Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Содержание

s9015 транзистор характеристики, аналоги, DataSheet, параметры

PNP биполярный, кремниевый, эпитаксиально-планарный, высокочастотный транзистор S9015 (или SS9015), по своим характеристикам имеет обладает повышенным коэффициентом передачи тока hFE, пониженным уровнем собственных шумов и хорошей линейностью. Бывают маломощные (до 0,2 Вт) и средней мощности (до 0,45 Вт), внешне отличающиеся между собой типом корпуса. Наиболее часто используются в каскадах предусиления и зарядных устройствах различных бытовых приборов, вместе со своей комплементарной парой s9014. Популярен у радиолюбителей в простых ключевых схемах и усиления звука.

Распиновка

S9015(группы А-D) изготавливается в распространённом пластиковом корпусе TO-92 с тремя металлическими выводами для монтажа. Для определения назначения этих выводов, посмотрите на его плоскую сторону. Три вывода, выходящие из транзистора, являются (слева направо) эмиттером, базой и коллектором. S9015(группы L-H) производятся в другом пластиковом SMD-корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа, и тоже имеет три вывода.

Назначение контактов можно понять, если посмотреть на него сверху. Слева направо, сверху вниз следуют контакты: коллектор, база и эмиттер.

Характеристики

В техническом описании на транзистор обычно указывают его предельно допустимые режимы эксплуатации (maximum rating), электрические характеристики (electrical characteristic) и классификация по группа hFE. Эти параметры проверяются производителем устройства, при температуре окружающей среды + 25°С.

Предельные режимы эксплуатации

При изучении характеристик S9015 следует учесть его PNP-структуру и то, что его pn-переход открывается при напряжении обратной полярности. Т.е. источник питания на эмиттерном переходе UБЭ (VBE) подсоединяется минусом к базе, а плюсом к эмиттеру. Поэтому, производители транзистора PNP-структуры, предельные значения эксплуатации и электрические характеристики напряжения и тока, в техническом описании, обычно указывают со знаком “-”. Рассмотрим предельные режимы эксплуатации s9015 (ТО-92).

Электрические характеристики

Рассмотрим электрические параметры S9015 (ТО-92). Важным значением при выборе данного компонента, является его собственный коэффициент шума FШ (NF, Noise Figure). Именно он иногда определяет применение этого транзистора в различных схемах усиления. Обычно у s9015 низкий коэффициент собственных шумов, который не превышает 10 дБ. Это значение относит его к малошумящим. В последнее время, встречаются технические описания на устройства в которых, по неизвестным причинам, эта характеристика не указывается.

Классификация по HFE

Отдельно от основных характеристик в datasheet на s9015 указывается его коэффициент усиления по току hFE. Для классификации транзисторов по этому параметру используется последняя буква (A-D, H-L) в его обозначении. Значение этой величины у устройства s9015D достигает 1000 hFE. Ниже приведена стандартная классификация устройства по hFE.

Мощность рассеивания

При выборе так же обращают внимание на его максимальную мощность рассеивания на коллекторе PK

(PC). Так, у маломощных s9015H и s9015L, в корпусе SOT-23, максимальная мощность рассеивания не превышает 0,2 Вт. Если необходима большая мощность (0,45 Вт), то подбирают девайс в корпусе ТО-92: s9015A, s9015B, s9015C, s9015D.

Аналоги

К иностранным аналогам можно отнести следующие: bc317, bc320,hs733, ksa733, ktc9015, ktc9015c. Если не важен коэффициент усиления по току и граничная частота, то обратите внимание на: ksp55, ksp56, mps751, mps751g, mpsa55, mpsa56, mpsw55, mpsw56. Российские аналоги для s9015 являются устройства из серии КТ3107, КТ6112.

Достаточно трудно подобрать замену для S9015D. Многие радиолюбители вместо него обычно устанавливают КТ3107К или КТ3107Л, с коэффициент усиления по току до 800 hFE.

Комплементарная пара

Комплементарная пара для S9015 (PNP) — транзистор с NPN-проводимостью s9014.

Маркировка

SS9015 (s 9015) это очень популярный транзистор от компании Samsung Semiconductor. Часто маркируется на корпусе без первой буквы “s”.

В настоящее время однотипные по своим параметрам транзисторы выпускаются разными компаниями и встречаются с такой маркировкой 2SC1905, MMBT9015. Корпус SMD-транзисторов (SOT-23) маркируется цифро-буквенным кодом “M6”.

Безопасность при эксплуатации

Не допускайте использование устройства на предельно допустимых значениях эксплуатационных параметров. При пайке контактов не прикасайтесь к пластиковому корпусу горячими частями паяльника. Нельзя паять если температура жала паяльника более +250 °С, период касания каждого вывода при этом не должен превышать 3 сек.

Производители

Список некоторых производителей. Кликнув по наименованию компании Вы можете скачать datasheet на s9015.

Транзисторы SS9012(S9012) и SS9015(S9015) - параметры, маркировка,цоколевка.

Транзисторы SS9015(S9015) A, SS9015(S9015) B,
SS9015(S9015) C.

Транзисторы SS9015(S9015) - кремниевые, высокочастотные усилительные, малошумящие(на низких частотах) структуры - p-n-p.


Корпус пластиковый TO-92. Маркировка буквенно - цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 0,450 Вт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э )транзистора для схем с общим эмиттером - 190 МГц;

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер - 45в.

Максимальное напряжение коллектор - база - 50в.

Максимальное напряжение эмиттер - база - 5в.

Коэффициент передачи тока :
У транзисторов SS9015(S9015) с буквой A - от 60 до 150.
У транзисторов SS9015(S9015) с буквой B - от 100 до 300.
У транзисторов SS9015(S9015) с буквой C - от 200 до 600

.

Максимальный постоянный ток коллектора - 100мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5 мА - не выше 0,7в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5 мА - не выше 1,2в.

Обратный ток коллектор - база при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-база 50в. не более 50 мКА.

Обратный ток эмиттера - база при напряжении эмиттер-база 5в не более - 50 мКА.


На главную страницу

S9015 to-92 | Биполярные транзисторы

Код товара :M-162-11720
Обновление: 2019-09-14
Тип корпуса :to-92

 

 

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить S9015 to-92, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

 

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

 

Что еще купить вместе с S9015 to-92 ?

 

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

 

Сопутствующие товары
Код Наименование Краткое описание Розн. цена

** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
11720 S9015 to-92 Транзистор S9015 - Plastic-Encapsulate Transistors NPN, 25V, 50mA, 0.2W, to-92 1 pyб.
11869 S9013 to-92 Транзистор S9013 - Plastic-Encapsulate Transistors NPN, 40V, 625mA, 0.6W, to-92 1.4 pyб.
282 TL431A to-92 Микросхемы TL431 (TL431A) - Voltage Regulator IC (источник опорного напряжения), TO-92 1.7 pyб.
4563 2SC2655 to-92mod Транзистор 2SC2655 (маркировка C2655) - Power Amplifier Applications, Power Switching Applications, 2A, 50V, NPN, TO-92MOD 2.6 pyб.
374 L7809CV Микросхема L7809CV стабилизатор напряжения +9В, 1. 5А, TO-220 9 pyб.
8334 2N2907 to-92 Транзистор 2N2907 - PNP Transistor 0.8A, 60V, TO-92 1.2 pyб.
1700 2SC1815 to-92 Транзистор 2SC1815 (маркировка C1815) - NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz, TO-92 1.4 pyб.
1928 S9012 to-92 Транзистор S9012 - PNP Transistor, 40V, 0.5A, TO-92 1.6 pyб.
8003 S9018 to-92 Транзистор S9018 - NPN Silicon Transistor, 25V, 50mA, TO-92 2.2 pyб.
7711 DS1307 dip-8 Микросхема DS1307 - часы реального времени с последовательным интерфейсом, 64 X 8, DIP-8
16 pyб.

 

S9015 транзистор характеристики, аналоги, datasheet, параметры

Биполярный транзистор STS9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: STS9014

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0. 625
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: TO-92

STS9014
Datasheet (PDF)

1.1. gsts9014lt1.pdf Size:221K _upd

GSTS9014LT1
NPN General Purpose Transistor

Product Description Features
This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 45V
amplifier and switch. Collector Current : 100mA
Lead(Pb)-Free
Packages & Pin Assignments
SOT-23
Pin Description
1 Base
2 Emitter
3 Collector
Marking Information
P/N Package Rank Part Marking
GSTS9014LT1F SOT-23 Q 14Q

1. 2. sts9014.pdf Size:207K _auk

 STS9014
NPN Silicon Transistor
Description
PIN Connection
• General purpose application
C
• Switching application
Features
B
• Excellent hFE linearity : hFE(IC=0.1 mA) /
hFE(IC=2 mA) = 0.95(Typ.)
• Low noise : NF=10dB(Max.) at f=1KHz
E
• Complementary pair with STS9015
TO-92
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
STS9014 STS9014 TO-92
A

 4.1. sts9013.pdf Size:197K _auk

 STS9013
NPN Silicon Transistor
Descriptions
PIN Connection
• General purpose application.
C
• Switching application.
B
Features
• Excellent hFE linearity.
E
• Complementary pair with STS9012
TO-92
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
STS9013 STS9013 TO-92
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Characteristic Symbol Ratings Unit
Collector-B

4.2. sts9012. pdf Size:106K _auk

 STS9012
Semiconductor
Semiconductor
PNP Silicon Transistor
Description
• General purpose application.
• Switching application.
Features
• Excellent hFE linearity.
• Complementary pair with STS9013
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
STS9012 STS9012 TO-92
Outline Dimensions unit : mm
3.45±0.1
4.5±0.1
2.25±0.1
0.4±0.02
2.06±0.1
1.27 Typ.
2.54

 4.3. sts9015.pdf Size:97K _auk

 STS9015
Semiconductor
Semiconductor
PNP Silicon Transistor
Description
• General purpose application.
• Switching application.
Features
• Excellent hFE linearity : hFE(IC=0.1mA) / hFE(IC=2mA) = 0.95(Typ.)
• Low noise : NF = 10dB(Max.)
• Complementary pair with STS9014
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
STS9015 STS9015 TO-92
Outline Dimensions uni

4.4. sts9018. pdf Size:232K _auk

 STS9018
NPN Silicon Transistor
Description
PIN Connection
• High frequency low noise amplifier application
C
• VHF band amplifier application
B
Features
• Low noise figure : NF = 4dB(Max.) at f=100MHz
• High transition frequency fT = 800MHz(Typ.)
E
TO-92
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
STS9018 STS9018 TO-92
Absolute maximum ratings T

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

DMBT9014 Datasheet (PDF)

1.1. dmbt9014.pdf Size:157K _upd

DC COMPONENTS CO., LTD.
DMBT9014
DISCRETE SEMICONDUCTORS
R
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
Designed for use in pre-amplifier of low level and
low noise.
SOT-23
.020(0.50)
.012(0.30)
Pinning
1 = Base
3
2 = Emitter
.063(1.60) .108(0.65)
3 = Collector
.055(1.40) .089(0.25)
1 2
Absolute Maximum Ratings(TA=25oC)
.045(1.15)
.034(0.85)
.

3.1. dmbt9013.pdf Size:144K _upd

DC COMPONENTS CO., LTD.
DMBT9013
DISCRETE SEMICONDUCTORS
R
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
Designed for low frequency amplifier applications.
SOT-23
.020(0.50)
Pinning
.012(0.30)
1 = Base
2 = Emitter
3
3 = Collector .063(1.60) .108(0.65)
.055(1.40) .089(0.25)
1 2
Absolute Maximum Ratings(TA=25oC)
.045(1.15)
.034(0.85)
.091(2.30)
Cha

3.2. dmbt9018.pdf Size:77K _upd

DC COMPONENTS CO., LTD.
DMBT9018
DISCRETE SEMICONDUCTORS
R
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
Designed for use in AM/FM amplifier and local
oscillator of FM/VHF tuner.
SOT-23
.020(0.50)
Pinning
.012(0.30)
1 = Base
2 = Emitter 3
.063(1.60) .108(0.65)
3 = Collector
.055(1.40) .089(0.25)
1 2
Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) .045(1.15)
.034

 3.3. dmbt9012.pdf Size:173K _upd

DC COMPONENTS CO., LTD.
DMBT9012
DISCRETE SEMICONDUCTORS
R
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
Designed for low frequency amplifier applications.
SOT-23
.020(0.50)
Pinning
.012(0.30)
1 = Base
2 = Emitter
3
3 = Collector .063(1.60) .108(0.65)
.055(1.40) .089(0.25)
1 2
Absolute Maximum Ratings(TA=25oC)
.045(1.15)
.034(0.85)
.091(2.30)
Cha

L9014 Datasheet (PDF)

1.1. l9014.pdf Size:127K _upd

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
NPN Epitaxial Silicon
L9014
Transistor
Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise
• High total power dissipation. (PT=450mW)
• High hFE and good linearity
• Complementary to L9015
TO-92
1
1. Emitter 2. Base 3. Collector
Absolute Maximum Ratings Ta=25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Ratings Units
VCBO Collector-Base Voltage 50 V
VCEO Collecto

1.2. sihfl9014.pdf Size:169K _upd-mosfet

IRFL9014, SiHFL9014
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
VDS (V) — 60
• Surface Mount
RDS(on) ()VGS = — 10 V 0.50
• Available in Tape and Reel
Qg (Max.) (nC) 12
• Dynamic dV/dt Rating
Qgs (nC) 3.8
• Repetitive Avalanche Rated
• P-Channel
Qgd (nC) 5.1
• Fast Switching
Configuration Single

 1.3. irfl9014.pdf Size:222K _international_rectifier

PD — 90863A
IRFL9014
HEXFET Power MOSFET
Surface Mount
Available in Tape & Reel D
VDSS = -60V
Dynamic dv/dt Rating
Repetitive Avalanche Rated
P-Channel
RDS(on) = 0.50?
Fast Switching
G
Ease of Paralleling
ID = -1. 8A
S
Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier
provide the designer with the best combination of fast
switching, ruggedized device design

1.4. irfl9014pbf.pdf Size:256K _international_rectifier

PD — 95153
IRFL9014PbF
HEXFET Power MOSFET
l Surface Mount
l Available in Tape & Reel D
VDSS = -60V
l Dynamic dv/dt Rating
l Repetitive Avalanche Rated
l P-Channel
RDS(on) = 0.50?
l Fast Switching
G
l Ease of Paralleling
l Lead-Free
ID = -1.8A
S
Descripti?n
Third Generation HEXFETs from International Rectifier
provide the designer with the best combination of fast
switching, rug

 1.5. irfl9014 sihfl9014.pdf Size:168K _vishay

IRFL9014, SiHFL9014
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
VDS (V) — 60
Surface Mount
RDS(on) (?)VGS = — 10 V 0. 50
Available in Tape and Reel
Qg (Max.) (nC) 12
Dynamic dV/dt Rating
Qgs (nC) 3.8
Repetitive Avalanche Rated
P-Channel
Qgd (nC) 5.1
Fast Switching
Configuration Single
Ease of Paralleli

1.6. l9014slt1g.pdf Size:98K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
NPN Silicon
L9014QLT1G
FEATURE
Complementary to L9014.
Series
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-L9014QLT1G
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
Series
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
DEVICE MARKING AND ORDERING INF

1.7. l9014tlt1g.pdf Size:99K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
NPN Silicon
FEATURE
Complementary to L9014.
L9014QLT1G
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
Series
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
S-L9014QLT1G
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
Series
DEVICE MARKING AND ORDERING IN

1.8. l9014rlt1g.pdf Size:99K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
NPN Silicon
FEATURE
Complementary to L9014. L9014QLT1G
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
Series
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
S-L9014QLT1G
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
Series
DEVICE MARKING AND ORDERING IN

1.9. l9014qlt1g.pdf Size:105K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
NPN Silicon
FEATURE
L9014QLT1G
Complementary to L9014.
Series
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
S-L9014QLT1G
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
Series
DEVICE MARKING AND ORDERING IN

Биполярный транзистор KTC9014SC — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KTC9014SC

Маркировка: CBD

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора: SOT23

KTC9014SC
Datasheet (PDF)

1.1. ktc9014sc.pdf Size:651K _update

SEMICONDUCTOR KTC9014SC
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
FEATURES
·Excellent hFE Linearity
: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0. 95(Typ.).
·Complementary to KTC9015SC.
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage 80 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage 50 V
VEBO
Emitter-Base Voltag

2.1. ktc9014s.pdf Size:396K _kec

SEMICONDUCTOR KTC9014S
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
E
L B L
FEATURES
DIM MILLIMETERS
Excellent hFE Linearity
_
A 2.93 0.20
+
B 1.30+0.20/-0.15
: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.).
C 1.30 MAX
2
Low Noise :NF=1dB(Typ.) at f=1kHz. 3 D 0.45+0.15/-0.05
E 2.40+0.30/-0.20
Complementary to KTC9015S.
1
G 1.90

 3.1. ktc9014.pdf Size:349K _kec

SEMICONDUCTOR KTC9014
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
B C
FEATURES
·Excellent hFE Linearity
: hFE(IC=0. 1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.).
N DIM MILLIMETERS
·Low Noise :NF=1dB(Typ.) at f=1kHz.
A 4.70 MAX
E
K
B 4.80 MAX
·Complementary to KTC9015. G
C 3.70 MAX
D
D 0.45
E 1.00
F 1.27
G 0.85
H 0.45
_
MAXIMUM RATI

3.2. ktc9014a.pdf Size:343K _kec

SEMICONDUCTOR KTC9014A
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
B C
FEATURES
·Excellent hFE Linearity
: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.).
N DIM MILLIMETERS
·Low Noise :NF=1dB(Typ.) at f=1kHz.
A 4.70 MAX
E
K
B 4.80 MAX
·Complementary to KTC9015A. G
C 3.70 MAX
D
D 0.45
E 1.00
F 1.27
G 0.85
H 0.45
_
MAXIMUM RA

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

STS9014 Datasheet (PDF)

1.1. gsts9014lt1.pdf Size:221K _upd

GSTS9014LT1
NPN General Purpose Transistor
Product Description Features
This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 45V
amplifier and switch. Collector Current : 100mA
Lead(Pb)-Free
Packages & Pin Assignments
SOT-23
Pin Description
1 Base
2 Emitter
3 Collector
Marking Information
P/N Package Rank Part Marking
GSTS9014LT1F SOT-23 Q 14Q

1.2. sts9014.pdf Size:207K _auk

 STS9014
NPN Silicon Transistor
Description
PIN Connection
• General purpose application
C
• Switching application
Features
B
• Excellent hFE linearity : hFE(IC=0.1 mA) /
hFE(IC=2 mA) = 0.95(Typ.)
• Low noise : NF=10dB(Max.) at f=1KHz
E
• Complementary pair with STS9015
TO-92
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
STS9014 STS9014 TO-92
A

 4. 1. sts9013.pdf Size:197K _auk

 STS9013
NPN Silicon Transistor
Descriptions
PIN Connection
• General purpose application.
C
• Switching application.
B
Features
• Excellent hFE linearity.
E
• Complementary pair with STS9012
TO-92
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
STS9013 STS9013 TO-92
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Characteristic Symbol Ratings Unit
Collector-B

4.2. sts9012.pdf Size:106K _auk

 STS9012
Semiconductor
Semiconductor
PNP Silicon Transistor
Description
• General purpose application.
• Switching application.
Features
• Excellent hFE linearity.
• Complementary pair with STS9013
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
STS9012 STS9012 TO-92
Outline Dimensions unit : mm
3.45±0.1
4.5±0.1
2.25±0.1
0.4±0.02
2.06±0.1
1.27 Typ.
2. 54

 4.3. sts9015.pdf Size:97K _auk

 STS9015
Semiconductor
Semiconductor
PNP Silicon Transistor
Description
• General purpose application.
• Switching application.
Features
• Excellent hFE linearity : hFE(IC=0.1mA) / hFE(IC=2mA) = 0.95(Typ.)
• Low noise : NF = 10dB(Max.)
• Complementary pair with STS9014
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
STS9015 STS9015 TO-92
Outline Dimensions uni

4.4. sts9018.pdf Size:232K _auk

 STS9018
NPN Silicon Transistor
Description
PIN Connection
• High frequency low noise amplifier application
C
• VHF band amplifier application
B
Features
• Low noise figure : NF = 4dB(Max.) at f=100MHz
• High transition frequency fT = 800MHz(Typ.)
E
TO-92
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
STS9018 STS9018 TO-92
Absolute maximum ratings T

Биполярный транзистор 2SC9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC9014

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора: TO-92

2SC9014
Datasheet (PDF)

1.1. 2sc9014.pdf Size:76K _update

Transistors
2SC9014

1.2. 2sc9014.pdf Size:222K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC9014
DESCRIPTION
·High total power dissipation
·High hFE and good linearity
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for Switching and amplification
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Collector-Base Voltage 50 V
CBO
V Coll

 4. 1. 2sc9013.pdf Size:84K _usha

Transistors
2SC9013
Downloaded from Elcodis.com electronic components distributor
Downloaded from Elcodis.com electronic components distributor

4.2. 2sc9018.pdf Size:77K _usha

Transistors
2SC9018
This datasheet has been downloaded from:
www.DatasheetCatalog.com
Datasheets for electronic components.

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

KTC9014SC Datasheet (PDF)

1.1. ktc9014sc.pdf Size:651K _update

SEMICONDUCTOR KTC9014SC
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
FEATURES
·Excellent hFE Linearity
: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.).
·Complementary to KTC9015SC.
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage 80 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage 50 V
VEBO
Emitter-Base Voltag

2.1. ktc9014s.pdf Size:396K _kec

SEMICONDUCTOR KTC9014S
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
E
L B L
FEATURES
DIM MILLIMETERS
Excellent hFE Linearity
_
A 2.93 0.20
+
B 1.30+0.20/-0.15
: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.).
C 1.30 MAX
2
Low Noise :NF=1dB(Typ.) at f=1kHz. 3 D 0.45+0.15/-0.05
E 2.40+0.30/-0.20
Complementary to KTC9015S.
1
G 1.90

 3.1. ktc9014.pdf Size:349K _kec

SEMICONDUCTOR KTC9014
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
B C
FEATURES
·Excellent hFE Linearity
: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.).
N DIM MILLIMETERS
·Low Noise :NF=1dB(Typ. ) at f=1kHz.
A 4.70 MAX
E
K
B 4.80 MAX
·Complementary to KTC9015. G
C 3.70 MAX
D
D 0.45
E 1.00
F 1.27
G 0.85
H 0.45
_
MAXIMUM RATI

3.2. ktc9014a.pdf Size:343K _kec

SEMICONDUCTOR KTC9014A
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
B C
FEATURES
·Excellent hFE Linearity
: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.).
N DIM MILLIMETERS
·Low Noise :NF=1dB(Typ.) at f=1kHz.
A 4.70 MAX
E
K
B 4.80 MAX
·Complementary to KTC9015A. G
C 3.70 MAX
D
D 0.45
E 1.00
F 1.27
G 0.85
H 0.45
_
MAXIMUM RA

Биполярный транзистор DMBT9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: DMBT9014

Маркировка: J6

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0. 1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора: SOT-23

DMBT9014
Datasheet (PDF)

1.1. dmbt9014.pdf Size:157K _upd

DC COMPONENTS CO., LTD.
DMBT9014
DISCRETE SEMICONDUCTORS
R
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
Designed for use in pre-amplifier of low level and
low noise.
SOT-23
.020(0.50)
.012(0.30)
Pinning
1 = Base
3
2 = Emitter
.063(1.60) .108(0.65)
3 = Collector
.055(1.40) .089(0.25)
1 2
Absolute Maximum Ratings(TA=25oC)
.045(1.15)
.034(0.85)
.

3.1. dmbt9013.pdf Size:144K _upd

DC COMPONENTS CO., LTD.
DMBT9013
DISCRETE SEMICONDUCTORS
R
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
Designed for low frequency amplifier applications.
SOT-23
.020(0.50)
Pinning
.012(0.30)
1 = Base
2 = Emitter
3
3 = Collector .063(1.60) .108(0.65)
.055(1.40) .089(0.25)
1 2
Absolute Maximum Ratings(TA=25oC)
.045(1.15)
.034(0.85)
.091(2.30)
Cha

3.2. dmbt9018.pdf Size:77K _upd

DC COMPONENTS CO., LTD.
DMBT9018
DISCRETE SEMICONDUCTORS
R
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
Designed for use in AM/FM amplifier and local
oscillator of FM/VHF tuner.
SOT-23
.020(0.50)
Pinning
.012(0.30)
1 = Base
2 = Emitter 3
.063(1.60) .108(0.65)
3 = Collector
.055(1.40) .089(0.25)
1 2
Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) .045(1.15)
.034

 3.3. dmbt9012.pdf Size:173K _upd

DC COMPONENTS CO., LTD.
DMBT9012
DISCRETE SEMICONDUCTORS
R
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
Designed for low frequency amplifier applications.
SOT-23
.020(0.50)
Pinning
.012(0.30)
1 = Base
2 = Emitter
3
3 = Collector .063(1.60) .108(0.65)
.055(1.40) .089(0.25)
1 2
Absolute Maximum Ratings(TA=25oC)
.045(1.15)
.034(0.85)
.091(2.30)
Cha

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

Биполярный транзистор L9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: L9014

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0. 1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.2
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора: TO-92

L9014
Datasheet (PDF)

1.1. l9014.pdf Size:127K _upd

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
NPN Epitaxial Silicon
L9014
Transistor
Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise
• High total power dissipation. (PT=450mW)
• High hFE and good linearity
• Complementary to L9015
TO-92
1
1. Emitter 2. Base 3. Collector
Absolute Maximum Ratings Ta=25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Ratings Units
VCBO Collector-Base Voltage 50 V
VCEO Collecto

1.2. sihfl9014.pdf Size:169K _upd-mosfet

IRFL9014, SiHFL9014
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
VDS (V) — 60
• Surface Mount
RDS(on) ()VGS = — 10 V 0. 50
• Available in Tape and Reel
Qg (Max.) (nC) 12
• Dynamic dV/dt Rating
Qgs (nC) 3.8
• Repetitive Avalanche Rated
• P-Channel
Qgd (nC) 5.1
• Fast Switching
Configuration Single

 1.3. irfl9014.pdf Size:222K _international_rectifier

PD — 90863A
IRFL9014
HEXFET Power MOSFET
Surface Mount
Available in Tape & Reel D
VDSS = -60V
Dynamic dv/dt Rating
Repetitive Avalanche Rated
P-Channel
RDS(on) = 0.50?
Fast Switching
G
Ease of Paralleling
ID = -1.8A
S
Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier
provide the designer with the best combination of fast
switching, ruggedized device design

1.4. irfl9014pbf.pdf Size:256K _international_rectifier

PD — 95153
IRFL9014PbF
HEXFET Power MOSFET
l Surface Mount
l Available in Tape & Reel D
VDSS = -60V
l Dynamic dv/dt Rating
l Repetitive Avalanche Rated
l P-Channel
RDS(on) = 0. 50?
l Fast Switching
G
l Ease of Paralleling
l Lead-Free
ID = -1.8A
S
Descripti?n
Third Generation HEXFETs from International Rectifier
provide the designer with the best combination of fast
switching, rug

 1.5. irfl9014 sihfl9014.pdf Size:168K _vishay

IRFL9014, SiHFL9014
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
VDS (V) — 60
Surface Mount
RDS(on) (?)VGS = — 10 V 0.50
Available in Tape and Reel
Qg (Max.) (nC) 12
Dynamic dV/dt Rating
Qgs (nC) 3.8
Repetitive Avalanche Rated
P-Channel
Qgd (nC) 5.1
Fast Switching
Configuration Single
Ease of Paralleli

1.6. l9014slt1g.pdf Size:98K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
NPN Silicon
L9014QLT1G
FEATURE
Complementary to L9014.
Series
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-L9014QLT1G
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
Series
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
DEVICE MARKING AND ORDERING INF

1.7. l9014tlt1g.pdf Size:99K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
NPN Silicon
FEATURE
Complementary to L9014.
L9014QLT1G
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
Series
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
S-L9014QLT1G
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
Series
DEVICE MARKING AND ORDERING IN

1.8. l9014rlt1g.pdf Size:99K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
NPN Silicon
FEATURE
Complementary to L9014. L9014QLT1G
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
Series
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
S-L9014QLT1G
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
Series
DEVICE MARKING AND ORDERING IN

1.9. l9014qlt1g.pdf Size:105K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
NPN Silicon
FEATURE
L9014QLT1G
Complementary to L9014.
Series
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
S-L9014QLT1G
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
Series
DEVICE MARKING AND ORDERING IN

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

2SC9014 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc9014.pdf Size:76K _update

Transistors
2SC9014

1.2. 2sc9014.pdf Size:222K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC9014
DESCRIPTION
·High total power dissipation
·High hFE and good linearity
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for Switching and amplification
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Collector-Base Voltage 50 V
CBO
V Coll

 4. 1. 2sc9013.pdf Size:84K _usha

Transistors
2SC9013
Downloaded from Elcodis.com electronic components distributor
Downloaded from Elcodis.com electronic components distributor

4.2. 2sc9018.pdf Size:77K _usha

Transistors
2SC9018
This datasheet has been downloaded from:
www.DatasheetCatalog.com
Datasheets for electronic components.

Оцените статью:

100 шт. S9015 TO 92 9015 TO92 Новый триодный транзистор|triode transistor|transistor 100pcstransistor to-92

Прочие электронные компоненты

Электронный компонент


Посылка комплекта электронных компонентов       Плата модуля         Печатная плата

 

Интегральная схема


Оптопара        74-серия         Микроконтроллер         Прочее

 

Диод


SMD       DO-41 DO-35       Светодиодный Диод       Мостовые выпрямители          Прочее

 

Резистор


0603 SMD       0805 SMD      1206 SMD       2512 SMD       Резистор в корпусе dip        Сетевой резистор       Прочее

 

Транзистор


IR MOSFET       Регулятор напряжения (78 79)         (MOSFET) трубка с полевым эффектом       ТРАНЗИСТОР TO-92       Транзистор SMD       Прочее

 

Конденсатор


0603 SMD      0805 SMD     1206 SMD      Электролитический конденсатор       Танталовый конденсатор      Монолитный конденсатор  

 

 CBB      Регулируемый конденсатор       275AVC X2 конденсатор       Прочее

 

Прочая Электроника


Кристаллический осциллятор         IC розетка        Потенциометр

 

Ниже приведены некоторые другиеОбщий транзистор TO-92Ссылка на покупку

2N2222

2SA1266

2SC945

BC337-40

BC640

MPSA92

2N2907

2SA733

2SD965

BC546B

BD139

S8050

2N3055

2SA928

2SJ103

BC547B

BD140

S8550

2N3904

2SC1008

2SK246

BC547C

BF422

S9012

2N3906

2SC1384

2SK30A

BC548B

BF423

S9013

2N5401

2SC1815

2SB647

BC556B

BS170

S9014

2N5551

2SC2328

2SB772

BC557B

MJE13001

S9015

2N7000

2SC2383

BC327-25

BC558B

MJE13002

S9018

2SA1015

2SC2655

BC327-40

BC559B

MJE13003

SS8050

2SA1020

2SC3198

BC337-25

BC639

MPSA42

SS8550

TL431

 

 

 

 

 

Ниже приведены некоторые более распространенные транзисторы SOTСсылка на покупку

2SA1015

2SC945

BC817-40

MMBT2222

SS8050

S9014

2SA733

2SD882

BC848B

MMBT3904

SS8550

S9015

2SB772

BC807-16

BC856B

MMBT3906

TL431

S9018

2SC1623

BC807-25

BC857B

MMBT5401

S8050

 

2SC1815

BC807-40

BC846B

MMBT5551

S8550

 

2SC3356

BC817-16

BC847B

MMBTA42

S9012

 

2SC3357

BC817-25

BC847C

MMBTA92

S9013

 

 

 

s9015 транзистор характеристики, аналоги, DataSheet, параметры

PNP биполярный, кремниевый, эпитаксиально-планарный, высокочастотный транзистор S9015 (или SS9015), по своим характеристикам обладает повышенными коэффициентами передачи тока h FE , низким уровнем собственных шумов и хорошей линейностью . Бывают маломощные (до 0,2 Вт) и средней мощности (до 0,45 Вт), внешне отличающиеся между собой типом корпуса. Наиболее часто используются в каскадах предусиления и зарядных устройств различных бытовых приборов, вместе со своей комплементарной парой s9014.Популярен у радиолюбителей в простых схемах и усиления звука.

Распиновка

S9015 (группа А-D) изготавливается в распространённом пластиковоме TO-92 с тремя металлическими выводами для монтажа. Для определения назначения этих выводов, посмотрите на его плоскую сторону. Три вывода, выходящие из транзистора, являются (направо) эмиттером, базой и коллектором. S9015 (группы L-H) производятся в пластиковом SMD-корпусе SOT-23 для другого внешнего монтажа, и тоже имеет три вывода.Назначение контактов можно понять, если посмотреть на него сверху. Слева направо, сверху вниз следуют контакты: коллектор, база и эмиттер.

Характеристики

В техническомомании на транзистор обычно указываются его предельно допустимые режимы эксплуатации (максимальный рейтинг), электрические характеристики (электрические характеристики) и классификация по группе h FE . Эти параметры проверяемого устройства устройства, при температуре окружающей среды + 25 ° С.

Предельные режимы эксплуатации

При изучении характеристик S9015 следует учесть его PNP-сопротивление и то, что его pn-переход открывается при напряжении обратной полярности. Т.е. источник питания на эмиттерном переходе U БЭ (V BE ) подключается минусом к базе, а плюсом к эмиттеру. Поэтому, транзистора PNP-структуры, предельные значения эксплуатации и электрические характеристики напряжения и тока производителей, в техническом описании, обычно со знаком «-».Рассмотрим предельные режимы эксплуатации s9015 (ТО-92).

Электрические характеристики

Рассмотрим электрические параметры S9015 (ТО-92). Важным при выборе данного компонента является его собственный коэффициент шума F Ø (NF, коэффициент шума). Именно он иногда определяет применение этого транзистора в различных схемах усиления. Обычно у s9015 низкий коэффициент собственных шумов, который не превышает 10 дБ. Это относит его к малошумящим значением.В последнее время встречаются технические описания устройств, которые, по неизвестным причинам, эта характеристика не указывается.

Классификация по H FE

Отдельно основные характеристики в даташите на s9015 указывается его коэффициент усиления по току h FE . Для классификации транзисторов по этому параметру используется последняя буква (A-D, H-L) в его обозначении. Значение этой величины у устройства s9015D достигает 1000 ч FE .Ниже приведена стандартная классификация устройства по h FE .

Мощность рассеивания

При выборе так же обращают внимание на его максимальную мощность рассеивания на коллекторе P K (P C ) . Так, у маломощных s9015H и s9015L, в корпусе SOT-23, максимальная мощность рассеивания не превышает 0,2 Вт. Если необходима большая мощность (0,45 Вт), то подбирают девайс в корпусе ТО-92: s9015A, s9015B, s9015C, s9015D.

Аналоги

К иностранным аналогам можно отнести следующие: bc317, bc320, hs733, ksa733, ktc9015, ktc9015c. Если не важен коэффициент усиления по току и граничная частота, обратите внимание на: ksp55, ksp56, mps751, mps751g, mpsa55, mpsa56, mpsw55, mpsw56. Российские устройства аналоги для s9015 - это из серии КТ3107, КТ6112.

Достаточно трудно подобрать замену для S9015D. Многие радиолюбители вместо него обычно устанавливают КТ3107К или КТ3107Л, с коэффициентом усиления по току до 800 ч FE .

Комплементарная пара

Комплементарная пара для S9015 (PNP) - транзистор с NPN-проводимостью s9014.

Маркировка

SS9015 (s 9015) это очень популярный транзистор от компании Samsung Semiconductor. Часто маркируется на корпусе без первой буквы «s». В настоящее время транзисторы выпускаются разными компаниями и встречаются с такой маркировкой 2SC1905, MMBT9015. Корпус SMD-транзисторов (SOT-23) маркируется цифро-буквенным кодом «M6».

Безопасность при эксплуатации

Не допускает использование устройства на предельно допустимых значениях эксплуатационных параметров. При пайке контактов не прикасайтесь к пластиковому корпусу горячими частями паяльника. Нельзя паять если температура жала паяльника более +250 ° С, период касания каждого вывода при этом не должен включать 3 сек.

Производители

Список некоторых производителей. Кликнув по наименованию компании Вы можете скачать datasheet на s9015.

Транзисторы SS9012 (S9012) и SS9015 (S9015) - параметры, маркировка, цоколевка.

Транзисторы SS9015 (S9015) A, SS9015 (S9015) B,
SS9015 (S9015) C.

Транзисторы SS9015 (S9015) - кремниевые, высокочастотные усилительные, малошумящие (на низких частотах) структуры - p-n-p.
Корпус пластиковый TO-92. Маркировка буквенно - цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность (Рк т max) - 0,450 Вт.

Предельная частота коэффициента передачи тока (fh31э) транзистора для схем с общим эмиттером - 190 МГц;

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер - 45 в.

Максимальное напряжение коллектор - база - 50 в.

Максимальное напряжение эмиттер - база - 5 в.

Коэффициент передачи тока :
У транзисторов SS9015 (S9015) с буквой A - от 60 до 150 .
У транзисторов SS9015 (S9015) с буквой B - от 100 до 300 .
У транзисторов SS9015 (S9015) с буквой C - от 200 до 600 .

Максимальный постоянный ток коллектора - 100 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5 мА - не выше 0,7 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5 мА - не выше 1,2 в.

Обратный ток коллектор - база при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-база 50в. не более 50 мКА.

Обратный ток эмиттера - база при напряжении эмиттер-база 5в не более - 50 мКА.


На главную страницу

S9015 к-92 | Биполярные транзисторы

Код товара: M-162-11720
Обновление: 2019-09-14
Тип корпуса: к-92

Дополнительная информация :

Обратите внимание, что транзисторы одной марки имеют различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите изображение и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить S9015 на-92, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный технический паспорт и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд .

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

Что еще купить вместе с S9015 to-92?

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

Сопутствующие товары
Код Наименование Краткое описание Розн. цена

** более подробную информацию (фото, описание, маркировка, характеристики, технические характеристики, и тд.).
11720 S9015 к-92 Транзистор S9015 - Транзисторы в пластиковом корпусе NPN, 25V, 50mA, 0.2W, to-92 1 руб.
11869 S9013 к-92 Транзистор S9013 - Транзисторы в пластиковом корпусе NPN, 40 В, 625 мА, 0.6Вт, к-92 1.4 pyб.
282 TL431A к-92 Микросхемы TL431 (TL431A) - регулятор напряжения IC (источник опорного напряжения), К-92 1,7 pyб.
4563 2SC2655 к-92mod Транзистор 2SC2655 (маркировка C2655) - Приложения для усилителя мощности, приложения для переключения мощности, 2A, 50V, NPN, TO-92MOD 2,6 pyб.
374 L7809CV Микросхема L7809CV стабилизатор напряжения + 9В, 1. 5А, ТО-220 9 pyб.
8334 2Н2907 к-92 Транзистор 2N2907 - Транзистор PNP 0.8А, 60В, ТО-92 1.2 pyб.
1700 2SC1815 к-92 Транзистор 2SC1815 (маркировка C1815) - NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz, TO-92 1.4 pyб.
1928 S9012 к-92 Транзистор S9012 - Транзистор PNP, 40В, 0.5А, TO-92 1.6 pyб.
8003 S9018 к-92 Транзистор S9018 - Транзистор кремниевый NPN, 25В, 50мА, TO-92 2.2 pyб.
7711 DS1307 дип-8 Микросхема DS1307 - часы реального времени с последовательным интерфейсом, 64 X 8, DIP-8 16 pyб.

S9015 транзистор характеристики, аналоги, паспорт, параметры

Биполярный транзистор STS9014 - описание производителя.Основные параметры. Даташиты.

Напряжение Наименование производителя: STS9014

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0,625
Вт

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое -эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0. 15
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
° C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60
МГц

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: TO-92

STS9014
Паспорт (PDF)

1.1. gsts9014lt1.pdf Размер: 221K _upd

GSTS9014LT1
NPN Транзистор общего назначения
Описание продукта Характеристики
Это устройство разработано как универсальное коллектор-эмиттерное напряжение: 45 В, усилитель и переключатель
.Ток коллектора: 100 мА
Без свинца (Pb)
Пакеты и назначение выводов
SOT-23
Описание выводов
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Информация о маркировке
P / N Номер в упаковке Маркировка детали
GSTS9014LT1F SOT-23 Q 14Q

1.2. sts9014.pdf Размер: 207 КБ _auk

STS9014
Кремниевый транзистор NPN
Описание
Контактное соединение
• Приложение общего назначения
C
• Приложение переключения
Характеристики
B
• Превосходная линейность hFE: hFE (IC = 0. 1 мА) /
hFE (IC = 2 мА) = 0,95 (тип.)
• Низкий уровень шума: NF = 10 дБ (макс.) При f = 1 кГц
E
• Дополнительная пара с STS9015
TO-92
Информация для заказа
Тип NO. Маркировка Код упаковки
STS9014 STS9014 TO-92
A

4.1. sts9013.pdf Размер: 197 КБ _auk

STS9013
Кремниевый транзистор NPN
Описание
Контактное соединение
• Применение общего назначения.
C
• Применение переключения.
B
Характеристики
• Превосходная линейность hFE.
E
• Дополнительная пара с STS9012
TO-92
Информация для заказа
Тип NO. Маркировка Код упаковки
STS9013 STS9013 TO-92
Абсолютные максимальные характеристики (Ta = 25 ° C)
Характеристика Символ Номинальные значения Единица
Collector-B

4.2. sts9012.pdf Размер: 106 КБ _auk

STS9012
Полупроводник
Полупроводник
Кремниевый транзистор PNP
Описание
• Применение общего назначения.
• Переключение приложения.
Характеристики
• Превосходная линейность hFE.
• Дополнительная пара с STS9013
Информация для заказа
Тип NO. Маркировка Код упаковки
STS9012 STS9012 TO-92
Габаритные размеры, мм
3,45 ± 0,1
4,5 ± 0,1
2,25 ± 0,1
0,4 ± 0,02
2,06 ± 0,1
1,27 Тип.
2,54

4,3. sts9015.pdf Размер: 97K _auk

STS9015
Полупроводник
Полупроводник
Кремниевый транзистор PNP
Описание
• Применение общего назначения.
• Переключение приложения.
Характеристики
• Превосходная линейность hFE: hFE (IC = 0,1 мА) / hFE (IC = 2 мА) = 0,95 (тип.)
• Низкий уровень шума: NF = 10 дБ (макс.)
• Дополнительная пара с STS9014
Информация для заказа
Тип NO. Маркировка Код упаковки
STS9015 STS9015 TO-92
Габаритные размеры uni

4.4. sts9018.pdf Размер: 232 КБ _auk

STS9018
Кремниевый транзистор NPN
Описание
Контактное соединение
• Применение высокочастотного малошумящего усилителя
C
• Применение усилителя диапазона УКВ
B
Характеристики
• Коэффициент низкого шума: NF = 4 дБ (макс. ) при f = 100 МГц
• Высокая частота перехода fT = 800 МГц (тип.)
E
TO-92
Информация для заказа
Тип №. Маркировка Код пакета
STS9018 STS9018 TO-92
Абсолютные максимальные значения T

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360

, 2SC41391SC , 2SC41391SC
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

DMBT9014 Лист данных (PDF)

1.1. dmbt9014.pdf Размер: 157K _upd

DC COMPONENTS CO., LTD.
DMBT9014
ДИСКРЕТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
R
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ПЛОСКОГО ТРАНЗИСТОРА NPN
Описание
Предназначен для использования в предусилителе низкого уровня и
низкого шума.
SOT-23
0,020 (0,50)
0,012 (0,30)
Закрепление
1 = База
3
2 = Излучатель
0,063 (1,60) . 108 (0,65)
3 = Коллектор
0,055 (1,40).089 (0,25)
1 2
Абсолютные максимальные характеристики (TA = 25 ° C)
0,045 (1,15)
0,034 (0,85)
.

3.1. dmbt9013.pdf Размер: 144K _upd

DC COMPONENTS CO., LTD.
DMBT9013
ДИСКРЕТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
R
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ПЛОСКОГО ТРАНЗИСТОРА NPN
Описание
Предназначен для применения в усилителях низкой частоты.
SOT-23
.020 (0.50)
Pinning
.012 (0.30)
1 = База
2 = Эмиттер
3
3 = Коллектор.063 (1,60) .108 (0,65)
.055 (1,40) .089 (0,25)
1 2
Абсолютные максимальные номинальные характеристики (TA = 25oC)
0,045 (1,15)
0,034 (0,85)
0,091 (2,30)
Cha

3.2. dmbt9018.pdf Размер: 77K _upd

DC COMPONENTS CO., LTD.
DMBT9018
ДИСКРЕТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
R
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ПЛОСКОГО ТРАНЗИСТОРА NPN
Описание
Предназначен для использования в усилителе AM / FM и гетеродине
тюнера FM / VHF.
SOT-23
.020 (0.50)
Штифт
.012 (0,30)
1 = База
2 = Излучатель 3
0,063 (1,60) .108 (0,65)
3 = Коллектор
0,055 (1,40) 0,089 (0,25)
1 2
Абсолютные максимальные характеристики (TA = 25oC) ) .045 (1.15)
.034

3.3. dmbt9012.pdf Размер: 173K _upd

DC COMPONENTS CO., LTD.
DMBT9012
ДИСКРЕТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
R
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ПЛОСКОГО ТРАНЗИСТОРА PNP
Описание
Разработан для применения в усилителях низкой частоты.
SOT-23
.020 (0.50)
Штифт
.012 (0,30)
1 = База
2 = Излучатель
3
3 = Коллектор 0,063 (1,60) .108 (0,65)
0,055 (1,40) 0,089 (0,25)
1 2
Абсолютные максимальные характеристики (TA = 25oC )
.045 (1.15)
.034 (0.85)
.091 (2.30)
Cha

L9014 Лист данных (PDF)

1.1. l9014.pdf Размер: 127K _upd

ЛЕШАН РАДИОКОМПАНИЯ, ООО.
Эпитаксиальный кремний NPN
L9014
Транзистор
Предусилитель, низкий уровень и низкий уровень шума
• Высокая общая рассеиваемая мощность. (PT = 450 мВт)
• Высокий фторопласт и хорошая линейность.
• Дополняет L9015
TO-92
1
1.Излучатель 2. База 3. Коллектор
Абсолютные максимальные характеристики Ta = 25 ° C, если не указано иное
Символ Параметр Номинальные значения Единицы
VCBO Напряжение коллектор-база 50 В
VCEO Collecto

1.2. sihfl9014.pdf Размер: 169K _upd-mosfet

IRFL9014, SiHFL9014
Vishay Siliconix
Power MOSFET
ХАРАКТЕРИСТИКИ
ОПИСАНИЕ ПРОДУКТА
• Не содержит галогенов Согласно IEC 61249-2-21
Определение -
60 VDS91 (V) • Поверхностный монтаж
RDS (вкл.) () VGS = - 10 В 0,50
• Доступен на ленте и на катушке
Qg (макс.) (nC) 12
• Динамическое значение dV / dt
Qgs (nC) 3.8
• Повторяющееся лавинное давление
• P-канал
Qgd (nC) 5. 1
• Быстрое переключение
Конфигурация Одинарный

1.3. irfl9014.pdf Размер: 222K _international_rectifier

PD -

A
IRFL9014
Силовой полевой МОП-транзистор с HEXFET
для поверхностного монтажа
Доступен на ленте и на катушке на) = 0,50?
Быстрое переключение
G
Простота параллельной работы
ID = -1.8A
S
Описание
HEXFET третьего поколения от International Rectifier
предоставляет разработчикам наилучшее сочетание быстрой коммутации
и надежной конструкции устройства

1.4. irfl9014pbf.pdf Размер: 256K _international_rectifier

PD - 95153
IRFL9014PbF
Мощный полевой МОП-транзистор с HEXFET
л для поверхностного монтажа
л Доступен в ленточном и катушечном исполнении D
VDSS = -60V
л Динамический номинальный ток dv / dt
л Повторяющийся 91 Avalanche -Канал
RDS (вкл.) = 0.50?
l Быстрое переключение
G
l Простота параллельного подключения
l Бессвинцовый
ID = -1,8A
S
Описание
HEXFET третьего поколения от International Rectifier
предоставляет проектировщику наилучшее сочетание быстрого переключения
, коврик

1,5. irfl9014 sihfl9014.pdf Размер: 168K _vishay

IRFL9014, SiHFL9014
Vishay Siliconix
силовой полевой МОП-транзистор
ХАРАКТЕРИСТИКИ
ОПИСАНИЕ ПРОДУКТА
Без галогенов Согласно IEC 61249-2-21
Определение
VDS91
Крепление на поверхность (вкл) (?) VGS = - 10 В 0.50
Доступен в ленте и на катушке
Qg (макс.) (НКл) 12
Динамическое значение dV / dt
Qgs (нКл) 3,8
Повторяющееся лавинное номинальное значение
P-канал
Qgd (нКл) 5,1
Быстрое переключение
Конфигурация Одинарное
Удобство Paralleli

1.6. l9014slt1g.pdf Размер: 98K _lrc

ЛЕШАН РАДИОКОМПАНИЯ, ООО.
Транзисторы общего назначения
Кремний NPN
L9014QLT1G
ХАРАКТЕРИСТИКА
Дополняет L9014.
Серия
Мы заявляем, что материал продукта соответствует требованиям RoHS.S-L9014QLT1G
S- префикс для автомобильных и других приложений, требующих уникального сайта
серии
и требований к изменению управления; Соответствует AEC-Q101 и поддерживает PPAP.
МАРКИРОВКА И ЗАКАЗ УСТРОЙСТВА INF

1.7. l9014tlt1g.pdf Размер: 99K _lrc

ЛЕШАН РАДИОКОМПАНИЯ, ООО.
Транзисторы общего назначения
Кремний NPN
ХАРАКТЕРИСТИКА
Дополняет L9014.
L9014QLT1G
Мы заявляем, что материал продукта соответствует требованиям RoHS.
Series
S- префикс для автомобильных и других приложений, требующих уникального сайта
S-L9014QLT1G
и требований к изменению управления; Соответствует AEC-Q101 и поддерживает PPAP.Серия

МАРКИРОВКА И ЗАКАЗ УСТРОЙСТВА

1.8. l9014rlt1g.pdf Размер: 99K _lrc

ЛЕШАН РАДИОКОМПАНИЯ, ООО.
Транзисторы общего назначения
Кремний NPN
ХАРАКТЕРИСТИКА
Дополняет L9014. L9014QLT1G
Мы заявляем, что материал продукта соответствует требованиям RoHS.
Series
S- префикс для автомобильных и других приложений, требующих уникального сайта
S-L9014QLT1G
и требований к изменению управления; Соответствует AEC-Q101 и поддерживает PPAP.
Серия
МАРКИРОВКА И ЗАКАЗ УСТРОЙСТВА

1.9. l9014qlt1g.pdf Размер: 105K _lrc

ЛЕШАН РАДИОКОМПАНИЯ, ООО.
Транзисторы общего назначения
Кремний NPN
ХАРАКТЕРИСТИКА
L9014QLT1G
Дополняет L9014.
Серия
Мы заявляем, что материал продукта соответствует требованиям RoHS.
S-L9014QLT1G
S- префикс для автомобильных и других приложений, требующих уникального сайта
и требований к изменению управления; Соответствует AEC-Q101 и поддерживает PPAP.
Серия
УСТРОЙСТВО МАРКИРОВКА И ЗАКАЗ

Биполярный транзистор KTC9014SC - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KTC9014SC

Маркировка: CBD

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0,35
Вт

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb

): 80

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0. 1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
° C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
МГц

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора: SOT23

KTC9014SC
Лист данных (PDF)

1.1. ktc9014sc.pdf Размер: 651K _update

ПОЛУПРОВОДНИК KTC9014SC
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ NPN-ТРАНЗИСТОР
ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ.
ПРИМЕНЕНИЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ.
ХАРАКТЕРИСТИКИ
· Превосходная линейность hFE
: hFE (IC = 0,1 мА) / hFE (IC = 2 мА) = 0,95 (тип.).
· Дополняет KTC9015SC.
МАКСИМАЛЬНОЕ НОМИНАЛ (Ta = 25 ℃)
ХАРАКТЕРИСТИКА СИМВОЛА НОМИНАЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО
VCBO
Напряжение коллектор-база 80 В
VCEO
Напряжение коллектор-эмиттер 50 В
VEBO
Напряжение эмиттера-базы

2.1. ktc9014s.pdf Размер: 396K _kec

ПОЛУПРОВОДНИК KTC9014S
ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ.
ПРИМЕНЕНИЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ.
E
LBL
ХАРАКТЕРИСТИКИ
РАЗМЕР МИЛЛИМЕТРА
Отличная линейность hFE
_
A 2,93 0,20
+
B 1,30 + 0,20 / -0,15
: hFE (IC = 0,1 мА) / hFE (IC = 2 мА) = 0,95 (тип. ).
C 1,30 MAX
2
Низкий уровень шума: NF = 1 дБ (тип.) При f = 1 кГц. 3 D 0,45 + 0,15 / -0,05
E 2,40 + 0,30 / -0,20
Дополняет KTC9015S.
1
G 1.90

3.1. ktc9014.pdf Размер: 349K _kec

ПОЛУПРОВОДНИК KTC9014
ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ.
ПРИМЕНЕНИЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ.
B C
ХАРАКТЕРИСТИКИ
• Отличная линейность hFE
: hFE (IC = 0,1 мА) / hFE (IC = 2 мА) = 0,95 (тип.).
N DIM MILLIMETERS
· Низкий уровень шума: NF = 1 дБ (тип.) При f = 1 кГц.
A 4,70 MAX
E
K
B 4,80 MAX
· Дополняет KTC9015. G
C 3,70 MAX
D
D 0,45
E 1,00
F 1,27
G 0,85
H 0,45
_
МАКСИМАЛЬНОЕ ОТНОШЕНИЕ

3. 2. ktc9014a.pdf Размер: 343K _kec

ПОЛУПРОВОДНИК KTC9014A
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ NPN ТРАНЗИСТОР
ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ.
ПРИМЕНЕНИЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ.
B C
ХАРАКТЕРИСТИКИ
• Отличная линейность hFE
: hFE (IC = 0,1 мА) / hFE (IC = 2 мА) = 0,95 (тип.).
N DIM MILLIMETERS
· Низкий уровень шума: NF = 1 дБ (тип.) При f = 1 кГц.
A 4,70 MAX
E
K
B 4,80 MAX
· Дополняет KTC9015A. G
C 3,70 MAX
D
D 0,45
E 1,00
F 1,27
G 0,85
H 0,45
_
MAXIMUM RA

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4354
, 2SC4359
, 2SC4359
, 2SC4359
, 2SC4359
, 2SC4359
2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

STS9014 Лист данных (PDF)

1. 1. gsts9014lt1.pdf Размер: 221K _upd

GSTS9014LT1
NPN Транзистор общего назначения
Описание продукта Характеристики
Это устройство разработано как универсальное коллектор-эмиттерное напряжение: 45 В, усилитель и переключатель
. Ток коллектора: 100 мА
Без свинца (Pb)
Комплекты и назначение выводов
SOT-23
Описание выводов
1 База
2 Эмиттер
3 Коллектор
Информация о маркировке
P / N Номер в упаковке Маркировка детали
GSTS9014LT1F SOT-23 Q 14Q

1.2. sts9014.pdf Размер: 207К _auk

STS9014
Кремниевый транзистор NPN
Описание
Контактное соединение
• Приложение общего назначения
C
• Приложение переключения
Характеристики
B
• Превосходная линейность hFE: hFE (IC = 0,1 мА) /
hFE (IC = 2 мА) = 0,95 (тип.)
• Низкий уровень шума: NF = 10 дБ (макс.) При f = 1 кГц
E
• Дополнительная пара с STS9015
TO-92
Информация для заказа
Тип NO. Маркировка Код упаковки
STS9014 STS9014 TO-92
A

4.1. sts9013.pdf Размер: 197K _auk

STS9013
Кремниевый транзистор NPN
Описание
Контактное соединение
• Применение общего назначения.
C
• Применение переключения.
B
Характеристики
• Превосходная линейность hFE.
E
• Дополнительная пара с STS9012
TO-92
Информация для заказа
Тип NO. Маркировка Код упаковки
STS9013 STS9013 TO-92
Абсолютные максимальные характеристики (Ta = 25 ° C)
Характерный символ Номинальные значения Единица
Collector-B

4.2. sts9012.pdf Размер: 106К _auk

STS9012
Полупроводник
Полупроводник
Кремниевый транзистор PNP
Описание
• Применение общего назначения.
• Переключение приложения.
Характеристики
• Превосходная линейность hFE.
• Дополнительная пара с STS9013
Информация для заказа
Тип NO. Маркировка Код упаковки
STS9012 STS9012 TO-92
Габаритные размеры, мм
3,45 ± 0,1
4,5 ± 0,1
2,25 ± 0,1
0,4 ± 0,02
2.06 ± 0,1
1,27 Тип.
2,54

4,3. sts9015.pdf Размер: 97K _auk

STS9015
Полупроводник
Полупроводник
Кремниевый транзистор PNP
Описание
• Применение общего назначения.
• Переключение приложения.
Характеристики
• Превосходная линейность hFE: hFE (IC = 0,1 мА) / hFE (IC = 2 мА) = 0,95 (тип.)
• Низкий уровень шума: NF = 10 дБ (макс.)
• Дополнительная пара с STS9014
Информация для заказа
Тип NO. Маркировка Код упаковки
STS9015 STS9015 TO-92
Габаритные размеры uni

4.4. sts9018.pdf Размер: 232K _auk

STS9018
Кремниевый транзистор NPN
Описание
Контактное соединение
• Применение высокочастотного малошумящего усилителя
C
• Применение усилителя УКВ диапазона
B
Характеристики
• Коэффициент низкого шума: NF = 4 дБ (макс. ) При f = 100 МГц
• Высокая частота перехода fT = 800 МГц (тип.)
E
TO-92
Информация для заказа
Тип №. Маркировка Код упаковки
STS9018 STS9018 TO-92
Абсолютные максимальные характеристики T

Биполярный транзистор 2SC9014 - описание производителя.Основные параметры. Даташиты.

напряжение Наименование производителя: 2SC9014

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0,45
Вт

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое -эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
° C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
МГц

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3,5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора: TO-92

2SC9014
Паспорт (PDF)

1. 1. 2sc9014.pdf Размер: 76K _update

Транзисторы
2SC9014

1.2. 2sc9014.pdf Размер: 222K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Кремниевый силовой транзистор NPN 2SC9014
ОПИСАНИЕ
· Высокая общая рассеиваемая мощность
· Высокая hFE и хорошая линейность
· Минимальные отклонения от партии к партии для надежного устройства
эксплуатация
ПРИМЕНЕНИЕ
· Предназначен для коммутации и усиления
АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ (T = 25 ℃)
a
СИМВОЛ ПАРАМЕТР ЗНАЧЕНИЕ ЕДИНИЦА
В Напряжение коллектор-база 50 В
CBO
В Coll

4.1. 2sc9013.pdf Размер: 84K _usha

Транзисторы
2SC9013
Скачано с Elcodis.com Дистрибьютор электронных компонентов
Скачано с Elcodis.com Дистрибьютор электронных компонентов

4.2. 2sc9018.pdf Размер: 77K _usha

Транзисторы
2SC9018
Это техническое описание было загружено с:
www. DatasheetCatalog.com
Таблицы данных для электронных компонентов.

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC436443
, 2SC436443SC
, 2SC436443SC91, 2SC43644391SC 2SC4369
, 2SC437
.

KTC9014SC Лист данных (PDF)

1.1. ktc9014sc.pdf Размер: 651K _update

ПОЛУПРОВОДНИК KTC9014SC
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ NPN-ТРАНЗИСТОР
ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ.
ПРИМЕНЕНИЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ.
ХАРАКТЕРИСТИКИ
· Превосходная линейность hFE
: hFE (IC = 0,1 мА) / hFE (IC = 2 мА) = 0,95 (тип.).
· Дополняет KTC9015SC.
МАКСИМАЛЬНОЕ НОМИНАЛ (Ta = 25 ℃)
ХАРАКТЕРИСТИКА СИМВОЛА НОМИНАЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО
VCBO
Напряжение коллектор-база 80 В
VCEO
Напряжение коллектор-эмиттер 50 В
VEBO
Напряжение эмиттера-базы

2. 1. ktc9014s.pdf Размер: 396K _kec

ПОЛУПРОВОДНИК KTC9014S
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ NPN-ТРАНЗИСТОР
ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ.
ПРИМЕНЕНИЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ.
E
LBL
ХАРАКТЕРИСТИКИ
РАЗМЕР МИЛЛИМЕТРА
Отличная линейность hFE
_
A 2,93 0,20
+
B 1,30 + 0,20 / -0,15
: hFE (IC = 0,1 мА) / hFE (IC = 2 мА) = 0,95 (тип. ).
C 1,30 MAX
2
Низкий уровень шума: NF = 1 дБ (тип.) При f = 1 кГц. 3 D 0,45 + 0,15 / -0,05
E 2,40 + 0,30 / -0,20
Дополняет KTC9015S.
1
G 1.90

3.1. ktc9014.pdf Размер: 349K _kec

ПОЛУПРОВОДНИК KTC9014
ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ.
ПРИМЕНЕНИЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ.
B C
ХАРАКТЕРИСТИКИ
• Отличная линейность hFE
: hFE (IC = 0,1 мА) / hFE (IC = 2 мА) = 0,95 (тип.).
N DIM MILLIMETERS
· Низкий уровень шума: NF = 1 дБ (тип.) При f = 1 кГц.
A 4,70 MAX
E
K
B 4,80 MAX
· Дополняет KTC9015. G
C 3,70 МАКС
D
D 0.45
E 1,00
F 1,27
G 0,85
H 0,45
_
МАКСИМАЛЬНОЕ ОТНОШЕНИЕ

3.2. ktc9014a.pdf Размер: 343K _kec

ПОЛУПРОВОДНИК KTC9014A
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ NPN ТРАНЗИСТОР
ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ.
ПРИМЕНЕНИЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ.
B C
ХАРАКТЕРИСТИКИ
• Отличная линейность hFE
: hFE (IC = 0,1 мА) / hFE (IC = 2 мА) = 0,95 (тип.).
N DIM MILLIMETERS
· Низкий уровень шума: NF = 1 дБ (тип.) При f = 1 кГц.
A 4,70 MAX
E
K
B 4,80 MAX
· Дополняет KTC9015A.G
C 3.70 MAX
D
D 0.45
E 1.00
F 1.27
G 0.85
H 0.45
_
MAXIMUM RA

Биполярный транзистор DMBT9014 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: DMBT9014

Маркировка: J6

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0,225
Вт

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb

): 50

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0. 1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
° C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
МГц

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора: SOT- 23

DMBT9014
Лист данных (PDF)

1.1. dmbt9014.pdf Размер: 157K _upd

DC COMPONENTS CO., LTD.
DMBT9014
ДИСКРЕТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
R
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ПЛОСКОГО ТРАНЗИСТОРА NPN
Описание
Предназначен для использования в предусилителе низкого уровня и
низкого шума.
SOT-23
0,020 (0,50)
0,012 (0,30)
Закрепление
1 = База
3
2 = Излучатель
0,063 (1,60) .108 (0,65)
3 = Коллектор
0,055 (1,40). 089 (0,25)
1 2
Абсолютные максимальные характеристики (TA = 25 ° C)
0,045 (1,15)
0,034 (0,85)
.

3.1. dmbt9013.pdf Размер: 144K _upd

DC COMPONENTS CO. , LTD.
DMBT9013
ДИСКРЕТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
R
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ПЛОСКОГО ТРАНЗИСТОРА NPN
Описание
Предназначен для применения в усилителях низкой частоты.
SOT-23
.020 (0.50)
Pinning
.012 (0.30)
1 = База
2 = Эмиттер
3
3 = Коллектор 0,063 (1,60) .108 (0,65)
.055 (1.40) .089 (0,25)
1 2
Абсолютные максимальные характеристики (TA = 25oC)
0,045 (1,15)
0,034 (0,85)
0,091 (2,30)
Cha

3.2. dmbt9018.pdf Размер: 77K _upd

DC COMPONENTS CO., LTD.
DMBT9018
ДИСКРЕТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
R
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ПЛОСКОГО ТРАНЗИСТОРА NPN
Описание
Предназначен для использования в усилителе AM / FM и гетеродине
тюнера FM / VHF.
SOT-23
.020 (0.50)
Pinning
.012 (0.30)
1 = База
2 = Излучатель 3
.063 (1.60) .108 (0,65)
3 = Коллектор
. 055 (1.40) .089 (0,25)
1 2
Абсолютные максимальные характеристики (TA = 25 ° C) 0,045 (1,15)
0,034

3.3. dmbt9012.pdf Размер: 173K _upd

DC COMPONENTS CO., LTD.
DMBT9012
ДИСКРЕТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
R
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ПЛОСКОГО ТРАНЗИСТОРА PNP
Описание
Разработан для применения в усилителях низкой частоты.
SOT-23
.020 (0.50)
Pinning
.012 (0.30)
1 = База
2 = Излучатель
3
3 = Коллектор 0,063 (1,60) .108 (0,65)
.055 (1.40) .089 (0,25)
1 2
Абсолютные максимальные характеристики (TA = 25oC)
.045 (1,15)
.034 (0,85)
.091 (2,30)
Cha

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

Биполярный транзистор L9014 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: L9014

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0,45
Вт

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Маклимально допустимое напряжение -эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
° C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
МГц

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.2
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора: TO-92

L9014
Паспорт (PDF)

1.1. l9014.pdf Размер: 127K _upd

ЛЕШАН РАДИОКОМПАНИЯ, ООО.
Эпитаксиальный кремний NPN
L9014
Транзистор
Предусилитель, низкий уровень и низкий уровень шума
• Высокая общая рассеиваемая мощность. (PT = 450 мВт)
• Высокий фторэтилен и хорошая линейность
• Дополняет L9015
TO-92
1
1. Излучатель 2. Основание 3. Коллектор
Абсолютные максимальные характеристики Ta = 25 ° C, если не указано иное.
Напряжение коллектор-база VCBO 50 В
VCEO Collecto

1.2. sihfl9014.pdf Размер: 169K _upd-mosfet

IRFL9014, SiHFL9014
Vishay Siliconix
Power MOSFET
ХАРАКТЕРИСТИКИ
ОПИСАНИЕ ПРОДУКТА
• Не содержит галогенов Согласно IEC 61249-2-21
Определение -
60 VDS91 (V) Поверхностный монтаж
RDS (on) () VGS = - 10 В 0.50
• Поставляется с лентой и катушкой
Qg (макс.) (НКл) 12
• Динамический рейтинг dV / dt
Qgs (нКл) 3,8
• Повторяющийся лавинный рейтинг
• P-канал
Qgd (нКл) 5,1
• Быстрый Коммутация
Конфигурация Одиночная

1.3. irfl9014.pdf Размер: 222K _international_rectifier

PD -

A
IRFL9014
Силовой полевой МОП-транзистор с HEXFET
для поверхностного монтажа
Доступен на ленте и на катушке на) = 0. 50?
Быстрое переключение
G
Простота параллельной работы
ID = -1,8A
S
Описание
HEXFET третьего поколения от International Rectifier
предоставляет разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения
и надежной конструкции устройства

1.4. irfl9014pbf.pdf Размер: 256K _international_rectifier

PD - 95153
IRFL9014PbF
Мощный полевой МОП-транзистор с HEXFET
л для поверхностного монтажа
л Доступен в ленточном и катушечном исполнении D
VDSS = -60V
л Динамический номинальный ток dv / dt
л Повторяющийся 91 Avalanche -Канал
RDS (вкл.) = 0.50?
l Быстрое переключение
G
l Простота параллельного подключения
l Бессвинцовый
ID = -1,8A
S
Описание
HEXFET третьего поколения от International Rectifier
предоставляет проектировщику наилучшее сочетание быстрого переключения
, коврик

1,5. irfl9014 sihfl9014. pdf Размер: 168K _vishay

IRFL9014, SiHFL9014
Vishay Siliconix
силовой полевой МОП-транзистор
ХАРАКТЕРИСТИКИ
ОПИСАНИЕ ПРОДУКТА
Без галогенов Согласно IEC 61249-2-21
Определение
VDS91
Крепление на поверхность (вкл) (?) VGS = - 10 В 0.50
Доступен в ленте и на катушке
Qg (макс.) (НКл) 12
Динамическое значение dV / dt
Qgs (нКл) 3,8
Повторяющееся лавинное номинальное значение
P-канал
Qgd (нКл) 5,1
Быстрое переключение
Конфигурация Одинарное
Удобство Paralleli

1.6. l9014slt1g.pdf Размер: 98K _lrc

ЛЕШАН РАДИОКОМПАНИЯ, ООО.
Транзисторы общего назначения
Кремний NPN
L9014QLT1G
ХАРАКТЕРИСТИКА
Дополняет L9014.
Серия
Мы заявляем, что материал продукта соответствует требованиям RoHS.S-L9014QLT1G
S- префикс для автомобильных и других приложений, требующих уникального сайта
серии
и требований к изменению управления; Соответствует AEC-Q101 и поддерживает PPAP.
МАРКИРОВКА И ЗАКАЗ УСТРОЙСТВА INF

1.7. l9014tlt1g.pdf Размер: 99K _lrc

ЛЕШАН РАДИОКОМПАНИЯ, ООО.
Транзисторы общего назначения
Кремний NPN
ХАРАКТЕРИСТИКА
Дополняет L9014.
L9014QLT1G
Мы заявляем, что материал продукта соответствует требованиям RoHS.
Series
S- префикс для автомобильных и других приложений, требующих уникального сайта
S-L9014QLT1G
и требований к изменению управления; Соответствует AEC-Q101 и поддерживает PPAP.Серия

МАРКИРОВКА И ЗАКАЗ УСТРОЙСТВА

1.8. l9014rlt1g.pdf Размер: 99K _lrc

ЛЕШАН РАДИОКОМПАНИЯ, ООО.
Транзисторы общего назначения
Кремний NPN
ХАРАКТЕРИСТИКА
Дополняет L9014. L9014QLT1G
Мы заявляем, что материал продукта соответствует требованиям RoHS.
Series
S- префикс для автомобильных и других приложений, требующих уникального сайта
S-L9014QLT1G
и требований к изменению управления; Соответствует AEC-Q101 и поддерживает PPAP.
Серия
МАРКИРОВКА И ЗАКАЗ УСТРОЙСТВА

1.9. l9014qlt1g.pdf Размер: 105K _lrc

ЛЕШАН РАДИОКОМПАНИЯ, ООО.
Транзисторы общего назначения
Кремний NPN
ХАРАКТЕРИСТИКА
L9014QLT1G
Дополняет L9014.
Серия
Мы заявляем, что материал продукта соответствует требованиям RoHS.
S-L9014QLT1G
S- префикс для автомобильных и других приложений, требующих уникального сайта
и требований к изменению управления; Соответствует AEC-Q101 и поддерживает PPAP.Серия

МАРКИРОВКА И ЗАКАЗ УСТРОЙСТВА

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD13936 900SC43, 2SC4361
, BD13936 900SC43, 2SC4361 9001
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

2SC9014 Лист данных (PDF)

1.1. 2sc9014.pdf Размер: 76K _update

Транзисторы
2SC9014

1. 2. 2sc9014.pdf Размер: 222K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Кремниевый силовой транзистор NPN 2SC9014
ОПИСАНИЕ
· Высокая общая рассеиваемая мощность
· Высокое содержание hFE и хорошая линейность
· Минимальные вариации от партии к партии для надежной работы устройства
и надежной работы
ПРИМЕНЕНИЕ
· Предназначен для переключения и усиления.
АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ (T = 25 ℃)
a
СИМВОЛ ПАРАМЕТР ЗНАЧЕНИЕ ЕДИНИЦА
В Напряжение коллектор-база 50 В
CBO
В Coll

4.1. 2sc9013.pdf Размер: 84K _usha

Транзисторы
2SC9013
Скачано с Elcodis.com Дистрибьютор электронных компонентов
Скачано с Elcodis.com Дистрибьютор электронных компонентов

4.2. 2sc9018.pdf Размер: 77K _usha

Транзисторы
2SC9018
Это техническое описание было загружено с:
www.DatasheetCatalog.com
Таблицы данных для электронных компонентов.

Оцените статью:

100 шт. S9015 TO 92 9015 TO92 Новый триодный транзистор | триодный транзистор | транзистор 100pcтранзистор TO-92

Компоненты

05

Электронный компонент


Посылка комплекта электронных компонентов Плата модуля Печатная плата

Интегральная схема


Оптопара 74-серия Микроконтроллер

9000 SMD DO-41 DO-35 Светодиодный диод Мостовые выпрямители Прочее

Резистор


0603 SMD 0805 SMD 1206 SMD 2512 SMD Резистор в корпусе dip Сетевой резистор

9000з2

9000з2

9000з2

9000 Транзистор

9000з2

9000

IR MOSFET Регулятор напряжения (78 79) (MOSFET) трубка с полевым эффектом ТРАНЗИСТОР TO-92 Транзистор SMD Прочее

Конденсатор


0603 SMD 0805 SMD 1206 SMD Электролитический конденсатор Танталовый конденсатор Монолитный конденсатор

CBB Регулируемый конденсатор 275AVC X2 конденсатор Прочее

Прочая Электроника Электроника

198

2SK246

BC558B MJE13002 S9018 2SA1015 2SC2655 BC327-40 BC559B MJE13003 SS8050 2SA1020 2SC3198 BC337-25 BC639 MPSA42 SS8550 TL431

2SC945 BC817-40 MMBT2222 SS8050 S9014 2SA733 2SD882 BC848B SS8550 S9015 2SB772 BC807-16 BC856B MMBT3906 TL431 S9018 9192

9192
96 S9012 2SC3357 BC817-25 BC847C MMBTA92 S9013

Ниже приведены некоторые другие Общий транзистор TO-92 Ссылка на покупку

2N2222

2SA1266

2SC945

MPSA92

2N2907

2SA733

2SD965

BC546B

BD139

S8050

2N3055

2SA928

2SJ103

BC547B

BD140

S8550

2N3904

BC547C

BF422

S9012

2N3906

2SC1384

2SK30A

BC548B

BF423

S9013

2N5401

2SC1815

2SB647

BC556B

BS170

S9014

2N5551

2SC2328

2SB772

BC557B

MJE13001

S9015

2N7000

2SC2383

BC327

BC327 0195

Ниже приведены некоторые более распространенные транзисторы SOT Ссылка на покупку

9 0002 2SA1015

MMBT3904

2SC1623

BC807-25

BC857B

MMBT5401

S8050

BC807-40

BC846B

MMBT5551

S8550

2SC3356

2SC3356

2SC3356

2SC3356

2SC3356

.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *