Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments
Маркировка транзисторов зарубежных(в т. ч.- SMD) и отечественных.

На рисунке ниже - виды корпусов импортных транзисторов.

Первый элемент - означает число PN - переходов: 2 - транзистор
Второй элемент - буква "N" (типономинал).
Третий элемент - цифры (серийный номер).
Четвертый элемент - буква, указывающая на возможные изменения параметров (характеристик) прибора в пределах одного типономинала по EIA. Если корпус транзистора или другого полупроводникового прибора мал, то в сокращенной маркировке первая цифра и буква "N" - не ставятся.

Обозначение на корпусе Тип транзистора
"15" на корпусе SOT-23 MMBT3960(Datasheet "Motorola")
"1A" на корпусе SOT-23BC846A(Datasheet "Taitron")
"1B" на корпусе SOT-23BC846B(Datasheet "Taitron")
"1C" на корпусе SOT-23MMBTA20LT(Datasheet "Motorola")
"1D" на корпусе SOT-23BC846(Datasheet "NXP")
"1E" на корпусе SOT-23BC847A(Datasheet "Taitron")
"1F" на корпусе SOT-23BC847B(Datasheet "Taitron")
"1G" на корпусе SOT-23BC847C(Datasheet "Taitron")
"1H" на корпусе SOT-23BC847(Datasheet "NXP")
"1N" на корпусе SOT-416BC847T(Datasheet "NXP")
"1J" на корпусе SOT-23BC848A(Datasheet "Taitron")
"1K" на корпусе SOT-23BC848B(Datasheet "Taitron")
"1L" на корпусе SOT-23BC848C(Datasheet "Taitron")
"1M" на корпусе SOT-416BC846T(Datasheet "NXP")
"1M" на корпусе SOT-323BC848W(Datasheet "NXP")
"1M" на корпусе SOT-23MMBTA13(Datasheet "Motorola")
"1N" на корпусе SOT-23MMBTA414(Datasheet "Motorola")
"1V" на корпусе SOT-23MMBT6427(Datasheet "Motorola")
"1P" на корпусе SOT-23FMMT2222A,KST2222A,MMBT2222A.
"1T" на корпусе SOT-23MMBT3960A(Datasheet "Motorola")
"1Y" на корпусе SOT-23MMBT3903(Datasheet "Samsung")
"2A" на корпусе SOT-23FMMBT3906,KST3906,MMBT3906
"2B" на корпусе SOT-23BC849B(Datasheet "G.S.")
"2C" на корпусе SOT-23BC849C(Datasheet "G.S.")
"2E" на корпусе SOT-23FMMTA93,KST93
"2F" на корпусе SOT-23FMMT2907A,KST2907A,MMBT2907AT
"2G" на корпусе SOT-23FMMTA56,KST56
"2H" на корпусе SOT-23MMBTA55(Datasheet "Taitron")
"2J" на корпусе SOT-23MMBT3640(Datasheet "Fairchild")
"2K" на корпусе SOT-23FMMT4402(Datasheet "Zetex")
"2M" на корпусе SOT-23MMBT404(Datasheet "Motorola")
"2N" на корпусе SOT-23MMBT404A(Datasheet "Motorola")
"2T" на корпусе SOT-23 KST4403,MMBT4403
"2V" на корпусе SOT-23MMBTA64(Datasheet "Motorola")
"2U" на корпусе SOT-23MMBTA63(Datasheet "Motorola")
"2X" на корпусе SOT-23MMBT4401,KST4401
"3A" на корпусе SOT-23MMBTh34(Datasheet "Motorola")
"3B" на корпусе SOT-23MMBT918(Datasheet "Motorola")
"3D" на корпусе SOT-23MMBTH81(Datasheet "Motorola")
"3E" на корпусе SOT-23MMBTh20(Datasheet "Motorola")
"3F" на корпусе SOT-23MMBT6543(Datasheet "Motorola")
"3J-" на корпусе SOT-143BBCV62A(Datasheet "NXP")
"3K-" на корпусе SOT-23BC858B(Datasheet "NXP")
"3L-" на корпусе SOT-143BBCV62C(Datasheet "NXP")
"3S" на корпусе SOT-23MMBT5551(Datasheet "Fairchild")
"4As" на корпусе SOT-23BC859A(Datasheet "Siemens")
"4Bs" на корпусе SOT-23BC859B(Datasheet "Siemens")
"4Cs" на корпусе SOT-23BC859C(Datasheet "Siemens")
"4J" на корпусе SOT-23FMMT38A(Datasheet "Zetex S.")
"449" на корпусе SOT-23FMMT449(Datasheet "Diodes Inc.")
"489" на корпусе SOT-23FMMT489(Datasheet "Diodes Inc.")
"491" на корпусе SOT-23FMMT491(Datasheet "Diodes Inc.")
"493" на корпусе SOT-23FMMT493(Datasheet "Diodes Inc.")
"5A" на корпусе SOT-23BC807-16(Datasheet "General Sem.")
"5B" на корпусе SOT-23BC807-25(Datasheet "General Sem.")
"5C" на корпусе SOT-23BC807-40(Datasheet "General Sem.")
"5E" на корпусе SOT-23BC808-16(Datasheet "General Sem.")
"5F" на корпусе SOT-23BC808-25(Datasheet "General Sem.")
"5G" на корпусе SOT-23BC808-40(Datasheet "General Sem.")
"5J" на корпусе SOT-23FMMT38B(Datasheet "Zetex S.")
"549" на корпусе SOT-23FMMT549(Datasheet "Fairchild")
"589" на корпусе SOT-23 FMMT589(Datasheet "Fairchild")
"591" на корпусе SOT-23FMMT591(Datasheet "Fairchild")
"593" на корпусе SOT-23FMMT593(Datasheet "Fairchild")
"6A-","6Ap","6At" на корпусе SOT-23BC817-16(Datasheet "NXP")
"6B-","6Bp","6Bt" на корпусе SOT-23BC817-25(Datasheet "NXP")
"6C-","6Cp","6Ct" на корпусе SOT-23
BC817-40(Datasheet "NXP")
"6E-","6Et","6Et" на корпусе SOT-23BC818-16(Datasheet "NXP")
"6F-","6Ft","6Ft" на корпусе SOT-23BC818-25(Datasheet "NXP")
"6G-","6Gt","6Gt" на корпусе SOT-23BC818-40(Datasheet "NXP")
"7J" на корпусе SOT-23FMMT38C(Datasheet "Zetex S.")
"9EA" на корпусе SOT-23BC860A(Datasheet "Fairchild")
"9EB" на корпусе SOT-23BC860B(Datasheet "Fairchild")
"9EC" на корпусе SOT-23BC860C(Datasheet "Fairchild")
"AA" на корпусе SOT-523F2N7002T(Datasheet "Fairchild")
"AA" на корпусе SOT-23BCW60A(Datasheet "Diotec Sem.")
"AB" на корпусе SOT-23BCW60B(Datasheet "Diotec Sem.")
"AC" на корпусе SOT-23BCW60C(Datasheet "Diotec Sem.")
"AD" на корпусе SOT-23BCW60D(Datasheet "Diotec Sem.")
"AE" на корпусе SOT-89BCX52(Datasheet "NXP")
"AG" на корпусе SOT-23BCX70G(Datasheet "Central Sem.Corp.")
"AH" на корпусе SOT-23BCX70H(Datasheet "Central Sem.Corp.")
"AJ" на корпусе SOT-23BCX70J(Datasheet "Central Sem.Corp.")
"AK" на корпусе SOT-23BCX70K(Datasheet "Central Sem.Corp.")
"AL" на корпусе SOT-89BCX53-16(Datasheet "Zetex")
"AM" на корпусе SOT-89BCX52-16(Datasheet "Zetex")
"AS1" на корпусе SOT-89BST50(Datasheet "Philips")
"B2" на корпусе SOT-23BSV52(Datasheet "Diotec Sem.")
"BA" на корпусе SOT-23BCW61A(Datasheet "Fairchild")
"BA" на корпусе SOT-232SA1015LT1(Datasheet "Tip")
"BA" на корпусе SOT-232SA1015(Datasheet "BL Galaxy El.")
"BB" на корпусе SOT-23BCW61B(Datasheet "Fairchild")
"BC" на корпусе SOT-23BCW61C(Datasheet "Fairchild")
"BD" на корпусе SOT-23BCW61D(Datasheet "Fairchild")
"BE" на корпусе SOT-89 BCX55(Datasheet " BL Galaxy El.")
"BG" на корпусе SOT-89
BCX55-10(Datasheet " BL Galaxy El.")
"BH" на корпусе SOT-89 BCX56(Datasheet " BL Galaxy El.")
"BJ" на корпусе SOT-23BCX71J(Datasheet "Diotec Sem.")
"BK" на корпусе SOT-23BCX71K(Datasheet "Diotec Sem.")
"BH" на корпусе SOT-23BCX71H(Datasheet "Diotec Sem.")
"BG" на корпусе SOT-23BCX71G(Datasheet "Diotec Sem.")
"BR2" на корпусе SOT-89 BSR31(Datasheet "Zetex")
"C1" на корпусе SOT-23BCW29(Datasheet "Diotec Sem.")
"C2" на корпусе SOT-23BCW30(Datasheet "Diotec Sem.")
"C5" на корпусе SOT-23MMBA811C5(Datasheet "Samsung Sem.")
"C6" на корпусе SOT-23MMBA811C6(Datasheet "Samsung Sem.")
"C7" на корпусе SOT-23BCF29(Datasheet "Diotec Sem.")
"C8" на корпусе SOT-23BCF30(Datasheet "Diotec Sem.")
"CEs" на корпусе SOT-23BSS79B(Datasheet "Siemens")
"CEC" на корпусе SOT-89 BC869(Datasheet "Philips")
"CFs" на корпусе SOT-23BSS79C(Datasheet "Siemens")
"CHs" на корпусе SOT-23BSS80B(Datasheet "Infenion")
"CJs" на корпусе SOT-23BSS80C(Datasheet "Infenion")
"CMs" на корпусе SOT-23BSS82C(Datasheet "Infenion")
"CLs" на корпусе SOT-23BSS82B(Datasheet "Infenion")
"D1" на корпусе SOT-23BCW31(Datasheet "KEC")
"D2" на корпусе SOT-23BCW32(Datasheet "KEC")
"D3" на корпусе SOT-23BCW33(Datasheet "KEC")
D6" на корпусе SOT-23MMBC1622D6(Datasheet "Samsung Sem.")
"D7t","D7p" на корпусе SOT-23BCF32(Datasheet "NXP Sem.")
"D7" на корпусе SOT-23BCF32(Datasheet "Diotec Sem.")
"D8" на корпусе SOT-23BCF33(Datasheet "Diotec Sem.")
"DA" на корпусе SOT-23BCW67A(Datasheet "Central Sem. Corp.")
"DB" на корпусе SOT-23BCW67B(Datasheet "Central Sem. Corp.")
"DC" на корпусе SOT-23BCW67C(Datasheet "Central Sem. Corp.")
"DF" на корпусе SOT-23BCW67F(Datasheet "Central Sem. Corp.")
"DG" на корпусе SOT-23BCW67G(Datasheet "Central Sem. Corp.")
"DH" на корпусе SOT-23BCW67H(Datasheet "Central Sem. Corp.")
"E2p" на корпусе SOT-23BFS17A(Datasheet "Philips")
"EA" на корпусе SOT-23BCW65A(Datasheet "Central Sem. Corp.")
"EB" на корпусе SOT-23BCW65B(Datasheet "Central Sem. Corp.")
"EC" на корпусе SOT-23BCW65C(Datasheet "Central Sem. Corp.")
"EF" на корпусе SOT-23BCW65F(Datasheet "Central Sem. Corp.")
"EG" на корпусе SOT-23BCW65G(Datasheet "Central Sem. Corp.")
"EH" на корпусе SOT-23BCW65H(Datasheet "Central Sem. Corp.")
"F1" на корпусе SOT-23MMBC1009F1(Datasheet "Samsung Sem.")
"F3" на корпусе SOT-23MMBC1009F3(Datasheet "Samsung Sem.")
"FA" на корпусе SOT-89 BFQ17(Datasheet "Philips")
"FDp","FDt","FDW" на корпусе SOT-23 BCV26(Datasheet "Philips(NXP)")
"FEp","FEt","FEW" на корпусе SOT-23 BCV46(Datasheet "Philips(NXP)")
"FFp","FFt","FFW" на корпусе SOT-23 BCV27(Datasheet "Philips(NXP)")
"FGp","FGt","FGW" на корпусе SOT-23 BCV47(Datasheet "Philips(NXP)")
"GFs" на корпусе SOT-23 BFR92P(Datasheet "Infenion")
"h2p","h2t","h2W" на корпусе SOT-23 BCV69(Datasheet "Philips(NXP)")
"h3p","h3t","h3W" на корпусе SOT-23 BCV70(Datasheet "Philips(NXP)")
"h4p","h4t" на корпусе SOT-23 BCV89(Datasheet "Philips(NXP)")
"H7p" на корпусе SOT-23 BCF70
"K1" на корпусе SOT-23 BCW71(Datasheet "Samsung Sem.")
"K2" на корпусе SOT-23 BCW72(Datasheet "Samsung Sem.")
"K3p" на корпусе SOT-23 BCW81(Datasheet "Philips(NXP)")
"K1p","K1t" на корпусе SOT-23 BCW71(Datasheet "Philips(NXP)")
"K2p","K2t" на корпусе SOT-23 BCW72(Datasheet "Philips(NXP)")
"K7p","K7t" на корпусе SOT-23 BCV71(Datasheet "Philips(NXP)")
"K8p","K8t" на корпусе SOT-23 BCV72(Datasheet "Philips(NXP)")
"K9p" на корпусе SOT-23 BCF81(Datasheet " Guangdong Kexin Ind.Co.Ltd")
"L1" на корпусе SOT-23 BSS65
"L2" на корпусе SOT-23 BSS69(Datasheet "Zetex Sem.")
"L3" на корпусе SOT-23 BSS70(Datasheet "Zetex Sem.")
"L4" на корпусе SOT-23 2SC1623L4(Datasheet "BL Galaxy El.")
"L5" на корпусе SOT-23 BSS65R
"L6" на корпусе SOT-23 BSS69R(Datasheet "Zetex Sem.")
"L7" на корпусе SOT-23 BSS70R(Datasheet "Zetex Sem.")
"M3" на корпусе SOT-23 MMBA812M3(Datasheet "Samsung Sem.")
"M4" на корпусе SOT-23 MMBA812M4(Datasheet "Samsung Sem.")
"M5" на корпусе SOT-23 MMBA812M5(Datasheet "Samsung Sem.")
"M6" на корпусе SOT-23 MMBA812M6(Datasheet "Samsung Sem.")
"M6P" на корпусе SOT-23 BSR58(Datasheet "Philips(NXP)")
"M7" на корпусе SOT-23 MMBA812M7(Datasheet "Samsung Sem.")
"P1" на корпусе SOT-23 BFR92(Datasheet "Vishay Telefunken")
"P2" на корпусе SOT-23 BFR92A(Datasheet "Vishay Telefunken")
"P4" на корпусе SOT-23 BFR92R(Datasheet "Vishay Telefunken")
"P5" на корпусе SOT-23 FMMT2369A(Datasheet "Zetex Sem.")
"Q2" на корпусе SOT-23 MMBC1321Q2(Datasheet "Motorola Sc.")
"Q3" на корпусе SOT-23 MMBC1321Q3(Datasheet "Motorola Sc.")
"Q4" на корпусе SOT-23 MMBC1321Q4(Datasheet "Motorola Sc.")
"Q5" на корпусе SOT-23 MMBC1321Q5(Datasheet "Motorola Sc.")
"R1p" на корпусе SOT-23 BFR93(Datasheet "Philips(NXP)")
"R2p" на корпусе SOT-23 BFR93A(Datasheet "Philips(NXP)")
"s1A" на корпусах SOT-23,SOT-363,SC-74SMBT3904(Datasheet "Infineon")
"s1D" на корпусе SOT-23 SMBTA42(Datasheet "Infineon")
"S2" на корпусе SOT-23 MMBA813S2(Datasheet "Motorola Sc.")
"s2A" на корпусе SOT-23 SMBT3906(Datasheet "Infineon")
"s2D" на корпусе SOT-23 SMBTA92(Datasheet "Siemens Sem.")
"s2F" на корпусе SOT-23 SMBT2907A(Datasheet "Infineon")
"S3" на корпусе SOT-23 MMBA813S3(Datasheet "Motorola Sc.")
"S4" на корпусе SOT-23 MMBA813S4(Datasheet "Motorola Sc.")
"T1"на корпусе SOT-23 BCX17(Datasheet "Philips(NXP)")
"T2"на корпусе SOT-23 BCX18(Datasheet "Philips(NXP)")
"T7"на корпусе SOT-23 BSR15(Datasheet "Diotec Sem.")
"T8"на корпусе SOT-23 BSR16(Datasheet "Diotec Sem.")
"U1p","U1t","U1W"на корпусе SOT-23 BCX19(Datasheet "Philips(NXP)")
"U2"на корпусе SOT-23 BCX20(Datasheet "Diotec Sem.")
"U7p","U7t","U7W"на корпусе SOT-23 BSR13(Datasheet "Philips(NXP)")
"U8p","U8t","U8W"на корпусе SOT-23 BSR14(Datasheet "Philips(NXP)")
"U92" на корпусе SOT-23 BSR17A(Datasheet "Philips")
"Z2V" на корпусе SOT-23 FMMTA64(Datasheet "Zetex Sem.")
"ZD" на корпусе SOT-23 MMBT4125(Datasheet "Samsung Sem.")
описание, типы, устройство, маркировка, применение.

В  этой статье рассказывается об важно элементе радиоэлектронике — транзисторах. Про принцип действия диодов и их характеристики читайте по ссылке — http://www.radioingener.ru/diody-i-ix-primenenie/

Содержание

Что такое транзистор.

Термин «транзистор» образован из двух английских слов: transfer — преобразователь и resistor — сопротивление.

В большую «семью» полупроводниковых приборов, называемых транзисторами, входят два вида: биполярные и полевые. Первые из них, чтобы как — то отличить их от вторых, часто называют обычными транзисторами.

Биполярный (обычный) транзистор

Биполярные транзисторы используются наиболее широко. Именно с них мы пожалуй и начнем.  В упрощенном виде биполярный транзистор представляет собой пластину полупроводника с тремя (как в слоеном пироге) чередующимися областями разной электропроводности (рис. 1), которые образуют два р — n перехода.

Две крайние области обладают электропроводностью одного типа, средняя — электропроводностью другого типа. У каждой области свой контактный вывод. Если в крайних областях преобладает дырочная электропроводность, а в средней электронная (рис. 1, а), то такой прибор называют транзистором структуры p — n — р. У транзистора структуры n — p — n, наоборот, по краям расположены области с электронной электропроводностью, а между ними — область с дырочной электропроводностью (рис. 1, б).

Схематическое устройство и графическое обозначение на схемах транзисторов структуры p - n - p и n - p - n.

Рис. 1 Схематическое устройство и графическое обозначение на схемах транзисторов структуры p — n — p и n — p — n.

Устройство и структура.

Если мысленно прикрыть любую из крайних областей транзисторов, изображенных схематически на (рис.1). Что получилось? Оставшиеся две области есть не что иное, как плоскостной диод. Если прикрыть другую крайнюю область, то тоже получится диод. Значит, транзистор можно представить себе как два плоскостных диода с одной общей областью, включенных навстречу друг другу.

Общую (среднюю) область транзистора называют базой, одну крайнюю область — эмиттером, вторую крайнюю область — коллектором.

Это три электрода транзистора. Во время работы эмиттер вводит (эмитирует) в базу дырки (в структуре p — n — р) или электроны (в структуре n — p — n), коллектор собирает эти электрические заряды, вводимые в базу эмиттером.

Различие в обозначениях транзисторов разных структур на схемах заключается лишь в направлении стрелки эмиттера: в p — n — р транзисторах она обращена в сторону базы, а в n — p — n — от базы.

Электронно — дырочные переходы в транзисторе могут быть получены так же, как в плоскостных диодах. Например, чтобы изготовить транзистор структуры p — n — р, берут тонкую пластину германия с электронной электропроводностью и наплавляют на ее поверхность кусочки индия. Атомы индия диффундируют (проникают) в тело пластины, образуя в ней две области типа р — эмиттер и коллектор, а между ними остается очень тонкая (несколько микрон) прослойка полупроводника типа n — база. Транзисторы, изготовляемые по такой технологии, называют сплавными.

Запомни наименования р — n переходов транзистора: между коллектором и базой — коллекторный, между эмиттером и базой — эмиттерный.

Схематическое устройство и конструкция сплавного транзистора показаны на (рис. 2).

Изготовление транзисторов.

Прибор собран на металлическом диске диаметром менее 10 мм. Сверху к этому диску приварен кристаллодержатель, являющийся внутренним выводом базы, а снизу — ее наружный проволочный вывод. Внутренние выводы коллектора и эмиттера приварены к проволочкам, которые впаяны в стеклянные изоляторы и служат внешними выводами этих электродов. Цельнометаллический колпак защищает прибор от механических повреждений и влияния света. Так устроены наиболее распространенные маломощные низкочастотные транзисторы серий МП39, МП40, МП41, МП42 и их разновидности. Буква (М) в обозначении говорит о том, что корпус прибора холодносварной, буква (П)- первоначальная буква слов «плоскостной», а цифры — порядковые заводские номера приборов. В конце обозначения могут быть буквы А, Б, В (например, МП39Б), указывающие разницу в параметрах данной серии. Существуют другие способы изготовления, например, диффузионно — сплавной (рис. 3). Коллектором транзистора, изготовленного по такой технологии, служит пластина исходного полупроводника. На поверхность пластины наплавляют очень близко один от другого два маленьких шарика примесных элементов. Во время нагрева до строго определенной температуры происходит диффузия примесных элементов в пластинку полупроводника. При этом один шарик (на рис. 3 — правый) образует в коллекторе тонкую базовую область, а второй (на рис. 3 — левый) эмиттерную область.

Устройство и конструкция сплавного и диффузионно - сплавного транзистора структуры p - n - p.

Рис. 2 — Устройство и конструкция сплавного слева и диффузионно — сплавного справа транзистора структуры p — n — p.

В результате в пластине исходного полупроводника получаются два р — n перехода, образующие транзистор структуры р — n — р. По такой технологии изготовляют, в частности, наиболее массовые маломощные высокочастотные транзисторы серий П401-П403, П422, П423, ГТ308. В настоящее время действует система обозначения, по которой выпускаемые серийно приборы имеют обозначения, состоящие из четырех элементов, например: ГТ109А, КТ315В, ГТ403И.

  • Первый элемент этой системы обозначения — буква Г, К или А (или цифра 1, 2 и 3) — характеризует полупроводниковый материал и температурные условия работы прибора. Буква Г (или цифра 1) присваивается германиевым транзисторам, буква К (или цифра 2) — кремниевым, буква А (или цифра 3) — транзисторам, полупроводниковым материалом которых служит арсенид галлия. Цифра, стоящая вместо буквы, указывает на то, что данный транзистор может работать при повышенных температурах (германиевый — выше 4- 60°С, кремниевый — выше +85°С).
  • Второй элемент — буква Т — начальная буква слова «транзистор».
  • Третий элемент — трехзначное число от 101 до 999 — указывает порядковый номер разработки и назначение прибора. Это число присваивается транзистору по признакам, приведенным в таблице.
  • Четвертый элемент обозначения — буква, указывающая разновидность прибора данной серии.

Удобная таблица для запоминания характеристик транзистора по частоте, мощности.

Вот некоторые примеры расшифровки обозначений по этой системе :

ГТ109А — германиевый маломощный низкочастотный транзистор, разновидность А;

ГТ404Г — германиевый средней мощности низкочастотный транзистор, разновидность Г;

КТЗ15В — кремниевый маломощный высокочастотный транзистор, разновидность В.

Применение транзисторов

Наряду с такой системой продолжает действовать и прежняя система обозначения, например П27, П401, П213, МП39 и т.д. Объясняется это тем, что такие или подобные транзисторы были разработаны до введения современной маркировки полупроводниковых приборов. Внешний вид некоторых биполярных транзисторов, наиболее широко используемых радиолюбителями, показан на (рис. 4). Маломощный низкочастотный транзистор ГТ109 (структуры р — n — р) имеет в диаметре всего 3, 4 мм. Транзисторы этой серии предназначены для миниатюрных радиовещательных приемников. Их используют также в слуховых аппаратах, в электронных медицинских приборах т.д.

Диаметр транзисторов ГТ309 (р — n — р) 7,4 мм. Такие транзисторы применяют в различных малогабаритных электронных устройствах для усиления и генерирования колебаний высокой частоты.

Транзисторы КТЗ15 (n — p — n) выпускают в пластмассовых корпусах. Эти маломощные приборы предназначены для усиления и генерирования колебаний высокой частоты. Транзисторы МП39 — МП42 (р — n — р) — самые массовые среди маломощных низкочастотных транзисторов. Точно так выглядят и аналогичные им, но структуры n — p — n, транзисторы МП35 — МП38. Диаметр корпуса любого из этих транзисторов 11,5 мм. Наиболее широко их используют в усилителях звуковой частоты.

Так выглядят и маломощные высокочастотные р — n — р транзисторы серий П401 — П403, П416, П423, используемые для усиления высокочастотных сигналов как в промышленных, так и любительских радиовещательных приемниках. Транзистор ГТ402 (р — n — р) — представитель низкочастотных транзисторов средней мощности. Такую же конструкцию имеет его «близнец» ГТ404, но он структуры (n — p — n). Их, обычно используют в паре, в каскадах усиления мощности колебаний звуковой частоты.

Транзистор П213 (германиевый структуры р — n — р) — один из мощных низкочастотных транзисторов, широко используемых в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты. Диаметр этого, а также аналогичных ему транзисторов П214 — П216 и некоторых других, 24 мм. Такие транзисторы крепят на шасси или панелях при помощи фланцев. Во время работы они нагреваются, поэтому их обычно ставят на специальные теплоотводящие радиаторы, увеличивающие поверхности охлаждения.

КТ904 — сверхвысокочастотный кремниевый n — p — n транзистор большой мощности. Корпус металлокерамический с жесткими выводами и винтом М5, с помощью которого транзистор крепят на теплопроводящем радиаторе. Функцию радиатора может выполнять массивная металлическая пластина или металлическое шасси радиотехнического устройства. Высота транзистора вместе с выводами и крепежным винтом чуть больше 20 мм. Транзисторы этой серии предназначаются для генераторов и усилителей мощности радиоаппаратуры, работающей на частотах выше 100 МГц, например диапазона УКВ.

Внешний вид некоторых транзисторов

Рис. 4 Внешний вид некоторых транзисторов.

Советую просмотреть обучающий фильм:

Схемы включения и основные параметры биполярных транзисторов

 

Итак, биполярный транзистор, независимо от его структуры, является трехэлектродным прибором. Его электроды — эмиттер, коллектор и база. Для использования транзистора в качестве усилителя напряжения, тока или мощности входной сигнал, который надо усилить, можно подавать на два каких — либо электрода и с двух электродов снимать усиленный сигнал. При этом один из электродов обязательно будет общим. Он — то и определяет название способа включения транзистора: по схеме общего эмиттера (ОЭ), по схеме общего коллектора (ОК), по схеме общей базы (ОБ).

 

  • Включение p-n-р транзистора по схеме ОЭ показано на (рис. 5, а). Напряжение источника питания на коллекторе V подается через резистор Rк, являющийся нагрузкой, на эмиттер — через общий «заземленный» проводник, обозначаемый на схемах специальным знаком. Входной сигнал через конденсатор связи Ссв. подается к выводам базы и эмиттера, т.е. к участку база — эмиттер, а усиленный сигнал снимается с выводов эмиттера и коллектора. Эмиттер, следовательно, при таком включении является общим для входной и выходной цепей. Транзистор, по схеме с ОЭ, в зависимости от его усилительных свойств может дать 10 — 200 — кратное усиление сигнала по напряжению и 20 — 100 — кратное усиление сигнала по току. Такой способ включения по схеме с ОЭ пользуется у радиолюбителей наибольшей популярностью. Существенным недостатком усилительного каскада, включенном по такой схеме, является его сравнительно малое входное сопротивление — всего 500-1000 Ом, что усложняет согласование усилительных каскадов, транзисторы которых включают по такой же схеме. Объясняется это тем, что в данном случае эмиттерный р — n переход транзистора включен в прямом, т.е. пропускном, направлении. А сопротивление пропускного перехода, зависящее от прикладываемого к нему напряжения, всегда мало. Что же касается выходного сопротивления такого каскада, то оно достаточно большое (2-20 кОм) и зависит от сопротивления нагрузки Rк и усилительных свойств.

Схемы включения транзистора с общим эмиттером, с общим коллектором и с общей базой

  • Включение прибора схеме ОК показано на (рис. 5, б). Входной сигнал подается на базу и эмиттер через эмиттерный резистор Rэ, который является частью коллекторной цепи. С этого же резистора, выполняющего функцию нагрузки транзистора, снимается и выходной сигнал. Таким образом, этот участок коллекторной цепи является общим для входной и выходной цепей, поэтому и название способа включения транзистора — ОК. Каскад с полупроводником, включенным по такой схеме, по напряжению дает усиление меньше единицы. Усиление же по току получается примерно такое же, как если бы транзистор был включен по схеме ОЭ. Но зато входное сопротивление такого каскада может составлять 10 — 500 кОм, что хорошо согласуется с большим выходным сопротивлением каскада на транзисторе, включенном по схеме ОЭ. По существу, каскад не дает усиления по напряжению, а лишь как бы повторяет подведенный к нему сигнал. Поэтому транзисторы, включаемые по такой схеме, называют также эмиттерными повторителями. Почему эмиттерными? Потому что выходное напряжение на эмиттере практически полностью повторяет входное напряжение. Почему каскад не усиливает напряжение? Давайте мысленно соединим резистором цепь базы с нижним (по схеме) выводом эмиттерного резистора Rэ, как показано на (рис. 5, б) штриховыми линиями. Этот резистор — эквивалент внутреннего сопротивления источника входного сигнала Rвх., например микрофона или звукоснимателя. Таким образом, эмиттерная цепь оказывается связанной через резистор Rвх. с базой. Когда на вход усилителя подается напряжение сигнала, на резисторе Rэ, являющемся нагрузкой транзистора, выделяется напряжение усиленного сигнала, которое через резистор Rвх. оказывается приложенным к базе в противофазе. При этом между эмиттерной и базовой цепями возникает очень сильная отрицательная обратная связь, сводящая на нет усиление каскада. Это по напряжению. А по току усиления получается такое же, как и при включении транзистора по схеме с ОЭ.
  • Теперь о включении транзистора по схеме с ОБ (рис. 5, в). В этом случае база через конденсатор Сб по переменному току заземлена, т. е. соединена с общим проводником питания. Входной сигнал через конденсатор Ссв. подают на эмиттер и базу, а усиленный сигнал снимают с коллектора и с заземленной базы. База, таким образом, является общим электродом входной и выходной цепей каскада. Такой каскад дает усиление по току меньше единицы, а по напряжению — такое же, как транзистор, включенный по схеме с ОЭ (10 — 200). Из — за очень малого входного сопротивления, БК превышающего нескольких десятковом (30-100) Ом, включение транзистора по схеме ОБ используют главным образом в генераторах электрических колебаний, в сверхгенеративных каскадах, применяемых, например, в аппаратуре радиоуправления моделями.

Чаще всего как я уже говорил применяются схемы с включением транзистора с ОЭ, реже с ОК. Но это только способы включения. А режим работы транзистора как усилителя определяется напряжениями на его электродах, токами в его цепях и, конечно, параметрами самого транзистора. Качество и усилительные свойства биполярных транзисторов оценивают по нескольким электрическим параметрам, которые измеряют с помощью специальных приборов. Вас же, с практической точки зрения, в первую очередь должны интересовать три основных параметра: обратный ток коллектора Iкбо, статический коэффициент передачи тока h313 (читают так: аш два один э) и граничная частота коэффициента передачи тока Fгр.

  • Обратный ток коллектора Iкбо — это неуправляемый ток через коллекторный р — n переход, создающийся неосновными носителями тока транзистора. Он характеризует качество транзистора: чем численное значение параметра Iкбо меньше, тем выше качество. У маломощных низкочастотных транзисторов, например, серий МП39 — МП42, Iкбо не должен превышать 30 мкА, а у маломощных высокочастотных 5 мкА. Транзисторы с большими значениями Iкбо в работе неустойчивы.
  • Статический коэффициент передачи тока h31э характеризует усилительные свойства транзистора. Статическим его называют потому, что этот параметр измеряют при неизменных напряжениях на его электродах и неизменных токах в его цепях. Буква «Э» в этом выражении указывает на то, что при измерении полупроводник включают по схеме ОЭ. Коэффициент h31э характеризуется отношением постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор — эмиттер и токе эмиттера. Чем больше численное значение коэффициента h31э, тем большее усиление сигнала может обеспечить данный прибор.
  • Граничная частота коэффициента передачи тока Fгр, выраженная в килогерцах или мегагерцах, позволяет судить о возможности использования транзистора для усиления колебаний тех или иных частот. Граничная частота Fгр транзистора МП39, например, 500 кГц, а транзисторов П401 — П403 — больше 30 МГц. Практически транзисторы используют для усиления частот значительно меньше граничных, так как с повышением частоты коэффициент h31э уменьшается.

При конструировании радиотехнических устройств надо учитывать и такие параметры, как максимально допустимое напряжение коллектор — эмиттер Uкэ max, максимально допустимый ток коллектора Iк.max а также максимально допустимую рассеиваемую мощность коллектора Рк.max — мощность, превращающуюся в тепло.

 

Полевой транзистор

В этом полупроводниковом приборе управление рабочим током осуществляется не током во входной (базовой) цепи, как в биполярном транзисторе, а воздействием на носители тока электрического поля. Отсюда и название «полевой». Схематическое устройство и конструкция полевого транзистора с р — n переходом показаны на (рис. 6). Основой такого транзистора служит пластина кремния с электропроводностью типа n, в которой имеется тонкая область с электропроводностью типа р. Пластину прибора называют затвором, а область типа р в ней — каналом. С одной стороны канал заканчивается истоком, с другой стоком — тоже областью типа р, но с повышенной концентрацией дырок. Между затвором и каналом создается р — n переход. От затвора, истока и стока сделаны контактные выводы. Если к истоку подключить положительный, а к стоку — отрицательный полюсы батареи питания (на рис. 6 — батарея GB), то в канале появится ток, создающийся движением дырок от истока к стоку. Этот ток, называемый током стока Iс, зависит не только от напряжения этой батареи, но и от напряжения, действующего между источником и затвором (на рис. 6 — элемент G).

И вот почему. Когда на затворе относительно истока действует положительное закрывающее напряжение, обедненная область р — n перехода расширяется (на рис. 6 показано штриховыми линиями). От этого канал сужается, его сопротивление увеличивается, из — за чего ток стока уменьшается. С уменьшением положительного напряжения на затворе обедненная область р — n перехода, наоборот, сужается, канал расширяется, и ток снова увеличивается. Если на затвор вместе с положительным напряжением смещения подавать низкочастотный или высокочастотный сигнал, в цепи стока возникнет пульсирующий ток, а на нагрузке, включенной в эту цепь, — напряжение усиленного сигнала. Так, в упрощенном виде устроены и работают полевые транзисторы с каналом типа р, например — КП102, КП103 (буквы К и П означают «кремниевый полевой»). Принципиально так же устроен и работает полевой транзистор с каналом типа n. Затвор транзистора такой структуры обладает дырочной электропроводностью, поэтому на него относительно истока должно подаваться отрицательное напряжение смещения, а на сток (тоже относительно истока) — положительное напряжение источника питания. На условном графическом изображении полевого транзистора с каналом типа n стрелка на линии затвора направлена в сторону истока, а не от истока, как в обозначении транзистора с каналом типа р. Полевой транзистор — тоже трехэлектродный прибор. Поэтому его, как и биполярный транзистор, включать в усилительный каскад можно тремя способами: по схеме общего стока (ОС), по схеме общего истока (ОИ) и по схеме общего затвора (ОЗ). В радиолюбительской практике применяют в основном только первые два способа включения, позволяющие с наибольшей эффективностью использовать полевые транзисторы.

Усилительный каскад на полевом транзисторе обладает очень большим, исчисляемым мегаомами, входным сопротивлением.

Это позволяет подавать на его вход высокочастотные и низкочастотные сигналы от источников с большим внутренним сопротивлением, например от пьезокерамическрго звукоснимателя, не опасаясь искажения или ухудшения усиления входного сигнала.

В этом главное преимущество полевых транзисторов по сравнению с биполярными. Усилительные свойства полевого транзистора характеризуют крутизной характеристики S — отношением изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора, включенного по схеме ОИ. Численное значение параметра S выражают в миллиамперах на вольт; для различных транзисторов оно может составлять от 0,1 — 0,2 до 10 — 15 мА/В и больше. Чем больше крутизна, тем большее усиление сигнала может дать транзистор.

Конструкция и графическое изображение полевого транзистора с каналом типа (p).

Рис. 6 Конструкция и графическое изображение полевого транзистора с каналом типа (p).

Другой параметр полевого транзистора — напряжение отсечки Uзи.отс. — Это обратное напряжение на р — n переходе затвор — канал, при котором ток через этот переход уменьшается до нуля. У различных транзисторов напряжение отсечки может составлять от 0,5 до 10 В. О полевых транзисторах и их уникальных свойствах можно говорить еще много, я попытался рассказать о наиболее существенных.

Кодовая и цветовая маркировка транзисторов

Все картинки кликабельны. Вы можете нажать и сохранить их себе на ПК, чтобы в дальнейшем пользоваться. Или просто сохраните данную страницу нажав в браузере добавить в закладки.

 

ЦВЕТОВАЯ И КОДОВАЯ МАРКИРОВКА ТРАНЗИСТОРОВ

Рис. 1

ЦВЕТОВАЯ И КОДОВАЯ МАРКИРОВКА ТРАНЗИСТОРОВ

Рис. 2

ЦВЕТОВАЯ И КОДОВАЯ МАРКИРОВКА ТРАНЗИСТОРОВ

Рис. 3

ЦВЕТОВАЯ И КОДОВАЯ МАРКИРОВКА ТРАНЗИСТОРОВ

Рис. 4

ЦВЕТОВАЯ И КОДОВАЯ МАРКИРОВКА ТРАНЗИСТОРОВ

Рис. 5 — КТ315, КТ361

И так сказать на закуску классификацию корпусов, чтобы при заказе или обозначении на схеме иметь представление о внешнем виде транзистора

Типы корпусов транзисторов

 

Кодовая и цветовая маркировка транзисторов

При маркировке транзисторов, изготовленных в корпусах КТ-27(Т0-126), КТ-26(ТО-92) используют цветовую (нанесение точек разнообразных цветов) и кодовую (символы). В виду отсутствия общего стандарта, в странах бывшего СССР  часто встречаются транзисторы одной группы и типа, обозначения которых выполняется по-разному либо же на различные транзисторы  наносят одинаковые коды.

Различие же подобных маркировок – в осуществлении дополнительной цветовой покраски торца корпуса полупроводника или же конструктивным исполнением корпуса. Абсолютное  и урезанное обозначение транзисторов имеющих среднюю и малую мощность осуществляется с помощью цветных точек (двух или же четырех), или с помощью кодовых знаков в виде геометрических фигур (кодов). При полной маркировке на корпус полупроводника наносится тип, группа дата выпуска.

Кодовая маркировка транзисторов

 

 

Тестер транзисторов / ESR-метр / генератор

Многофункциональный прибор для проверки транзисторов, диодов, тиристоров...

Цветовая маркировка транзисторов

Для облегчения определения типа транзистора, имеющего на своем корпусе цветовую маркировку, можно использовать следующую несложную программу «Транзистор»:

Скачать программу "Транзистор" (1,1 MiB, скачано: 12 054)

Смотрите также: «Цветовая маркировка резисторов«

Транзистор. Обозначение на схемах и внешний вид транзисторов.

Внешний вид и обозначение транзистора на схемах

На фото справа вы видите первый работающий транзистор, который был создан в 1947 году тремя учёными – Уолтером Браттейном, Джоном Бардином и Уильямом Шокли.

Несмотря на то, что первый транзистор имел не очень презентабельный вид, это не помешало ему произвести революцию в радиоэлектронике.

Трудно предположить, какой бы была нынешняя цивилизация, если бы транзистор не был изобретён.

Транзистор является первым твёрдотельным устройством, способным усиливать, генерировать и преобразовывать электрический сигнал. Он не имеет подверженных вибрации частей, обладает компактными размерами. Это делает его очень привлекательным для применения в электронике.

Это было маленькое вступление, а теперь давайте разберёмся более подробно в том, что же представляет собой транзистор.

Сперва стоит напомнить о том, что транзисторы делятся на два больших класса. К первому относятся так называемые биполярные, а ко второму – полевые (они же униполярные). Основой как полевых, так и биполярных транзисторов является полупроводник. Основной же материал для производства полупроводников - это германий и кремний, а также соединение галлия и мышьяка - арсенид галлия (GaAs).

Стоит отметить, что наибольшее распространение получили транзисторы на основе кремния, хотя и этот факт может вскоре пошатнуться, так как развитие технологий идёт непрерывно.

Так уж случилось, но вначале развития полупроводниковой технологии лидирующее место занял биполярный транзистор. Но не многие знают, что первоначально ставка делалась на создание полевого транзистора. Он был доведён до ума уже позднее. О полевых MOSFET-транзисторах читайте здесь.

Не будем вдаваться в подробное описание устройства транзистора на физическом уровне, а сперва узнаем, как же он обозначается на принципиальных схемах. Для новичков в электронике это очень важно.

Для начала, нужно сказать, что биполярные транзисторы могут быть двух разных структур. Это структура P-N-P и N-P-N. Пока не будем вдаваться в теорию, просто запомните, что биполярный транзистор может иметь либо структуру P-N-P, либо N-P-N.

На принципиальных схемах биполярные транзисторы обозначаются вот так.

Условное графическое обозначение транзистора на схеме

Как видим, на рисунке изображены два условных графических обозначения. Если стрелка внутри круга направлена к центральной черте, то это транзистор с P-N-P структурой. Если же стрелка направлена наружу – то он имеет структуру N-P-N.

Маленький совет.

Чтобы не запоминать условное обозначение, и сходу определять тип проводимости (p-n-p или n-p-n) биполярного транзистора, можно применять такую аналогию.

Сначала смотрим, куда указывает стрелка на условном изображении. Далее представляем, что мы идём по направлению стрелки, и, если упираемся в «стенку» – вертикальную черту – то, значит, «Прохода Нет»! "Нет" – значит p-n-p (П-НУсловное графическое обозначение транзистора на схеме).

Ну, а если идём, и не упираемся в "стенку", то на схеме показан транзистор структуры n-p-n. Похожую аналогию можно использовать и в отношении полевых транзисторов при определении типа канала (n или p). Про обозначение разных полевых транзисторов на схеме читайте тут.

Обычно, дискретный, то есть отдельный транзистор имеет три вывода. Раньше его даже называли полупроводниковым триодом. Иногда у него может быть и четыре вывода, но четвёртый служит для подключения металлического корпуса к общему проводу. Он является экранирующим и не связан с другими выводами. Также один из выводов, обычно это коллектор (о нём речь пойдёт далее), может иметь форму фланца для крепления к охлаждающему радиатору или быть частью металлического корпуса.

Вот взгляните. На фото показаны различные транзисторы ещё советского производства, а также начала 90-ых.

Советские биполярные транзисторы

А вот это уже современный импорт.

Современные импортные биполярные транзисторы

Каждый из выводов транзистора имеет своё назначение и название: база, эмиттер и коллектор. Обычно эти названия сокращают и пишут просто Б (База), Э (Эмиттер), К (Коллектор). На зарубежных схемах вывод коллектора помечают буквой C, это от слова Collector - "сборщик" (глагол Collect - "собирать"). Вывод базы помечают как B, от слова Base (от англ. Base - "основной"). Это управляющий электрод. Ну, а вывод эмиттера обозначают буквой E, от слова Emitter - "эмитент" или "источник выбросов". В данном случае эмиттер служит источником электронов, так сказать, поставщиком.

Выводы транзистора

В электронную схему выводы транзисторов нужно впаивать, строго соблюдая цоколёвку. То есть вывод коллектора запаивается именно в ту часть схемы, куда он должен быть подключен. Нельзя вместо вывода базы впаять вывод коллектора или эмиттера. Иначе не будет работать схема.

Как узнать, где на принципиальной схеме у транзистора коллектор, а где эмиттер? Всё просто. Тот вывод, который со стрелкой – это всегда эмиттер. Тот, что нарисован перпендикулярно (под углом в 900) к центральной черте – это вывод базы. А тот, что остался – это коллектор.

Также на принципиальных схемах транзистор помечается символом VT или Q. В старых советских книгах по электронике можно встретить обозначение в виде буквы V или T. Далее указывается порядковый номер транзистора в схеме, например, Q505 или VT33. Стоит учитывать, что буквами VT и Q обозначаются не только биполярные транзисторы, но и полевые в том числе.

Далее узнаем, как найти транзисторы на печатной плате электронного прибора.

В реальной электронике транзисторы легко спутать с другими электронными компонентами, например, симисторами, тиристорами, интегральными стабилизаторами, так как те имеют такие же корпуса. Особенно легко запутаться, когда на электронном компоненте нанесена неизвестная маркировка.

В таком случае нужно знать, что на многих печатных платах производится разметка позиционирования и указывается тип элемента. Это так называемая шелкография. Так на печатной плате рядом с деталью может быть написано Q305. Это значит, что этот элемент транзистор и его порядковый номер в принципиальной схеме – 305. Также бывает, что рядом с выводами указывается название электрода транзистора. Так, если рядом с выводом есть буква E, то это эмиттерный электрод транзистора. Таким образом, можно чисто визуально определить, что же установлено на плате – транзистор или совсем другой элемент.

Как уже говорилось, это утверждение справедливо не только для биполярных транзисторов, но и для полевых. Поэтому, после определения типа элемента, необходимо уточнять класс транзистора (биполярный или полевой) по маркировке, нанесённой на его корпус.

Транзистор на печатной плате
Полевой транзистор FR5305 на печатной плате прибора. Рядом указан тип элемента - VT

Любой транзистор имеет свой типономинал или маркировку. Пример маркировки: КТ814. По ней можно узнать все параметры элемента. Как правило, они указаны в даташите (datasheet). Он же справочный лист или техническая документация. Также могут быть транзисторы этой же серии, но чуть с другими электрическими параметрами. Тогда название содержит дополнительные символы в конце, или, реже, в начале маркировки. (например, букву А или Г).

Зачем так заморачиваться со всякими дополнительными обозначениями? Дело в том, что в процессе производства очень сложно достичь одинаковых характеристик у всех транзисторов. Всегда есть определённое, пусть и, небольшое, но отличие в параметрах. Поэтому их делят на группы (или модификации).

Строго говоря, параметры транзисторов разных партий могут довольно существенно различаться. Особенно это было заметно ранее, когда технология их массового производства только оттачивалась.

Главная &raquo Радиоэлектроника для начинающих &raquo Текущая страница

Также Вам будет интересно узнать:

 

Кодовая и цветовая маркировка транзисторов

При ремонте отечественной аппаратуры можно столкнуться с проблемой определения марки транзистора. Очень редко марка отечественного транзистора пишется полностью на корпусе, а на большинстве еще советских транзисторов использовалась кодовая или цветная маркировка транзисторов. В советское время имелась несколько вариантов такой маркировки и часто в руки попадались транзисторы то с полосками, то с точками, а расшифровка маркировки таких транзисторов требовала под рукой небольшого справочника или хорошей памяти.

Маркировка отечественных транзисторов включает в себя несколько таблиц сгруппированных по типу корпуса транзистора. Для определения марки таких транзисторов используем следующие схемы:

Кодово-цветовая маркировка транзисторов в корпусе КТ-27

Цветовая маркировка транзисторов в корпусе КТ-26

Кроме марки самого транзистора, такая маркировка кодирует еще и дату производства.

Если маркировка включает в себя только две точки, то данные о дате производства такого транзистора отсутствуют.

Нестандартная цветовая маркировка транзисторов

Часто можно встретить транзисторы, для которых применялась и нестандартная цветовая маркировка. Некоторые такие примеры смотрим ниже:

Кодовая маркировка транзисторов в корпусе КТ-26

Кодовая маркировка транзисторов появилась немного позже цветовой. Такая маркировка может включать в себя дату выпуска, а может и наносится и без нее.

 

Нестандартная кодовая кодировка транзисторов

Вконтакте

Facebook

Twitter

Одноклассники

comments powered by HyperComments

как расшифровать их кодовые обозначения

Все радиодетали постоянно миниатюризируются, в первую очередь из-за сложности строения новых плат и необходимости уместить на них большое количество элементов. Встает вопрос о том, как указать на корпусе все технические характеристики. Для этого разработана специальная маркировка smd транзисторов, которая помогает прочитать электронщику все свой параметры.

С каждым годом маркировка усложняется, увеличивается, а площадь, на которую она наносится постоянно сокращается. В данной статье будет подробно рассмотрена вся имеющаяся маркировка, из чего она состоит, как ее прочитать и использовать. В качестве дополнения содержатся видеоролики с полезным материалом, а также файл, в котором перечислены необходимые условные обозначения.

Различные тразисторы.

Различные тразисторы.

Зачем нужна маркировка

Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.

Маркировка на практике

Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся. Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений.

Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.

Разнообразные корпуса транзисторов.

Разнообразные корпуса транзисторов.

Маркировка SMD компонентов

SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.

КодСопротивление
101100 Ом
471470 Ом
1021 кОм
1221.2 кОм
10310 кОм
12312 кОм
104100 кОм
124120 кОм
474470 кОм

Полезная информация: как проверить транзистор с помощью мультимера.

Маркировка импортных SMD

Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.

Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.

Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.

Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.

Какие бывают стандарты маркировки

Маркировка, которая наносится на корпус SMD-элементов, как правило, отличается от их фирменных названий. Причина банальная – нехватка места из-за миниатюрности корпуса. Проблема особенно актуальна для ЭРЭ, которые размещаются в корпусах с шестью и менее выводами.

Это миниатюрные диоды, транзисторы, стабилизаторы напряжения, усилители и т.д. Для разгадки “что есть что” требуется проводить настоящую экспертизу, ведь по одному маркировочному коду без дополнительной информации очень трудно идентифицировать тип ЭРЭ. С момента появления первых SMD-приборов прошло более 20 лет.

Таблица маркировки SMD транзисторов

Несмотря на все попытки стандартизации, фирмы-изготовители до сих пор упорно изобретают все новые разновидности SMD-корпусов и бессистемно присваивают своим элементам маркировочные коды.

Материал в тему: прозвон транзистора своими руками.

Полбеды, что наносимые символы даже близко не напоминают наименование ЭРЭ, – хуже всего, что имеются случаи “плагиата”, когда одинаковые коды присваивают функционально разным приборам разных фирм.

ТипНаименование ЭРЭЗарубежное название
A1Полевой N-канальный транзисторFeld-Effect Transistor (FET), N-Channel
A2Двухзатворный N-канальный полевой транзисторTetrode, Dual-Gate
A3Набор N-канальных полевых транзисторовDouble MOSFET Transistor Array
B1Полевой Р-канальный транзисторMOS, GaAs FET, P-Channel
D1Один диод широкого примененияGeneral Purpose, Switching, PIN-Diode
D2Два диода широкого примененияDual Diodes
D3Три диода широкого примененияTriple Diodes
D4Четыре диода широкого примененияBridge, Quad Diodes
E1Один импульсный диодRectifier Diode
E2Два импульсных диодаDual
E3Три импульсных диодаTriple
E4Четыре импульсных диодаQuad
F1Один диод ШотткиAF-, RF-Schottky Diode, Schottky Detector Diode
F2Два диода ШотткиDual
F3Три диода ШотткиTripple
F4Четыре диода ШотткиQuad
K1“Цифровой” транзистор NPNDigital Transistor NPN
K2Набор “цифровых” транзисторов NPNDouble Digital NPN Transistor Array
L1“Цифровой” транзистор PNPDigital Transistor PNP
L2Набор “цифровых” транзисторов PNPDouble Digital PNP Transistor Array
L3Набор “цифровых” транзисторов | PNP, NPNDouble Digital PNP-NPN Transistor Array
N1Биполярный НЧ транзистор NPN (f < 400 МГц)AF-Transistor NPN
N2Биполярный ВЧ транзистор NPN (f > 400 МГц)RF-Transistor NPN
N3Высоковольтный транзистор NPN (U > 150 В)High-Voltage Transistor NPN
N4“Супербета” транзистор NPN (г“21э > 1000)Darlington Transistor NPN
N5Набор транзисторов NPNDouble Transistor Array NPN
N6Малошумящий транзистор NPNLow-Noise Transistor NPN
01Операционный усилительSingle Operational Amplifier
02КомпараторSingle Differential Comparator
P1Биполярный НЧ транзистор PNP (f < 400 МГц)AF-Transistor PNP
P2Биполярный ВЧ транзистор PNP (f > 400 МГц)RF-Transistor PNP
P3Высоковольтный транзистор PNP (U > 150 В)High-Voltage Transisnor PNP
P4“Супербета” транзистор PNP (п21э > 1000)Darlington Transistor PNP
P5Набор транзисторов PNPDouble Transistor Array PNP
P6Набор транзисторов PNP, NPNDouble Transistor Array PNP-NPN
S1Один сапрессорTransient Voltage Suppressor (TVS)
S2Два сапрессораDual
T1Источник опорного напряжения“Bandgap”, 3-Terminal Voltage Reference
T2Стабилизатор напряженияVoltage Regulator
T3Детектор напряженияVoltage Detector
U1Усилитель на полевых транзисторахGaAs Microwave Monolithic Integrated Circuit (MMIC)
U2Усилитель биполярный NPNSi-MMIC NPN, Amplifier
U3Усилитель биполярный PNPSi-MMIC PNP, Amplifier
V1Один варикап (варактор)Tuning Diode, Varactor
V2Два варикапа (варактора)Dual
Z1Один стабилитронZener Diode

Зарубежная маркировка SMD

В таблице ниже обобщена информация о маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.  Для компактности в настоящий справочный материал не включены приборы-двойники, имеющие одинаковую маркировку и одинаковое название, но производимые разными изготовителями. Например, транзистор BFR93A выпускается не только фирмой Siemens, но и Philips Semiconductors, и Temic Telefunken.

Маркировочные коды транзисторов

Таблица маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.

Среди 18 представленных типов корпусов наиболее часто встречается SOT-23 – Small Outline Transistor. Он имеет почтенный возраст и пережил несколько попыток стандартизации.

Выше были приведены нормы конструктивных допусков, которыми руководствуются разные фирмы. Несмотря на рекомендации МЭК, JEDEC, EIAJ, двух абсолютно одинаковых типоразмеров в табл.1 найти невозможно.

Интересно почитать: что такое биполярные транзисторы.

Приводимые сведения будут подспорьем специалистам, ремонтирующим импортную радиоаппаратуру. Зная маркировочный код и размеры ЭРЭ, можно определить тип элемента и фирму-изготовитель, а затем по каталогам найти электрические параметры и подобрать возможную замену.

Кроме того, многие фирмы используют свои собственные названия корпуса. Следует отметить, что отечественные типы корпусов, такие как КТ-46 – это аналог SOT-23, KT-47 – это аналог SOT-89, КТ-48 – это аналог SOT-143, были гостированы еще в 1988 году.

Выпущенные за это время несколько десятков разновидностей отечественных SMD-элементов маркируют, как правило, только на упаковочной таре, транзисторы КТ3130А9 – еще и разноцветными метками на корпусе. Самые “свежие” типы корпусов – это SOT-23/5 (или, по-другому, SOT-23-5) и SOT-89/5 (SOT-89-5), где цифра “5” указывает на количество выводов.

Назвать такие обозначения удачными – трудно, поскольку их легко можно перепутать с трехвыводными SOT-23 и SOT-89. В продолжение темы заметим, что появились сообщения о сверхминиатюрном 5-выводном корпусе SOT-323-5 (JEDEC specification), в котором фирма Texas Instruments планирует выпускать логические элементы PicoGate Logic серии ACh2G и ACHT1G.

Из всех корпусов “случайным” можно назвать относительно крупногабаритный SOT-223. Обычно на нем помещаются если не все, то большинство цифр и букв названия ЭРЭ, по которым однозначно определяется его тип. Несмотря на миниатюрность SMD-элементов, их параметры, включая рассеиваемую мощность, мало чем отличаются от корпусных аналогов.

Для сведения, в справочных данных на транзисторы в корпусе SOT-23 указывается максимально допустимая мощность 0,25-0,4 Вт, в корпусе SOT-89 – 0,5-0,8 Вт, в корпусе SOT-223 – 1-2 Вт.

Маркировочный код элементов может быть цифровым, буквенным или буквенно-цифровым. Количество символов кода от 1 до 4, при этом полное наименование ЭРЭ содержит 5-14 знаков.

Материал в тему: как проверить полевой транзистор.

Самые длинные названия применяют:

  • американская фирма Motorola,
  • японская Seiko Instruments
  • тайваньская Pan Jit.
КодТипЭРЭФирмаРис.КодТипЭРЭФирмаРис.
7EMUN5215DW1T1K2MO2Q
11MUN5311DW1T1L3MO2Q7FMUN5216DW1T1K2MO2Q
12MUN5312DW1T1L3MO2Q7GMUN5230DW1T1K2MO2Q
12INA-12063U2HP2Q7HMUN5231DW1T1K2MO2Q
13MUN5313DW1T1L3MO2Q7JMUN5232DW1T1K2MO2Q
14MUN5314DW1T1L3MO2Q7KMUN5233DW1T1K2MO2Q
15MUN5315DW1T1L3MO2Q7LMUN5234DW1T1K2MO2Q
16MUN5316DW1T1L3MO2Q7MMUN5235DW1T1K2MO2Q
BC847SN5SI2Q81MGA-81563U1HP2Q
1PBC847PNP6SI2Q82INA-82563U1HP2Q
31MUN5331DW1T1L3MO2Q86INA-86563U1HP2Q
32MUN5332DW1T1L3MO2Q87INA-87563U1HP2Q
33MUN5333DW1T1L3MO2Q91IAM-91563U1HP2Q
34MUN5334DW1T1L3MO2QA2MBT3906DW1T1P5MO2Q
35MUN5335DW1T1L3MO2QA3MBT3906DW9T1P5MO2Q
36ATF-36163A1HP2QA4BAV70SE4SI2Q
3CBC857SP5SI2QE6MDC5001T1U3MO2Q
3XMUN5330DW1T1L3MO2QH5MBD770DWT1F2MO2Q
46MBT3946DW1T1P6MO2QIIAT-32063N2HP2Q
51INA-51063U2HP2QM1CMY200U1SI2R
52INA-52063U2HP2QM4MBD110DWT1F2MOQ
54INA-54063U2HP2QM6MBF4416DW1T1A3MO2Q
6AMUN5111DW1T1L2MO2QMAMBT3904DW1T1N5MO2Q
6BMUN5112DW1T1L2MO2QMBMBT3904DW9T1N5MO2Q
6CMUN5113DW1T1L2MO2QMCBFS17SN5SI2Q
6DMBF5457DW1T1A3MO2QREBFS480N5SI2Q
6DMUN5114DW1T1L2MO2QRFBFS481N5SI2Q
6EMUN5115DW1T1L2MO2QRGBFS482N5SI2Q
6FMUN5116DW1T1L2MO2QRHBFS483N5SI2Q
6GMUN5130DW1T1L2MO2QT4MBD330DWT1F2MO2Q
6HMUN5131DW1T1L2MO2QW1BCR10PNL3SI2Q
6JMUN5132DW1T1L2MO2QWCBCR133SK2SI2Q
6KMUN5133DW1T1L2MO2QWFBCR08PNL3SI2Q
6LMUN5134DW1T1L2MO2QWKBCR119SK2SI2Q
6MMUN5135DW1T1L2MO2QWMBCR183SK2SI2Q
7AMUN5211DW1T1K2MO2QWPBCR22PNL3SI2Q
7BMUN5212DW1T1K2MO2QY2CLY2A1SI2R
7CMUN5213DW1T1K2MO2Q6sCGY60U1SI2R
7DMUN5214DW1T1K2MO2QY7sCGY62U1SI2R

Заключение

Рейтинг автора

Автор статьи

Инженер по специальности "Программное обеспечение вычислительной техники и автоматизированных систем", МИФИ, 2005–2010 гг.

Написано статей

Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.

В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:

www.mp16.ru

www.rudatasheet.ru

www.texnic.ru

www.solo-project.com

www.ra4a.narod.ru

Предыдущая

ПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор

Следующая

ПолупроводникиSMD транзисторы

Маркировка SMD транзисторов - Расшифровка кодовых обозначений

Маркировка SMD транзисторов — SMD компоненты применяются практически во всей существующей на сегодняшний день электронике.

В переводе с английского слово SMD означает — «прибор, монтируемый на поверхность». То есть здесь подразумевается площадь печатной платы.

Обозначение на корпусе Тип транзистора
«15» на корпусе SOT-23 MMBT3960(Datasheet «Motorola»)
«1A» на корпусе SOT-23 BC846A(Datasheet «Taitron»)
«1B» на корпусе SOT-23 BC846B(Datasheet «Taitron»)
«1C» на корпусе SOT-23 MMBTA20LT(Datasheet «Motorola»)
«1D» на корпусе SOT-23 BC846(Datasheet «NXP»)
«1E» на корпусе SOT-23 BC847A(Datasheet «Taitron»)
«1F» на корпусе SOT-23 BC847B(Datasheet «Taitron»)
«1G» на корпусе SOT-23 BC847C(Datasheet «Taitron»)
«1H» на корпусе SOT-23 BC847(Datasheet «NXP»)
«1N» на корпусе SOT-416 BC847T(Datasheet «NXP»)
«1J» на корпусе SOT-23 BC848A(Datasheet «Taitron»)
«1K» на корпусе SOT-23 BC848B(Datasheet «Taitron»)
«1L» на корпусе SOT-23 BC848C(Datasheet «Taitron»)
«1M» на корпусе SOT-416 BC846T(Datasheet «NXP»)
«1M» на корпусе SOT-323 BC848W(Datasheet «NXP»)
«1M» на корпусе SOT-23 MMBTA13(Datasheet «Motorola»)
«1N» на корпусе SOT-23 MMBTA414(Datasheet «Motorola»)
«1V» на корпусе SOT-23 MMBT6427(Datasheet «Motorola»)
«1P» на корпусе SOT-23 FMMT2222A,KST2222A,MMBT2222A.
«1T» на корпусе SOT-23 MMBT3960A(Datasheet «Motorola»)
«1Y» на корпусе SOT-23 MMBT3903(Datasheet «Samsung»)
«2A» на корпусе SOT-23 FMMBT3906,KST3906,MMBT3906
«2B» на корпусе SOT-23 BC849B(Datasheet «G.S.»)
«2C» на корпусе SOT-23 BC849C(Datasheet «G.S.»)
«2E» на корпусе SOT-23 FMMTA93,KST93
«2F» на корпусе SOT-23 FMMT2907A,KST2907A,MMBT2907AT
«2G» на корпусе SOT-23 FMMTA56,KST56
«2H» на корпусе SOT-23 MMBTA55(Datasheet «Taitron»)
«2J» на корпусе SOT-23 MMBT3640(Datasheet «Fairchild»)
«2K» на корпусе SOT-23 FMMT4402(Datasheet «Zetex»)
«2M» на корпусе SOT-23 MMBT404(Datasheet «Motorola»)
«2N» на корпусе SOT-23 MMBT404A(Datasheet «Motorola»)
«2T» на корпусе SOT-23 KST4403,MMBT4403
«2V» на корпусе SOT-23 MMBTA64(Datasheet «Motorola»)
«2U» на корпусе SOT-23 MMBTA63(Datasheet «Motorola»)
«2X» на корпусе SOT-23 MMBT4401,KST4401
«3A» на корпусе SOT-23 MMBTh34(Datasheet «Motorola»)
«3B» на корпусе SOT-23 MMBT918(Datasheet «Motorola»)
«3D» на корпусе SOT-23 MMBTH81(Datasheet «Motorola»)
«3E» на корпусе SOT-23 MMBTh20(Datasheet «Motorola»)
«3F» на корпусе SOT-23 MMBT6543(Datasheet «Motorola»)
«3J-» на корпусе SOT-143B BCV62A(Datasheet «NXP»)
«3K-» на корпусе SOT-23 BC858B(Datasheet «NXP»)
«3L-» на корпусе SOT-143B BCV62C(Datasheet «NXP»)
«3S» на корпусе SOT-23 MMBT5551(Datasheet «Fairchild»)
«4As» на корпусе SOT-23 BC859A(Datasheet «Siemens»)
«4Bs» на корпусе SOT-23 BC859B(Datasheet «Siemens»)
«4Cs» на корпусе SOT-23 BC859C(Datasheet «Siemens»)
«4J» на корпусе SOT-23 FMMT38A(Datasheet «Zetex S.»)
«449» на корпусе SOT-23 FMMT449(Datasheet «Diodes Inc.»)
«489» на корпусе SOT-23 FMMT489(Datasheet «Diodes Inc.»)
«491» на корпусе SOT-23 FMMT491(Datasheet «Diodes Inc.»)
«493» на корпусе SOT-23 FMMT493(Datasheet «Diodes Inc.»)
«5A» на корпусе SOT-23 BC807-16(Datasheet «General Sem.»)
«5B» на корпусе SOT-23 BC807-25(Datasheet «General Sem.»)
«5C» на корпусе SOT-23 BC807-40(Datasheet «General Sem.»)
«5E» на корпусе SOT-23 BC808-16(Datasheet «General Sem.»)
«5F» на корпусе SOT-23 BC808-25(Datasheet «General Sem.»)
«5G» на корпусе SOT-23 BC808-40(Datasheet «General Sem.»)
«5J» на корпусе SOT-23 FMMT38B(Datasheet «Zetex S.»)
«549» на корпусе SOT-23 FMMT549(Datasheet «Fairchild»)
«589» на корпусе SOT-23 FMMT589(Datasheet «Fairchild»)
«591» на корпусе SOT-23 FMMT591(Datasheet «Fairchild»)
«593» на корпусе SOT-23 FMMT593(Datasheet «Fairchild»)
«6A-«,»6Ap»,»6At» на корпусе SOT-23 BC817-16(Datasheet «NXP»)
«6B-«,»6Bp»,»6Bt» на корпусе SOT-23 BC817-25(Datasheet «NXP»)
«6C-«,»6Cp»,»6Ct» на корпусе SOT-23 BC817-40(Datasheet «NXP»)
«6E-«,»6Et»,»6Et» на корпусе SOT-23 BC818-16(Datasheet «NXP»)
«6F-«,»6Ft»,»6Ft» на корпусе SOT-23 BC818-25(Datasheet «NXP»)
«6G-«,»6Gt»,»6Gt» на корпусе SOT-23 BC818-40(Datasheet «NXP»)
«7J» на корпусе SOT-23 FMMT38C(Datasheet «Zetex S.»)
«9EA» на корпусе SOT-23 BC860A(Datasheet «Fairchild»)
«9EB» на корпусе SOT-23 BC860B(Datasheet «Fairchild»)
«9EC» на корпусе SOT-23 BC860C(Datasheet «Fairchild»)
«AA» на корпусе SOT-523F 2N7002T(Datasheet «Fairchild»)
«AA» на корпусе SOT-23 BCW60A(Datasheet «Diotec Sem.»)
«AB» на корпусе SOT-23 BCW60B(Datasheet «Diotec Sem.»)
«AC» на корпусе SOT-23 BCW60C(Datasheet «Diotec Sem.»)
«AD» на корпусе SOT-23 BCW60D(Datasheet «Diotec Sem.»)
«AE» на корпусе SOT-89 BCX52(Datasheet «NXP»)
«AG» на корпусе SOT-23 BCX70G(Datasheet «Central Sem.Corp.»)
«AH» на корпусе SOT-23 BCX70H(Datasheet «Central Sem.Corp.»)
«AJ» на корпусе SOT-23 BCX70J(Datasheet «Central Sem.Corp.»)
«AK» на корпусе SOT-23 BCX70K(Datasheet «Central Sem.Corp.»)
«AL» на корпусе SOT-89 BCX53-16(Datasheet «Zetex»)
«AM» на корпусе SOT-89 BCX52-16(Datasheet «Zetex»)
«AS1» на корпусе SOT-89 BST50(Datasheet «Philips»)
«B2» на корпусе SOT-23 BSV52(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BA» на корпусе SOT-23 BCW61A(Datasheet «Fairchild»)
«BA» на корпусе SOT-23 2SA1015LT1(Datasheet «Tip»)
«BA» на корпусе SOT-23 2SA1015(Datasheet «BL Galaxy El.»)
«BB» на корпусе SOT-23 BCW61B(Datasheet «Fairchild»)
«BC» на корпусе SOT-23 BCW61C(Datasheet «Fairchild»)
«BD» на корпусе SOT-23 BCW61D(Datasheet «Fairchild»)
«BE» на корпусе SOT-89 BCX55(Datasheet » BL Galaxy El.»)
«BG» на корпусе SOT-89 BCX55-10(Datasheet » BL Galaxy El.»)
«BH» на корпусе SOT-89 BCX56(Datasheet » BL Galaxy El.»)
«BJ» на корпусе SOT-23 BCX71J(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BK» на корпусе SOT-23 BCX71K(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BH» на корпусе SOT-23 BCX71H(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BG» на корпусе SOT-23 BCX71G(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BR2» на корпусе SOT-89 BSR31(Datasheet «Zetex»)
«C1» на корпусе SOT-23 BCW29(Datasheet «Diotec Sem.»)
«C2» на корпусе SOT-23 BCW30(Datasheet «Diotec Sem.»)
«C5» на корпусе SOT-23 MMBA811C5(Datasheet «Samsung Sem.»)
«C6» на корпусе SOT-23 MMBA811C6(Datasheet «Samsung Sem.»)
«C7» на корпусе SOT-23 BCF29(Datasheet «Diotec Sem.»)
«C8» на корпусе SOT-23 BCF30(Datasheet «Diotec Sem.»)
«CEs» на корпусе SOT-23 BSS79B(Datasheet «Siemens»)
«CEC» на корпусе SOT-89 BC869(Datasheet «Philips»)
«CFs» на корпусе SOT-23 BSS79C(Datasheet «Siemens»)
«CHs» на корпусе SOT-23 BSS80B(Datasheet «Infenion»)
«CJs» на корпусе SOT-23 BSS80C(Datasheet «Infenion»)
«CMs» на корпусе SOT-23 BSS82C(Datasheet «Infenion»)
«CLs» на корпусе SOT-23 BSS82B(Datasheet «Infenion»)
«D1» на корпусе SOT-23 BCW31(Datasheet «KEC»)
«D2» на корпусе SOT-23 BCW32(Datasheet «KEC»)
«D3» на корпусе SOT-23 BCW33(Datasheet «KEC»)
D6″ на корпусе SOT-23 MMBC1622D6(Datasheet «Samsung Sem.»)
«D7t»,»D7p» на корпусе SOT-23 BCF32(Datasheet «NXP Sem.»)
«D7» на корпусе SOT-23 BCF32(Datasheet «Diotec Sem.»)
«D8» на корпусе SOT-23 BCF33(Datasheet «Diotec Sem.»)
«DA» на корпусе SOT-23 BCW67A(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DB» на корпусе SOT-23 BCW67B(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DC» на корпусе SOT-23 BCW67C(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DF» на корпусе SOT-23 BCW67F(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DG» на корпусе SOT-23 BCW67G(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DH» на корпусе SOT-23 BCW67H(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«E2p» на корпусе SOT-23 BFS17A(Datasheet «Philips»)
«EA» на корпусе SOT-23 BCW65A(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EB» на корпусе SOT-23 BCW65B(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EC» на корпусе SOT-23 BCW65C(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EF» на корпусе SOT-23 BCW65F(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EG» на корпусе SOT-23 BCW65G(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EH» на корпусе SOT-23 BCW65H(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«F1» на корпусе SOT-23 MMBC1009F1(Datasheet «Samsung Sem.»)
«F3» на корпусе SOT-23 MMBC1009F3(Datasheet «Samsung Sem.»)
«FA» на корпусе SOT-89 BFQ17(Datasheet «Philips»)
«FDp»,»FDt»,»FDW» на корпусе SOT-23 BCV26(Datasheet «Philips(NXP)»)
«FEp»,»FEt»,»FEW» на корпусе SOT-23 BCV46(Datasheet «Philips(NXP)»)
«FFp»,»FFt»,»FFW» на корпусе SOT-23 BCV27(Datasheet «Philips(NXP)»)
«FGp»,»FGt»,»FGW» на корпусе SOT-23 BCV47(Datasheet «Philips(NXP)»)
«GFs» на корпусе SOT-23 BFR92P(Datasheet «Infenion»)
«h2p»,»h2t»,»h2W» на корпусе SOT-23 BCV69(Datasheet «Philips(NXP)»)
«h3p»,»h3t»,»h3W» на корпусе SOT-23 BCV70(Datasheet «Philips(NXP)»)
«h4p»,»h4t» на корпусе SOT-23 BCV89(Datasheet «Philips(NXP)»)
«H7p» на корпусе SOT-23 BCF70
«K1» на корпусе SOT-23 BCW71(Datasheet «Samsung Sem.»)
«K2» на корпусе SOT-23 BCW72(Datasheet «Samsung Sem.»)
«K3p» на корпусе SOT-23 BCW81(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K1p»,»K1t» на корпусе SOT-23 BCW71(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K2p»,»K2t» на корпусе SOT-23 BCW72(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K7p»,»K7t» на корпусе SOT-23 BCV71(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K8p»,»K8t» на корпусе SOT-23 BCV72(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K9p» на корпусе SOT-23 BCF81(Datasheet » Guangdong Kexin Ind.Co.Ltd»)
«L1» на корпусе SOT-23 BSS65
«L2» на корпусе SOT-23 BSS69(Datasheet «Zetex Sem.»)
«L3» на корпусе SOT-23 BSS70(Datasheet «Zetex Sem.»)
«L4» на корпусе SOT-23 2SC1623L4(Datasheet «BL Galaxy El.»)
«L5» на корпусе SOT-23 BSS65R
«L6» на корпусе SOT-23 BSS69R(Datasheet «Zetex Sem.»)
«L7» на корпусе SOT-23 BSS70R(Datasheet «Zetex Sem.»)
«M3» на корпусе SOT-23 MMBA812M3(Datasheet «Samsung Sem.»)
«M4» на корпусе SOT-23 MMBA812M4(Datasheet «Samsung Sem.»)
«M5» на корпусе SOT-23 MMBA812M5(Datasheet «Samsung Sem.»)
«M6» на корпусе SOT-23 MMBA812M6(Datasheet «Samsung Sem.»)
«M6P» на корпусе SOT-23 BSR58(Datasheet «Philips(NXP)»)
«M7» на корпусе SOT-23 MMBA812M7(Datasheet «Samsung Sem.»)
«P1» на корпусе SOT-23 BFR92(Datasheet «Vishay Telefunken»)
«P2» на корпусе SOT-23 BFR92A(Datasheet «Vishay Telefunken»)
«P4» на корпусе SOT-23 BFR92R(Datasheet «Vishay Telefunken»)
«P5» на корпусе SOT-23 FMMT2369A(Datasheet «Zetex Sem.»)
«Q2» на корпусе SOT-23 MMBC1321Q2(Datasheet «Motorola Sc.»)
«Q3» на корпусе SOT-23 MMBC1321Q3(Datasheet «Motorola Sc.»)
«Q4» на корпусе SOT-23 MMBC1321Q4(Datasheet «Motorola Sc.»)
«Q5» на корпусе SOT-23 MMBC1321Q5(Datasheet «Motorola Sc.»)
«R1p» на корпусе SOT-23 BFR93(Datasheet «Philips(NXP)»)
«R2p» на корпусе SOT-23 BFR93A(Datasheet «Philips(NXP)»)
«s1A» на корпусах SOT-23,SOT-363,SC-74 SMBT3904(Datasheet «Infineon»)
«s1D» на корпусе SOT-23 SMBTA42(Datasheet «Infineon»)
«S2» на корпусе SOT-23 MMBA813S2(Datasheet «Motorola Sc.»)
«s2A» на корпусе SOT-23 SMBT3906(Datasheet «Infineon»)
«s2D» на корпусе SOT-23 SMBTA92(Datasheet «Siemens Sem.»)
«s2F» на корпусе SOT-23 SMBT2907A(Datasheet «Infineon»)
«S3» на корпусе SOT-23 MMBA813S3(Datasheet «Motorola Sc.»)
«S4» на корпусе SOT-23 MMBA813S4(Datasheet «Motorola Sc.»)
«T1″на корпусе SOT-23 BCX17(Datasheet «Philips(NXP)»)
«T2″на корпусе SOT-23 BCX18(Datasheet «Philips(NXP)»)
«T7″на корпусе SOT-23 BSR15(Datasheet «Diotec Sem.»)
«T8″на корпусе SOT-23 BSR16(Datasheet «Diotec Sem.»)
«U1p»,»U1t»,»U1W»на корпусе SOT-23 BCX19(Datasheet «Philips(NXP)»)
«U2″на корпусе SOT-23 BCX20(Datasheet «Diotec Sem.»)
«U7p»,»U7t»,»U7W»на корпусе SOT-23 BSR13(Datasheet «Philips(NXP)»)
«U8p»,»U8t»,»U8W»на корпусе SOT-23 BSR14(Datasheet «Philips(NXP)»)
«U92» на корпусе SOT-23 BSR17A(Datasheet «Philips»)
«Z2V» на корпусе SOT-23 FMMTA64(Datasheet «Zetex Sem.»)
«ZD» на корпусе SOT-23 MMBT4125(Datasheet «Samsung Sem.»)
Как выбрать замену для биполярного транзистора || AllTransistors.com

Существует много биполярных транзисторов, и большинство из них имеют много аналогов, которые схожи по своим параметрам, так что поиск замены обычно не вызывает никаких затруднений. Конечно, лучший вариант - заменить сгоревший транзистор на тот же, но если его невозможно получить, не будет никаких трудностей с выбором аналога.Вот что нужно сделать для этого:

  1. Чтобы узнать название транзистора. Если это SMD-устройство - его код необходимо расшифровать в разделе SMD-кодов 🔗.
  2. Для анализа схемы транзистора (схема комплектации).
  3. Найдите таблицу неисправного транзистора и введите его основные параметры в аналоговой форме поиска.
  4. Просматривая предложенные технические характеристики транзисторов, выберите наиболее подходящий аналог по параметрам, учитывая режимы его работы в устройстве.

На что стоит обратить внимание?

Открывая PDF-Datasheet, в первую очередь мы выясним тип транзистора - биполярный или полевой, p-n-p или n-p-n, тип корпуса, расположение выводов.

Из числовых параметров, в первую очередь это максимальный ток и напряжение. Максимальный ток и напряжение на замене транзистора должны быть больше или равны оригиналу.

Для биполярного транзистора важным параметром является коэффициент передачи тока hFE.Если транзистор находится в цепях ключей (требует включения-выключения), hFE должен быть больше или равен требуемому коэффициенту. Если он находится в аналоговых усилителях или в аналогичных устройствах, он должен быть близок к hFE. В импульсных источниках питания аналоговые транзисторы следует выбирать с близким значением hFE (необходимо также заменить рабочий транзистор, стоящий в паре).

Необходимо проверить температурный режим (нагрев) транзистора после включения устройства. Если транзистор слишком горячий, проблема может быть как в транзисторе, так и в нерабочих элементах его связки.

Основные параметры декодирования биполярных транзисторов

Полупроводниковый материал: большинство транзисторов будут из германия или кремния. Другие типы не используются в обычных устройствах. С учетом этого параметра будет создана связка транзисторов.

Полярность: при установке транзистора другой полярности происходит сбой.

шт. - Максимальная мощность: необходимо убедиться, что выбранный транзистор может рассеивать достаточную мощность.Этот параметр зависит от максимальной рабочей температуры транзистора - при повышении температуры максимальная мощность уменьшается. Если мощность рассеяния недостаточна - другие характеристики транзистора ухудшаются, такие как резкое увеличение тока коллектора, что приводит к еще большему нагреву и выходу из строя транзистора.

Ucb - максимально допустимое напряжение на коллекторе, определяемое значением напряжения пробоя p-n перехода. Это зависит от тока коллектора и температуры транзистора.

Uce - максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер. Для Uce необходимо иметь еще треть напряжения коллектора цепи. Если схема требует наличия катушки реле, необходимо обеспечить защиту от перенапряжения транзистора, например, от диода.

Ic - максимальный ток коллектора постоянного тока. Ток транзистора также измеряется с запасом не менее 30%. Его значение зависит от температуры транзистора или окружающей среды.

Tj - максимальная температура PN-перехода.Этот параметр важно учитывать, если транзистор работает в экстремальных условиях, например, в автомобиле, где его температура может достигать 100 градусов.

фут - граничная частота коэффициента передачи тока - частота, с которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером стремится к единице. Этот параметр важен, поскольку с увеличением частоты входного сигнала коэффициент усиления уменьшается.

куб.см - емкость коллекторного перехода.Скорость транзистора зависит от этого параметра (чем ниже, тем лучше).

hfe - Коэффициент передачи статического тока - отношение тока коллектора Iс к базовому току Ib.

Только самые важные параметры транзистора описаны выше. В спецификациях производитель указывает множество дополнительных параметров: напряжение насыщения коллектора-эмиттера, максимально допустимый импульсный ток коллектора, ток обратного эмиттера, максимально допустимый базовый ток и т. Д.


Back to Top

Коды нумерации транзисторов и диодов »Электроника Примечания

Pro-Electron, JEDEC & JIS являются промышленными схемами нумерации полупроводниковых приборов: диодов, биполярных транзисторов и полевых транзисторов - они позволяют получать устройства от разных производителей.


Учебное пособие по транзисторам Включает в себя: Основы
транзисторов Прибыль: Hfe, HFE & Beta Технические характеристики транзистора Коды нумерации транзисторов и диодов Выбор замены транзисторов


Существует много тысяч различных типов диодов, биполярных транзисторов и полевых транзисторов.Эти полупроводниковые приборы имеют различные характеристики в зависимости от того, как они сконструированы и изготовлены.

В результате важно, чтобы разные полупроводниковые устройства имели разные номера деталей, чтобы отличать их друг от друга.

Изначально производители должны были предоставлять собственные номера устройствам, но вскоре стандартные схемы нумерации деталей были использованы для полупроводниковых устройств, включая диоды, биполярные транзисторы и полевые транзисторы - как JFET, так и MOSFET.

Наличие стандартных схем нумерации для полупроводниковых устройств имеет много преимуществ не только для крупных производителей электронного оборудования, но и для любителей и студентов.

BC547 plastic leaded transistor: part number code indicates it is a silicon audio frequency low power transistor Транзистор BC547 - BC в номере детали указывает, что это кремниевый аудиочастотный маломощный транзистор

Схемы нумерации / кодирования полупроводниковых приборов

Существует много разных способов организации схемы нумерации. На заре производства термоэлектронных клапанов (вакуумных трубок) каждый производитель указывал номера своих типов. Таким образом, было огромное количество разных номеров для устройств, многие из которых были практически идентичны. Вскоре стало очевидно, что необходим более структурированный подход, чтобы одно и то же устройство можно было купить независимо от производителя.

То же самое верно для полупроводниковых приборов, и независимые от производителя схемы нумерации используются для диодов, биполярных транзисторов и полевых транзисторов. На самом деле используется несколько схем нумерации полупроводников:

  1. Схема нумерации проэлектронов Эта схема нумерации диодов, биполярных транзисторов и полевых транзисторов была создана в Европе и широко используется для разработанных и изготовленных здесь транзисторов.
  2. Схема нумерации JEDEC Эта схема нумерации диодов и транзисторов была разработана в США и широко используется для диодов и транзисторов из Северной Америки.
  3. Схема нумерации JIS Эта система нумерации полупроводниковых приборов была разработана в Японии и ее можно увидеть на диодах, транзисторах и полевых транзисторах, которые производятся в Японии.
  4. Собственные схемы производителей: Существуют некоторые устройства, в частности специализированные биполярные транзисторы и некоторые полевые транзисторы, для которых отдельные производители могут пожелать сохранить все права на изготовление. Они могут не захотеть раскрывать спецификации и методы производства для других, если они используют разработанную ими технику.В этих и аналогичных случаях производители будут использовать свои собственные схемы нумерации деталей, которые не соответствуют схемам отраслевого стандарта
  5. .

Целью стандартных отраслевых схем нумерации является возможность идентификации и описания электронных компонентов и, в этом случае, полупроводниковых устройств, включая диоды, биполярные транзисторы и полевые транзисторы, чтобы иметь общие электронные компоненты и нумерацию компонентов для нескольких производителей. Для этого производители регистрируют определение новых электронных компонентов в соответствующем агентстве, а затем получают новый номер детали.

Этот подход позволяет компаниям-производителям электронного оборудования иметь вторые источники для своих компонентов и таким образом обеспечить поставки для крупномасштабного производства, а также уменьшить последствия устаревания.

В разной степени эти схемы нумерации позволяют широко описать функции диода, транзистора или полевого транзистора. Схема Pro-Electron предоставляет гораздо больше информации, чем другие.

Система нумерации Pro-Electron или EECA

Схема нумерации Pro-Electron для обеспечения стандартизированной схемы нумерации полупроводников - в частности, диодов, транзисторов и полевых транзисторов была создана в 1966 году на совещании в Брюсселе, Бельгия.

Схема нумерации полупроводниковых диодов, биполярных транзисторов и полевых транзисторов основана на формате системы, разработанной Маллардом и Филипсом для термоэлектронной нумерации клапанов или вакуумных трубок, существовавшей с начала 1930-х годов. При этом первая буква обозначала напряжение и ток нагревателя, вторая и последующие буквы обозначали отдельные функции в стеклянной колбе, а остальные цифры обозначали основание клапана и серийный номер для данного типа.

Схема Pro-Electron взяла это и использовала буквы, которые редко использовались для описания нагревателя для обозначения типа полупроводника, а затем использовала вторую букву для определения функции.Существовали сходства между обозначениями клапан / трубка и теми, которые используются для полупроводниковых приборов. Например, «А» был использован для диода и т. Д.

Схема получила широкое распространение, и в 1983 году ее управление перешло к Европейской ассоциации производителей электронных компонентов, EECA.

Первая буква

  • A = германий
  • B = Кремний
  • C = арсенид галлия
  • R = составные материалы

Второе письмо

  • A = диод - малой мощности или сигнал
  • B = диод - переменная емкость
  • C = Транзистор - звуковая частота, малая мощность
  • D = Транзистор - частота звука, мощность
  • E = туннельный диод
  • F = Транзистор - высокая частота, малая мощность
  • G = Разные устройства
  • H = диод - чувствителен к магнетизму
  • L = Транзистор - высокая частота, мощность
  • N = фотопара
  • P = Детектор света
  • Q = источник света
  • R = коммутационное устройство малой мощности, эл.грамм. тиристор, диак, однопереходный
  • S = Транзистор - коммутация малой мощности
  • T = коммутирующее устройство малой мощности, например тиристор, триак
  • U = транзистор - коммутация, мощность
  • Вт = Устройство поверхностных акустических волн
  • X = умножитель диода
  • Y = диодный выпрямитель
  • Z = Диод - опорное напряжение

Последующие персонажи

Символы, следующие за первыми двумя буквами, образуют серийный номер устройства.Те, которые предназначены для домашнего использования, имеют три цифры, но те, которые предназначены для коммерческого или промышленного использования, имеют букву, за которой следуют два числа, то есть A10 - Z99.

Суффикс

В некоторых случаях может добавляться буква суффикса:

  • A = низкий коэффициент усиления
  • B = среднее усиление
  • C = высокий коэффициент усиления
  • Нет суффикса = усиление неклассифицировано

Это полезно как для производителей, так и для пользователей, потому что при изготовлении транзисторов наблюдается большой разброс уровней усиления.Затем они могут быть отсортированы по группам и помечены в соответствии с их выигрышем.

Используя схему нумерации, можно увидеть, что транзистор с номером детали BC107 представляет собой кремниевый аудиотранзистор малой мощности, а BBY10 - кремниевый диод с переменной емкостью для промышленного или коммерческого использования. Например, BC109C - это кремниевый аудиотранзистор с низким коэффициентом усиления

JEDEC Система нумерации или кодирования

JEDEC, Объединенный совет по электронному приборостроению, является независимой отраслевой организацией по торговле и стандартизации в области полупроводниковой техники.Он обеспечивает множество функций, одной из которых является стандартизация полупроводника, и в этом случае нумерация частей диода, биполярного транзистора и полевого транзистора.

Самые ранние истоки JEDEC можно проследить до 1924 года, когда была создана Ассоциация радиопроизводителей - много лет спустя она стала Ассоциацией электронной промышленности, EIA. В 1944 году Ассоциация радиопроизводителей и Национальная ассоциация производителей электроники учредили орган под названием Объединенный инженерно-технический совет по электронным лампам (JETEC).Это было создано с целью назначения и согласования номеров типов электронных трубок (термоэлектронных вентилей).

С ростом использования полупроводниковых приборов область применения JETEC была расширена, и в 1958 году она была переименована в JEDEC, Объединенный совет по разработке электронных устройств.

Первоначальная нумерация полупроводниковых приборов соответствовала широким контурам разработанной схемы нумерации клапанов: «1» означало «Нет нити / нагревателя», а «N» означало «кристаллический выпрямитель».

Первая цифра для нумерации полупроводниковых устройств была перенастроена с указанием отсутствия нити на количество PN-переходов в полупроводниковом устройстве, а система нумерации была описана в EIA / JEDEC EIA-370.

  • Первый номер =
    • 1 = диод
    • 2 = биполярный транзистор или полевой транзистор с одним затвором
    • 3 = полевой транзистор с двумя затворами
    Число соответствует количеству соединений, хотя это должно быть немного интерпретировано для MOSFET.
  • Вторая буква = N
  • Последующие цифры = Серийный номер

Таким образом, устройство с кодом нумерации 1N4148 является диодом, а 2N706 - биполярным транзистором.

Иногда к номеру детали добавляются дополнительные буквы, и они часто относятся к производителю. M означает, что изготовителем является Motorola, а TI означает Texas Instruments, хотя добавление A к номеру детали часто означает пересмотр спецификации, например, Транзисторы 2N2222A широко доступны, и это обновленная версия 2N2222.Интерпретация этих чисел иногда требует немного базовых знаний.

JIS схема нумерации полупроводниковых приборов

Японские промышленные стандарты, схема нумерации деталей JIS для полупроводниковых приборов стандартизирована в соответствии с JIS-C-7012.

Эта схема использует номер типа, который состоит из числа, за которым следуют два символа, а затем за ним следует серийный номер.

Первый номер

Первое число указывает число соединений в полупроводниковом устройстве.

  • 1 = диод
  • 2 = биполярный транзистор или полевой транзистор с одним затвором
  • 3 = полевой транзистор с двумя затворами

Письма в позициях 2 и 3

  • SA = PNP высокочастотный биполярный транзистор
  • SB = PNP звуковой частоты биполярный транзистор
  • SC = NPN высокочастотный биполярный транзистор
  • SD = NPN звуковой частоты биполярный транзистор
  • SE = диоды
  • SF = тиристор (SCR)
  • SG = устройства Gunn
  • SH = UJT (однопереходный транзистор)
  • SJ = P-канал JFET / MOSFET
  • SK = N-канальный JFET / MOSFET
  • SM = Triac
  • SQ = LED
  • SR = выпрямитель
  • SS = сигнальный диод
  • ST = лавинный диод
  • SV = Varactor диод / варикоп диод
  • SZ = стабилитрон / эталон напряжения

Серийный номер

Серийный номер следует за первой цифрой и двумя буквами типа полупроводникового устройства.Числа бегут между 10 и 9999.

Суффикс

После серийного номера можно использовать суффикс, указывающий на то, что устройство было официально утверждено по типу, т. Е. Есть гарантия, что оно было изготовлено в надлежащих условиях для производства требуемого полупроводникового устройства.

Номера производителей

Несмотря на то, что существуют промышленные организации для создания номеров устройств, некоторые производители хотели выпускать устройства, которые были бы уникальными для них.В некоторых областях это даст устройству уникальную возможность продажи, которую другие производители не смогут скопировать.

Эти номера полупроводниковых устройств являются уникальными для производителя, и в результате их можно использовать для идентификации источника.

Ниже приведены некоторые общие примеры:

  • МДж = мощность Motorola, металлический корпус
  • MJE = мощность Motorola, пластиковый корпус
  • MPS = Motorola малой мощности, пластиковый корпус
  • MRF = Motorola RF транзистор
  • TIP = силовой транзистор Texas Instruments (пластиковый корпус)
  • TIPL = TI планарный силовой транзистор
  • TIS = TI малосигнальный транзистор (пластиковый корпус)
  • ZT = Ferranti
  • ZTX = Ferranti

Pro-электронная транзисторная и диодная система нумерации или кодирования предоставляет больше информации об устройстве, чем система JEDEC.Однако обе эти схемы нумерации диодов и транзисторов широко используются и позволяют изготовителям использовать одни и те же типы устройств. Это позволяет производителям оборудования покупать свои полупроводники у разных производителей и знать, что они покупают устройства с одинаковыми характеристиками.

Больше электронных компонентов:
Резисторы Конденсаторы Индукторы Кристаллы кварца Диоды транзистор Фототранзистор FET Типы памяти тиристор Соединители РЧ разъемы Клапаны / Трубы батареи Выключатели Реле
Вернуться в меню компонентов., ,

.
XDUOO TA 01B Hi-Fi аудио высокопроизводительный USB-ЦАП ламповый усилитель для наушников AMP USB-декодер Транзистор Dual CS4398 ЦАП 12AU7 | |

XDUOO TA-01B Высокопроизводительный USB-ЦАП Ламповый усилитель для наушников Высококачественный транзистор с двумя микросхемами CS4398 ЦАП 12AU7 Трубки

Характеристика:

• Компьютерное USB-декодирование, до 32 бит / 192 кГц, DSD128
• Использование 12AU7 желчного протока
• Источник питания +/- 15 В, цепь OCL, динамическая большая
• Расширение транзистора

Спецификация:

Рабочее напряжение: DC12V / 2A
Частотная характеристика: 10 Гц ~ 100 кГц (± 0.5 дБ)
Поддержка дискретизации: 16–32 бит, 44,1–192 кГц, DSD64–128
THD + N: 0,03% (1 кГц)
Выходная мощность: 2100 мВт (нагрузка 32 Ом)
Усиление: +17 дБ Сопротивление наушников: 16Ω ~ 600Ω

Применимые системы: Win XP, Win 2000 / Win 7, Win8 и Win 10 (необходим драйвер), Apple Mac iOS (не нужно устанавливать драйвер)
Размер: 140 * 80 * 82 мм
Вес: 410 г


Упаковка:

1 * Усилитель мощности,
1 * Адаптер постоянного тока,
1 * CD-диск,
1 * MINI USB-кабель,
1 * Руководство пользователя на китайском и английском языках,
1 * Разъем для наушников


,

переводчик двоичных кодеров и декодеров - LingoJam

Этот онлайн-инструмент позволяет вам кодировать текст в двоичный файл и декодировать двоичный файл обратно в текст. Просто вставьте свой текст в левое поле или двоичные данные в правильное поле, и кодер / декодер мгновенно выдаст вам результат.

Что такое двоичный файл?

Информация (в техническом смысле) - это образец, который имеет некоторое значение. Существует много способов хранения информации, но наиболее эффективный способ, которым компьютеры могут хранить информацию, - это шаблон из 2 различных символов.Мы используем символы «1» и «0» только потому, что они являются символами, которые мы все признаем и в некотором смысле противоположны друг другу (что-то против ничего). Но любые символы могут быть использованы. Важным моментом двоичного кода является то, что существует два символа (префикс «bi» в «двоичном» говорит нам об этом). Причина, по которой компьютеры любят общаться в двоичном формате, заключается в том, что компьютеры состоят из транзисторов, а транзисторы имеют два состояния.

Кодирование и декодирование текста

Преобразование между двоичным и текстовым довольно просто.Все обычные текстовые символы, которые вы видите на компьютерах, определены стандартом ASCII. Стандарт определяет 128 символов - все, что вы можете видеть на стандартной английской клавиатуре и еще немало. Каждому из этих символов присваивается номер от 0 до 127 (обратите внимание, что он идет только до 127, поскольку мы начинаем считать с 0, а не 1).

Так как каждому из этих символов присвоен номер, мы могли бы написать текст в кодах ASCII:

"привет" ---> "104 101 108 108 111"

На самом деле, вот переводчик ASCII, который позволяет вам сделать это.Но мы хотим преобразовать в двоичные , а не коды ASCII, верно? Ну, как выясняется, когда мы конвертируем текст в двоичный код, мы - это , просто преобразующие текст в строку кодов ASCII, но мы также конвертируем эти коды ASCII в двоичные числа вместо десятичных чисел (чисел, которые вы изучаете в школа).

Изучение того, как преобразовать десятичные числа в двоичные числа, выходит за рамки этого объяснения, но вот переводчик из десятичного числа в двоичный, который объясняет процесс преобразования.Итак, наконец, после преобразования десятичных кодов ASCII в двоичные коды ASCII мы получаем:

"привет" ---> "0110100001100101011011000110110001101111"

Где каждое двоичное число имеет длину 8 битов, и все они сведены в одну длинную строку.

Двоичное преобразование

Итак, вот оно. Этот переводчик может выступать в качестве быстрого онлайн-двоичного кодировщика или двоичного декодера, так что вы можете переводить английский в двоичный код и делиться закодированными сообщениями со своими друзьями.Затем они могут декодировать двоичное сообщение, используя тот же переводчик. Кто знает, если бы вы были достаточно посвящены изучению двоичных кодов ASCII, вы могли бы даже научиться писать в двоичном коде . Возможность конвертировать двоичный файл в текст в вашем мозгу довольно бессмысленна, но также и довольно крута.

Я создал этот генератор двоичного кода во второй половине дня, поэтому, если я могу что-то улучшить, пожалуйста, дайте мне знать! Не стесняйтесь публиковать странные двоичные сообщения в комментариях для расшифровки другими людьми! 🙂

↓ Читать дальше... ↓

,

Отправить ответ

avatar
  Подписаться  
Уведомление о