характеристики (параметры), отечественные аналоги, цоколевка
Главная » Транзистор
S8050 — кремниевый, со структрурой NPN, эпитаксиально-планарный малосигнальный транзистор для общего применения. Конструктивное исполнение – ТО-92 и SMD (SOT-23).
Содержание
- Корпус и цоколевка
- Предназначение
- Характерные особенности
- Предельные эксплуатационные характеристики
- Электрические параметры (при Ta = 25°C)
- Модификации и маркировка транзистора S8050
- Аналоги
- Производство российское и белорусское
- Зарубежное производство
- Графические иллюстрации характеристик
Корпус и цоколевка
Предназначение
Транзистор разработан для применения в выходных аудио усилителях двухтактной связи класса В и аппаратуре общего назначения.
Характерные особенности- Высокий коллекторный ток: IC до 1,5 А.
- Высокая рассеиваемая мощность: PC до 2 Вт при TC = 25°C.
- Комплементарная пара: транзистор S8550.
Предельные эксплуатационные характеристики
Данные в таблице действительны при температуре среды Ta=25°C
| Характеристика | Обозначение | Величина |
|---|---|---|
| Напряжение коллектор – база транзистора, В | VCBO | 40 |
| Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В | VCEO | 25 |
| Напряжение эмиттер – база транзистора, В | VEBO | 6 |
| Ток коллектора, А | IC | 1,5 |
| Рассеиваемая мощность, Вт | PC | 1 |
| Предельная температура полупроводниковой структуры, °С | Tj | 150 |
| Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° | Tstg | -65…+150 |
Электрические параметры (при T
a = 25°C)| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения |
|---|---|---|---|
| Ток коллектора выключения, мкА | ICBO | UCB = 35 В В, IE = 0 | ≤ 0,1 |
| Ток эмиттера выключения, мкА | IEBO | UEB = 6 В, IC = 0 | ≤ 0,1 |
| Напряжение пробоя коллектор-база, В | UCBO | IC = 100 мкА, IE = 0 | ≥ 40 |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В | UCEO | IC = 2 мА, IB = 0 | ≥ 25 |
| Напряжение пробоя база-эмиттер, В | UEBO | IE = 100 мкА, IC = 0 | ≥ 6 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat) | IC = 0,8 А, IB = 0,08 А | ≤ 0,5 |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UBE(sat) | IC = 0,8 А, IB = 0,08 А | ≤ 1,2 |
| Статический коэффициент усиления по току | hFE (1) | UCE = 1 В, IC = 0,005 мА | 135 |
| hFE (2) | UCE = 1 В, IC = 0,1 мА | 160 | |
| hFE (3) | UCE = 1 В, IC = 0,8 мА | 110 | |
| Частота среза, МГц | fT | UCE = 10 В, IC = 0,05 мА | 190 |
| Выходная емкость, pF | Cob | UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц | 9 |
٭ — производитель разделяет транзисторы по величине параметра hFE на группы B, C, D в пределах указанного диапазона.
См. таблицу.
| Классификация | B | C | D |
|---|---|---|---|
| hFE (2) | 85…160 | 120…200 | 160…300 |
Модификации и маркировка транзистора S8050
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Корпус | Маркировка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 | – |
| GS8050T | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 45 | TO-92 | – |
| GSTSS8050 | 1 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | – | 85 | TO-92 | – |
| MPS8050 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 190 | 9 | 85 | TO-92 | – |
| S8050A/B/C/D/G | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8/0,5 | 150 | 100/150 | 9 | 85…300 | TO-92 | – |
| S8050T | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,5 | 150 | 150 | – | 85 | TO-92 | – |
| SPS8050 | 0,625 | 15 | 12 | 6,5 | 1,5 | 150 | 260 | 5 | 200 | TO-92 | – |
| SS8050/C/D/G | 1 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | – | 85…400 | TO-92 | – |
| SS8050T | 1 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | – | 85 | TO-92 | – |
| STS8050 | 0,625 | 30 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 120 | 19 | 85 | TO-92 | – |
| Транзисторы исполнения SMD и их маркировка | |||||||||||
| MMSS8050W-H/J/L | 0,2 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | 15 | 120…400 | SOT-323 | Y1 |
| S8050W | 0,25 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | SOT-323 | Y1 |
| SS8050W | 0,2 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | – | 120 | SOT-323 | Y1 |
| GSTSS8050LT1 | 0,225 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | – | 100 | SOT-23 | 1HA |
| MMSS8050-L/H | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | – | 120…350 | SOT-23 | Y1 |
| MPS8050S | 0,35 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 190 | – | 85 | SOT-23 | – |
| MPS8050SC | 0,35 | 40 | 25 | 5 | 1,2 | 150 | 150 | – | 85…300 | SOT-23 | – |
| MS8050-H/L | 0,2 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 150 | – | 80…300 | SOT-23 | Y11 |
| S8050 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | – | 120 | SOT-23 | – |
| S8050M-/B/C/D | 0,45 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85…300 | SOT-23 | HY3B/C/D |
| SS8050LT1 | 0,225 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 150 | – | 120 | SOT-23 | KEY |
| KST8050D | 0,25 | 50 | 50 | 6 | 1,2 | 150 | 100 | – | 100…320 | SOT-23 | Y1C, Y1D |
| KST8050M | 0,3 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 150 | – | 40…400 | SOT-23 | Y11 |
| KST8050X | 0,3 | 40 | 20 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | 20 | 40…350 | SOT-23 | Y1+ |
| KST9013 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | – | 200…400 | SOT-23 | J3 |
| KST9013C | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | – | 40…200 | SOT-23 | J3Y |
| S8050LT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | – | 120 | SOT-23 | J3Y |
| MMS8050-L/H | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | – | 50…350 | SOT-23 | J3Y |
| DMBT8050 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,8 | 150 | 100 | – | 120 | SOT-23 | J3Y |
| KST8050S | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | – | 50…400 | SOT-23 | J3Y |
| KTD1304S | 0,2 | 25 | 20 | 12 | 0,3 | 150 | 50 | 10 | 20…800 | SOT-23 | J3Y |
| KTD1304 | 0,2 | 25 | 20 | 12 | 0,3 | 150 | 60 | – | 20…1000 | SOT-23 | J3Y или MAX |
Миниатюрные размеры SMD-корпусов (SOT-23, SOT-323) не позволяют производителю использовать традиционные способы маркировки продукции.
Поэтому обычно применяется 2-4 символьный буквенно-цифровой код, наносимый на лицевую поверхность корпуса. Какая-либо единая система среди производителей отсутствует. Кроме того, некоторые предприятия используют одинаковые обозначения, не позволяющие однозначно идентифицировать производителя. Во многих случаях отличающиеся одним символом коды используются и для обозначения групп одного и того же изделия в разных диапазонах значений параметра hFE.
Наиболее часто встречающийся маркировочный код “J3Y” соответствует транзисторам S8050 компаний-производителей: «DC COMPONENTS», «KEXIN», «SECOS», «Jin Yu Semiconductor», «LGE», «WEITRON», «MCC», «GLOBALTECH Semiconductor», «Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technologies».
Аналоги
Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные. Предназначены для применения в высокочастотных устройствах и узлах радиоэлектронной аппаратуры общего применения.
Производство российское и белорусское
| Модель | PC Ta = 25°C | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 |
| КТ6111 А/Б/В/Г | 1 | 40 | 25 | 6 | 0,1 | 150 | 100 | 1,7 | 45…630 | TO-92 |
| КТ6114 А/Б/В | 0,45 | 50 | 45 | 5 | 0,1 | 150 | 150 | 3,5 | 60…1000 | TO-92 |
| КТ968 В | 4 | 300 | 200 | 5 | 0,1 | 150 | 90 | 2,8 | 35…220 | TO-39 |
Зарубежное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 |
| 3DG8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 |
| BC517S | 0,625 | 40 | 30 | 10 | 1 | 150 | 200 | – | 33000 | TO-92 |
| BTN8050A3 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 100 | 6 | 160 | TO-92 |
| BTN8050BA3 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 100 | – | 160 | TO-92 |
| CX908B/C/D | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1 | 150 | 100 | – | 120…260 | TO-92 |
| KTC3203 | 0,625 | – | 30 | – | 0,8 | 150 | 190 | – | 100 | TO-92 |
| KTC3211 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 190 | 9 | 85 | TO-92 |
| KTS8050 | 0,625 | – | 25 | – | 0,8 | 175 | – | – | 100 | TO-92 |
| M8050-C/D | 0,625 | 40 | 25 | 6 | – | 150 | 150 | – | 120…160 | TO-92 |
| S8050 | 0,3 | 409 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | – | 120 | SOT-23 |
| 8050HQLT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | – | – | 150 | SOT-23 |
| 8050QLT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,8 | 150 | – | – | 150 | SOT-23 |
| 8050SLT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | – | 120 | SOT-23 |
| CHT9013GP | 0,3 | 45 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | – | 120 | SOT-23 |
| F8050HPLG | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | – | 120 | SOT-23 |
| KTC9013SC | 0,35 | 40 | 30 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | – | 200 | SOT-23 |
| MMBT8050D | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | – | 200 | SOT-23 |
| MMS9013-H/L | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | – | 200 | SOT-23 |
| NSS40201L | 0,54 | 40 | 25 | – | 4 | 150 | 150 | – | 120 | SOT-23 |
| NSS40201LT1G | 0,54 | 40 | 40 | 6 | 2 | – | 150 | – | 200 | SOT-23 |
| NSV40201LT1G | 0,54 | 40 | 40 | 6 | 2 | 150 | 150 | – | 200 | SOT-23 |
| PBSS4140T | 0,3 | 40 | 40 | 5 | 1 | 150 | 150 | – | 300 | SOT-23 |
| S9013 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,8 | 150 | 150 | – | 120 | SOT-23 |
| ZXTN2040F | 0,35 | – | 40 | – | 1 | – | 150 | – | 300 | SOT-23 |
| ZXTN25040DFL | 0,35 | – | 40 | – | 1,5 | – | 190 | – | 300 | SOT-23 |
| ZXTN649F | 0,5 | – | 25 | – | 3 | – | – | – | 200 | SOT-23 |
Примечание: все данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторной нагрузки IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах (управления) базы IB.
Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 1 В.
Рис. 3. Характеристика передачи транзистора. Зависимость выходного тока (тока коллектора IC) от входного напряжения (управления) база-эмиттер UBE.
Зависимость снята при напряжении коллектор — эмиттер UCE = 1 В.
Рис. 4. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) и эмиттер-база UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы IC/IB = 10.
Рис. 5. Изменение полосы пропускания (частоты среза) транзистора fT при возрастании коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 10 В.
Рис. 6. Зависимость изменения выходной емкости (коллекторного перехода) Cob от приложенного напряжения коллектор-база UCB при непроводящей коллекторной цепи IE = 0.
Частота процесса измерения составляет 1 МГц.
Транзисторы S8050, SS8050 Транзисторы кремниевые структуры n-p-n, высокочастотные усилительные.
Производитель – Китай.
Выпускаются в пластмассовом корпусе TO-92, с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе. Коэффициент передачи тока: Граничная частота передачи тока: Максимальное напряжение коллектор – эмиттер – 25 в. Максимальный ток коллектора(постоянный) –
У транзистора S8050 – 0,5 А, у SS8050 – 1,5 A. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 500мА, базы 50мА
– 0,6в. Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 500мА, базы 50мА –
– не выше 1,2в. Рассеиваемая мощность коллектора–
У транзистора S8050 – 0.3 Вт., у SS8050 – 1Вт. Отечественый аналог SS8050 – КТ6114Б, при использовании в УЗЧ и УПТ можно менять на КТ815Г, КТ817Г. Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 40 в – не более 0,1 мА. Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в – не более 0,1 мА. Транзисторы MJE13002(13002)Транзисторы MJE13002(13002) кремниевые мощные низкочастотные,структуры n-p-n, предназначены для работы в преобразователях напряжения. Корпус пластиковый TO-126. Маркировка буквенно – цифровая, на корпусе. На рисунке ниже – цоколевка MJE13002(13002). Коэффициент передачи тока –
от 8. Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер  Максимальный ток коллектора – 1,5 А. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А
– 1в. Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 1 А, базы 0,25 А –
– не выше 1,2в. Рассеиваемая мощность коллектора – около 40 Вт(на радиаторе). Граничная частота передачи тока – 4 МГц. Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 15 в – не более 1 мА. Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 9 в – не более 1 мА. MJE13002(13002) при необходимости, можно заменить на любой из транзисторов, превосходящий
его по характеристикам. На главную страницу Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт “Электрика это просто”. |
Например – КТ872.S8050 Transistor Pinout, Features, Equivalent, Circuit & Datasheet
1 мая 2018 – 0 комментариев
Номер контакта | | Описание |
1 | Излучатель | Утечка тока через эмиттер |
2 | Базовый | Управляет смещением транзистора |
3 | Коллектор | Ток протекает через коллектор |
Характеристики и характеристики
- Низковольтный сильноточный транзистор NPN
- Малый сигнальный транзистор
- Максимальная мощность: 2 Вт
- Максимальное усиление постоянного тока (hFE) равно 400
- Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 700 мА
- Напряжение база-эмиттер (VBE) равно 5 В
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) составляет 20 В
- Напряжение коллектор-база (VCB) составляет 30 В
- High Используется в двухтактной конфигурации усилителей класса B doe
- Доступен в пакете To-92
Примечание.
Полную техническую информацию по можно найти в техническом описании S8050 , приведенном в конце этой страницы.
Complementary PNP Transistors
S8550
Alternative NPN Transistors
S9014, MPSA42, SS8050, BC547, 2N2369, 2N3055, 2N3904, 2N3906
S8050 Equivalent Transistors
2N5830 , S9013
Краткое описание S8050
S8050 представляет собой NPN-транзистор , следовательно, коллектор и эмиттер остаются открытыми (обратное смещение), когда базовый вывод удерживается на земле и будет замкнут. смещен) при подаче сигнала на базовый контакт. Он имеет максимальное значение усиления 400; это значение определяет усилительную способность транзистора в обычном режиме С8050. Поскольку он очень высокий, его обычно используют для усиления. Однако при нормальном рабочем токе коллектора типичное значение коэффициента усиления будет равно 110.
Максимальный ток, который может протекать через вывод коллектора, составляет 700 мА, поэтому мы не можем управлять нагрузками, потребляющими более 700 мА, с помощью этого транзистора. Чтобы сместить транзистор, мы должны подать ток на вывод базы, этот ток (IB) должен быть ограничен 5 мА.
Когда этот транзистор полностью смещен, он может пропускать через коллектор и эмиттер максимум 700 мА. Этот этап называется областью насыщения, и типичное напряжение, допустимое на коллектор-эмиттер (VCE) или коллектор-база (VCB), может составлять 20 В и 30 В соответственно. Когда ток базы удаляется, транзистор полностью закрывается, этот этап называется областью отсечки.
S8050 в двухтактной конфигурации
Как указано в особенности транзистора S8050 обычно используются в двухтактной конфигурации с усилителем класса B. Итак, давайте обсудим, как это делается.
Двухтактный усилитель, широко известный как усилитель класса B, представляет собой тип многокаскадного усилителя, обычно используемого для усиления звука громкоговорителей.
Он очень прост в изготовлении и требует работы двух идентичных взаимодополняющих транзисторов. Под комплементарным это означает, что нам нужен NPN-транзистор и эквивалентный ему PNP-транзистор. Например, здесь NPN-транзистор будет S8050, а его эквивалентный PNP-транзистор будет 9.0025 S8550 . Простая принципиальная схема усилителя класса B с использованием S8050 показана ниже.
Приложения
- Схемы усиления звука
- Усилители класса B
- Двухтактные транзисторы
- Цепи, где требуется высокое усиление
- Применения со слабым сигналом
2D-модель и размеры
0025 Транзистор S8050 Datasheet будет полезно знать его тип упаковки и размеры.
Теги
Транзистор NPN
Транзистор
Применение транзистора S8050, спецификация, эквивалент, схема расположения выводов и техническое описание0102
| Номер контакта | Имя контакта | Описание |
| 1 | Излучатель | Ток протекает через эмиттер |
| 2 | База | Базовый вывод запускает транзистор |
| 3 | Коллектор | Ток протекает через коллектор |
Корпус TO-92
Транзистор S8050 имеет корпус транзистора TO-92, это очень распространенный корпус, используемый по многим причинам.
Корпус ТО-92 изготовлен из эпоксидной смолы и пластика, компактность и дешевизна – одно из преимуществ этого пакета.
Основной недостаток этого ТО-92 корпусного транзистора заключается в том, что он не выдержал большего значения мощности, поэтому при замене нужно проверить все параметры.
S8050 ОписаниеТранзистор S8050 работает как низковольтное сильноточное транзисторное устройство в приложениях, поэтому по этой причине транзисторы S8050 имеют схемы более общего назначения.
Значение усиления по току транзистора S8050 будет начинаться от 40 до 400hFE, схемы усилителя и регулятора напряжения в основном учитывают значение усиления по току.
Транзистор S8050 имел максимальное значение тока коллектора 700 мА, максимальное значение тока определяет пиковую нагрузку, допустимую для транзистора S8050.
Транзистор S8050 имел максимальную мощность рассеивания 1 Вт, мощность рассеяния на транзисторном устройстве определяет максимально допустимую мощность рассеяния устройства без каких-либо повреждений.
Частота перехода на этом транзисторе S8050 составляет 100 МГц, что является важным фактором при переключении приложений.
Температура перехода транзистора S8050 составляет 150°C.
S8050 Transistor Teet S8050 Transistor DatahashЕсли вам нужен таблица Dataashing в PDF, пожалуйста, нажмите на эту ссылку
S8050, эквивалент S8050,9. Трансляционный эквивалент S8050. , mpsw01ag.
Каждый транзистор в этом списке является транзистором NPN, в процессе замены нам необходимо свериться с электрическими характеристиками, поскольку некоторые из транзисторов в списке имеют более высокие значения напряжения и тока.
S8050, BC547, S8550, 2n2222Таблица ниже используется для сравнения каждого из транзисторов: S8050, BC547 и S8550, 2n2222.
Сравнение транзисторов основано на электрических характеристиках, это поможет тем, кому нужны сменные транзисторы для S8050.
| Характеристики | S8050 | S8550 (PNP) | BC547 | 2N2222 |
|---|---|---|---|---|
| Напряжение между коллектором и базой (VCB) | 30 В | -30 В | 60 В | 30 В |
| Напряжение между коллектором и эмиттером (VCE) | 20 В | -20 В | 30 В | 60 В |
| Напряжение между эмиттером и базой (VEB) | 5 В | -5 В | 5 В | 5 В |
| Ток коллектора (IC) | 700 мА | -700 мА | 800 мА | 800 мА |
| Рассеиваемая мощность | 1 Вт | 1 Вт | 500 мВт | 500 мВт |
| Температура перехода (TJ) | 150°C | 150°C | 150°C | 200°C |
| Частота перехода (FT) | 100 МГц | 100 МГц | 300 МГц | 250 МГц |
| Шум (Н) | – | – | 10 дБ | – |
| Коэффициент усиления (hFE) | от 40 до 400hFE | от 40 до 400hFE | от 110 до 800hFE | от 30 до 300hFE |
| Пакет | ТО-92 | ТО-92 | ТО-92 | ТО-18 |
- Схемы усилителя класса B
- Схемы двухтактных усилителей
- Коммутационные цепи
- Применение в цепях низкого напряжения
- Сильноточные цепи
- Применение малых сигналов
На рисунке показана схема усилителя класса B с использованием S8050 и его комплементарного транзистора.
