Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Содержание

Маркировка транзисторов зарубежных(в т. ч.- SMD) и отечественных.

На рисунке ниже - виды корпусов импортных транзисторов.

Первый элемент - означает число PN - переходов: 2 - транзистор
Второй элемент - буква "N" (типономинал).
Третий элемент - цифры (серийный номер).
Четвертый элемент - буква, указывающая на возможные изменения параметров (характеристик) прибора в пределах одного типономинала по EIA. Если корпус транзистора или другого полупроводникового прибора мал, то в сокращенной маркировке первая цифра и буква "N" - не ставятся.

Обозначение на корпусе Тип транзистора
"15" на корпусе SOT-23 MMBT3960(Datasheet "Motorola")
"1A" на корпусе SOT-23BC846A(Datasheet "Taitron")
"1B" на корпусе SOT-23BC846B(Datasheet "Taitron")
"1C" на корпусе SOT-23MMBTA20LT(Datasheet "Motorola")
"1D" на корпусе SOT-23BC846(Datasheet "NXP")
"1E" на корпусе SOT-23BC847A(Datasheet "Taitron")
"1F" на корпусе SOT-23BC847B(Datasheet "Taitron")
"1G" на корпусе SOT-23BC847C(Datasheet "Taitron")
"1H" на корпусе SOT-23BC847(Datasheet "NXP")
"1N" на корпусе SOT-416BC847T(Datasheet "NXP")
"1J" на корпусе SOT-23BC848A(Datasheet "Taitron")
"1K" на корпусе SOT-23BC848B(Datasheet "Taitron")
"1L" на корпусе SOT-23BC848C(Datasheet "Taitron")
"1M" на корпусе SOT-416BC846T(Datasheet "NXP")
"1M" на корпусе SOT-323BC848W(Datasheet "NXP")
"1M" на корпусе SOT-23MMBTA13(Datasheet "Motorola")
"1N" на корпусе SOT-23MMBTA414(Datasheet "Motorola")
"1V" на корпусе SOT-23MMBT6427(Datasheet "Motorola")
"1P" на корпусе SOT-23FMMT2222A,KST2222A,MMBT2222A.
"1T" на корпусе SOT-23MMBT3960A(Datasheet "Motorola")
"1Y" на корпусе SOT-23MMBT3903(Datasheet "Samsung")
"2A" на корпусе SOT-23
FMMBT3906,KST3906,MMBT3906
"2B" на корпусе SOT-23BC849B(Datasheet "G.S.")
"2C" на корпусе SOT-23BC849C(Datasheet "G.S.")
"2E" на корпусе SOT-23FMMTA93,KST93
"2F" на корпусе SOT-23FMMT2907A,KST2907A,MMBT2907AT
"2G" на корпусе SOT-23FMMTA56,KST56
"2H" на корпусе SOT-23MMBTA55(Datasheet "Taitron")
"2J" на корпусе SOT-23MMBT3640(Datasheet "Fairchild")
"2K" на корпусе SOT-23FMMT4402(Datasheet "Zetex")
"2M" на корпусе SOT-23MMBT404(Datasheet "Motorola")
"2N" на корпусе SOT-23MMBT404A(Datasheet "Motorola")
"2T" на корпусе SOT-23 KST4403,MMBT4403
"2V" на корпусе SOT-23MMBTA64(Datasheet "Motorola")
"2U" на корпусе SOT-23MMBTA63(Datasheet "Motorola")
"2X" на корпусе SOT-23MMBT4401,KST4401
"3A" на корпусе SOT-23MMBTh34(Datasheet "Motorola")
"3B" на корпусе SOT-23MMBT918(Datasheet "Motorola")
"3D" на корпусе SOT-23MMBTH81(Datasheet "Motorola")
"3E" на корпусе SOT-23MMBTh20(Datasheet "Motorola")
"3F" на корпусе SOT-23MMBT6543(Datasheet "Motorola")
"3J-" на корпусе SOT-143BBCV62A(Datasheet "NXP")
"3K-" на корпусе SOT-23BC858B(Datasheet "NXP")
"3L-" на корпусе SOT-143BBCV62C(Datasheet "NXP")
"3S" на корпусе SOT-23MMBT5551(Datasheet "Fairchild")
"4As" на корпусе SOT-23BC859A(Datasheet "Siemens")
"4Bs" на корпусе SOT-23BC859B(Datasheet "Siemens")
"4Cs" на корпусе SOT-23BC859C(Datasheet "Siemens")
"4J" на корпусе SOT-23FMMT38A(Datasheet "Zetex S.")
"449" на корпусе SOT-23FMMT449(Datasheet "Diodes Inc.")
"489" на корпусе SOT-23FMMT489(Datasheet "Diodes Inc.")
"491" на корпусе SOT-23FMMT491(Datasheet "Diodes Inc.")
"493" на корпусе SOT-23FMMT493(Datasheet "Diodes Inc.")
"5A" на корпусе SOT-23BC807-16(Datasheet "General Sem.")
"5B" на корпусе SOT-23BC807-25(Datasheet "General Sem.")
"5C" на корпусе SOT-23BC807-40(Datasheet "General Sem.")
"5E" на корпусе SOT-23BC808-16(Datasheet "General Sem.")
"5F" на корпусе SOT-23BC808-25(Datasheet "General Sem.")
"5G" на корпусе SOT-23BC808-40(Datasheet "General Sem.")
"5J" на корпусе SOT-23FMMT38B(Datasheet "Zetex S.")
"549" на корпусе SOT-23FMMT549(Datasheet "Fairchild")
"589" на корпусе SOT-23 FMMT589(Datasheet "Fairchild")
"591" на корпусе SOT-23FMMT591(Datasheet "Fairchild")
"593" на корпусе SOT-23FMMT593(Datasheet "Fairchild")
"6A-","6Ap","6At" на корпусе SOT-23BC817-16(Datasheet "NXP")
"6B-","6Bp","6Bt" на корпусе SOT-23BC817-25(Datasheet "NXP")
"6C-","6Cp","6Ct" на корпусе SOT-23BC817-40(Datasheet "NXP")
"6E-","6Et","6Et" на корпусе SOT-23BC818-16(Datasheet "NXP")
"6F-","6Ft","6Ft" на корпусе SOT-23BC818-25(Datasheet "NXP")
"6G-","6Gt","6Gt" на корпусе SOT-23BC818-40(Datasheet "NXP")
"7J" на корпусе SOT-23FMMT38C(Datasheet "Zetex S.")
"9EA" на корпусе SOT-23BC860A(Datasheet "Fairchild")
"9EB" на корпусе SOT-23BC860B(Datasheet "Fairchild")
"9EC" на корпусе SOT-23BC860C(Datasheet "Fairchild")
"AA" на корпусе SOT-523F2N7002T(Datasheet "Fairchild")
"AA" на корпусе SOT-23BCW60A(Datasheet "Diotec Sem.")
"AB" на корпусе SOT-23BCW60B(Datasheet "Diotec Sem.")
"AC" на корпусе SOT-23BCW60C(Datasheet "Diotec Sem.")
"AD" на корпусе SOT-23BCW60D(Datasheet "Diotec Sem.")
"AE" на корпусе SOT-89BCX52(Datasheet "NXP")
"AG" на корпусе SOT-23BCX70G(Datasheet "Central Sem.Corp.")
"AH" на корпусе SOT-23BCX70H(Datasheet "Central Sem.Corp.")
"AJ" на корпусе SOT-23BCX70J(Datasheet "Central Sem.Corp.")
"AK" на корпусе SOT-23BCX70K(Datasheet "Central Sem.Corp.")
"AL" на корпусе SOT-89BCX53-16(Datasheet "Zetex")
"AM" на корпусе SOT-89BCX52-16(Datasheet "Zetex")
"AS1" на корпусе SOT-89BST50(Datasheet "Philips")
"B2" на корпусе SOT-23BSV52(Datasheet "Diotec Sem.")
"BA" на корпусе SOT-23BCW61A(Datasheet "Fairchild")
"BA" на корпусе SOT-232SA1015LT1(Datasheet "Tip")
"BA" на корпусе SOT-232SA1015(Datasheet "BL Galaxy El.")
"BB" на корпусе SOT-23BCW61B(Datasheet "Fairchild")
"BC" на корпусе SOT-23BCW61C(Datasheet "Fairchild")
"BD" на корпусе SOT-23BCW61D(Datasheet "Fairchild")
"BE" на корпусе SOT-89 BCX55(Datasheet " BL Galaxy El.")
"BG" на корпусе SOT-89 BCX55-10(Datasheet " BL Galaxy El.")
"BH" на корпусе SOT-89 BCX56(Datasheet " BL Galaxy El.")
"BJ" на корпусе SOT-23BCX71J(Datasheet "Diotec Sem.")
"BK" на корпусе SOT-23BCX71K(Datasheet "Diotec Sem.")
"BH" на корпусе SOT-23BCX71H(Datasheet "Diotec Sem.")
"BG" на корпусе SOT-23BCX71G(Datasheet "Diotec Sem.")
"BR2" на корпусе SOT-89 BSR31(Datasheet "Zetex")
"C1" на корпусе SOT-23BCW29(Datasheet "Diotec Sem.")
"C2" на корпусе SOT-23BCW30(Datasheet "Diotec Sem.")
"C5" на корпусе SOT-23MMBA811C5(Datasheet "Samsung Sem.")
"C6" на корпусе SOT-23MMBA811C6(Datasheet "Samsung Sem.")
"C7" на корпусе SOT-23BCF29(Datasheet "Diotec Sem.")
"C8" на корпусе SOT-23BCF30(Datasheet "Diotec Sem.")
"CEs" на корпусе SOT-23BSS79B(Datasheet "Siemens")
"CEC" на корпусе SOT-89 BC869(Datasheet "Philips")
"CFs" на корпусе SOT-23BSS79C(Datasheet "Siemens")
"CHs" на корпусе SOT-23BSS80B(Datasheet "Infenion")
"CJs" на корпусе SOT-23BSS80C(Datasheet "Infenion")
"CMs" на корпусе SOT-23BSS82C(Datasheet "Infenion")
"CLs" на корпусе SOT-23BSS82B(Datasheet "Infenion")
"D1" на корпусе SOT-23BCW31(Datasheet "KEC")
"D2" на корпусе SOT-23BCW32(Datasheet "KEC")
"D3" на корпусе SOT-23BCW33(Datasheet "KEC")
D6" на корпусе SOT-23MMBC1622D6(Datasheet "Samsung Sem.")
"D7t","D7p" на корпусе SOT-23BCF32(Datasheet "NXP Sem.")
"D7" на корпусе SOT-23BCF32(Datasheet "Diotec Sem.")
"D8" на корпусе SOT-23BCF33(Datasheet "Diotec Sem.")
"DA" на корпусе SOT-23BCW67A(Datasheet "Central Sem. Corp.")
"DB" на корпусе SOT-23BCW67B(Datasheet "Central Sem. Corp.")
"DC" на корпусе SOT-23BCW67C(Datasheet "Central Sem. Corp.")
"DF" на корпусе SOT-23BCW67F(Datasheet "Central Sem. Corp.")
"DG" на корпусе SOT-23BCW67G(Datasheet "Central Sem. Corp.")
"DH" на корпусе SOT-23BCW67H(Datasheet "Central Sem. Corp.")
"E2p" на корпусе SOT-23BFS17A(Datasheet "Philips")
"EA" на корпусе SOT-23BCW65A(Datasheet "Central Sem. Corp.")
"EB" на корпусе SOT-23BCW65B(Datasheet "Central Sem. Corp.")
"EC" на корпусе SOT-23BCW65C(Datasheet "Central Sem. Corp.")
"EF" на корпусе SOT-23BCW65F(Datasheet "Central Sem. Corp.")
"EG" на корпусе SOT-23BCW65G(Datasheet "Central Sem. Corp.")
"EH" на корпусе SOT-23BCW65H(Datasheet "Central Sem. Corp.")
"F1" на корпусе SOT-23MMBC1009F1(Datasheet "Samsung Sem.")
"F3" на корпусе SOT-23MMBC1009F3(Datasheet "Samsung Sem.")
"FA" на корпусе SOT-89 BFQ17(Datasheet "Philips")
"FDp","FDt","FDW" на корпусе SOT-23 BCV26(Datasheet "Philips(NXP)")
"FEp","FEt","FEW" на корпусе SOT-23 BCV46(Datasheet "Philips(NXP)")
"FFp","FFt","FFW" на корпусе SOT-23 BCV27(Datasheet "Philips(NXP)")
"FGp","FGt","FGW" на корпусе SOT-23 BCV47(Datasheet "Philips(NXP)")
"GFs" на корпусе SOT-23 BFR92P(Datasheet "Infenion")
"h2p","h2t","h2W" на корпусе SOT-23 BCV69(Datasheet "Philips(NXP)")
"h3p","h3t","h3W" на корпусе SOT-23 BCV70(Datasheet "Philips(NXP)")
"h4p","h4t" на корпусе SOT-23 BCV89(Datasheet "Philips(NXP)")
"H7p" на корпусе SOT-23 BCF70
"K1" на корпусе SOT-23 BCW71(Datasheet "Samsung Sem.")
"K2" на корпусе SOT-23 BCW72(Datasheet "Samsung Sem.")
"K3p" на корпусе SOT-23 BCW81(Datasheet "Philips(NXP)")
"K1p","K1t" на корпусе SOT-23 BCW71(Datasheet "Philips(NXP)")
"K2p","K2t" на корпусе SOT-23 BCW72(Datasheet "Philips(NXP)")
"K7p","K7t" на корпусе SOT-23 BCV71(Datasheet "Philips(NXP)")
"K8p","K8t" на корпусе SOT-23 BCV72(Datasheet "Philips(NXP)")
"K9p" на корпусе SOT-23 BCF81(Datasheet " Guangdong Kexin Ind.Co.Ltd")
"L1" на корпусе SOT-23 BSS65
"L2" на корпусе SOT-23 BSS69(Datasheet "Zetex Sem.")
"L3" на корпусе SOT-23 BSS70(Datasheet "Zetex Sem.")
"L4" на корпусе SOT-23 2SC1623L4(Datasheet "BL Galaxy El.")
"L5" на корпусе SOT-23 BSS65R
"L6" на корпусе SOT-23 BSS69R(Datasheet "Zetex Sem.")
"L7" на корпусе SOT-23 BSS70R(Datasheet "Zetex Sem.")
"M3" на корпусе SOT-23 MMBA812M3(Datasheet "Samsung Sem.")
"M4" на корпусе SOT-23 MMBA812M4(Datasheet "Samsung Sem.")
"M5" на корпусе SOT-23 MMBA812M5(Datasheet "Samsung Sem.")
"M6" на корпусе SOT-23 MMBA812M6(Datasheet "Samsung Sem.")
"M6P" на корпусе SOT-23 BSR58(Datasheet "Philips(NXP)")
"M7" на корпусе SOT-23 MMBA812M7(Datasheet "Samsung Sem.")
"P1" на корпусе SOT-23 BFR92(Datasheet "Vishay Telefunken")
"P2" на корпусе SOT-23 BFR92A(Datasheet "Vishay Telefunken")
"P4" на корпусе SOT-23 BFR92R(Datasheet "Vishay Telefunken")
"P5" на корпусе SOT-23 FMMT2369A(Datasheet "Zetex Sem.")
"Q2" на корпусе SOT-23 MMBC1321Q2(Datasheet "Motorola Sc.")
"Q3" на корпусе SOT-23 MMBC1321Q3(Datasheet "Motorola Sc.")
"Q4" на корпусе SOT-23 MMBC1321Q4(Datasheet "Motorola Sc.")
"Q5" на корпусе SOT-23 MMBC1321Q5(Datasheet "Motorola Sc.")
"R1p" на корпусе SOT-23 BFR93(Datasheet "Philips(NXP)")
"R2p" на корпусе SOT-23 BFR93A(Datasheet "Philips(NXP)")
"s1A" на корпусах SOT-23,SOT-363,SC-74SMBT3904(Datasheet "Infineon")
"s1D" на корпусе SOT-23 SMBTA42(Datasheet "Infineon")
"S2" на корпусе SOT-23 MMBA813S2(Datasheet "Motorola Sc.")
"s2A" на корпусе SOT-23 SMBT3906(Datasheet "Infineon")
"s2D" на корпусе SOT-23 SMBTA92(Datasheet "Siemens Sem.")
"s2F" на корпусе SOT-23 SMBT2907A(Datasheet "Infineon")
"S3" на корпусе SOT-23 MMBA813S3(Datasheet "Motorola Sc.")
"S4" на корпусе SOT-23 MMBA813S4(Datasheet "Motorola Sc.")
"T1"на корпусе SOT-23 BCX17(Datasheet "Philips(NXP)")
"T2"на корпусе SOT-23 BCX18(Datasheet "Philips(NXP)")
"T7"на корпусе SOT-23 BSR15(Datasheet "Diotec Sem.")
"T8"на корпусе SOT-23 BSR16(Datasheet "Diotec Sem.")
"U1p","U1t","U1W"на корпусе SOT-23 BCX19(Datasheet "Philips(NXP)")
"U2"на корпусе SOT-23 BCX20(Datasheet "Diotec Sem.")
"U7p","U7t","U7W"на корпусе SOT-23 BSR13(Datasheet "Philips(NXP)")
"U8p","U8t","U8W"на корпусе SOT-23 BSR14(Datasheet "Philips(NXP)")
"U92" на корпусе SOT-23 BSR17A(Datasheet "Philips")
"Z2V" на корпусе SOT-23 FMMTA64(Datasheet "Zetex Sem.")
"ZD" на корпусе SOT-23 MMBT4125(Datasheet "Samsung Sem.")

elektrikaetoprosto.ru

описание, типы, устройство, маркировка, применение.

В  этой статье рассказывается об важно элементе радиоэлектронике — транзисторах. Про принцип действия диодов и их характеристики читайте по ссылке — http://www.radioingener.ru/diody-i-ix-primenenie/

Что такое транзистор.

Термин «транзистор» образован из двух английских слов: transfer — преобразователь и resistor — сопротивление.

В большую «семью» полупроводниковых приборов, называемых транзисторами, входят два вида: биполярные и полевые. Первые из них, чтобы как — то отличить их от вторых, часто называют обычными транзисторами.

Биполярный (обычный) транзистор

Биполярные транзисторы используются наиболее широко. Именно с них мы пожалуй и начнем.  В упрощенном виде биполярный транзистор представляет собой пластину полупроводника с тремя (как в слоеном пироге) чередующимися областями разной электропроводности (рис. 1), которые образуют два р — n перехода.

Две крайние области обладают электропроводностью одного типа, средняя — электропроводностью другого типа. У каждой области свой контактный вывод. Если в крайних областях преобладает дырочная электропроводность, а в средней электронная (рис. 1, а), то такой прибор называют транзистором структуры p — n — р. У транзистора структуры n — p — n, наоборот, по краям расположены области с электронной электропроводностью, а между ними — область с дырочной электропроводностью (рис. 1, б).

Рис. 1 Схематическое устройство и графическое обозначение на схемах транзисторов структуры p — n — p и n — p — n.

Устройство и структура.

Если мысленно прикрыть любую из крайних областей транзисторов, изображенных схематически на (рис.1). Что получилось? Оставшиеся две области есть не что иное, как плоскостной диод. Если прикрыть другую крайнюю область, то тоже получится диод. Значит, транзистор можно представить себе как два плоскостных диода с одной общей областью, включенных навстречу друг другу.

Общую (среднюю) область транзистора называют базой, одну крайнюю область — эмиттером, вторую крайнюю область — коллектором.

Это три электрода транзистора. Во время работы эмиттер вводит (эмитирует) в базу дырки (в структуре p — n — р) или электроны (в структуре n — p — n), коллектор собирает эти электрические заряды, вводимые в базу эмиттером.

Различие в обозначениях транзисторов разных структур на схемах заключается лишь в направлении стрелки эмиттера: в p — n — р транзисторах она обращена в сторону базы, а в n — p — n — от базы.

Электронно — дырочные переходы в транзисторе могут быть получены так же, как в плоскостных диодах. Например, чтобы изготовить транзистор структуры p — n — р, берут тонкую пластину германия с электронной электропроводностью и наплавляют на ее поверхность кусочки индия. Атомы индия диффундируют (проникают) в тело пластины, образуя в ней две области типа р — эмиттер и коллектор, а между ними остается очень тонкая (несколько микрон) прослойка полупроводника типа n — база. Транзисторы, изготовляемые по такой технологии, называют сплавными.

Запомни наименования р — n переходов транзистора: между коллектором и базой — коллекторный, между эмиттером и базой — эмиттерный.

Схематическое устройство и конструкция сплавного транзистора показаны на (рис. 2).

Изготовление транзисторов.

Прибор собран на металлическом диске диаметром менее 10 мм. Сверху к этому диску приварен кристаллодержатель, являющийся внутренним выводом базы, а снизу — ее наружный проволочный вывод. Внутренние выводы коллектора и эмиттера приварены к проволочкам, которые впаяны в стеклянные изоляторы и служат внешними выводами этих электродов. Цельнометаллический колпак защищает прибор от механических повреждений и влияния света. Так устроены наиболее распространенные маломощные низкочастотные транзисторы серий МП39, МП40, МП41, МП42 и их разновидности. Буква (М) в обозначении говорит о том, что корпус прибора холодносварной, буква (П)- первоначальная буква слов «плоскостной», а цифры — порядковые заводские номера приборов. В конце обозначения могут быть буквы А, Б, В (например, МП39Б), указывающие разницу в параметрах данной серии. Существуют другие способы изготовления, например, диффузионно — сплавной (рис. 3). Коллектором транзистора, изготовленного по такой технологии, служит пластина исходного полупроводника. На поверхность пластины наплавляют очень близко один от другого два маленьких шарика примесных элементов. Во время нагрева до строго определенной температуры происходит диффузия примесных элементов в пластинку полупроводника. При этом один шарик (на рис. 3 — правый) образует в коллекторе тонкую базовую область, а второй (на рис. 3 — левый) эмиттерную область.

Рис. 2 — Устройство и конструкция сплавного слева и диффузионно — сплавного справа транзистора структуры p — n — p.

В результате в пластине исходного полупроводника получаются два р — n перехода, образующие транзистор структуры р — n — р. По такой технологии изготовляют, в частности, наиболее массовые маломощные высокочастотные транзисторы серий П401-П403, П422, П423, ГТ308. В настоящее время действует система обозначения, по которой выпускаемые серийно приборы имеют обозначения, состоящие из четырех элементов, например: ГТ109А, КТ315В, ГТ403И.

  • Первый элемент этой системы обозначения — буква Г, К или А (или цифра 1, 2 и 3) — характеризует полупроводниковый материал и температурные условия работы прибора. Буква Г (или цифра 1) присваивается германиевым транзисторам, буква К (или цифра 2) — кремниевым, буква А (или цифра 3) — транзисторам, полупроводниковым материалом которых служит арсенид галлия. Цифра, стоящая вместо буквы, указывает на то, что данный транзистор может работать при повышенных температурах (германиевый — выше 4- 60°С, кремниевый — выше +85°С).
  • Второй элемент — буква Т — начальная буква слова «транзистор».
  • Третий элемент — трехзначное число от 101 до 999 — указывает порядковый номер разработки и назначение прибора. Это число присваивается транзистору по признакам, приведенным в таблице.
  • Четвертый элемент обозначения — буква, указывающая разновидность прибора данной серии.

Вот некоторые примеры расшифровки обозначений по этой системе :

ГТ109А — германиевый маломощный низкочастотный транзистор, разновидность А;

ГТ404Г — германиевый средней мощности низкочастотный транзистор, разновидность Г;

КТЗ15В — кремниевый маломощный высокочастотный транзистор, разновидность В.

Применение транзисторов

Наряду с такой системой продолжает действовать и прежняя система обозначения, например П27, П401, П213, МП39 и т.д. Объясняется это тем, что такие или подобные транзисторы были разработаны до введения современной маркировки полупроводниковых приборов. Внешний вид некоторых биполярных транзисторов, наиболее широко используемых радиолюбителями, показан на (рис. 4). Маломощный низкочастотный транзистор ГТ109 (структуры р — n — р) имеет в диаметре всего 3, 4 мм. Транзисторы этой серии предназначены для миниатюрных радиовещательных приемников. Их используют также в слуховых аппаратах, в электронных медицинских приборах т.д.

Диаметр транзисторов ГТ309 (р — n — р) 7,4 мм. Такие транзисторы применяют в различных малогабаритных электронных устройствах для усиления и генерирования колебаний высокой частоты.

Транзисторы КТЗ15 (n — p — n) выпускают в пластмассовых корпусах. Эти маломощные приборы предназначены для усиления и генерирования колебаний высокой частоты. Транзисторы МП39 — МП42 (р — n — р) — самые массовые среди маломощных низкочастотных транзисторов. Точно так выглядят и аналогичные им, но структуры n — p — n, транзисторы МП35 — МП38. Диаметр корпуса любого из этих транзисторов 11,5 мм. Наиболее широко их используют в усилителях звуковой частоты.

Так выглядят и маломощные высокочастотные р — n — р транзисторы серий П401 — П403, П416, П423, используемые для усиления высокочастотных сигналов как в промышленных, так и любительских радиовещательных приемниках. Транзистор ГТ402 (р — n — р) — представитель низкочастотных транзисторов средней мощности. Такую же конструкцию имеет его «близнец» ГТ404, но он структуры (n — p — n). Их, обычно используют в паре, в каскадах усиления мощности колебаний звуковой частоты.

Транзистор П213 (германиевый структуры р — n — р) — один из мощных низкочастотных транзисторов, широко используемых в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты. Диаметр этого, а также аналогичных ему транзисторов П214 — П216 и некоторых других, 24 мм. Такие транзисторы крепят на шасси или панелях при помощи фланцев. Во время работы они нагреваются, поэтому их обычно ставят на специальные теплоотводящие радиаторы, увеличивающие поверхности охлаждения.

КТ904 — сверхвысокочастотный кремниевый n — p — n транзистор большой мощности. Корпус металлокерамический с жесткими выводами и винтом М5, с помощью которого транзистор крепят на теплопроводящем радиаторе. Функцию радиатора может выполнять массивная металлическая пластина или металлическое шасси радиотехнического устройства. Высота транзистора вместе с выводами и крепежным винтом чуть больше 20 мм. Транзисторы этой серии предназначаются для генераторов и усилителей мощности радиоаппаратуры, работающей на частотах выше 100 МГц, например диапазона УКВ.

Рис. 4 Внешний вид некоторых транзисторов.

Советую просмотреть обучающий фильм:

Схемы включения и основные параметры биполярных транзисторов

 

Итак, биполярный транзистор, независимо от его структуры, является трехэлектродным прибором. Его электроды — эмиттер, коллектор и база. Для использования транзистора в качестве усилителя напряжения, тока или мощности входной сигнал, который надо усилить, можно подавать на два каких — либо электрода и с двух электродов снимать усиленный сигнал. При этом один из электродов обязательно будет общим. Он — то и определяет название способа включения транзистора: по схеме общего эмиттера (ОЭ), по схеме общего коллектора (ОК), по схеме общей базы (ОБ).

 

  • Включение p-n-р транзистора по схеме ОЭ показано на (рис. 5, а). Напряжение источника питания на коллекторе V подается через резистор Rк, являющийся нагрузкой, на эмиттер — через общий «заземленный» проводник, обозначаемый на схемах специальным знаком. Входной сигнал через конденсатор связи Ссв. подается к выводам базы и эмиттера, т.е. к участку база — эмиттер, а усиленный сигнал снимается с выводов эмиттера и коллектора. Эмиттер, следовательно, при таком включении является общим для входной и выходной цепей. Транзистор, по схеме с ОЭ, в зависимости от его усилительных свойств может дать 10 — 200 — кратное усиление сигнала по напряжению и 20 — 100 — кратное усиление сигнала по току. Такой способ включения по схеме с ОЭ пользуется у радиолюбителей наибольшей популярностью. Существенным недостатком усилительного каскада, включенном по такой схеме, является его сравнительно малое входное сопротивление — всего 500-1000 Ом, что усложняет согласование усилительных каскадов, транзисторы которых включают по такой же схеме. Объясняется это тем, что в данном случае эмиттерный р — n переход транзистора включен в прямом, т.е. пропускном, направлении. А сопротивление пропускного перехода, зависящее от прикладываемого к нему напряжения, всегда мало. Что же касается выходного сопротивления такого каскада, то оно достаточно большое (2-20 кОм) и зависит от сопротивления нагрузки Rк и усилительных свойств.

  • Включение прибора схеме ОК показано на (рис. 5, б). Входной сигнал подается на базу и эмиттер через эмиттерный резистор Rэ, который является частью коллекторной цепи. С этого же резистора, выполняющего функцию нагрузки транзистора, снимается и выходной сигнал. Таким образом, этот участок коллекторной цепи является общим для входной и выходной цепей, поэтому и название способа включения транзистора — ОК. Каскад с полупроводником, включенным по такой схеме, по напряжению дает усиление меньше единицы. Усиление же по току получается примерно такое же, как если бы транзистор был включен по схеме ОЭ. Но зато входное сопротивление такого каскада может составлять 10 — 500 кОм, что хорошо согласуется с большим выходным сопротивлением каскада на транзисторе, включенном по схеме ОЭ. По существу, каскад не дает усиления по напряжению, а лишь как бы повторяет подведенный к нему сигнал. Поэтому транзисторы, включаемые по такой схеме, называют также эмиттерными повторителями. Почему эмиттерными? Потому что выходное напряжение на эмиттере практически полностью повторяет входное напряжение. Почему каскад не усиливает напряжение? Давайте мысленно соединим резистором цепь базы с нижним (по схеме) выводом эмиттерного резистора Rэ, как показано на (рис. 5, б) штриховыми линиями. Этот резистор — эквивалент внутреннего сопротивления источника входного сигнала Rвх., например микрофона или звукоснимателя. Таким образом, эмиттерная цепь оказывается связанной через резистор Rвх. с базой. Когда на вход усилителя подается напряжение сигнала, на резисторе Rэ, являющемся нагрузкой транзистора, выделяется напряжение усиленного сигнала, которое через резистор Rвх. оказывается приложенным к базе в противофазе. При этом между эмиттерной и базовой цепями возникает очень сильная отрицательная обратная связь, сводящая на нет усиление каскада. Это по напряжению. А по току усиления получается такое же, как и при включении транзистора по схеме с ОЭ.
  • Теперь о включении транзистора по схеме с ОБ (рис. 5, в). В этом случае база через конденсатор Сб по переменному току заземлена, т. е. соединена с общим проводником питания. Входной сигнал через конденсатор Ссв. подают на эмиттер и базу, а усиленный сигнал снимают с коллектора и с заземленной базы. База, таким образом, является общим электродом входной и выходной цепей каскада. Такой каскад дает усиление по току меньше единицы, а по напряжению — такое же, как транзистор, включенный по схеме с ОЭ (10 — 200). Из — за очень малого входного сопротивления, БК превышающего нескольких десятковом (30-100) Ом, включение транзистора по схеме ОБ используют главным образом в генераторах электрических колебаний, в сверхгенеративных каскадах, применяемых, например, в аппаратуре радиоуправления моделями.

Чаще всего как я уже говорил применяются схемы с включением транзистора с ОЭ, реже с ОК. Но это только способы включения. А режим работы транзистора как усилителя определяется напряжениями на его электродах, токами в его цепях и, конечно, параметрами самого транзистора. Качество и усилительные свойства биполярных транзисторов оценивают по нескольким электрическим параметрам, которые измеряют с помощью специальных приборов. Вас же, с практической точки зрения, в первую очередь должны интересовать три основных параметра: обратный ток коллектора Iкбо, статический коэффициент передачи тока h313 (читают так: аш два один э) и граничная частота коэффициента передачи тока Fгр.

  • Обратный ток коллектора Iкбо — это неуправляемый ток через коллекторный р — n переход, создающийся неосновными носителями тока транзистора. Он характеризует качество транзистора: чем численное значение параметра Iкбо меньше, тем выше качество. У маломощных низкочастотных транзисторов, например, серий МП39 — МП42, Iкбо не должен превышать 30 мкА, а у маломощных высокочастотных 5 мкА. Транзисторы с большими значениями Iкбо в работе неустойчивы.
  • Статический коэффициент передачи тока h31э характеризует усилительные свойства транзистора. Статическим его называют потому, что этот параметр измеряют при неизменных напряжениях на его электродах и неизменных токах в его цепях. Буква «Э» в этом выражении указывает на то, что при измерении полупроводник включают по схеме ОЭ. Коэффициент h31э характеризуется отношением постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор — эмиттер и токе эмиттера. Чем больше численное значение коэффициента h31э, тем большее усиление сигнала может обеспечить данный прибор.
  • Граничная частота коэффициента передачи тока Fгр, выраженная в килогерцах или мегагерцах, позволяет судить о возможности использования транзистора для усиления колебаний тех или иных частот. Граничная частота Fгр транзистора МП39, например, 500 кГц, а транзисторов П401 — П403 — больше 30 МГц. Практически транзисторы используют для усиления частот значительно меньше граничных, так как с повышением частоты коэффициент h31э уменьшается.

При конструировании радиотехнических устройств надо учитывать и такие параметры, как максимально допустимое напряжение коллектор — эмиттер Uкэ max, максимально допустимый ток коллектора Iк.max а также максимально допустимую рассеиваемую мощность коллектора Рк.max — мощность, превращающуюся в тепло.

 

Полевой транзистор

В этом полупроводниковом приборе управление рабочим током осуществляется не током во входной (базовой) цепи, как в биполярном транзисторе, а воздействием на носители тока электрического поля. Отсюда и название «полевой». Схематическое устройство и конструкция полевого транзистора с р — n переходом показаны на (рис. 6). Основой такого транзистора служит пластина кремния с электропроводностью типа n, в которой имеется тонкая область с электропроводностью типа р. Пластину прибора называют затвором, а область типа р в ней — каналом. С одной стороны канал заканчивается истоком, с другой стоком — тоже областью типа р, но с повышенной концентрацией дырок. Между затвором и каналом создается р — n переход. От затвора, истока и стока сделаны контактные выводы. Если к истоку подключить положительный, а к стоку — отрицательный полюсы батареи питания (на рис. 6 — батарея GB), то в канале появится ток, создающийся движением дырок от истока к стоку. Этот ток, называемый током стока Iс, зависит не только от напряжения этой батареи, но и от напряжения, действующего между источником и затвором (на рис. 6 — элемент G).

И вот почему. Когда на затворе относительно истока действует положительное закрывающее напряжение, обедненная область р — n перехода расширяется (на рис. 6 показано штриховыми линиями). От этого канал сужается, его сопротивление увеличивается, из — за чего ток стока уменьшается. С уменьшением положительного напряжения на затворе обедненная область р — n перехода, наоборот, сужается, канал расширяется, и ток снова увеличивается. Если на затвор вместе с положительным напряжением смещения подавать низкочастотный или высокочастотный сигнал, в цепи стока возникнет пульсирующий ток, а на нагрузке, включенной в эту цепь, — напряжение усиленного сигнала. Так, в упрощенном виде устроены и работают полевые транзисторы с каналом типа р, например — КП102, КП103 (буквы К и П означают «кремниевый полевой»). Принципиально так же устроен и работает полевой транзистор с каналом типа n. Затвор транзистора такой структуры обладает дырочной электропроводностью, поэтому на него относительно истока должно подаваться отрицательное напряжение смещения, а на сток (тоже относительно истока) — положительное напряжение источника питания. На условном графическом изображении полевого транзистора с каналом типа n стрелка на линии затвора направлена в сторону истока, а не от истока, как в обозначении транзистора с каналом типа р. Полевой транзистор — тоже трехэлектродный прибор. Поэтому его, как и биполярный транзистор, включать в усилительный каскад можно тремя способами: по схеме общего стока (ОС), по схеме общего истока (ОИ) и по схеме общего затвора (ОЗ). В радиолюбительской практике применяют в основном только первые два способа включения, позволяющие с наибольшей эффективностью использовать полевые транзисторы.

Усилительный каскад на полевом транзисторе обладает очень большим, исчисляемым мегаомами, входным сопротивлением.

Это позволяет подавать на его вход высокочастотные и низкочастотные сигналы от источников с большим внутренним сопротивлением, например от пьезокерамическрго звукоснимателя, не опасаясь искажения или ухудшения усиления входного сигнала.

В этом главное преимущество полевых транзисторов по сравнению с биполярными. Усилительные свойства полевого транзистора характеризуют крутизной характеристики S — отношением изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора, включенного по схеме ОИ. Численное значение параметра S выражают в миллиамперах на вольт; для различных транзисторов оно может составлять от 0,1 — 0,2 до 10 — 15 мА/В и больше. Чем больше крутизна, тем большее усиление сигнала может дать транзистор.

Рис. 6 Конструкция и графическое изображение полевого транзистора с каналом типа (p).

Другой параметр полевого транзистора — напряжение отсечки Uзи.отс. — Это обратное напряжение на р — n переходе затвор — канал, при котором ток через этот переход уменьшается до нуля. У различных транзисторов напряжение отсечки может составлять от 0,5 до 10 В. О полевых транзисторах и их уникальных свойствах можно говорить еще много, я попытался рассказать о наиболее существенных.

Кодовая и цветовая маркировка транзисторов

Все картинки кликабельны. Вы можете нажать и сохранить их себе на ПК, чтобы в дальнейшем пользоваться. Или просто сохраните данную страницу нажав в браузере добавить в закладки.

 

Рис. 1

Рис. 2

Рис. 3

Рис. 4

Рис. 5 — КТ315, КТ361

И так сказать на закуску классификацию корпусов, чтобы при заказе или обозначении на схеме иметь представление о внешнем виде транзистора

 

www.radioingener.ru

Устройство и маркировка биполярного транзистора

Здравствуйте уважаемые читатели сайта sesaga.ru. Продолжаем знакомиться с полупроводниковыми приборами и с этой статьи начнем разбираться с транзистором. В этой части мы познакомимся с устройством и маркировкой биполярных транзисторов.

Полупроводниковые транзисторы бывают двух видов: биполярные и полевые.
В отличие от полевых транзисторов биполярные получили наиболее широкое применение в радиоэлектронике, а чтобы эти транзисторы как-то отличать друг от друга, биполярные принято называть просто — транзисторами.

1. Устройство и обозначение биполярного транзистора.

Схематично биполярный транзистор можно представить в виде пластины полупроводника с чередующимися областями разной электропроводности, которые образуют два p-n перехода. Причем обе крайние области обладают электропроводностью одного типа, а средняя область электропроводностью другого типа, и где каждая из областей имеет свой контактный вывод.

Если в крайних областях полупроводника преобладает дырочная электропроводность, а в средней области электронная, то такой полупроводниковый прибор называют транзистором структуры p-n-p.

А если в крайних областях преобладает электронная электропроводность, а в средней дырочная, то такой транзистор имеет структуру n-p-n.

А теперь возьмем схематичную часть транзистора и прикроем любую крайнюю область, например, область коллектора, и посмотрим на результат: у нас остались открытыми область базы и эмиттера, то есть получился полупроводник с одним p-n переходом или обычный полупроводниковый диод. О диодах можно почитать здесь.

Если же мы прикроем область эмиттера, то останутся открытыми области базы и коллектора — и также получается диод.

Отсюда возникает вывод, что биполярный транзистор можно представить в виде двух диодов с одной общей областью, включенных навстречу друг другу. При этом общая (средняя) область называется базой, а примыкающие к базе области коллектором и эмиттером. Это и есть три электрода транзистора.

Примыкающие к базе области делают неодинаковыми: одну из областей изготавливают так, чтобы из нее наиболее эффективно происходил ввод (инжекция) носителей заряда в базу, а другую область делают таким-образом, чтобы в нее эффективно осуществлялся вывод (экстракция) носителей заряда из базы.

Отсюда получается:

область транзистора, назначением которой является ввод (инжекция) носителей зарядов в базу называется эмиттером, и соответствующий p-n переход эмиттерным.

область транзистора, назначением которой является вывод (экстракция) носителей из базы, называется коллектором, и соответствующий p-n переход коллекторным.

То есть получается, что эмиттер вводит электрические заряды в базу, а коллектор их забирает.

Различие в обозначениях транзисторов разных структур на принципиальных схемах заключается лишь в направлении стрелки эмиттера: в p-n-p транзисторах она обращена в сторону базы, а в n-p-n транзисторах – от базы.

2. Технология изготовления биполярных транзисторов.

Технология изготовления транзисторов ни чем не отличается от технологии изготовления диодов. Еще в начальный период развития транзисторной техники биполярные транзисторы делали только из германия методом вплавления примесей, и такие транзисторы называют сплавными.

Берется кристалл германия и в него вплавляются кусочки индия.
Атомы индия диффузируют (проникают) в тело кристалла германия, образуя в нем две области p-типа – коллектор и эмиттер. Между этими областями остается очень тонкая (несколько микрон) прослойка полупроводника n-типа, которую именуют базой. А чтобы защитить кристалл от влияния света и механического воздействия его помещают в металлостеклянный, металлокерамический или пластмассовый корпус.

На картинке ниже показано схематическое устройство и конструкция сплавного транзистора, собранного на металлическом диске диаметром менее 10 мм. Сверху к этому диску приварен кристаллодержатель, являющийся внутренним выводом базы, а снизу диска – ее наружный проволочный вывод.

Внутренние выводы коллектора и эмиттера приварены к проводникам, которые впаяны в стеклянные изоляторы и служат внешними выводами этих электродов. Металлический колпак защищает прибор от влияния света и механических повреждений. Так устроены наиболее распространенные маломощные низкочастотные германиевые транзисторы из серии МП37 — МП42.

В обозначении буква «М» говорит, что корпус транзистора холодносварной, буква «П» — это первая буква слова «плоскостной», а цифры означают порядковый заводской номер транзистора. Как правило, после заводского номера ставят буквы А, Б, В, Г и т.д., указывающие на разновидность транзистора в данной серии, например, МП42Б.

С появлением новых технологий научились обрабатывать кристаллы кремния, и уже на его основе были созданы кремниевые транзисторы, получившие наиболее широкое применение в радиотехнике и на сегодняшний день практически полностью вытеснившие германиевые приборы.

Кремниевые транзисторы могут работать при более высоких температурах (до 125ºС), имеют меньшие обратные токи коллектора и эмиттера, а также более высокие пробивные напряжения.

Основным методом изготовления современных транзисторов является планарная технология, а транзисторы, выполненные по этой технологии, называют планарными. У таких транзисторов p-n переходы эмиттер-база и коллектор-база находятся в одной плоскости. Суть метода заключается в диффузии (вплавлении) в пластину исходного кремния примеси, которая может находиться в газообразной, жидкой или твердой фазе.

Как правило, коллектором транзистора, изготовленного по такой технологии, служит пластина исходного кремния, на поверхность которой вплавляют близко друг от друга два шарика примесных элементов. В процессе нагрева до строго определенной температуры происходит диффузия примесных элементов в пластину кремния.

При этом один шарик образует в пластине тонкую базовую область, а другой эмиттерную. В результате в пластине исходного кремния образуются два p-n перехода, образующие транзистор структуры p-n-p. По такой технологии изготавливают наиболее распространенные кремниевые транзисторы.

Также для изготовления транзисторных структур широко используются комбинированные методы: сплавление и диффузия или сочетание различных вариантов диффузии (двусторонняя, двойная односторонняя). Возможный пример такого транзистора: базовая область может быть диффузионная, а коллектор и эмиттер – сплавные.

Использование той или иной технологии при создании полупроводниковых приборов диктуется различными соображениями, связанными с техническими и экономическими показателями, а также их надежностью.

3. Маркировка биполярных транзисторов.

На сегодняшний день маркировка транзисторов, согласно которой их различают и выпускают на производствах, состоит из четырех элементов.
Например: ГТ109А, ГТ328, 1Т310В, КТ203Б, КТ817А, 2Т903В.

Первый элемент — буква Г, К, А или цифра 1, 2, 3 – характеризует полупроводниковый материал и температурные условия работы транзистора.

1. Буква Г или цифра 1 присваивается германиевым транзисторам;
2. Буква К или цифра 2 присваивается кремниевым транзисторам;
3. Буква А или цифра 3 присваивается транзисторам, полупроводниковым материалом которых служит арсенид галлия.

Цифра, стоящая вместо буквы, указывает на то, что данный транзистор может работать при повышенных температурах: германий – выше 60ºС, а кремний – выше 85ºС.

Второй элемент – буква Т от начального слова «транзистор».

Третий элемент – трехзначное число от 101 до 999 – указывает порядковый заводской номер разработки и назначение транзистора. Эти параметры даны в справочнике по транзисторам.

Четвертый элемент – буква от А до К – указывает разновидность транзисторов данной серии.

Однако до сих пор еще можно встретить транзисторы, на которых стоит более ранняя система обозначения, например, П27, П213, П401, П416, МП39 и т.д. Такие транзисторы выпускались еще в 60 — 70-х годах до введения современной маркировки полупроводниковых приборов. Пусть эти транзисторы устарели, но они все еще пользуются популярностью и применяются в радиолюбительских схемах.

В рамках этой части статьи мы рассмотрели лишь общие методы изготовления транзисторных структур, чтобы начинающему радиолюбителю было легче понять внутреннее устройство транзистора.

На этом мы закончим, а в следующей части проведем несколько опытов и на их основе сделаем практические выводы о работе биполярного транзистора.
Удачи!

Литература:

1. Борисов В.Г — Юный радиолюбитель. 1985г.
2. Пасынков В.В., Чиркин Л.К — Полупроводниковые приборы: Учеб. для вузов по спец. «Полупроводники и диэлектрики» и «Полупроводниковые и микроэлектронные приборы» — 4-е изд. перераб. и доп. 1987г.

sesaga.ru

Маркировка SMD транзисторов - Расшифровка кодовых обозначений

Маркировка SMD транзисторов — SMD компоненты применяются практически во всей существующей на сегодняшний день электронике. В переводе с английского слово SMD означает — «прибор, монтируемый на поверхность». То есть здесь подразумевается площадь печатной платы.

Обозначение на корпусе Тип транзистора
«15» на корпусе SOT-23 MMBT3960(Datasheet «Motorola»)
«1A» на корпусе SOT-23 BC846A(Datasheet «Taitron»)
«1B» на корпусе SOT-23 BC846B(Datasheet «Taitron»)
«1C» на корпусе SOT-23 MMBTA20LT(Datasheet «Motorola»)
«1D» на корпусе SOT-23 BC846(Datasheet «NXP»)
«1E» на корпусе SOT-23 BC847A(Datasheet «Taitron»)
«1F» на корпусе SOT-23 BC847B(Datasheet «Taitron»)
«1G» на корпусе SOT-23 BC847C(Datasheet «Taitron»)
«1H» на корпусе SOT-23 BC847(Datasheet «NXP»)
«1N» на корпусе SOT-416 BC847T(Datasheet «NXP»)
«1J» на корпусе SOT-23 BC848A(Datasheet «Taitron»)
«1K» на корпусе SOT-23 BC848B(Datasheet «Taitron»)
«1L» на корпусе SOT-23 BC848C(Datasheet «Taitron»)
«1M» на корпусе SOT-416 BC846T(Datasheet «NXP»)
«1M» на корпусе SOT-323 BC848W(Datasheet «NXP»)
«1M» на корпусе SOT-23 MMBTA13(Datasheet «Motorola»)
«1N» на корпусе SOT-23 MMBTA414(Datasheet «Motorola»)
«1V» на корпусе SOT-23 MMBT6427(Datasheet «Motorola»)
«1P» на корпусе SOT-23 FMMT2222A,KST2222A,MMBT2222A.
«1T» на корпусе SOT-23 MMBT3960A(Datasheet «Motorola»)
«1Y» на корпусе SOT-23 MMBT3903(Datasheet «Samsung»)
«2A» на корпусе SOT-23 FMMBT3906,KST3906,MMBT3906
«2B» на корпусе SOT-23 BC849B(Datasheet «G.S.»)
«2C» на корпусе SOT-23 BC849C(Datasheet «G.S.»)
«2E» на корпусе SOT-23 FMMTA93,KST93
«2F» на корпусе SOT-23 FMMT2907A,KST2907A,MMBT2907AT
«2G» на корпусе SOT-23 FMMTA56,KST56
«2H» на корпусе SOT-23 MMBTA55(Datasheet «Taitron»)
«2J» на корпусе SOT-23 MMBT3640(Datasheet «Fairchild»)
«2K» на корпусе SOT-23 FMMT4402(Datasheet «Zetex»)
«2M» на корпусе SOT-23 MMBT404(Datasheet «Motorola»)
«2N» на корпусе SOT-23 MMBT404A(Datasheet «Motorola»)
«2T» на корпусе SOT-23 KST4403,MMBT4403
«2V» на корпусе SOT-23 MMBTA64(Datasheet «Motorola»)
«2U» на корпусе SOT-23 MMBTA63(Datasheet «Motorola»)
«2X» на корпусе SOT-23 MMBT4401,KST4401
«3A» на корпусе SOT-23 MMBTh34(Datasheet «Motorola»)
«3B» на корпусе SOT-23 MMBT918(Datasheet «Motorola»)
«3D» на корпусе SOT-23 MMBTH81(Datasheet «Motorola»)
«3E» на корпусе SOT-23 MMBTh20(Datasheet «Motorola»)
«3F» на корпусе SOT-23 MMBT6543(Datasheet «Motorola»)
«3J-» на корпусе SOT-143B BCV62A(Datasheet «NXP»)
«3K-» на корпусе SOT-23 BC858B(Datasheet «NXP»)
«3L-» на корпусе SOT-143B BCV62C(Datasheet «NXP»)
«3S» на корпусе SOT-23 MMBT5551(Datasheet «Fairchild»)
«4As» на корпусе SOT-23 BC859A(Datasheet «Siemens»)
«4Bs» на корпусе SOT-23 BC859B(Datasheet «Siemens»)
«4Cs» на корпусе SOT-23 BC859C(Datasheet «Siemens»)
«4J» на корпусе SOT-23 FMMT38A(Datasheet «Zetex S.»)
«449» на корпусе SOT-23 FMMT449(Datasheet «Diodes Inc.»)
«489» на корпусе SOT-23 FMMT489(Datasheet «Diodes Inc.»)
«491» на корпусе SOT-23 FMMT491(Datasheet «Diodes Inc.»)
«493» на корпусе SOT-23 FMMT493(Datasheet «Diodes Inc.»)
«5A» на корпусе SOT-23 BC807-16(Datasheet «General Sem.»)
«5B» на корпусе SOT-23 BC807-25(Datasheet «General Sem.»)
«5C» на корпусе SOT-23 BC807-40(Datasheet «General Sem.»)
«5E» на корпусе SOT-23 BC808-16(Datasheet «General Sem.»)
«5F» на корпусе SOT-23 BC808-25(Datasheet «General Sem.»)
«5G» на корпусе SOT-23 BC808-40(Datasheet «General Sem.»)
«5J» на корпусе SOT-23 FMMT38B(Datasheet «Zetex S.»)
«549» на корпусе SOT-23 FMMT549(Datasheet «Fairchild»)
«589» на корпусе SOT-23 FMMT589(Datasheet «Fairchild»)
«591» на корпусе SOT-23 FMMT591(Datasheet «Fairchild»)
«593» на корпусе SOT-23 FMMT593(Datasheet «Fairchild»)
«6A-«,»6Ap»,»6At» на корпусе SOT-23 BC817-16(Datasheet «NXP»)
«6B-«,»6Bp»,»6Bt» на корпусе SOT-23 BC817-25(Datasheet «NXP»)
«6C-«,»6Cp»,»6Ct» на корпусе SOT-23 BC817-40(Datasheet «NXP»)
«6E-«,»6Et»,»6Et» на корпусе SOT-23 BC818-16(Datasheet «NXP»)
«6F-«,»6Ft»,»6Ft» на корпусе SOT-23 BC818-25(Datasheet «NXP»)
«6G-«,»6Gt»,»6Gt» на корпусе SOT-23 BC818-40(Datasheet «NXP»)
«7J» на корпусе SOT-23 FMMT38C(Datasheet «Zetex S.»)
«9EA» на корпусе SOT-23 BC860A(Datasheet «Fairchild»)
«9EB» на корпусе SOT-23 BC860B(Datasheet «Fairchild»)
«9EC» на корпусе SOT-23 BC860C(Datasheet «Fairchild»)
«AA» на корпусе SOT-523F 2N7002T(Datasheet «Fairchild»)
«AA» на корпусе SOT-23 BCW60A(Datasheet «Diotec Sem.»)
«AB» на корпусе SOT-23 BCW60B(Datasheet «Diotec Sem.»)
«AC» на корпусе SOT-23 BCW60C(Datasheet «Diotec Sem.»)
«AD» на корпусе SOT-23 BCW60D(Datasheet «Diotec Sem.»)
«AE» на корпусе SOT-89 BCX52(Datasheet «NXP»)
«AG» на корпусе SOT-23 BCX70G(Datasheet «Central Sem.Corp.»)
«AH» на корпусе SOT-23 BCX70H(Datasheet «Central Sem.Corp.»)
«AJ» на корпусе SOT-23 BCX70J(Datasheet «Central Sem.Corp.»)
«AK» на корпусе SOT-23 BCX70K(Datasheet «Central Sem.Corp.»)
«AL» на корпусе SOT-89 BCX53-16(Datasheet «Zetex»)
«AM» на корпусе SOT-89 BCX52-16(Datasheet «Zetex»)
«AS1» на корпусе SOT-89 BST50(Datasheet «Philips»)
«B2» на корпусе SOT-23 BSV52(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BA» на корпусе SOT-23 BCW61A(Datasheet «Fairchild»)
«BA» на корпусе SOT-23 2SA1015LT1(Datasheet «Tip»)
«BA» на корпусе SOT-23 2SA1015(Datasheet «BL Galaxy El.»)
«BB» на корпусе SOT-23 BCW61B(Datasheet «Fairchild»)
«BC» на корпусе SOT-23 BCW61C(Datasheet «Fairchild»)
«BD» на корпусе SOT-23 BCW61D(Datasheet «Fairchild»)
«BE» на корпусе SOT-89 BCX55(Datasheet » BL Galaxy El.»)
«BG» на корпусе SOT-89 BCX55-10(Datasheet » BL Galaxy El.»)
«BH» на корпусе SOT-89 BCX56(Datasheet » BL Galaxy El.»)
«BJ» на корпусе SOT-23 BCX71J(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BK» на корпусе SOT-23 BCX71K(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BH» на корпусе SOT-23 BCX71H(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BG» на корпусе SOT-23 BCX71G(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BR2» на корпусе SOT-89 BSR31(Datasheet «Zetex»)
«C1» на корпусе SOT-23 BCW29(Datasheet «Diotec Sem.»)
«C2» на корпусе SOT-23 BCW30(Datasheet «Diotec Sem.»)
«C5» на корпусе SOT-23 MMBA811C5(Datasheet «Samsung Sem.»)
«C6» на корпусе SOT-23 MMBA811C6(Datasheet «Samsung Sem.»)
«C7» на корпусе SOT-23 BCF29(Datasheet «Diotec Sem.»)
«C8» на корпусе SOT-23 BCF30(Datasheet «Diotec Sem.»)
«CEs» на корпусе SOT-23 BSS79B(Datasheet «Siemens»)
«CEC» на корпусе SOT-89 BC869(Datasheet «Philips»)
«CFs» на корпусе SOT-23 BSS79C(Datasheet «Siemens»)
«CHs» на корпусе SOT-23 BSS80B(Datasheet «Infenion»)
«CJs» на корпусе SOT-23 BSS80C(Datasheet «Infenion»)
«CMs» на корпусе SOT-23 BSS82C(Datasheet «Infenion»)
«CLs» на корпусе SOT-23 BSS82B(Datasheet «Infenion»)
«D1» на корпусе SOT-23 BCW31(Datasheet «KEC»)
«D2» на корпусе SOT-23 BCW32(Datasheet «KEC»)
«D3» на корпусе SOT-23 BCW33(Datasheet «KEC»)
D6″ на корпусе SOT-23 MMBC1622D6(Datasheet «Samsung Sem.»)
«D7t»,»D7p» на корпусе SOT-23 BCF32(Datasheet «NXP Sem.»)
«D7» на корпусе SOT-23 BCF32(Datasheet «Diotec Sem.»)
«D8» на корпусе SOT-23 BCF33(Datasheet «Diotec Sem.»)
«DA» на корпусе SOT-23 BCW67A(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DB» на корпусе SOT-23 BCW67B(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DC» на корпусе SOT-23 BCW67C(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DF» на корпусе SOT-23 BCW67F(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DG» на корпусе SOT-23 BCW67G(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DH» на корпусе SOT-23 BCW67H(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«E2p» на корпусе SOT-23 BFS17A(Datasheet «Philips»)
«EA» на корпусе SOT-23 BCW65A(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EB» на корпусе SOT-23 BCW65B(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EC» на корпусе SOT-23 BCW65C(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EF» на корпусе SOT-23 BCW65F(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EG» на корпусе SOT-23 BCW65G(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EH» на корпусе SOT-23 BCW65H(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«F1» на корпусе SOT-23 MMBC1009F1(Datasheet «Samsung Sem.»)
«F3» на корпусе SOT-23 MMBC1009F3(Datasheet «Samsung Sem.»)
«FA» на корпусе SOT-89 BFQ17(Datasheet «Philips»)
«FDp»,»FDt»,»FDW» на корпусе SOT-23 BCV26(Datasheet «Philips(NXP)»)
«FEp»,»FEt»,»FEW» на корпусе SOT-23 BCV46(Datasheet «Philips(NXP)»)
«FFp»,»FFt»,»FFW» на корпусе SOT-23 BCV27(Datasheet «Philips(NXP)»)
«FGp»,»FGt»,»FGW» на корпусе SOT-23 BCV47(Datasheet «Philips(NXP)»)
«GFs» на корпусе SOT-23 BFR92P(Datasheet «Infenion»)
«h2p»,»h2t»,»h2W» на корпусе SOT-23 BCV69(Datasheet «Philips(NXP)»)
«h3p»,»h3t»,»h3W» на корпусе SOT-23 BCV70(Datasheet «Philips(NXP)»)
«h4p»,»h4t» на корпусе SOT-23 BCV89(Datasheet «Philips(NXP)»)
«H7p» на корпусе SOT-23 BCF70
«K1» на корпусе SOT-23 BCW71(Datasheet «Samsung Sem.»)
«K2» на корпусе SOT-23 BCW72(Datasheet «Samsung Sem.»)
«K3p» на корпусе SOT-23 BCW81(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K1p»,»K1t» на корпусе SOT-23 BCW71(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K2p»,»K2t» на корпусе SOT-23 BCW72(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K7p»,»K7t» на корпусе SOT-23 BCV71(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K8p»,»K8t» на корпусе SOT-23 BCV72(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K9p» на корпусе SOT-23 BCF81(Datasheet » Guangdong Kexin Ind.Co.Ltd»)
«L1» на корпусе SOT-23 BSS65
«L2» на корпусе SOT-23 BSS69(Datasheet «Zetex Sem.»)
«L3» на корпусе SOT-23 BSS70(Datasheet «Zetex Sem.»)
«L4» на корпусе SOT-23 2SC1623L4(Datasheet «BL Galaxy El.»)
«L5» на корпусе SOT-23 BSS65R
«L6» на корпусе SOT-23 BSS69R(Datasheet «Zetex Sem.»)
«L7» на корпусе SOT-23 BSS70R(Datasheet «Zetex Sem.»)
«M3» на корпусе SOT-23 MMBA812M3(Datasheet «Samsung Sem.»)
«M4» на корпусе SOT-23 MMBA812M4(Datasheet «Samsung Sem.»)
«M5» на корпусе SOT-23 MMBA812M5(Datasheet «Samsung Sem.»)
«M6» на корпусе SOT-23 MMBA812M6(Datasheet «Samsung Sem.»)
«M6P» на корпусе SOT-23 BSR58(Datasheet «Philips(NXP)»)
«M7» на корпусе SOT-23 MMBA812M7(Datasheet «Samsung Sem.»)
«P1» на корпусе SOT-23 BFR92(Datasheet «Vishay Telefunken»)
«P2» на корпусе SOT-23 BFR92A(Datasheet «Vishay Telefunken»)
«P4» на корпусе SOT-23 BFR92R(Datasheet «Vishay Telefunken»)
«P5» на корпусе SOT-23 FMMT2369A(Datasheet «Zetex Sem.»)
«Q2» на корпусе SOT-23 MMBC1321Q2(Datasheet «Motorola Sc.»)
«Q3» на корпусе SOT-23 MMBC1321Q3(Datasheet «Motorola Sc.»)
«Q4» на корпусе SOT-23 MMBC1321Q4(Datasheet «Motorola Sc.»)
«Q5» на корпусе SOT-23 MMBC1321Q5(Datasheet «Motorola Sc.»)
«R1p» на корпусе SOT-23 BFR93(Datasheet «Philips(NXP)»)
«R2p» на корпусе SOT-23 BFR93A(Datasheet «Philips(NXP)»)
«s1A» на корпусах SOT-23,SOT-363,SC-74 SMBT3904(Datasheet «Infineon»)
«s1D» на корпусе SOT-23 SMBTA42(Datasheet «Infineon»)
«S2» на корпусе SOT-23 MMBA813S2(Datasheet «Motorola Sc.»)
«s2A» на корпусе SOT-23 SMBT3906(Datasheet «Infineon»)
«s2D» на корпусе SOT-23 SMBTA92(Datasheet «Siemens Sem.»)
«s2F» на корпусе SOT-23 SMBT2907A(Datasheet «Infineon»)
«S3» на корпусе SOT-23 MMBA813S3(Datasheet «Motorola Sc.»)
«S4» на корпусе SOT-23 MMBA813S4(Datasheet «Motorola Sc.»)
«T1″на корпусе SOT-23 BCX17(Datasheet «Philips(NXP)»)
«T2″на корпусе SOT-23 BCX18(Datasheet «Philips(NXP)»)
«T7″на корпусе SOT-23 BSR15(Datasheet «Diotec Sem.»)
«T8″на корпусе SOT-23 BSR16(Datasheet «Diotec Sem.»)
«U1p»,»U1t»,»U1W»на корпусе SOT-23 BCX19(Datasheet «Philips(NXP)»)
«U2″на корпусе SOT-23 BCX20(Datasheet «Diotec Sem.»)
«U7p»,»U7t»,»U7W»на корпусе SOT-23 BSR13(Datasheet «Philips(NXP)»)
«U8p»,»U8t»,»U8W»на корпусе SOT-23 BSR14(Datasheet «Philips(NXP)»)
«U92» на корпусе SOT-23 BSR17A(Datasheet «Philips»)
«Z2V» на корпусе SOT-23 FMMTA64(Datasheet «Zetex Sem.»)
«ZD» на корпусе SOT-23 MMBT4125(Datasheet «Samsung Sem.»)

usilitelstabo.ru

Транзистор. Обозначение на схемах и внешний вид транзисторов.

Внешний вид и обозначение транзистора на схемах

На фото справа вы видите первый работающий транзистор, который был создан в 1947 году тремя учёными – Уолтером Браттейном, Джоном Бардином и Уильямом Шокли.

Несмотря на то, что первый транзистор имел не очень презентабельный вид, это не помешало ему произвести революцию в радиоэлектронике.

Трудно предположить, какой бы была нынешняя цивилизация, если бы транзистор не был изобретён.

Транзистор является первым твёрдотельным устройством, способным усиливать, генерировать и преобразовывать электрический сигнал. Он не имеет подверженных вибрации частей, обладает компактными размерами. Это делает его очень привлекательным для применения в электронике.

Это было маленькое вступление, а теперь давайте разберёмся более подробно в том, что же представляет собой транзистор.

Сперва стоит напомнить о том, что транзисторы делятся на два больших класса. К первому относятся так называемые биполярные, а ко второму – полевые (они же униполярные). Основой как полевых, так и биполярных транзисторов является полупроводник. Основной же материал для производства полупроводников - это германий и кремний, а также соединение галлия и мышьяка - арсенид галлия (GaAs).

Стоит отметить, что наибольшее распространение получили транзисторы на основе кремния, хотя и этот факт может вскоре пошатнуться, так как развитие технологий идёт непрерывно.

Так уж случилось, но вначале развития полупроводниковой технологии лидирующее место занял биполярный транзистор. Но не многие знают, что первоначально ставка делалась на создание полевого транзистора. Он был доведён до ума уже позднее. О полевых MOSFET-транзисторах читайте здесь.

Не будем вдаваться в подробное описание устройства транзистора на физическом уровне, а сперва узнаем, как же он обозначается на принципиальных схемах. Для новичков в электронике это очень важно.

Для начала, нужно сказать, что биполярные транзисторы могут быть двух разных структур. Это структура P-N-P и N-P-N. Пока не будем вдаваться в теорию, просто запомните, что биполярный транзистор может иметь либо структуру P-N-P, либо N-P-N.

На принципиальных схемах биполярные транзисторы обозначаются вот так.

Как видим, на рисунке изображены два условных графических обозначения. Если стрелка внутри круга направлена к центральной черте, то это транзистор с P-N-P структурой. Если же стрелка направлена наружу – то он имеет структуру N-P-N.

Маленький совет.

Чтобы не запоминать условное обозначение, и сходу определять тип проводимости (p-n-p или n-p-n) биполярного транзистора, можно применять такую аналогию.

Сначала смотрим, куда указывает стрелка на условном изображении. Далее представляем, что мы идём по направлению стрелки, и, если упираемся в «стенку» – вертикальную черту – то, значит, «Прохода Нет»! "Нет" – значит p-n-p (П-Н-П ).

Ну, а если идём, и не упираемся в "стенку", то на схеме показан транзистор структуры n-p-n. Похожую аналогию можно использовать и в отношении полевых транзисторов при определении типа канала (n или p). Про обозначение разных полевых транзисторов на схеме читайте тут.

Обычно, дискретный, то есть отдельный транзистор имеет три вывода. Раньше его даже называли полупроводниковым триодом. Иногда у него может быть и четыре вывода, но четвёртый служит для подключения металлического корпуса к общему проводу. Он является экранирующим и не связан с другими выводами. Также один из выводов, обычно это коллектор (о нём речь пойдёт далее), может иметь форму фланца для крепления к охлаждающему радиатору или быть частью металлического корпуса.

Вот взгляните. На фото показаны различные транзисторы ещё советского производства, а также начала 90-ых.

А вот это уже современный импорт.

Каждый из выводов транзистора имеет своё назначение и название: база, эмиттер и коллектор. Обычно эти названия сокращают и пишут просто Б (База), Э (Эмиттер), К (Коллектор). На зарубежных схемах вывод коллектора помечают буквой C, это от слова Collector - "сборщик" (глагол Collect - "собирать"). Вывод базы помечают как B, от слова Base (от англ. Base - "основной"). Это управляющий электрод. Ну, а вывод эмиттера обозначают буквой E, от слова Emitter - "эмитент" или "источник выбросов". В данном случае эмиттер служит источником электронов, так сказать, поставщиком.

В электронную схему выводы транзисторов нужно впаивать, строго соблюдая цоколёвку. То есть вывод коллектора запаивается именно в ту часть схемы, куда он должен быть подключен. Нельзя вместо вывода базы впаять вывод коллектора или эмиттера. Иначе не будет работать схема.

Как узнать, где на принципиальной схеме у транзистора коллектор, а где эмиттер? Всё просто. Тот вывод, который со стрелкой – это всегда эмиттер. Тот, что нарисован перпендикулярно (под углом в 900) к центральной черте – это вывод базы. А тот, что остался – это коллектор.

Также на принципиальных схемах транзистор помечается символом VT или Q. В старых советских книгах по электронике можно встретить обозначение в виде буквы V или T. Далее указывается порядковый номер транзистора в схеме, например, Q505 или VT33. Стоит учитывать, что буквами VT и Q обозначаются не только биполярные транзисторы, но и полевые в том числе.

Далее узнаем, как найти транзисторы на печатной плате электронного прибора.

В реальной электронике транзисторы легко спутать с другими электронными компонентами, например, симисторами, тиристорами, интегральными стабилизаторами, так как те имеют такие же корпуса. Особенно легко запутаться, когда на электронном компоненте нанесена неизвестная маркировка.

В таком случае нужно знать, что на многих печатных платах производится разметка позиционирования и указывается тип элемента. Это так называемая шелкография. Так на печатной плате рядом с деталью может быть написано Q305. Это значит, что этот элемент транзистор и его порядковый номер в принципиальной схеме – 305. Также бывает, что рядом с выводами указывается название электрода транзистора. Так, если рядом с выводом есть буква E, то это эмиттерный электрод транзистора. Таким образом, можно чисто визуально определить, что же установлено на плате – транзистор или совсем другой элемент.

Как уже говорилось, это утверждение справедливо не только для биполярных транзисторов, но и для полевых. Поэтому, после определения типа элемента, необходимо уточнять класс транзистора (биполярный или полевой) по маркировке, нанесённой на его корпус.


Полевой транзистор FR5305 на печатной плате прибора. Рядом указан тип элемента - VT

Любой транзистор имеет свой типономинал или маркировку. Пример маркировки: КТ814. По ней можно узнать все параметры элемента. Как правило, они указаны в даташите (datasheet). Он же справочный лист или техническая документация. Также могут быть транзисторы этой же серии, но чуть с другими электрическими параметрами. Тогда название содержит дополнительные символы в конце, или, реже, в начале маркировки. (например, букву А или Г).

Зачем так заморачиваться со всякими дополнительными обозначениями? Дело в том, что в процессе производства очень сложно достичь одинаковых характеристик у всех транзисторов. Всегда есть определённое, пусть и, небольшое, но отличие в параметрах. Поэтому их делят на группы (или модификации).

Строго говоря, параметры транзисторов разных партий могут довольно существенно различаться. Особенно это было заметно ранее, когда технология их массового производства только оттачивалась.

Главная &raquo Радиоэлектроника для начинающих &raquo Текущая страница

Также Вам будет интересно узнать:

 

go-radio.ru

Кодовая и цветовая маркировка транзисторов

При маркировке транзисторов, изготовленных в корпусах КТ-27(Т0-126), КТ-26(ТО-92) используют цветовую (нанесение точек разнообразных цветов) и кодовую (символы). В виду отсутствия общего стандарта, в странах бывшего СССР  часто встречаются транзисторы одной группы и типа, обозначения которых выполняется по-разному либо же на различные транзисторы  наносят одинаковые коды.

Различие же подобных маркировок – в осуществлении дополнительной цветовой покраски торца корпуса полупроводника или же конструктивным исполнением корпуса. Абсолютное  и урезанное обозначение транзисторов имеющих среднюю и малую мощность осуществляется с помощью цветных точек (двух или же четырех), или с помощью кодовых знаков в виде геометрических фигур (кодов). При полной маркировке на корпус полупроводника наносится тип, группа дата выпуска.

Кодовая маркировка транзисторов

 

 

Цветовая маркировка транзисторов

Для облегчения определения типа транзистора, имеющего на своем корпусе цветовую маркировку, можно использовать следующую несложную программу «Транзистор»:

Скачать программу "Транзистор" (1,1 Mb, скачано: 10 673)

Смотрите также: «Цветовая маркировка резисторов«

www.joyta.ru

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

Цветовая и кодовая маркировка в корпусе КТ-26

 

Цветовая кодировка группы

Группа Цветная
точка сверху
А Темно-красная
Б Желтая
В Темно-зеленая
Г Голубая
Д Синяя
Е Белая
Ж Темно-коричневая
И Серебристая
К Оранжевая
Л Светло-табачная
М Серая

Кодовая маркировка радиоэлементов в корпусе КТ-27

Пример


Кодовая маркировка даты выпуска приборов

Год Кодированное
обозначение
1983 R
1984 S
1985 Т
1986 U
1987 V
1988 W
1989 X
1990 A
1991 В
1992 С
1993 D
1994 E
1995 F
1996 H
1997 J
1998 K
1999 L
2000 N

 

Месяц Кодированное
обозначение
Январь 1
Февраль 2
Март 3
Апрель 4
Май 5
Июнь 6
Июль 7
Август 8
Сентябрь 9
Октябрь 0
Ноябрь N
Декабрь D

cxem.net

Отправить ответ

avatar
  Подписаться  
Уведомление о