Rfp50N06 параметры: RFP50N06, Транзистор полевой N-канальный 60В 50А 0.022 Ом 131Вт ON Semiconductor купить оптом и в розницу

Аналоги для RFP50N06 / Fairchild

Исходное наименование		i	Упаковка	Корпус	Тип	Uси	Iс(25°C)	RDS on	Rси (вкл)	Uзатв (ном)	Uзатв(макс)	Qзатв	Pрасс	Примечание	Cзатв	Особенности	Карточка товара
RFP50N06 (FAIR)   RFP50N06 (ONS-FAIR)				TO-220-3										50A, 60V, 0. 022 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
Аналогичная по основным параметрам, но без гарантии совместимости по корпусу или выводам замена
WMO80N08TS (WAYON)	A+		2500 шт
STP55NF06 (ST)	A+		в линейках 50 шт
WMK50N06TS (WAYON)	A+		в линейках 1000 шт	TO-220-3
WMK80N06T1 (WAYON)	A+		в линейках 1000 шт	TO-220-3
WMK80N08TS (WAYON)	A+		в линейках 1000 шт	TO-220-3
STP80NF70 (ST)	A+		в линейках 50 шт	TO-220-3										Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 68V, 0. 0098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
STP75NF75 (ST)	A+		в линейках 50 шт											Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
WMO076N06LG2 (WAYON)	A+		в ленте 2500 шт
WMO50N06TS (WAYON)	A+		в ленте 2500 шт
WMO80N06T1 (WAYON)	A+		в ленте 2500 шт
STP65NF06 (ST)	A+		в линейках 50 шт											Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0. 014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IRF2807PBF (INFIN)	A+		в линейках 50 шт											HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
CSD18563Q5AT (TI)	A+		в ленте 250 шт	DFN-8 TDFN8										60-V N-Channel NexFET Power MOSFET
CSD18537NQ5A (TI)	A+		в ленте 2500 шт	DFN-8 TDFN8										60-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
AUIRF2807 (INFIN)	A+		в линейках 50 шт											Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0. 013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
WMQ060N08LG2 (WAYON)	A+		в ленте 3000 шт
WMQ060N06LG2 (WAYON)	A+		1 шт
WMO060N06LG2 (WAYON)	A+		в ленте 2500 шт
WMM80N08TS (WAYON)	A+		в ленте 800 шт
WMK90N08TS (WAYON)	A+		в линейках 1000 шт	TO-220-3
STP55NF06FP (ST)	A+		в линейках 50 шт											Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0. 018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
STP55NF06L (ST)	A+		в линейках 50 шт											Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
STB55NF06LT4 (ST)	A+		1000 шт											Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 60V, 0. 02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
STB55NF06T4 (ST)	A+		1000 шт											Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
STB60NF06T4 (ST)	A+		в ленте 1000 шт											N-channel 60V – 0. 014Om – 60A STripFET™ II Power MOSFET

Транзисторы полевые RFP50N06 в Пензе: 154-товара: бесплатная доставка [перейти]

Партнерская программаПомощь

Пенза

Каталог

Каталог Товаров

Одежда и обувь

Одежда и обувь

Стройматериалы

Стройматериалы

Текстиль и кожа

Текстиль и кожа

Здоровье и красота

Здоровье и красота

Детские товары

Детские товары

Продукты и напитки

Продукты и напитки

Электротехника

Электротехника

Дом и сад

Дом и сад

Мебель и интерьер

Мебель и интерьер

Сельское хозяйство

Сельское хозяйство

Торговля и склад

Торговля и склад

Все категории

ВходИзбранное

ЭлектроникаПолупроводниковые элементы и приборыТранзисторыТранзисторы полевыеТранзисторы полевые RFP50N06

RFP50N06 N-канальный 60В 50А 131W TO-220 Полевой транзистор ONS Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

RFP50N06, Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

STP50N06FP транзистор Тип: транзистор, Производитель: STMicroelectronics

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

RFP50N06, Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

RFP50N06, Транзистор полевой N-канальный 60В 50А 0. 022 Ом 131Вт ON Semiconductor Тип: транзистор,

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

FQD50N06 50N06 TO252 MOSFET 50A 60V

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

FQP50N06, Транзистор, N-канал 60В 50А [TO-220] Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

STP50N06FP транзистор Тип: транзистор, Производитель: STMicroelectronics

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

FQP50N06, Транзистор, N-канал 60В 50А [TO-220] Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

Транзистор RFP50N06 Тип: транзистор, Производитель: STMicroelectronics

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

RFP50N06, Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

МОП-транзистор Fairchild Semiconductor RFP50N06 1 N-канал, 131 Вт, TO-220AB Тип: транзистор,

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

ONSEMI RFP50N06 Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

FQP50N06 (60V 50A 120W N-Channel MOSFET) TO220 Транзистор Тип: корпус

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

RFP50N06 — MOSFET — силовой, N-канальный 60 В, 50 А, 22 мОм

%PDF-1. 4 % 1 0 объект > эндообъект 5 0 объект > эндообъект 2 0 объект > эндообъект 3 0 объект > эндообъект 4 0 объект > транслировать Acrobat Distiller 22.0 (Windows)BroadVision, Inc.2022-08-17T09:20:13+02:002022-08-17T09:18:52+02:002022-08-17T09:20:13+02:00application/pdf

RFP50N06 — MOSFET — силовой, N-канальный 60 В, 50 А, 22 мОм

онсеми

Эти N-канальные силовые МОП-транзисторы изготавливаются по технологии MegaFET. Этот процесс, в котором используются размеры элементов, приближающиеся к размерам интегральных схем БИС, обеспечивает оптимальное использование кремния, что приводит к выдающимся характеристикам.

UUID: fd5d7dd7-bbaf-4fbc-a476-93aa02da3f2auuid: e28b41cb-bb5e-4578-9b60-c24fb7f2aa95 конечный поток эндообъект 6 0 объект > эндообъект 7 0 объект > эндообъект 8 0 объект > эндообъект 90 объект > эндообъект 10 0 объект > эндообъект 11 0 объект > эндообъект 12 0 объект > эндообъект 13 0 объект > эндообъект 14 0 объект > эндообъект 15 0 объект > эндообъект 16 0 объект > эндообъект 17 0 объект > эндообъект 18 0 объект > эндообъект 19 0 объект > эндообъект 20 0 объект > эндообъект 21 0 объект > эндообъект 22 0 объект > эндообъект 23 0 объект > эндообъект 24 0 объект > эндообъект 25 0 объект > транслировать H \ WI% 7 € Shm (YsJ ‘ nзwdfHU6+4RC_) – r#|9$!KKb%|O W-5`o(Uj`a[oXBsx~|lR?Lp6;>b U Z%Ղ/_/I$()+0~՘:RQl8{Ws ,ɞٵX) ymG0JWKLax] лТ(qG1JNVí zKJU8@+-{ඁ΀&”Ca{ ic`VspokeZU $HEUc!8z]k ?&9г i8%hC/QYʱ:buUϭ LHoY9 ?%Nu{)v 0l{+NͥʹC,wy

%uʚVs Vɶs>hؕ’D=贃Js, ?gx%}:N@l\SF҇yYJ

Фелер 404

Фелер 404 изображение/svg+xml

Auswahl von Land und Sprache beeinflusst Deine Geschäftsbedingungen, Produktpreise und Sonderangebote

Sprache

Верунг

Preise

нетто

брутто

нетто

брутто

Nutze diesuchmaschine, um Themen zu finden, die Dich interessieren:

Каталог Ви кауфт человек Хильфе

или zurück zu: Дом

Abonnieren Sie jetzt

В том же информационном бюллетене вы найдете самые интересные и интересные сведения о новых продуктах, товарах и услугах на веб-сайте TME.
Hier können Sie sich auch von der Liste abmelden.

* Pflichtfeld

AnmeldenAuf Mitteilungsblatt verzichten

Ich habe mich mit der Ordnung des TME-Bulletins bekannt gemacht und erteile meine Zustimmung, damit das elektronische Informationsbulletin des TME-Dienstes meine E-Mail-Adresse geschickt wird. Ordnung des TME-Bulletins

*

1. Transfer Multisort Elektronik sp. о.о. mit Sitz в Лодзи, Адрес: ул. Устронная 41, 93-350 Łódź teilt hiermit mit, dass sie der Administrator Ihrer personenbezogenen Daten sein wird.
2. Ein Datenschutzbeauftragter wird beim Administrator der personenbezogenen Daten ernannt und kann per E-Mail unter [email protected] kontaktiert werden.
3. Ihre Daten werden verarbeitet auf Grundlage von Art. 6 Абс. 1 лит. a) der Verordnung des Europäischen Parlaments und des Rates (EU) 2016/679 vom 27. April 2016 zum Schutz natürlicher Personen bei der Verarbeitung personenbezogener Daten und zum freien Datenverkehr und zur Aufhebung der Richtlinie 95/46/EG (nachstehend “DSGVO” genannt), um an die angegebene E-Mail-Adresse den elektronischen Newsletter von TME zu senden.
4. Die Angabe der Daten ist freiwillig, jedoch für den Versand des Newsletters erforderlich.
5. Ihre personenbezogenen Daten werden gespeichert, bis Ihre Einwilligung für die Verarbeitung Ihrer personenbezogenen Daten widerufen.
6. Sie haben das Recht auf Zugang, Berichtigung, Löschung oder Einschränkung der Verarbeitung Ihrer Daten;
Soweit Ihre personenbezogenen Daten aufgrund einer Einwilligung verarbeitet werden, haben Sie das Recht, die Einwilligung zu widerufen. Der Widerruf der Einwilligung berührt nicht die Rechtmäßigkeit der Verarbeitung auf der Grundlage der Einwilligung vor dem Widerruf.
7. Soweit Ihre Daten zum Zwecke des Vertragsabschlusses und der Vertragsabwicklung oder aufgrund Ihrer Einwilligung verarbeitet werden, haben Sie auch das Recht, Ihre personenbezogenen Daten zu übertragen, d. час von der verantwortlichen Stelle in structurierter, allgemein üblicher und maschinenlesbarer Form zu erhalten. Sie können diese Daten einen anderen Datenadministrator übersenden.
8. Sie haben auch das Recht, eine Beschwerde bei der für Datenschutz zuständigen Aufsichtsbehörde einzureichen.

больше Венигер

TME-Newsletter abonnieren

Ангбот – Рабат – Нойхайтен. Sei auf dem Laufenden mit dem Angebot von TME

AGB zum Информационный бюллетень Auf Mitteilungsblatt verzichten

Daten werden verarbeitet

Die Operation wurde erfolgreich durchgeführt.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuche noch einmal.

Логин

Пароль

Логин и пароль заранее.