Справочник по импортным биполярным транзисторам – страница 1
Справочник по импортным биполярным транзисторам – страница 1 – RadioLibrary
Назад12345678910…185Вперед |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Справочники по радиоэлектронным компонентам
Для радиолюбителей, скачать справочник радиодеталей по транзисторам, микросхемам, SMD компонентам отечественного и импортного производства.
Справочник «микросхемы современных телевизоров». В этом справочном пособии собраны данные о наиболее распространенных интегральных микросхемах, которые применяются в современной телевизионной технике. В книге представлена справочная информация о более чем 100 микросхемах таких известных фирм-производителей, как SAMSUNG, SANYO, SONY, SIEMENS, MATSUSHITA, PHILIPS, SGS-THOMSON и других.
Формат книги DjView. Размер архива – 3,29Mb. СКАЧАТЬ
Справочник «микросхемы для современных мониторов». Данная книга является справочным пособием по микросхемам для современных LCD и CRT мониторов. В ней приведена исчерпывающая информация о 150 микросхемах ведущих производителей полупроводниковых компонентов для мониторов.
Формат книги DjView. Размер архива – 5,77Mb. СКАЧАТЬ
Справочник «отечественные транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры». В этом справочнике представлена полная информация о номенклатуре, изготовителях, параметрах, корпусах и аналогах 5000 наименований транзисторов!
Формат книги DjView. Размер архива – 16,4Mb СКАЧАТЬ
Сборник их 3х справочников по импортным микросхемам, транзисторам, диодам, тиристорам и SMD компонентам. Книга 1 из 3х. В этом справочнике представлена информация по радиоэлектронным компонентам зарубежных производителей с буквенным индексом
Размер файла – 198Mb. Формат книги DjView. Скачать с Deposit Files
Справочник по импортным микросхемам, тиристорам, диодам, транзисторам и SMD компонентам. Книга 2 из 3х. В этом справочнике представлена информация по радиоэлектронным компонентам зарубежных производителей с буквенным индексом от R до Z.
Размер файла – 319Mb. Формат книги DjView. Скачать с Deposit Files
Справочник по импортным микросхемам, тиристорам, диодам, транзисторам и SMD компонентам. Книга 3 из 3х. В этом справочнике представлена информация по радиоэлектронным компонентам зарубежных производителей с цифровым индексом от 0 до 9.
Размер файла – 180Mb. Формат книги DjView. СКАЧАТЬ
Справочник по активным SMD компонентам. Приводятся SMD коды для 33 тысяч транзисторов, тиристоров, микросхем и диодов, типовые схемы включения SMD микросхем, маркировка, характеристики, замена.
Размер архива – 16Mb. Формат книги DjView. СКАЧАТЬ
Справочник «транзисторы и их зарубежные аналоги» том 1. В первом томе справочника приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов – полевых и биполярных транзисторов малой мощности. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы. В приложении даются зарубежные аналоги транзисторов, помещенных в справочнике.
Формат книги DjView. Размер архива – 6,19Mb СКАЧАТЬ
Справочник «транзисторы и их зарубежные аналоги» том 2. Во втором томе справочника приводится информация по низкочастотным биполярным транзисторам средней и большой мощности с указанием их зарубежных аналогов.
Формат книги DjView. Размер архива – 5,62Mb. СКАЧАТЬ
Справочник «транзисторы и их зарубежные аналоги» том 3. В третьем томе приводится справочная информация по полевым и высокочастотным биполярным транзисторам средней и большой мощности с указанием их зарубежных аналогов.
Формат книги DjView. Размер архива – 6,28Mb. СКАЧАТЬ
Справочник «маркировка радиодеталей» том 1. В книге приведены данные по буквенной, цветовой и кодовой маркировке компонентов, по кодовой маркировке зарубежных полупроводниковых приборов для поверхностного монтажа (SMD).
Приведены рекомендации по использованию и проверке исправности электронных компонентов.Формат книги DjView. Размер архива – 8Mb СКАЧАТЬ
Справочник «маркировка радиодеталей» том 2. В этой книге читатель найдет много полезной информации по маркировке микросхем, некоторых типов полупроводниковых приборов, установочных и коммутационных изделий и много другой полезной информации.
Формат книги DjView. Размер архива – 3,95Mb СКАЧАТЬ
Справочник «маркировка радиодеталей». В книге описана система маркировки отечественных и зарубежных: резисторов, конденсаторов, индуктивностей, кварцевых резонаторов, пьезоэлектрических и ПАВ-фильтров, полупроводниковых приборов, SMD-компонентов, микросхем. Описаны особенности тестирования электронных компонентов.
Формат книги DjView. Размер архива – 3,60Mb СКАЧАТЬ
Справочник по микросхемам для импортных телевизоров. В книге на Русском языке приводятся структурные схемы и назначение выводов более трехсот микросхем, применяемых в европейских и восточно-азиатских цветных телевизорах. Описание каждого прибора сопровождается функциональными диаграммами и характеристиками.
Формат книги DjWiev. Размер архива – 16Mb СКАЧАТЬ
Справочник по микросхемам для аудио и радиоаппаратуры: генераторы, ключи и переключатели, УНЧ, малошумящие и предварительные усилители, операционные усилители, регуляторы громкости и тембра, схемы управления индикаторами. В книге представлены основные особенности, цоколевки, структурные схемы и типовые схемы применения свыше 300 типов микросхем для аудиотехники.
Формат книги DjWiev. Размер архива – 10,7Mb СКАЧАТЬ
Справочник по интегральным микросхемам для промышленной электронной аппаратуры. В книге приведены условные обозначения, электрические параметры, структурные схемы, функциональное назначение (цоколевка) и конструкции корпусов широко распространенных зарубежных аналоговых и цифровых микросхем.
Формат книги DjWiev. Размер архива – 2,68Mb СКАЧАТЬ
Лучший в Европе справочник по УНЧ. В нем обобщены и систематизированы сведения о большинстве ИМС УНЧ в интегральном исполнении, выпускаемых мировыми производителями. Приведены наиболее важные характеристики микросхем, типы корпусов, цоколевка, внешний вид, аналоги, производители, функциональное назначение.
Формат книги DjWiev. Размер архива – 19,9Mb СКАЧАТЬ
Справочник по интегральным микросхемам для телевидения. В книге дан обзор интегральных микросхем, применяемых в современных телевизионных приемниках, видео- и аудиотехнике. Приведены основные параметры и характеристики микросхем, блок-схемы внутренней структуры и типовые схемы их включения.
Формат книги DjWiev. Размер архива – 2,30Mb СКАЧАТЬ
Заказ DVD/Видео | веб-сайтовАлександр Путь Грэма Белла к телефону Американский институт физики Исторический центр АТ&Т Lucent/Bell Labs Fairchild Semiconductor и их история инноваций Поле Эффектные транзисторы. Часть базового курса электроники, написанного и авторское право © 1995, C. G. Lesurf ([email protected]), Университет Сент-Эндрюс, Шотландия. “А История физики в Пердью: первая фаза эры Ларка-Горовица, 1928-1942» Соломона Гартенхауса, Арнольда Тубиса и Дэвида Кэссиди. Как Европа упустила транзистор (HTML или PDF) авторское право © 2005 IEEE Spectrum. Виртуальный музей IEEE (электричество, микроэлектроника) Интел Изобретатели современного компьютера: ARPAnet — первый Интернет Карл Ларк-Горовиц Общество исследования материалов Мура Лоу и Гордон Мур ” Происхождение исследований полупроводников в Purdue: взгляд в прошлое от одного первых участников» Ральфа Брея ПБС
Онлайн-версия «Научная одиссея: люди и открытия»: Eniac Корпорация Sony и ее история Кремний Генезис Проект История телекоммуникаций Техасские инструменты Теодор Н. Вейл Транзисторные ссылки Транзистор Музей – фотографии, интервью, ссылки и т.д. Ресурсы для печатиБассет, Росс Нокс. «В эпоху цифровых технологий: исследовательские лаборатории, стартапы Компании и рост технологии МОП». Балтимор: Джонс Хопкинс. Университетское издательство, 2002. .Бевитт, Уильям Дилтри. Справочник по транзисторам . Энглвудские скалы: Прентис-Холл, Инк, 1956. Боукер, Американские мужчины и женщины науки. Браттейн, Уолтер Х. «Генезис транзистора». Учитель физики (март 1968 г.) 109–114. Браун, Эрнест и Стюарт Макдональды. Революция в миниатюре: The История и влияние полупроводниковой электроники. Нью-Йорк: Кембридж Пресс, 1978. Консидайн, Дуглас М. и др. Научная энциклопедия Ван Ностранда, 7-е издание. Нью-Йорк: Ван Ностранд Рейнхольд, 1989 г. Де Форест, Ли. Отец радио: автобиография Ли де Лес. Чикаго: Уилкокс и Фоллетт, Ко., 1950. Эккерт, Майкл и Гельмут Шуберт. Кристаллы, Электроны, Транзисторы: От исследования ученого к промышленным исследованиям , 1986. Томас Хьюз, пер. Нью-Йорк: Американский институт физики, 19.90. Фейнман, Ричард. Фейнмановские лекции по физике. Паб Эддисон-Уэсли. Ко, 1970 г. Гортон, В.С. «Происхождение транзистора, Меморандум для записи», в г. История инженерии и науки в системе Белл: физический наук (1925-1980) , С. Миллман, изд. Телефонные лаборатории Белла, 1985 год. Грюн, Бернар, изд. Расписания истории. 3-е изд. Новый Йорк: Саймон и Шустер, 19 лет.91. Хенриксен, Пол В. “Физика твердого тела. Research at Purdue.» Osiris 3 , Series 2, vol.3. (1987): 237-260. Сельдь, Коньерс. “Воспоминания о первых годах твердотельных Physics. Physics Today (апрель 1992 г.): 26-33. Ходдесон, Лилиан. «Вступление квантовой теории твердых тел в колокол Телефонные лаборатории, 1925–1940 годы». Минерва, 18, 422–47. —. «Истоки исследований твердого тела в Bell Labs». Физика Сегодня . (март 1977 г.). Ходдесон, Лилиан и Вики Дейтч. «Настоящий гений: жизнь и Наука Джона Бардина, единственного лауреата двух Нобелевских премий по физике». Вашингтон, округ Колумбия: Джозеф Генри Пресс, 2005. Ходдесон, Лилиан, Эрнест Браун и Спенсер Уиарт. Из Хрустальный лабиринт: главы из истории физики твердого тела. Нью-Йорк: Издательство Оксфордского университета, 1992. Холоньяк младший Ник. «Джон Бардин и точечный транзистор». Физика сегодня. (апрель 1992 г.). Лекюйе, Кристоф. «Создание Силиконовой долины: инновации и Рост высоких технологий, 1930-1970». Кембридж, Массачусетс: MIT Press, 2005. Линдли, Дэвид. Куда уходит странность? Почему квантовая механика Странно, но не так странно, как вы думаете. Нью-Йорк: Харпер Коллинз, 1996. Маколей, Дэвид. Как все работает . Бостон: Хоутон Миффлин, 1988 год. Кукуруза, Кеннеди. «Отцы спутников связи удостоены чести». байтов новостей Сеть новостей . 3 октября 1995 г. Миллман, С. изд. История техники и науки в системе Белла: физические науки (1925–1980) . Мюррей Хилл: Телефонные лаборатории Белла, 1985. Нойс, Роберт. «Микроэлектроника». Научный американец 237, № 3 (сентябрь 1977 г. ): 63–69. Квайссер, Ганс. Завоевание микрочипа. Кембридж: Гарвард Университетское издательство, 1988. Рид, Т.Р. Чип: как два американца изобрели микрочип и Запустил революцию. Нью-Йорк: Рэндом Хаус, 2001. Риордан, Майкл и Лилиан Ходдесон. Хрустальный огонь: изобретение транзистора и рождение информационного века. Нью-Йорк: В.В. Нортон и компания, 1997. —. «Моисей Кремниевой долины». Физика сегодня (декабрь 1997 г.). Риордан, Майкл. «Утраченная история транзистора», IEEE. Спектр (май 2004 г.): 44-49. —. «Как Европа пропустила транзистор». IEEE Спектр (ноябрь 2005 г.): 46–48. Роцкий Георгий. “25 лет-Электроника на пороге Новое тысячелетие” Electronic Engineering Times (30 октября, 1997). Зейтц, Фредерик. На границе: Моя жизнь в науке. Нью-Йорк: Американский институт физики, 1994. Зейтц, Фредерик и Норман Г. Эйнспрух. Электронный Джинн: запутанная история кремния. . Урбана и Чикаго: Университет Иллинойс Пресс, 1998. Шокли, Уильям. «Дырки и электроны». Физика сегодня 3, вып. 10 (октябрь 1950 г.): 16–24. —. «Как мы изобрели транзистор». Новый ученый 21 . ( декабря 1972 г.): 689-91. “Сооснователь Sony Ибука умер в возрасте 89 лет.” Лента новостей AP . (19 декабря, 1997) Стюарт, Чарльз К. и Питер Фрицше, ред. Воображая Двадцатый век. участников, Уолтер Л. Арнштейн и др. Урбана: Университет Иллинойса, 1997. “Команда из трех инженеров Texas Instruments изобрела портативный ручной Электронный калькулятор в 1967 году». Редактор, Texas Instruments. “Чип, который построил Джек, изменил мир. ” Редакционный фон, Инструменты Техаса. «Невероятные годы», Electronics (19 февраля 1968 г.). «Транзистор среднего возраста». The Economist 346. (январь 3, 1998) Торнтон, Стивен Т., Пол М. Фишбейн и Стивен Гасиорович. Физика для ученых и инженеров. Нью-Джерси: Прентис-Холл, 1992. Типлер, Пол. Физика, второе издание. 1976. Рочестер, Мичиган: Worth Publishers, Inc., 1987. Витце, Александра. «Значительный переключатель: появление транзистора в 1947 году изменило курс технологии». The Dallas Morning News. (8 декабря 1997 г.): 6Д. Вулф, Том. «Мастерство Роберта Нойса: как солнце взошло на кремнии» Долина.” Эсквайр. (декабрь 1993 г.): 346–374. ИнтервьюАндерсон, Джин. Интервью. “Транзисторный!”Бардин, Джон. Интервью Лилиан Ходдесон. АИП. Браттейн, Роберт. Интервью. Транзисторный !Брэттен, Уолтер. Интервью с А. Н. Холденом и У. Дж. Кингом. Январь 1964 г. АИП. Браун, Уолтер. Интервью. “Транзисторный!” Фой, Фил. Интервью. “Транзисторный!” Холоньяк, Ник. Интервью Фредерика Небекера. 22 июня, 1993. IEEE. Индиг, Джордж. Интервью. “Транзисторный!” Мур, Гордон. Интервью. “Транзисторный!” Ол, Рассел. Интервью с Лилиан Ходдесон, август 1976 г. АИП —. Интервью с Фрэнком Полкингхорном. 6 января 1975 г. IEEE. Пирсон, Джеральд. Интервью Лиилиан Ходдесон. Август. АИП. Пирс, Джон. Интервью. “Транзисторный!” Риордан, Майкл. Интервью. “Транзисторный!” Росс, Ян. Интервью. “Транзисторный!” Зейтц, Фредерик. Интервью с Н. Хенриксен. АИП. —. Интервью с Лилиан Ходдесон, 20 января 1981 г. АИП. —. Интервью. Транзисторный ! Селло, Гарри. Интервью. Транзисторный ! Шокли, Уильям. Интервью Лилиан Ходдесон. 10 сентября. АИП. Шуркин Джоэл. Интервью. “Транзисторный!” Спаркс, Бетти. Интервью. Транзисторный ! Спаркс, Морган. Интервью. “Транзисторный!” Торсильери, Артур. Интервью. Транзисторный ! -PBS Online- -Сайт Кредиты- -Фото Кредиты- -Отзывы- Авторское право 2005 г., ScienCentral, Inc. и Американский институт физики. Нет часть этого веб-сайта может быть воспроизведена без письменного разрешения. Все права защищены. |
База данных перекрестных ссылок на транзисторы и правила поиска эквивалентов
Сценарий
Известный член
- #1
Мне нужно заменить несколько устаревших транзисторов. Быстрый поиск в сети дал мне эти страницы.
http://www.alltransistors.com/ [последнее обновление: 2005 г.]
http://nte01.nteinc.com/nte/NTExRefSemiProd.nsf [2011/2013: только детали NTE!?]
http://english.electronica-pt.com/db/cross-reference.php [??]
[И, конечно же, Mouser, например. имеет функцию «параметрического поиска».]
Большинство транзисторов, которые я ищу, обозначены как «универсальные», используемые в секции управления (двигателем) старого проигрывателя компакт-дисков (т. е. 2SA933 = 2SA733, 2SA970, BC556 — так что, наверное, все в порядке).
Но есть несколько, я не могу найти эквивалентные совпадения для этого взгляда достаточно близко. Я еще не смог получить бесплатную копию схем, поэтому не уверен, что именно делают транзисторы, но я подумал, что все равно могу попробовать. Однако, даже если бы у меня были схемы, я бы все равно не знал, как найти достаточно близкие заменители.
Существует ли общее правило отклонения значения (я имею в виду hFE и рассеиваемую мощность: если больше, то проблем нет?) или оно зависит исключительно от схемы, в которой используется транзистор?
Приветствуется любой вклад.
[ДОБАВЛЕНО: Есть ли в Интернете что-нибудь, что я мог бы / должен прочитать, чтобы узнать больше об этом?]
Джон Робертс
Известный член
- #2
Правила замены почти такие же, как и правила первоначального выбора транзисторов, хотя это немного похоже на замену гаек и болтов в автомобиле, вы хотите, чтобы замена была достаточно прочной и подходила к отверстию.
В схемотехнике есть (были ли?) многочисленные применения транзисторов, в которых инженер-конструктор использовал устройство GP NPN или PNP, которое у него уже есть на складе. У меня до сих пор сотни трехногих педерастов сидят в моей задней лаборатории. у меня даже было несколько пар GP (NPN и PNP). Устройство GP с низким напряжением и низким током, детали GP с более высоким напряжением и детали с очень низким уровнем шума для входных каскадов предусилителя.
Точно так же, как вы можете заменить болт на более прочный болт, вы можете заменить транзистор на более прочную (лучшую) деталь в 99% случаев. Очевидными параметрами, которым необходимо удовлетворять, являются пробой или максимальное напряжение коллектора, затем бета (hfe), наконец, для более специализированных приложений шум или полоса пропускания.
Чтобы правильно ответить на этот вопрос, необходимо понять схему. Если у вас нет подсказки, попробуйте получить точную запасную часть. если вы понимаете схему, проверьте свои ноги, чтобы выбрать новую деталь и посмотреть, как она работает.
JR