Подбор полевых транзисторов по параметрам
Интерес к статическим параметрам полевого транзистора с p-n-переходом на затворе, таким как начальный ток стока и напряжение отсечки, проявляется чаще всего инженерами и радиолюбителями либо как к приводимым в справочниках характеристикам для сравнения транзисторов различных типов, либо в связи с подбором близких по параметрам транзисторов для дифференциального каскада. В настоящей статье речь пойдёт об использовании статических параметров при расчёте схем на полевых транзисторах. На рис. Основными статическими параметрами полевого транзистора с p-n-переходом на затворе являются начальный ток стока и напряжение отсечки. Начальный ток стока полевого транзистора определяется как ток, протекающий через его канал при заданном постоянном напряжении сток-исток и равном нулю напряжении затвор-исток.
Поиск данных по Вашему запросу:
Подбор полевых транзисторов по параметрам
Схемы, справочники, даташиты:
Прайс-листы, цены:
Обсуждения, статьи, мануалы:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Содержание:
- Поиск полевого транзистора по характеристикам. Интернет-справочник транзисторов
- Измерение параметров полевых транзисторов
- Прибор для подбора транзисторов
- Замена транзисторов биполярных и полевых
- Подбор транзистора
- Параметры MOSFET транзисторов
- Каталог компонентов
- подбор транзисторов по параметрам
- Мосфеты – проверка, подбор аналогов
ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Урок №23.
Полевой (MOSFET) транзистор.
Поиск полевого транзистора по характеристикам. Интернет-справочник транзисторов
Этот несложный для повторения прибор с автономным питанием позволяет подобрать биполярные n-p-n транзисторы с равными коэффициентами передачи тока базы, а n-канальные полевые транзисторы с изолированным затвором – пороговыми напряжениями и крутизной. Впрактике радиолюбителя иногда возникает необходимость выборки биполярных транзисторов с равными коэффициентами передачи тока базы или полевых с пороговыми напряжениями и крутизной. Параметры транзисторов, даже из одной партии, могут иметь разброс, поэтому в случае их приобретения во избежание лишних затратжелательно сделать выборкупри покупке.
Обычно продавцы, услышав о намерении приобрести не один, а несколько транзисторов при условии их предварительного отбора, не препятствуют контролю их параметров до оплаты.
Радиорынки и специализированные магазины, торгующие радиодеталями в широком ассортименте, находятся в больших городах, посетить которые автору удаётся не чаще, чем несколько раз в год, поэтому в таких поездках я пользуюсь портативным карманным прибором, с помощью которого подбираю транзисторы в пары. Описание этого прибора предлагаю вниманию радиолюбителей. С его помощью можно определить неисправные транзисторы, подбирать в пары как n-канальные полевые транзисторы различной мощности – от маломощных до мощных, так и биполярные транзисторы структуры n-p-n преимущественно малой и средней мощности.
Время измерения параметров транзисторов и фиксация резуль-татов измерения не превышает нескольких секунд, а простой алгоритм анализа результатов и отсутствие каких-либо вычислений упрощают пользование прибором. Схема прибора изображена на рис. Он содержит генератор ступенчато возрастающего напряжения на микросхеме DD1 и резистивной матрице RR24, а также усилитель постоянного тока на транзисторах VT1 и VT2.
Для повышения напряжения питания генератора и усилителя до 6 В применён повышающий преобразователь напряжения по схеме несимметричного мультивибратора на транзисторах VT3, VT4 с накопительным дросселем L1. Выходное напряжение преобразователя стабилизировано параметрическим стабилизатором на светодиодах HL8 и HL9 синего свечения с прямым падением напряжения на каждом 2, Генератор ступенчато возрастающего напряжения собран на основе микросхемы МСВСР, содержащей разрядный двоичный счётчик и два инвертора, предназначенных для построения тактового генератора совместно с внешними элементами R2, R3 и С3 на рис.
При подаче питания кнопкой SB1 цепь R1C1 устанавливает все счётчики микросхемы в исходное состояние логического нуля, после чего начинается непрерывный счёт импульсов тактового генератора, частота которого задана цепью R3C3. Резистивная матрица R-2R на резисторах R11 -R24 – цифроаналоговый преобразователь семиразрядного двоичного кода с выхо-дов счётчика в ступенчато возрастающее напряжение.
Максимальное число ступеней равно Све-тодиоды HL1 -HL7, подключённые к выходам счётчика через токоограничи-тельные резисторы R4-R10, визуально отображают их состояния и значения входного параметра для испытуемого транзистора в двоичном коде.
Рассмотрим случай, когда ступенчато возрастающее напряжение подаётся на затвор испытуемого полевого транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом МОП или МДП, англ.
По мере его роста и достижения порогового значения транзистор начинает открываться, и когда ток стока достигнет значения 0,2 мА при разомкнутых контактах переключателя SA1, выходной транзистор VT2 усилителя постоянного тока открывается, останавливая работу тактового генератора микросхемы DD1 подачей уровня лог.
Загоревшийся свето-диод HL10 “Стоп” сигнализирует об окончании счёта, светодиоды HL1-HL7 отображают состояния выходов счётчика микросхемы в двоичном коде на этот момент. Подбор полевых транзисторов по равным пороговым напряжениям производится при токе стока 0,2 мА по совпадению кодов счётчика.
Для подбора в пары транзисторов по крутизне необходимо сравнить коды счётчика для каждого транзистора при токах 0,2 и 1 мА. Так как крутизна – отношение приращения тока стока к приращению напряжения затвор-исток, то при равенстве кодов при обоих токах сравнения она у таких транзисторов будет одинакова.
При необходимости пороговое напряжение транзисторов можно измерить, подключив к гнёздам XS1, XS2 цифровой вольтметр. Коэффициент передачи тока базы биполярных n-p-n транзисторов измеряют в схеме с общим эмиттером. Как известно, транзистор при таком включении имеет низкое входное сопротивление. Резистивная матрица RR24 сравнительно высокоомна, и если нагрузить её на низкое входное сопротивление биполярного транзистора, то для него генератор ступенчато возрастающего напряжения превратится в генератор ступенчато возрастающего тока базы.
При подключении к гнёздам XS3- XS5 испытуемого биполярного транзистора с формированием каждой ступени входного тока тока базы будет возрастать его ток коллектора.
По достижении тока коллектора значения 0,2 мА при разомкнутых контактах переключателя SA1 или 1 мА при замкнутых, как уже сказано выше, работа тактового генератора будет остановлена и светодиоды HL1-HL7 станут индицировать достигнутое состояние счётчика.
Для транзисторов с одинаковыми коэффициентами передачи тока остановки ге-нератора будут при равенстве их базовых токов, т. Подбирать в пары биполярные транзисторы следует тоже при двух значениях тока коллектора. Как показывает моя практика, если коэффициенты передачи тока совпадают на малых токах коллектора, они совпадают и на больших токах у большинства транзисторов из одной партии. Окончательный подбор пар п-р-п транзисторов производят при токе коллектора, при котором они будут работать.
Устройство безопасно для испытуемых транзисторов. Подключение и отключение транзисторов всегда происходят при отсутствии напряжений на гнёздах при отпущенной кнопке SB1, через нормально замкнутые контакты которой осуществляется разрядка всех ёмкостей, как в составе прибора, так и входных и выходных у испытуемыхтранзисторов.
Рассмотрим последовательность работы с прибором. В гнёзда XS3-XS5 устанавливают испытуемый транзистор в соответствии с цоколёвкой. Переключатель SA1 устанавливают в положение “0,2 мА”. Выключателем SA2 включают питание.
По наличию свечения светодиода HL8, установленному на передней панели, убеждаются в исправности источника питания и готовности прибора к работе, после чего нажимают на кнопку SB1 “Пуск” – на микросхему DD1 и усилитель постоянного тока подаётся напряжение питания. Далее возможны три случая.
У испытуемого транзистора пробит канал сток-исток или участок коллектор-эмиттер – при нулевом напряжении на затворе нулевом токе базы ток стока коллектора превысил 0,2 мА. Такой транзистор забраковывают. Начинают поочерёдно загораться светодиоды HL1-HL7. У светодиодов младших разрядов HL5-HL7 из-за высокой частоты переключения свечение воспринимается непрерывным, у свето-диодов старших разрядов HL2-HL4 мигание заметно.
Если светодиод HL1 постоянно мигает с частотой примерно 3 Гц, то это свидетельствует о том, что счётчик DD1 прошёл все возможные состояния и испытуемый транзистор открыть не удалось – у него обрыв или короткое замыкание в цепи затвора или базы.
Показания, отображающиеся в двоичном коде, фиксируют: “0” – погашенный светодиод из числа HL1- HL7, а “1” – светящийся. Переключатель SA1 переводят в положение “1 мА” и нажимают на кнопку “Пуск”, после чего снова фиксируют показания.
Микросхему MCBCP можно заменить любым аналогом серии В, транзисторы – любые маломощные кремниевые соответствующей структуры. Коэффициент передачи тока базы транзистора VT4 должен быть не менее При отсутствии такого транзистора его можно заменить другим, с меньшим усилением по току, подобрав сопротивление резисторов R31 и R33 так, чтобы блок питания обеспечил стабильное напряжение 5, Диод VD1 – любой маломощный кремниевый, германиевый диод VD2 можно заменить маломощным диодом Шотки, в случае отсутствия такового можно установить и кремниевый диод, но при этом ухудшится использование ёмкости батареи питания.
Все светодиоды – маломощные повышенной яркости свечения. Оксидные конденсаторы – импортные, остальные – керамические КМ5.
Гнёзда XS1-XS5 могут быть любыми, подходящими из имеющихся. Устройство собрано навесным монтажом на двух фрагментах универсальной макетной платы соответственно для преобразователя напряжения и самого прибора. Корпус взят от неисправного пульта ПДУ от видеотехники. Имеющаяся в нём плата использована как шасси, причём светодиоды и микропереключатель смонтированы на шасси, а движковые переключатели – на верхней панели.
Гнёзда для вольтметра установлены на месте светодиода ПДУ. Фальшпанель изготовлена из плотной бумаги. После нанесения всех над- писей её ламинируют толстой прозрачной плёнкой, наклеивают на верхнюю панель ПДУ и вырезают плёнку напротив всех отверстий. Такая фальшпанель проста в изготовлении и довольно стойка против механических воздействий и истирания.
Внешний вид прибора показан на рис. Налаживание заключается в подборе сопротивления резисторов R26 и R28 для получения указанных токов. При наличии корпуса достаточного объёма, в котором можно разместить четыре элемента АА или ААА, прибор можно упростить, исключив преобразователь напряжения, и подать питание непосредственно от батареи из этих элементов.
Вы можете оставить свой комментарий, мнение или вопрос по приведенному вышематериалу:.
Вы читаете: Прибор для подбора транзисторов. Новости О проекте Контакты. Имя: E-mail:. Дата публикации: Мнения читателей Нет комментариев. Ваш комментарий будет первый.
Измерение параметров полевых транзисторов
Этот несложный для повторения прибор с автономным питанием позволяет подобрать биполярные n-p-n транзисторы с равными коэффициентами передачи тока базы, а n-канальные полевые транзисторы с изолированным затвором — пороговыми напряжениями и крутизной. В практике радиолюбителя иногда возникает необходимость выборки биполярных транзисторов с равными коэффициентами передачи тока базы или полевых с пороговыми напряжениями и крутизной. Параметры транзисторов, …. Копирование материалов сайта возможно только с указанием ссылки на первоисточник – сайт meandr. Обратная связь.
подбор транзисторов по параметрам, d транзистор, зарубежные транзисторы транзисторов, параметры полевых транзисторов, мдп транзистор.
Прибор для подбора транзисторов
Что вам в них? Схемы принципиальные Библиотечка литературы Радиолюбительская хрестоматия Новости электроники Карта сайта Магазинчик на сайте Загрузка Топ 10! Схема телефонного аппарата BC ТА Спектр Телефонный аппарат ТА Спектр Трехламповый приемник с фиксированной настройкой Приемник собран на лампах 6К7 Усилитель высокой частоты , 6Б8С диодный детектор и предварительный Усилитель низкой частоты и 6П6С выходной каскад и имеет четыре фиксированные настройки на вол
Замена транзисторов биполярных и полевых
Новости: 9. Высказывания: Как можно не верить человеку? Даже если и видишь – врет он, верь ему, то есть слушай и старайся понять, почему он врет? Пустые поля игнорируются при поиске. Выводить найденных транзисторов.
Дневники Файлы Справка Социальные группы Все разделы прочитаны.
Подбор транзистора
Этот несложный для повторения прибор с автономным питанием позволяет подобрать биполярные n-p-n транзисторы с равными коэффициентами передачи тока базы, а n-канальные полевые транзисторы с изолированным затвором – пороговыми напряжениями и крутизной.
Впрактике радиолюбителя иногда возникает необходимость выборки биполярных транзисторов с равными коэффициентами передачи тока базы или полевых с пороговыми напряжениями и крутизной. Параметры транзисторов, даже из одной партии, могут иметь разброс, поэтому в случае их приобретения во избежание лишних затратжелательно сделать выборкупри покупке. Обычно продавцы, услышав о намерении приобрести не один, а несколько транзисторов при условии их предварительного отбора, не препятствуют контролю их параметров до оплаты. Радиорынки и специализированные магазины, торгующие радиодеталями в широком ассортименте, находятся в больших городах, посетить которые автору удаётся не чаще, чем несколько раз в год, поэтому в таких поездках я пользуюсь портативным карманным прибором, с помощью которого подбираю транзисторы в пары.
Параметры MOSFET транзисторов
При постройке усилителей без петель отрицательной обратной связи желательно иметь компоненты со строго заданными, или хотя бы по возможности близкими, параметрами.
Впрочем, даже в обычном дифференциальном каскаде для уменьшения искажений желательно применять транзисторы или лампы – близнецы, ещё их называют ” согласованные пары “. Да и просто проверить полевой транзистор перед тем, как запаять его в схему – будет совсем нелишне. Вобщем я поймал себя на том, что собираю на макетке простенькую схемку для проверки полевиков уже наверное с десятый раз по жизни. Вот как это выглядело в последний раз:. И всё бы ничего, но промерив уже с пару дюжин относительно сильноточных полевичков стал я замечать, что слишком уж разброс велик. Перемеряю – ничего не сходится. Вообще мистика!
Содержание. 1 Замена и подбор транзисторов биполярных и полевых и интернетом, информации по параметрам транзисторов сейчас достаточно.
Каталог компонентов
Подбор полевых транзисторов по параметрам
Сразу оговоримся, что речь пойдет о подборе аналогов N-канальных, “logic-level”, полевых транзисторов которые можно встретить в цепях питания на материнских платах и видеокартах.
Logic-level, в данном случае, означает, что речь идет о приборах которые управляются, то есть способны полностью открывать переход Drain to Source, при приложении с затвору относительно небольшого, до 5 вольт, напряжения. Рассмотрим оную на примере.
подбор транзисторов по параметрам
Ru – форумы для гитаристов У нас самая большая гитарная тусовка. Добро пожаловать, Гость. Пожалуйста, войдите или зарегистрируйтесь. Не получили письмо с кодом активации? В теме В разделе По форуму Google Яндекс. Ru fan!
Транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые предназначены для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. Это главный компонент в любой электрической схеме.
Мосфеты – проверка, подбор аналогов
Новости: 9. Высказывания: Иногда удар не попадает в цель, но намерение не может промахнуться. Пустые поля игнорируются при поиске. Выводить найденных транзисторов. Добавить описание полевого транзистора. Добавить описание биполярного транзистора.
Основы электроники. Это касается как высокочастотных преобразователей типа сварочных инверторов, так и разнообразных проектов-самоделок, схем коих полным полно в интернете. Параметры выпускаемых ныне силовых полупроводников позволяют коммутировать токи в десятки и сотни ампер при напряжении до вольт.
Справочник мощных импортных полевых транзисторов.
Особенностью справочника является то, что импортные полевые транзисторы взяты из прайсов интернет-магазинов. |
| ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MOSFET транзисторы обладают следующими достоинствами: малая энергия, которую нужно затратить
для открывания транзистора. Этот параметр хоть и растет с увеличением частоты, но все равно остается гораздо меньшей,
чем у биполярных транзисторов. У MOSFET транзисторов не времени обратного восстановления , как у биполярных и “хвоста”,
как у IGBT транзисторов, в связи с чем могут работать в силовых схемах на более высоких частотах. Кроме того, у MOSFET нет вторичного
пробоя, и поэтому они более стойки к выбросам самоиндукции. | ||||||
| | |||||||
| Отечеств. | Корпус | Тип | Imax, A | Импортн. | Корпус | ||
| Ограничения по длительному току, накладываемые корпусом: ТО220 не более 75А, ТО247 не более 195А. В реальных условиях отвода тепла эти цифры в несколько раз меньше. | |||||||
| Полевые транзисторы на напряжение до 40В: | |||||||
| КП364 | ТО-92 | n | 0.02 | кп364 – полевой транзистор 40В 0. 1А, характеристики | |||
| КП302 | ТО-92 | n | 0.04 | транзистор кп302 на 40В 0.1А | |||
| 2П914А | ТО-39 | n | 0.1(0.2) | BSS138 2SK583 | sot23 TO-92 | полевой транзистор 2п924 на 40В 0.1А | |
| КП601 | ТО-39 | n | 0.4 | полевой транзистор кп601 на 40В 0.15А | |||
КП507 | ТО-92 | p | 0.6 1.1 | TP2104 | TO-92, sot23 sot23 | полевой транзистор кп507на 40В 0.3А | |
| n | 1.6 | BSP295 | sot223 | импортный полевой smd транзистор BSP295 | |||
| n | 2 | RTR020N05 | sot23 | полевой транзистор для поверхностного монтажа на 40В 2А с защитным стабилитроном в затворе | |||
| n | 4 | NTR4170 | sot23 | ||||
| n | 5 | PMV60EN | sot23 | ||||
| n | 6 | BSP100 | sot223 | ||||
| КП921А | TO-220 | n | 10 | мощный полевой транзистор КП921 на 40В 10А для применения в быстродействующих переключающих устройствах | |||
| КП954Г | TO-220 | n | 20(18) | FDD8424 | TO-252 | мощный полевой транзистор КП954 на 40В 20А для источников питания | |
| n | 34 | BUZ11 | TO-220 | импортный MOSFET транзистор BUZ11 на 40В 34А | |||
| 2П7160А | TO-258 | n | 46(42) | IRFR4104 | TO-252 | характеристики мощного MOSFET IRF4104 | |
| n | 100 | IRF1104 | TO-220 | MOSFET транзистор IRF1104 на 40В 100А | |||
| n | 162 | IRF1404 | TO-220 | MOSFET транзистор IRF1404 на 40В 162А. Подробные характеристики см. в datasheet | |||
| n | 210 | IRF2204 | TO-220 | импортный полевой транзистор IRF2204 на 40В 210А | |||
| n | 280 | IRF2804 | TO-220 | импортный полевой транзистор IRF2804 на 40В 280А | |||
| n | 350 | IRFP4004 | TO-247 | мощный полевой транзистор с изолированным затвором IRFP4004 с током до 195А | |||
| MOSFET транзисторы на напряжение до 60-75В: | |||||||
| n | 0.2 0.5 | 2N7000 BS170 | TO-92, sot23 | smd маломощный полевой транзистор BS170 на 60В 0.2А для поверхностного монтажа | |||
| КП804А | ТО-39 | n | 1 | ||||
| КП505 А-Г | ТО-92 | n | 1. 42.7 | IRFL014 | sot223 | импортный полевой транзистор irfl014 на 60В 0.1А для поверхностного монтажа | |
| КП961Г | ТО-126 | n | 5 | транзистор КП961Г на 60В 0.5А | |||
| КП965Г | ТО-126 | n | 5 | транзистор КП965Г на 60В 0.5А | |||
| КП801 (А,Б) | ТО-3 | n | 5 | ||||
| КП739 (А-В) | ТО-220 | n | 10 | IRF520 | ТО-220 | импортный полевой транзистор IRF520, характеристики | |
| КП740 (А-В) | ТО-220 | n | 17 | STP16NF06 | TO-220 | на 60В 15А | |
| КП7174А | ТО-220 | n | 18 | ||||
| КП784А | ТО-220 | p | 18 | ||||
| КП954 В,Д | ТО-220 | n | 20 | STP20NF06 | TO-220 | мощный полевой транзистор КП954 на 60В 20А | |
| 2П912А | ТО-3 | n | 25 | полевой транзистор 2П912А на 60В и ток 25А | |||
| КП727(А,Б) | ТО-220 | | n p | 30 31 | STP36NF06 IRF5305 | ТО-220 | мощный полевой транзистор КП727А на 60В 30А |
| КП741 (А,Б) | ТО-220 | n | 50 | IRFZ44 | TO-220 | мощный полевой транзистор irfz44 на 60В и ток 50А. Подробные характеристики см. в datasheet. | |
| КП723(А-В) | ТО-220 | n | 50 | STP55NF06 | TO-220 | отечественный мощный полевой транзистор КП723 на 60В и ток до 50А | |
| КП812(А1-В1) | ТО-220 | n | 50 | отечественный MOSFET транзистор КП812 на 60В и ток до 50А | |||
| 2П7102Д | ТО-220 | n | 50 | MOSFET транзистор 2П7102 на 60В и ток до 50А | |||
| КП775(А-В) | ТО-220 | n | 50(60) | STP60NF06 | TO-220 | полевой транзистор КП775 на напряжение до 60В и ток до 50А | |
| КП742(А,Б) | ТО-218 | n n n p | 80 80 82 74 | SPB80N08 IRF1010 IRF2807 IRF4905 | TO-220, D2PAK ТО-220 ТО-220 ТО-220 | полевой транзисторы irf1010, irf2807, irf4905 на 60В и ток до 80А | |
| n | 140 169 | IRF3808 IRF1405 | ТО-220 ТО-220 | MOSFET транзистор irf3808 на 60В и ток до 140А | |||
| n | 210 | IRFB3077 | ТО-220 | полевой транзистор irfb3077 на 75В и ток 210А | |||
| n | 350 | IRFP4368 | ТО-247 | мощный полевой транзистор irfp4368 на напряжение 75В ток до 195А | |||
| MOSFET на напряжение до 100-150В: | |||||||
| КП961В | ТО-126 | n | 5 | ||||
| КП965В | ТО-126 | p | 5(6. 8) | IRF9520 | ТО-220 | p-канальный импортный полевой транзистор IRF9520 на напряжение до 100В, ток до7А | |
| КП743 (А1-В1) | ТО-126 | n | 5.6 | ||||
| КП743 (А-В) | ТО-220 | n | 5.6 | IRF510 | ТО-220 | mosfet транзистор IRF510 на напряжение до 100В, ток до 6А. | |
| КП801В | ТО-3 | n | 8 | IRFR120 | DPAK | ||
| КП744 (А-Г) | ТО-220 | n | 9.2 | IRF520 | TO-220 | импортный полевой транзистор IRF520 на напряжение до 100В и ток до 9А | |
| КП922 (А,Б) | ТО-3 | n | 10 | BUZ72 | TO-220 | mosfet транзистор BUZ72 с током до 10А | |
| КП745 (А-В) | ТО-220 | n | 14 | IRF530 | ТО-220 | транзистор IRF530 на напряжение до 100В и ток до 14А | |
| КП785А | ТО-220 | p | 19 | IRF9540 | ТО-220 | импортный p-канальный полевой транзистор IRF9540 на ток до 19А | |
| 2П7144А | ТО-220 | p | 19 | мощный p-канальный полевой транзистор 2П7144 на 100В и ток до 19А | |||
| КП954Б | ТО-220 | n | 20 | IRFB4212 | TO-220 | параметры мощного MOSFET транзистора IRFB4212 | |
| 2П912А | ТО-3 | n | 20 | мощный n-канальный полевой транзистор 2П912 на напряжение 100В и ток до 20А | |||
| КП746(А-Г) | ТО-220 | n | 28 | IRF3315 | ТО-220 | импортный полевой транзистор IRF3315 на ток до 28А | |
| 2П797Г | ТО-220 | n | 28 | IRF540 | ТО-220 | импортный полевой транзистор IRF540 на ток до 28А | |
| КП769(А-Г) | ТО-220 | n | 28 | мощный полевой транзистор КП769 на напряжение до 100В и ток до 28А | |||
КП150 | ТО-218 | n | 33 34 38 | IRF540NS BUZ22 | TO-220, D2PAK TO-220 | мощный полевой транзистор irf540 на 100В и ток 34А | |
| КП7128А,Б | ТО-220 | p | 40 | IRF5210 | ТО-220 | mosfet транзистор irf5210 на 100В и ток до 40А | |
| КП771(А-Г)
| ТО-220
|
| n | 40 42 47 | IRF1310 PHB45NQ10 | ТО-220 TO-247, D2PAK | отечественный полевой транзистор КП771 на 100В 40А и его импортный аналог irf1310 |
| n | 57 | STB40NF10 IRF3710 | smd ТО-220 | мощный полевой транзистор irf3710 на 100В 57А | |||
| n | 72 | IRFP4710 | ТО-247 | mosfet транзистор irf4710 на 100В и ток до 72А | |||
| n | 171 | IRFP4568 | ТО-247 | полевой тразистор irf4568 на 150В 171А | |||
| n | 290 | IRFP4468 | ТО-247 | мощный полевой транзистор irf4468 на 100В 195А | |||
| Полевые транзисторы на напряжение до 200В: | |||||||
| КП402А | ТО-92 | p | 0. 15 | BSS92 | TO-92 | ||
| КП508А | ТО-92 | p | 0.15 | ||||
| КП501А | ТО-92 | n | 0.18 | BS107 | TO-92 | ||
| КП960В | ТО-126 | p | 0.2 | ||||
| КП959В | ТО-126 | n | 0.2 | ||||
| КП504В | ТО-92 | n | 0.2 | BS108 | ТО-92 | ||
| КП403А | ТО-92 | n | 0.3 | ||||
| КП932А | ТО-220 | n | 0.3 | ||||
| КП748 (А-В) | ТО-220 | n | 3.3 | IRF610 | ТО-220 | mosfet транзистор IRF610 с напряжением до 200В и на ток до 3А | |
| КП796В | ТО-220 | p | 4. 1 | BUZ173 | TO-220 | ||
| КП961А | ТО-126 | n | 5 | IRF620 | TO-220 | полевой транзистор IRF620 на 200В 5А | |
| КП965А | ТО-126 | p | 5 | ||||
| КП749 (А-Г) | ТО-220 | n | 5.2 | ||||
| КП737 (А-В) | ТО-220 | n | 9 | IRF630 | ТО-220 | mosfet транзистор irf630 на ток до 9А и напряжение до 200В | |
| КП704 (А,Б) | ТО-220 | n | 10 | mosfet на 200В 10А | |||
| КП750 (А-В) | ТО-220 | n | 18 | IRF640 IRFB17N20 | TO-220 | mosfet транзистор IRF640 (200В 18А) | |
| КП767 (А-В) | ТО-220 | n | 18 | ||||
| КП813А1,Б1 | ТО-220 | n | 22 | BUZ30A IRFP264 | TO-220 TO-247 | мощный полевой транзистор irf264 на 200В 20А | |
| КП250 | ТО-218 | n | 30(25) | IRFB4620 | TO-220 | ||
| 2П7145А,Б | КТ-9 | n | 30 | IRFB31N20 | TO-220 | мощный полевой транзистор 2П7145 (200В 30А) | |
| КП7177 А,Б | ТО-218 | n | 50(62) | IRFS4227 | D2PAK | характеристики MOSFET транзистора на 200В 50А | |
| n | 130 | IRFP4668 | TO-247 | мощный импортный полевой транзистор irfp4668 на 200В 130А | |||
| Полевые транзисторы на напряжение до 300В: | |||||||
| КП960А | ТО-126 | p | 0. 2 | ||||
| КП959А | ТО-126 | n | 0.2 | ||||
| КП796Б | ТО-220 | p | 3.7 | ||||
| 2П917А | ТО-3 | n | 5 | ||||
