Полевой транзистор принцип: Полевой транзистор с управляющим p-n переходом: принцип работы и применение

Содержание

Полевой транзистор с управляющим p-n переходом: принцип работы и применение

Александр Кораблев

В статье кратко описано устройство полевых транзисторов с управляемым p–n-переходом и приведены схемы их использования. Статья предназначена для ознакомления с транзисторами, а не для подробного изучения их особенностей и схемотехники.

Введение

Идея создания полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом (JFET) принадлежит американским инженерам Джорджу Дейси (George Clement Dacey) и Йену Россу (Ian Munro Ross). В 1953 г. они создали лабораторный образец такого транзистора, однако технологические проблемы производства смогли преодолеть только в 1960 г. — наверное, с этой даты и следует отсчитывать начало внедрения в практику полевых транзисторов с p-n-переходом.

Рис. 1. Схематическое изображение транзисторов с управляющим p-n-переходом
Существуют два типа транзисторов с управляющим p-n-переходом: с p-каналом и n-каналом. Их схематическое изображение показано на рис. 1, а на рис. 2 представлено упрощенное изображение конструкции n-канального транзистора. В областях, прилегающих к стоку и истоку транзистора, посредством дополнительного легирования созданы повышенные концентрации электронов, что уменьшает сопротивление канала в открытом состоянии.
Рис. 2. Упрощенная конструкция транзистора с управляющим p-n-переходом

Принцип работы полевого транзистора с управляющим p-n-переходом (JFET)

Рис. 3. Принцип работы полевого транзистора на примере n-канального транзистора
Принцип работы полевого транзистора на примере n-канального транзистора иллюстрируется рис. 3. При управляющем напряжении затвор-исток U_ЗИ = 0 канал находится в проводящем состоянии, основные носители (электроны) обозначены на рис. 3 точками. По мере увеличения напряжения сток-исток U_СИ будет возрастать и ток стока I _C через канал, транзистор работает в омической области.
Дальнейшее увеличение напряжения сток-исток U_СИ приводит к уменьшению свободных электронов, возникает обедненный слой. Область обедненного слоя наиболее велика вблизи стока, поскольку к стоку подключено питающее напряжение и напряженность поля там наиболее высока. Появление обедненного слоя приводит к сужению проводящего канала, поэтому при дальнейшем возрастании напряжения ток увеличивается незначительно, транзистор переходит в область насыщения. Обе области, насыщения и омическая, показаны на вольт-амперной характеристике слева на рис. 3.
Если прикладывать к затвору отрицательное напряжение U_ЗИ, область p-n-перехода расширяется в сторону канала, что приводит к сужению проводящего канала и уменьшению тока через него. При дальнейшем увеличении абсолютного значения напряжения затвора канал полностью перекрывается, проводимость прекращается, транзистор переходит в режим отсечки. Напряжение U_ЗИ, при котором наступает режим отсечки, называется напряжением отсечки U_ОТС.
Рис. 4. Вольт-амперные характеристики полевого транзистора с p-n-переходом при различных управляющих напряжениях U_ЗИ
На рис. 4 показаны вольт-амперные характеристики полевого транзистора с p-n-переходом при различных управляющих напряжениях U_ЗИ и соблюдении соотношений:

|U_ЗИ4| > |U_ЗИ3| > |U_ЗИ2| >|U_ЗИ1| > 0 В. (1)

Ток стока при управляющем напряжении затвор-исток U_ЗИ = 0 называется начальным током стока I_C₀. В большинстве случаев вольт-амперная характеристика полевого транзистора с p-n-переходом хорошо описывается выражением:

I_C = I_C₀∙ [1 – (U_ЗИ/U_ОТС)]². (2)

Усиление полевого транзистора характеризуется крутизной G_M, которая определяется из формулы (3) с учетом соотношения (2):

G_M = dI_C/dU_ЗИ = –2I_C₀∙ [(U_ОТС – ( U _ЗИ)/ U_ОТС²]. (3)

В справочных данных обычно значение крутизны полевого транзистора указывают при U_ЗИ = 0. В этом случае выражение (3) принимает следующий вид:

G_M = –2I_C₀/ U_ОТС.₍₄₎

Преимуществом полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом является высокое входное сопротивление, ток обратно смещенного p-n-перехода очень мал и не превышает нескольких микроампер, но следует учитывать, что при возрастании температуры на 10 °С ток затвора удваивается.
К достоинствам полевого транзистора с управляющим p-n-переходом также относятся отличные частотные свойства. Полевые транзисторы униполярны, в них отсутствуют неосновные носители, а следовательно, и процесс рассасывания неосновных носителей, который заметно ухудшает частотные свойства биполярных транзисторов.
Рис. 5. Схемы включения полевых транзисторов с p-n-переходом: а) с общим истоком; б) с общим затвором; в) с общим стоком
Существуют три схемы включения полевых транзисторов. Все они изображены на рис. 5. Часто используется схема с общим истоком (рис. 5а), которая позволяет усилить мощность сигнала. Схема с общим затвором (рис. 5б) имеет низкое входное сопротивление и не усиливает сигнал, поэтому она применяется редко. Схема с общим стоком или истоковый повторитель (рис. 5в) имеет большое входное сопротивление, но коэффициент усиления напряжения практически равен 1.

Применение полевых транзисторов с p-n-переходом (JFET)

В инженерной практике полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом чаще всего применяют в аналоговых трактах совместно с операционными усилителями или в силовых схемах в качестве ключей. Вкратце рассмотрим несколько примеров применения полевых транзисторов с p-n-переходом в практических схемах.
На рис. 6 показана схема фотодиодного усилителя. Полевой транзистор с p-n-переходом используется здесь в качестве повторителя: он изолирует фотодиод от транзистора, поэтому емкость фотодиода приблизительно равная 3000 пФ «отрезается» от инвертирующего входа операционного усилителя, за счет чего заметно возрастает полоса пропускания.
Коэффициент передачи шума в рассматриваемой схеме определяется выражением:

КШ = 1 + С_ВХ/С_ВЫХ. (5)

За счет уменьшения входной емкости использование полевого транзистора позволяет также снизить шум схемы. Кроме того, полевой транзистор увеличивает входное сопротивление схемы, следовательно, уменьшает коэффициент усиления входного смещения, который определяется выражением:

КУ_СМ = 1 + R_ОС/R_ВХ. (6)
Рис. 6. Схема фотодиодного усилителя
Недостаток схемы (рис. 6) заключается в том, что к фотодиоду прикладывается отрицательное напряжение, из-за чего возрастает его темновой ток, который к тому же зависит от температуры. Если пользователей интересует только переменная составляющая сигнала фотодиода, указанным недостатком можно пренебречь. Если же важна и постоянная составляющая сигнала, следует воспользоваться улучшенной схемой фотодиодного усилителя (рис. 7). В этой схеме используются два согласованных полевых транзистора в одном корпусе. Нижний транзистор является источником тока, величина тока задается сопротивлением R2 в цепи истока и выбирается таким образом, чтобы потенциал катода фотодиода был близок к нулю. Для более точной подстройки нулевого смещения можно добавить потенциометры R4 и R6.
Рис. 7. Улучшенная схема фотодиодного усилителя
Полевые транзисторы с p-n-переходом удобно использовать в качестве переменных сопротивлений, управляемых напряжением в схемах усилителя с управляемым коэффициентом усиления, или аттенюаторов. Последний вариант изображен на рис. 8. В этой схеме использован n-канальный полевой транзистор, на его затвор подается напряжение с потенциометра VR1, таким образом задается коэффициент ослабления. Возможно и иное решение, например, в качестве управляющего напряжения вместо потенциометра VR1 можно использовать пульсирующее напряжение, в этом случае мы получим простой и экономичный модулятор.
Рис. 8. Схема аттенюатора
Благодаря использованию карбида кремния (SiC) удалось получить полупроводниковые приборы с широкой запрещенной зоной, а следовательно, с повышенным нормируемым рабочим напряжением, что позволило применять их в силовых преобразователях. Сегодня производятся полевые транзисторы с нормируемым напряжением вплоть до 1700 В.
Рис. 9. Каскод c SiC полевыми транзисторами с p-n-переходом
В силовых преобразователях с полевыми SiC-транзисторами с управляемым p-n-переходом последние строятся по хорошо известной еще с ламповых времен схеме каскода (рис. 9). В этой схеме к относительно дорогостоящему высоковольтному SiC-транзистору добавлен обычный низковольтный недорогой кремниевый MOSFET стоимостью «пятачок на пучок». На этом же рисунке можно видеть описание режимов работы каскода.
Рис. 10. Схема суперкаскода с SiC полевыми транзисторами с p-n-переходом
Увеличения нормируемого рабочего напряжения можно достичь с помощью последовательного включения нескольких полевых SiC-транзисторов с p-n-переходом. На рис. 10 показана образованная таким методом схема суперкаскода с нормируемым напряжением 6500 В. В схеме суперкаскода последовательно соединены пять полевых SiC транзисторов с управляемым p-n-переходом с рабочим напряжением 1700 В.
Принцип работы полевого транзистора с управляющим p-n переходом.
Возвращаемся к рубрике, посвященной целиком и полностью электронике и смежным тематикам. И вот дошли руки, наконец-то, до описания процессов, происходящих в таком устройстве, как полевой транзистор. Идем по проверенной схеме – докапываемся до всех нюансов принципа работы, а затем добьем тему практическим примером. Первое невозможно без разбора устройства полевого транзистора, а второе – без рассмотрения его основных характеристик. По такому плану и действуем. Стоит оговориться, что про транзисторы можно говорить до бесконечности, в статье же основной акцент будет именно на протекающих в нем физических процессах, то есть на принципе его функционирования.
Но прежде всего разветвим данную тему на две отдельные части:
Полевой транзистор с управляющим p-n переходом (JFET – Junction Field-Effect Transistor).
Полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET – Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).
Конкретно сегодня речь пойдет о первом типе устройств, второй же аналогичным образом разберем во второй части, на которую я помещу потом здесь же ссылку.
Первым делом – классическое сравнение с биполярными товарищами. Итак, в биполярном транзисторе сила проходящего через него тока регулируется управляющим током. Это уже многократно обсудили, так что отдельно не останавливаюсь. В полевом же транзисторе, напротив, сила тока регулируется внешним электрическим полем. То есть, по сути, приложенным напряжением.
В творческом порыве решил визуализировать данное отличие следующим образом )
Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом (JFET).
Каждый из озвученных типов транзисторов делится еще на две подгруппы:
с N-каналом
с P-каналом
Мы сосредоточимся на первом варианте, суть процессов полностью идентична, различна лишь полярность подключаемых источников напряжений.
Итак, устройство JFET-транзистора с N-каналом:
Подложку зачастую соединяют с истоком еще на этапе производства транзистора, поэтому на схемах обычно присутствуют только три вывода.
Отметим сразу эти три электрода полевого транзистора: сток, исток и затвор. Собственно, наблюдаем две области P-типа, а между ними в наличии область N-типа, к концам которой подключены два оставшихся электрода – сток и исток. И вся эта область N-типа как раз и образует N-канал.
Вспоминаем об основных характеристиках областей разного типа в целом:
В области P-типа основными носителями заряда являются дырки, концентрация же электронов мала. Электроны здесь – неосновные носители.
Полностью противоположна ситуация в областях N-типа. В этом случае электроны как раз-таки являются основными носителями заряда, а концентрация дырок мала.
В непосредственной близости от стока и истока на схеме помечены отдельные области “N+”. Это все та же область N-типа, но сильно легированная. Что означает еще более высокую концентрацию электронов в ней.
Из схемы также можно сделать вывод о том, что для полевого транзистора с управляющим p-n переходом исток и сток по своей сути идентичны, то есть в схему его можно включить двумя способами, меняя, соответственно, исток и сток местами. Таким образом, для данного класса элементов обозначения стока и истока, по большому счету, условны.
Разобравшись со структурой и устройством, переходим к самому интересному – к протекающим внутри процессам. Из чего уже будет понятно, как все это работает.
Принцип работы полевого транзистора с управляющим p-n переходом (JFET).
За отправную точку возьмем нашу схему, но дополненную носителями заряда:
Подключаем источники напряжения следующим образом, в виде наглядной иллюстрации:
В данном случае напряжение между затвором и истоком равно 0 (U_{ЗИ} = 0). Отлично, при таких раскладах транзистор ведет себя просто как проводник, то есть протеканию тока от стока к истоку не препятствует.
Проанализируем подробнее: подключенный источник питания приводит к появлению электрического поля E, которое направлено от стока к истоку. Само собой это поле начинает воздействовать на частицы – дырки начинают перемещаться в направлении этого поля, электроны – в противоположном. Это, в свою очередь, приводит к появлению тока, который по направлению противоположен направлению перемещения электронов. Все четко следует одно из другого 👍
Ситуация изменится с повышением U_{СИ}. Области P-типа в местах контакта с N-каналом образуют p-n переходы. И с увеличением напряжения между стоком и истоком возле этих переходов возникают области, обедненные носителями заряда. Что, в свою очередь, идентично «сужению» канала:
Таким образом, с одной стороны, рост напряжения U_{СИ} должен приводить к росту тока, то есть к более активному перемещению носителей заряда. Но в то же время сужение канала приводит к обратному эффекту – носителям сложнее преодолевать узкую зону, соответственно, ток уменьшается. И в итоге имеем фактически стабилизацию тока.
Данное состояние полевого транзистора называется режимом насыщения, а напряжение U_{СИ}, которое соответствует переходу в этот режим – напряжением насыщения сток-исток:
Резюмируем:
При U_{ЗИ} равном 0 и напряжении сток-исток меньше U_{СИ \medspace нас} зависимость I_{СИ} от U_{СИ} плюс-минус близка к линейной.
При U_{ЗИ} равном 0 и напряжении U_{СИ} > U_{СИ \medspace нас} имеем кардинально иную картину – ток между стоком и истоком практически перестает увеличиваться. Транзистор в режиме насыщения.
С этим разобрались, рассмотрим процессы, протекающие при подаче отрицательного напряжения между затвором и истоком (U_{ЗИ} < 0). Собственно, эффект тут в определенном смысле аналогичный – канал будет сужаться еще сильнее. При определенном значении U_{ЗИ} канал сузится настолько, что протекание тока полностью прекратится:
Это пороговое значение называется напряжением отсечки, U_{ЗИ \medspace отс}. Графическая интерпретация в виде зависимости тока сток-исток от напряжения между затвором и истоком:
Видим ровно то, что мы и обсудили. С изменением напряжения между затвором и истоком происходит сужение канала, что эквивалентно уменьшению тока. При значении равном U_{ЗИ \medspace отс} протекание тока прекращается.
Давайте рассмотрим поведение JFET-транзистора при разных значениях U_{ЗИ}:
Что тут стоит отметить… Во-первых, как мы и обсудили, чем меньше значение U_{ЗИ}, тем больше сужается канал, что влечет за собой уменьшение тока. Соответственно, кривые пролегают все «ниже» друг относительно друга. И во вполне определенный момент (когда U_{ЗИ} = U_{ЗИ \medspace отс}) ток исчезает.
Во-вторых, обратите внимание, что напряжение насыщения сток-исток – не фиксированная величина. Это значение будет разным для разных U_{ЗИ}. При U_{ЗИ} = U_{ЗИ \medspace 0} транзистор перейдет в режим насыщения при U_{СИ} = U_{СИ \medspace нас \medspace 0}. По такой же логике, напряжению затвор-исток U_{ЗИ \medspace 2} соответствует переход в режим насыщения при U_{СИ} = U_{СИ \medspace нас \medspace 2}.
Для транзистора с P-каналом идея такая же, отличаются только полярности подаваемых напряжений.
В общем-то, в этом и кроется суть принципа работы полевого транзистора с управляющим p-n переходом. И это подтверждает указанное в самом начале статьи отличие от биполярных собратьев – сила тока (I_{СИ}) регулируется напряжением между затвором и истоком (U_{ЗИ}).
Для закрепления и надежной фиксации данных аспектов проведем практические тесты, к которым и переходим.
Практический пример.
Итак, на принципиальных схемах полевой транзистор с управляющим p-n переходом бывает представлен следующим образом:
Для теста возьму первый попавшийся, а именно J112, вот даташит на него, в котором можно найти всю необходимую информацию. Например, зависимость, обсуждению которой мы посвятили столько времени:
Обозначения англоязычные, но, естественно, это погоды не делает.
Кроме того, первым делом при выборе транзистора будет не лишним выяснить предельно допустимые значения напряжений и токов, чтобы не превысить их и не вывести элемент из строя.
Я буду моделировать схему в Proteus, поностальгирую заодно по старым временам, когда активно его использовал. Но речь не об этом, а о том, что значения скорее всего не будут прямо в точности совпадать с приведенными в документации – это нормально. Тем не менее полученные при симуляции величины должны быть близки к аналогичным из даташита.
Схема будет такая, как в первой части статьи:
То есть – полевой транзистор, амперметр, источник питания, тогда:
U_{ЗИ} = 0 \medspace В
U_{СИ} же поставим 0. 4 В
Из документации видим, что ток должен быть около 6 мА, получаем на практике:
I_{СИ}= 5.07 \medspace мА, нормально, все ожидаемо и подтверждает рассмотренные теоретические аспекты.
Теперь реализуем схему из второй части статьи, добавив источник напряжения между затвором и истоком. Пусть будет так:
U_{ЗИ} = -0.6 \medspace В
U_{СИ} = 0.4 \medspace В
На основе физических процессов в JFET-транзисторе ожидаем увидеть меньшее значение тока, так как при таком же напряжении сток-исток U_{ЗИ} стал меньше относительно первого эксперимента:
Именно это и получили:
Уменьшим еще U_{ЗИ} до -0.8 В:
Опять все логично, и добавить нечего к этому.
Есть такое ощущение, что уже при U_{СИ} = 0.4 \medspace В транзистор в данном случае находится в режиме насыщения. Попробуем увеличить U_{СИ} до 1.4 В:
Так и есть, ток не изменился. Значит попробуем уменьшить, почему нет. U_{ЗИ} остается -0.8 В, U_{СИ} выставляем равным 0.1 В:
Ток ожидаемо уменьшился. Если вернуться к теоретическому графику, то осознаем, что при U_{СИ} = 0.1 \medspace В мы находимся в линейной области, а при U_{СИ} = 0.4 \medspace В уже в области насыщения:
На этом я и заканчиваю сегодняшний пост, прошлись по теории, подтвердили на практике, чего еще желать… До скорого 🤝
Полевой транзистор (FET), конструкция, символ, работа, преимущества
Полевой транзистор представляет собой полупроводниковый прибор с тремя выводами, в котором проводимость тока осуществляется одним типом носителей заряда, то есть либо отверстиями, либо
Полевой транзистор
Это полупроводниковый прибор с тремя выводами, в котором проводимость тока осуществляется одним типом носителей заряда , то есть либо дырками, либо электронами, и контролируется действием электрического поля. FET имеет высокое входное сопротивление и низкий уровень шума.
Полевые эффекты Транзистор
Строительство FET
A FET состоит из P-Ty-Dinction SILEPE. Стержень образует проводящий канал для носителей заряда. Когда линейный полевой транзистор n-типа, он называется n-канальный FET, а когда полоса FET p-типа, она называется p-channel FET. Два PN-перехода, составляющие диод, соединены внутри, а общий вывод называется затвором. Остальные клеммы полевого транзистора являются истоком и стоком, выведенными из шины. Таким образом, полевой транзистор имеет по существу три вывода, а именно затвор (G), исток (S) и сток (D).
Схематическое обозначение полевого транзистора
Схематическое обозначение полевого транзистора показано на рисунке. Вертикальную линию на символе можно представить как канал, к которому подключены исток и сток. Третьи конечные ворота соединены в центре вертикальной линии. В n-канальный полевой транзистор , затвор и канал от PN-перехода, стрелка затвора указывает внутрь, а в p-канальном полевом транзисторе затвор и канал от PN-перехода стрелка затвора указывает наружу.
Schematic symbol of FET
Working method
When a voltage (V _DS ) is applied between drain and source terminals and voltage on the gate is zero, the two Соединения PN по бокам стержня образуют обедненные слои. Электроны будут течь от истока к стоку через канал между обедненными слоями. Размер этих слоев определяет ширину канала и, следовательно, проводимость тока через стержень.
Когда между затвором и истоком подается обратное напряжение (V _GS ), ширина обедненных слоев увеличивается. Это уменьшает ширину проводящего канала, тем самым увеличивая сопротивление стержня n-типа. Постоянно ток от истока к стоку уменьшается. С другой стороны, при уменьшении обратного напряжения на затворе уменьшается и ширина обедненных слоев. Это увеличивает ширину канала проводимости и, следовательно, ток от истока к стоку.
Таким образом, очевидно, что ток от истока к стоку можно контролировать, прикладывая потенциал к затвору. Вот почему устройство известно как полевой транзистор (FET). Можно отметить, что полевой транзистор с p-каналом также работает аналогично полевому транзистору с n-каналом, за исключением того, что носителями тока в канале будут дырки, а не электроны, и все полярности будут изменены на противоположные.
Выходные характеристики полевого транзистора
Выходные характеристики FET представляет собой кривую, построенную между током стока и напряжением сток-исток полевого транзистора при постоянном напряжении затвор-исток.
Характеристики FET
Преимущества FET
A FET – это Valtage Controlse Complontys Controls Intropecty, в которой контролируется константная пристройка в входном управлении. Он сочетает в себе множество преимуществ как биполярного транзистора, так и вакуумного пентода. Некоторые из преимуществ FET являются:
Он имеет очень высокое входное сопротивление. Это обеспечивает высокую степень изоляции между входными и выходными цепями.
Работа полевого транзистора зависит от объемных носителей тока, которые не пересекают переходы.
Полевой транзистор имеет отрицательный температурный коэффициент сопротивления. Это позволяет избежать риска перегрева взлетно-посадочной полосы.
Полевой транзистор имеет очень высокий коэффициент усиления по мощности. Это устраняет необходимость использования ступеней драйвера.
Полевой транзистор имеет меньшие размеры, более длительный срок службы и высокую эффективность.
Читайте также
Что такое стабилитрон?
Стабилитрон в качестве регулятора напряжения
Однополупериодный и двухполупериодный выпрямитель
Униполярный полевой транзистор | Semantic Scholar
DOI:10. 1109/JRPROC.1952.273964
Идентификатор корпуса: 51666093
@article{Shockley1952AU, title={Униполярный "полевой" транзистор}, автор={Уильям Шокли}, journal={Материалы IRE}, год = {1952}, объем={40}, страницы={1365-1376} }
W. Shockley
Опубликовано 1 ноября 1952 г.
Физика
Труды IRE
Представлена теория транзистора новой формы. Это транзистор «полевого» типа, в котором проводимость слоя полупроводника модулируется поперечным электрическим полем. Поскольку в усиливающем действии участвуют токи, переносимые преимущественно одним типом носителей, предложено название «униполярные», чтобы отличить эти транзисторы от точечных и переходных типов, которые в этом смысле являются «биполярными». Рассматриваемое как аналог лампового триода, униполярное поле…

Посмотреть на IEEE
doi.org
Униполярный “полевой” транзистор
Униполярные “полевые” транзисторы типа, предложенного У. Шокли, были сконструированы и испытаны. Идеализированная теория Шокли была расширена для охвата реальных геометрий…
Теория отрицательного сопротивления полевых транзисторов
приведены основные примеры практического применения теории.
Ограничитель тока полупроводника

R. M. Warner, W. Jackson, E. Doucette, H. A. Stone
Физика
Слушания IRE
1959
. Принцип действия полевого транзистора. Ток течет параллельно переходу через тонкий лист полупроводника. The…
Новый полупроводниковый тетрод — транзистор, управляемый поверхностным потенциалом
В этой статье обсуждаются теория и рабочие характеристики нового полупроводникового тетрода. Этот полупроводниковый переходник имеет обычную геометрию планарного транзистора, но с…
Спасистор, новый класс высокочастотных полупроводниковых приборов
Рассматриваются новые устройства, в которых электроны или дырки инжектируются непосредственно в области пространственного заряда. переходов с обратным смещением, избегающих диффузии носителей через области без поля. В…

Теория и применение полевого транзистора. Часть 2. Высокочастотные свойства. формы к форме, включающей влияние емкостей перехода и паразитных…
Применение полевых транзисторов для измерения очень малых постоянных токов
Кимин Л.В.
Химия
1966
ВыводыИсследование свойств полевых транзисторов и применение их в схемах показывает, что качество электрометрических усилителей на таких транзисторах приближается к… 90-103 эффектный транзистор – его характеристики и применение
В. Радека
Физика
1964
Описаны характеристики полевого транзистора с обратным затвором и основные соотношения между его параметрами. Некоторые показатели качества получены с точки зрения его физических параметров и…
Малосигнальная высокочастотная теория полевых транзисторов

A. Ziel, J. Ero
Физика
1964
В этой теории полевой транзистор рассматривается как планарная геометрия активная, распределенная, неоднородная линия передачи. Волновое уравнение этой линии определяется и решается…
Цилиндрический полевой транзистор
Г. Вегенер
Физика, техника
IRE Transactions on Electron Devices
1959
Характеристики цилиндрического полевого транзистора получены аналитически на основе теории Шокли о плоском полевом транзисторе. Установлено, что цилиндрический прибор…
ПОКАЗАНЫ 1-10 ИЗ 10 ЛИТЕРАТУРА
Теория p-n переходов в полупроводниках и транзисторах с p-n переходом

W. Shockley
Физика Белла
Bell Syst. Тех. Дж.
1949
Теория распределения и выпрямления потенциала для p-n-переходов разработана с упором на германий, в результате чего адмиттанс для простого случая изменяется как (1 + iωτ p )1/2, где τ p — время жизни дыра в n-области.
Горячие электроны в германии и закон Ома
У. Шокли
Физика
1951
Анализируются данные Э. Дж. Райдера о подвижности электронов до см 0 0 4 эл. Подвижность многократно уменьшается из-за влияния рассеяния на оптических модах…
Поверхностные состояния и выпрямление на контакте металл-полупроводник
Дж. Бардин
Физика
1947

Локализованные состояния (уровни Тамма), имеющие энергии, распределенные в «запрещенной» области и зона проводимости могут существовать на поверхности полупроводника. Состояние отсутствия…
Статистика рекомбинаций дырок и электронов
У. Шокли, У. Рид
Физика
1952
Анализируется статистика рекомбинации дырок и электронов в полупроводниках на основе модели, в которой рекомбинация происходит по механизму захвата. Предполагается ловушка…
Кристаллический усилитель с высоким входным сопротивлением
Сообщается об экспериментах с устройством, подобным транзистору Белла, но с высоким входным сопротивлением. На современном этапе разработки он представляется полезным в качестве преобразователя импеданса с…

Наблюдения за током Zener в Germanium P-N-соединениях
K. B. McAfee, E. Ryder, W. Shockley, M. Sparks
Математика
1951
9000 2
1951
. Рис. излучение, полученное из эмпирического соотношения, приведенного на рис. 1. Данные Ван Аллена и Зингера см. в ссылке 9. Спаркс, Г. Тил, В. Шокли
Materials Science
1951
Mobilities of Electrons in High Electric Fields
E. Ryder, W. Shockley
Physics
1951
Modulation of Conductance of Thin Films of Semi-Conductors by Surface Charges
W.