N03N datasheet: Datasheet search site, Datasheet search site for Electronic Components and Semiconductors and other semiconductors.

Типовой Расчет 1, n=03, N=13, Разветвленная цепь постоянного тока по электротехнике » toeshop.ru

• Описание

Описание

Задание выполнено в соответствии с методическими указаниями для студентов МЭИ: МЕТОДИЧКА.

Схема, цифровые данные и количество страниц видны на изображениях в галерее.

Расчетное задание № 1

РАЗВЕТВЛЕННАЯ ЦЕПЬ ПОСТОЯННОГО ТОКА

Рабочее задание

1. Записать по законам Кирхгофа систему уравнений для определения неизвестных токов и ЭДС в ветвях схемы.
2. Определить ЭДС в первой ветви и токи во всех ветвях схемы методом контурных токов. Проверить выполнение законов Кирхгофа.
3. Для исходной схемы определить узловые потенциалы (относительно выбранного базового узла), используя найденные значения токов и ЭДС первой ветви и закон Ома для участка цепи.
4. Составить систему уравнений по методу узловых потенциалов для исходной схемы (базовый узел тот же, что при выполнении п. 3). Подставив найденные в п.3 значения узловых потенциалов, проверить выполнение системы узловых уравнений.
5. Составить баланс мощности.
6. Определить ток во второй ветви (R₂, E₂) методом эквивалентного генератора.
7. Определить входную проводимость второй ветви.
8. Определить взаимную проводимость второй ветви и k-ветви^*.
9. Определить величину и направление ЭДС, которую необходимо дополнительно включить:

а) во вторую ветвь,

б) в k-ветвь,

чтобы ток во второй ветви увеличился в два раза и изменил свое направление (при постоянстве всех остальных параметров схемы).

10. Найти и построить зависимость тока k-ветви от:

а) тока второй ветви

б) сопротивления второй ветви

(при постоянстве всех остальных параметров схемы).

11. Найти и построить график зависимости мощности, выделяющейся в сопротивлении R₂ при его изменении от 0 до ∞ и при постоянстве всех остальных параметров схемы.

^*k=1 для (N+n) – четных,  k=3 для (N+n) – нечетных,

где N – номер группы, n – порядковый номер, под которым фамилия студента записана в журнале группы.

 Методические указания

1. Номер схемы соответствует порядковому номеру, под которым фамилия студента записана в групповом журнале.
2. Числовые данные параметров схемы приведены в таблице и выбираются в соответствии с номером группы.
3. Окончательные результаты расчета п.п.2 и 3 должны быть получены для исходной схемы.
4. При выполнении п.5 режим холостого хода второй ветви используется для определения ЭДС эквивалентного генератора. При этом расчет токов в схеме, образовавшейся в результате разрыва второй ветви, следует выполнять методом узловых потенциалов с приведением схемы холостого хода к схеме с двумя узлами.

Пожалуйста, ознакомьтесь как защитить купленную работу.

10.

1.6. Рабочая камера диффузионной печи.

Схема рабочей камеры диффузионной печи приведена на рис. 10.

Рис. 10. Схема рабочей камеры диффузионной печи.

Собственно камера представляет собой кварцевую (или керамическую) трубу 1, снабжённую резистивными нагревателями 2 (3 секции с независимым регулированием температуры). Крайние секции поддерживают малый градиент температуры, обеспечивающий средней секции рабочую температуру до 1250°С с высокой точностью (до ±0,25°С). Именно в этой части камеры на кварцевом (или керамическом) держателе 3 располагаются обрабатываемые пластины 4, имеющие на рабочей поверхности оксидную маску. При выполнении загонки примеси или одностадийного процесса диффузии в камеру из внешнего источника непрерывно подаётся диффузант, представляющий смесь легирующей примеси (акцептор бор или донор фосфор) с транспортирующим газом (аргон).

При разгонке примеси в двухстадийном процессе в камеру непрерывно подаётся только аргон, поддерживающий чистоту рабочей зоны.

Побочные продукты процесса на выходе собираются специальными сборниками.

В зависимости от диаметра одновременно может обрабатываться до трёх десятков пластин. Технические характеристики диффузионной однозонной печи СДО-125/3-12 следующие:

Количество технологических труб, шт.	3
Диапазон рабочих температур, °С	700-1250
Диаметр рабочей трубы, мм	120
Диаметр обрабатываемых пластин, мм	до 80
Минимальная длина рабочей зоны (мм) с неравномерностью распределения температуры, °С ±0,25 ±0,5	450 600
Стабильность поддержания температуры в пределах рабочей зоны, °С	±0,25
Воспроизводимость температурного уровня, °С	±0,5
Время выхода печи на максимальную рабочую температуру, ч	2
Максимальная мощность, потребляемая в установившемся режиме, кВт	18
Размеры, мм	1852Х630Х2150
Масса, кг	800

10.

1.7. Расчет режимов термической диффузии.

Вследствие того, что функции распределения носят приближённый характер, а коэффициент диффузии непостоянен по глубине кристалла, изложенная ниже методика расчёта режимов даёт лишь ориентировочное значение времени ведения процесса. По результатам контроля опытных образцов это время корректируется.

10.1.7.1. Двухстадийный процесс.

Рассматривая Гауссово распределение (5) на поверхности (Х=0) и на дне формируемого слоя (Х=Х_n), можно получить выражение, связывающее режимы процесса (произведение D_pt_p) c заданными параметрами слоя (X_n , N₀ , N_исх):

(7)

Порядок проектирования режимов двухстадийного процесса следующий:

1. По формуле (7) вычисляется произведение D_pt_p.

2. Задается поверхностная концентрация примеси для этапа загонки, N₀< N< N_пред. Для бора (акцептор) N_пред=2×10²⁰ см^-3, для фосфора (донор) N_пред=8×10²⁰ см^-3

3. Задается температура загонки t°_p из диапазона 1000÷1200°С.

4. По графику зависимости D=f(t°, N₀₃, N_исх) определяется D_p.

5. Вычисляется время разгонки t_p по результату п.1.

6. По выражению (5) при Х=0 вычисляется необходимая доза легирования

7. По выражению (6) вычисляется произведение

8. Задается температура загонки

   t°₃ из диапазона 800÷1000°С.

9. По графику зависимости D=f(t°, N₀₃, N_исх) определяется D₃.

10. Вычисляется время загонки t₃ по результату п.7.

Итак, параметрами двухстадийного процесса являются N₀₃, t°₃, t₃, t°_р и t_р.

NTD40N03R — Мощный МОП-транзистор

%PDF-1.4 % 1 0 объект > эндообъект 5 0 объект /Заголовок (NTD40N03R – Мощный МОП-транзистор) >> эндообъект 2 0 объект > эндообъект 3 0 объект > транслировать BroadVision, Inc.2020-11-13T15:15:13+08:002010-07-06T15:59:50-07:002020-11-13T15:15:13+08:00application/pdf

NTD40N03R — Power MOSFET

ОН Полупроводник

45 А, 25 В, N-канальный DPAK

Acrobat Distiller 8.1.0 (Windows)uuid:460ebf41-f2e2-4097-9391-69a268390fe5uuid: 90fc2331-f985-496e-a61a-e968dbf38b97 конечный поток эндообъект 4 0 объект >

эндообъект 6 0 объект > эндообъект 7 0 объект > эндообъект 8 0 объект > эндообъект 90 объект > эндообъект 10 0 объект > эндообъект 11 0 объект > эндообъект 12 0 объект > эндообъект 13 0 объект > эндообъект 14 0 объект > эндообъект 15 0 объект > эндообъект 16 0 объект > эндообъект 17 0 объект > эндообъект 18 0 объект > эндообъект 19 0 объект > эндообъект 20 0 объект > транслировать HW[OX~GG*~YVbIeD`\%6u9>vbPb>|3!FQ|Nd