| КП768 | ТО-220 | n | 10 | ||||
| КП934Б | ТО-3 | n | 10 | ||||
| КП7178А | ТО-218 ТО-3 | n | 40 | ||||
| Полевые транзисторы до 400В: | |||||||
| КП502А | ТО-92 | n | 0.12 | ||||
| КП511А,Б | ТО-92 | n | 0.14 | ||||
| КП733А | ТО-220 | n | 1. 5 | ||||
| КП731 (А-В) | ТО-220 | n | 2 | IRF710 | ТО-220 | mosfet транзистор IRF710 | |
| КП751 (А-В) | ТО-220 | n | 3.3 | BUZ76 IRF720 | ТО-220 TO-220 | mosfet транзистор IRF720, характеристики | |
| КП931 В | ТО-220 | n | 5 | IRF734 | ТО-220 | mosfet транзистор IRF734 | |
| КП768 | ТО-220 | n | 5.5 | IRF730 | ТО-220 | mosfet транзистор IRF730 | |
| КП707А1 | ТО-220 | n | 6 | ||||
| КП809Б | ТО-218 ТО-3 | n | 9.6 | ||||
| КП934А | ТО-3 | n | 10 | IRF740 | ТО-220 | mosfet транзистор IRF740 | |
| КП350 | ТО-218 | n | 14 | BUZ61 | TO-220 | mosfet транзистор BUZ61 | |
| 2П926 А,Б | ТО-3 | n | 16. 5 | ||||
| n | 18.4 | STW18NB40 | TO-247 | импортный полевой транзистор на 400В 18А | |||
| КП707А | ТО-3 | n | 25 | IRFP360 | TO-247 | mosfet на 400В 25А | |
| Полевые транзисторы на напряжение до 500В: | |||||||
| КП780 (А-В) | ТО-220 | n | 2.5 | IRF820 | ТО-220 | mosfet транзистор IRF820 | |
| КП770 | ТО-220 | n | 8 | IRF840 | TO-220 | mosfet транзистор IRF840 | |
| КП809Б,Б1 | ТО-218 ТО-3 | n | 9.6 | 2SK1162 | ТО-3Р | mosfet транзистор 2SK1162 | |
| КП450 | ТО-218 | n | 12 | IRFP450 | TO-247 | мощный полевой транзистор 500В 14А | |
| КП7182А | ТО-218 | n | 20 | IRFP460 | ТО-247 | ||
| КП460 | ТО-218 | n | 20(23) | IRFP22N50 | TO-247 | мощный полевой транзистор IRF22N50 на 500В 20А | |
| КП7180А,Б | ТО-218 ТО-3 | n | 26(31) | IRFP31N50 STW30NM50 | TO-247 TO-247,TO-220 | мощный полевой транзистор 500В 31А | |
| n | 32 | SPW32N50 | TO-247 | мощный полевой транзистор на 500В 32А | |||
| n | 46 | STW45NM50 IRFPS40N50 | TO-247 S-247 | мощный полевой транзистор на 500В 46А | |||
| Полевые транзисторы на напряжение до 600В: | Раздел: высоковольтные полевые транзисторы. | ||||||
| КП7129А | ТО-220 | n | 1.2 | SPP02N60 | TO-220 | высоковольтный полевой транзистор SPP02N60 на 600В | |
| КП805 (А-В) | ТО-220 | n | 4(3) | SPP03N60 | TO-220 | высоковольтный MOSFET транзистор SPP03N60, характеристики | |
| КП709(А,Б) | ТО-220 | n | 4 | IRFBC30 | ТО-220 | высоковольтный MOSFET транзистор IRFBC30, характеристики | |
| КП707Б1 | ТО-220 | n | 4 | SPP04N60 | ТО-220 | мощный высоковольтный полевой транзистор SPP04N60 на 600В | |
| КП7173А | ТО-220 | n | 4 | ||||
| КП726 (А,Б) | smd ТО-220 | n | 4.5 | ||||
| КП931Б | ТО-220 | | n | 5(6. 2)7 | IRFBC40 SPP07N60 | TO-220 TO-220 | MOSFET транзистор 600В 5А |
| КП809В | ТО-218 ТО-3 | n | 9.6 | IRFB9N65A | TO-220 | мощный высоковольтный полевой транзистор IRFB9N65 на 600В | |
| 2П942В | ТО-3 | n | 10 | SPP11N60 | ТО-220 | MOSFET транзистор 600В 10А | |
| КП953Г | ТО-218 | n | 15 | ||||
| КП707Б | ТО-3 | n | 16.5 | SPP20N60 SPW20N60 | ТО-220 TO-247 | MOSFET транзистор 600В 15А | |
| n | 30 | STW26NM60 | TO-247 | полевой транзистор 600В 30А | |||
| КП973Б | ТО-218 | n | 30 | IRFP22N60 IRFP27N60 | TO-247 | MOSFET транзистор 600В 30А | |
| n | 40 | IRFPS40N60 | S-247 | MOSFET транзистор 600В 40А | |||
| n | 47 | SPW47NM60 FCh57N60 | TO-247 | MOSFET транзистор 600В 47А | |||
| n | 60 | IPW60R045 | TO-247 | MOSFET транзистор 600В 47А | |||
| Полевые транзисторы на напряжение до 700В: | |||||||
| КП707В1 | ТО-220 | n | 3 | ||||
| КП728 (Г1-С1) | ТО-220 | n | 3. 3 | ||||
| КП810 (А-В) | ТО-218 | n | 7 | ||||
| КП809Е | ТО-218 ТО-3 | n | 9.6 | мощный высоковольтный полевой транзистор на 700В | |||
| 2П942Б | ТО-3 | n | 10 | MOSFET транзистор 700В 10А | |||
| КП707В | ТО-3 | n | 12.5 | мощный полевой транзистор 700В 12А | |||
| КП953В | ТО-218 | n | 15 | MOSFET транзистор 700В 15А | |||
| КП973А | ТО-218 | | n | 30 39 | IPW60R075 | TO-247 | полевой транзистор (IRF) 650В 25А |
| n | 60 | IPW60R045 | TO-247 | полевой транзистор (IRF) 650В 38А | |||
| Полевые транзисторы на напряжение до 800В: | |||||||
| n | 1. 5 | BUZ78 IRFBE20 | ТО-220 TO-220 | высоковольтный MOSFET транзистор IRFBE20, характеристики | |||
| КП931А | ТО-220 | n | 5 | IRFBE30 | ТО-220 | высоковольтный MOSFET транзистор IRFBE30, характеристики | |
| КП705Б,В | ТО-3 | n | 5.4 | SPP06N80 | ТО-220 | высоковольтный MOSFET транзистор SPP06N80, характеристики | |
| КП809Д | ТО-218 ТО-3 | n | 9.6 | STP10NK80 | TO-220 | мощный полевой транзистор 800В 10А | |
| 2П942А | ТО-3 | n | 10 | STP12NK80 | TO-247 | MOSFET транзистор 800В 10А | |
| КП7184А | ТО-218 | n | 15 | SPP17N80 | ТО-220 | мощный полевой транзистор 800В 15А | |
| КП953А,Б,Д | ТО-218 | n | 15 | MOSFET транзистор 800В 15А | |||
| КП971Б | ТО-218 | n | 25(55) | SPW55N80 | TO-247 | MOSFET транзистор 800В 25А | |
| MOSFET транзисторы на напряжение до 900-1000В: | |||||||
| 2П803А,Б | n | 4. 5(3.1) | IRFBG30 | TO-220 | высоковольтный полевой транзистор IRFG30 на 900В | ||
| КП705А | ТО-3 | n | 5.4(8) | IRFPG50 2SK1120 | TO-247 TO-218 | мощный высоковольтный полевой транзистор 2SK1120 на 1000В | |
| КП971А | ТО-218 | n | 25(36) | IPW90R120 | TO-247 | высоковольтный mosfet 900В 30А | |
Справочник.Типы транзисторов – переходные транзисторы и полевые транзисторы
Транзистор стал важным компонентом современной электроники, и мы не можем представить мир без транзисторов. В этом уроке мы узнаем о классификации и различных типах транзисторов. Мы узнаем о BJT (NPN и PNP), JFET (N-Channel и P-Channel), MOSFET (Enhanced and Depletion), а также транзисторах на основе их приложений (Small Signal, Fast Switching, Power и т. д.).
Схема
Введение
Транзистор представляет собой полупроводниковое устройство, которое используется либо для усиления сигналов, либо для работы в качестве переключателя с электрическим управлением.
Транзистор представляет собой устройство с тремя выводами, и небольшой ток / напряжение на одном выводе (или выводе) будет контролировать большой поток тока между двумя другими выводами (выводами).
В течение долгого времени электронные лампы были заменены транзисторами, потому что транзисторы имеют больше преимуществ перед электронными лампами. Транзисторы имеют небольшие размеры и требуют мало энергии для работы, а также имеют малое рассеивание мощности. Транзистор является одним из важных активных компонентов (устройство, которое может производить выходной сигнал большей мощности, чем входной сигнал).
Транзистор является важным компонентом почти каждой электронной схемы, такой как: усилители, переключатели, генераторы, регуляторы напряжения, источники питания и, что наиболее важно, цифровые логические ИС.
Со времени изобретения первого транзистора и до наших дней транзисторы подразделяются на различные типы в зависимости от их конструкции или принципа действия.
Следующая древовидная диаграмма объясняет базовую классификацию различных типов транзисторов.
Схема дерева транзисторов
Классификацию транзисторов можно легко понять, наблюдая за приведенной выше древовидной диаграммой. Транзисторы в основном делятся на два типа. Это: биполярные переходные транзисторы (BJT) и полевые транзисторы (FET). BJT снова подразделяются на транзисторы NPN и PNP. Полевые транзисторы делятся на JFET и MOSFET. Транзисторы
Junction FET далее подразделяются на N-канальные JFET и P-канальные JFET в зависимости от их конструкции. МОП-транзисторы подразделяются на режим истощения и режим улучшения. Опять же, транзисторы режима истощения и улучшения дополнительно классифицируются на соответствующие N-канальные и P-канальные.
Типы транзисторов
Как упоминалось ранее, в более широком смысле основными семействами транзисторов являются BJT и FET. Независимо от семейства, к которому они принадлежат, все транзисторы имеют правильное/специфическое расположение различных полупроводниковых материалов.
Обычно используемые полупроводниковые материалы для изготовления транзисторов – это кремний, германий и арсенид галлия.
В основном транзисторы классифицируют в зависимости от их конструкции. Каждый тип транзисторов имеет свои особенности, преимущества и недостатки.
Физически и конструктивно разница между BJT и FET заключается в том, что в BJT для работы требуются как основные, так и неосновные носители заряда, тогда как в случае FET требуются только основные носители заряда.
Исходя из своих свойств и характеристик, некоторые транзисторы в основном используются для переключения (MOSFET), а с другой стороны, некоторые транзисторы используются для целей усиления (BJT). Некоторые транзисторы предназначены как для усиления, так и для переключения.
Соединительные транзисторы
Соединительные транзисторы обычно называются биполярными соединительными транзисторами (BJT). Термин «биполярный» означает, что для проведения тока необходимы как электроны, так и дырки, а термин «переход» означает, что он содержит PN-переход (фактически два перехода).
BJT имеют три клеммы: излучатель (E), база (B) и коллектор (C). Транзисторы BJT классифицируются на транзисторы NPN и PNP в зависимости от конструкции.
Биполярные транзисторы по существу являются устройствами с управлением по току. Если через базу биполярного транзистора протекает небольшой ток, то это вызывает протекание большого тока от эмиттера к коллектору. Транзисторы с биполярным соединением имеют низкое входное сопротивление, что приводит к протеканию большого тока через транзистор.
Биполярные переходные транзисторы включаются только входным током, подаваемым на базовую клемму. BJT могут работать в трех регионах. Это:
- Область отсечки: здесь транзистор находится в состоянии «ВЫКЛ», т. е. ток, протекающий через транзистор, равен нулю. По сути, это открытый переключатель.
- Активная область: Здесь транзистор действует как усилитель.
- Область насыщения: здесь транзистор полностью включен и работает как замкнутый переключатель.
Транзистор NPN
NPN — это один из двух типов транзисторов с биполярным переходом (BJT). Транзистор NPN состоит из двух полупроводниковых материалов n-типа, разделенных тонким слоем полупроводника p-типа. Здесь основными носителями заряда являются электроны, а дырки — неосновные носители заряда. Поток электронов от эмиттера к коллектору управляется током, протекающим в базовой клемме.
Небольшой ток на базовой клемме вызывает протекание большого тока от эмиттера к коллектору. В настоящее время наиболее часто используемым биполярным транзистором является NPN-транзистор, поскольку подвижность электронов больше, чем подвижность дырок. Стандартное уравнение для токов, протекающих в транзисторе, имеет вид 9.0003
I E = I B + I C
Ниже приведены символы и структура транзисторов NPN.
Транзистор PNP
PNP — это еще один тип транзисторов с биполярным переходом (BJT). Транзисторы PNP содержат два полупроводниковых материала p-типа и разделены тонким слоем полупроводника n-типа.
Основными носителями заряда в PNP-транзисторах являются дырки, в то время как электроны являются неосновными носителями заряда. Стрелка на выводе эмиттера транзистора указывает на протекание обычного тока. В транзисторе PNP ток течет от эмиттера к коллектору.
Транзистор PNP включен, когда на базовую клемму подается НИЗКИЙ уровень относительно эмиттерной. Символ и структура транзистора PNP показаны ниже.
FET (полевой транзистор)
Полевой транзистор (FET) — еще один основной тип транзисторов. По сути, полевой транзистор также имеет три вывода (как и биполярные транзисторы). Три терминала: Ворота (G), Слив (D) и Источник (S). Полевые транзисторы подразделяются на полевые транзисторы с переходом (JFET) и полевые транзисторы с изолированным затвором (IG-FET) или металлооксидно-полупроводниковые полевые транзисторы (MOSFET).
Для соединений в цепи мы также рассматриваем четвертую клемму, называемую Базой или Подложкой. Полевые транзисторы контролируют размер и форму канала между истоком и стоком, который создается напряжением, приложенным к затвору.
Полевые транзисторы являются однополярными устройствами, так как для их работы требуются только основные носители заряда (в отличие от BJT, которые являются биполярными транзисторами).
JFET (полевой транзистор)
Полевой транзистор (JFET) — это самый ранний и простой тип полевого транзистора. JFET используются в качестве переключателей, усилителей и резисторов. Этот транзистор является устройством, управляемым напряжением. Ему не нужен ток смещения.
Напряжение между затвором и истоком управляет протеканием электрического тока между истоком и стоком транзистора. Транзисторы JFET доступны как в N-канальном, так и в P-канальном исполнении.
N-канальный JFET
В N-канальном JFET ток течет за счет электронов. Когда между затвором и истоком подается напряжение, между истоком и стоком формируется канал для протекания тока. Этот канал называется N-Channel. В настоящее время N-канальные JFET предпочтительнее, чем P-канальные JFET. Обозначения для N-канального транзистора JFET приведены ниже.
P-Channel JFET
В этом типе JFET ток течет из-за отверстий. Канал между истоком и стоком называется P-Channel. Символы для P-Channel JFET приведены ниже. Здесь стрелки указывают направление тока.
МОП-транзистор
Металлооксид-полупроводниковый полевой транзистор (МОП-транзистор) является наиболее часто используемым и наиболее популярным типом среди всех транзисторов. Название «оксид металла» указывает на то, что область затвора и канал разделены тонким слоем оксида металла (обычно SiO 2 ).
Следовательно, МОП-транзистор также известен как полевой транзистор с изолированным затвором, поскольку область затвора полностью изолирована от области исток-сток. Существует дополнительная клемма, известная как подложка или корпус, которая является основным полупроводником (кремнием), из которого изготовлен полевой транзистор. Итак, MOSFET имеет четыре вывода: сток, исток, затвор и корпус или подложка.
MOSFET имеет много преимуществ по сравнению с BJT и JFET, в основном он предлагает высокий входной импеданс и низкий выходной импеданс.
Он используется в коммутационных и силовых цепях и является основным компонентом технологий проектирования интегральных схем.
Полевые МОП-транзисторы доступны в вариантах истощения и расширения. Кроме того, типы истощения и улучшения подразделяются на типы N-Channel и P-Channel.
N-канальный МОП-транзистор
МОП-транзистор с N-канальной областью между истоком и стоком называется N-канальным МОП-транзистором. Здесь клеммы истока и затвора сильно легированы материалами n-типа, расположенными в сильно легированном полупроводниковом материале p-типа (подложке).
Течение тока между истоком и стоком происходит из-за электронов. Напряжение затвора управляет током, протекающим в цепи. N-канальный MOSFET используется чаще, чем P-канальный MOSFET, потому что подвижность электронов выше, чем подвижность дырок.
Ниже приведены символы и структуры для N-канальных MOSFET-транзисторов (как в режиме расширения, так и в режиме истощения).
P-Channel MOSFET
MOSFET с P-Channel областью между истоком и стоком называется P-Channel MOSFET.
Здесь выводы истока и стока сильно легированы материалом P-типа, а подложка легирована материалом N-типа. Течение тока между истоком и стоком происходит из-за концентрации дырок. Приложенное напряжение на затворе будет управлять протеканием тока через область канала.
Символы и структуры для P-Channel MOSFET транзисторов приведены ниже (как в режиме расширения, так и в режиме истощения).
Транзисторы в зависимости от функции
Транзисторы также классифицируются в зависимости от функций (операций или приложений), которые они выполняют. Ниже описаны различные типы транзисторов в зависимости от их функции.
Транзисторы слабого сигнала
Основная функция транзисторов слабого сигнала заключается в усилении слабого сигнала, но иногда эти транзисторы также используются для целей переключения. Транзисторы с малым сигналом доступны на рынке в виде транзисторов NPN и PNP. Обычно мы можем видеть некоторое значение, напечатанное на корпусе малосигнального транзистора, которое указывает hFE транзистора.
В зависимости от этого значения hFE мы можем понять способность транзистора усиливать сигнал. Общедоступные значения hFE находятся в диапазоне от 10 до 500. Значение тока коллектора этих транзисторов составляет от 80 до 600 мА. Этот тип транзисторов работает в диапазоне частот от 1 до 300 МГц. Само название транзистора указывает на то, что эти транзисторы усиливают слабые сигналы, которые используют малые напряжения и токи, например, несколько милливольт и миллиампер тока.
Транзисторы с малым сигналом используются почти во всех типах электронного оборудования, а также эти транзисторы используются в нескольких приложениях, некоторые из них являются переключателями ВКЛ или ВЫКЛ для общего использования, драйвером светодиодов, драйвером реле, функцией отключения звука, схемами таймера. , Инфракрасный диодный усилитель, Цепи питания смещения и т. д.
Малые переключающие транзисторы
Малые переключающие транзисторы — это транзисторы, которые в основном используются для переключения, но иногда и для усиления.
Как и транзисторы с малым сигналом, небольшие переключающие транзисторы также доступны в форме NPN и PNP, и эти типы транзисторов также имеют значения hFE.
Диапазон значений hFE для этих транзисторов составляет от 10 до 200. При значении hFE 200 транзисторы не являются хорошими усилителями, но они действуют как лучшие переключатели. Значения тока коллектора находятся в диапазоне от 10 до 1000 мА. Эти транзисторы используются в основном в переключающих устройствах.
Силовые транзисторы
Транзисторы, используемые в мощных усилителях и источниках питания, называются силовыми транзисторами. Вывод коллектора этого транзистора подключен к базе металлического устройства, и эта структура действует как радиатор, который рассеивает избыточную мощность для приложений.
Эти типы транзисторов доступны в виде транзисторов NPN, PNP и транзисторов Дарлингтона. Здесь значения тока коллектора находятся в пределах от 1 до 100 А. Диапазон рабочих частот от 1 до 100 МГц.
Значения мощности этих транзисторов находятся в диапазоне от 10 до 300 Вт. Само название транзистора указывает на то, что силовые транзисторы используются в приложениях, где требуется большая мощность, высокое напряжение и большой ток.
Высокочастотные транзисторы
Высокочастотные транзисторы используются для слабых сигналов, которые работают на высоких частотах, и они используются в приложениях с высокоскоростным переключением. Высокочастотные транзисторы также называются радиочастотными транзисторами.
Эти транзисторы имеют максимальные значения частоты около 2000 МГц. Значение тока коллектора (I C ) колеблется от 10 до 600 мА. Эти типы транзисторов также доступны в виде NPN и PNP. Они в основном используются в приложениях для высокочастотных сигналов, а также эти транзисторы должны быть включены или выключены только на высоких скоростях. Эти транзисторы используются в схемах генераторов и усилителей ВЧ, УКВ, УВЧ, CATV и MATV.
Фототранзистор
Фототранзисторы — это транзисторы, которые работают в зависимости от света, т.
е. эти транзисторы чувствительны к свету. Простой фототранзистор — это не что иное, как биполярный транзистор, который содержит светочувствительную область вместо базовой клеммы.
Фототранзисторы имеют только 2 вывода вместо 3 (у BJT). Когда светочувствительная область темная, ток в транзисторе не течет, т. е. транзистор находится в выключенном состоянии.
Когда светочувствительная область подвергается воздействию света, на базовой клемме генерируется небольшой ток, который вызывает протекание большого тока от коллектора к эмиттеру. Фототранзисторы доступны как в BJT, так и в FET транзисторах. Они называются фото-BJT и фото-FET.
В отличие от фото-биполярных транзисторов, фото-полевые транзисторы генерируют напряжение затвора с помощью света, который управляет протеканием тока между выводами стока и истока. Photo-FET более чувствительны к свету, чем photo-BJT. Символы для фото-BJT и фото-FET показаны выше.
Однопереходные транзисторы (UJT)
Однопереходные транзисторы (UJT) используются только в качестве переключателей с электрическим управлением.
Эти транзисторы не содержат каких-либо характеристик усиления из-за своей конструкции. Обычно это три ведущих транзистора, в которых два называются базовыми выводами, а третий называется эмиттером.
Теперь посмотрим на работу однопереходного транзистора. Если нет разности потенциалов между эмиттером и любой из клемм базы (B1 или B2), то между B1 и B2 протекает небольшой ток.
Если к клемме эмиттера приложено достаточное количество напряжения, то на клемме эмиттера генерируется большой ток, который добавляется к небольшому току между B1 и B2, что вызывает протекание большого тока в транзисторе.
Здесь ток эмиттера является основным источником тока для управления полным током в транзисторе. Ток между клеммами B1 и B2 очень мал, и по этой причине эти транзисторы не подходят для целей усиления.
[PDF] МОДЕЛЬ ИОННО-ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА (ISFET), РЕАЛИЗОВАННАЯ В SPICE
- Идентификатор корпуса: 202626363
@inproceedings{Massobrio2003
title={МОДЕЛЬ ИОННО-ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА (ISFET), РЕАЛИЗОВАННАЯ В SPICE},
автор = {Джузеппе Массобрио, Серхио Мартинойя и Массимо Граттарола},
год = {2007}
} - Г. Массобрио, С. Мартинойя, М. Граттарола
- Опубликовано в 2007 г.
- Информатика
Массобрио, С. Мартинойя, М. ГраттаролаМодель ISFET разработана и реализована в программе моделирования электронных схем SPICE. Предлагаемая модель приводит к набору новых параметров, которые пользователь SPICE может указать в карточке .MODEL. Модель используется для моделирования поведения ISFET в различных физико-химических условиях, в том числе при изменении температуры.
in4.iue.tuwien.ac.at
Характеристика ISFET с использованием схемы считывания постоянного напряжения и постоянного тока
- R. Jarmin, Yoot Khuan Lee, S. Esa, H. Hashim, A. Sih, M. H. A. Ghani
Машиностроение
- 2015
В этой статье представлена схема считывания постоянного напряжения постоянного тока для ионно-чувствительного полевого транзистора (ISFET). Изучение и исследование производительности ISFET с использованием линейной технологии…
Выбор параметров для полевого транзистора на основе Si3N4 с интерфейсом электролитного изолятора, чувствительного к концентрации ионов H+, с помощью макромоделирования PSpice
- R. Jarmin, Yoot Khuan Lee, H. Hashim, A Ахмад, Мохд Маззуан
Машиностроение
- 2011
Jarmin, Yoot Khuan Lee, H. Hashim, A Ахмад, Мохд МаззуанПоследние достижения в области электрохимических датчиков и кремниевых технологий упростили интеграцию датчика ISFET с обработкой сигналов, что делает возможным более простое и портативное применение, даже потенциально…
LTSPICE IV Simulation H Ion FET
- Liyana Mardhiah
Инженерное дело
- 2016
Измерение pH считается ключевым параметром во многих приложениях, таких как клинический анализ, производство продуктов питания, биотехнологические процессы, очистка сточных вод, экологические науки и науки о жизни…
Физическая компактная модель (Verilog-A) для анализа постоянного тока, квазистатических переходных процессов, слабого сигнала и шума датчиков pH на основе полевых МОП-транзисторов
Физическая компактная модель (Verilog-A) разработана для моделирование постоянного тока, квазистатических переходных процессов, слабого сигнала и шумовых характеристик датчиков pH-FET, а также прогнозирование интегральных характеристик.
Концепции считывания для безметочного обнаружения биомолекул с помощью усовершенствованных биосенсоров ISFET и кремниевых нанопроволок
- T. C. Nguyen
Машиностроение
- 2018
Датчики на полевых транзисторах (FET) и, в частности, их наноразмерный вариант кремниевых транзисторов с нанопроволокой являются очень многообещающими технологическими платформами для приложений биосенсоров без меток. Эти…
Основные принципы моделирования и проектирования портативных, носимых и имплантируемых электронных биосенсоров
- Пиюш Дак
Материаловедение
- 2016
Эксперименты по физике и интерпретации исследуются для манипулирования небольшими каплями для портативных датчиков «лаборатория на кристалле», для улучшения характеристик восприятия гибких носимых датчиков на основе дихалькогенидов переходных металлов, а также для определения компромиссов производительности в имплантируемых биохимических датчиках на основе гидрогеля.
.
ПОКАЗАНЫ 1-10 ИЗ 10 ССЫЛОК
Моделирование полупроводниковых устройств с помощью Spice
- P. Antognetti, G. Massobrio, Guiseppe Massobrio
Engineering
- 1988
От издателя: Со всей ясностью и практической практичностью самого продаваемого первого издания, эта пересмотренная версия объясняет все тонкости SPICE, а также дает новые данные по моделированию передовых…
Анализ порогового напряжения и его температурной зависимости в электролите- полевые транзисторы изолятор-полупроводник (EISFET)
Разработана теоретическая модель первого порядка, которая позволяет получить температурную зависимость порогового напряжения полевого транзистора электролит-изолятор-полупроводник (EISFET)…
Ионочувствительные устройства с изоляторами из нитрида кремния и боросиликатного стекла
Ионочувствительные полевые транзисторы (ISFET) с диоксидом кремния, нитридом кремния и боросиликатным стеклом в качестве активного материала затвора были изготовлены и испытаны для приложений измерения pH.
