Подбор транзистора в Химках: 2011-товаров: бесплатная доставка [перейти]
Партнерская программаПомощь
Химки
Каталог
Каталог Товаров
Одежда и обувь
Одежда и обувь
Стройматериалы
Стройматериалы
Здоровье и красота
Здоровье и красота
Продукты и напитки
Продукты и напитки
Текстиль и кожа
Текстиль и кожа
Детские товары
Детские товары
Электротехника
Электротехника
Сельское хозяйство
Сельское хозяйство
Мебель и интерьер
Мебель и интерьер
Промышленность
Промышленность
Вода, газ и тепло
Вода, газ и тепло
Все категории
ВходИзбранное
Подбор транзистора
Транзистор N-MOSFET полевой ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT12N50 (AOT12N50) Тип: транзистор,
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзисторы ON SEMICONDUCTOR 2SB1203S-TL-E Тип: транзистор, Производитель: ON Semiconductor
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор n-mosfet полевой ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT8N80 (AOT8N80) Тип: транзистор,
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор n-mosfet полевой ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT286L (AOT286L) Тип: транзистор,
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор n-mosfet полевой ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT292L (AOT292L) Тип: транзистор,
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор n-mosfet полевой ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT42S60L (AOT42S60L) Тип: транзистор,
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзисторы ON SEMICONDUCTOR TIP110G Тип: транзистор, Производитель: ON Semiconductor
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзисторы ON SEMICONDUCTOR 2SA2039-TL-E Тип: транзистор, Производитель: ON Semiconductor
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзисторы ON SEMICONDUCTOR BDX53BG Тип: транзистор, Производитель: ON Semiconductor
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор (полевой) MOSFET IRF6802 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзисторы ON SEMICONDUCTOR 2SA2040-TL-E Тип: транзистор, Производитель: ON Semiconductor
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор n-mosfet полевой ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT270AL (AOT270AL) Тип: транзистор,
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзисторы ON SEMICONDUCTOR TIP32AG Тип: транзистор, Производитель: ON Semiconductor
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор N-MOSFET полевой ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT2500L (AOT2500L) Тип: транзистор,
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор n-mosfet полевой ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF256L (AOTF256L) Тип: транзистор,
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор n-mosfet полевой ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT8N65 (AOT8N65) Тип: транзистор,
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзисторы ON SEMICONDUCTOR TIP30CG Тип: транзистор, Производитель: ON Semiconductor
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор n-mosfet полевой ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT5N50 (AOT5N50) Тип: транзистор,
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор 2SA970+2SC2240 пара TO-92 (без подбора hFE) Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор 2SA1930 + 2SC5171 TO-220FP (Toshiba, комплект без подбора HFE) Тип: транзистор,
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор n-mosfet полевой ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT412 (AOT412) Тип: транзистор,
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор n-mosfet полевой ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT4N60 (AOT4N60) Тип: транзистор,
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор n-mosfet полевой ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF11C60P (AOTF11C60P) Тип: транзистор,
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор n-mosfet полевой ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT460 (AOT460) Тип: транзистор,
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор полевой КП934А Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор 2SB649A+2SD669A пара TO-126 (без подбора hFE) Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор P-MOSFET PolarP™ полевой IXYS IXTP36P15P (IXTP36P15P) Тип: транзистор, Производитель:
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор TIP33C Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
2 страница из 18
Подбор – транзистор – Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Cтраница 2
Основным недостатком схем с дополнительной симметрией является трудность подбора транзисторов с идентичными характеристиками.
Достоинством этих схем является простота возбуждающего каскада и равномерная нагружен-ность его в оба полу периода. Предоконечный усилитель может быть выполнен в виде обычного каскада на сопротивлениях.
[16]
| Схема дифференциального каскада с общим эмиттером. [17] |
Принимая во внимание недостаточное постоянство значений температурных коэффициентов тока / као и величины а, нельзя гарантировать подбор транзисторов, идентичных по этим параметрам; обычно влияние температурного изменения / кво снижают выбором образцов с малым значением / Кбо при рабочей температуре. [18]
| Каскад с нейтрализацией внутренней обратной. [19] |
Как показывают эксперименты, балансные схемы обеспечивают значительное ослабление дрейфа нуля даже в том случае, если подбор транзисторов производится не очень тщательно.
[20]
Достоинство схемы ( рис, 45) заключается в том, что для ее оконечного каскада не требуется подбор транзисторов по идентичности параметров, так как оба транзистора включены по схеме с ОК. Связь предоконечного каскада с оконечным непосредственная ( без переходных конденсаторов), что улучшает частотную характеристику усилителя в области нижних частот. [21]
Однако при этом нерешенной проблемой остается сравнительно большое напряжение разбаланса, особенно в интегральных схемах, где исключен подбор транзисторов. Кроме того, полевые транзисторы, как известно ( см. гл. [22]
К этому же этапу следует отнести изготовление макета исследуемой схемы, позволяющего менять исследуемые активные элементы, а также подбор транзисторов и диодов с граничными величинами исследуемых параметров. [23]
Для обеспечения заданного эксплуатационного допуска на коэффициент усиления УНЧ можно изменять только допуски на сопротивления резисторов и емкость конденсатора, поскольку допуск на напряжение питания задан, а подбор транзисторов обычно не допускается.
[24]
Температурный дрейф нулевого уровня, отнесенный ко входу преобразователя, зависящий от диапазона изменения температуры окружающей среды и определяемый изменениями параметров транзисторов в этом диапазоне температур, точностью подбора транзисторов ( в случае преобразователя на нескольких транзисторах), схемой модулятора, подгонкой компенсационных элементов и напряжением модуляции, не должен превышать заданного значения. [25]
Температурная стабильность этого преобразователя может быть выше, чем у рассмотренных ранее схем. Однако подбор транзисторов для него еще более сложен, чем для модулятора с двумя транзисторами. [26]
| Схема для подбора пар полевых транзисторов. [27] |
При этом, как говорят специалисты, осуществляется подбор пары транзисторов по основным параметрам. Для обеспечения подбора транзисторов необходимо иметь их хотя бы в 2 – 3 раза больше, чем используется в измерительном преобразователе-усилителе.
В соответствии со схемой на рис. 3.3 в пару следует выбирать полевые транзисторы, имеющие по возможности близкие значения падения напряжения на резисторе, включенном в цепь истока.
[28]
В случае работы от источника с высоким внутренним сопротивлением дрейф напряжения больше зависит от величины Д б / ДГ, чем At / бэ / АГ, так что однотактный и дифференциальный каскады имеют сравнимые показатели дрейфа, если только в дифференциальном варианте не используются транзисторы, подобранные по коэффициентам Дг б / ДГ. При отсутствии подбора транзисторов одного типа коэффициенты могут отличаться вдвое. [29]
| Ламповые усилители среднего значения. [30] |
Страницы: 1 2 3 4
Важные параметры транзистора для выбора правильного транзистора для вашего приложения
28 апреля 2020 – 0 комментариев
Как выбрать транзистор Транзистор представляет собой полупроводниковый прибор с тремя выводами, который используется в качестве усилителя или переключателя в электронных схемах.
Доступны тысячи различных типов транзисторов, и каждый транзистор имеет разные параметры. Транзисторы сложнее, чем резисторы и конденсаторы, потому что вы можете выбрать резистор или конденсатор в соответствии с требуемым значением сопротивления или емкости, но при выборе транзистора вы должны искать множество параметров транзистора . Таким образом, выбор правильного транзистора для вашей схемы является сложной задачей.
Ниже приведены некоторые важные параметры, которые следует учитывать при выборе транзистора.
1. Номер типа
Номер типа транзистора — это уникальный номер, присвоенный каждому транзистору. Используя номер типа транзистора, мы можем найти его характеристики и характеристики. Существуют три основные системы нумерации: JIS, Pro Electron и JEDEC .
JIS используется японским промышленным стандартом, Pro Electron — европейским стандартом, а JEDEC — американским стандартом. Если вы строите схему из Интернета, то ее можно выбрать напрямую, используя количество транзисторов, используемых в исходной схеме.
2. Коэффициент усиления по току (β)
В любой схеме коэффициент усиления по току транзистора является важным параметром. Коэффициент усиления по току обычно обозначается как β или h fe . Ток — это отношение тока базы к току коллектора и мера усиливающей способности транзистора. Если вы хотите использовать транзистор в качестве усилителя, то выбирайте транзистор с более высоким коэффициентом усиления по току.
3. Напряжение коллектор-эмиттер (В СЕО )
В СЕО – максимальное напряжение, которое может выдержать переход коллектор-эмиттер транзистора. Для большинства транзисторов V CEO обычно составляет 30 В и более и измеряется при разомкнутой цепи базы.
Применение более высокого напряжения, чем V CEO , может повредить ваш транзистор. Так что перед использованием транзистора проверьте максимум V CEO из даташита.
4. Напряжение эмиттер-база (В EBO )
В EBO — максимальное напряжение, которое может быть приложено к переходу эмиттер-база. Более высокое напряжение, чем V EBO , может повредить или разрушить ваш транзистор. V EBO относительно меньше, чем V CEO . Максимальное значение V EBO обычно составляет 6 В или более для большинства транзисторов и измеряется при разомкнутой цепи коллектора.
5. Напряжение коллектор-база (В СВО )
В CBO – максимальное напряжение, которое может быть приложено к переходу коллектор-база, и измеряется оно при разомкнутой цепи эмиттера. В СВО обычно 50В и более.
V CBO относительно выше, чем V CEO , потому что напряжение между коллектором и базой часто выше, чем напряжение между коллектором и эмиттером.
6. Ток коллектора (I C )
Ток коллектора – это максимальный ток, который может протекать через коллектор. Обычно он определяется в миллиамперах, но для мощных транзисторов он определяется в амперах. Коллекторный ток не должен превышать своего максимального значения, иначе он может повредить транзистор. Вы можете использовать резистор для ограничения тока коллектора.
7. Полная рассеиваемая мощность (Ptot)
Это полная мощность, рассеиваемая транзистором. Рассеиваемая мощность зависит от транзистора к транзистору. Для небольших транзисторов номинальная мощность составляет порядка нескольких сотен милливатт, но для транзисторов большой мощности она определяется в ваттах. Рассеиваемая мощность на устройстве может быть рассчитана путем умножения тока коллектора на напряжение на самом устройстве.
