s9015 транзистор характеристики, аналоги, DataSheet, параметры
PNP биполярный, кремниевый, эпитаксиально-планарный, высокочастотный транзистор S9015 (или SS9015), по своим характеристикам имеет обладает повышенным коэффициентом передачи тока hFE, пониженным уровнем собственных шумов и хорошей линейностью. Бывают маломощные (до 0,2 Вт) и средней мощности (до 0,45 Вт), внешне отличающиеся между собой типом корпуса. Наиболее часто используются в каскадах предусиления и зарядных устройствах различных бытовых приборов, вместе со своей комплементарной парой s9014. Популярен у радиолюбителей в простых ключевых схемах и усиления звука.
Распиновка
S9015(группы А-D) изготавливается в распространённом пластиковом корпусе TO-92 с тремя металлическими выводами для монтажа. Для определения назначения этих выводов, посмотрите на его плоскую сторону. Три вывода, выходящие из транзистора, являются (слева направо) эмиттером, базой и коллектором. S9015(группы L-H) производятся в другом пластиковом SMD-корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа, и тоже имеет три вывода. Назначение контактов можно понять, если посмотреть на него сверху. Слева направо, сверху вниз следуют контакты: коллектор, база и эмиттер.
Характеристики
В техническом описании на транзистор обычно указывают его предельно допустимые режимы эксплуатации (maximum rating), электрические характеристики (electrical characteristic) и классификация по группа hFE. Эти параметры проверяются производителем устройства, при температуре окружающей среды + 25°С.
Предельные режимы эксплуатации
При изучении характеристик S9015 следует учесть его PNP-структуру и то, что его pn-переход открывается при напряжении обратной полярности. Т.е. источник питания на эмиттерном переходе UБЭ (VBE) подсоединяется минусом к базе, а плюсом к эмиттеру. Поэтому, производители транзистора PNP-структуры, предельные значения эксплуатации и электрические характеристики напряжения и тока, в техническом описании, обычно указывают со знаком “-”. Рассмотрим предельные режимы эксплуатации s9015 (ТО-92).
Электрические характеристики
Рассмотрим электрические параметры S9015 (ТО-92). Важным значением при выборе данного компонента, является его собственный коэффициент шума FШ (NF, Noise Figure). Именно он иногда определяет применение этого транзистора в различных схемах усиления. Обычно у s9015 низкий коэффициент собственных шумов, который не превышает 10 дБ. Это значение относит его к малошумящим. В последнее время, встречаются технические описания на устройства в которых, по неизвестным причинам, эта характеристика не указывается.
Классификация по HFE
Отдельно от основных характеристик в datasheet на s9015 указывается его коэффициент усиления по току hFE. Для классификации транзисторов по этому параметру используется последняя буква (A-D, H-L) в его обозначении. Значение этой величины у устройства s9015D достигает 1000 hFE. Ниже приведена стандартная классификация устройства по h
Мощность рассеивания
При выборе так же обращают внимание на его максимальную мощность рассеивания на коллекторе PK (PC). Так, у маломощных s9015H и s9015L, в корпусе SOT-23, максимальная мощность рассеивания не превышает 0,2 Вт. Если необходима большая мощность (0,45 Вт), то подбирают девайс в корпусе ТО-92: s9015A, s9015B, s9015C, s9015D.
Аналоги
К иностранным аналогам можно отнести следующие: bc317, bc320,hs733, ksa733, ktc9015, ktc9015c. Если не важен коэффициент усиления по току и граничная частота, то обратите внимание на: ksp55, ksp56, mps751, mps751g, mpsa55, mpsa56, mpsw55, mpsw56. Российские аналоги для s9015 являются устройства из серии КТ3107, КТ6112.
Достаточно трудно подобрать замену для S9015D. Многие радиолюбители вместо него обычно устанавливают КТ3107К или КТ3107Л, с коэффициент усиления по току до 800 hFE.
Комплементарная пара
Комплементарная пара для S9015 (PNP) — транзистор с NPN-проводимостью s9014.
Маркировка
SS9015 (s 9015) это очень популярный транзистор от компании Samsung Semiconductor. Часто маркируется на корпусе без первой буквы “s”. В настоящее время однотипные по своим параметрам транзисторы выпускаются разными компаниями и встречаются с такой маркировкой 2SC1905, MMBT9015. Корпус SMD-транзисторов (SOT-23) маркируется цифро-буквенным кодом “M6”.
Безопасность при эксплуатации
Не допускайте использование устройства на предельно допустимых значениях эксплуатационных параметров. При пайке контактов не прикасайтесь к пластиковому корпусу горячими частями паяльника. Нельзя паять если температура жала паяльника более +250 °С, период касания каждого вывода при этом не должен превышать 3 сек.
Производители
Список некоторых производителей. Кликнув по наименованию компании Вы можете скачать datasheet на s9015.
shematok.ru
Транзисторы SS9012(S9012) и SS9015(S9015) – параметры, маркировка,цоколевка.
Транзисторы SS9015(S9015) A, SS9015(S9015) B,
SS9015(S9015) C.
Транзисторы SS9015(S9015) – кремниевые, высокочастотные
усилительные, малошумящие(на низких частотах) структуры – p-n-p.
Корпус пластиковый TO-92.
Маркировка буквенно – цифровая.
Наиболее важные параметры.
Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) – 0,450 Вт.
Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э )транзистора для схем с общим эмиттером – 190 МГц;
Максимальное напряжение коллектор – эмиттер – 45в.
Максимальное напряжение коллектор – база
– 50в. Максимальное напряжение эмиттер – база – 5в.
Коэффициент передачи тока :
У транзисторов SS9015(S9015) с буквой A – от 60 до 150.
У транзисторов SS9015(S9015) с буквой B – от 100 до 300.
У транзисторов SS9015(S9015) с буквой C – от 200 до 600.
Максимальный постоянный ток коллектора – 100мА.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5 мА – не выше 0,7в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5 мА
– не выше 1,2в.
Обратный ток коллектор – база
Обратный ток эмиттера – база при напряжении эмиттер-база 5в не более – 50 мКА.
На главную страницу
elektrikaetoprosto.ru
| производитель | Номер в каталоге | Компоненты Описание | Посмотреть |
Fairchild Semiconductor | S9015 | PNP Epitaxial Silicon Transistor | |
Samsung | S9015 | PNP (LOW FREQUENCY / LOW NOISE AMPLIFIER) | |
Weitron Technology | S9015 | PNP General Purpose Transistors | |
WEJ ELECTRONIC CO. | S9015 | TRANSISTOR (PNP) | |
Tiger Electronic | S9015 | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | |
Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. | S9015 | ||
Secos Corporation. | S9015 | PNP Silicon Low Frequency, Low Noise Amplifier | |
Galaxy Semi-Conductor | S9015 | Silicon Epitaxial Planar PNP Transistor | |
Shenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. | S9015 | TRANSISTOR (PNP) | |
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd | S9015M | WBFBP-03B Plastic-Encapsulate PNP Transistors | |
Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. | S9015W | PNP General Purpose Transistors | |
ru.datasheetbank.com
| Номер в каталоге | Описание (Функция) | производитель | |
| 2SA155 | 2SA155D NTE Equivalent NTE160 TRANSISTOR PNP/ Germanium PNP Transistor RF–IF Amp, FM Mixer OSC | Unspecified | |
| MMDT2907A | DUAL TRANSISTOR (PNP+PNP) | Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd | |
| PBSS4350SS | 50 V, 2.7 A PNP/PNP low VCEsat(BISS) transistor | NXP Semiconductors. | |
| PMBT3906VS | 40 V, 200 mA PNP/PNP switching transistor | NXP Semiconductors. | |
| 10030PK | PNP/PNP high power double bipolar transistor | NXP Semiconductors. | |
| 100100 | 45 V, 100 mA PNP/PNP general-purpose transistor | NXP Semiconductors. | |
| BCF29 | PNP general purpose transistors / PNP transistor in a SOT23 plastic package | Philips Electronics | |
| FZT789A-PNP | SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR | Zetex => Diodes | |
| MMBT4401K | PNP Epitaxial Silicon Transistor Switching Transistor | Fairchild Semiconductor | |
| MMBT4403K | PNP Epitaxial Silicon Transistor Switching Transistor | Fairchild Semiconductor |
ru.datasheetbank.com