N03N pdf Лист данных P1 Номер детали — IC-ON-LINE



N03N pdf Datasheet P1 Part Num — IC-ON-LINE

Номер детали Горячий поиск: 24001 0SMCJ85 OP269 ENA1338 10101 27C256 0STRR PL342 Описание продукта Полнотекстовый поиск

gif”> N03N Лист данных в формате PDF

Для N03N Found Datasheets File :: 23+       Страница :: | | 2 | 3 |

САНИО Деталь № 15ГН03Н Описание Серия Pico-GET Размер файла 36,24 К / 6 Страница Вид это Онлайн Скачать техпаспорт 　 　 Ренесас Электроникс Корпорейшн Деталь № НП80Н03НДЕ-С18-АЙ Описание Мощные МОП-транзисторы для автомобильной промышленности Технические характеристики Официальная страница продукта     ООО «Омрон Электроникс» Деталь № E5CN-CMT-500 E5CN-CMT-W-500 E53-CN03N2 E5CN-RML-500 E5CN-RMT-500 Описание Цифровые регуляторы температуры/Цифровые контроллеры Размер файла 5 898,81 тыс. / 72 Страница Вид это Онлайн Скачать техпаспорт     Устройство Sanyo Semicon Деталь № 15GN03NA Описание Применение высокочастотного усилителя ОВЧ Размер файла 47,50 тыс. / 6 Страница Вид это Онлайн Скачать техпаспорт     Cystech Electronics Corp. Деталь № МТБ55Н03Н3 Описание 30-вольтовый N-канальный полевой МОП-транзистор с режимом повышения логического уровня Размер файла 294,25 тыс. / 7 Страница Вид это Онлайн Скачать техпаспорт     INFINEON[Infineon Technologies AG] Деталь № СПН03Н60К3 Описание для самых низких потерь проводимости и быстрого переключения Прохладный МОП⑩ Мощный транзистор Размер файла 264,13 К / 12 Страница Вид это Онлайн Скачать техпаспорт     Бруквелл Текнолоджи Л. .. Деталь № MSB55N03N3 Описание 30-вольтовый N-канальный полевой МОП-транзистор с режимом повышения логического уровня Размер файла  492,38 К / 5 Страница Вид это Онлайн Скачать техпаспорт     INFINEON[Infineon Technologies AG] Деталь № СПН03Н60С5 Описание Cool MOSPower Transistor 酷马鞍山⑩功率晶体管 для самых низких потерь на проводимость Cool MOS Power Transistor Cool MOS⑩ Power Transistor Размер файла 224,83 К / 9 Страница Вид это Онлайн Скачать техпаспорт     Cystech Electronics Corp. Деталь № МТА06N03NJ3 Описание N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Размер файла 255,06 К / 7 Страница Вид это Онлайн Скачать техпаспорт     Cystech Electronics Corp… Деталь № МТБ600Н03Н3 МТБ600Н03Н3-0-Т1-Г Описание N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор, 30 В, режим расширения Размер файла 311,91 К / 8 Страница Вид это Онлайн Скачать техпаспорт     Инфинеон Текнолоджиз АГ Деталь № СПН03Н60С5 СПН03Н60С505 Описание Новая революционная высоковольтная технология Сверхнизкий заряд затвора Экстремальный рейтинг dv/dt Размер файла 303,22 К / 9 Страница Вид это Онлайн Скачать техпаспорт gif”> Для N03N Found Datasheets File :: 23+       Страница :: | | 2 | 3 | ▲ До Поиск▲

Bom2Buy.com Цена и наличие cctc-hfpcb.com ДЖИТОНГ ТЕХНОЛОГИЯ (CHINA HK & SZ) Спонсор Datasheet.hk Деталь: N01L63W2AB25I Производитель: ON Semiconductor Упаковка: ETC На складе: зарезервировано Цена за единицу для : 50: 0,00 $ 100: 0,00 $ 1000: $0. 00 Электронная почта: [email protected] Свяжитесь с нами

Цена и наличие N03N по

Все права защищены © IC-ON-LINE 2003 – 2022

[Добавить закладку] [Контакты Нас] [Обмен ссылками] [Политика конфиденциальности]

Сайты-зеркала:  [www.datasheet.hk] [www.maxim4u.com]  [www.ic-on-line.cn] [www.ic-on-line.com] [www.ic-on-line.net] [www.alldatasheet.com.cn] [www.gdcy.com] [www.gdcy.net]



Мы используем файлы cookie, чтобы предоставлять наилучшие веб-опыт и помощь в наших рекламных усилиях. Больше новостей Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт