Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

SOT143, TO253 – Маркировка электронных компонентов – Компоненты – Инструкции

Код

Типономинал

Фир ма

Функ ция

Особенности

Цоколевка

1

2

3

4

01

MRF9011LT1

MOT

NPN

VCBO=25B;IC=30MA;PD=300MBT;h31=30..200; fT=3800МГц

C

E

B

E

02

MRF5711LT1

MOT

NPN

VCBO=20B;IC=80MA;PD=580MBT;h31=50..300; fT=8000МГц

C

E

B

E

04

MRF4427

MOT

NPN

VCBO=40B;IC=400MA;PD=220MBT;h31=10. .200; fT=1600МГц

C

E

B

E

04

MRF5211LT1

MOT

NPN

VCBO=20B;IC=70MA;PD=333MBT;h31=25..125; fT=4200МГц

C

E

B

E

05

MRF9331LT1

MOT

NPN

VCBO=15B;IC=2MA;PD=50MBT;h31=30..200; fT=5000МГц

C

E

B

E

11

MRF9511ALT1

MOT

NPN

VCBO=20B;IC=100MA;PD=322MBT;h31=75..150; fT=8000МГц

C

E

B

E

17

BAS125-07

SIEM

2xSHD

VR<25B;IF<100MA;VF(IF=35MA)<0.9B;IR<1.0MKA; CD<1.1ПФ

K1

K2

A2

A1

18

MRF9331LT1

MOT

NPN

VCBO=15B;IC=2MA;PD=50MBT;h31=30. .200; fT=3500МГц

C

E

B

E

18

MRF9411BLT1

MOT

NPN

VCBO=20B;IC=50MA;PD=322MBT;h31=100..200; fT=8000МГц

C

E

B

E

18

MRF9411BLT3

MOT

NPN

VCBO=20B;IC=50MA;PD=322MBT;h31=100..200; fT=8000МГц

C

E

B

E

1Jp

BCV61A

PHIL

NPN

VCBO=30B;IC=100MA;PD=250MBT;h31=110..220; fT>100МГц

B1 B2 C2

C1

E1

E2

1Js

BCV61A

SIEM

NPN

VCBO=30B;IC=100MA;PD=300MBT;h31=110..220; fT=250МГц

C1 B1 B2

C2

E2

E1

1Kp

BCV61B

PHIL

NPN

VCBO=30B;IC=100MA;PD=250MBT;h31=200. .450; fT>100МГц

B1 B2 C2

C1

E1

E2

1Ks

BCV61B

SIEM

NPN

VCBO=30B;IC=100MA;PD=300MBT;h31=200..450;fT=250 МГц

C1 B1 B2

C2

E2

E1

1Lp

BCV61C

PHIL

NPN

VCBO=30B;IC=100MA;PD=250MBT;h31=420..800; fT>100МГц

B1 B2 C2

C1

E1

E2

1Ls

BCV61C

SIEM

NPN

VCBO=30B;IC=100MA;PD=300MBT;h31=420..800; fT>250МГц

C1 B1 B2

C2

E2

E1

1Mp

BCV61

PHIL

NPN

VCBO=30B;IC=100MA;PD=250MBT;h31=110..800;fT>100 МГц

B1 B2 C2

C1

E1

E2

305

AT-30511

HP

NPN

VCBO=11B;IC=8MA;PD=100MBT; h31=70. .300; fT=10ГГц

B

E

C

E

310

AT-31011

HP

NPN

VCBO=11B;IC=16MA;PD=150MBT; h31=70..300; fT=10ГГц

B

E

C

E

320

AT-32011

HP

PNP

VCBO=11B;IC=32MA;PD=200MBT; h31=70..300; fT=10ГГц

B

E

C

E

3Jp

BCV62A

PHIL

PNP

VCBO=30;IC=100MA;PD=250MBT; h31=125..250; fT>100MГц

B1 B2 C2

C1

E1

E2

3Js

BCV62A

SIEM

PNP

VCBO=30B;IC=100MA;PD=300MBT; h31=125..220; fT=250MГц

C1 B1 B2

C2

E2

E1

3Kp

BCV62B

PHIL

PNP

VCBO=30;IC=100MA;PD=250MBT; h31=220. .475; fT>100MГц

B1 B2 C2

C1

E1

E2

3Ks

BCV62B

SIEM

PNP

VCBO=30B;IC=100MA;PD=300MBT; h31=220..475; fT=250MГц

C1 B1 B2

C2

E2

E1

3Lp

BCV62C

PHIL

PNP

VCBO=30;IC=100MA;PD=250MBT; h31=220..475; fT>100MГц

B1 B2 C2

C1

E1

E2

3Ls

BCV62C

SIEM

PNP

VCBO=30B;IC=100MA;PD=300MBT; h31=420..800; fT=c250MГц

C1 B1 B2

C2

E2

E1

3Mp

BCV62

PHIL

PNP

VCBO=30;IC=100MA;PD=250MBT; h31=100..800; fT>100MГц

B1 B2 C2

C1

E1

E2

414

AT-41411

HP

NPN

VCBO=30B;IC=50MA;PD=225MBT; h31=30. .270; fT=7000MГц

C

E

B

E

47s

BAS40-07

SIEM

2xSHD

VR<40B;IF<120мA;VF(IF=40мA)<1,0B;IR<1,0MKA; CD<5,0пФ;

K1

K2

A2

A1

57

BAT17-07

SIEM

2xSHD

VR<4B;IF<130мA;VF(IF=10мA)<0,6B; IR<0,25MKA CD<0,75пФ;

K1

K2

A2

A1

60

BAR60

SIEM

3xPIN

VR<100B;IF<140мA;VF(IF=100мA)<1,25B; IR<0,1MKA CD<0,2пФ;

K1 K2 A3

K3

A1

A2

61

BAR61

SIEM

3xPIN

VR<100B;IF<140мA;VF(IF=100мA)<1,25B; IR<0,1MKA CD<0,2пФ;

K2 A3

A1

K1 A2

A3

62

BAT62

SIEM

2xSHD

VR<40B;IF<20мA;VF(IF=2мA)<1,0B; IR<10MKA; CD<0,6пФ;

A1

K2

A2

K1

63

BAT63

SIEM

2xSHD

VR<3B;IF<100мA;VF(IF=1мA)<0,3B; IR<0,01MKA; CD<0,85пФ;

A1

K2

A2

K1

67s

BAT64-07

SIEM

2xSHD

VR<40B;IF<250мA;VF(IF=100мA)<0,75B; IR<2,0MKA; CD<6пФ;

K1

K2

A2

A1

77p

BAS70-07

PHIL

2xSHD

VR<70B;IF<70мA;VF(IF=1мA)<410MB;CD<2пФ;

K1

K2

A2

A1

77s

BAS70-07

SIEM

2xSHD

VR<70B;IF<70мA;VF(IF=15мA)<1,0B; IR<0,1MKA; CD<2,0пФ;

K1

K2

A2

A1

8372

MRF8372

MOT

NPN

VCBO=36B;IC=200MA;PD=1880MBT; h31=30. .200

C

E

B

E

97p

BCV65

PHIL

PNP(1)+ NPN(2)

VCBO=30B;IC=100MA;PD=250MBT; h31=75..800

C2

B1 B2

C1

E1 E2

98p

BCV65B

PHIL

PNP(1)+ NPN(2)

VCBO=30B;IC=100MA;PD=250MBT; h31=200..475

C2

B1 B2

C1

E1 E2

A

MRF94713

MOT

NPN

VCBO=20B;IC=50MA;PD=188MBT; h31>50; fT=8000MГц

C

E

B

E

A2

CFY30

SIEM

FET

GAAS;VDS=5B;ID=80MA;PD=250MBT;IDSS=15…60MA; gF=30MOM

S

D

S

G

A5

HSMS-2805

HP

2xSHD

VBR>70B;VF(IF=15MA)<1. 0B;IR(VR=50B)<200 HA; CD<2,0 пФ;RD=35OM

K1

K2

A2

A1

A61

BAS28

CENTS

2xFID

IF<250мА;VBR>75B;VF(IF=10мА)<0,855В;IR<1000нА; tRR<6.0нс; CD<2,0 пФ

A1

A2

K2

K1

A7

HSMS-2807

HP

4xSHD

VBR>70B;VF(IF=15MA)<1.0B;IR(VR=50B)<200нA; CD<2,0 пФ;RD=35OM

K1 A4

K4 A3

K3 A2

K2 A1

A8

HSMS-2808

HP

4xSHD

VBR>70B;VF(IF=15MA)<1.0B;IR(VR=50B)<200нA; CD<2,0 пФ;RD=35OM

K1 K4

A4 K3

A3 A2

K2 A1

B5

HSMS-2815

HP

2xSHD

VBR>20B;VF(IF=35MA)<1. 0B;IR(VR=15B)<200нA; CT<1,2 пФ;RD=15OM

K1

K2

A2

A1

B7

HSMS-2817

HP

4xSHD

VBR>20B;VF(IF=35MA)<1.0B;IR(VR=15B)<200нA; CD<1,2 пФ;RD=15OM

K1 A4

K4 A3

K3 A2

K2 A1

B8

HSMS-2818

HP

4xSHD

VBR>20B;VF(IF=35MA)<1.0B;IR(VR=15B)<200нA; CD<1,2 пФ;RD=15OM

K1 K4

A4 K3

A3 A2

K2 A1

C5

HSMS-2825

HP

2xSHD

VBR>15B;VF(IF=30MA)<0.7B;IR(VR=1B)<100нA; CD<1,0 пФ;RD=12OM

K1

K2

A2

A1

C7

HSMS-2827

HP

4xSHD

VBR>15B;VF(IF=30MA)<0. 7B;IR(VR=1B)<100нA; CT<1,0 пФ;RD=12OM

K1 K4

A4 K3

A3 A2

K2 A1

C8

HSMS-2828

HP

4xSHD

VBR>15B;VF(IF=30MA)<0.7B;IR(VR=1B)<100нA; CT<1,0 пФ;RD=12OM

K1 K4

A4 K3

A3 A2

K2 A1

C9

HSMS-2829

HP

4xSHD

VBR>15B;VF(IF=30MA)<0.7B;IR(VR=1B)<100нA; CT<1,0 пФ;RD=12OM

K1 A2

A3 K4

A4 K2

K3 A1

C95

BCV64

PHIL

PNP

VCB0=30B;IC=100MA; PD=250мВт;h31=110…800; FT>1000МГц

B1 C2

C1

E1 E2

B2

C96

BCV64B

PHIL

PNP

VCB0=30B;IC=100MA; PD=250мВт;h31=220…475; FT>1000МГц

B1 C2

C1

E1 E2

B2

D95

BCV63

PHIL

NPN

VCB0=30B;IC=100MA; PD=250мВт;h31=110…800; FT>1000МГц

B1 C2

C1

E1 E2

B2

D96

BCV63B

PHIL

NPN

VCB0=30B;IC=100MA; PD=250мВт;h31=200…450; FT>1000МГц

B1 C2

C1

E1 E2

B2

FAs

BFP81

SIEM

NPN

VCB0=25B;IC=30MA; PD=280мВт;h31=50…200; FT>5800МГц

C

E

B

E

FEs

BFP93A

SIEM

NPN

VCB0=20B;IC=50MA; PD=300мВт;h31=50…200; FT>6000МГц

C

E

B

E

G5

HSMP-3895

HP

2xPIN

IF<1А; PD=250мВт;VBR>100B; RS>2. 5Ом; CT<0.30пФ

А1

А2

К2

К1

HHs

BBY51-07

SIEM

2xBD

VR<7B;IF<20мA;IR<0.01мкA;C1V=4.8…6.0пФ; C2V /C4V=1.55…2.15

K1

K2

A2

A1

JPs

BAW101

SIEM

2xDI

VR<300B;IF<250мA;VF(IF=100MA)<1.3B;IR<0.15мкА; CD<6.0 пФ;tRR<1000нс

K1

K2

A2

A1

JSs

BAW100

SIEM

2xDI

VR<75B;IF<200мA; VF(IF=150MA)<1.25B;IR<1.0мкА; CD<2.0 пФ;tRR<6нс

А1

А2

К2

К1

JTp

BAS28

SIEM

2xFD

VR<75B;IF<215мA; VF(IF=50MA)<1. 0B; CD<1.5 пФ;tRR<4нс

K1

K2

A2

A1

JTs

BAS28

PHIL

2xD1

VR<75B;IF<200мA; VF(IF=50MA)<1.0B;IR<0.1мкА; CD<2.0 пФ;tRR<6нс

K1

K2

A2

A1

L30

BAV23

PHIL

2xD

VR<200B;IF<225мA; VF(IF=100MA)<1.0B; CD<5пФ;tRR<50нс

K1

K2

A2

A1

L41

BAT74

PHIL

2xSHD

VR<30B;IF<200мA; VF(IF=1MA)<320B; CD<10пФ;tRR<5нс

K1

K2

A2

A1

L51

BAS56

CENTS

2xFID

IF<200мА;VBR>60B;VF(IF=10мА)<0.75В;IR<100нА; tRR<6. 0нс; CD<2.5пФ

A1

A2

K2

K1

L51

BAS56

PHIL

2xFID

VR<60B;IF<200мA; VF(IF=200MA)<1.0B; CD<2.5пФ;tRR<6нс

K1

K2

A2

A1

M

BAR65-07

SIEM

2xPIN

VR<30B;IF<100мA; VF(IF=50MA)<1.0B; CD<0.9пФ

K1

K2

A2

A1

MB

BF995

SIEM

nMOS

VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт; NF=1.1Дб; IDSS=4…20мA; gF>12мСм

S

D

G2

G1

MB

BF995

TELEF

nMOS

VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт;IDS=4…18мA; gF>12мСм

S

D

G2

G1

MG

BF994S

SIEM

nMOS

VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт; NF=1Дб; IDSS=2…20мA; gF>15мСм

S

D

G2

G1

MG

BF994S

TELEF

nMOS

VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт;IDS=4…18мA; gF>15мСм

S

D

G2

G1

MH

BF996S

SIEM

nMOS

VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт; NF=1. 8Дб; IDSS=2…20мA; gF>15мСм

S

D

G2

G1

MH

BF996S

TELEF

nMOS

VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт;IDS=4…18мA; gF>15мСм

S

D

G2

G1

MK

BF997

SIEM

nMOS

VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт; NF=1.0Дб; IDSS=2…20мA; gF>15мСм

S

D

G2

G1

MO

BF998

SIEM

nMOS

VDS=12B;ID=30мA; PD=200мBт; NF=1.0Дб; IDSS=2…20мA; gF>24мСм

S

D

G2

G1

MO

BF998

TELEF

nMOS

VDS=12B;ID=30мA; PD=200мBт; IDS=4…18мA; gF>21мСм

S

D

G2

G1

MS

CF739

SIEM

nFET

GaAs; VDS=10B;ID=80мA; PD=240мBт; IDS=6…60мA; gF=25мСм

S

D

G2

G1

MX

CF750

SIEM

FET

GaAs; VDS=8B;ID=80мA; PD=300мBт; IDSS=50мA; gF=25мСм

GN D

D

G

S

MYs

BF1012

SIEM

nMOS

VDS=16B;ID=25мA; PD=200мBт; NF=1. 4Дб; gF=26мСм

S

D

G2

G1

MZs

BF1005

SIEM

nMOS

VDS=8B;ID=25мA; PD=200мBт; NF=1.4Дб; gF=24мСм

S

D

G2

G1

NYs

BF1012S

SIEM

nMOS

VDS=16B;ID=25мA; PD=200мBт; NF=1.4Дб; gF=26мСм

S

D

G2

G1

NZs

BF1005S

SIEM

nMOS

VDS=8B;ID=25мA; PD=200мBт; NF=1.6Дб; gF=24мСм

S

D

G2

G1

PTs

BAR64-07

SIEM

2xPIN

VR<200B;IF<100мA; VF(IF=50MA)<1.1B; CD<0.35пФ

K1

K2

A2

A1

RAs

BF772

SIEM

NPN

VCB0=20B;IC=80MA; PD=580мВт; h31=50…200; FT=8000МГц

C

E

B

E

RCs

BFP193

SIEM

NPN

VCB0=20B;IC=80MA; PD=580мВт; h31=50…200; fT=8000МГц

C

E

B

E

RDs

BFP180

SIEM

NPN

VCB0=10B;IC=4MA; PD=30мВт; h31=30…200; fT=6200МГц

C

E

B

E

REs

BFP280

SIEM

NPN

VCB0=10B;IC=10MA; PD=80мВт; h31=30…200; fT=7000МГц

C

E

B

E

RFs

BFP181

SIEM

NPN

VCB0=20B;IC=20MA; PD=175мВт; h31=50…200; fT=8000МГц

C

E

B

E

RFs

BFP181R

SIEM

NPN

VCB0=20B;IC=20MA; PD=175мВт; h31=50…200; fT>8000МГц

C

E

B

E

RGs

BFP182

SIEM

NPN

VCB0=20B;IC=35MA; PD=250мВт; h31=50…200; fT>8000МГц

C

E

B

E

RGs

BFP182R

SIEM

NPN

VCB0=20B;IC=35MA; PD=250мВт; h31=50…200; fT>8000МГц

C

E

B

E

RHs

BFP183

SIEM

NPN

VCB0=20B;IC=65MA; PD=450мВт; h31=50…200; fT=8000МГц

C

E

B

E

RHs

BFP183R

SIEM

NPN

VCB0=20B;IC=65MA; PD=250мВт; h31=50…200; fT>8000МГц

C

E

B

E

RKs

BFP194

SIEM

PNP

VCB0=20B;IC=100MA; PD=700мВт; h31=20…150; fT=5000МГц

C

E

B

E

RLs

BFP196

SIEM

NPN

VCB0=20B;IC=100MA; PD=700мВт; h31=50…200; fT=7500МГц

C

E

B

E

S4

BBY62

PHIL

2xBD

VR<30B;IF<20мA; C1V=16 пФ; C28V=1. 6…2 пФ; C1V/C28V=8.3

K1

K2

A2

A1

S5

BAT15-099

SIEM

2xSHD

VR<4B;IF<110мA; VF(IF=10MA)<0.32B; CD<0.35пФ

K1

A2

K2

A1

S6

BAT15-099R

SIEM

4xSHD

VR<4B;IF<110мA; VF(IF=10MA)<0.32B; CD<0.38пФ

K1 A4

A3 K2

K4 A2

A1 K3

S8

BAT14-099R

SIEM

4xSHD

VR<4B;IF<90мA; VF(IF=10MA)<0.48B; CD<0.38пФ

K1 A4

A3 K2

K4 A2

A1 K3

S9

BAT14-099

SIEM

2xSHD

VR<4B;IF<90мA; VF(IF=10MA)<0.55B; CD<0.35пФ

K1

A2

K2

A1

SN

BAT63-099R

SIEM

4xSHD

IF<50А; VF(IF=1MA)<0. 3B; CD<1.1пФ

A3 K1

A4 K2

K3 A2

A1 C4

T5

HSMS-2865

HP

2xSHD

VBR>5B;VF(IF=30MA)<0.6B;CD<0.30 пФ;RD=10OM

K1

K2

A2

A1

Транзисторы SMD (SOT23,SOT143,SOT89,SOT323,SOT223) – Радиодетали

НАИМЕНОВАНИЕ Структура Корп. V A mHz Wt 1 + 10 + 50 +
2N7002 N SOT-23 60 0,2   0,4 1,00 0,90 0,70
BFT46 N-FET SOT-23  250,2  0,25 5,00   
BSS123 SOT-23 100 0,17  0,36 2,00 1,50 1,00 
BSS138 SOT-23 50  0,2 0,225 2,00 1,50 1,00 
 BCV26  DARL.
PNP SOT-23 30 1,2 220  0,351,00 0,90 0,80 
BC807-40 PNP SOT-23 40 0,8 100 0,22 1,00 0,50 0,30
BC817  NPN SOT-23 450,5 100 0,25 1,00 0,50 0,30 
BC817-25 NPN SOT-23 45 0,5 100 0,22 1,00 0,50 0,30
BC817-25R NPN TO-236 45 0,5 200 0,31 1,00 0,50 0,30
BC817-40 NPN SOT-23 45 0,5 100 0,22 1,00 0,50 0,30
BC846B NPN
SOT-23
65 0,1 300 0,31 1,00 0,50 0,30
BC847B,C NPN SOT-23 45 0,1 300 0,31 1,00 0,50 0,30
BC856B PNP SOT-23 65 0,1 100 0,25 1,00 0,50 0,30
BC857B,C PNP SOT-23 65 0,1 100 0,25 1,00 0,50 0,30
BC858A,C PNP SOT-23 65 0,1 100 0,25 1,00 0,50 0,30
 BCW61APNP SOT-23  32 0,1 1000,25 0,50 0,40 0,26 
BCR108E(2,2K+47K)D-NPN   SOT-2350 0,1  1000,2 2,00 1,80  1,50
BCR108E(4,7K+4,7K)  D-NPN  SOT-2350 0,1 100 0,2 1,00 0,90 0,80 
BCR116 D-NPN  SOT23 50 0,1   1,00 0,90  
BCX19 NPN SOT-23 45 0,5 100 0,62 2,00 1,80  
 BCX51-16PNP SOT-89 45 50 1,2 2,50 2,00 1,50 
BCX53-16 PNP SOT-89 80 1 50 1,2 2,50 2,00 1,80
BCX56-16 NPN SOT-89 80 1 130 1,3 2,50 2,00 1,80
PBSS4540X NPN SOT-89 40  470 2,5 4,00  3,60 3,20 
 PBSS5540X PNP SOT-89 40 70 2,5  4,003,60 3,20 
BСP33 PNP SOT223  80100 1,3 3,00 2,50  
BСP43 NPN SOT223 80  1100 1,3 3,00 2,50  
BСP53-16 PNP SOT223 80 100 3,00 2,50 2,20 
BСP56-16 NPN SOT223 80  1100 3,00 2,50 2,20 
BSS84P P SOT-23 50 0,13   0,25 2,00 1,80 1,50
BF989 dual gateSOT143  200,02 800 
0,2 
4,00 3,60  
BF998T1 dual gate N SOT143 12 0,03 800  0,2 4,00 3,60  
BFG135 NPN SOT223 15 0,15 7G 1 12,00 11,50 11,00
BFG541 NPN SOT223 15 0,12 9G 0,65 11,00 10,50 10,00
BFG591 NPN SOT223 15 0,2 7G 2 12,00 11,50 11,00
BFG67X NPN SOT143 10 0,05 8G 0,3 3,00 2,00 1,60
BFP67 NPN SOT143 10 0,05 8G 0,3 3,00 2,00 1,60 
 BFR92ANPN SOT-23 12  0,025 5G 0,15 3,00 2,70 2,50 
BFR93A NPN SOT-23 12 0,04 6G 0,3 3,00 2,70 2,50
BFR93AW  NPNSOT323 12 0,04  7G0,3 3,00 2,70  2,50
BSD22 N SOT143 20 0,05   0,23 2,00 1,50 1,20
BSP19 NPN SOT223 350 0,1 70 1,2 3,00 2,50 2,20
IRLML2402 N SOT-23 20 1,2   0.76 3,00 2,70 2,50
IRLML2502 N SOT-23 20 4,2   0.05 3,00 2,70 2,50
IRLML2803 N
SOT-23
30 1,2   0.76 3,00 2,50 2,20
IRLML5103 P SOT-23 30 0,76   0,54 3,00 2,70 2,20
IRLML6302 SOT-23 20 0,78 
0,6 3,00 2,70 2,50 
IRLML6402 P SOT-23 20 3,7   0,65 3,00 2,70 2,20
IRF5852TR N+N TSOP6 20 2,7+2,7  0,96 5,00  4,50 
MMBT4401 NPN SOT23 40 0,6250 0,3 1,00 0,70  
MMBT4403 PNP SOT23 400,6  2000,3 1,00 0,70  
MMBTA3904 NPN SOT-23 60 0,2 100 0,35 1,00 0,50 0,40
MMBTA3906  PNP  SOT-23  60  0,2  100  0,35  1,00  0,50  0,40 
 MMBTA64LT1  DARL.PNP SOT-23 30 0,5 125 0,3 1,00 0,90 0,70 
MMBTA42 NPN SOT-23 300 0,1 50 0,25 1,00 0,60 0,50
MMBTA92 PNP SOT-23 300 0,1 50 0,25 1,00 0,60 0,50
PZTA92 PNP  SOT223 300 0,150 1,5 2,00 1,80 1,50 
MMBT5401 PNP SOT-23 180 0,2 150 0,35 1,00 0,60 0,40 
MMBT5551 NPN SOT-23 180 0,2 300 0,35 1,00 0,60 0,40
PBSS4350T  NPN  SOT-23  50  100  0,48  4,00  3,60  3,00 
 PBSS5350T PNP  SOT-23  50  100  0,48  4,00   3,60 3,00 
PMBT2222A NPN SOT-23 40 0,6 300 0,25 1,00 0,70 0,50
MMBT2907A PNP SOT-23 60  0,6200 0,22 1,00 0,90  
PMBFJ174 P SOT-23 30 0,05   0,3 3,00 2,80 2,50
SS8050  NPNSOT-23   401,5  100 0,3 1,00 0,700,50 
SS8550  PNP SOT-23  40 1,5100  0,31,00 0,70 0,50 
PDTC123EK  D-NPN  SOT-23          1,00  0,90  0,80 
DTC114EKA  D-NPN  SOT346  50  0,1      1,00  0,90  0,80 
PDTA144EE D-PNP SOT416 50 0,1   1,00  0,900,80 

Sp0503БАТ SP0503b Новые телевизоры диод Sot143

SP0503&Bcy;&Acy;&Tcy; SP0503B &Ncy;&Ocy;&Vcy;&Ycy;&IEcy; &Tcy;&IEcy;&Lcy;&IEcy;&Vcy;&Icy;&Zcy;&Ocy;&Rcy;&Ycy; &Dcy;&Icy;&Ocy;&Dcy; SOT143

&Icy;&ncy;&fcy;&ocy;&rcy;&mcy;&acy;&tscy;&icy;&yacy; &ocy; &pcy;&rcy;&ocy;&dcy;&ucy;&kcy;&tscy;&icy;&icy;

&Ucy;&pcy;&acy;&kcy;&ocy;&vcy;&kcy;&acy; &icy; &dcy;&ocy;&scy;&tcy;&acy;&vcy;&kcy;&acy;

&Ucy;&pcy;&acy;&kcy;&ocy;&vcy;&kcy;&acy;&colon; &Ocy;&dcy;&icy;&ncy; &vcy; &kcy;&ocy;&rcy;&ocy;&bcy;&kcy;&iecy;&comma; &scy;&tcy;&acy;&ncy;&dcy;&acy;&rcy;&tcy;&ncy;&ycy;&jcy; &vcy;&iecy;&scy; &ncy;&acy; &kcy;&acy;&rcy;&tcy;&ocy;&ncy;&ncy;&ocy;&jcy; &ucy;&pcy;&acy;&kcy;&ocy;&vcy;&kcy;&iecy;

&Dcy;&icy;&acy;&pcy;&acy;&zcy;&ocy;&ncy; &pcy;&rcy;&icy;&lcy;&ocy;&zhcy;&iecy;&ncy;&icy;&jcy;

&Scy;&iecy;&rcy;&tcy;&icy;&fcy;&icy;&kcy;&acy;&tscy;&icy;&yacy;


&Dcy;&icy;&acy;&pcy;&acy;&zcy;&ocy;&ncy; &pcy;&rcy;&icy;&lcy;&ocy;&zhcy;&iecy;&ncy;&icy;&jcy;

&Dcy;&rcy;&ucy;&gcy;&icy;&iecy; &pcy;&rcy;&ocy;&dcy;&ucy;&kcy;&tcy;&ycy;

&Ocy; &kcy;&ocy;&mcy;&pcy;&acy;&ncy;&icy;&icy; &Gcy;&lcy;&acy;&vcy;&ncy;&acy;&yacy; &Pcy;&rcy;&ocy;&dcy;&ucy;&kcy;&tscy;&icy;&yacy;&colon; IC&comma; mos &tcy;&rcy;&ucy;&bcy;&kcy;&icy;&comma; IGBT&comma; &dcy;&icy;&ocy;&dcy; &sol; triode&comma; &tcy;&icy;&rcy;&icy;&scy;&tcy;&ocy;&rcy;&comma; &tcy;&rcy;&icy; – &kcy;&lcy;&iecy;&mcy;&mcy;&acy;
&Rcy;&iecy;&gcy;&ucy;&lcy;&yacy;&tcy;&ocy;&rcy; &ncy;&acy;&pcy;&rcy;&yacy;&zhcy;&iecy;&ncy;&icy;&yacy; &icy; &tcy;&period; &Dcy;&period;

&Scy;&pcy;&ocy;&scy;&ocy;&bcy; &ocy;&pcy;&lcy;&acy;&tcy;&ycy;

 

smd-код 14

Подробная информация о производителях – в GUIDE’е, о типах корпусов – здесь
код наименование функция корпус производитель примечания
14 BAT114-099R мостовой модулятор на диодах Шоттки sot143 Infineon  
14 DTA114EC3 “цифровой” pnp: 50В/100мА 10k/10k sot523 Cystek  
14 DTA114EUA|KA|CA “цифровой” pnp: 50В/100мА 10k/10k sc70|sc59|sot23 Rohm  
14 HBCA114YS6R “цифровые” pnp/npn: 50В/100мА 10k/47k sot363 Cystek  
14 MM3Z30VT1G стабилитрон 200мВт: 30В sod323 ON Semi  
14 MMBD1504 два диода с общим катодом: 200В/100мА sot23 NatSemi  
13 MSS1P4 диод Шоттки: 40В/1А microsmp Vishay  
14 MUN5314DW1 npn/pnp, +10к sot363 ON Semi  
14 PDTA113EU “цифровой” pnp: 50В/100мА 1k/1k sot323 NXP @Hong Kong
140 LM26LVCISD-140 датчик температуры и температурный ключ: 140°C wson6 TI  
140 OPA2140AIDBV прецизионный ОУ с FET-входом vssop8 TI  
140х AT42QT1040 4х кан. датчик сенсорной клавиатуры vqfn20 Atmel x – date-код
142 DTC123JUA|JUB “цифровой” npn: 50В/100мА 2,2k/47k sc70|sc85 Rohm  
145 LM26LVCISD-145 датчик температуры и температурный ключ: 145°C wson6 TI  
1494(I)(H)2 LT1494C(I)(H)S8 прецизионный микромощный R2R ОУ, (ind), (mil) so8 LTC  
1495(I)(H)2 LT1495C(I)(H)S8 сдвоенный прецизионный микромощный R2R ОУ, (ind), (mil) so8 LTC  
14A MMBD1504A два диода с общим катодом: 200В/100мА sot23 TI  
14A DS1814A монитор питания на 5 В с watchdog’ом sot23-5 Maxim  
14B DS1814B монитор питания на 5 В с watchdog’ом sot23-5 Maxim  
14C DS1814C монитор питания на 5 В со сбросом кнопкой sot23-5 Maxim  
14S BAS125-04|W полумост из диодов Шоттки: 25В/100мА sot23|sot323 Infineon  
14VF TLV62568DBV step-down dc-dc: adj./1A 1,5МГц sot23-5 TI  

СОТ-143 (РА-) | Design Center

Некоторые файлы cookie требуются для безопасного входа в систему, а другие необязательны для функциональных действий. Сбор наших данных используется для улучшения наших продуктов и услуг. Мы рекомендуем вам принять наши файлы cookie, чтобы обеспечить максимальную производительность и функциональность нашего сайта. Для получения дополнительной информации вы можете просмотреть сведения о файлах cookie. Узнайте больше о нашей политике конфиденциальности.

Принять и продолжить Принять и продолжить

Файлы cookie, которые мы используем, можно разделить на следующие категории:

Строго необходимые файлы cookie:
Это файлы cookie, которые необходимы для работы аналога.com или предлагаемые конкретные функции. Они либо служат единственной цели передачи данных по сети, либо строго необходимы для предоставления онлайн-услуг, явно запрошенных вами.
Аналитические / рабочие файлы cookie:
Эти файлы cookie позволяют нам выполнять веб-аналитику или другие формы измерения аудитории, такие как распознавание и подсчет количества посетителей и наблюдение за тем, как посетители перемещаются по нашему веб-сайту. Это помогает нам улучшить работу веб-сайта, например, за счет того, что пользователи легко находят то, что ищут.
Функциональные файлы cookie:
Эти файлы cookie используются для распознавания вас, когда вы возвращаетесь на наш веб-сайт. Это позволяет нам персонализировать наш контент для вас, приветствовать вас по имени и запоминать ваши предпочтения (например, ваш выбор языка или региона). Потеря информации в этих файлах cookie может сделать наши службы менее функциональными, но не помешает работе веб-сайта.
Файлы cookie для таргетинга / профилирования:
Эти файлы cookie записывают ваше посещение нашего веб-сайта и / или использование вами услуг, страницы, которые вы посетили, и ссылки, по которым вы переходили.Мы будем использовать эту информацию, чтобы сделать веб-сайт и отображаемую на нем рекламу более соответствующими вашим интересам. Мы также можем передавать эту информацию третьим лицам с этой целью.
Отклонить файлы cookie

SOT143

DtSheet
    Загрузить

СОТ143

Открыть как PDF
Похожие страницы
ЦСОП 8
SOT23
SOT223
СО-14 (Тип ТН)
SO 8
MSOP 10
SO 8EP
MSOP 8
SO 14
SO 8DEP

dtsheet © 2021 г.

О нас DMCA / GDPR Злоупотребление здесь

Усилитель с низким уровнем шума BFU520, BFU530 и BFU550, оценочный комплект заказчиков для транзисторов в корпусе SOT143

Название дистрибьютора Регион Опись Дата инвентаризации

При выборе предпочтительный дистрибьютор, вы будете перенаправлены к их веб-сайт к разместить и обслужить ваш заказ.Пожалуйста, будьте осторожны что дистрибьюторы независимы предприятия и набор их собственный цены, сроки и условия продажи.NXP не делает нет представления или гарантии, явные или подразумевается, около дистрибьюторы, или цены, сроки а также условия продажи согласовано вами и любым распределитель.

% PDF-1.4 % 112 0 объект > эндобдж xref 112 157 0000000016 00000 н. 0000004236 00000 п. 0000004364 00000 н. 0000004400 00000 н. 0000006439 00000 н. 0000006482 00000 н. 0000006621 00000 н. 0000006758 00000 н. 0000006895 00000 н. 0000007437 00000 н. 0000008065 00000 н. 0000008152 00000 н. 0000008572 00000 н. 0000009053 00000 п. 0000009475 00000 н. 0000009993 00000 н. 0000010647 00000 п. 0000010822 00000 п. 0000011254 00000 п. 0000011918 00000 п. 0000012521 00000 п. 0000012631 00000 п. 0000012694 00000 п. 0000012872 00000 п. 0000013036 00000 п. 0000013658 00000 п. 0000013728 00000 п. 0000013842 00000 п. 0000013954 00000 п. 0000014038 00000 п. 0000016268 00000 п. 0000016447 00000 п. 0000016630 00000 п. 0000018268 00000 п. 0000018455 00000 п. 0000020286 00000 п. 0000020481 00000 п. 0000020992 00000 п. 0000022181 00000 п. 0000022386 00000 п. 0000022589 00000 п. 0000022784 00000 п. 0000023052 00000 п. 0000024741 00000 п. 0000025135 00000 п. 0000027081 00000 п. 0000027597 00000 п. 0000028001 00000 п. 0000028399 00000 п. 0000028760 00000 п. 0000030652 00000 п. 0000044984 00000 п. 0000046721 00000 п. 0000049958 00000 н. 0000055456 00000 п. 0000060479 00000 п. 0000063438 00000 п. 0000063938 00000 п. 0000064324 00000 п. 0000064722 00000 н. 0000065119 00000 п. 0000069009 00000 п. 0000069048 00000 н. 0000101193 00000 н. 0000101232 00000 н. 0000105578 00000 п. 0000130691 00000 п. 0000130922 00000 н. 0000131005 00000 н. 0000131060 00000 н. 0000131305 00000 н. 0000131388 00000 н. 0000131443 00000 н. 0000131466 00000 н. 0000131544 00000 н. 0000131619 00000 н. 0000131695 00000 н. 0000131816 00000 н. 0000131965 00000 н. 0000132314 00000 н. 0000132380 00000 н. 0000132496 00000 н. 0000132519 00000 н. 0000132597 00000 н. 0000132673 00000 н. 0000132750 00000 н. 0000132871 00000 н. 0000133020 00000 н. 0000133368 00000 н. 0000133434 00000 н. 0000133550 00000 н. 0000133573 00000 н. 0000133651 00000 п. 0000133772 00000 н. 0000133921 ​​00000 н. 0000134273 00000 н. 0000134339 00000 н. 0000134455 00000 н. 0000135139 00000 н. 0000135424 00000 н. 0000136573 00000 н. 0000136874 00000 н. 0000137683 00000 н. 0000137722 00000 н. 0000159572 00000 н. 0000159611 00000 н. 0000196586 00000 н. 0000196625 00000 н. 0000232611 00000 н. 0000232650 00000 н. 0000268558 00000 н. 0000268597 00000 н. 0000290447 00000 н. 0000290486 00000 н. 0000312336 00000 н. 0000312375 00000 н. 0000334216 00000 н. 0000334255 00000 н. 0000356104 00000 н. 0000356143 00000 н. 0000378324 00000 н. 0000378363 00000 н. 0000386015 00000 н. 0000386054 00000 н. 0000410004 00000 н. 0000410043 00000 н. 0000433422 00000 н. 0000433461 00000 н. 0000433536 00000 н. 0000433611 00000 н. 0000433732 00000 н. 0000433878 00000 н. 0000433955 00000 н. 0000434032 00000 н. 0000434153 00000 п. 0000434299 00000 н. 0000434415 00000 н. 0000434561 00000 н. 0000434637 00000 п. 0000434758 00000 п. 0000434904 00000 н. 0000435050 00000 н. 0000435135 00000 п. 0000435256 00000 п. 0000435402 00000 п. 0000435523 00000 п. 0000435669 00000 н. 0000435745 00000 н. 0000435822 00000 н. 0000435943 00000 н. 0000436089 00000 н. 0000436235 00000 п. 0000492594 00000 н. 0000492771 00000 н. 0000492940 00000 н. 0000493124 00000 н. 0000003436 00000 н. трейлер ] / Назад 1426033 >> startxref 0 %% EOF 268 0 объект > поток h ޔ KhQ; ̴iȝ4M * TƘIjbcAD > E QTZRuV) mRӧm – ܹ pY \ RBq Ս + L ւ.6PdɵbP2Q ܤ i͡ % J4ZzkZ = 2 $ .rew “ٕ” ڐ 1 Y {EFF} d # JM“6} [Im + `D5 4Ks_) 8’pD!: 66} S0n Q2Zq84Q [1-r, oAc ز f] n $ nZK: S]! c? xMp9.-jQAG} LEGTN (괱 2 %% fN | okq $ = `1 * | J” bqSɽMtsC @ P ~ 8hg] b:; OyQQ OPÔ # x`43dsPWo

SOT-SOT143-01-A002-FB datasheet, Распиновка, схемы применения SOT143 Сети резисторов поверхностного монтажа

TC75S58F Корпорация электронных устройств и систем хранения Toshiba Компаратор, от 1,8 В до 7,0 В, IDD = 10 мкА, выход с открытым стоком, SOT-25 / SOT-353
TC75S54F Корпорация электронных устройств и систем хранения Toshiba Операционный усилитель, 1.От 8 В до 7,0 В, IDD = 100 мкА, SOT-25 / SOT-353
TC75S56F Корпорация электронных устройств и систем хранения Toshiba Компаратор, от 1,8 В до 7,0 В, IDD = 10 мкА, двухтактный выход, SOT-25 / SOT-353
TC75S57F Корпорация электронных устройств и систем хранения Toshiba Компаратор, 1.От 8 В до 7,0 В, IDD = 100 мкА, двухтактный выход, SOT-25 / SOT-353
TC75S59F Корпорация электронных устройств и систем хранения Toshiba Компаратор, от 1,8 В до 7,0 В, IDD = 100 мкА, выход с открытым стоком, SOT-25 / SOT-353
TC75S51F Корпорация электронных устройств и систем хранения Toshiba Операционный усилитель, 1.От 5 В до 7,0 В, IDD = 60 мкА, SOT-25 / SOT-353
TC75S55F Корпорация электронных устройств и систем хранения Toshiba Операционный усилитель, от 1,8 В до 7,0 В, IDD = 10 мкА, SOT-25 / SOT-353
7UL1G126FU Корпорация электронных устройств и систем хранения Toshiba Логика с одним вентилем (L-MOS), буфер, SOT-353 (USV), от -40 до 85 ° C
TA75S393F Корпорация электронных устройств и систем хранения Toshiba Компаратор, биполярный (393) тип, от 2 В до 36 В, SOT-25
TCR2EF18 Корпорация электронных устройств и систем хранения Toshiba Регулятор LDO, фиксированный выход, 1.8 В, 200 мА, СОТ-25 (СМВ)

Диод SMD BAT74 SOT143 / BAT64 SOT23 / BAS316 SOD323 / BAS516 SOD523 / BAS19 SOT23 / BAS20 SOT23, диоды – Jainam Electronics Private Limited, Mumbai


О компании

Год основания 2001

Юридический статус компании с ограниченной ответственностью (Ltd./Pvt.Ltd.)

Характер бизнеса Оптовик

Количество сотрудников До 10 человек

Участник IndiaMART с августа 2007 г.

GST27AABCJ2393K1ZB

Код импорта и экспорта (IEC) 03020 *****

Jainam Electronics Pvt. Ltd – активный участник электронной промышленности, специализирующийся на поставках полупроводников и промышленных электронных компонентов.
Jainam Electronics Pvt.Ltd создает могучую торговую марку с 2001 года и распространила свой опыт в качестве поставщиков, оптовиков, торговцев и импортеров электронных компонентов.
Мы занимаемся реле, интегральными схемами, транзисторами, диодами, светодиодами, предохранителями PTC, конденсаторами, резисторами, стеклянными и керамическими предохранителями, MOV, термисторами NTC, полевыми транзисторами, регулировочными точками, IGBT, ЖК / светодиодными дисплеями, разъемами, переключателями, паяльной проволокой и Приклейте сток. (Универсальное решение для всех)
Все активные, пассивные и незаметные детали могут быть закуплены нами со всего мира в кратчайшие сроки.
Вся наша продукция отличается высочайшим качеством и поставляется из США, Германии, Франции, Испании, Гонконга, Тайваня, Австралии, Кореи и Китая.
Мы гордимся своей рабочей этикой, качеством продукции и безупречной организацией и методами управления, которые делают нас лидером как с точки зрения надежного поставщика, так и с точки зрения торговца.
Мы обеспечиваем лучшее качество продукции, от коммерческого до промышленного и военного уровня, и неуклонно организовываем складские запасы в соответствии с потребностями клиента. Наши склады содержатся в хорошем состоянии, в них созданы наилучшие условия для поддержания продуктов в лучшем состоянии.Мы входим в число ведущих поставщиков полупроводников и можем легко и легко управлять заказами большой емкости.
Еще одним преимуществом Jainam Electronics Pvt.Ltd является то, что мы находчивы и можем организовать доставку даже самых редких и менее востребованных продуктов в течение недели. Наша сеть поставок обеспечивает беспроблемную доставку в течение 4-6 дней из любой точки мира. Имея на складе более 7000 наименований продукции, мы можем удовлетворить любые требования к электронным компонентам, чтобы вы остались довольны.
Наши ценности – удовлетворение потребностей клиентов и гарантия наилучшего качества продукции – помогли нам добиться успеха в электронной промышленности. Стремясь к дальнейшему росту и процветанию, а также к закреплению на мировом рынке электроники, мы неустанно работаем над захватом глобальной электронной сети.

Видео компании

ВАМ-6 + Даташиты | Интегральные схемы (ИС) Интегральные схемы (ИС) SOT143 -Apogeeweb

На главную Интегральные схемы (ИС) VAM-6 + Datasheets | Интегральные схемы (ИС) Интегральные схемы (ИС) SOT143

ВАМ-3 + Даташиты | Интегральные схемы (ИС) Интегральные схемы (ИС) SOT143

ВАМ-7 + Даташиты | Интегральные схемы (ИС) Интегральные схемы (ИС) SOT143

  • By & nbspapogeeweb, & nbsp & nbspVAM-6 +, VAM-6 + Datasheet, VAM-6 + PDF, Мини-схемы

Обзор продукта
Изображение:
Номер по каталогу производителя: ВАМ-6 +
Категория продукта: Интегральные схемы (ИС)
Наличие:
Производитель: Мини-схемы
Описание: Интегральные схемы (ИС) SOT143
Лист данных: N / A
Упаковка: СОТ143
Минимум: 1
Время выполнения: 3 (168 часов)
Количество: Под заказ
Отправить запрос предложений: Купить

CAD-модели

Атрибуты продукта
Производитель: МИНИ-ЦЕПИ
Упаковка: Лента и катушка (TR) / отрезная лента (CT) / лоток / трубка
Статус RoHs: Бессвинцовый / соответствует требованиям RoHS
Упаковка / ящик: СОТ143

Описания

Для этой части пока нет релевантной информации.

ХАРАКТЕРИСТИКИ

Детали VAM-6 + производства MINI-CIRCUITS доступны для покупки на веб-сайте Apogeeweb Electronics. Здесь вы можете найти большое количество различных типов и номиналов электронных компонентов от ведущих мировых производителей. Компоненты VAM-6 + Apogeeweb Electronics тщательно отобраны, проходят строгий контроль качества и успешно соответствуют всем необходимым стандартам.

Статус производства, отмеченный на Apogeeweb.com, предназначен только для справки. Если вы не нашли то, что искали, вы можете получить дополнительную информацию о ценности по электронной почте, такую ​​как количество инвентаря VAM-6 +, льготную цену и производителя. Мы всегда рады услышать от вас, поэтому не стесняйтесь обращаться к нам.

ВАМ-3 со штыревыми деталями производства GP / MINI. ВАМ-3 выпускается в корпусе SOT143, входит в состав Диоды, выпрямители – одиночные.

ВАМ-3 + с руководством пользователя производства MINI. ВАМ-3 + выпускается в корпусе SOT143, входит в состав Диоды, выпрямители – одиночные.

ВАМ-6 с принципиальной схемой производства MINI.VAM-6 доступен в корпусе SOT-143 и является частью микросхем IC.

Экологическая и экспортная классификации
По этой детали пока нет релевантной информации.

Вас также может заинтересовать .

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.