тиристорный; два последовательных диода; 1,6кВ; 106А; A46 производства SEMIKRON SKKT106/16E
Главная Каталог Полупроводники Тиристоры Модули тиристорные Модули тиристорныеКоличество | Цена ₽/шт |
---|---|
+1 | 93000″> 2 625 |
+2 | 2 483 |
Условия
Срок поставки 5-10 рабочих дней
Цена включает НДС Cрок поставки и цену сообщим по вашему запросуАртикул
SKKT106/16EПроизводитель
SEMIKRONТехническое описание:
Мы работаем с частными и юридическими лицами. Купить SKKT 106/16E от 1 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.
SKKT106/16E описание и характеристики
Модуль: тиристорный; два последовательных диода; 1,6кВ; 106А; A46
Падение напряжения макс.
1,65В
Корпус
SEMIPACK1Прямой ток
106А
Версия
A46
Обратное напряжение макс.
1,6кВКонструкция диода
два последовательных диода
Тип модуля
тиристорный
Производитель
SEMIKRON
- Импульсный ток
2,25кА
Ток управления
150мА
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Бесплатная доставка
заказов от 5000 ₽
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
SKKT106/16E
SKKT 106/16 E — тиристор-тиристорный электроизолированный модуль в корпусе SEMIPACK® 1
Обозначение | Наименование | Значение | Единица измерения |
VRRM | Повторяющееся максимальное обратное напряжение | 1600 | В |
ITAV (sin. 180; Tc= 85°C) | Среднее значение переменного тока в открытом состоянии | 106 | А |
SEMIPACK® 1 | Количество в упаковке | 12 | шт |
Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com
Обозначение | Наименование | Условия снятия характеристики | Значение | Единица измерения | |||
Чип | |||||||
ITAV | Среднее значение переменного тока в открытом состоянии тиристора | Sin. 180 ° | Tc = 85 °C | 106 | А | ||
Tc = 100 °C | 78 | А | |||||
ITSM | Бросок тока в открытом состоянии (ударный ток) тиристора | 10 мс | Tvj = 25 °C | 2250 | А | ||
Tvj = 130 °C | 1900 | А | |||||
i2t | Значение i2t | 10 мс | Tvj = 25 °C | 25000 | А2с | ||
Tvj = 130 °C | 18000 | А2с | |||||
VRSM | Неповторяющееся максимальное обратное напряжение | 1300 | В | ||||
VRRM | Повторяющееся максимальное обратное напряжение | 1200 | В | ||||
VDRM | Повторяющееся максимальное напряжение в выключенном состоянии | 1200 | В | ||||
(di/dt)cr | Критическое значение скорости нарастания тока | Tvj = 130 °C | 140 | А/мкс | |||
(dv/dt)cr | Критическое значение скорости нарастания напряжения | Tvj = 130 °C | 1000 | В/мкс | |||
Tvj | Эффекивная температура p-n перехода | – 40 . .. 130 | °C | ||||
Модуль | |||||||
Tstg | температура хранения | – 40 … 125 | °C | ||||
VISOL | напряжение испытания изоляции | переменное напряжение 50Гц, | 1 мин | 3000 | В | ||
1c | 3600 | В |
Обозначение | Наименование | Условия снятия характеристики | Значение | Единица измерения | |||
мин. | ном. | макс. | |||||
Чип | |||||||
VT | (Постоянное) напряжение во включенном состоянии (тиристор) | Tvj = 25 °C; IT = 300 A | 1,65 | В | |||
VT(TO) | Прямое падение напряжения в открытом состоянии (пороговое напряжение) | Tvj = 130 °C | 0,9 | В | |||
rT | Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, прямое дифференциальное сопротивление (для тиристоров) | Tvj = 130 °C | 2,0 | мОм | |||
IDD; IRD | Постоянный ток в закрытом состоянии; Постоянный обратный ток | Tvj = 130 °C; VRD = VRRM; VDD = VDRM | 20 | мА | |||
tgd | Длительность задержки, вносимой затвором | Tvj = 25 °C; IG = 1 A; diG/dt = 1 A/мкс | 1 | мкс | |||
tgr | Длительность спада, вносимого затвором | VD = 0,67 * VDRM | 2 | мкс | |||
tq | Время выключения замкнутой цепи (тиристор) | Tvj = 130 °C | 100 | мкс | |||
IH | Ток удержания | Tvj = 25 °C | 150 | 250 | мА | ||
IL | Ток срабатывания (заперания) | Tvj = 25 °C; RG = 33 Ом | 300 | 600 | мА | ||
VGT | Отпирающее напряжение затвора | Tvj = 25 °C; d. c. | 3,0 | В | |||
IGT | Ток отпирания затвора | Tvj = 25 °C; d.c. | 150 | мА | |||
VGD | Неотпирающее напряжение затвора | Tvj = 130 °C; d. c. | 6,0 | В | |||
IGD | Неотпирающий ток затвора | Tvj = 130 °C; d.c. | 4,00 | мА | |||
Rth(j-c) | тепловое сопротивление переход-корпус | Cont. DC | для чипа | 0,28 | K/Вт | ||
для модуля | 0,14 | K/Вт | |||||
Rth(j-c) | тепловое сопротивление переход-корпус | Sin. 180 ° | для чипа | 0,30 | K/Вт | ||
для модуля | 0,15 | K/Вт | |||||
Rth(j-c) | тепловое сопротивление переход-корпус | Rec. 120 ° | для чипа | 0,32 | K/Вт | ||
для модуля | 0,16 | K/Вт | |||||
Модуль | |||||||
Rth(c-s) | тепловое сопротивление корпус-радиатор | чип | 0,2 | K/Вт | |||
модуль | 0,1 | K/Вт | |||||
Ms | монтажный вращающий момент | для крепления теплоотвода с резьбой M5 | 5 ± 15 % | Н · м | |||
Mt | монтажный вращающий момент | для выводов с резьбой M5 | 3 ± 15 % | Н · м | |||
a | Максимальное ускорение при вибрации | 5 * 9,81 | m/s2 | ||||
m | масса модуля | 95 | грамм |
Диодно-тиристорный модуль – Электронные системы и компоненты
ОТГРУЖАЕМ ТОЛЬКО ОРГАНИЗАЦИЯМ, С ФИЗИЧЕСКИМИ ЛИЦАМИ НЕ РАБОТАЕМ!!!
Сортировка: По умолчаниюПо имени (A – Я)По имени (Я – A)По цене (возрастанию)По цене (убыванию)
Показать: 15255075100
043118
0. 0000
0.0000
2400
>1000
043121
0.0000
0.0000
450
58
043122
0.0000
0.0000
500
270
112693
0. 0000
0.0000
10
4
112694
0.0000
0.0000
10
5
132167
0.0000
0.0000
10
1
076752
0. 0000
0.0000
10
3
076754
0.0000
0.0000
10
3
076755
0.0000
0.0000
10
4
112697
0. 0000
0.0000
10
1
112698
0.0000
0.0000
10
6
112699
0.0000
0.0000
10
4
132169
0. 0000
0.0000
10
2
112700
0.0000
0.0000
10
6
112701
0.0000
0.0000
10
8
Показано с 1 по 15 из 123 (всего 9 страниц)
Some Номер детали того же производителя Semikron |
SKKT106 / 16EG6 Технические характеристики: VDRM: 800 вольт; VRRM: 800 вольт; IT (RMS): 181 ампер; IGT: 150 мА; Стандарты и сертификаты: RoHS; Тип корпуса: TO-240AA, 3 PIN; Количество контактов: 7 |
SKKT106B / 18E Технические характеристики: VDRM: 1800 вольт; VRRM: 1800 вольт; IT (RMS): 180 ампер; IGT: 150 мА; Стандарты и сертификаты: RoHS; Тип упаковки: CASE A48, SEMIPACK-7; Количество контактов: 7 |
SKKT107 / 16E Технические характеристики: Тип тиристора: SCR |
SKKT118 / 12EG6 Технические характеристики: VDRM: 1200 вольт; VRRM: 1200 вольт; IT (RMS): 187 ампер; IGT: 100 мА; Тип упаковки: СЕМИПАК-7; Количество контактов: 7 |
SKKT122 / 08D Технические характеристики: VDRM: 800 вольт; VRRM: 800 вольт; IT (RMS): 195 ампер; IGT: 150 мА; Стандарты и сертификаты: RoHS; Тип корпуса: CASE A21, SEMIPACK 2, 7 PIN; Количество контактов: 7 |
SKKT132 / 20E Технические характеристики: Тип тиристора: SCR; Количество контактов: 7; VDRM: 2000 вольт; VRRM: 2000 вольт; IT (RMS): 204 ампер; Стандарты и сертификаты: RoHS |
SKKT15 / 04 Технические характеристики: VDRM: 400 вольт; VRRM: 400 вольт; ИТ (RMS): 23. 55 ампер; IGT: 100 мА; Стандарты и сертификаты: RoHS; Тип упаковки: СЕМИПАК-5; Количество контактов: 5 |
SKKT15 / 12 Технические характеристики: VDRM: 1200 вольт; VRRM: 1200 вольт; IT (RMS): 23,55 ампер; IGT: 100 мА; Стандарты и сертификаты: RoHS; Тип упаковки: СЕМИПАК-5; Количество контактов: 5 |
СККТ162 / 20Эх5 Технические характеристики: ВДРМ: 2000 вольт; VRRM: 2000 вольт; IT (RMS): 250 ампер; IGT: 150 мА; Стандарты и сертификаты: RoHS; Тип упаковки: CASE A 21, SEMIPACK 2, 7 PIN; Количество контактов: 7 |
SKKT19 / 06E Технические характеристики: Тип тиристора: SCR; Тип упаковки: SEMIPACK 1, 5 PIN; Количество контактов: 5; VDRM: 600 вольт; VRRM: 600 вольт; IT (RMS): 40 ампер |
SKKT19 / 12D Технические характеристики: VDRM: 1200 вольт; VRRM: 1200 вольт; ИТ (RMS): 28.26 ампер; IGT: 150 мА; Стандарты и сертификаты: RoHS; Тип упаковки: СЕМИПАК-5; Количество контактов: 5 |
SKKT210 / 08D Технические характеристики: VDRM: 800 вольт; VRRM: 800 вольт; IT (RMS): 330 ампер; IGT: 200 мА; Стандарты и сертификаты: RoHS; Количество контактов: 7 |
SKKT213 / 20E Технические характеристики: VDRM: 2000 вольт; VRRM: 2000 вольт; IT (RMS): 370 ампер; IGT: 200 мА; Стандарты и сертификаты: RoHS; Тип корпуса: КЕРАМИЧЕСКИЙ, CASE A43, SEMIPACK-7; Количество контактов: 7 |
SKKT250 / 08D Технические характеристики: VDRM: 800 вольт; VRRM: 800 вольт; IT (RMS): 392 ампер; IGT: 200 мА; Стандарты и сертификаты: RoHS; Количество контактов: 7 |
SKKT26 / 06D Технические характеристики: VDRM: 600 вольт; VRRM: 600 вольт; IT (RMS): 50. 24 ампера; IGT: 150 мА; Стандарты и сертификаты: RoHS; Тип упаковки: СЕМИПАК-5; Количество контактов: 7 |
SKKT26 / 12D Технические характеристики: VDRM: 1200 вольт; VRRM: 1200 вольт; IT (RMS): 39,25 ампер; IGT: 150 мА; Стандарты и сертификаты: RoHS; Количество контактов: 5 |
SKKT27 / 06D Технические характеристики: VDRM: 600 вольт; VRRM: 600 вольт; IT (RMS): 39,25 ампер; IGT: 150 мА; Стандарты и сертификаты: RoHS; Количество контактов: 7 |
SKKT27 / 12EG6 Технические характеристики: VDRM: 1200 вольт; VRRM: 1200 вольт; ИТ (RMS): 43.96 ампер; IGT: 100 мА; Тип упаковки: СЕМИПАК-7; Количество контактов: 7 |
SKKT273 / 18E Технические характеристики: VDRM: 1800 вольт; VRRM: 1800 вольт; IT (RMS): 450 ампер; IGT: 150 мА; Тип корпуса: CASE A 43A, SEMIPACK 3, 7 PIN; Количество контактов: 7 |
SKKT27B08EG6 Технические характеристики: VDRM: 800 вольт; VRRM: 800 вольт; IT (RMS): 43,96 ампер; IGT: 100 мА; Тип упаковки: СЕМИПАК-7; Количество контактов: 7 |
SKKT27B12EG6 Технические характеристики: VDRM: 1200 вольт; VRRM: 1200 вольт; ИТ (RMS): 43. 96 ампер; IGT: 100 мА; Тип упаковки: СЕМИПАК-7; Количество контактов: 7 |
SKT10: Тиристор SKCD47C120IHD: Полуклеточный калибровочный диод SKB104: Миниатюрные мостовые выпрямители SKIIP1212GB120402W-FT: 3-фазный мостовой выпрямитель + тормозной прерыватель + 3-фазный мостовой инвертор SK70B16: Мостовой выпрямитель SKKT5612E: Тиристорно-диодные модули Semipack 1 SK15DGDL12T4ET: 27 А, 1200 В, N-CHANNEL IGBT Технические характеристики: Полярность: N-канал; Тип упаковки: CASE T 49, SEMITOP 3, 23 PIN; Количество блоков в ИС: 7 СКХ25 / 16: 23.55 А, 1200 В, SCR Технические характеристики: VDRM: 1200 вольт; VRRM: 1200 вольт; IT (RMS): 23,55 ампер; IGT: 100 мА; Стандарты и сертификаты: RoHS; Тип упаковки: СЕМИПАК-5; Количество контактов: 5 |
Спецификация | Условия испытания | .Типичное | Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Синусоидальная волна при 180 ℃, 50 Гц, двухстороннее тепловыделение, TC = 85 ℃ | 125 | 55 | 6 | 125 | 86 | A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
повторяющееся пиковое напряжение в закрытом состоянии | VDRM & V RRM tp = 10rms V = V V 0.0.i304.4d064f05bwLAFH”> DRM & V RRM + 200v | 125 | 500 | 2500 | V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
обратное пиковое напряжение | 500 | 2500 | V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
повторов пиковый ток в закрытом состоянии | 125 | 8 | мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
повторяющийся пиковый обратный ток | 150 | мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Неповторяющийся прямой импульсный ток | Ширина дна 10 мс, полусинусоида Vr = 0.6Vrrm | 125 | 1,25 | KA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Квадратное время импульсного тока |
|