Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

s9014 транзистор характеристики и его российские аналоги

 

Эпитаксиальный биполярный кремниевый транзистор S9014 (или SS9014) по своим характеристикам является высокочастотным, средней мощности, NPN-структуры. Характеризуется большим коэффициентом передачи тока, низким уровнем шумов и хорошей линейностью. В связи с этим, он часто встречаются в радио-приемниках (передатчиках), различных схемах предварительного усиления сигнала.

Распиновка

Полупроводниковый кристалл s9014 размещен в стандартном пластиковом корпусе TO-92 для дырочного монтажа. Существуют также SMD-экземпляры в SOT-23, для поверхностного монтажа. Оба корпуса имеют три контакта и его цоколевка выглядит стандартно для такого типа транзисторов: эмиттер, коллектор, база.

Распиновка s9014

Транзисторы S9014 (A, B, C ,D) выпускаются в корпусе ТО-92, а S9014 (H и L) в корпусе для поверхностного монтажа SOT-23.

Характеристики

У всех устройств серии s9014 одинаковые предельно допустимые режимы эксплуатации и электрические характеристики. Различия есть только в значениях коэффициента усиления по току (H

FE). Так же следует обратить внимание на то, что у SMD-транзисторов в корпусе SOT-23 максимальная допустимая рассеиваемая мощность на коллекторе не более 200 мВ (mW), а в остальном предельные характеристики схожи с  параметрами устройств в корпусе ТО-92.

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Рассмотрим подробнее значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации (при температуре окружающей среды 25°С).Максимальные параметры ss9014

Электрические параметры

Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (FШ), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение FШ определяется при заданном сопротивлении источника сигнала (R

s) на частоте генерации 1 кГц. У s9014 коэффициент шума, в параметрах большинства производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.

Значения электрических параметров s9014

Классификация HFE

Как указывалось ранее, серия s9014 имеет разный коэффициент усиления по току, который может достигать величины в 1000 HFE. Выбрать транзистор с необходимым коэффициентом усиления можно по следующей классификации.

Группы h31Э у серии s9014

Аналоги

Аналогов зарубежных и российских у транзистора s9014 достаточно много. Из иностранных можно обратить внимание на такие: BC547, BC141, BC550, 2SC2675, 2SC2240. Отечественный аналог можно подобрать из КТ3102, КТ6111.

 Отечественная замена s9014

Комплементарная пара

Комплементарной парой к s9014 является транзистор с p-n-p-структурой s9015.

Маркировка

SS9014 это один из популярнейших транзисторов южнокорейской компании Samsung. Часто они маркируется на корпусе без префикса “S”. Похожие по характеристикам устройства выпускаются разными производителями и могут встретится с другой маркировкой, например: С9014, Н9014, L9014 и К9014. Корпус SMD-транзисторов S9014H, S9014L маркируется цифро-буквенным кодом “j6”.

SMD-корпус s9014h

Применение

Устройство нашло широкое применение в различных схемах усиления звука приемо-передающей аппаратуры, микрофонных усилителей, жучков (подслушивающих приборов) и других шпионских приспособлений. Очень часто встречаются в блоках питания к бытовым приборам, электронных таймерах, схемах стабилизации тока, разных мигалках, пищалках  и др. А вот пример схемы по сборке простейшего «Катчера Бровина».

Безопасность при эксплуатации

Не допускайте предельно допустимые значения эксплуатационных параметров при использовании устройства в своих схемах.

При пайке контактов не допустимо приближать жало паяльника к устройству ближе, чем на 5 миллиметров. Температура пайки не должна быть более +250 градусов, а временной период пайки каждого вывода не более 3 секунд.

Производители

Вы можете скачать datasheet от s9014 на русском языке. Ниже перечислены некоторые производители данного устройства с документацией.

 

shematok.ru

аналоги отечественные, характеристики транзистора, микросхема, даташит, аналог

Аналоги транзистора S9014:

↓ Type Mat Struct Pc Ucb Uce Ueb Ic Tj Ft Hfe Caps
2SC1623-L6 Si NPN 0.260,0050,005,00 0.1150,00250,00200,00 SOT23
2SC1623-L7 Si NPN 0.260,0050,005,00 0.1150,00 250,00300,00 SOT23
2SC1623SLT1 Si NPN 0.360,0050,007,00 0.15150,00180,00270,00 SOT23
2SC2412-S Si NPN 0.260,0050,007,00 0.15150,00180,00270,00 SOT23
2SC2412KSLT1 Si NPN 0.260,0050,007,00 0.15150,00180,00270,00 SOT23
2SC945LT1 Si NPN 0.2360,0050,005,00 0.15150,00150,00200,00 SOT23
2SD1501 Si NPN1,0070,001,00150,00250,00 SOT23
2SD1938
 Si NPN1,0050,00 0.3150,001000,00 SOT23
2STR1160 Si NPN 0.560,0060,005,001,00150,00250,00 SOT23
3DG847B Si NPN 0.3350,0045,006,00 0.2150,00250,00200,00 TO92 SOT23 TO18
50C02CH-TL-E Si NPN 0.760,0050,005,00 0.5150,00500,00300,00 SOT23
9014RLT1 Si NPN 0.350,0045,005,00 0.1150,00300,00200,00 SOT23
9014SLT1 Si NPN 0.350,00
45,00
5,00 0.1150,00300,00300,00 SOT23
BC817-40 Si NPN 0.3150,0045,005,00 0.5150,00200,00250,00 SOT23
BC817-40LT1 Si NPN 0.22550,0045,005,00 0.5150,00200,00250,00 SOT23
BC846BLT1 Si NPN 0.380,0060,006,00 0.1150,00300,00290,00 SOT23
BC846BR Si NPN 0.3180,0065,006,00 0.1150,00300,00200,00 SOT23
BC847BLT1 Si NPN 0.350,0045,006,00 0.1
150,00
300,00290,00 SOT23
BC847BR Si NPN 0.3150,0045,006,00 0.1150,00300,00200,00 SOT23
BC847C Si NPN 0.250,0045,006,00 0.1150,00300,00520,00 SOT23
BC847CLT1 Si NPN 0.350,0045,006,00 0.1150,00300,00520,00 SOT23
BC847CR Si NPN 0.3150,0045,006,00 0.1150,00300,00420,00 SOT23
BC850 Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00150,00200,00 SOT23
BC850A Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00300,00290,00 SOT23
BC850B Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00300,00290,00 SOT23
BC850BLT1 Si NPN 0.350,0045,005,00 0.1150,00300,00290,00 SOT23
BC850BR Si NPN 0.3150,0045,005,00 0.1150,00300,00200,00 SOT23
BC850C Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00300,00520,00 SOT23
BC850CLT1 Si
 NPN
 0.350,0045,005,00 0.1150,00300,00520,00 SOT23
BC850CR Si NPN 0.3150,0045,005,00 0.1150,00300,00420,00 SOT23
BCF81 Si NPN 0.3550,0045,005,00 0.1175,00300,00420,00 SOT23
BCF81R Si NPN 0.3550,0045,005,00 0.1175,00300,00420,00 SOT23
BCV47 Si NPN 0.3680,0060,0010,00 0.5150,00170,0010000,00 SOT23
BCV72 Si NPN 0.3580,0060,005,00 0.1175,00300,00200,00 SOT23
BCV72R Si NPN 0.3580,0060,005,00 0.1175,00300,00200,00 SOT23
BCW66KH Si NPN 0.575,0045,005,00 0.8170,00250,00 SOT23
BCW72L Si NPN 0.22545,00 0.1200,00 SOT23
BCW72LT1G Si NPN 0.22550,0045,005,00 0.1150,00300,00200,00 SOT23
BCW72R Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00150,00200,00 SOT23
BCW81 Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00200,00420,00 SOT23
BCW81R Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00200,00420,00 SOT23
BCW82B Si NPN 0.22560,0050,006,00 0.1150,00150,00240,00 SOT23
BRY61 Si PNPN 0.2570,0070,0070,00 0.175150,001000,00 SOT23
BSP52T1 Si NPN 1.5100,0080,005,00 0.5150,00150,005000,00 SOT23
BSP52T3 Si NPN 1.5100,0080,005,00 0.5150,00150,005000,00 SOT23
BTD2150N3 Si NPN 0.22580,0050,006,004,00150,00175,00270,00 SOT23
BTN6427N3 Si NPN 0.225100,0060,0012,00 0.5150,0010000,00 SOT23
CMPT3820 Si NPN 0.3580,0060,005,001,00150,00150,00200,00 SOT23
CMPT491E Si NPN 0.3580,0060,005,001,00150,00150,00200,00 SOT23
DMBT9014 Si NPN 0.22550,0045,005,00 0.1150,00150,00200,00 SOT23
DNLS160 Si NPN 0.360,001,00150,00200,00 SOT23
DTD123 Si Pre-Biased-NPN 0.250,00 0.5150,00200,00250,00 SOT23
ECG2408 Si NPN 0.260,0065,00 0.3150,00300,00300,00 SOT23
FMMT493A Si NPN 0.560,001,00150,00500,00 SOT23
FMMTL619 Si NPN 0.550,00 1.25180,00300,00 SOT23
INC5006AC1 Si NPN 0.2100,0050,007,003,00150,00250,00400,00 SOT23
KC817A-40 Si NPN 0.3150,0045,005,00 0.5150,00170,00250,00 SOT23
KST9014 Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00150,00200,00 SOT23
KST9014-D Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00150,00300,00 SOT23
KTC9014SC Si NPN 0.3580,0050,008,00 0.1150,00150,00200,00 SOT23
L2SC1623SLT1G Si NPN 0.22560,0050,007,00 0.15150,00250,00270,00 SOT23
L2SC2412KSLT1G Si NPN 0.260,0050,007,00 0.15150,00180,00270,00 SOT23
L9014RLT1G Si NPN 0.22550,0045,005,00 0.1150,00200,00 SOT23
L9014SLT1G Si NPN 0.22550,0045,005,00 0.1150,00300,00 SOT23
L9014TLT1G Si NPN 0.22550,0045,005,00 0.1150,00400,00 SOT23
MMBT2484L Si NPN 0.22560,00 0.1250,00 SOT23
MMBT2484LT1G Si NPN 0.22560,0060,006,00 0.1150,00250,00 SOT23
MMBT945-H Si NPN 0.260,0050,005,00 0.15150,00150,00200,00 SOT23
MMS9014-H Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00150,00450,00 SOT23
MMS9014-L Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00150,00200,00 SOT23
MSD601 Si NPN 0.260,0050,007,00 0.1150,00210,00 SOT23
PBSS4041NT Si NPN 0.360,0060,005,00 3.8150,00175,00300,00 SOT23
PBSS4160T Si NPN 0.380,0060,005,001,00150,00150,00250,00 SOT23
PDTC114TT Si Pre-Biased-NPN 0.2550,0050,005,00 0.1150,00200,00 SOT23
PDTC143TT Si Pre-Biased-NPN 0.2550,0050,005,00 0.1150,00200,00 SOT23
S9014 Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00150,00200,00 SOT23
SBCW72LT1G Si NPN 0.2350,0045,005,00 0.1150,00300,00200,00 SOT23
SSTA28 Si NPN 0.280,0080,0012,00 0.3150,00200,0010000,00 SST3 SOT23
TBC850 Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00150,00200,00 SOT23
UN2210R Si Pre-Biased-NPN 0.250,0050,006,00 0.1150,00150,00210,00 SOT23 SC59
UN2210S Si Pre-Biased-NPN 0.250,0050,006,00 0.1150,00150,00290,00 SOT23 SC59
UN2215R Si Pre-Biased-NPN 0.250,0050,006,00 0.1150,00150,00210,00 SOT23 SC59
UN2215S Si Pre-Biased-NPN 0.250,0050,006,00 0.1150,00150,00290,00 SOT23 SC59
UN2216R Si Pre-Biased-NPN 0.250,0050,006,00 0.1150,00150,00210,00 SOT23 SC59
UN2216S Si Pre-Biased-NPN 0.250,0050,006,00 0.1150,00150,00290,00 SOT23 SC59
UN2217R Si Pre-Biased-NPN 0.250,0050,006,00 0.1150,00150,00210,00 SOT23 SC59
UN2217S Si Pre-Biased-NPN 0.250,0050,006,00 0.1150,00150,00290,00 SOT23 SC59
ZXTN07045EFF Si NPN 1.545,004,00150,00400,00 SOT23F
ZXTN19100CFF Si NPN 1.5100,00 4.5150,00200,00 SOT23F
ZXTN25050DFH Si NPN 1.2550,004,00200,00240,00 SOT23
ZXTN25100DFH Si NPN 1.25100,00 2.5175,00300,00 SOT23

Биполярный транзистор S9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: S9014

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
  • Корпус транзистора: SOT23

Транзистор S9014 можно заменить на KSP05, KSP06, KSP42, KSP43, KTC9014, MPSA42, MPSA43, MPSW05, MPSW05G, MPSW06, MPSW06G, MPSW42, MPSW42G, SS9014

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Рассмотрим подробнее значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации (при температуре окружающей среды 25°С).

Электрические параметры

Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (FШ), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение FШ определяется при заданном сопротивлении источника сигнала (Rs) на частоте генерации 1 кГц.

У s9014 коэффициент шума, в параметрах большинства производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.

Маркировка

SS9014 это один из популярнейших транзисторов южнокорейской компании Samsung. Часто они маркируется на корпусе без префикса “S”. Похожие по характеристикам устройства выпускаются разными производителями и могут встретится с другой маркировкой, например: С9014, Н9014, L9014 и К9014. Корпус SMD-транзисторов S9014H, S9014L маркируется цифро-буквенным кодом “j6”.

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: 2SC1623-L6

  • Маркировка: L6
  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
  • Корпус транзистора: SOT23

Наименование производителя: 2SC1623-L7

  • Маркировка: L7
  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
  • Корпус транзистора: SOT23

Наименование производителя: 2SC1623SLT1

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
  • Корпус транзистора: SOT-23

Наименование производителя: 2SC2412-S

  • Маркировка: BS
  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
  • Корпус транзистора: SOT23

Наименование производителя: 2SC2412KSLT1

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
  • Корпус транзистора: SOT-23

Автор: Редакция сайта

chem-zamenit.ru

Транзисторы 2SD2499(D2499) и STS9014 (S9014)

Транзисторы STS9014 (S9014)

Транзисторы STS9014 (S9014) – высокочастотные кремниевые n-p-n средней мощности. Корпус пластиковый TO-92, у транзисторов S9014L, S9014H – SOT-23. Маркировка у транзисторов с корпусом TO-92 буквенно – цифровая (S9014), у транзисторов с корпусом SOT-23 – код J6 сверху .
На рисунке ниже – цоколевка STS9014 (S9014), S9014L, S9014H.

Наиболее важные параметры.

Уровень собственных шумов на частоте 1КГц – не более 10дб.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов S9014 – от 100 до 1000 .
У транзисторов S9014 – от 200 до 450 .
У транзисторов S9014 – от 450 до 1000 .

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 10мА – – не выше 0,25в.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов S9014 – 50в.
У транзисторов S9014L, S9014H – 45в.

Максимальный постоянный ток коллектора:
У транзисторов S9014 – 150 мА.
У транзисторов S9014L, S9014H – 0,1A.

Рассеиваемая мощность коллектора:
У транзисторов S9014 – 625 мВт.
У транзисторов S9014L, S9014H – 200 мВт.

Граничная частота передачи тока:
У транзисторов S9014 – 60 МГц.
У транзисторов S9014L, S9014H – 150 мВт.

Емкость коллекторного перехода на частоте 1Мгц, при напряжении коллектор-база 10 в – не более 3,5 пФ.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 50 в – не более 50 мкА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в – не более 100 мкА.

Транзистор комплементарный STS9014 – STS9015.


На главную страницу

elektrikaetoprosto.ru

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *