [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

26. Pfattner R, Foudeh AM, Chen S, Niu W, Matthews JR, He M, and Bao Z, Adv. Электрон. 5, 1800381 (2019). [Google Scholar]

27. Kiam Heong Ang G. Chong, and Yun Li, IEEE Trans. Система управления Технол 13, 559(2005). [Google Scholar]

28. Грасси Э. и Цакалис К., IEEE Trans. Система управления Технол 8, 842 (2000). [Google Scholar]

29. Herrán J, G Mandayo G, Ayerdi I, and Castaño E, Sens. Actuators B Chem 129, 386 (2008). [Google Scholar]

30. Herrán J, Mandayo GG, and Castaño E, Sens. Actuators B Chem 127, 370 (2007). [Google Scholar]

31. Bagsican FR, Winchester A, Ghosh S, Zhang X, Ma L, Wang M, Murakami H, Talapatra S, Vajtai R, Ajayan PM, Kono J, Tonouchi M, and Kawayama I, Sci. 7, 1 (2017). [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

32. Leis J и Buttsworth D, IEEE Trans. Инд. Электрон 65, 4338 (2018). [Google Scholar]

33. Jaiswal J, Sanger A, Tiwari P, and Chandra R, Sens. Actuators B Chem 127437 (2019). [Google Scholar]

34. Eisele I, Doll T, and Burgmair M, Sens. Actuators B Chem 78, 19 (2001). [Google Scholar]

35. Arnold D, Fuchs D, Wolff K, and Schäfer R, Appl. физ. Письмо 115, (2019). [Google Scholar]

36. Chiang JL, Jhan SS, Hsieh SC, and Huang AL, Thin Solid Films 517, 4805 (2009). ). [Google Scholar]

37. Yao PC, Chiang JL, and Lee MC, Solid State Sci. 28, 47 (2014). [Google Scholar]

38. Schitter G, Menold P, Knapp HF, Allgöwer F, and Stemmer A, Rev. Sci. Инструм 72, 3320 (2001). [Google Scholar]

39. Liu L, Shi J, Li M, Yu P, Yang T, and Li G, Small 14, 1803273 (2018). [PubMed] [Google Scholar]

40. Wu X, Hao Z, Wu D, Zheng L, Jiang Z, Ganesan V, Wang Y и Lai K, Rev. Sci. Инструм 89, (2018). [Google Scholar]

41. Dukic M, Todorov V, Andany S, Nievergelt AP, Yang C, Hosseini N, and Fantner GE, Rev Sci Instrum 88, 123712 (2017). [PubMed] [Академия Google]

42. Mandelis A, Rev. Sci. Инструм 65, 3309 (1994). [Google Scholar]

43. Sonnaillon MO и Bonetto FJ, Rev. Sci. инструмент 76, 024703 (2005). [Google Scholar]

44. de Graaf G and Wolffenbuttel RF, in 2012 IEEE Int. Инструм. Изм. Технол. конф. проц. (IEEE, Грац, Австрия, 2012 г.), стр. 1745–1749. [Google Scholar]

45. Harms P, Sipior J, Ram N, Carter GM, and Rao G, Rev. Sci. Инструм 70, 1535 (1999). [Google Scholar]

46. LeBoulluec P, Liu H, and Yuan B, Am. J. Phys 81, 712 (2013). [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

47. Stimpson GA, Skilbeck MS, Patel RL, Green BL и Morley GW, Rev. Sci. Инструм 90, 094701 (2019). [PubMed] [Google Scholar]

48. Д’Амико А., Де Марселлис А., Ди Карло С., Ди Натале С., Ферри Г., Мартинелли Э., Паолессе Р. и Сторнелли В., Sens. Actuators B Chem 144, 400 ( 2010). [Google Scholar]

49. Huang Geng, Zhang Chen, Cai Wang, Zahu, and Wang, Sensors 19, 3519 (2019). [Google Scholar]

50. Zhang S, Le ST, Richter CA, and Hacker CA, Appl. физ. Письмо 115, 073106 (2019 г.). [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

51. Hajzus JR, Biacchi AJ, Le ST, Richter CA, Hight Walker AR и Porter LM, Nanoscale 10, 319 (2018). [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

52. Wu T, Alharbi A, You KD, Kisslinger K, Stach EA и Shahrjerdi D, ACS Nano 11, 7142 (2017). [PubMed] [Google Scholar]

53.

Больше новостей

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *