Π£Π½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ внСшний Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ для всСх iOS-устройств, совмСстим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 Π΄ΠΎ 24:00 ΠΏΠ½-ΠΏΡ‚ | c 10:00 Π΄ΠΎ 18:00 сб
0 Comments

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

s9014 транзистор характСристики ΠΈ Π΅Π³ΠΎ российскиС Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ

 

Π­ΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ биполярный ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ транзистор S9014 (ΠΈΠ»ΠΈ SS9014) ΠΏΠΎ своим характСристикам являСтся высокочастотным, срСднСй мощности, NPN-структуры. Π₯арактСризуСтся большим коэффициСнтом ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ² ΠΈ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ΅ΠΉ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ. Π’ связи с этим, ΠΎΠ½ часто Π²ΡΡ‚Ρ€Π΅Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎ-ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ°Ρ… (ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°Ρ…), Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… схСмах ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ усилСния сигнала.

Распиновка

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ кристалл s9014 Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ Π² стандартном пластиковом корпусС TO-92 для Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ°. Π‘ΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ SMD-экзСмпляры Π² SOT-23, для повСрхностного ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ°. Оба корпуса ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ‚Ρ€ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° ΠΈ Π΅Π³ΠΎ Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ° выглядит стандартно для Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° транзисторов: эмиттСр, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, Π±Π°Π·Π°.

Распиновка s9014

Вранзисторы S9014 (A, B, C ,D) Π²Ρ‹ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² корпусС ВО-92, Π° S9014 (H ΠΈ L) Π² корпусС для повСрхностного ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ° SOT-23.

Π₯арактСристики

Π£ всСх устройств сСрии s9014 ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ допустимыС Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ эксплуатации ΠΈ элСктричСскиС характСристики. Различия Π΅ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² значСниях коэффициСнта усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ (H

FE). Π’Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ слСдуСт ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρƒ SMD-транзисторов Π² корпусС SOT-23 максимальная допустимая рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 200 ΠΌΠ’ (mW), Π° Π² ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ характСристики схоТи с  ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ устройств Π² корпусС ВО-92.

ΠŸΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ допустимыС Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ эксплуатации

Рассмотрим ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅ значСния ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ допустимых элСктричСских Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ² эксплуатации (ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды 25Β°Π‘).ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ss9014

ЭлСктричСскиС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹

Одной ΠΈΠ· Π²Π°ΠΆΠ½Π΅ΠΉΡˆΠΈΡ… характСристик для всСх высокочастотников являСтся коэффициСнт ΡˆΡƒΠΌΠ° (FΠ¨), Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΌ ΠΎΠ½ прСдопрСдСляСт Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ примСнСния транзистора Π² схСмах усилСния слабых сигналов. Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ FΠ¨ опрСдСляСтся ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ сопротивлСнии источника сигнала (R

s) Π½Π° частотС Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ 1 ΠΊΠ“Ρ†. Π£ s9014 коэффициСнт ΡˆΡƒΠΌΠ°, Π² ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°Ρ… Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π° ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ, Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 10 Π΄Π‘. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ этот высокочастотный транзистор относят ΠΊ ΠΌΠ°Π»ΠΎΡˆΡƒΠΌΡΡ‰ΠΈΠΌ. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π΄ΠΎΠ±ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ наимСньшСго уровня ΡˆΡƒΠΌΠ°, Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… значСниях напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° эмиттСра. Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ этом Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ Π΅Ρ‘ возрастании собствСнныС ΡˆΡƒΠΌΡ‹ транзистора ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ.

ЗначСния элСктричСских ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² s9014

ΠšΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΡ HFE

Как ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π»ΠΎΡΡŒ Ρ€Π°Π½Π΅Π΅, сСрия s9014 ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ Π² 1000 HFE. Π’Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ транзистор с Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹ΠΌ коэффициСнтом усилСния ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ классификации.

Π“Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ h31Π­ Ρƒ сСрии s9014

Аналоги

Аналогов Π·Π°Ρ€ΡƒΠ±Π΅ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈ российских Ρƒ транзистора s9014 достаточно ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ. Из иностранных ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅: BC547, BC141, BC550, 2SC2675, 2SC2240. ΠžΡ‚Π΅Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ· КВ3102, КВ6111.

 ΠžΡ‚СчСствСнная Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Π° s9014

ΠšΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½Π°Ρ ΠΏΠ°Ρ€Π°

ΠšΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ°Ρ€ΠΎΠΉ ΠΊ s9014 являСтся транзистор с p-n-p-структурой s9015.

ΠœΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ°

SS9014 это ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· ΠΏΠΎΠΏΡƒΠ»ΡΡ€Π½Π΅ΠΉΡˆΠΈΡ… транзисторов ΡŽΠΆΠ½ΠΎΠΊΠΎΡ€Π΅ΠΉΡΠΊΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ Samsung. Часто ΠΎΠ½ΠΈ маркируСтся Π½Π° корпусС Π±Π΅Π· прСфикса β€œS”. ΠŸΠΎΡ…ΠΎΠΆΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ характСристикам устройства Π²Ρ‹ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌΠΈ производитСлями ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ встрСтится с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΎΠΉ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€: Π‘9014, Н9014, L9014 ΠΈ К9014. ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ SMD-транзисторов S9014H, S9014L маркируСтся Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎ-Π±ΡƒΠΊΠ²Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ΄ΠΎΠΌ β€œj6”.

SMD-корпус s9014h

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅

Устройство нашло ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… схСмах усилСния Π·Π²ΡƒΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠΎ-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹, ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ„ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… усилитСлСй, ΠΆΡƒΡ‡ΠΊΠΎΠ² (ΠΏΠΎΠ΄ΡΠ»ΡƒΡˆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ²) ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… ΡˆΠΏΠΈΠΎΠ½ΡΠΊΠΈΡ… приспособлСний. ΠžΡ‡Π΅Π½ΡŒ часто Π²ΡΡ‚Ρ€Π΅Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² Π±Π»ΠΎΠΊΠ°Ρ… питания ΠΊ Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°ΠΌ, элСктронных Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π°Ρ…, схСмах стабилизации Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠΈΠ³Π°Π»ΠΊΠ°Ρ…, ΠΏΠΈΡ‰Π°Π»ΠΊΠ°Ρ…  ΠΈ Π΄Ρ€. А Π²ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ схСмы ΠΏΠΎ сборкС ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠ΅Π³ΠΎ Β«ΠšΠ°Ρ‚Ρ‡Π΅Ρ€Π° Π‘Ρ€ΠΎΠ²ΠΈΠ½Π°Β».

Π‘Π΅Π·ΠΎΠΏΠ°ΡΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ эксплуатации

НС допускайтС ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ допустимыС значСния эксплуатационных ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΈ использовании устройства Π² своих схСмах.

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠ°ΠΉΠΊΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² Π½Π΅ допустимо ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΆΠ°Π»ΠΎ паяльника ΠΊ устройству Π±Π»ΠΈΠΆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π° 5 ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΠ°ΠΉΠΊΠΈ Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ +250 градусов, Π° Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ ΠΏΠ°ΠΉΠΊΠΈ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 3 сСкунд.

ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ

Π’Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΡΠΊΠ°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ datasheet ΠΎΡ‚ s9014 Π½Π° русском языкС. НиТС пСрСчислСны Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ устройства с Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ.

 

shematok.ru

Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ отСчСствСнныС, характСристики транзистора, микросхСма, Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚, Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³

Аналоги транзистора S9014:

↓ Type Mat Struct Pc Ucb Uce Ueb Ic Tj Ft Hfe Caps
2SC1623-L6 Si NPN 0.260,0050,005,00 0.1150,00250,00200,00 SOT23
2SC1623-L7 Si NPN 0.260,0050,005,00 0.1150,00 250,00300,00 SOT23
2SC1623SLT1 Si NPN 0.360,0050,007,00 0.15150,00180,00270,00 SOT23
2SC2412-S Si NPN 0.260,0050,007,00 0.15150,00180,00270,00 SOT23
2SC2412KSLT1 Si NPN 0.260,0050,007,00 0.15150,00180,00270,00 SOT23
2SC945LT1 Si NPN 0.2360,0050,005,00 0.15150,00150,00200,00 SOT23
2SD1501 Si NPN1,0070,001,00150,00250,00 SOT23
2SD1938
 Si NPN1,0050,00 0.3150,001000,00 SOT23
2STR1160 Si NPN 0.560,0060,005,001,00150,00250,00 SOT23
3DG847B Si NPN 0.3350,0045,006,00 0.2150,00250,00200,00 TO92 SOT23 TO18
50C02CH-TL-E Si NPN 0.760,0050,005,00 0.5150,00500,00300,00 SOT23
9014RLT1 Si NPN 0.350,0045,005,00 0.1150,00300,00200,00 SOT23
9014SLT1 Si NPN 0.350,00
45,00
5,00 0.1150,00300,00300,00 SOT23
BC817-40 Si NPN 0.3150,0045,005,00 0.5150,00200,00250,00 SOT23
BC817-40LT1 Si NPN 0.22550,0045,005,00 0.5150,00200,00250,00 SOT23
BC846BLT1 Si NPN 0.380,0060,006,00 0.1150,00300,00290,00 SOT23
BC846BR Si NPN 0.3180,0065,006,00 0.1150,00300,00200,00 SOT23
BC847BLT1 Si NPN 0.350,0045,006,00 0.1
150,00
300,00290,00 SOT23
BC847BR Si NPN 0.3150,0045,006,00 0.1150,00300,00200,00 SOT23
BC847C Si NPN 0.250,0045,006,00 0.1150,00300,00520,00 SOT23
BC847CLT1 Si NPN 0.350,0045,006,00 0.1150,00300,00520,00 SOT23
BC847CR Si NPN 0.3150,0045,006,00 0.1150,00300,00420,00 SOT23
BC850 Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00150,00200,00 SOT23
BC850A Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00300,00290,00 SOT23
BC850B Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00300,00290,00 SOT23
BC850BLT1 Si NPN 0.350,0045,005,00 0.1150,00300,00290,00 SOT23
BC850BR Si NPN 0.3150,0045,005,00 0.1150,00300,00200,00 SOT23
BC850C Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00300,00520,00 SOT23
BC850CLT1 Si
 NPN
 0.350,0045,005,00 0.1150,00300,00520,00 SOT23
BC850CR Si NPN 0.3150,0045,005,00 0.1150,00300,00420,00 SOT23
BCF81 Si NPN 0.3550,0045,005,00 0.1175,00300,00420,00 SOT23
BCF81R Si NPN 0.3550,0045,005,00 0.1175,00300,00420,00 SOT23
BCV47 Si NPN 0.3680,0060,0010,00 0.5150,00170,0010000,00 SOT23
BCV72 Si NPN 0.3580,0060,005,00 0.1175,00300,00200,00 SOT23
BCV72R Si NPN 0.3580,0060,005,00 0.1175,00300,00200,00 SOT23
BCW66KH Si NPN 0.575,0045,005,00 0.8170,00250,00 SOT23
BCW72L Si NPN 0.22545,00 0.1200,00 SOT23
BCW72LT1G Si NPN 0.22550,0045,005,00 0.1150,00300,00200,00 SOT23
BCW72R Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00150,00200,00 SOT23
BCW81 Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00200,00420,00 SOT23
BCW81R Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00200,00420,00 SOT23
BCW82B Si NPN 0.22560,0050,006,00 0.1150,00150,00240,00 SOT23
BRY61 Si PNPN 0.2570,0070,0070,00 0.175150,001000,00 SOT23
BSP52T1 Si NPN 1.5100,0080,005,00 0.5150,00150,005000,00 SOT23
BSP52T3 Si NPN 1.5100,0080,005,00 0.5150,00150,005000,00 SOT23
BTD2150N3 Si NPN 0.22580,0050,006,004,00150,00175,00270,00 SOT23
BTN6427N3 Si NPN 0.225100,0060,0012,00 0.5150,0010000,00 SOT23
CMPT3820 Si NPN 0.3580,0060,005,001,00150,00150,00200,00 SOT23
CMPT491E Si NPN 0.3580,0060,005,001,00150,00150,00200,00 SOT23
DMBT9014 Si NPN 0.22550,0045,005,00 0.1150,00150,00200,00 SOT23
DNLS160 Si NPN 0.360,001,00150,00200,00 SOT23
DTD123 Si Pre-Biased-NPN 0.250,00 0.5150,00200,00250,00 SOT23
ECG2408 Si NPN 0.260,0065,00 0.3150,00300,00300,00 SOT23
FMMT493A Si NPN 0.560,001,00150,00500,00 SOT23
FMMTL619 Si NPN 0.550,00 1.25180,00300,00 SOT23
INC5006AC1 Si NPN 0.2100,0050,007,003,00150,00250,00400,00 SOT23
KC817A-40 Si NPN 0.3150,0045,005,00 0.5150,00170,00250,00 SOT23
KST9014 Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00150,00200,00 SOT23
KST9014-D Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00150,00300,00 SOT23
KTC9014SC Si NPN 0.3580,0050,008,00 0.1150,00150,00200,00 SOT23
L2SC1623SLT1G Si NPN 0.22560,0050,007,00 0.15150,00250,00270,00 SOT23
L2SC2412KSLT1G Si NPN 0.260,0050,007,00 0.15150,00180,00270,00 SOT23
L9014RLT1G Si NPN 0.22550,0045,005,00 0.1150,00200,00 SOT23
L9014SLT1G Si NPN 0.22550,0045,005,00 0.1150,00300,00 SOT23
L9014TLT1G Si NPN 0.22550,0045,005,00 0.1150,00400,00 SOT23
MMBT2484L Si NPN 0.22560,00 0.1250,00 SOT23
MMBT2484LT1G Si NPN 0.22560,0060,006,00 0.1150,00250,00 SOT23
MMBT945-H Si NPN 0.260,0050,005,00 0.15150,00150,00200,00 SOT23
MMS9014-H Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00150,00450,00 SOT23
MMS9014-L Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00150,00200,00 SOT23
MSD601 Si NPN 0.260,0050,007,00 0.1150,00210,00 SOT23
PBSS4041NT Si NPN 0.360,0060,005,00 3.8150,00175,00300,00 SOT23
PBSS4160T Si NPN 0.380,0060,005,001,00150,00150,00250,00 SOT23
PDTC114TT Si Pre-Biased-NPN 0.2550,0050,005,00 0.1150,00200,00 SOT23
PDTC143TT Si Pre-Biased-NPN 0.2550,0050,005,00 0.1150,00200,00 SOT23
S9014 Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00150,00200,00 SOT23
SBCW72LT1G Si NPN 0.2350,0045,005,00 0.1150,00300,00200,00 SOT23
SSTA28 Si NPN 0.280,0080,0012,00 0.3150,00200,0010000,00 SST3 SOT23
TBC850 Si NPN 0.250,0045,005,00 0.1150,00150,00200,00 SOT23
UN2210R Si Pre-Biased-NPN 0.250,0050,006,00 0.1150,00150,00210,00 SOT23 SC59
UN2210S Si Pre-Biased-NPN 0.250,0050,006,00 0.1150,00150,00290,00 SOT23 SC59
UN2215R Si Pre-Biased-NPN 0.250,0050,006,00 0.1150,00150,00210,00 SOT23 SC59
UN2215S Si Pre-Biased-NPN 0.250,0050,006,00 0.1150,00150,00290,00 SOT23 SC59
UN2216R Si Pre-Biased-NPN 0.250,0050,006,00 0.1150,00150,00210,00 SOT23 SC59
UN2216S Si Pre-Biased-NPN 0.250,0050,006,00 0.1150,00150,00290,00 SOT23 SC59
UN2217R Si Pre-Biased-NPN 0.250,0050,006,00 0.1150,00150,00210,00 SOT23 SC59
UN2217S Si Pre-Biased-NPN 0.250,0050,006,00 0.1150,00150,00290,00 SOT23 SC59
ZXTN07045EFF Si NPN 1.545,004,00150,00400,00 SOT23F
ZXTN19100CFF Si NPN 1.5100,00 4.5150,00200,00 SOT23F
ZXTN25050DFH Si NPN 1.2550,004,00200,00240,00 SOT23
ZXTN25100DFH Si NPN 1.25100,00 2.5175,00300,00 SOT23

Биполярный транзистор S9014 β€” описаниС производитСля. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹. Π”Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚Ρ‹.

НаимСнованиС производитСля: S9014

  • Π’ΠΈΠΏ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°: Si
  • ΠŸΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ: NPN
  • Максимальная рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ (Pc): 0.2 W
  • Макcимально допустимоС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° (Ucb): 50 V
  • Макcимально допустимоС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр (Uce): 45 V
  • Макcимально допустимоС напряТСниС эмиттСр-Π±Π°Π·Π° (Ueb): 5 V
  • МакcΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (Ic): 0.1 A
  • ΠŸΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (Tj): 150 Β°C
  • Граничная частота коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (ft): 150 MHz
  • БтатичСский коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (hfe): 200
  • ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ транзистора: SOT23

Вранзистор S9014 ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° KSP05, KSP06, KSP42, KSP43, KTC9014, MPSA42, MPSA43, MPSW05, MPSW05G, MPSW06, MPSW06G, MPSW42, MPSW42G, SS9014

ΠŸΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ допустимыС Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ эксплуатации

Рассмотрим ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅ значСния ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ допустимых элСктричСских Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ² эксплуатации (ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды 25Β°Π‘).

ЭлСктричСскиС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹

Одной ΠΈΠ· Π²Π°ΠΆΠ½Π΅ΠΉΡˆΠΈΡ… характСристик для всСх высокочастотников являСтся коэффициСнт ΡˆΡƒΠΌΠ° (FΠ¨), Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΌ ΠΎΠ½ прСдопрСдСляСт Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ примСнСния транзистора Π² схСмах усилСния слабых сигналов. Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ FΠ¨ опрСдСляСтся ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ сопротивлСнии источника сигнала (Rs) Π½Π° частотС Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ 1 ΠΊΠ“Ρ†.

Π£ s9014 коэффициСнт ΡˆΡƒΠΌΠ°, Π² ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°Ρ… Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π° ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ, Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 10 Π΄Π‘. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ этот высокочастотный транзистор относят ΠΊ ΠΌΠ°Π»ΠΎΡˆΡƒΠΌΡΡ‰ΠΈΠΌ. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π΄ΠΎΠ±ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ наимСньшСго уровня ΡˆΡƒΠΌΠ°, Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… значСниях напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° эмиттСра. Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ этом Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ Π΅Ρ‘ возрастании собствСнныС ΡˆΡƒΠΌΡ‹ транзистора ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ.

ΠœΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ°

SS9014 это ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· ΠΏΠΎΠΏΡƒΠ»ΡΡ€Π½Π΅ΠΉΡˆΠΈΡ… транзисторов ΡŽΠΆΠ½ΠΎΠΊΠΎΡ€Π΅ΠΉΡΠΊΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ Samsung. Часто ΠΎΠ½ΠΈ маркируСтся Π½Π° корпусС Π±Π΅Π· прСфикса β€œS”. ΠŸΠΎΡ…ΠΎΠΆΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ характСристикам устройства Π²Ρ‹ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌΠΈ производитСлями ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ встрСтится с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΎΠΉ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€: Π‘9014, Н9014, L9014 ΠΈ К9014. ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ SMD-транзисторов S9014H, S9014L маркируСтся Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎ-Π±ΡƒΠΊΠ²Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ΄ΠΎΠΌ β€œj6”.

Π₯арактСристики популярных Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²

НаимСнованиС производитСля: 2SC1623-L6

  • ΠœΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ°: L6
  • Π’ΠΈΠΏ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°: Si
  • ΠŸΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ: NPN
  • Максимальная рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ (Pc): 0.2 W
  • Макcимально допустимоС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимоС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр (Uce): 50 V
  • Макcимально допустимоС напряТСниС эмиттСр-Π±Π°Π·Π° (Ueb): 5 V
  • МакcΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (Ic): 0.1 A
  • ΠŸΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (Tj): 150 Β°C
  • Граничная частота коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (ft): 250 MHz
  • ΠΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (Cc): 3 pf
  • БтатичСский коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (hfe): 200
  • ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ транзистора: SOT23

НаимСнованиС производитСля: 2SC1623-L7

  • ΠœΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ°: L7
  • Π’ΠΈΠΏ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°: Si
  • ΠŸΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ: NPN
  • Максимальная рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ (Pc): 0.2 W
  • Макcимально допустимоС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимоС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр (Uce): 50 V
  • Макcимально допустимоС напряТСниС эмиттСр-Π±Π°Π·Π° (Ueb): 5 V
  • МакcΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (Ic): 0.1 A
  • ΠŸΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (Tj): 150 Β°C
  • Граничная частота коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (ft): 250 MHz
  • ΠΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (Cc): 3 pf
  • БтатичСский коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (hfe): 300
  • ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ транзистора: SOT23

НаимСнованиС производитСля: 2SC1623SLT1

  • Π’ΠΈΠΏ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°: Si
  • ΠŸΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ: NPN
  • Максимальная рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ (Pc): 0.3 W
  • Макcимально допустимоС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимоС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр (Uce): 50 V
  • Макcимально допустимоС напряТСниС эмиттСр-Π±Π°Π·Π° (Ueb): 7 V
  • МакcΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (Ic): 0.15 A
  • ΠŸΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (Tj): 150 Β°C
  • Граничная частота коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (ft): 180 MHz
  • ΠΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (Cc): 3 pf
  • БтатичСский коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (hfe): 270
  • ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ транзистора: SOT-23

НаимСнованиС производитСля: 2SC2412-S

  • ΠœΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ°: BS
  • Π’ΠΈΠΏ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°: Si
  • ΠŸΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ: NPN
  • Максимальная рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ (Pc): 0.2 W
  • Макcимально допустимоС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимоС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр (Uce): 50 V
  • Макcимально допустимоС напряТСниС эмиттСр-Π±Π°Π·Π° (Ueb): 7 V
  • МакcΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (Ic): 0.15 A
  • ΠŸΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (Tj): 150 Β°C
  • Граничная частота коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (ft): 180 MHz
  • ΠΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (Cc): 2 pf
  • БтатичСский коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (hfe): 270
  • ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ транзистора: SOT23

НаимСнованиС производитСля: 2SC2412KSLT1

  • Π’ΠΈΠΏ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°: Si
  • ΠŸΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ: NPN
  • Максимальная рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ (Pc): 0.2 W
  • Макcимально допустимоС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимоС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр (Uce): 50 V
  • Макcимально допустимоС напряТСниС эмиттСр-Π±Π°Π·Π° (Ueb): 7 V
  • МакcΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (Ic): 0.15 A
  • ΠŸΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (Tj): 150 Β°C
  • Граничная частота коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (ft): 180 MHz
  • ΠΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (Cc): 2 pf
  • БтатичСский коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (hfe): 270
  • ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ транзистора: SOT-23

Автор: РСдакция сайта

chem-zamenit.ru

Вранзисторы 2SD2499(D2499) ΠΈ STS9014 (S9014)

Вранзисторы STS9014 (S9014)

Вранзисторы STS9014 (S9014) – высокочастотныС ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Π΅ n-p-n срСднСй мощности. ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ пластиковый TO-92, Ρƒ транзисторов S9014L, S9014H – SOT-23. ΠœΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° Ρƒ транзисторов с корпусом TO-92 Π±ΡƒΠΊΠ²Π΅Π½Π½ΠΎ – цифровая (S9014), Ρƒ транзисторов с корпусом SOT-23 – ΠΊΠΎΠ΄ J6 свСрху .
На рисункС Π½ΠΈΠΆΠ΅ – Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ° STS9014 (S9014), S9014L, S9014H.

НаиболСС Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹.

Π£Ρ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ собствСнных ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ² Π½Π° частотС 1ΠšΠ“Ρ† – Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 10Π΄Π±.

ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°:
Π£ транзисторов S9014 – ΠΎΡ‚ 100 Π΄ΠΎ 1000 .
Π£ транзисторов S9014 – ΠΎΡ‚ 200 Π΄ΠΎ 450 .
Π£ транзисторов S9014 – ΠΎΡ‚ 450 Π΄ΠΎ 1000 .

НапряТСниС насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° 100мА, Π±Π°Π·Ρ‹ 10мА – – Π½Π΅ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ 0,25Π².

Максимально допустимоС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр:
Π£ транзисторов S9014 – 50Π².
Π£ транзисторов S9014L, S9014H – 45Π².

ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°:
Π£ транзисторов S9014 – 150 мА.
Π£ транзисторов S9014L, S9014H – 0,1A.

РассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°:
Π£ транзисторов S9014 – 625 ΠΌΠ’Ρ‚.
Π£ транзисторов S9014L, S9014H – 200 ΠΌΠ’Ρ‚.

Граничная частота ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°:
Π£ транзисторов S9014 – 60 ΠœΠ“Ρ†.
Π£ транзисторов S9014L, S9014H – 150 ΠΌΠ’Ρ‚.

Π•ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π½Π° частотС 1ΠœΠ³Ρ†, ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° 10 Π² – Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 3,5 ΠΏΠ€.

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° 50 Π² – Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 50 мкА.

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ эмитСра ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии эмиттСр-Π±Π°Π·Π° 5 Π² – Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 100 мкА.

Вранзистор ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ STS9014 – STS9015.


На Π³Π»Π°Π²Π½ΡƒΡŽ страницу

elektrikaetoprosto.ru

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *