Маркировка SMD диодов и обозначение диодных сборок
Перейти к контенту
Поиск:
Рубрика: SMD компоненты
Корпуса и маркировка SMD диодов. Для изготовления современных печатных плат преимущественно применяют технологический способ поверхностного монтажа. Этот способ ещё называют ТМП (технология монтажа на поверхность), а также SMD технология. Соответственно, детали, применяемые в ТМП, называются чип или смд-компонентами.
Содержание
- Маркировка SMD диодов — справочник кодовых обозначений
- Маркировка стабилитронов BZX84
- Маркировка стабилитронов BZT52
Маркировка SMD диодов фирмы Hewlett Packard
# | Конфигурация | Тип корпуса | Цоколевка |
0 | Одиночный диод | SOT23 | D1a |
2 | Два последовательно включенных диода | SOT23 | D1i |
3 | Два диода с общим анодом | SOT23 | D1j |
4 | Два диода с общим катодом | SOT23 | D1h |
5 | Два отдельных диода | SOT143 | D6d |
7 | Кольцо из четырех диодов | SOT143 | D6c |
8 | Мост из четырех диодов | SOT143 | D6a |
9 | Перевернутая четверка диодов | SOT143 | – |
B | Одиночный диод | SOT323 | D2a |
C | Два последовательно включенных диода | SOT323 | D2b |
E | Два диода с общим анодом | SOT323 | D2c |
F | Два диода с общим катодом | SOT323 | D2d |
K | Два отдельных диода | SOT363 | D7b |
L | Три отдельных диода | SOT363 | D7f |
M | Четыре диода с общим катодом | SOT363 | D7g |
N | Четыре диода с общим анодом | SOT363 | D7h |
P | Мост из четырех диодов | SOT363 | D7i |
R | Кольцо из четырех диодов | SOT363 | D7j |
T | Диод с низкой индуктивностью | SOT363 | – |
U | Последовательно-параллельная пара диодов | SOT363 | – |
Маркировка SMD диодов в цилиндрических корпусах
Тип | 1 полоса | 2 полоса | Эквивалент |
BA682 | Красная | Нет | BA482 |
BA683 | Красная | Желтая | BA483 |
BAS32 | Черная | Нет | 1N4148 |
BAV100 | Зеленая | Черная | BAV18 |
BAV101 | Зеленая | Красная | BAV19 |
BAV102 | Зеленая | Красная | BAV20 |
BAV103 | Зеленая | Желтая | BAV21 |
BB219 | Нет | Нет | BB909 |
Маркировка диодов и диодных сборок
Наименование | Маркировка | Кол-во диодов | Обратное напр. | Прямой ток | Время рас. | Емкость диода | Корпус |
LL 4148 | … | один | 70 В | 100 мА | 4 нс | 4,0 пФ | mini-МELF |
BAS 216 | … | один | 75 В | 250 мА | 4 нс | 1,5 пф | SOD110 |
BAT254 NEW | … | один | 30 В | 200 мА | 5 нс | 10 пФ | SOD110 |
BAS 16 | JU/A6 | один | 75 В | 200 мА | 6 нс | 2,0 пФ | SOT23 |
BAS 21 | JS | один | 200 В | 200 мА | 50 нс | 5 пФ | SOT23 |
BAV 70 | JJ/A4 | 2 диода | 70 В | 250 мА | 6 нс | 1,5 пФ | SOT23 |
BAV 99 | JK, JE, A7 | 2 диода | 70 В | 250 мА | 6 нс | 1,5 пФ | SOT23 |
BAW 56 | JD, A1 | 2 диода | 70 В | 250 мА | 6 нс | 2,0 пФ | SOT23 |
BAT54S | L44 | 2 шотки | 30 В | 200 мА | 5 нс | 10 пФ | SOT23 |
BAT54C | L43 | 2 шотки | 30 В | 200 мА | 5 нс | 10 пФ | SOT23 |
BAV23S | L31 | 2 диода | 200В | 225 мА | 50 нс | 5 пФ | SOT23 |
Маркировка стабилитронов BZX84
Тип | Маркировка | Uст при 5мА min | Uст при 5мА nom | Uст при 5мА max | Max R ДИФ | Uст в диапазоне -60 … +125°С |
BZX84C2V7 | W4 | 2,4B | 2,7B | 3,1B | 85 Oм | -0,06% |
BZX84C3V0 | W5 | 2,8B | 3,0B | 3,2B | 85 Oм | -0,06% |
BZX84C3V3 | W6 | 3,1В | 3,3В | 3,5В | 85 Ом | -0,06% |
BZX84C3V9 | W8 | 3,7В | 3,9В | 4,1В | 85 Ом | -0,06% |
BZX84C4V3 | Z0 | 4,1B | 4,3B | 4,5B | 80 Ом | -0,03% |
BZX84C4V7 | Z1 | 4,4В | 4,7В | 5,0В | 80 Ом | -0,03% |
BZX84C5V1 | Z2 | 4,9B | 5,1B | 5,3B | 60 Ом | 0,03% |
BZX84C5V6 | Z3 | 5,2В | 5,6В | 6,0В | 40 Ом | 0,03% |
BZX84C6V2 | Z4 | 5,8В | 6,2В | 6,6В | 10 Ом | 0,05% |
BZX84C6V8 | Z5 | 6,4В | 6,8В | 7,2В | 15 Ом | 0,05% |
BZX84C7V5 | Z6 | 7,1В | 7,5В | 7,9В | 15 Ом | 0,05% |
BZX84C8V2 | Z7 | 7,7В | 8,2В | 8,7В | 15 Ом | 0,06% |
BZX84C9V1 | Z8 | 8,8В | 9,1В | 9,5В | 20 Ом | 0,05% |
BZX84C10 | Z9 | 9,4В | 10,0В | 10,6В | 20 Ом | 0,07% |
BZX84C12 | Y2 | 11,4В | 12,0В | 12,7В | 25 Ом | 0,07% |
BZX84C15 | Y4 | 13,8В | 15,0В | 15,6В | 30 Ом | 0,08% |
BZX84C18 | Y6 | 16,8В | 18,0В | 19,1В | 45 Ом | 0,08% |
BZX84C20 | Y8 | 17,8В | 20,0В | 21,0В | 45 Ом | 0,08% |
Маркировка стабилитронов BZT52
Тип | Маркировка | Uст при 5мА min | Uст при 5мА nom | Uст при 5мА max | Max R ДИФ | Uст в диапазоне -60 … +125°С |
BZT52-C3V3S | W4 | 3,1B | 3,3B | 3,5B | 95 Oм | -0,055% |
BZT52-C3V9S | W6 | 3,7B | 3,9B | 4,1B | 95 Oм | -0,050% |
BZT52-C4V3S | W7 | 4,0В | 4,3В | 4,6В | 95 Ом | -0,035% |
BZT52-C4V7S | W8 | 4,4В | 4,7В | 5,0В | 75 Ом | -0,015% |
BZT52-C5V1S | W9 | 4,8B | 5,1B | 5,4B | 60 Ом | -0,005% |
BZT52-C6V8S | WB | 6,4B | 6,8B | 7,2B | 8 Ом | 0,045% |
Как проверить SMD компоненты
Цветовая маркировка диодов в корпусах SOD-80 | SMD – поверхностный монтаж
Цветовая маркировка диодов в корпусах SOD-80 | SMD – поверхностный монтаж | Компоненты |СправочникМаркировка SMD – диодов |
Маркировка SMD – конденсаторов |
Маркировка SMD – резисторов |
SMD – транзисторы |
Цоколевка SMD – компонентов: | ||||
Корпус SOD-80, известный также как MELF, представляет из себя маленький стеклянный цилиндр с металлическими выводами. Примеры маркировки диодов. Маркировка 2Y4 к 75Y (E24 серия) BZV49 1W кремниевый
стабилитрон (2.4 – 75V) Катодный вывод помечен цветным кольцом. Маркировка приборов цветными кольцами.
|
Резисторы | Конденсаторы | Индуктивности | Динамики | Разъемы | Кабели |
Диоды | Стабилитроны | Варикапы | Тиристоры | Транзисторы | Оптроны |
Микроконтроллеры [ КР1878ВЕ1, PIC ] | Микросхемы | SMD |
Код маркировки диодов | Электронный обратный инжиниринг
Ваша инженерная проблема — наша забота
Диод поставляется во многих вариантах. Ниже представлен код маркировки для обычного компонента SMD для 2-контактного диодного компонента.
Предупреждение Примечание. Пожалуйста, убедитесь, что контекст компонента, используемого в электронной конструкции, верен. Деталь с одинаковым кодом маркировки можно неправильно интерпретировать. Это справочное руководство по кодам маркировки предназначено для вашего удобства. Всегда проверяйте спецификацию, чтобы убедиться, что ваш код маркировки соответствует номеру детали.
Код маркировки диода (список часто используемых компонентов для SMD-диодов)
Код маркировки | Упаковка | Номер детали | Альтернативный номер детали | Описание |
М7 | СМА-ДЖ | 1N4007 | УФ1010 | Силовой диод, 1А 1000В |
С3М | SMC (DO-214AB) | Силовой диод, 3А 1000В | ||
S3X | SMC (DO-214AB) | BY1800 | Силовой диод, 3А 1800В | |
S3Y | SMC (DO-214AB) | BY1800 | Силовой диод, 3А 2000В | |
SS14 | СОД-123 | 1N5819 | ЦМПШ2-4 | Диод с барьером Шоттки, 1 А |
SS34 | 1N5822 | КМШ4-40МА | Диод с барьером Шоттки, 3A | |
А6 | БАС316, БАС16 | |||
А7 | СОТ23-3 | БАВ99 | ||
А4 | СОТ23-3 | БАВ70 | A4W (из Китая) | |
AC32 или (ES1D) | ЕС1Д | |||
ЗЕ С | СМАДЖ5. 0КА | |||
МРЦ | 1СМБ40КАТ3Г | |||
BFR | СМЦДЖ40(К)А | |||
К1 | ММСЗ5251 | стабилитрон 22В | ||
В1Ж | 10MQ100NPbF | Диод | , выпрямитель Шоттки | |
514 S1G | S1G (СМА, DO-214AC) | стеклянный пассивированный выпрямитель для поверхностного монтажа (Vishay General Semiconductor) | ||
WJ C7 | БЗТ52К15 (СОД123) | Стабилитрон 15 В 5 мА | ||
А51 | (возможно) BZX84 | (Возможно) Диоды регулятора напряжения | ||
V3J | СМЦ, ДО-214АБ | 30BQ100PbF | Выпрямитель Шоттки, 3A | |
F48 SS26 | SS26 | Выпрямитель с барьером Шоттки | ||
П451Л | ??? | ??? | ||
— | ДО-35 | 1N5264B | ММСЗ5264Б | Стабилитрон |
— | ДО-204АЛ, ДО-41 | СБ140 | 1N5819 | Выпрямитель с барьером Шоттки |
ГС1М | СМА, ДО-214АК | Выпрямитель со стеклянным пассивированием | ||
А20 | СМБ | СМБИВ02-200 | Высокоэффективные выпрямительные диоды с быстрым восстановлением | |
Е1 | СОД-523Ф | 1N4148WT | Слабый сигнал, быстрый переключатель | |
Е2 | СОД-523Ф | 1N4448WT | Слабый сигнал, быстрый переключатель | |
Е3 | СОД-523Ф | 1N914BWT | Слабый сигнал, быстрый переключатель | |
Е7 | СОД323 | РБС18В | Двунаправленные стабилитроны E7 | |
SMCJ440CA 440A 5GGHC | SMC | 1. 5КЕ | ГДЖМ 8А1К2 | Диод ТВС |
Служба электронного обратного проектирования
PIC-CONTROL предоставляет услуги электронного обратного проектирования для наших бизнес-клиентов. Воспользуйтесь услугами электронного обратного инжиниринга на нашем веб-сайте или свяжитесь с нами для получения дополнительной информации.
Пожалуйста, посетите главную страницу ресурсов для других электронных ресурсов обратного проектирования.
Щелкните здесь, чтобы купить кабельный тестер CCT-01
Рубрики Электронные справочникиCopyright © 2006-2019 PIC-CONTROL Pte. ООО, Сингапур. Все права защищены. | [email protected] | Свяжитесь с нами
База данных кодов маркировки компонентов SMD
Из-за малых размеров большинства SMD-компонентов производители не имеют возможности писать полный номер детали на корпусе. Вместо этого они обычно используют код маркировки. состоит из комбинации 2 или 3 букв или цифр. При ремонте неизвестного электронной доске, становится так трудно узнать, какой точный тип данного компонент. Эта база данных позволяет быстро найти артикул компонента SMD. когда у вас есть только код маркировки.
PJ
2BZX84C36
Diotec Semiconductor
SOT-23
Стабилитрон
34..38V, Zzt=90&запятая; Изт=5мА&запятая; 225 мВт
пДж
74AUP1G17GF
NXP Semiconductors
SOT891
КМОП-логика ИС
Триггер Шмитта
пДж 70G 10A0003
NXP Semiconductors
SOT886
КМОП-логическая ИС
Триггер Шмитта
пДж
74AUP1G17GW
NXP Semiconductors
SOT-353-1
КМОП-логика IC
Триггер Шмитта
PJ
AX66lite 9JCT 4 10404033
Линейный регулятор напряжения IC
LDO&запятая; Двойной выход.&запятая; Vo1/Vo2=2,8 В/3,3 В±2%&запятая; 200 мА&запятая; +CE
PJ
AX6644JZ6
Технология AXELite
TDFN-6L
Линейный регулятор напряжения IC
LDO&запятая; Двойной выход. &запятая; Vo1/Vo2=2,8 В/3,3 В±2%&запятая; 200 мА&запятая; +CE
Pj
AX6645HCT
Технология AXELite
TSOT-23-6L
Линейный регулятор напряжения IC
LDO, Двойной выход.&запятая; Vo1/Vo2=2,8 В/3,0 В±2%&запятая 200 мА&запятая; +СЕ
Pj
AX6645HZ6
Технология AXElite
TDFN-6L
Линейный регулятор напряжения IC
LDO, Двойной выход.&запятая; Vo1/Vo2=2,8 В/3,0 В±2%&запятая 200 мА&запятая; +CE
PJ
BB159
Philips
SOD-323
Емкостной диод
TV-UHF-настройка&запятая; 30 В&запятая; 20 мА&запятая; 19,5,2,25 пФ (1,28 В)
PJ
BD5248FVE
Rohm
VSOF-5
Детектор напряжения IC
4,8 В ± 1%&запятая; -Сброс ODO
PJ
BD5248G
Rohm
SSOP-5
Детектор напряжения IC
4,8 В ± 1%&запятая; -Сброс ODO
PJ
Bh43RB1WHFV
Rohm
HVSOF5
Линейный регулятор напряжения IC
LDO&запятая; 3,3 В±1,0%&запятая; 150 мА&запятая; +СЕ
PJ
BZX84C22CCW
полупроводник JinYu
SOT-323
Стабилитрон
DualL, 20,8,23,3 В&запятая; Zzt=55&запятая; Изт=5мА&запятая; 200 мВт
PJ
CHDTA114YKPT
Chenmko Enterprise
SOT-23
Транзистор PNP
Sw, 50 В&запятая; 70 мА&запятая; 250 МГц&запятая; R1/R2=10k/47k
PJ
DDZ20C
Диоды
SOD-123
Стабилитрон
20V±5%&запятая; Изт=10мА&запятая; 500 МВт
PJ
DDZ20CS
Диоды
SOD-323
Стабилитрон
20V±5%&запятая; Изт=10мА&запятая; 200 МВт
PJ
DDZX20C
Диоды
SOT-23
Стабилитрон
20V±2,5%&запятая; Если=10 мА&запятая; 500 мВт
PJ
DDZX20CTS
Диоды
SOT-363
Стабилитрон
Triple, 20V±2,5%&запятая; Если=10 мА&запятая; 200 мВт
PJ
ELM99583B
ELM Technology
SOT-89-5
Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 5,8 В±2%&запятая; 300 мА&запятая; +CE
PJ
KRA109S
Korea Electronics
SOT-23
Транзистор PNP
Sw&запятая; 50 В&запятая; 100 мА&запятая; 200 мВт&запятая; 200 МГц&запятая; R1/R2=47k/22k
PJ
KRA309
Korea Electronics
SOT-323
Транзистор PNP
Sw, 50 В&запятая; 100 мА&запятая; 100 мВт&запятая; 200 МГц&запятая; R1/R2=47k/22k
PJ
KRA309E
Korea Electronics
SOT-490
Транзистор PNP
Sw, 50 В&запятая; 100 мА&запятая; 100 мВт&запятая; 200 МГц&запятая; R1/R2=47k/22k
PJ
KRA309V
Korea Electronics
VSM
Транзистор PNP
Sw, 50 В&запятая; 100 мА&запятая; 100 мВт&запятая; 200 МГц&запятая; R1/R2=47k/22k
PJ
KRA559E
Korea Electronics
TESV
Транзистор PNP
Dual, Sw&запятая; 50 В&запятая; 100 мА&запятая; 200 мВт&запятая; R1/R2=47k/22k
PJ
KRA559U
Korea Electronics
USV
Транзистор PNP
Dual, Sw&запятая; 50 В&запятая; 100 мА&запятая; 200 мВт&запятая; R1/R2=47k/22k
PJ
KRA759E
Korea Electronics
TES6
Транзистор PNP
Dual, Sw&запятая; 50 В&запятая; 100 мА&запятая; 200 мВт&запятая; R1/R2=47k/22k
PJ
KRA759U
Корея Electronics
US6
Транзистор PNP
Dual, Sw&запятая; 50 В&запятая; 100 мА&запятая; 200 мВт&запятая; R1/R2=47k/22k
Pj
LD6915GF-33
Leadtrend Technology
SC-82-4
Линейный регулятор напряжения IC
LDO, LN&запятая; Сверхбыстрый&запятая; Плавный пуск&запятая; 3,3 В±2%&запятая; 300 мА&запятая;
Pj
LD6915GU-33
Leadtrend Technology
SC-70-5
Линейный регулятор напряжения IC
LDO&запятая; LN&запятая; Сверхбыстрый&запятая; Плавный пуск&запятая; 3,3 В±2%&запятая; 300 мА&запятая; +CE
PJ
LM4040B10IDC
Texas Instruments
SC-70
IC опорного напряжения
uPower, Точность&запятая; Шунт&запятая; 10,0 В+0,2%
PJ
MCP130-270I
Microchip Technology
SOT-23
Детектор напряжения IC
2,62 В+75 мВ&запятая; -Сброс ODO&запятая; Подтягивающий резистор
PJ
P4SMA110CA
Fagor Electronica
DO-214AC
Подавитель переходного напряжения
Vbr=99,0,121 В&запятая; Vrwm=89,2 В&запятая 2. 7A&запятая; 400 Вт(1 мс)@запятая; Двунаправленный
PJ
PT7M7040CHTA
Pericom Technology
SOT-23-5
Детектор напряжения IC
4,0 В±1,5%&запятая; +Сброс PPO
PJ
PT7M7040CHTAE
Pericom Technology
SOT-23-5
Детектор напряжения IC
4,0 В±1,5%&запятая; +Сброс PPO&запятая; Без свинца
PJ
R1114Q281B
Ricoh
SC-82AB
Линейный регулятор напряжения IC
LDO, Низкий уровень шума&запятая; 2,8 В±2%&запятая; 150 мА&запятая;
PJ
R1118K151D
Ricoh
DFN1612-4B
Линейный регулятор напряжения IC
1,5 В ± 1%&запятая; 150 мА&запятая; +CE&запятая; CL
PJ
R1225N182J
Ricoh
SOT-23-6W
преобразователь напряжения постоянного/постоянного тока IC
VFM/PWM понижающий&запятая; 1,8 В±2%&запятая; 180 кГц
PJ
RP106K151D
Ricoh
DFN1212-6
Линейный регулятор напряжения IC
LDO&запятая; 1,5 В±0,8%&запятая; 400 мА&запятая; +CE&запятая; CL
PJ
RP130Q481D
Ricoh
SC-82AB
Линейный регулятор напряжения IC
LDO, Низкий уровень шума&запятая; +CE&запятая; CL&запятая; 4,8 В±1%&запятая; 150 мА
PJ-
BZB84-C36
Philips
SOT-23
Стабилитрон
Dual, 36V±5%&запятая; Если=200 мА&запятая; 300 мВт
pJ1
BSh201
Philips
SOT-23
МОП-транзистор n-типа
V-MOS, LogL&запятая; 60 В&запятая; 0,7A&запятая; <0,9
pJ2
BSh202
Philips
SOT-23
МОП-транзистор n-типа
V-MOS&запятая; LogL&запятая; 30 В&запятая; 0,85A&запятая; <0,6
pJ3
BSh203
Philips
SOT-23
МОП-транзистор n-типа
V-MOS&запятая; LogL&запятая; 30 В&запятая; 0,85A&запятая; <0,5
PJAI
TPS64200DBVR
Texas Instruments
SOT-23-6
Импульсный регулятор напряжения IC
Понижающий контроллер&запятая; регулируемый 1,2 В. Vin
PJBI
TPS64201DBVR
Texas Instruments
SOT-23-6
Импульсный регулятор напряжения IC
Понижающий контроллер&запятая; Регулируемый 1,2 В.Vin
PJCI
TPS64202DBVR
Texas Instruments
SOT-23-6
Импульсный регулятор напряжения IC
Понижающий контроллер&запятая; регулируемый 1,2 В. Vin
PJDI
TPS64203DBVR
Texas Instruments
SOT-23-6
Импульсный регулятор напряжения IC
Понижающий контроллер&запятая; Регулируемый 1,2 В. Vin
PJE
SMDJ300A
Socay Electronics
DO-214AB
Подавитель переходного напряжения
Vrwm=300,0 В@запятая; Vbr=335,0,371,0 В&запятая Ipp=6,17A&запятая; 3000 Вт (1 мс)
PJE
SMDJ300A
Polytronics Technology
DO-214AB
Подавитель переходного напряжения
Vrwm=300.0V, Vbr=335,0,371,0 В&запятая Ipp=6,17A&запятая; 3000 Вт (1 мс)
PJG
SMDJ350A
Socay Electronics
DO-214AB
Подавитель переходного напряжения
Vrwm=350. 0V, Vbr=391,0,432,0 В&запятая; Ipp=5.29A&запятая; 3000 Вт (1 мс)
PJG
SMDJ350A
Polytronics Technology
DO-214AB
Подавитель переходного напряжения
Vrwm=350.0V, Vbr=391,0,432,0 В&запятая; Ipp=5.29A&запятая; 3000 Вт (1 мс)
PJK
SMDJ400A
Polytronics Technology
DO-214AB
Подавитель переходного напряжения
Vrwm=400.0V, Vbr=447,0,494,0 В&запятая Ipp=4,63A&запятая; 3000 Вт (1 мс)
ПЙК
SMDJ400A
Socay Electronics
DO-214AB
Подавитель переходного напряжения
Vrwm=400.0V, Vbr=447,0,494,0 В&запятая Ipp=4,63A&запятая; 3000 Вт (1 мс)
PJM
SMDJ440A
Socay Electronics
DO-214AB
Подавитель переходного напряжения
Vrwm=440.0V, Vbr=492,0,543,0 В&запятая; Ipp=4.21A&запятая; 3000 Вт (1 мс)
PJM
SMDJ440A
Polytronics Technology
DO-214AB
Подавитель переходного напряжения
Vrwm=440.