Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Содержание

Оптический датчик G56-3E01NA NPN NO

Особенности датчиков

  • Щелевого типа
  • Подстройка чувствительности
  • Компактность
  • Долгий срок службы
Характеристики
Тип корпуса Прямоугольный датчик (25х16х55мм)
Тип датчика оптический датчик
Способ обнаружения Щелевой
Тип выхода транзистор NPN (трехпроводное подключение)
Состояние выхода нормально открытый NO
Рабочее напряжение 6-36VDC
Максимальный ток нагрузки 200 mA;
Ток потребления 15 мА;
Время срабатывания <2 мс
Общий угол пучка 3-10°
Рабочая температура -25°С. ..+55°С
Материал корпуса пластмасса
Индикация срабатывания светодиодная
Степень защиты IP54

 

Расшифровка номенклатуры – G56-3E01NA

  1. G56 – Модель фотоэлектрических датчиков
    • G16 – Прямоугольный (21х15,5х40мм)
    • G18 – Цилиндрический датчик Ø18мм
    • G50 – Прямоугольный датчик (50х50х18мм)
    • G56 – Прямоугольный датчик (25х16х55мм)
  2. 3 – Напряжение питания (2 – 90…250VAC; 3 – 6…36VDC; 4 – 12…240VDC/24…240AC)
  3. E – Способ обнаружения
    • A – Отражение от объекта (прямого действия)
    • B – Отражение от световозвращателя (отражающего действия)
    • C – Барьерный
    • E – Щелевой
  4. 01 – Расстояние срабатывания
    • 01 –   01:1мм;   05:5мм;  10:10мм; 1:1м
  5. N – Тип выхода
    • N – транзистор NPN (трехпроводное подключение)
    • P – транзистор PNP (трехпроводное подключение)
  6. A – Состояние выхода
    • A – нормально открытый NO
    • B – нормально закрытый NC
    • C – NO+NC
Расстояние срабатывания 7мм
Напряжение 
питания
DC6 – 36VDC NPN NO G56-3E01NA
NC G56-3E01NB
NO+NC G56-3E01NC
PNP NO G56-3E01PA
NC G56-3E01PB
NO+NC G56-3E01PC

Конкретная схема подключения указана на этикетке бесконтактного выключателя.

 Схемы подключения 3 и 4 проводных бесконтактных выключателей

 

  Схемы подключения 2 проводных бесконтактных выключателей

Биполярный транзистор – принцип работы для чайников!

Приветствую вас дорогие друзья! Сегодня речь пойдет о биполярных транзисторах и информация будет полезна прежде всего новичкам. Так что, если вам интересно что такое транзистор, его принцип работы  и вообще с чем его едят, то берем  стул по удобнее и подходим поближе.

Продолжим, и у нас тут есть содержание,  будет удобнее ориентироваться в статье 🙂

[contents]

Виды транзисторов

Транзисторы бывают в основном двух видов: биполярные транзисторы и полевые транзисторы.  Конечно можно было рассмотреть все виды транзисторов в одной статье, но мне не хочется варить кашу  у вас в голове. Поэтому в этой статье мы рассмотрим исключительно биполярные транзисторы а о полевых транзисторах я расскажу в одной из следующих статей. Не будем все мешать в одну кучу  а уделим внимание каждому, индивидуально.

Биполярный транзистор

Биполярный транзистор это потомок ламповых триодов, тех что стояли в телевизорах 20 -го века. Триоды ушли в небытие и уступили дорогу более функциональным собратьям — транзисторам, а точнее биполярным транзисторам.

Триоды за редким исключением применяют в аппаратуре для меломанов.

Биполярные транзисторы выглядеть могут  так.

Как вы можете видеть биполярные транзисторы имеют три вывода и конструктивно они могут выглядеть совершенно по разному. Но на электрических схемах они выглядят простенько и всегда одинаково. И все это графическое великолепие,  выглядит как-то так.

Это изображение транзисторов еще называют УГО (Условное графическое обозначение).

Причем биполярные транзисторы могут иметь различный тип проводимости. Есть транзисторы NPN типа и PNP типа.

Отличие n-p-n транзистора от p-n-p транзистора состоит лишь в том что является «переносчиком» электрического заряда (электроны или «дырки» ).

Т.е. для p-n-p транзистора электроны перемещаются от эмиттера к коллектору и управляются базой. Для n-p-n транзистора электроны идут уже от коллектора к эмиттеру и управляются базой.    В итоге приходим к тому, что для того чтобы в схеме заменить транзистор одного типа проводимости на другой достаточно изменить полярность приложенного напряжения. Или тупо поменять полярность источника питания.

У биполярных транзисторов есть три вывода: коллектор, эмиттер и база. Думаю, что по УГО будет сложно запутаться, а вот в реальном транзисторе запутаться проще простого.

Обычно где какой вывод определяют по справочнику, но можно просто  прозвонить транзистор мультиметром. Выводы транзистора звонятся как два диода, соединенные в общей точке (в области базы транзистора).

Слева изображена картинка для транзистора p-n-p типа,  при прозвонке  создается ощущение (посредством показаний мультиметра ), что перед вами два диода которые соединены в одной точке своими катодами.

Для транзистора  n-p-n типа  диоды в точке базы соединены своими анодами. Думаю после экспериментов с мультиметром будет более понятно.

 

 Принцип работы биполярного транзистора

А сейчас мы попробуем разобраться как работает транзистор. Я не буду вдаваться в подробности внутреннего устройства транзисторов так как эта информация только запутывает. Лучше взгляните на этот рисунок.

Это изображение лучше всего объясняет принцип работы  транзистора. На этом изображении человек посредством реостата управляет током коллектора. Он смотрит на ток базы, если ток базы растет то человек так же увеличивает ток коллектора с учетом коэффициента усиления транзистора h31Э. Если ток базы падает, то ток коллектора также будет снижаться — человек подкорректирует его посредством реостата.

Эта аналогия не имеет ничего общего с реальной работой транзистора, но она облегчает понимание принципов его работы.

Для транзисторов можно отметить правила, которые призваны помочь облегчить понимание. (Эти правила взяты из книги П. Хоровица У.Хилла «Искусство схемотехники»).

  1. Коллектор имеет более положительный потенциал , чем эмиттер
  2. Как я уже говорил цепи база — коллектор и база -эмиттер работают как диоды
  3. Каждый транзистор характеризуется предельными значениями, такими как ток коллектора, ток базы и напряжение коллектор-эмиттер.
  4. В том случае если правила 1-3 соблюдены то ток коллектора Iк прямо пропорционален току базы Iб. Такое соотношение можно записать в виде формулы.

Из этой формулы можно выразить основное свойство транзистора — небольшой ток базы управляет большим током коллектора.

-коэффициент усиления по току.

Его также обозначают как 

Исходы из выше сказанного транзистор может работать в четырех режимах:

  1. Режим отсечки транзистора — в этом режиме переход база-эмиттер закрыт, такое может произойти когда напряжение база-эмиттер недостаточное. В результате  ток базы  отсутствует и следовательно ток коллектора тоже будет отсутствовать.
  2. Активный режим транзистора — это нормальный режим работы транзистора.  В этом режиме напряжение база-эмиттер достаточное для того, чтобы переход база-эмиттер открылся. Ток базы достаточен и ток коллектора тоже имеется. Ток коллектора равняется току базы умноженному на коэффициент усиления.
  3. Режим насыщения транзистора — в этот режим транзистор переходит тогда, когда ток базы становится настолько большим, что мощности источника питания просто не хватает для дальнейшего увеличения тока коллектора. В этом режиме ток коллектора не может увеличиваться вслед за увеличением тока базы.
  4. Инверсный режим транзистора — этот режим используется крайне редко. В этом режиме коллектор и эмиттер транзистора меняют местами. В результате таких манипуляций коэффициент усиления транзистора очень сильно страдает. Транзистор изначально проектировался не для того, чтобы он работал в таком особенном режиме.

Для понимания того как работает транзистор нужно рассматривать конкретные схемные примеры, поэтому давайте рассмотрим некоторые из них.

Транзистор в ключевом режиме

Транзистор в ключевом режиме это один из случаев транзисторных схем с общим эмиттером. Схема транзистора в ключевом режиме применяется очень часто. К этой транзисторной схеме прибегают к примеру когда нужно управлять мощной нагрузкой посредством микроконтроллера. Ножка контроллера не способна тянуть мощную нагрузку, а транзистор может. Получается контроллер управляет транзистором, а транзистор мощной нагрузкой. Ну а обо всем по порядку.

Основная суть этого режима заключается в том, что ток базы управляет током коллектора. Причем ток коллектора гораздо больше тока базы. Здесь невооруженным взглядом видно, что происходит усиление сигнала по току. Это усиление осуществляется за счет энергии источника питания.

На рисунке изображена схема работы транзистора в ключевом режиме.

Для транзисторных схем напряжения не играют большой роли, важны лишь токи.  Поэтому, если отношение тока коллектора к току базы меньше коэффициента усиления транзистора то все окей.

В этом случае даже если к базе у нас приложено напряжение в 5 вольт а в цепи коллектора 500 вольт, то ничего страшного не произойдет, транзистор будет покорно переключать высоковольтную нагрузку.

Главное чтобы  эти напряжения не превышали предельные значения для конкретного транзистора (задается в характеристиках транзистора).

Чтож, теперь давайте попробуем рассчитать значение базового резистора.

На сколько мы знаем, что значение тока это характеристика нагрузки.

Т.е. I=U/R

Мы не знаем сопротивления лампочки, но мы знаем рабочий ток лампочки 100 мА. Чтобы транзистор открылся и обеспечил протекание такого тока, нужно подобрать соответствующий ток базы. Ток базы мы можем корректировать меняя номинал базового резистора.

Так как минимальное значение коэффициента усиления транзистора равно 10, то для открытия транзистора ток базы должен стать 10 мА.

Ток который нам нужен известен. Напряжение на базовом резисторе будет Такое значение напряжения на резисторе получилось из-зи  того, что на переходе база-эмиттер высаживается 0,6В-0,7В и это надо не забывать учитывать.

В результате  мы вполне можем найти сопротивление резистора

Осталось выбрать из ряда резисторов конкретное значение и дело в шляпе.

Теперь вы наверное думаете, что транзисторный ключ будет работать так как нужно? Что когда базовый резистор подключается к +5 В лампочка загорается, когда отключается -лампочка гаснет? Ответ может быть да а может и нет.

Все дело в том, что здесь есть небольшой нюанс.

Лампочка в том случае погаснет, когда потенциал резистора будет равен потенциалу земли. Если же резистор просто отключен от источника напряжения, то здесь не все так однозначно. Напряжение на базовом резисторе  может возникнуть чудесным образом в результате наводок или еще какой потусторонней нечисти 🙂

Чтобы такого эффекта не происходило делают следующее. Между базой и эмиттером подключают еще один резистор  Rбэ. Этот резистор выбирают номиналом как минимум в 10 раз больше базового резистора Rб (В нашем случае  мы взяли резистор 4,3кОм).

Когда база подключена к какому-либо напряжению, то транзистор работает как надо, резистор Rбэ ему не мешает. На этот резистор расходуется лишь малая часть базового тока.

В случае, когда напряжение к базе не приложено, происходит подтяжка базы к потенциалу земли, что избавляет нас от всяческих наводок.

Вот в принципе мы разобрались с работой транзистора в ключевом режиме, причем как вы могли убедиться ключевой режим работы это своего рода усиление сигнала по напряжению. Ведь мы с помощью малого напряжения в 5В управляли напряжением в 12 В.

Эмиттерный повторитель

Эмиттерный повторитель является частным случаем транзисторных схем с общим коллектором.

Отличительной чертой схемы с общим коллектором от схемы с общим эмиттером (вариант с транзисторным ключем) является то, что эта схема не усиливает сигнал по напряжению. Что вошло через базу, то и вышло через эмиттер, с тем же самым напряжением.

Действительно допустим приложили к базе мы 10 вольт, при этом мы знаем что на переходе база-эмиттер высаживается где-то 0,6-0,7В. Выходит что на выходе (на эмиттере, на нагрузке Rн) будет напряжение базы минус 0,6В.

Получилось 9,4В, одним словом почти сколько вошло столько и вышло. Убедились, что по напряжению эта схема нам сигнал не увеличит.

«В чем же смысл тогда таком включении транзистора?»- спросите вы. А вот оказывается эта схема обладает другим очень важным свойством.  Схема включения транзистора с общим коллектором усиливает сигнал по мощности. Мощность это произведение тока на напряжение, но так как напряжение не меняется то мощность увеличивается только за счет тока! Ток в нагрузке складывается из тока базы плюс ток коллектора. Но если сравнивать ток базы и ток коллектора то ток базы очень мал по сравнению с током коллектора. Получается ток нагрузки равен току коллектора.  И в результате получилась вот такая формула.

Теперь я думаю понятно в чем суть  схемы эмиттерного повторителя, только это еще не все.

Эмиттерный повторитель обладает еще одним очень ценным качеством — высоким входным сопротивлением. Это означает, что эта транзисторная схема почти не потребляет ток входного сигнала и не создает нагрузки для схемы -источника сигнала.

Для понимания принципа работы транзистора этих двух транзисторных схем будет вполне достаточно. А если вы еще поэкспериментируете с паяльником в руках то прозрение просто не заставит себя ждать, ведь теория теорией а практика и личный опыт ценнее в сотни раз!

Где транзисторы купить?

Как и все другие радиокомпоненты транзисторы можно купить в  любом ближайшем  магазине радиодеталей. Если вы живете где-нибудь на окраине и о подобных магазинах не слышали (как я раньше) то остается последний вариант — заказать транзисторы в интернет- магазине. Я сам частенько заказываю радиодетали через интернет-магазины ведь в обычном оффлайн магазине может чего-нибудь просто не оказаться.

Впрочем если вы собираете устройство чисто для себя то можно не париться а добыть из старой, отслужившей свое техники и так сказать вдохнуть в старый радиокомпонет новую жизнь.

Чтож друзья, а на этом у меня все. Все, что планировал я сегодня вам рассказал. Если остались какие-либо вопросы, то задавайте их в комментариях, если вопросов нет то все равно пишите комментарии, мне всегда важно ваше мнение. Кстати не забывайте, что каждый кто впервые оставит комментарий получит подарок.

Также обязательно подпишитесь на новые статьи, потому что дальше вас ждет много интересного и полезного.

Желаю вам удачи, успехов  и солнечного настроения!

С н/п Владимир Васильев

P.S. Друзья, обязательно подписывайтесь на обновления! Подписавшись вы будете получать новые материалы себе прямо на почту! И кстати каждый подписавшийся получит полезный подарок!

PNP? NPN? Push – Pull сигналы датчиков. Принцип работ, отличия, применение с ПЛК.

Эта важная информация для корректного понимания подключения современных датчиков с различными типами выходов к промышленным контроллерам. В последствии эта информация нам пригодится когда будем рассматривать подключение датчиков. Речь пойдёт о наиболее часто применяемых типах выходных сигналов дискретных датчиков, т.е. датчиков, имеющих выходной сигнал либо «0» либо «1». В нашем случае «логический 0» – это около 0Вольт, а «логическая 1» – это около 24 вольт. Сейчас обсуждаем выходные сигналы электронных дискретных датчиков с нерелейным выходом, т.е. это, например, датчики приближения индуктивности и емкостные, датчики уровня, оптические датчики, некоторые виды энкодеров, т.е. датчиков угла поворота. Подобные датчики имеют дискретный выход, имеющий два состояния, например, для индуктивного датчика: есть металл\нет металла, для датчика уровня: есть жидкость/нет жидкости, для конкретного оптического датчика – это луч прерван, или луч проходит, т.е. также два состояния, энкодер имеет три выходных сигнала, также имеющих по два состояния, т.е .это АВ и Z, но об энкодерах по – позже. Поэтому изначально за основу выходов подобных датчиков были взяты обычные биполярные транзисторы, работающие в ключевом режиме, т.е. транзистор либо открыт, либо закрыт.

Сначала рассмотрим самый популярный выход датчика pnp, и, соответственно в этой схеме будет биполярный транзистор с открытым коллектором. Надо понимать, что в данной схеме транзистор открывается напряжением базой инитр, причём напряжение, подаваемое на базу, должно быть ниже напряжения источника питания, иначе ток через базу не потечёт, и транзистор не откроется. Данный выходной каскад при открытом транзисторе подаёт напряжение питания на выход, а в закрытом состоянии транзистора выход подтянут резистром на «-« питание.

Теперь выход датчика npn. В схеме это уже будет npn – транзистор. Данный выходной каскад при открытом транзисторе коммутирует выход датчика на «-« источника питания, а в закрытом состоянии через резстор подтянут на «+» источника питания. Пример выхода даnчика с npn выходом – это инкрементальный энкодер, имеющий 3 npn – выхода А, В и Z.

Среднестатистический промышленный контроллер и его цифровые входы расчитаны на датчики с pnp – выходами, то есть на вход контроллера подаётся «плюс» источника питания, когда есть сигнал логической единицы, и сигнла нет, либо он подтянут регистором минус источника питания, тогда подаётся логический ноль. Естественно суть для логического нуля может быть разной. Например, подобный индуктивный датчик может формировать логическую единицу при приближении к нему металла, а также можно приобрести другой датчик, который будет формировать логическую единицу при отсутствии металла. Для первого случая – это «нормально открытый датчик», а для второго случая- это «нормально закрытый» датчик . Но если вы подключите датчик с npn выходом к цифровому входу контроллера, рассчитанного на pnp сигнал, то работать этот датчик не будет. Чтобы запомнить как работают pnp и npn выходы, надо мысленно представить транзистор в схеме выхода датчика, и сразу станет понятно в какой позиции транзистор может коммутировать сигнал, то есть по – просту в какой позиции он может открыться. Так же существуют ещё ? Push – Pull – выходы. То есть это из наиболее популярных. Это двухтактный каскад, в основном предназначенный для каких-то длинных линий связи, для больших дистанций от датчиков, он более помехозащищённый, то есть понятно, что через резистор в режиме логического нуля, или, например, в режиме логической единицы, может течёт ток небольшой, а в нашем случае течёт ток от «плюса» питания до «минуса» питания. Поэтому в основном применяют это в различных последовательных интерфейсах, когда требуется больше скорость, больше дистанция, большие токи, т. к. выходное сопротивление двухтактного каскада несравнимо мало, нежели у тех двух вариантов. Однако, важным отличием Push – Pull от pnp – npn- выходов, является невозможность объединять выходы к одному приёмнику сигналов, например, к цифровому ходу. Если мы два Push – Pull выхода подсоединим, параллельно одного выхода, два датчика, которые выполняют одну и ту же функцию, но в разных местах, то есть, если у нас один датчик будет коммутировать плюс, а другой датчик будет коммутировать минус, соответственно потечёт большой ток, и транзисторы сгорят, в отличие от pnp или npn датчиков. Заметим , что часто выходы датчиков, особенно в последнее время, делают со специальными ключевыми элементами или схемами, защищёнными от коротких замыканий, чтобы персонал не спалил их при монтаже, наладке или обслуживании. Надеемся, эта информация будет вам полезна , смотрите новые статьи, новости, видео, новую информацию на нашем сайте sensor.ua, пишите нам в поддержку, обращайтесь за помощью в подборе продукции, оформляйте заказы на нашем сайте.

купить датчик Киев Харьков Днепр Запорожье сенсор sensor индуктивный оптический емкостной

Что такое транзистор PNP и его типы.

Определение:

PNP-транзистор – это тип транзистора, в котором один материал n-типа легирован двумя материалами p-типа. Это устройство, управляемое током. И эмиттерный, и коллекторный токи контролировались небольшим током базы. Два кристаллических диода подключены друг к другу в транзисторе PNP. Диод эмиттер-база расположен с левой стороны диода, а диод коллектор-база – с правой стороны.

Ток в отверстии состоит из большинства носителей транзисторов PNP. Ток внутри транзистора создается движением отверстий, а ток в выводах транзистора создается потоком электронов. Когда через базу PNP-транзистора протекает небольшой ток, он включается. Ток в транзисторе PNP течет от эмиттера к коллектору.

Напряжение, необходимое для эмиттера, коллектора и базы транзистора, обозначается буквой PNP-транзистора. По сравнению с эмиттером и коллектором база PNP-транзистора всегда была отрицательной. Электроны в транзисторе PNP берутся с клеммы базы. Ток, который входит в базу, усиливается до того, как достигнет конца коллектора.

Обозначение транзистора PNP:

Транзистор PNP обозначается буквами PNP. На схеме ниже изображен символ транзистора PNP. В транзисторе PNP ток течет от эмиттера к коллектору, как показано направленной внутрь стрелкой.

Конструкция транзистора PNP:

Структура транзистора PNP изображена на схеме ниже. Эмиттерный и базовый переходы смещены в прямом направлении, а коллекторный и базовый переходы – в обратном. Эмиттер с прямым смещением притягивает электроны к батарее, заставляя ток течь от эмиттера к коллектору.

Легированные полупроводники находятся в трех секциях транзистора. С одной стороны – эмиттер, а с другой – коллектор.База относится к области посередине. Три компонента транзистора подробно описаны ниже.

Эмитент:

Задача эмиттера – обеспечить приемник носителями заряда. По сравнению с базой эмиттер всегда смещен в прямом направлении, чтобы обеспечить большое количество носителей заряда.

База:

База транзистора – это часть посередине, которая образует два PN-перехода между эмиттером и коллектором. Переход база-эмиттер смещен в прямом направлении, что позволяет цепи эмиттера иметь низкое сопротивление.Из-за обратного смещения перехода база-коллектор коллекторная цепь имеет высокое сопротивление.

Коллектор:

Коллектор – это секция на противоположной стороне эмиттера, которая собирает заряды. Когда дело доходит до сбора, коллектор всегда смещен в противоположную сторону.

Транзистор эквивалентен двум диодам, поскольку имеет два PN-перехода. Диод эмиттер-база или эмиттерный диод – это название соединения между эмиттером и базой.Переход между коллектором и базой называется коллекторно-базовым диодом или коллекторным диодом.

Работа транзистора PNP:

Поскольку переходы эмиттера и базы смещены вперед, эмиттер проталкивает отверстия в области основания. Эмиттерный ток состоит из этих отверстий. Эти электроны объединяются с электронами, когда они перемещаются в полупроводниковый материал N-типа или основу. База транзистора тонкая и не имеет большого количества легирования. В результате только несколько дырок объединяются с электронами, а остальные дырки перемещаются в слой пространственного заряда коллектора.В результате развивается базовый ток.

Обратное смещение используется для соединения коллектор-база. Коллектор собирает или притягивает отверстия, которые собираются вокруг области истощения, когда они подвергаются воздействию отрицательной полярности. Вследствие этого возникает ток коллектора. Коллекторный ток IC пропускает весь ток эмиттера.

Кривые и режимы работы транзисторов:

Режимы работы, используемые для коммутации, можно разделить на четыре категории в зависимости от смещения внутренних диодов транзистора.Области отсечки, активности, насыщения и пробоя – это разные режимы работы.

Активный режим:

В этом режиме работы транзистор часто используется в качестве усилителя тока. Два диода транзистора смещены в противоположных направлениях, что означает, что один смещен в прямом направлении, а другой – в обратном. В этом режиме ток течет от эмиттера к коллектору.

Режим отсечки:

В этом режиме работы оба диода транзистора имеют обратное смещение.Говорят, что транзистор находится в выключенном состоянии, потому что в этом режиме ток не течет ни в каком направлении.

Режим насыщения:

В этом режиме работы оба диода в транзисторах смещены в прямом направлении. В этом режиме ток свободно течет от коллектора к эмиттеру. Это происходит, когда напряжение на переходе база-эмиттер высокое. Состояние ON называется этим режимом.

Режим пробоя:

Когда напряжение коллектора превышает установленные пределы, коллекторный диод выходит из строя, и ток коллектора резко возрастает до опасного уровня.В результате транзистор в области пробоя не должен работать. Например, в транзисторе 2N3904, если напряжение коллектора превышает 40 В, сразу же начинается область пробоя, вызывая повреждение схемы транзистора.

Заявки:

  1. В схемах усиления они используются.
  2. Во встраиваемых проектах транзисторы используются в качестве переключателя, а из-за быстрого переключения они также используются для генерации сигналов ШИМ.
  3. Парные схемы
  4. Дарлингтона (многотранзисторная конфигурация) используют их.
  5. В электродвигателях для управления током используются транзисторы PNP.
  6. В схемах согласованных пар транзисторы PNP используются для одновременного генерирования неоднозначной мощности.

Преимущества транзистора PNP:

Ниже приведены некоторые преимущества транзисторов PNP:

  1. Для источника тока используются транзисторы PNP.
  2. Поскольку он генерирует сигнал, относящийся к отрицательной шине источника питания, он упрощает конструкцию схемы.
  3. По сравнению с NPN транзисторами они производят меньше шума.
  4. Он меньше других транзисторов и может использоваться в интегральных схемах, как и другие.

PNP-транзистор – принцип работы, характеристики и применение

PNP-транзистор – это подтип биполярных переходных транзисторов (BJT). Это базовый транзистор, который часто используется в различных электронных схемах. Он используется для таких функций, как усиление сигнала, переключатели и генераторы.В этом посте представлена ​​подробная информация о транзисторе PNP, принципах работы транзистора PNP, его характеристиках, применении, преимуществах и недостатках.

Что такое транзистор PNP

Транзистор PNP – это тип биполярного переходного транзистора, который состоит из трех слоев, в которых слой с примесью “N” расположен между двумя слоями с примесью “P”. В транзисторах PNP электроны являются неосновными носителями заряда, а дырки – основными носителями заряда. Течение тока происходит из-за движения отверстий.Он имеет два PN-перехода:

  • Соединение эмиттер-база
  • Соединение коллектор-база

Рис. это устройство, управляемое током. Конструкция противоположна NPN-транзистору, но аналогична по работе.

Символ транзистора PNP показывает стрелку, направленную внутрь от эмиттера к базе, которая указывает направление обычного тока.PNP-транзистор считается включенным, когда напряжение источника, подключенного к базе, низкое, и выключается, когда оно высокое.

Рис. 2 – Обозначение транзистора PNP

Как работает транзистор PNP

Чтобы понять принцип работы транзистора, необходимо знать характеристики полупроводников.

Четвертый столбец периодической таблицы содержит определенные элементы, которые в контролируемых условиях ведут себя как проводники и изоляторы.Эти элементы называются полупроводниками. Электроны движутся в полупроводнике медленно, а дырки движутся медленнее, чем электроны. Для изменения удельного сопротивления полупроводника требуется всего несколько донорных или акцепторных атомов.

PNP-транзистор работает, когда переход база-эмиттер смещен в прямом направлении, а переход база-коллектор смещен в обратном направлении. Говорят, что переход имеет прямое смещение, когда полупроводник P-типа подключен к положительному выводу, а полупроводник N-типа подключен к отрицательному выводу.При обратном смещении полупроводник P-типа подключается к отрицательной клемме, а полупроводник N-типа подключается к положительной клемме.

Рис. 3 – Конструкция и обозначение схемы PNP-транзистора

Область базового коллектора имеет обратное смещение, в котором используется внешний источник напряжения. Это означает, что база имеет более высокий потенциал, чем коллектор. Обратное смещение не создает диффузии, и, следовательно, между клеммами не протекает ток.

Область базового эмиттера смещена в прямом направлении, так что напряжение на эмиттере имеет более высокий потенциал, чем на базе (V BE ).Отверстия вставлены в эмиттер (P-область), пересекая область обеднения в базу от положительного вывода источника напряжения (V BE ). Поскольку эмиттер сильно легирован, он привлекает много электронов, которые диффундируют в базовую область.

В то же время электроны текут из отрицательного вывода, толкая электроны около перехода эмиттер-база в эмиттер. Это заставляет ток (I E ) течь от эмиттера к коллектору.

Ток коллектора или ток базы можно рассчитать по формуле:

База отрицательнее эмиттера примерно на 0.7 вольт для кремниевого полупроводника и 0,3 вольт для германиевого полупроводника.

Подводя итог, при увеличении напряжения прямого смещения барьер перехода эмиттер-база уменьшается. Это позволяет большему количеству носителей достигать коллектора, что, в свою очередь, увеличивает ток от эмиттера к коллектору. Это также означает, что уменьшение напряжения прямого смещения уменьшает ток.

  Прочтите о PN-переходе, прямом смещении, обратном смещении и слое истощения  

Характеристики транзистора PNP

Взаимосвязь между постоянными токами и напряжениями представлена ​​графически, которые называются характеристиками.Двумя важными характеристиками транзистора PNP являются:

  • Входные характеристики
  • Выходные характеристики

Входные характеристики для конфигурации с общей базой

В конфигурации с общей базой для различных постоянных значений выходного напряжения (V BC ) кривая строится между входным током (I E ) и входным напряжением (V BE ).

На рисунке ниже показан приблизительный график для входных характеристик.Из этой характеристической кривой мы можем сделать вывод, что для фиксированного значения выходного напряжения (V BC ) напряжение эмиттера прямо пропорционально току эмиттера (I E ).

Рис. 4 – Входные характеристики для общей базовой конфигурации

Выходные характеристики для общей базовой конфигурации

Для различных постоянных значений входного тока (I E ) кривая строится между выходным током ( I C ) и выходное напряжение (V BC ).На рисунке ниже показаны выходные характеристики с тремя интересующими областями, указанными как активная область, область отсечки и область насыщения. Транзистор действует как переключатель «ВЫКЛ» в области отсечки и переключатель «ВКЛ» в области насыщения.

Рис. 5 – Выходные характеристики для общей базовой конфигурации

  • В активной области переход база-эмиттер смещен в прямом направлении, а переход с базой-коллектором смещен в обратном направлении.
  • В области отсечки и соединение база-эмиттер, и соединение-база коллектора имеют обратное смещение.
  • В области насыщения переходы базового эмиттера и базового коллектора смещены в прямом направлении.

Применения транзистора PNP

Применения транзисторов PNP включают:

  • Они используются при проектировании схем усилителя, таких как усилители класса B.
  • Они используются в общем управлении двигателем.
  • Транзисторы PNP широко используются в парных схемах Дарлингтона.
  • Используются как переключатели.
  • Используются как генераторы.

Преимущества транзистора PNP

Преимущества транзисторов PNP:

  • Транзисторы PNP используются для источника тока.
  • Упрощает конструкцию схемы, поскольку генерирует сигнал, привязанный к отрицательной шине питания.
  • Как и другие транзисторы, он меньше по размеру и может входить в состав интегральных схем.
  • Они генерируют меньше шума, чем транзисторы NPN.

Недостатки транзистора PNP

Недостатки транзисторов PNP:

  • Транзистор PNP сравнительно медленнее, чем транзистор NPN.
  • Они не могут работать на более высоких частотах.
  • Уровни производительности ниже по сравнению с транзисторами NPN.
  Также читают: 
  Однопереходный транзистор (UJT) - конструкция, работа, характеристики и применение 
  Твердотельный накопитель (SSD) - принцип работы, типы, применение, SSD против жесткого диска 
  Мультиплексор (Mux) - типы, каскадирование, методы мультиплексирования, применение  
Транзистор PNP

– как это работает?

Транзистор PNP для многих является загадкой.Но этого не должно быть. Если вы хотите разрабатывать схемы с транзисторами, действительно стоит знать об этом типе транзисторов.

Например: Хотите, чтобы свет автоматически включался, когда стемнеет? Транзистор PNP облегчит вам задачу.

В своей статье, как работают транзисторы, я объяснил, как работает стандартный транзистор NPN . Если вы еще этого не сделали, я действительно настоятельно рекомендую вам сначала прочитать эту статью.

Если вы разбираетесь в транзисторе NPN , вам будет легче понять транзистор PNP .Они работают примерно одинаково, с одним существенным отличием: токи в транзисторе PNP протекают в направлении, противоположном токам в транзисторе NPN.

Примечание. Этот раздел намного проще, если у вас есть понимание тока и напряжения.

Как работают транзисторы PNP

Транзистор PNP имеет те же названия ножек, что и NPN:

PNP-транзистор «включается», когда у вас есть небольшой ток, идущий от эмиттера к базе транзистора.Когда я говорю «включить», я имею в виду, что транзистор открывает канал между эмиттером и коллектором. И этот канал может нести гораздо больший ток.

Для обеспечения протекания тока от эмиттера к базе необходима разница напряжений около 0,7 В. Поскольку ток идет от эмиттера к базе, база должна быть на 0,7 В на ниже, чем на , чем у эмиттера.

Устанавливая базовое напряжение PNP-транзистора на 0,7 В ниже, чем у эмиттера, вы «включаете транзистор» и позволяете току течь от эмиттера к коллектору.

Я знаю, что это может показаться немного запутанным, поэтому читайте дальше, чтобы узнать, как можно разработать схему с транзистором PNP.

Пример: схема транзистора PNP

Давайте посмотрим, как создать простую схему на транзисторе PNP. С помощью этой схемы вы можете использовать для включения светодиода, когда он темнеет.

Шаг 1. Излучатель

Прежде всего, чтобы включить PNP-транзистор, вам необходимо, чтобы напряжение на базе было на меньше , чем на эмиттере. Для такой простой схемы обычно подключают эмиттер к плюсу источника питания.Таким образом, вы будете знать, какое напряжение у вас на эмиттере.

Шаг 2: что вы хотите контролировать

Когда транзистор включается, ток может течь от эмиттера к коллектору. Итак, давайте подключим то, что мы хотим контролировать: светодиод. Поскольку к светодиоду всегда должен быть включен резистор, давайте добавим резистор.

Вы можете заменить светодиод и резистор на все, что хотите.

Шаг 3: транзисторный вход

Для включения светодиода нужно включить транзистор, чтобы открылся канал от эмиттера к коллектору.Чтобы включить транзистор, вам нужно, чтобы напряжение на базе было на 0,7 В ниже, чем на эмиттере, что составляет 9 В – 0,7 В = 8,3 В.

Например, теперь вы можете включить светодиод, когда он темнеет, используя фоторезистор и стандартный резистор, настроенный как делитель напряжения.

Напряжение на базе не будет вести себя в точности так, как вам говорит формула делителя напряжения. Это связано с тем, что транзистор тоже влияет на напряжение.

Но в целом, когда номинал фоторезистора велик (нет света), напряжение будет близко к 8.3V и транзистор включен (что включает светодиод). Когда номинал фоторезистора низок (присутствует много света), напряжение будет близко к 9 В и отключит транзистор (который отключает светодиод).

Что контролирует базовое напряжение?

Вы можете спросить: «Как фоторезистор и резистор на базе волшебным образом создали правильное напряжение 8,3 В в темноте?»

Отчасти потому, что эмиттер и база составляют диод. И диод всегда пытается накапливать напряжение на своем диоде.Этот конкретный диод имеет диодное напряжение около 0,7 В. А 8,3 В на 0,7 В меньше 9 В.

Но это также отчасти потому, что размер фоторезистора и резистора на базе устанавливает напряжение в правильном диапазоне.

Проверить мою схему

Вот видео схемы в действии:

В этом видео я использовал транзистор BC557 PNP. Это один из транзисторов, который Джеймс Льюис рекомендует в своей статье о 4 лучших транзисторах, которые следует держать в комплекте деталей.

Фоторезистор, который я использовал, имеет сопротивление около 10 кОм, когда он светлый, и 1 МОм, когда он темный. Резистор на базе транзистора представляет собой резистор 100 кОм. Светодиод является стандартным выходным светодиодом. И резистор, включенный последовательно со светодиодом, составляет 470 Ом.

Если у вас есть какие-либо вопросы или комментарии, дайте мне знать в поле для комментариев ниже!

PNP транзистор

Когда единственный n-тип полупроводниковый слой зажат между двумя р-типа полупроводниковых слоев формируется pnp-транзистор.

PNP символ транзистора

символ цепи и диод Аналогия транзистора pnp показана ниже фигура.

PNP конструкция транзистора

Транзистор pnp состоит из трех полупроводниковых слоев: одного полупроводниковый слой n-типа и два полупроводника p-типа слои.

Полупроводниковый слой n-типа зажат между двумя полупроводниковые слои.

Транзистор pnp имеет три вывода: эмиттер, база и коллекционер. Клемма эмиттера подключается слева боковой слой р-типа. Клемма коллектора подключена к правый боковой слой p-типа.Базовый терминал подключен в слой n-типа.

Транзистор pnp имеет два p-n переходы. Между эмиттером образуется один стык. и база. Этот переход называется переходом эмиттер-база. или эмиттерный переход. Другой стык образуется между база и коллектор. Этот переход называется коллектор-база или коллекторный переход.

Работа pnp транзистор

Несмещенный pnp транзистор

Когда нет напряжения применяется к pnp-транзистору, он называется несмещенный pnp-транзистор. Слева p-область (эмиттер) и правая боковая p-область (коллектор), отверстия являются основными перевозчиками и бесплатны электроны являются неосновными носителями, тогда как в n-область (основание), свободные электроны являются основными носителями а дыры – неосновные носители.

ср знать, что носители заряда (свободные электроны и дырки) всегда старайтесь перейти от области более высокой концентрации к более низкой область концентрации.

Для дырок, p-область – область более высокой концентрации и n-область – область более низкой концентрации. Аналогично для свободные электроны, n-область – область более высокой концентрации а p-область – область более низкой концентрации.

Следовательно, в отверстия в левой р-области (эмиттер) и правой стороне p-область (коллектор) испытывает отталкивающую силу от каждого Другие. В результате отверстия слева и справа боковые p-области (эмиттер и коллектор) переместятся в n-регион (база).

Во время В этом процессе дырки встречаются со свободными электронами в n-область (основание) и рекомбинирует с ними.Как результат, область обеднения (положительные и отрицательные ионы) составляет формируется на переходе эмиттер-база и база-коллектор соединение.

в эмиттер к базовому переходу, область обеднения пронизана аналогично, ближе к основанию; на базе коллекционеру переход, область истощения проникает больше в сторону базовая сторона.

Это потому что на переходе эмиттер-база эмиттер сильно легирован, а основание – слегка легировано, поэтому обеднение область проникает больше к основанию и меньше в сторону эмиттера. Аналогично от базы к коллекционеру переход, коллектор сильно легирован, а основание слегка легированный, так что обедненная область проникает больше в сторону со стороны основания и меньше в сторону коллектора.

коллекционер область слабо легирована, чем область эмиттера, поэтому ширина обедненного слоя на стороне коллектора больше ширина обедненного слоя на стороне эмиттера.

Смещенный pnp транзистор

Когда внешний напряжение подается на транзистор pnp, это называется смещенный pnp-транзистор.В зависимости от полярности приложенное напряжение, pnp Транзистор может работать в трех режимах: активный режим, режим отсечки и режим насыщения.

Транзистор pnp часто работает в активном режиме, потому что в в активном режиме pnp-транзистор усиливает электрическую Текущий.

Так Давайте посмотрим, как работает pnp-транзистор в активном режиме.

Пусть Рассмотрим транзистор pnp, как показано на рисунке ниже. На приведенном ниже рисунке переход эмиттер-база расположен впереди. смещены постоянным напряжением V EE и база-коллектор переход обратно смещен напряжением постоянного тока V CC .

Излучатель-база пересечение:

Срок к прямому уклону большое количество дырок в левом боковая p-область (излучатель) испытывает силу отталкивания от положительный полюс батареи постоянного тока, а также они испытать силу притяжения с отрицательного полюса батарея.В результате дыры начинают вытекать из эмиттер к базе. Аналогичным образом свободные электроны в базе испытать отталкивающую силу от отрицательного полюса аккумулятор, а также испытать силу притяжения от положительный полюс аккумуляторной батареи. В результате бесплатный электроны начинают течь от базы к эмиттеру.

дыры большинства носителей переносят большую часть тока от эмиттер к базе.Таким образом, электрический ток течет от эмиттер к базе.

Это электрический текущий поток уменьшает ширину обедненной области при эмиттер-базовый переход.

База-коллектор пересечение:

Срок к обратному уклону большое количество дырок справа сторона n-области (коллектор) испытывает силу притяжения от отрицательной клеммы аккумуляторной батареи.Следовательно, отверстия отойти от стыка и течь в сторону отрицательного клемму аккумуляторной батареи. В результате большое количество нейтральные атомы коллектора получает электроны и становится отрицательными ионами. На С другой стороны, свободные электроны в n-области (базе) испытывают сила притяжения от положительного вывода аккумулятор.Следовательно, свободные электроны удаляются от соединение и поток к положительной клемме аккумулятор. В результате большое количество нейтральных основных атомов теряет электроны и становится положительными ионами.

Таким образом, ширина обедненной области увеличивается у базы-коллектора соединение. Другими словами, количество положительных и количество отрицательных ионов увеличивается на переходе база-коллектор.

Эмиттер-база-коллектор ток:

отверстия, которые текут от излучателя к базе из-за прямого смещение будет сочетаться со свободными электронами в базе. Однако основа очень тонкая и слегка легированная. Только так небольшой процент эмиттерных отверстий сочетается со свободными электроны в базовой области.Остающееся большое количество отверстия пересекают базовую область и доходят до коллекторский регион. Это связано с отрицательным напряжением питания. применяется у коллекционера. Следовательно, дырки перетекают от эмиттера к коллекционер. На коллекторе оба отверстия эмиттера и коллекторные отверстия производят ток, протекая к отрицательная клемма аккумуляторной батареи. Следовательно, усиленный на выходе вырабатывается ток.

В pnp-транзистор, электрический ток в основном проводится через дыры.

Что такое транзистор PNP? – Определение, символ, конструкция и работа

Определение: Транзистор, в котором один материал n-типа легирован двумя материалами p-типа, такой тип транзистора известен как транзистор PNP. Это устройство, управляемое током.Небольшая величина базового тока контролировала как эмиттерный, так и коллекторный ток. Транзистор PNP имеет два кристаллических диода, соединенных спина к спине. Левая сторона диода известна как диод эмиттер-база, а правая сторона диода известна как диод коллектор-база.

Отверстие является основным носителем транзисторов PNP, которые составляют в нем ток. Ток внутри транзистора формируется из-за изменения положения отверстий, а в выводах транзистора – из-за потока электронов.Транзистор PNP включается, когда через базу протекает небольшой ток. Направление тока в транзисторе PNP – от эмиттера к коллектору.

Буква PNP-транзистора указывает напряжение, требуемое для эмиттера, коллектора и базы транзистора. База PNP-транзистора всегда была отрицательной по отношению к эмиттеру и коллектору. В транзисторе PNP электроны снимаются с клеммы базы. Ток, который входит в базу, усиливается на концах коллектора.

Обозначение транзистора PNP

Обозначение транзистора PNP показано на рисунке ниже. Стрелка внутрь показывает, что направление тока в транзисторе PNP – от эмиттера к коллектору.

Конструкция транзистора PNP

Конструкция транзистора PNP показана на рисунке ниже. Переход эмиттер-база подключен с прямым смещением, а переход коллектор-база подключен с обратным смещением. Эмиттер, который подключен в прямом смещении, притягивает электроны к батарее и, следовательно, составляет ток, протекающий от эмиттера к коллектору.

База транзистора всегда положительна по отношению к коллектору, так что отверстие от коллекторного перехода не может войти в базу. И база-эмиттер удерживается впереди, благодаря чему отверстия из области эмиттера входят в базу, а затем в область коллектора, пересекая область истощения.

Работа транзистора PNP

Переход эмиттер-база соединен с прямым смещением, из-за чего эмиттер проталкивает отверстия в области базы.Эти отверстия составляют эмиттерный ток. Когда эти электроны перемещаются в полупроводниковый материал или основу N-типа, они объединяются с электронами. База транзистора тонкая и очень слабо легированная. Следовательно, только несколько дырок в сочетании с электронами, а остальные перемещаются к слою объемного заряда коллектора. Отсюда развивается базовый ток.

База коллектора подключена с обратным смещением. Отверстия, которые собираются вокруг обедненной области под воздействием отрицательной полярности, собираются или притягиваются коллектором.Это развивает ток коллектора. Полный ток эмиттера протекает через ток коллектора I C .

Работа транзистора PNP

Работа транзистора PNP

Транзистор PNP работает практически так же, как транзистор NPN. Однако поскольку эмиттер, база и коллектор в транзисторе PNP изготовлены из материалов, которые в отличие от транзистора NPN, в транзисторе протекают разные носители тока. Блок ПНП.Большинство носителей тока в транзисторе PNP – это дырки. Это в в отличие от транзистора NPN, где большинство носителей тока – электроны. К поддерживают этот другой тип тока (поток дырок), батареи смещения меняются местами для транзистор PNP. Типичная установка смещения для транзистора PNP показана на рисунке 2-8.

Обратите внимание, что процедура, использованная ранее для правильного смещения транзистора NPN, также применима. здесь к транзистору PNP. Первая буква (P) в последовательности P NP указывает полярность напряжения, необходимого для эмиттера ( p ositive), а вторая буква (N) указывает полярность базового напряжения ( n относительно).Поскольку соединение база-коллектор всегда имеет обратное смещение, тогда напряжение противоположной полярности ( отрицательное ) необходимо использовать для коллектора. Таким образом, база транзистора P N P должна составлять n . по отношению к эмиттеру, а коллектор должен быть более отрицательным, чем база. Помните, что, как и в случае с NPN-транзистором, эта разница в питающем напряжении равна необходимо, чтобы ток (поток дырок в случае транзистора PNP) от эмиттер к коллектору.Хотя ток через отверстие является преобладающим типом протекания тока в PNP-транзистор, поток дырок происходит только внутри самого транзистора, в то время как электроны текут во внешней цепи. Однако именно внутренний поток дырок приводит к к потоку электронов во внешних проводах, подключенных к транзистору.

Рисунок 2-8. – Правильно смещенный транзистор PNP.

PNP СОЕДИНЕНИЕ ВПЕРЕД. – Теперь давайте посмотрим, что происходит, когда Переход эмиттер-база на рисунке 2-9 смещен в прямом направлении.При показанной настройке смещения положительный полюс батареи отталкивает эмиттерные отверстия к основанию, в то время как отрицательный вывод направляет базовые электроны к эмиттеру. Когда эмиттерное отверстие и базовый электрон встречаются, они соединяются. Для каждого электрона, который соединяется с дыркой, другой электрон покидает отрицательную клемму аккумулятора и попадает в базу. В то же время, электрон покидает эмиттер, создавая новую дырку, и попадает в положительную клемму аккумуляторной батареи. Это движение электронов в базу и из эмиттера. составляет базовый ток (I B ), и путь, по которому проходят эти электроны, равен называется схемой эмиттер-база.

Рисунок 2-9. – Прямо смещенный переход в транзисторе PNP.

ОБРАТНОЕ СМЕЩЕНИЕ PNP. – В разветвлении с обратным смещением (рис. 2-10) отрицательное напряжение на коллекторе и положительное напряжение на базовом блоке большинство Носители тока от пересечения перекрестка.

Однако это же отрицательное напряжение коллектора действует как прямое смещение для меньшинства . текущие отверстия в основании, которые пересекают переход и входят в коллектор.Меньшинство Электроны тока в коллекторе также воспринимают прямое смещение – положительное основание напряжение – и переместимся в базу. Отверстия в коллекторе заполнены электронами, которые течь с минусовой клеммы АКБ. При этом электроны покидают отрицательный полюс батареи, другие электроны в основании разрывают свои ковалентные связи и введите положительный полюс аккумуляторной батареи. Хотя есть только меньшинство текущих расход в обратносмещенном переходе, он все еще очень мал из-за ограниченного количества неосновных носителей тока.

Рисунок 2-10. – Обратно-смещенный переход в PNP-транзисторе.

ПЕРЕХОДНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ PNP. – Взаимодействие между прямым и обратным смещением переходы в транзисторе PNP очень похожи на переходы в транзисторе NPN, за исключением того, что в В транзисторе PNP большинство носителей тока – это дырки. В показанном транзисторе PNP на рисунке 2-11 положительное напряжение на эмиттере отталкивает отверстия к основанию.Один раз в основании дырки объединяются с электронами базы. Но опять же, помните, что база область сделана очень тонкой, чтобы предотвратить рекомбинацию дырок с электронами. Следовательно, более 90 процентов отверстий, которые входят в основание, притягиваются к большим отрицательное напряжение коллектора и проходит прямо через базу. Однако для каждого электрона и дырки, которые объединяются в основной области, другой электрон покидает отрицательный вывод базовый аккумулятор (V BB ) и поступает в базу как базовый ток (I B ).На В то же время один электрон покидает отрицательную клемму батареи, другой электрон покидает эмиттер как IE (создающий новое отверстие) и входит в положительный вывод V BB . Между тем в коллекторной цепи электроны от коллекторной батареи (V CC ) введите коллектор как Ic и объедините с лишними отверстиями от основания. Для каждой лунки который нейтрализуется в коллекторе электроном, другой электрон покидает эмиттер и начинает свой путь обратно к положительному выводу V CC .

Рисунок 2-11. – Работа транзистора PNP.

Хотя ток во внешней цепи транзистора PNP противоположен в направлении транзистора NPN, основные носители всегда текут из эмиттер к коллектору. Этот поток основных носителей также приводит к формированию две отдельные токовые петли в каждом транзисторе. Один контур – это путь базового тока, а другой контур – это путь коллекторного тока.Комбинация тока в обоих этих контуров (I B + I C ) приводит к общему току транзистора (I E ). Самое важное, что нужно помнить о двух разных типах транзисторов, это то, что напряжение эмиттер-база транзистора PNP оказывает такое же управляющее воздействие на коллекторный ток как у NPN-транзистора. Проще говоря, увеличение Напряжение прямого смещения транзистора уменьшает барьер перехода эмиттер-база. Этот действие позволяет большему количеству носителей достигать коллектора, вызывая увеличение тока от эмиттера к коллектору и через внешнюю цепь.И наоборот, уменьшение в прямом смещении напряжение снижает ток коллектора.

Q.10 Каковы основные носители тока в транзисторе PNP?
Q.11 Какова взаимосвязь между полярностью напряжения, приложенного к PNP? транзистор, а что применено к транзистору NPN?
Q.12 Какое буквенное обозначение базового тока?
Q.13 Назовите две токовые петли в транзисторе.

Транзистор PNP

– определение, обозначение, конструкция, работа и применение – транзистор PNP

Здесь мы берем руководство по транзистору PNP .Здесь мы рассматриваем определение транзистора pnp, символ, конструкцию, работу, работу, применение, использование, транзистор pnp в качестве переключателя, уравнения транзистора pnp, усилитель транзистора pnp, транзистор pnp 2n3906, bc 557

Определение транзистора PNP

Устройство, состоящее из двух полупроводников p-типа, разделенных полупроводником n-типа.

Транзистор

Pnp состоит из двух полупроводников p-типа и одного полупроводника n-типа. Этот тип транзистора рис вы можете увидеть ниже.

Этот транзистор имеет в основном три области: 1) эмиттер, 2) база, 3) коллектор. Здесь вы можете увидеть, что каждая область имеет разную ширину. основание средней области имеет узкий слой или наименьшую ширину. Эта базовая область сильно легирована. Здесь эмиттер и коллектор являются полупроводниками p-типа, поэтому они содержат основной носитель заряда в виде дырок. Базовая область представляет собой полупроводник n-типа, в котором основным носителем заряда являются электроны.

Обозначение и схема транзистора PNP

Обозначение транзистора

Pnp показано на рисунке.Как видно из обозначения npn-транзистора, здесь изменяется только направление тока эмиттер-база. Здесь ток течет от эмиттера к базовой области.

Почему в транзиторе pnp текущее направление от эмиттера к базе?

Как видно на диаграмме выше, ток течет от эмиттера к базе. Здесь два внешних источника подключены к pnp-транзистору. Переход эмиттер-база всегда подключен в прямом смещении, поэтому полупроводник p подключен к положительной клемме батареи Vcc, а полупроводник типа base n подключен к отрицательной клемме батареи Vcc.Соединение база-коллектор всегда подключается с обратным смещением, поэтому коллектор p типа подключается к отрицательному полюсу батареи Vcb, а база подключается к положительному выводу батареи Vcb. Теперь ток вырабатывается из внешнего источника, и этот ток легко проходит от эмиттера к базе, потому что он находится в прямом смещении. Обратите внимание, что ток не может течь от базы к эмиттеру, потому что он имеет обратное смещение.

Конструкция Pnp транзистора –

Транзистор

Pnp имеет в основном три области:

  1. Излучатель

2.База

3. Коллектор

Все эти области имеют разную ширину в pnp-транзисторе. Ознакомьтесь с подробным описанием транзисторных областей. Основа – тонкий слой и средняя область. Здесь соединение эмиттер-база находится в прямом смещении, а база-коллектор – в обратном смещении.

Транзистор pnp рабочий –

На приведенном выше рисунке показано базовое подключение pnp-транзистора. Прямое смещение между эмиттером и базой заставляет ток течь от эмиттера p-типа к базе n-типа.Это составляет ток (т.е.). Полупроводник P-типа содержит отверстия, и эти отверстия собираются перенести на основание. База n-типа, поэтому эти дырки объединяются с электронами и образуют ток (Ib). Эта база представляет собой очень тонкую и слегка легированную область, поэтому очень мало электронов объединяется с дырками. Только 5% дырок соединяются с электронами. Остальные электроны переходят от базы к коллектору. Это составляет ток (Ic). Этот ток (Ic) составляет 95% от тока эмиттера. Мы можем сказать, что эмиттер почти равен току коллектора.Обратите внимание, что в pnp-транзисторе проводимость тока через отверстия.

Ток эмиттера (Ie) = ток базы (Ib) + ток коллектора (Ic)

Здесь базовый ток выражен в микроамперах. Итак, если мы можем пренебречь этим базовым током, то

Ток эмиттера (Ie) = ток коллектора (Ic)

Надеюсь, теперь вы знаете, как на самом деле работает pnp-транзистор? Давайте поговорим о применениях транзисторов pnp

.

Применение транзисторов pnp –

Ранее мы видели применение npn-транзистора.Теперь посмотрим на применение pnp-транзистора.

Обычно применение транзистора PNP такое же, как и применение транзистора npn. Осталось только заменить транзистор npn вместо npn. Единственная разница между этими двумя типами транзисторов – полярность. В npn ток течет по электронам, а в pnp ток течет из-за дырок.

Основные соединения pnp-транзистора –

Pnp транзистор можно настроить в схеме с различными конфигурациями. Вы можете настроить pnp-транзистор с помощью его выводов эмиттер, база и коллектор.Различные варианты подключения pnp-транзистора –

  1. Подключение к общей базе
  2. Подключение общего эмиттера
  3. Подключение общего коллектора

Pnp транзистор использует

Транзистор Pnp имеет то же назначение, что и транзистор npn. Проверьте, как используется транзистор npn. Эти транзисторы в основном используются в схеме усилителя для усиления сигнала. В этих типах транзисторов также используются схемы включения электронных схем.

pnp транзистор 2n3906

pnp-транзистор 2n3906 обычно используется pnp-транзистор с биполярным переходом.Этот транзистор в основном используется для усиления сигналов в электронных схемах. Этот транзистор pnp в основном используется для приложений, в которых нам требуются низкие ток и мощность. С помощью этого транзистора вы получаете напряжение среднего диапазона. Основные характеристики транзистора вы можете увидеть в инструкции по эксплуатации транзистора.

bc 557 pnp транзистор

bc 557 – это еще один тип pnp-транзистора, основные характеристики этого типа транзистора показаны ниже.

Характеристики
  • Биполярный PNP-транзистор
  • Коэффициент усиления постоянного тока (h FE ) не более 300
  • Постоянный ток коллектора (I C ) составляет 100 мА
  • Напряжение эмиттер-база (В BE ) составляет 6 В
  • Базовый ток (I B ) не более 5 мА
  • Доступен в пакете To-92

Где использовать?

  • Этот транзистор типа BC 557 используется в качестве переключателя в любых схемах.
  • Вы можете использовать этот транзистор в качестве усилительного компонента в ваших электронных схемах.
  • Используется в модуле драйвера, таком как драйвер реле, драйвер светодиода и т. Д.

Заключение

Транзистор Pnp – это устройство, состоящее из двух полупроводников p-типа и одного полупроводника n-типа. Основание типа N представляет собой очень тонкий слой. Основное различие между npn и pnp – это протекание тока. В транзисторах типа pnp ток течет по дыркам. В npn-транзисторе ток течет по электрону. Применение и использование транзистора PNP такое же, как и у транзистора npn.Транзистор Pnp в основном используется в качестве переключателей и в качестве усилителя. Надеюсь, вам понравится наша статья. Спасибо и скоро вернусь!

Вопросы к вам

  1. В соединении общей базы pnp-транзистора ток эмиттера составляет 1 мА, а ток коллектора – 0,95 мА. Найдите значение базового тока?

– Ответьте на вопрос в комментарии ……

Продолжить чтение

.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.