Полевые транзисторы принцип работы: Принцип работы полевого транзистора

Принцип работы полевого транзистора

Транзисторами  называют полупроводниковые триоды, у которых расположено три выхода. Их основным свойством является возможность посредством сравнительно низких входных сигналов осуществлять управление высоким током на выходах цепи.

• Что представляет собой полевой транзистор
• Видео «Подробно о полевых транзисторах»
• Виды полевых транзисторов
• Принцип работы полевого транзистора
• Для чего нужен полевой транзистор

Для радиодеталей, которые используются в современных сложных электроприборах, применяются полевые транзисторы. Благодаря свойствам этих элементов выполняется включение или выключение тока в электрических цепях печатных плат, или его усиление.

Что представляет собой полевой транзистор

Полевые транзисторы — это трех или четырех контактные устройства, в которых ток, идущий на два контакта, может регулироваться посредством напряжения электрополя  третьего контакта.  На двух контактах регулируется напряжением электрического поля на третьем.

В результате этого подобные транзисторы называются полевыми.

Название расположенных на устройстве контактов и их функции:

• Истоки – контакты с входящим электрическим током, которые находится на участке n;
• Стоки – контакты с исходящим, обработанным током, которые находятся  на участке n;
• Затворы – контакты, находящиеся на участке р, посредством изменения напряжения на котором, выполняется регулировка пропускной способности на устройстве.

Видео «Подробно о полевых транзисторах»

//www.youtube.com/embed/WKx_3fUtcSk?autohide=2&autoplay=0&mute=0&controls=1&fs=1&loop=0&modestbranding=0&playlist=&rel=1&showinfo=1&theme=dark&wmode=&playsinline=0

Виды полевых транзисторов

Полевой транзистор с n-р переходами подразделяется на несколько классов в зависимости:

1. От типа каналов проводников: n или р. Каналы воздействую на знаки, полярности, сигналы управления. Они должны быть противоположны по знакам n-участку.
2. От структуры приборов: диффузных, сплавных по р -n — переходам, с затворами Шоттки, тонкопленочными.
3. От общего числа контактов: могут быть трех или четырех контактными. Для четырех контактных приборов, подложки также являются затворами.
4. От используемых материалов: германия, кремния, арсенид галлия.

В свою очередь разделение классов происходит в зависимости от принципа работы транзистора:

• устройства под управлениями р-n переходов;
• устройства с изолированными затворами или с барьерами Шоттки.

Принцип работы полевого транзистора

Радиодетали состоят из двух участков: p-переходов и n-переходов.

По участку n проходит электроток.

Участок р является перекрывающей зоной, неким вентилем. 

Если оказывать определенное давление на нее, то она будет перекрывать участок и препятствовать прохождению тока.

Либо, же наоборот, при снижении давления количество проходящего тока возрастет.

В результате такого давления осуществляется увеличение напряжения на контактах затворов, находящихся на участке р.

Приборы с управляющими p-n канальными переходами — это полупроводниковые пластины, имеющие электропроводность с одним из данных типов. К торцевым сторонам пластин выполняется подсоединение контактов: стока и истока, в середину — контакты затвора.

Принцип работы прибора основан на изменении пространственных толщин p-n переходов. Так как в запирающих областях практически отсутствуют подвижные носители заряда, их проводимость равняется нулю. В полупроводниковых пластинах, на участках которых не воздействует запирающий слой, создаются проводящие ток каналы. Если подается отрицательное напряжение в отношении истока, на затворе образуется поток, через который протекают носителя заряда.

Для изолированных затворов, характерно расположение на них тонкого слоя диэлектрика. Такое устройство работает по принципу электрических полей.  Для его разрушения понадобится всего лишь небольшое электричество. В связи с этим, чтобы предотвратить статическое напряжение, которое может превышать 1000 В, необходимо создание специальных корпусов для приборов, которые минимизируют эффект от воздействия вирусных типов электричества.

Для чего нужен полевой транзистор

При рассмотрении работы сложных видов электротехники, стоит рассмотреть работу такого важного компонента интегральной схемы, как полевой транзистор.

Основная задача от использования данного элемента заключается в пяти ключевых направлениях, в связи с чем транзистор применяется для:

1. Усиления высокой частоты.
2. Усиления низкой частоты.
3. Модуляции.
4. Усиления постоянного тока.
5. Ключевых устройств (выключателей).

В качестве простого примера работа транзистора-выключателя, может быть представлена как микрофон и лампочка в одной компановке.  Благодаря микрофону улавливаются звуковые колебания, что влияет на появление электрического тока, поступающего на участок запертого устройства. Присутствие тока влияет на включение устройства и включение электрической цепи, к которой подключаются лампочки. Последние загораются после того как микрофон уловил звук, но горят они за счет источников питания не связанных с микрофоном и более мощных.

Модуляцию применяют с целью управления информационными сигналами. Сигналы управляют частотами колебаний. Модуляцию применяют для качественных звуковых радиосигналов, для передачи звуковых частот в телевизионные передачи, для трансляции цветовых изображений и телевизионных сигналов с высоким качеством. Модуляцию применяют повсеместно, где нужно проводить работу с высококачественными материалами.

Как усилители полевые транзисторы в упрощенном виде работают по такому принципу: графически любые сигналы, в частности, звукового ряда, могут быть представлены как ломаная линия, где ее длиной является временной промежуток, а высотой изломов – звуковая частотность. Чтобы усилить звук к радиодетали подается поток мощного напряжения, приобретаемого нужную частотность, но с более большим значением, из-за подачи слабых сигналов на управляющие контакты. Иначе говоря, благодаря устройству происходит пропорциональная перерисовка изначальной линии, но с более высоким пиковым значением.

Понравилась статья? Расскажите друзьям:

Оцените статью, для нас это очень важно:

Проголосовавших: 1 чел.

Средний рейтинг: 5 из 5.

Полевые транзисторы. Их характеристики, виды и принцип работы

Дата 05.10.2015 Автор ElectricianКомментироватьПросмотров: 11 050

Одним из главных недостатков биполярных транзисторов является их небольшое входное сопротивление h₁₁, благодаря чему требует значительного тока, что в последствии требует большой мощности для его управления. Во избежание этого были придуманы так называемые униполярные транзисторы. ток в Них создают только носители одного знака, обычные электроны, поэтому приборы и называют униполярными. Эти транзисторы имеют большое входное сопротивление. Кроме этого они оказались более технологичными при изготовлении и несколько дешевле чем биполярные. Благодаря большому входному сопротивлению униполярные транзисторы почти не потребляют ток управления, смена выходного тока осуществляется приложением ко входу напряжения, которое создает электрическое поле.

Поэтому такой тип транзисторов называют еще полевыми. Полевые транзисторы бывают:

• С p-n переходом;
• С МДП со встроенным каналом;
• С МДП с наведенным каналом;

Рассмотрим их каждый по очереди.

Полевые транзисторы с p-n переходом

Ниже показана схема полупроводника с n-проводимостью:

К торцам кристалла В и С прикладывают напряжение U_С, под действием этого поля протекает ток. С боку кристалла созданы зоны с р-проводимостью, благодаря чему вдоль кристалла возникает p-n переход.

Электроны под действием U_С  движутся от отрицательного электрода В к положительному С, поэтому отрицательный электрод называют истоком, а положительный – стоком. Боковая поверхность с р-проводимостью и вывод от нее зовут затвором З. между истоком и затвором приложено напряжение U_З с отрицательным знаком к затвору и положительным к истоку.

Ниже показано условное обозначение транзистора с n-проводимостью:

И р-проводимостью:

Поскольку электроны более подвижны, то обычно строят транзисторы с электронной проводимостью.

Пускай U_З=0, то есть отрицательный потенциал приложен к р-проводнику, а положительный через электрод С к самому кристаллу с n-проводимостью. В p-n переходе возрастет потенциальный барьер. Напряжение U_С  пропорционально распределяется вдоль кристалла пропорционально его длине, благодаря чему потенциальный барьер будет больший со стороны стока, и свободная зона для носителей полупроводников будет сужаться в направлении от истока к стоку в виде конуса. Уменьшение сечения полупроводника, свободного от носителей, приведет к увеличении сопротивления, которое будет расти при увеличении U_C. Сток-затворная характеристика данного устройства показана ниже:

Если по мимо того приложить к затвору отрицательный потенциал относительно истока, потенциальный барьер еще больше и ток уменьшится. Характеристики, отвечающие разным значениям U_З создают семейство характеристик:

Полевые транзисторы с МДП со встроенным каналом

Для увеличения входного сопротивления металлический затвор изолируют от полупроводника с помощью диэлектрика, зачастую используют SiO₂. Поэтому их называют транзисторами типа «металл-диэлектрик-полупроводник» или МДП. Ниже показана их конструкция:

В кристалле с р-проводимостью создано две зоны И (исток) и С (сток), заполненные полупроводниками n-типа. Обе зоны соединены каналом К, над которым через диэлектрик расположен металлический вывод затвору З. Ток переносят электроны под действием напряжения, приложенного к точкам И и С. Если подать между З и основой р-типа отрицательное напряжение, канал сузится и стоковый ток уменьшится. При положительном потенциале затвора канал расширится и ток возрастет. Выходные характеристики этого устройства:

Сток-затворная характеристика:

Она размещена уже в двух квадрантах. Условное обозначение на схеме:

Противоположная сторона полупроводника р-типа тоже имеет вывод, имеющий название подложки (П), которую обычно соединяют с истоком.

Полевой транзистор с МДП с наведенным каналом

Транзисторы такого типа с наведенным каналом не имеют специально созданного канала:

Он возникал при подаче на затвор относительно основы р положительного напряжения. Благодаря этому сток-затворная характеристика будет иметь вид:

Выходные характеристики:

Обозначение на схеме:

Posted in Электротехника

Полевой транзистор (FET): работа и его применение

FET означает полевой транзистор. Эти транзисторы предназначены для преодоления недостатков транзисторов с биполярным переходом. Поскольку базовые транзисторы имеют эмиттерный переход в режиме прямого смещения, это позволяет устройству работать на низких уровнях импеданса. Это вносит значительный уровень шума. Полевые транзисторы обладают всеми характеристиками, которые могут преодолеть недостатки транзисторов с биполярным переходом и могут стать хорошей заменой электронных ламп, а также биполярных транзисторов. Он также состоит из трех терминалов. Но эти клеммы называются истоком, стоком и затвором.

Эти полевые транзисторы известны своими униполярными характеристиками. Причина его характеристик заключается в том, что работа этого транзистора зависит от концентрации либо дырок, либо электронных носителей. Полевые транзисторы также могут использоваться в схемах переключения, схемах буферного усиления и в интегральных схемах.

Транзистор, способный передавать сигналы от высокого сопротивления к низкому сопротивлению так же, как биполярные транзисторы, но преодолевая его недостатки униполярным способом, определяется как полевой транзистор (FET).

Полевой транзистор сконструирован таким образом, что существуют три вывода, известные как исток, затвор и сток. Эти клеммы отвечают за влияние большинства несущих, снабжая их возможными источниками напряжения. Это приводит к генерации тока. Поток тока можно контролировать, подавая напряжение, подтверждая характеристики того, что это устройство, управляемое напряжением.

Типы полевых транзисторов

По своей конструкции полевые транзисторы классифицируются как

(1) Соединение полевого транзистора (JFET)

Работа этих JFET основана на каналах, образованных между выводами. Канал может быть как n-типа, так и p-типа. Из-за канала n-типа он называется n-канальным JFET, а из-за сформированного канала p-типа он называется p-канальным JFET.

Символ N-канального JFET

JFET Рабочий

Конструкция JFET аналогична конструкции BJT, он может быть изготовлен из материалов n-типа и p-типа. N-тип помещается между p-типами или p-типы помещаются между n-типами. Как и транзисторы N-P-N и P-N-P, сформированные в BJT, они также сформированы в FET. Эти JFET состоят из канала, который может быть n- или p-типа.

Символ P-канального JFET

• В зависимости от канала он известен как n-канальный JFET или p-канальный JFET.
• Для n-канального полевого транзистора положительная сторона подключается к клемме истока.
• Вывод стока получает самый высокий потенциал по сравнению с затвором в этом n-канальном полевом транзисторе.
• Соединение, образованное из-за взаимодействия стока и затвора, будет иметь обратное смещение.
• По этой причине ширина области обеднения вблизи стока больше по сравнению с истоком.
• Из-за этого условия большинство носителей заряда, представляющих собой поток электронов, можно увидеть от выводов стока к истоку.
• Поскольку этот потенциал на стоке имеет тенденцию к увеличению, поток носителей увеличивается, поток тока также увеличивается.
• Но при некотором увеличении напряжений на стоке и истоке подача тока прекращается.
• JFET широко известен своими характеристиками управления током путем подачи входного напряжения.
• Значение входного сопротивления этого транзистора находится на пике.
• Когда полевой транзистор JFET находится в идеальном режиме, на клемме затвора нет текущих данных.

Так работает n-канальный JFET. Только изменение полярности источников питания заставляет полевой транзистор работать как p-канальный JFET.

(2) Металлооксид-полупроводниковый полевой транзистор (МОП-транзистор)

Работа МОП-транзисторов основана на каналах, которые уже существуют или формируются при приложении напряжения. В зависимости от этих режимов работы МОП-транзисторы подразделяются на Режим истощения и режим расширения . В режиме расширения канал индуцируется за счет приложения напряжения на затворе, но в режиме истощения полевой МОП-транзистор работает благодаря уже существующему в нем каналу.

MOSFET

Типы MOSFET:

Модель истощения MOSFET также подразделяется на n-тип и p-тип. Единственная разница между ними заключается в осаждении субстратов. Из-за концентрации носителей, которые предпочтительно составляют большинство, происходит образование области, называемой истощением. Эта ширина истощения отвечает за эффект проводимости.

В расширенном режиме, когда на клемму затвора подается напряжение, превышающее пороговое напряжение, канал формируется. Это может быть n-тип для субстрата P-типа и p-тип для подсостояния N-типа. На основе режима расширения канала классифицируется как N-тип Enhancement MOSFET и P-тип Enhancement MOSFET . Полевой МОП-транзистор с усилением используется чаще, чем с истощением.

Смещение

Смещение полевого транзистора также выполняется как смещение транзистора. Это может быть фиксированное смещение, самосмещение и смещение потенциального делителя.

(1) Фиксированное смещение

Фиксированное смещение в полевом транзисторе можно получить, подав напряжение батареи. Затвор клеммы должен соединяться с отрицательным полюсом батареи, и через резистор не должно протекать ток.

(2) Самосмещение

Как следует из названия, если для схемы не предусмотрено внешнее питание. Этот тип предвзятости известен как самопредвзятость. Любые изменения значений крутизны, отражающие искажение рабочей точки. Этими параметрами можно управлять, и на них нелегко повлиять при самосмещении.

(3) Смещение делителя потенциала

Схема снабжена питанием на входе, но два резистора подключены таким образом, что напряжение на входе делится с помощью резисторов. Следовательно, эта схема называется делителем потенциала.
Эти методы смещения выбираются исходя из необходимости и приращения значений проводимости.

Характеристики

Характеристики полевого транзистора в основном зависят от различных рабочих областей. Области: омические, насыщение, отсечка и область пробоя.

(1) Омическая область

Область, в которой крутизна показывает линейную характеристику, а ток на выводном затворе противостоит сопротивлению, называется омической областью.

(2) Область насыщения

В этой области устройство полностью включено. В этом состоянии максимальный ток протекает через транзистор в установившемся режиме.

(3) Зона отсечки

В этой области не должно быть заметно протекания тока через транзистор. Поэтому его называют устройством в выключенном состоянии.

(4) Область пробоя

Когда приложенное напряжение превышает условие максимального значения напряжения, транзистор входит в состояние пробоя, что указывает на то, что транзистор сопротивляется протеканию тока.

Области применения

Применение полевых транзисторов:

1.  Для таких приложений, как низкий уровень шума, эти типы транзисторов предпочтительны.
Полевые транзисторы
2. имеют предпочтительное использование при применении в качестве буфера.
3. Используются в каскадных усилителях.
4. Главной особенностью этого является низкая входная емкость.
5.  Для аналогового переключения предпочтительнее полевой транзистор.
6. Предпочтителен в колебательных контурах.
7. Для цепей ограничения тока предпочтительны JFET.

Таким образом, полевые транзисторы имеют множество применений. Это может быть JFET или MOSFET, оба имеют множество применений, основанных на его сильно унифицированных характеристиках. Каждый из них предпочтителен в качестве переключателей и может использоваться в усилителях и т. д.

FET в качестве переключателя

FET можно использовать в качестве одного из приложений переключения, поскольку он может работать как в полностью включенном, так и в полностью выключенном состоянии. Подобно биполярным транзисторам, полевой транзистор также состоит из активной области, области отсечки и области насыщения, как упоминалось выше.

Поскольку напряжение на стыке затвора и истока равно нулю, то рабочее состояние полевого транзистора находится в состоянии насыщения, поскольку через него протекает максимальный ток. Когда приложенное напряжение меньше напряжения включения или более отрицательное.

Тогда считается, что рабочая область полевого транзистора находится в режиме отсечки. При его работе в области отсечки явное протекание тока по цепи отсутствует. Это причины, по которым полевой транзистор работает как переключатель. Когда полевой транзистор подключен к нагрузке параллельно, он действует как аналоговый переключатель. Полевые транзисторы также могут быть соединены последовательно, чтобы действовать как последовательный переключатель.

Таким образом, базовая работа полевого транзистора вместе с его типами и методами смещения была рассмотрена выше. Полевой транзистор с переходом – это первая классификация полевых транзисторов, которая классифицируется на основе переходов, образованных -типом или p-типом. Эта классификация полевых транзисторов на основе сформированных каналов известна как полевые МОП-транзисторы.

Пожалуйста, обратитесь к этой ссылке для полевых транзисторов MCQ

После анализа типов полевых транзисторов вы можете описать, какой из них лучше и наиболее предпочтителен среди JFET и MOSFET?

Что такое униполярный/полевой транзистор?

FET

Содержание

Полевой транзистор (FET)  — также известен как Униполярный транзистор , представляет собой трехполюсный (три электрода) , управляемый напряжением   полупроводник0056 электронный компонент, способный усиливать электрический сигнал. Семейство полевых транзисторов состоит из группы нескольких типов различных компонентов, общей чертой которых является косвенное влияние электрического поля на сопротивление полупроводника или сопротивление тонкого непроводящего слоя. Теоретически полевым транзистором можно управлять без расхода энергии. В работе компонента принимает участие только один тип носителей нагрузки, отсюда и однополярное название, а управление выходным током осуществляется с помощью электрического поля (полевые транзисторы).

Полевой транзистор –  Внутренняя конструкция и принцип работы

Униполярный транзистор имеет три электрода:

• Слив «D» – электрод, до которого доходят носители нагрузки. Ток стока – I _D , напряжение сток-исток – В _DS ,
• Ворота «G» – электрод, управляющий потоком зарядов. Ток затвора – I _G , напряжение затвор-исток – В _ГС ,
• Источник «S» – электрод, от которого в канал поступают носители нагрузки. Ток источника обозначается как I _S .

Это эквиваленты электродов в биполярных транзисторах . Два из них: Drain и Source подключены к правильно легированному полупроводниковому кристаллу. Между этими концами создается канал, по которому течет ток. Третий конец размещается вдоль канала:

Ворота , благодаря которым мы можем контролировать течение тока. В случае соединения нескольких МОП-транзисторов в интегральную схему часто используется четвертый электрод: B — Body (или Bulk ) для того, чтобы смещать подложку. Но вообще этот конец связан с/с источником.

---

FET – Задания для студентов

Если вы студент или просто хотите научиться решать задачи на полевых транзисторах, посетите этот раздел нашего сайта, где вы можете найти самые разнообразные электронные задания.

---

Разделение полевых транзисторов

В зависимости от принципов работы и законов можно выделить два основных типа полевых транзисторов, которые далее подразделяются, как показано на рис.1. внизу:

Рис. 1. Разделение полевых транзисторов

JFET – конструкция и принцип действия

JFET транзистор состоит из слоя полупроводника n-типа в N-канальных JFET транзисторах или полупроводника p-типа в P-канальных JFET транзисторы. Эти слои образуют канал. Электроды присоединяют к обоим концам канала. В транзисторах JFET затвор изолирован от канала переходом с обратным смещением (с очень высоким входным сопротивлением).

Транзисторы JFET должны быть поляризованы таким образом, чтобы несущие перемещались от истока к стоку, а переход затвор-канал был смещен в обратном направлении.

Существует два варианта этого перехода:

• P-N переход (PNFET),
• Соединение M-S (металл-полупроводник).

Канал, по которому будет течь ток, расположен между стоком и истоком. Шириной канала (его сопротивлением) можно управлять, изменяя напряжение затвор-исток (В _ГС ). Повышение напряжения V _GS (которое смещает переход в обратном направлении) вызывает сужение канала вплоть до его полного «закрытия» — ток не будет течь. К напряжению V _GS добавляется падение напряжения между конкретной точкой канала и источником (V _DS ). Увеличение значения напряжения V _DS в конечном итоге подключит обедненные слои и заблокирует канал, насытив транзистор. Значение тока стока I _D не будет увеличиваться независимо от дальнейшего увеличения напряжения V _DS , и транзистор становится очень хорошим компонентом крутизны.

• P-N JFET (нормально включен)

Рис. 2. Символы JFETРис. 3. Внутренняя структура полевого транзистора JFET с каналом типа «N»

MOSFET (металло-оксидно-полупроводниковый полевой транзистор) – конструкция и принцип работы

В транзисторе MOSFET затвор изолирован от канала диэлектрическим слоем. Область, отмеченная «N+», представляет собой сильнолегированный полупроводник типа «N». В случае Э МОП-транзисторов с напряжением 9 В0174 ГС = 0, канал заблокирован (его сопротивление принимает значение МОм и ток I _D не течет). При увеличении напряжения канала V _GS увеличивается его проводимость и после достижения определенного значения, называемого пороговым напряжением V _T , через канал становится возможным протекание тока стока I _D . Ток стока MOSFET регулируется сигналом напряжения затвора величиной до нескольких вольт, что обеспечивает совместимость со всеми МОП-системами, особенно с КМОП. Мощность, необходимая для его управления, очень мала, а безопасная рабочая зона больше по сравнению с БЮТ транзисторы . Кроме того, время переключения также короче по сравнению с BJT.

Минимальное значение сопротивления канала, указанное производителем, можно найти в даташитах как rds _на (зависит от максимального напряжения транзистора V _DS . Значение тока I _D , которое будет протекать через созданный канал зависит от напряжения V _DS , но не является линейной зависимостью и описывается формулой:

β – коэффициент усиления тока
Этот ток влияет на состояние смещения затвора, изменяя его, что приводит к сужению канала вблизи стока. В случае дальнейшего увеличения напряжения затвор-исток V _GS отсечка напряжения V _GSoff будет превышена в какой-то момент, что приведет к потере созданного канала (V _GS = V _DS )

• Режим обеднения MOSFET – D MOS (нормально включен):

Рис. 4. Символы D MOS

• Режим расширения MOSFET – E MOS (нормально выключен):

Рис. 5. Символы E MOSРис. 6. Внутренняя структура E МОП с каналом типа «N»

FET – режимы работы

Существует три режима работы транзисторов:

• Режим отсечки: |V _GS | > |В _Т | в любом |V _DS |,
• Активный режим  (также известный как линейный или ненасыщенный): |V _GS | < |В _Т | и |V _DS | <= |V _DSsat |,
• Режим насыщения : |V _GS | < |В _Т | и |V _DS | => |V _DSsat |.

Примечание: Во многих странах единица измерения напряжения и символ называются «V» вместо «U», как в этой статье.

FET – Основные параметры

• В _{DS max} – максимальное напряжение сток-исток,
• I _Dmax – максимальный ток стока,
• В _GSmax – максимальный ток затвор-исток,
• P _totmax – допустимая потеря мощности,
• В _Т – пороговое напряжение, при котором начинает протекать ток,
• I _DSS (V _GS =0) – ток насыщения при определенном токе V _DS ,
• г [S-Siemens] – коэффициент крутизны,
• rds _(on) – минимальное значение сопротивления канала транзистора, работающего в режиме ненасыщения,
• I _Gmax – максимально допустимый ток затвора,
• I _D(OFF) – ток стока в режиме отсечки – при напряжении |V _GS | > |V _GS(ВЫКЛ) |.

FET –  Вольт-амперные характеристики

Передаточные характеристики – описывают отношение тока стока I _D от напряжения затвор-исток V _GS к определенному напряжению сток-исток V _GS .

• JFET «N»:

Рис. 7. JFET «N»

• D MOS «N»:

Рис. 8. D MOS «N»

• E MOS «N»:

Рис. 9. Э МОП «N»

• Характеристики стока (для полевого транзистора типа «N») – описывает отношение стока I _D ток от сток-исток В _ДС напряжение с определенным затвор-исток В _ГС напряжение. Область характеристик была разделена на две части: активную и насыщенную область.

Рис. 10. Характеристики стока (для униполярного транзистора типа «N»)

Практическое применение – Unipolar MOSFET – NMOS транзистор

В практическом упражнении действие NMOS транзистора в его простейшей форме показано в виде транзисторного ключа . Такое использование в основном работает в приложениях микроконтроллера, оно используется для управления сигналом от микроконтроллера к внешним приемникам.

Для этого упражнения нам понадобятся следующие вещи:

• макетная плата (Elegoo 3шт MB-102 макетная плата)
• Светодиод (можно и зуммер) (Взять Шанзон 100шт),
• Резистор 220 и 1 кОм (750 шт., набор резисторов 30 значений),
• Транзистор NMOS BUZ11 (Получить FAIRCHILD BUZ11),
• Батарея 3В,
• Блок питания 9В.

Схема подключения цепей выглядит следующим образом:

Рис. 11. Схема подключения цепей: V2:9В источник питания постоянного тока, D1: белый светодиод, R1: резистор 220 Ом, M1: транзистор BUZ11, R2: резистор 1 кОм, V1: батарея 3 В (на схеме синусоидальный источник используется для иллюстрации работы транзистора). Обратите внимание, что обозначения на схеме различны для транзистора, но имеют те же параметры, что и BUZ11.

Готовая подключенная схема на макетной плате показана ниже на Рис.