Силовые транзисторы: Силовые транзисторы

Силовые транзисторы в категории “Техника и электроника”

Транзистор силовой MJE13003 SMD E13003 3DD13003 TO-252 (18355)

На складе

Доставка по Украине

8.80 грн

Купить

IRF520 модуль MOSFET транзистора (силовой ключ, 0-24В Arduino) [#C-2]

На складе в г. Запорожье

Доставка по Украине

27 грн

Купить

Запорожье

Транзистор полевой MOSFET IRF3205PBF (Силовий МОП-транзистор N-канальний) Vси: 55 В, Rоткр: 0.08 Ом, Id(25oC):

Доставка по Украине

170 грн

Купить

BMS 8S 3,2V (25,6V) 150А с балансом (транзисторы 4N04R7) / Силовая BMS плата

Доставка по Украине

2 700 грн

Купить

Транзистор STP4NK60ZFP MOSFET силовой транзистор, N канал; TO-220FP; 600 V; 4 A; 2 Ohm, Производитель: STM

Доставка по Украине

24 грн

Купить

Транзистор IRF9630S силовой МОП-транзистор P-канальный Vси = -100 В, Rоткр = 0. 8 Ом, Id(25oC) = -6.5 A Корпус

Заканчивается

Доставка по Украине

26 грн

Купить

Транзистор STD2HNK60Z MOSFET силовой транзистор [TO-252-3]; Тип: N; 600 В, Производитель: STM

Заканчивается

Доставка по Украине

52 грн

Купить

Транзистор MTh25N20 MOSFET силовой транзистор, TO-3P или TO247; 15A, 200V, Производитель: Motorola

Заканчивается

Доставка по Украине

94 грн

Купить

Модуль MOSFET транзистора IRF520 (силовой ключ)

На складе в г. Полтава

Доставка по Украине

37.7 — 38.4 грн

от 2 продавцов

37.70 грн

Купить

Полтава

IRF520 модуль MOSFET транзистора (силовой ключ)

Доставка из г. Полтава

38.30 грн

Купить

Полтава

Kgt25n120kda силовий транзистор

Доставка по Украине

150 грн

Купить

Модуль MOSFET транзистора IRF520 (силовой ключ)

Доставка из г. Полтава

по 51 грн

от 2 продавцов

51 грн

Купить

Полтава

Модуль MOSFET транзистора IRF520 (силовой ключ)

Доставка из г. Полтава

38.30 грн

Купить

Полтава

Транзистор силовой ТК152-63-1

Доставка из г. Киев

250 грн

Купить

МорияКиев

Транзистор силовой КП904А

Доставка из г. Киев

265 грн

Купить

МорияКиев

Смотрите также

Транзистор силовой КТ926А

Доставка из г. Киев

90 грн

Купить

МорияКиев

Модуль IRF520 силовой ключ с полевым транзистором

На складе в г. Киев

Доставка по Украине

50 грн

279 грн

Купить

Транзистор силовой ТКД165-125-9-102

На складе

Доставка по Украине

2 050 грн

Купить

Транзистор силовой Mitsibishi RD06HVF1-101, TENTATIVE Silicon MOSFET Power Transistor 175MHz, 6W, TO-220S

Доставка по Украине

148. 20 грн

Купить

Модуль силовой ключ с полевым транзистором

Доставка из г. Чернигов

43.50 грн

Купить

Чернигов

Транзистор IGBT сварочный G60N100 оригинал

На складе в г. Ромны

Доставка по Украине

234 грн

Купить

Транзистор BTS141 Infineon корпус TO263 (D2PAK)

На складе в г. Черновцы

Доставка по Украине

150 грн

Купить

Черновцы

Набор электронных компонентов 2200 шт., конденсаторы, резисторы, транзисторы, катушки индуктивности, диоды

Под заказ

Доставка по Украине

5 180 грн

Купить

Транзистор FQF2N65C 2A650V TO-220F

На складе в г. Каменское

Доставка по Украине

48 грн

Купить

Каменское

Чип FGA25N120 25N120 TO-3P, Транзистор IGBT 1200В 25А +диод

На складе в г. Киев

Доставка по Украине

55 — 193 грн

от 11 продавцов

62 грн

69 грн

Купить

FQA24N50 Fairchild TO-3PN 24A 500V 290W 200mOhm транзистор полевой N-канальный

Доставка из г. Днепр

от 150 грн

Купить

Транзистор K50EF5 IKW50N65F5FKSA1 IGBT K50F655 транзистор для сварочного инвертора

На складе в г. Днепр

Доставка по Украине

от 235 грн

Купить

Новинка Драйвер MOSFET транзистор IRF520 0-24В модуль Arduino PIC ARM !

Доставка по Украине

49 грн

65 грн

Купить

IGBT транзисторы по доступным ценам

Код товауа	Фото	Назва	Залишок	Вартість	Гуртові ціни	Кіл-ть	Купити
14635			пр. Слобожанский 83/3 – (1	1 шт. 244.70	1: 244.70 грн
12206			пр. Слобожанский 83/3 – (28	1 шт. 105.90	1: 105.90 грн
11714			пр. Слобожанский 83/3 – (4	1 шт. 261.60	1: 261.60 грн 4: 238.10 грн 10: 216.40 грн
14004			пр. Слобожанский 83/3 – (27	1 шт. 111.70	1: 111.70 грн
12668			пр. Слобожанский 83/3 – (8	1 шт. 199.50	1: 199.50 грн
15030			пр. Слобожанский 83/3 – (3	1 шт. 195.80	1: 195.80 грн
01723			пр. Слобожанский 83/3 – (29	1 шт. 117.40	1: 117.40 грн
04836			пр. Слобожанский 83/3 – (55	1 шт. 170.80	1: 170.80 грн 5: 161.00 грн 20: 146.40 грн
15023			пр. Слобожанский 83/3 – (9	1 шт. 342.60	1: 342.60 грн
03968			пр. Слобожанский 83/3 – (46	1 шт. 137.30	1: 137.30 грн 5: 129.40 грн 20: 117.60 грн
18373			пр. Слобожанский 83/3 – (53	1 шт. 75.50	1: 75.50 грн
14646			пр. Слобожанский 83/3 – (11	1 шт. 221.30	1: 221.30 грн

Описание о категории

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления). Используется, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

Преимущества IGBT:

• высокое входное сопротивление, низкий уровень управляющей мощности;
• низкое значение остаточного напряжения во включённом состоянии;
• малые потери в открытом состоянии при больших токах и высоких напряжениях;
• характеристики переключения и проводимость биполярного транзистора;
• управление как у полевых транзисторов — напряжением.

Силовые транзисторы и их применение

Сегодня я собираюсь дать вам обзор силовых транзисторов. Этот блог является постоянным блогом серии Transistors, поэтому, если вы хотите прочитать о любом другом транзисторе, вы можете посетить наш веб-сайт . В этом блоге мы обсудим транзистор с биполярным переходом, силовые биполярные транзисторы с номером модели, транзистор Дарлингтона, полевой МОП-транзистор, силовой полевой МОП-транзистор с номером модели, биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ), типы БТИЗ, БТИЗ с номером модели. и так далее.

Мощный транзистор — это тип транзистора, который используется в усилителях высокой мощности и источниках питания. Мощные транзисторы подходят для приложений, где используется большая мощность, ток и напряжение. Это переходной транзистор, предназначенный для работы с большими токами и мощностями, а также используемый в звуковых и коммутационных схемах.

Классификация силовых транзисторов включает следующее:
Биполярный транзистор (BJT)
Металлооксид-полупроводниковый полевой транзистор (MOSFET)
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT).

Транзистор с биполярным переходом
Биполярный транзистор — это транзистор с биполярным переходом, способный работать с двумя полярностями (дырки и электроны), его можно использовать в качестве переключателя или усилителя. устройство.

Ниже приведены характеристики Power BJT,

• Он имеет больший размер, поэтому через него может протекать максимальный ток
• Напряжение пробоя высокое
• Обладает более высокой пропускной способностью по току и большой мощностью
• Имеет более высокое падение напряжения во включенном состоянии
• Приложение высокой мощности

Power BJT с номером модели

TIP32C – силовой транзистор PNP	TIP31C — силовой транзистор NPN
TIP32 — это силовой транзистор PNP. Поскольку он имеет высокий ток коллектора около 3 А, его можно использовать для переключения мощности или усиления большого сигнала. Транзистор в основном известен своей высокой мощностью усиления.	TIP31C представляет собой СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР NPN. Он имеет высокий ток коллектора около 3А.
Технические характеристики Параметр Значение напряжение коллектор-база (IE = 0) -100В Напряжение коллектор-эмиттер (IB = 0) -100 В Напряжение эмиттер-база (IC = 0) -5В Ток коллектора -3А Пиковый ток коллектора -5А Суммарная рассеиваемая мощность 40 Вт Базовый ток -1А напряжение база-эмиттер -1,8 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -1,2 В Ток отключения эмиттера (IC = 0) -1 мА Коэффициент усиления постоянного тока 50	Технические характеристики Параметр Значение напряжение коллектор-база (IE = 0) 100 В Напряжение коллектор-эмиттер (IB = 0) 100 В   Напряжение эмиттер-база (IC = 0) 5В Токосъемник 3А Пиковый ток коллектора 5А Суммарная рассеиваемая мощность 40 Вт Базовый ток 1А напряжение база-эмиттер 1,8 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,2 В Ток отключения эмиттера (IC = 0) 1 мА Коэффициент усиления постоянного тока 50
приложений сильноточные коммутационные (до 3А) нагрузки Может использоваться как выключатели средней мощности Большое усиление сигнала Регулятор скорости двигателей Полумостовые схемы Инверторы и другие схемы выпрямителей	Приложения Регулятор скорости двигателя постоянного тока Системы освещения ШИМ-приложения Драйверы реле Импульсный блок питания Аудиоусилители Усилители сигналов
Если вы хотите купить: нажмите ЗДЕСЬ	Если вы хотите его купить: нажмите ЗДЕСЬ

Транзистор Дарлингтона

Конфигурация Дарлингтона (также известная как пара Дарлингтона) представляет собой схему, состоящую из двух биполярных транзисторов, эмиттер одного из которых соединен с базой другого, так что ток, усиленный первым транзистором, дополнительно усиливается вторым. Коллекторы обоих транзисторов соединены между собой. Эта комбинация обеспечивает гораздо более высокий коэффициент усиления по току, чем любой из транзисторов по отдельности.

TIP127 – транзистор Дарлингтона NPN	TIP122 – Транзистор Дарлингтона PNP
TIP127 представляет собой PNP-транзистор с парой Дарлингтона. Он работает как обычный PNP-транзистор, но, поскольку внутри него находится пара Дарлингтона, он имеет хороший номинальный ток коллектора около -5 А и коэффициент усиления около 1000. Он также может выдерживать около -100 В на коллектор-эмиттер, поэтому его можно использовать. для вождения тяжелых грузов.	TIP122 представляет собой транзистор NPN с парой Дарлингтона. Он работает как обычный NPN-транзистор, но, поскольку внутри него находится пара Дарлингтона, он имеет хороший номинальный ток коллектора около 5 А и коэффициент усиления около 1000. тяжелая ноша.
Технические характеристики Параметр Значение напряжение коллектор-база (IE = 0) TIP125= – 60TIP126= -80TIP127= -100В Напряжение коллектор-эмиттер (IB = 0) TIP125= – 60TIP126= -80TIP127= -100В Напряжение эмиттер-база (IC = 0) -5В Токосъемник -5А Пиковый ток коллектора -8А Суммарная рассеиваемая мощность 65 Вт Базовый ток – 120 мА напряжение база-эмиттер -2,5 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IC = -3A, IB = -12mA) -2В Ток отключения эмиттера (IC = 0) -2 мА Коэффициент усиления постоянного тока 1000	Технические характеристики Параметр Значение напряжение коллектор-база (IE=0) TIP120= 60TIP121= 80TIP122= 100 В Напряжение коллектор-эмиттер (IB = 0) TIP120= 60TIP121= 80TIP122= 100 В Напряжение эмиттер-база (IC = 0) 5В Токосъемник 5А Пиковый ток коллектора 8А Суммарная рассеиваемая мощность 65 Вт Базовый ток 120 мА напряжение база-эмиттер 2,5 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IC = 3 А, IB = 12 мА) 2В Ток отключения эмиттера (IC = 0) 2 мА Коэффициент усиления постоянного тока 1000
Приложения Используется для питания устройств с большим током, таких как нагрузки до 5А. Работает как выключатель, потребляющий промежуточную мощность во время работы. Используется в таких схемах, где требуется более высокое усиление. Он также используется в схемах двигателей для управления их скоростью. Он также используется в схемах инвертора и других схемах выпрямителя.	Применение Может использоваться для переключения сильноточных (до 5 А) нагрузок Может использоваться как выключатели средней мощности Используется там, где требуется высокое усиление Регулятор скорости двигателей Инверторы и другие схемы выпрямителей
Если вы хотите купить: нажмите ЗДЕСЬ	Если хотите купить: нажмите ЗДЕСЬ

Прочие силовые транзисторы (BJT):

3 NPN

МОП-транзистор 

МОП-транзистор означает полевой транзистор на основе оксида металла. МОП-транзистор представляет собой трехконтактное устройство с клеммами истока, базы и стока. Это подкласс полевого транзистора.

МОП-транзистор подразделяется на два типа в зависимости от типа операций, а именно: МОП-транзистор с режимом расширения (E-MOSFET) и МОП-транзистор с режимом истощения (D-MOSFET)

Итак, в целом существует 4 различных типа МОП-транзисторов
МОП-транзистор с режимом истощения N-каналов
МОП-транзистор с режимом истощения каналов
МОП-транзистор с режимом расширения N-каналов
МОП-транзистор с режимом расширения P-каналов

Основное различие между N-Channel MOSFET и P-Channel MOSFET заключается в том, что в N-канале переключатель MOSFET остается разомкнутым до подачи напряжения на затвор. Когда на вывод затвора подается напряжение, переключатель (между стоком и истоком) закрывается, а в полевых МОП-транзисторах с P-каналом переключатель остается закрытым до тех пор, пока не будет подано напряжение на затвор.

Аналогичным образом, основное различие между полевыми МОП-транзисторами в режиме расширения и в режиме истощения заключается в том, что напряжение затвора, подаваемое на E-MOSFET, всегда должно быть положительным, и у него есть пороговое напряжение, при превышении которого он полностью включается. Напряжение D-затвора MOSFET может быть как положительным, так и отрицательным, и он никогда полностью не открывается. Кроме того, D-MOSFET может работать как в режиме расширения, так и в режиме истощения, тогда как E-MOSFET может работать только в режиме расширения.

Ниже приведены характеристики МОП-транзистора.

• Он также известен как регулятор напряжения
.
• Входной ток не требуется
• Высокий входной импеданс.

Мощные МОП-транзисторы с номером модели

IRF5210 Мощный полевой МОП-транзистор P-канала	STP40NF10L Мощный N-канальный МОП-транзистор
IRF5210 Мощный МОП-транзистор с передовыми технологиями обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на единицу площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения. Низкое термическое сопротивление и низкая стоимость упаковки TO-220 способствуют его широкому распространению в отрасли.	Эта серия мощных полевых МОП-транзисторов специально разработана для минимизации входной емкости и заряда затвора. Поэтому он подходит в качестве основного переключателя в передовых высокоэффективных изолированных преобразователях постоянного тока в постоянный и компьютерных приложениях. Он также предназначен для любого приложения с низкими требованиями к зарядке затвора.
Технические характеристики Параметр Значение Напряжение затвор-исток ±20 В Напряжение сток-исток -100В Ток стока -40А Пиковый ток стока -140А ​​ Суммарная рассеиваемая мощность 200 Вт Пороговое напряжение затвора -4В Выходная/входная емкость 790/2700 пФ Прямая утечка шлюза-источника 100на Сопротивление включения стока-источника 0,06 Ом	Технические характеристики Параметр Значение Напряжение затвор-исток ±17 В Напряжение сток-исток 100 В Ток стока 40А Пиковый ток стока 160А Суммарная рассеиваемая мощность 150 Вт Пороговое напряжение затвора 2,5 В Выходная/входная емкость 290/2300 пФ Прямая утечка шлюза-источника 100 нА Сопротивление включения стока-источника 0,036 Ом
Приложения ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ПОСТОЯННОГО ТОКА ИБП И КОНТРОЛЛЕР ДВИГАТЕЛЯ АВТОМОБИЛЬНАЯ	Приложения ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ПОСТОЯННОГО ТОКА ИБП И КОНТРОЛЛЕР ДВИГАТЕЛЯ АВТОМОБИЛЬНАЯ

Прочие силовые МОП-транзисторы:

• IRFP460 N-канальный силовой МОП-транзистор
• P55NF06 N-канальный силовой МОП-транзистор
• IRFZ44N Силовой N-канальный МОП-транзистор
• IRF1405 N-канальный силовой МОП-транзистор
• IRF4905 P-канальный силовой полевой МОП-транзистор
• IRF5305 P-канальный силовой МОП-транзистор
• IRF9520 P-канальный силовой МОП-транзистор
• IRF9530 P-канальный силовой МОП-транзистор

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)

Как следует из названия, IGBT — это транзистор, сочетающий в себе функции FET и BJT. Его функция определяется затвором, который может включать или выключать транзистор. Инверторы, преобразователи и источники питания — все это примеры оборудования силовой электроники, в котором они используются.

Типы IGBT
IGBT подразделяются на два типа на основе буферного слоя n+, IGBT с буферным слоем n+ называются сквозными IGBT (PT-IGBT), IGBT без n+ буферный слой называется IGBT без пробивки (NPT-IGBT).

Разница между IGBT со сквозным отверстием (PT-IGBT)   и IGBT без отверстия (NPT-IGBT)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором имеют следующие характеристики (БТИЗ),

• На входе схемы потери меньше
• более высокий прирост мощности.

БТИЗ с номером модели FGA25N120

FGA25N120AN	ФГА25Н120АНД	ФГА25Н120АНТД	ФГА25Н120АНТДТУ
Используя технологию NPT (NPT-IGBT состоят из низколегированной подложки n-типа), серия AN IGBT обеспечивает низкие потери проводимости и переключения. Серия предлагает решение для таких приложений, как индукционный нагрев (IH), управление двигателем, инверторы общего назначения и источники бесперебойного питания (ИБП).	Использование технологии NPT (NPT-IGBT состоят из низколегированной подложки n-типа), И серия IGBT обеспечивает низкие потери проводимости и переключения. серия предлагает решение для источников питания (ИБП).	Усовершенствованная технология NPT, NPT IGBT на 1200 В обеспечивает превосходные характеристики проводимости и переключения, высокую устойчивость к лавинам и простую параллельную работу. Это устройство хорошо подходит для приложений с резонансным или мягким переключением, таких как индукционный нагрев, микроволновая печь.	Усовершенствованная технология NPT, NPT IGBT на 1200 В обеспечивает превосходные характеристики проводимости и переключения, высокую устойчивость к лавинам и простую параллельную работу. Это устройство хорошо подходит для приложений с резонансным или мягким переключением, таких как индукционный нагрев, микроволновая печь.
Технические характеристики Параметр Значение Напряжение затвор-эмиттер ±20 В Напряжение коллектор-эмиттер 1200 В Токосъемник 40А Пиковый ток коллектора 75А Суммарная рассеиваемая мощность 310 Вт Ток отключения коллектора 3 мА Пороговое напряжение G-E 3,5–7,5 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2,9 В Входная/выходная емкость 2100/180 пФ	Технические характеристики Параметр Значение Напряжение затвор-эмиттер ±20 В Напряжение коллектор-эмиттер 1200 В Диод непрерывного прямого тока 25А Токосъемник 40А Пиковый ток коллектора 75А Суммарная рассеиваемая мощность 310 Вт Ток отключения коллектора 3 мА G-E Пороговое напряжение 3,5–7,5 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2,9 В Входная/выходная емкость 2100/180 пФ	Технические характеристики Параметр Значение Напряжение затвор-эмиттер ±20 В Напряжение коллектор-эмиттер 1200 В Диод постоянного прямого тока 50А Токосъемник 50А Пиковый ток коллектора 90А Суммарная рассеиваемая мощность 312 Вт Ток отключения коллектора 3 мА Пороговое напряжение G-E 3,5–7,5 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2В Входная/выходная емкость 3700/130 пФ	Технические характеристики Параметр Значение Напряжение затвор-эмиттер ±20 В Напряжение коллектор-эмиттер 1200 В Диод непрерывного прямого тока 50А Токосъемник 50А Пиковый ток коллектора 90А Суммарная рассеиваемая мощность 312 Вт Ток отключения коллектора 3 мА Пороговое напряжение G-E 3,5–7,5 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2В Входная/выходная емкость 3700/130 пФ
Приложения Индукционный нагрев ИБП Блоки управления двигателями переменного и постоянного тока Инверторы общего назначения	Приложения Индукционный нагрев ИБП Блоки управления двигателями переменного и постоянного тока Инверторы общего назначения	Приложения   Индукционный нагрев Микроволновая печь	Приложения   Индукционный нагрев Микроволновая печь

Другие БТИЗ:

• ФГВ30ХС65К
• ФГВ40СС65К
• ФГВ40Н65ВД
• ФГВ40Н120В
• ФГЗ50Н65ВД

Если вы заинтересованы в покупке IGBT, нажмите ЗДЕСЬ

Если вы заинтересованы в покупке силовых транзисторов, нажмите вниз.
СИЛОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Где я могу купить электронные компоненты онлайн в Индии?

HNHcart.com

ECSTUFF4U для инженера-электронщика: что такое силовой транзистор