Rjh60F7Dpq: RJH60F7DPQ-A0#T0, Транзистор IGBT Chip N-CH 600В 90А 328.9Вт [TO-247A], Renesas

Содержание

Renesas Electronics RJH60F7DPQ-00#T0 IGBT, 90 A 600 V, 3-Pin TO-247A, Through Hole

View all IGBTs

Discontinued product

RS Stock No.:: 761-6879
Mfr . Часть №:: RJH60F7DPQ -00#T0
Производитель:: Renesas Electronics

Технические данные

DOCPDF600 V – 50 -IGBT High Speed Power Switing
VOMPDECTION
VOMPDECTION
6 V -50 – IGBT VISTECTION
6 V -50 -IGBT VISTECTIA0027

DOCZIPBUILD или запрос символа PCB и следа

DOCZIPBUILD или Запрос Символ и PCB.

Биполярный транзистор с изолированным затвором или IGBT представляет собой силовой полупроводниковый прибор с тремя выводами, отличающийся высокой эффективностью и быстрым переключением. БТИЗ сочетает в себе простые характеристики управления затвором МОП-транзисторов с возможностями биполярных транзисторов по сильнотоку и низкому напряжению насыщения за счет объединения полевого транзистора с изолированным затвором для управляющего входа и биполярного силового транзистора в качестве переключателя в одном корпусе. устройство.

Specifications

Attribute	Value
Maximum Continuous Collector Current	90 A
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Gate Emitter Voltage	±30 В
Максимальная рассеиваемая мощность	328,9 Вт
Тип корпуса	TO-247A
Mounting Type	Through Hole
Channel Type	N
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Dimensions	15. 9 x 5.02 x 21.13mm
Максимальная рабочая температура	+150 °C

Спецификация RJH60F7DPQ-A0-T0 – Технические характеристики: Полярность: N-канальный ; Тип упаковки:

Детали, спецификация, цитата по номеру детали: RJH60F7DPQ-A0-T0

Деталь	RJH60F7DPQ-A0-T0
Категория	Дискретные => Транзисторы => Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Наименование	90 А, 600 В, N-КАНАЛЬНЫЙ БТИЗ
Описание
Компания	Ренесас
Спецификация	Загрузить RJH60F7DPQ-A0-T0 Лист данных
Цитата	Где купить

Specifications
Polarity	N-Channel
Package Type	TO-3, SC-65, TO-3P, 3 PIN
Number of units in IC	1

Функции, приложения

Кремниевый N-канальный IGBT Высокоскоростное переключение питания
Характеристики

Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) 1,35 В тип. (при 50 A, VGE = 25C) Встроенный диод с быстрым восстановлением в одном корпусе Технология Trench gate and thin wafer Высокоскоростное переключение 74 нс тип. (при 30 А, VCE 400 В, VGE = 25C, индуктивная нагрузка)

Параметр Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение затвор-эмиттер Ток коллектора = 100C Пиковый ток коллектора Прямой пик тока коллектора-эмиттера Диод рассеивания коллектора Тепловой импеданс переход-корпус (IGBT) Термический импеданс переход-корпус (диод) Температура перехода Температура хранения Примечания: 1. Ширина импульса ограничена безопасной рабочей зоной. 5 с, коэффициент заполнения 1 % Обозначение VCES VGES IC ic(пиковое) Примечание1 iDF(пиковое) Примечание2 PC j-c Tj Tstg Номинальные значения до +150 Единица измерения C/W C

Элемент Нулевое напряжение затвора Ток коллектора Ток утечки затвор-эмиттер Напряжение отсечки затвор-эмиттер Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Входная емкость Выходная емкость Обратная передаточная емкость Время переключения Символ ICES IGES VGE(off) VCE(sat) Cies Coes Cres td(on) tr td(off) tf VECF1 trr Min 4 Typ Max Unit V ns Условия испытаний VCE = 600 В, VGE = 0 VGE 30 В, VCE = 0 VCE 50 А, VGE 90 А, VGE 15 В Примечание3 VCE 25 В VGE МГц 30 А, VCE 400 В, ВГЭ 5 Примечание3 Индуктивная нагрузка 20 А

Прямое напряжение диода C-E Время обратного восстановления диода C-E Примечания: 3.

Импульсный тест
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер в зависимости от напряжения затвор-эмиттер (типичное значение)

Напряжение затвор-эмиттер VGE (В) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер в зависимости от температуры перехода (типичное значение)

Напряжение затвор-эмиттер VGE (В) Напряжение отсечки затвор-эмиттер в зависимости от температуры перехода (типичное значение)

Связанные продукты с тем же паспортом

РДЖХ60Ф7БДПК-А0#Т0

Номер детали того же производителя Renesas

RJH60T4DPQ-A0-T0 Технические характеристики: Полярность: N-канальная; Тип упаковки: ТО-247, ТО-247А, 3 контакта; Количество единиц в IC: 1

RJH60V2BDPE-00J3 Технические характеристики: Тип/технология транзистора: IGBT

RJJ0315DPA-00-J53 Технические характеристики: Полярность: P-канал; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 30 вольт; RDS(вкл.

): 0,0100 Ом; Тип упаковки: БЕЗ ГАЛОГЕНА И СВИНЦА, WPAK(2), 8 PIN; Количество единиц в IC: 1

РДЖЖ0621ДПП-Э0-Т2

RJK0202DSP-00-J0 Технические характеристики: Полярность: N-канальная; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 20 вольт; RDS(вкл.): 0,0087 Ом; Тип упаковки: 4,90 х 3,95 мм, пластик, СОП-8; Количество единиц в IC: 1

РДЖК0206ДПА-00-ДЖ53

РДЖК0210ДПА-00-ДЖ5А

RJK0213DPA-00-J53 Технические характеристики: Полярность: N-канальная; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 25 вольт; RDS(вкл.): 0,0033 Ом; Тип упаковки: ГАЛОГЕН И БЕЗ СВИНЦА, WPAK(2), 8 PIN; Количество единиц в IC: 1

РДЖК0216ДПА-00-Дж5

RJK0301DPB-EL-E Технические характеристики: Полярность: N-канальная; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 30 вольт; RDS(вкл.): 0,0040 Ом; Тип упаковки: плоская упаковка, без свинца, SC-100, LFPAK-5; Количество единиц в IC: 1

РДЖК0323ДЖПД-00-Дж3

RJK0364DPA-02-J0 Технические характеристики: Полярность: N-канальная; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 30 вольт; RDS(вкл.

): 0,0105 Ом; Тип упаковки: ГАЛОГЕН И БЕЗ СВИНЦА, WPAK(2), 8 PIN; Количество единиц в IC: 1

РДЖК0365ДПА-02-ДЖ0

РДЖК0366ДПА-02-ДЖ0

РДЖК0379ДПА-00-ДЖ53

РДЖК03К2ДПБ-00-Дж5

РДЖК03К5ДПА-00-Дж53

РДЖК03Э3ДНС-00-ДЖ5

РДЖК03Е4ДПА-00-ДЖ53

РДЖК03Ф6ДНС-00-ДЖ5

РДЖК03х2ДПА-00-ДЖ5А

M38513FB-SP: однокристальный 8-разрядный микрокомпьютер CMOS

HD74LV595ATELL: 8-битные регистры сдвига с выходами с 3 состояниями

RKV651KL : Диод с переменной емкостью для FM-тюнера IC

BCR10PM-12LG : Симистор средней мощности

M38032F1-XXXSP: Однокристальный 8-битный микрокомпьютер CMOS

HD74HC3P: СЕРИЯ HC/UH, 8-ВХОДНЫЕ ЗАтворы NAND, PDIP14 Технические характеристики: Тип затвора: NAND; Напряжение питания: 4,5 В; Семейство логики: CMOS; Входы: 8 ; Задержка распространения: 165 нс; Рабочая температура: от -40 до 85 C (от -40 до 185 F); Количество выводов: 14; Тип упаковки ИС: Другое, DP-14

HD74HC4024FPEL: СЕРИЯ HC/UH, СИНХРОНИЗИРОВАННЫЙ 10-БИТНЫЙ КОЛЬЦЕВОЙ СЧЕТЧИК, PDIP16 Спецификации: Тип счетчика: Кольцевой; Категория счетчика: Синхронный ; Направление счетчика: ВВЕРХ; Напряжение питания: 4,5 В; Тип упаковки: ДП-16; Семейство логики: CMOS, HC/UH; Количество контактов: 16; Количество этапов (бит): 10 бит; Рабочая температура: от -40 до 85 C (от -40 до 185 F)

RD4.