Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

s9015 транзистор характеристики, аналоги, DataSheet, параметры

 

PNP биполярный, кремниевый, эпитаксиально-планарный, высокочастотный транзистор S9015 (или SS9015), по своим характеристикам имеет обладает повышенным коэффициентом передачи тока hFE, пониженным уровнем собственных шумов и хорошей линейностью. Бывают маломощные (до 0,2 Вт) и средней мощности (до 0,45 Вт), внешне отличающиеся между собой типом корпуса. Наиболее часто используются в каскадах предусиления и зарядных устройствах различных бытовых приборов, вместе со своей комплементарной парой s9014. Популярен у радиолюбителей в простых ключевых схемах и усиления звука.

Распиновка

S9015(группы А-D) изготавливается в распространённом пластиковом корпусе TO-92 с тремя металлическими выводами для монтажа. Для определения назначения этих выводов, посмотрите на его плоскую сторону. Три вывода, выходящие из транзистора, являются (слева направо) эмиттером, базой и коллектором. S9015(группы L-H) производятся в другом пластиковом SMD-корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа, и тоже имеет три вывода. Назначение контактов можно понять, если посмотреть на него сверху. Слева направо, сверху вниз следуют контакты: коллектор, база и эмиттер.

Характеристики

В техническом описании на транзистор обычно указывают его предельно допустимые режимы эксплуатации (maximum rating), электрические характеристики (electrical characteristic) и классификация по группа hFE. Эти параметры проверяются производителем устройства, при температуре окружающей среды + 25°С.

Предельные режимы эксплуатации

При изучении характеристик S9015 следует учесть его PNP-структуру и то, что его pn-переход открывается при напряжении обратной полярности. Т.е. источник питания на эмиттерном переходе UБЭ (VBE) подсоединяется минусом к базе, а плюсом к эмиттеру. Поэтому, производители транзистора PNP-структуры, предельные значения эксплуатации и электрические характеристики напряжения и тока, в техническом описании, обычно указывают со знаком “-”. Рассмотрим предельные режимы эксплуатации s9015 (ТО-92).

Электрические характеристики

Рассмотрим электрические параметры S9015 (ТО-92). Важным значением при выборе данного компонента, является его собственный коэффициент шума F

Ш (NF, Noise Figure). Именно он иногда определяет применение этого транзистора в различных схемах усиления. Обычно у s9015 низкий коэффициент собственных шумов, который не превышает 10 дБ. Это значение относит его к малошумящим. В последнее время, встречаются технические описания на устройства в которых, по неизвестным причинам, эта характеристика не указывается.

Классификация по HFE

Отдельно от основных характеристик в datasheet на s9015 указывается его коэффициент усиления по току hFE. Для классификации транзисторов по этому параметру используется последняя буква (A-D, H-L) в его обозначении. Значение этой величины у устройства s9015D достигает 1000 hFE. Ниже приведена стандартная классификация устройства по hFE.

Мощность рассеивания

При выборе так же обращают внимание на его максимальную мощность рассеивания на коллекторе PK (PC). Так, у маломощных s9015H и s9015L, в корпусе SOT-23, максимальная мощность рассеивания не превышает 0,2 Вт. Если необходима большая мощность (0,45 Вт), то подбирают девайс в корпусе ТО-92: s9015A, s9015B, s9015C, s9015D.

Аналоги

К иностранным аналогам можно отнести следующие: bc317, bc320,hs733, ksa733, ktc9015, ktc9015c. Если не важен коэффициент усиления по току и граничная частота, то обратите внимание на: ksp55, ksp56, mps751, mps751g, mpsa55, mpsa56, mpsw55, mpsw56. Российские аналоги для s9015 являются устройства из серии КТ3107, КТ6112.

Достаточно трудно подобрать замену для S9015D. Многие радиолюбители вместо него обычно устанавливают КТ3107К или КТ3107Л, с коэффициент усиления по току до 800 hFE.

Комплементарная пара

Комплементарная пара для S9015 (PNP) — транзистор с NPN-проводимостью s9014.

Маркировка

SS9015 (s 9015) это очень популярный транзистор от компании Samsung Semiconductor. Часто маркируется на корпусе без первой буквы “s”. В настоящее время однотипные по своим параметрам транзисторы выпускаются разными компаниями и встречаются с такой маркировкой 2SC1905, MMBT9015. Корпус SMD-транзисторов (SOT-23) маркируется цифро-буквенным кодом “M6”.

Безопасность при эксплуатации

Не допускайте использование устройства на предельно допустимых значениях эксплуатационных параметров. При пайке контактов не прикасайтесь к пластиковому корпусу горячими частями паяльника. Нельзя паять если температура жала паяльника более +250 °С, период касания каждого вывода при этом не должен превышать 3 сек.

Производители

Список некоторых производителей. Кликнув по наименованию компании Вы можете скачать datasheet на s9015.

 

shematok.ru

Транзисторы SS9012(S9012) и SS9015(S9015) - параметры, маркировка,цоколевка.

Транзисторы SS9015(S9015) A, SS9015(S9015) B,
SS9015(S9015) C.

Транзисторы SS9015(S9015) - кремниевые, высокочастотные усилительные, малошумящие(на низких частотах) структуры - p-n-p.
Корпус пластиковый TO-92. Маркировка буквенно - цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 0,450 Вт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э )транзистора для схем с общим эмиттером - 190 МГц;

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер - 45в.

Максимальное напряжение коллектор - база - 50в.

Максимальное напряжение эмиттер - база - 5в.

Коэффициент передачи тока :
У транзисторов SS9015(S9015) с буквой A - от 60 до 150.
У транзисторов SS9015(S9015) с буквой B - от 100 до 300.
У транзисторов SS9015(S9015) с буквой C - от 200 до 600.

Максимальный постоянный ток коллектора - 100мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5 мА - не выше 0,7в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5 мА - не выше

1,2в.

Обратный ток коллектор - база при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-база 50в. не более 50 мКА.

Обратный ток эмиттера - база при напряжении эмиттер-база 5в не более - 50 мКА.


На главную страницу

elektrikaetoprosto.ru

S9015 Даташит, S9015 PDF Даташиты

производитель Номер в каталоге Компоненты Описание Посмотреть

Fairchild Semiconductor
S9015 PNP Epitaxial Silicon Transistor

Samsung
S9015
PNP (LOW FREQUENCY / LOW NOISE AMPLIFIER)

Weitron Technology
S9015 PNP General Purpose Transistors

WEJ ELECTRONIC CO.
S9015 TRANSISTOR (PNP)

Tiger Electronic
S9015 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.
S9015 TRANSISTOR(PNP)

Secos Corporation.
S9015 PNP Silicon Low Frequency, Low Noise Amplifier

Galaxy Semi-Conductor
S9015 Silicon Epitaxial Planar PNP Transistor

Shenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd.
S9015 TRANSISTOR (PNP)

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
S9015M WBFBP-03B Plastic-Encapsulate PNP Transistors

Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.
S9015W PNP General Purpose Transistors

ru.datasheetbank.com

WEJ ELECTRONIC CO. S9015 Даташит, S9015 PDF, даташитов

Номер в каталогеОписание (Функция)PDFпроизводитель
2SA155 2SA155D NTE Equivalent NTE160 TRANSISTOR PNP/ Germanium PNP Transistor RF–IF Amp, FM Mixer OSC Unspecified
MMDT2907A DUAL TRANSISTOR (PNP+PNP) Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
PBSS4350SS 50 V, 2.7 A PNP/PNP low VCEsat(BISS) transistor NXP Semiconductors.
PMBT3906VS 40 V, 200 mA PNP/PNP switching transistor NXP Semiconductors.
10030PK PNP/PNP high power double bipolar transistor NXP Semiconductors.
100100 45 V, 100 mA PNP/PNP general-purpose transistor NXP Semiconductors.
BCF29 PNP general purpose transistors / PNP transistor in a SOT23 plastic package Philips Electronics
FZT789A-PNP SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR Zetex => Diodes
MMBT4401K PNP Epitaxial Silicon Transistor Switching Transistor Fairchild Semiconductor
MMBT4403K PNP Epitaxial Silicon Transistor Switching Transistor Fairchild Semiconductor

ru.datasheetbank.com

Отправить ответ

avatar
  Подписаться  
Уведомление о