Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Содержание

Полевой транзистор с управляющим p-n переходом: принцип работы и применение

Александр Кораблев

В статье кратко описано устройство полевых транзисторов с управляемым pn-переходом и приведены схемы их использования. Статья предназначена для ознакомления с транзисторами, а не для подробного изучения их особенностей и схемотехники.

 

Введение

Идея создания полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом (JFET) принадлежит американским инженерам Джорджу Дейси (George Clement Dacey) и Йену Россу (Ian Munro Ross). В 1953 г. они создали лабораторный образец такого транзистора, однако технологические проблемы производства смогли преодолеть только в 1960 г. — наверное, с этой даты и следует отсчитывать начало внедрения в практику полевых транзисторов с p-n-переходом.


Рис. 1. Схематическое изображение транзисторов с управляющим p-n-переходом

Существуют два типа транзисторов с управляющим p-n-переходом: с p-каналом и n-каналом. Их схематическое изображение показано на рис. 1, а на рис. 2 представлено упрощенное изображение конструкции n-канального транзистора. В областях, прилегающих к стоку и истоку транзистора, посредством дополнительного легирования созданы повышенные концентрации электронов, что уменьшает сопротивление канала в открытом состоянии.

Рис. 2. Упрощенная конструкция транзистора с управляющим p-n-переходом

 

Принцип работы полевого транзистора с управляющим p-n-переходом (JFET)

 

Рис. 3. Принцип работы полевого транзистора на примере n-канального транзистора

Принцип работы полевого транзистора на примере n-канального транзистора иллюстрируется рис. 3. При управляющем напряжении затвор-исток UЗИ = 0 канал находится в проводящем состоянии, основные носители (электроны) обозначены на рис. 3 точками. По мере увеличения напряжения сток-исток UСИ  будет возрастать и ток стока I C через канал, транзистор работает в омической области.

Дальнейшее увеличение напряжения сток-исток UСИ приводит к уменьшению свободных электронов, возникает обедненный слой. Область обедненного слоя наиболее велика вблизи стока, поскольку к стоку подключено питающее напряжение и напряженность поля там наиболее высока. Появление обедненного слоя приводит к сужению проводящего канала, поэтому при дальнейшем возрастании напряжения ток увеличивается незначительно, транзистор переходит в область насыщения. Обе области, насыщения и омическая, показаны на вольт-амперной характеристике слева на рис. 3.

Если прикладывать к затвору отрицательное напряжение UЗИ, область p-n-перехода расширяется в сторону канала, что приводит к сужению проводящего канала и уменьшению тока через него. При дальнейшем увеличении абсолютного значения напряжения затвора канал полностью перекрывается, проводимость прекращается, транзистор переходит в режим отсечки. Напряжение UЗИ, при котором наступает режим отсечки, называется напряжением отсечки UОТС.

Рис. 4. Вольт-амперные характеристики полевого транзистора с p-n-переходом при различных управляющих напряжениях UЗИ

На рис. 4 показаны вольт-амперные характеристики полевого транзистора с p-n-переходом при различных управляющих напряжениях UЗИ  и соблюдении соотношений:

 

|UЗИ4| > |UЗИ3| > |UЗИ2| >|UЗИ1| > 0 В. (1)

 

Ток стока при управляющем напряжении затвор-исток UЗИ = 0 называется начальным током стока IC0. В большинстве случаев вольт-амперная характеристика полевого транзистора с p-n-переходом хорошо описывается выражением:

 

IC = IC0 ∙ [1 – (UЗИ/UОТС)]2. (2)

 

Усиление полевого транзистора характеризуется крутизной GM, которая определяется из формулы (3) с учетом соотношения (2):

 

GM = dIC/dUЗИ = –2IC0 ∙ [(UОТС  – ( U ЗИ)/ UОТС2]. (3)

 

В справочных данных обычно значение крутизны полевого транзистора указывают при UЗИ = 0. В этом случае выражение (3) принимает следующий вид:

 

GM = –2IC0 / UОТС. (4)

 

Преимуществом полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом является высокое входное сопротивление, ток обратно смещенного p-n-перехода очень мал и не превышает нескольких микроампер, но следует учитывать, что при возрастании температуры на 10 °С ток затвора удваивается.

К достоинствам полевого транзистора с управляющим p-n-переходом также относятся отличные частотные свойства. Полевые транзисторы униполярны, в них отсутствуют неосновные носители, а следовательно, и процесс рассасывания неосновных носителей, который заметно ухудшает частотные свойства биполярных транзисторов.

Рис. 5. Схемы включения полевых транзисторов с p-n-переходом: а) с общим истоком; б) с общим затвором; в) с общим стоком

Существуют три схемы включения полевых транзисторов. Все они изображены на рис. 5. Часто используется схема с общим истоком (рис. 5а), которая позволяет усилить мощность сигнала. Схема с общим затвором (рис. 5б) имеет низкое входное сопротивление и не усиливает сигнал, поэтому она применяется редко. Схема с общим стоком или истоковый повторитель (рис. 5в) имеет большое входное сопротивление, но коэффициент усиления напряжения практически равен 1.

 

Применение полевых транзисторов с p-n-переходом (JFET)

 

В инженерной практике полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом чаще всего применяют в аналоговых трактах совместно с операционными усилителями или в силовых схемах в качестве ключей. Вкратце рассмотрим несколько примеров применения полевых транзисторов с p-n-переходом в практических схемах.

На рис. 6 показана схема фотодиодного усилителя. Полевой транзистор с p-n-переходом используется здесь в качестве повторителя: он изолирует фотодиод от транзистора, поэтому емкость фотодиода приблизительно равная 3000 пФ «отрезается» от инвертирующего входа операционного усилителя, за счет чего заметно возрастает полоса пропускания.

Коэффициент передачи шума в рассматриваемой схеме определяется выражением:

 

КШ = 1 + СВХВЫХ. (5)

 

За счет уменьшения входной емкости использование полевого транзистора позволяет также снизить шум схемы. Кроме того, полевой транзистор увеличивает входное сопротивление схемы, следовательно, уменьшает коэффициент усиления входного смещения, который определяется выражением:

 

КУСМ = 1 + RОС/RВХ. (6)

Рис. 6. Схема фотодиодного усилителя

Недостаток схемы (рис. 6) заключается в том, что к фотодиоду прикладывается отрицательное напряжение, из-за чего возрастает его темновой ток, который к тому же зависит от температуры. Если пользователей интересует только переменная составляющая сигнала фотодиода, указанным недостатком можно пренебречь. Если же важна и постоянная составляющая сигнала, следует воспользоваться улучшенной схемой фотодиодного усилителя (рис. 7). В этой схеме используются два согласованных полевых транзистора в одном корпусе. Нижний транзистор является источником тока, величина тока задается сопротивлением R2 в цепи истока и выбирается таким образом, чтобы потенциал катода фотодиода был близок к нулю. Для более точной подстройки нулевого смещения можно добавить потенциометры R4 и R6.

Рис. 7. Улучшенная схема фотодиодного усилителя

Полевые транзисторы с p-n-переходом удобно использовать в качестве переменных сопротивлений, управляемых напряжением в схемах усилителя с управляемым коэффициентом усиления, или аттенюаторов. Последний вариант изображен на рис. 8. В этой схеме использован n-канальный полевой транзистор, на его затвор подается напряжение с потенциометра VR1, таким образом задается коэффициент ослабления. Возможно и иное решение, например, в качестве управляющего напряжения вместо потенциометра VR1 можно использовать пульсирующее напряжение, в этом случае мы получим простой и экономичный модулятор.

Рис. 8. Схема аттенюатора

Благодаря использованию карбида кремния (SiC) удалось получить полупроводниковые приборы с широкой запрещенной зоной, а следовательно, с повышенным нормируемым рабочим напряжением, что позволило применять их в силовых преобразователях. Сегодня производятся полевые транзисторы с нормируемым напряжением вплоть до 1700 В.

Рис. 9. Каскод c SiC полевыми транзисторами с p-n-переходом

В силовых преобразователях с полевыми SiC-транзисторами с управляемым p-n-переходом последние строятся по хорошо известной еще с ламповых времен схеме каскода (рис. 9). В этой схеме к относительно дорогостоящему высоковольтному SiC-транзистору добавлен обычный низковольтный недорогой кремниевый MOSFET стоимостью «пятачок на пучок». На этом же рисунке можно видеть описание режимов работы каскода.

Рис. 10. Схема суперкаскода с SiC полевыми транзисторами с p-n-переходом

Увеличения нормируемого рабочего напряжения можно достичь с помощью последовательного включения нескольких полевых SiC-транзисторов с p-n-переходом. На рис. 10 показана образованная таким методом схема суперкаскода с нормируемым напряжением 6500 В. В схеме суперкаскода последовательно соединены пять полевых SiC  транзисторов с управляемым p-n-переходом с рабочим напряжением 1700 В.

Принцип работы полевого транзистора с управляющим p-n переходом.

Возвращаемся к рубрике, посвященной целиком и полностью электронике и смежным тематикам. И вот дошли руки, наконец-то, до описания процессов, происходящих в таком устройстве, как полевой транзистор. Идем по проверенной схеме – докапываемся до всех нюансов принципа работы, а затем добьем тему практическим примером. Первое невозможно без разбора устройства полевого транзистора, а второе – без рассмотрения его основных характеристик. По такому плану и действуем. Стоит оговориться, что про транзисторы можно говорить до бесконечности, в статье же основной акцент будет именно на протекающих в нем физических процессах, то есть на принципе его функционирования.

Но прежде всего разветвим данную тему на две отдельные части:

  • Полевой транзистор с управляющим p-n переходом (JFET – Junction Field-Effect Transistor).
  • Полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET – Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).

Конкретно сегодня речь пойдет о первом типе устройств, второй же аналогичным образом разберем во второй части, на которую я помещу потом здесь же ссылку.

Первым делом – классическое сравнение с биполярными товарищами. Итак, в биполярном транзисторе сила проходящего через него тока регулируется управляющим током. Это уже многократно обсудили, так что отдельно не останавливаюсь. В полевом же транзисторе, напротив, сила тока регулируется внешним электрическим полем. То есть, по сути, приложенным напряжением.

В творческом порыве решил визуализировать данное отличие следующим образом )

Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом (JFET).

Каждый из озвученных типов транзисторов делится еще на две подгруппы:

  • с N-каналом
  • с P-каналом

Мы сосредоточимся на первом варианте, суть процессов полностью идентична, различна лишь полярность подключаемых источников напряжений.

Итак, устройство JFET-транзистора с N-каналом:

Подложку зачастую соединяют с истоком еще на этапе производства транзистора, поэтому на схемах обычно присутствуют только три вывода.

Отметим сразу эти три электрода полевого транзистора: сток, исток и затвор. Собственно, наблюдаем две области P-типа, а между ними в наличии область N-типа, к концам которой подключены два оставшихся электрода – сток и исток. И вся эта область N-типа как раз и образует N-канал.

Вспоминаем об основных характеристиках областей разного типа в целом:

  • В области P-типа основными носителями заряда являются дырки, концентрация же электронов мала. Электроны здесь – неосновные носители.
  • Полностью противоположна ситуация в областях N-типа. В этом случае электроны как раз-таки являются основными носителями заряда, а концентрация дырок мала.

В непосредственной близости от стока и истока на схеме помечены отдельные области “N+”. Это все та же область N-типа, но сильно легированная. Что означает еще более высокую концентрацию электронов в ней.

Из схемы также можно сделать вывод о том, что для полевого транзистора с управляющим p-n переходом исток и сток по своей сути идентичны, то есть в схему его можно включить двумя способами, меняя, соответственно, исток и сток местами. Таким образом, для данного класса элементов обозначения стока и истока, по большому счету, условны.

Разобравшись со структурой и устройством, переходим к самому интересному – к протекающим внутри процессам. Из чего уже будет понятно, как все это работает.

Принцип работы полевого транзистора с управляющим p-n переходом (JFET).

За отправную точку возьмем нашу схему, но дополненную носителями заряда:

Подключаем источники напряжения следующим образом, в виде наглядной иллюстрации:

В данном случае напряжение между затвором и истоком равно 0 (U_{ЗИ} = 0). Отлично, при таких раскладах транзистор ведет себя просто как проводник, то есть протеканию тока от стока к истоку не препятствует.

Проанализируем подробнее: подключенный источник питания приводит к появлению электрического поля E, которое направлено от стока к истоку. Само собой это поле начинает воздействовать на частицы – дырки начинают перемещаться в направлении этого поля, электроны – в противоположном. Это, в свою очередь, приводит к появлению тока, который по направлению противоположен направлению перемещения электронов. Все четко следует одно из другого 👍

Ситуация изменится с повышением U_{СИ}. Области P-типа в местах контакта с N-каналом образуют p-n переходы. И с увеличением напряжения между стоком и истоком возле этих переходов возникают области, обедненные носителями заряда. Что, в свою очередь, идентично «сужению» канала:

Таким образом, с одной стороны, рост напряжения U_{СИ} должен приводить к росту тока, то есть к более активному перемещению носителей заряда. Но в то же время сужение канала приводит к обратному эффекту – носителям сложнее преодолевать узкую зону, соответственно, ток уменьшается. И в итоге имеем фактически стабилизацию тока.

Данное состояние полевого транзистора называется режимом насыщения, а напряжение U_{СИ}, которое соответствует переходу в этот режим – напряжением насыщения сток-исток:

Резюмируем:

  • При U_{ЗИ} равном 0 и напряжении сток-исток меньше U_{СИ \medspace нас} зависимость I_{СИ} от U_{СИ} плюс-минус близка к линейной.
  • При U_{ЗИ} равном 0 и напряжении U_{СИ} > U_{СИ \medspace нас} имеем кардинально иную картину – ток между стоком и истоком практически перестает увеличиваться. Транзистор в режиме насыщения.

С этим разобрались, рассмотрим процессы, протекающие при подаче отрицательного напряжения между затвором и истоком (U_{ЗИ} < 0). Собственно, эффект тут в определенном смысле аналогичный – канал будет сужаться еще сильнее. При определенном значении U_{ЗИ} канал сузится настолько, что протекание тока полностью прекратится:

Это пороговое значение называется напряжением отсечки, U_{ЗИ \medspace отс}. Графическая интерпретация в виде зависимости тока сток-исток от напряжения между затвором и истоком:

Видим ровно то, что мы и обсудили. С изменением напряжения между затвором и истоком происходит сужение канала, что эквивалентно уменьшению тока. При значении равном U_{ЗИ \medspace отс} протекание тока прекращается.

Давайте рассмотрим поведение JFET-транзистора при разных значениях U_{ЗИ}:

Что тут стоит отметить… Во-первых, как мы и обсудили, чем меньше значение U_{ЗИ}, тем больше сужается канал, что влечет за собой уменьшение тока. Соответственно, кривые пролегают все «ниже» друг относительно друга. И во вполне определенный момент (когда U_{ЗИ} = U_{ЗИ \medspace отс}) ток исчезает.

Во-вторых, обратите внимание, что напряжение насыщения сток-исток – не фиксированная величина. Это значение будет разным для разных U_{ЗИ}. При U_{ЗИ} = U_{ЗИ \medspace 0} транзистор перейдет в режим насыщения при U_{СИ} = U_{СИ \medspace нас \medspace 0}. По такой же логике, напряжению затвор-исток U_{ЗИ \medspace 2} соответствует переход в режим насыщения при U_{СИ} = U_{СИ \medspace нас \medspace 2}.

Для транзистора с P-каналом идея такая же, отличаются только полярности подаваемых напряжений.

В общем-то, в этом и кроется суть принципа работы полевого транзистора с управляющим p-n переходом. И это подтверждает указанное в самом начале статьи отличие от биполярных собратьев – сила тока (I_{СИ}) регулируется напряжением между затвором и истоком (U_{ЗИ}).

Для закрепления и надежной фиксации данных аспектов проведем практические тесты, к которым и переходим.

Практический пример.

Итак, на принципиальных схемах полевой транзистор с управляющим p-n переходом бывает представлен следующим образом:

Для теста возьму первый попавшийся, а именно J112, вот даташит на него, в котором можно найти всю необходимую информацию. Например, зависимость, обсуждению которой мы посвятили столько времени:

Обозначения англоязычные, но, естественно, это погоды не делает.

Кроме того, первым делом при выборе транзистора будет не лишним выяснить предельно допустимые значения напряжений и токов, чтобы не превысить их и не вывести элемент из строя.

Я буду моделировать схему в Proteus, поностальгирую заодно по старым временам, когда активно его использовал. Но речь не об этом, а о том, что значения скорее всего не будут прямо в точности совпадать с приведенными в документации – это нормально. Тем не менее полученные при симуляции величины должны быть близки к аналогичным из даташита.

Схема будет такая, как в первой части статьи:

То есть – полевой транзистор, амперметр, источник питания, тогда:

  • U_{ЗИ} = 0 \medspace В
  • U_{СИ} же поставим 0. 4 В

Из документации видим, что ток должен быть около 6 мА, получаем на практике:

I_{СИ}= 5.07 \medspace мА, нормально, все ожидаемо и подтверждает рассмотренные теоретические аспекты.

Теперь реализуем схему из второй части статьи, добавив источник напряжения между затвором и истоком. Пусть будет так:

  • U_{ЗИ} = -0.6 \medspace В
  • U_{СИ} = 0.4 \medspace В

На основе физических процессов в JFET-транзисторе ожидаем увидеть меньшее значение тока, так как при таком же напряжении сток-исток U_{ЗИ} стал меньше относительно первого эксперимента:

Именно это и получили:

Уменьшим еще U_{ЗИ} до -0.8 В:

Опять все логично, и добавить нечего к этому.

Есть такое ощущение, что уже при U_{СИ} = 0.4 \medspace В транзистор в данном случае находится в режиме насыщения. Попробуем увеличить U_{СИ} до 1.4 В:

Так и есть, ток не изменился. Значит попробуем уменьшить, почему нет. U_{ЗИ} остается -0.8 В, U_{СИ} выставляем равным 0.1 В:

Ток ожидаемо уменьшился. Если вернуться к теоретическому графику, то осознаем, что при U_{СИ} = 0.1 \medspace В мы находимся в линейной области, а при U_{СИ} = 0.4 \medspace В уже в области насыщения:

На этом я и заканчиваю сегодняшний пост, прошлись по теории, подтвердили на практике, чего еще желать… До скорого 🤝

Полевой транзистор (FET), конструкция, символ, работа, преимущества

Полевой транзистор представляет собой полупроводниковый прибор с тремя выводами, в котором проводимость тока осуществляется одним типом носителей заряда, то есть либо отверстиями, либо

Полевой транзистор

Это полупроводниковый прибор с тремя выводами, в котором проводимость тока осуществляется одним типом носителей заряда , то есть либо дырками, либо электронами, и контролируется действием электрического поля. FET имеет высокое входное сопротивление и низкий уровень шума.

Полевые эффекты Транзистор

Строительство FET

A FET состоит из P-Ty-Dinction SILEPE. Стержень образует проводящий канал для носителей заряда. Когда линейный полевой транзистор n-типа, он называется n-канальный FET, а когда полоса FET p-типа, она называется p-channel FET. Два PN-перехода, составляющие диод, соединены внутри, а общий вывод называется затвором. Остальные клеммы полевого транзистора являются истоком и стоком, выведенными из шины. Таким образом, полевой транзистор имеет по существу три вывода, а именно затвор (G), исток (S) и сток (D).

Схематическое обозначение полевого транзистора

Схематическое обозначение полевого транзистора показано на рисунке. Вертикальную линию на символе можно представить как канал, к которому подключены исток и сток. Третьи конечные ворота соединены в центре вертикальной линии. В n-канальный полевой транзистор , затвор и канал от PN-перехода, стрелка затвора указывает внутрь, а в p-канальном полевом транзисторе затвор и канал от PN-перехода стрелка затвора указывает наружу.

Schematic symbol of FET

Working method

When a voltage (V DS ) is applied between drain and source terminals and voltage on the gate is zero, the two Соединения PN по бокам стержня образуют обедненные слои. Электроны будут течь от истока к стоку через канал между обедненными слоями. Размер этих слоев определяет ширину канала и, следовательно, проводимость тока через стержень.

Когда между затвором и истоком подается обратное напряжение (V GS ), ширина обедненных слоев увеличивается. Это уменьшает ширину проводящего канала, тем самым увеличивая сопротивление стержня n-типа. Постоянно ток от истока к стоку уменьшается. С другой стороны, при уменьшении обратного напряжения на затворе уменьшается и ширина обедненных слоев. Это увеличивает ширину канала проводимости и, следовательно, ток от истока к стоку.

Таким образом, очевидно, что ток от истока к стоку можно контролировать, прикладывая потенциал к затвору. Вот почему устройство известно как полевой транзистор (FET). Можно отметить, что полевой транзистор с p-каналом также работает аналогично полевому транзистору с n-каналом, за исключением того, что носителями тока в канале будут дырки, а не электроны, и все полярности будут изменены на противоположные.

Выходные характеристики полевого транзистора

Выходные характеристики FET представляет собой кривую, построенную между током стока и напряжением сток-исток полевого транзистора при постоянном напряжении затвор-исток.

Характеристики FET

Преимущества FET

A FET – это Valtage Controlse Complontys Controls Intropecty, в которой контролируется константная пристройка в входном управлении. Он сочетает в себе множество преимуществ как биполярного транзистора, так и вакуумного пентода. Некоторые из преимуществ FET являются:

  1. Он имеет очень высокое входное сопротивление. Это обеспечивает высокую степень изоляции между входными и выходными цепями.

  2. Работа полевого транзистора зависит от объемных носителей тока, которые не пересекают переходы.

  3. Полевой транзистор имеет отрицательный температурный коэффициент сопротивления. Это позволяет избежать риска перегрева взлетно-посадочной полосы.

  4. Полевой транзистор имеет очень высокий коэффициент усиления по мощности. Это устраняет необходимость использования ступеней драйвера.

  5. Полевой транзистор имеет меньшие размеры, более длительный срок службы и высокую эффективность.

Читайте также

  • Что такое стабилитрон?
  • Стабилитрон в качестве регулятора напряжения
  • Однополупериодный и двухполупериодный выпрямитель

Униполярный полевой транзистор | Semantic Scholar

  • DOI:10. 1109/JRPROC.1952.273964
  • Идентификатор корпуса: 51666093
 @article{Shockley1952AU,
  title={Униполярный "полевой" транзистор},
  автор={Уильям Шокли},
  journal={Материалы IRE},
  год = {1952},
  объем={40},
  страницы={1365-1376}
} 
  • W. Shockley
  • Опубликовано 1 ноября 1952 г.
  • Физика
  • Труды IRE

Представлена ​​теория транзистора новой формы. Это транзистор «полевого» типа, в котором проводимость слоя полупроводника модулируется поперечным электрическим полем. Поскольку в усиливающем действии участвуют токи, переносимые преимущественно одним типом носителей, предложено название «униполярные», чтобы отличить эти транзисторы от точечных и переходных типов, которые в этом смысле являются «биполярными». Рассматриваемое как аналог лампового триода, униполярное поле…

Посмотреть на IEEE

doi.org

Униполярный “полевой” транзистор

Униполярные “полевые” транзисторы типа, предложенного У. Шокли, были сконструированы и испытаны. Идеализированная теория Шокли была расширена для охвата реальных геометрий…

Теория отрицательного сопротивления полевых транзисторов

приведены основные примеры практического применения теории.

Ограничитель тока полупроводника

  • R. M. Warner, W. Jackson, E. Doucette, H. A. Stone
  • Физика

    Слушания IRE

  • 1959

. Принцип действия полевого транзистора. Ток течет параллельно переходу через тонкий лист полупроводника. The…

Новый полупроводниковый тетрод — транзистор, управляемый поверхностным потенциалом

В этой статье обсуждаются теория и рабочие характеристики нового полупроводникового тетрода. Этот полупроводниковый переходник имеет обычную геометрию планарного транзистора, но с…

Спасистор, новый класс высокочастотных полупроводниковых приборов

Рассматриваются новые устройства, в которых электроны или дырки инжектируются непосредственно в области пространственного заряда. переходов с обратным смещением, избегающих диффузии носителей через области без поля. В…

Теория и применение полевого транзистора. Часть 2. Высокочастотные свойства. формы к форме, включающей влияние емкостей перехода и паразитных…

Применение полевых транзисторов для измерения очень малых постоянных токов

  • Кимин Л.В.
  • Химия

  • 1966

ВыводыИсследование свойств полевых транзисторов и применение их в схемах показывает, что качество электрометрических усилителей на таких транзисторах приближается к… 90-103 эффектный транзистор – его характеристики и применение

  • В. Радека
  • Физика

  • 1964

Описаны характеристики полевого транзистора с обратным затвором и основные соотношения между его параметрами. Некоторые показатели качества получены с точки зрения его физических параметров и…

Малосигнальная высокочастотная теория полевых транзисторов

  • A. Ziel, J. Ero
  • Физика

  • 1964

В этой теории полевой транзистор рассматривается как планарная геометрия активная, распределенная, неоднородная линия передачи. Волновое уравнение этой линии определяется и решается…

Цилиндрический полевой транзистор

  • Г. Вегенер
  • Физика, техника

    IRE Transactions on Electron Devices

  • 1959

Характеристики цилиндрического полевого транзистора получены аналитически на основе теории Шокли о плоском полевом транзисторе. Установлено, что цилиндрический прибор…

ПОКАЗАНЫ 1-10 ИЗ 10 ЛИТЕРАТУРА

Теория p-n переходов в полупроводниках и транзисторах с p-n переходом

  • W. Shockley
  • Физика Белла

    Bell Syst. Тех. Дж.

  • 1949

Теория распределения и выпрямления потенциала для p-n-переходов разработана с упором на германий, в результате чего адмиттанс для простого случая изменяется как (1 + iωτ p )1/2, где τ p — время жизни дыра в n-области.

Горячие электроны в германии и закон Ома

  • У. Шокли
  • Физика

  • 1951

Анализируются данные Э. Дж. Райдера о подвижности электронов до см 0 0 4 эл. Подвижность многократно уменьшается из-за влияния рассеяния на оптических модах…

Поверхностные состояния и выпрямление на контакте металл-полупроводник

  • Дж. Бардин
  • Физика

  • 1947

Локализованные состояния (уровни Тамма), имеющие энергии, распределенные в «запрещенной» области и зона проводимости могут существовать на поверхности полупроводника. Состояние отсутствия…

Статистика рекомбинаций дырок и электронов

  • У. Шокли, У. Рид
  • Физика

  • 1952

Анализируется статистика рекомбинации дырок и электронов в полупроводниках на основе модели, в которой рекомбинация происходит по механизму захвата. Предполагается ловушка…

Кристаллический усилитель с высоким входным сопротивлением

Сообщается об экспериментах с устройством, подобным транзистору Белла, но с высоким входным сопротивлением. На современном этапе разработки он представляется полезным в качестве преобразователя импеданса с…

Наблюдения за током Zener в Germanium P-N-соединениях

  • K. B. McAfee, E. Ryder, W. Shockley, M. Sparks
  • Математика

  • 1951
9000 2
  • 1951
  • . Рис. излучение, полученное из эмпирического соотношения, приведенного на рис. 1. Данные Ван Аллена и Зингера см. в ссылке 9. Спаркс, Г. Тил, В. Шокли

  • Materials Science

  • 1951
  • Mobilities of Electrons in High Electric Fields

    • E. Ryder, W. Shockley
    • Physics

    • 1951

    Modulation of Conductance of Thin Films of Semi-Conductors by Surface Charges

    • W.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *