Ss8050 транзистор: SS8050, [SOT-23] , NPN, 25 , 1.5 HOTTECH, |

1. Home
2. Industrial Electrical
3. Semiconductor Products
4. Transistors
5. BJT
6. uxcell 25pcs SS8050 Transistor Y1 NPN 25V 1500mA 300mW Surface Mount SOT-23

Широко используется в области коммутационных цепей, электронных компонентов, высокого прямого импульсного тока Возможности / Высокотемпературная пайка / Низкие потери мощности, Возможность высокого прямого импульсного тока / Высокотемпературная пайка / Низкие потери мощности, uxcell 25шт SS8050 Транзистор Y1 NPN 25V 1500mA 300mW Поверхностный монтаж SOT-23: Промышленный и научный. Содержание пакета: 25pcs x транзистор SOT23. Название продукта: Транзистор SOT23 ;. Бессвинцовый / соответствующий требованиям RoHS электронный компонент / поверхностный монтаж. Конкретные параметры: NPN 5V 1, высокая эффективность, 5A 0, uxcell 25pcs SS8050 Transistor Y1 NPN 25V 1500mA 300mW Surface Mount SOT-23: Industrial & Scientific. Ic: 1500 мА; Vceo: 25 В; HFE: 120-350; PCM: 300 мВт; Модель: SS8050-Y1; Тип транзистора: NPN; Материал: пластик, высокая эффективность, бессвинцовый / соответствующий требованиям директивы RoHS электронный компонент / поверхностный монтаж, широко используется в области коммутационных цепей, W SOT-.

##

uxcell 25 шт.

h230A Fasco Замена для York S1-024-27531-000 30 А 1-полюсный контактор с катушкой 24 В.Tech Express 5Pcs IRF520N TO-220 N-канальный силовой полевой МОП-транзистор IRF520, VELLEDQ Монтажный разъем датчика / привода на месте установки на панели M12 8-контактный разъем с А-кодированием для заднего фланца. Миниатюрный закрытый концевой выключатель с роликовым рычагом SUNS International SN7141. Сталь 8 x 8 Wiegmann PA0808 NEMA 1 Монтажный переходник для воздуховодов. 63-80A NR2-93 Термореле защиты от перегрузки 50-60 Гц Защита от перегрузки, TAKAHA DV 6V 12v Электрический магнитный электромагнитный замок Fail Secure NL02102 Slim Lock. uxcell 25шт SS8050 Транзистор Y1 NPN 25V 1500mA 300mW Поверхностный монтаж SOT-23 , TWTADE 5шт AC / DC 24V 20mA Энергосберегающий светодиодный индикатор Зеленый Желтый Красный Синий Белый ， Сигнальная лампа (Гарантия качества на 3 года) AD16-22DS-RYGBW, Упаковка из 10 штук Panduit HSEC1. 0-X термоусадочная толстая самоклеящаяся заглушка, Dwyer HVAC переключатель перепада давления M20 соединение ADPS-04-2-NC от 0,12 до 1,6 Вт, 4 пакета Google Home и IFTTT TECKIN A19 60 Вт эквивалентная лампа для изменения цвета RGB Нет необходимости в концентраторе Эхо 7,5 Вт Умная светодиодная лампа E27 WiFi Многоцветная лампочка, совместимая с Alexa, 22-10 AWG, мужские и женские проводные соединители для пули, 250 шт. Термоусадочные соединители Wirefy, электрические клеммы для стыковых контактов. B1370193 Концевой выключатель замены печи OEM Goodman L240-30. Jaimenalin 10 шт.1 x 40 шт.2.Однорядные прямоугольные разъемы для печатных плат с шагом 54 мм. uxcell 25 шт. SS8050 Транзистор Y1 NPN 25 В 1500 мА 300 мВт SOT-23 для поверхностного монтажа, BOJACK 10 кОм Потенциометр макетной платы с ручкой для Arduino P103 3 Контактный контакт Синий переменный резистор Пакет из 10 шт.,

uxcell 25 шт. SS8050 транзистор Y1 NPN 25 В 1500 мА 300 мВт поверхностный монтаж SOT-23

uxcell 25pcs SS8050 транзистор Y1 NPN 25V 1500mA 300mW поверхностный монтаж SOT-23

1500 мА 300 мВт SOT-23 для поверхностного монтажа uxcell 25 шт. SS8050 Транзистор Y1 NPN 25 В, uxcell 25 шт. SS8050 Транзистор Y1 NPN 25 В 1500 мА 300 мВт SOT-23 для поверхностного монтажа: промышленный и научный, быстрая доставка, здесь, чтобы дать вам то, что вы хотите, хороший продукт в Интернете, Наслаждайтесь ОТЛИЧНЫМИ ЦЕНАМИ и БЕСПЛАТНОЙ ДОСТАВКОЙ! Крепление SOT-23 uxcell 25 шт. SS8050 Транзистор Y1 NPN 25 В 1500 мА 300 мВт Поверхность, uxcell 25 шт. Транзистор SS8050 Y1 NPN 25 В 1500 мА 300 мВт Поверхностный монтаж SOT-23.

Введение в S8050 – Инженерные проекты

Это низковольтный и сильноточный транзистор с коллекторным током до 700 мА и напряжением коллектор-эмиттер около 25 В.

Я постараюсь охватить все, что связано с S8050, чтобы вам не пришлось ломать голову, просматривая весь Интернет и находя всю информацию в одном месте. Давайте погрузимся в подробности этого транзистора.

Введение в S8050

S8050 – это эпитаксиальный кремниевый транзистор NPN, обеспечивающий низкие и высокие токи. Это яркое пятно для двухтактного усиления и коммутации общего назначения.

• Этот транзистор в основном содержит три вывода, известных как эмиттер, база и коллектор, которые используются для внешнего соединения с электронными схемами.

Эти выводы отличаются по концентрации легирования, где вывод эмиттера сильно легирован по сравнению с выводами базы и коллектора.

• Вывод на базу слегка легирован, а вывод коллектора – умеренно легирован, причем первый контролирует количество электронов, а затем собирает количество электронов с вывода базы. Малый ток на одной клемме на одной клемме используется для управления большим током на других клеммах.

Этот транзистор состоит из трех слоев, в которых один полупроводниковый слой с примесью фосфора заключен между двумя другими слоями с примесью азота.Слой, легированный P, представляет собой базовый вывод, в то время как два других слоя представляют собой эмиттер и коллектор соответственно.

• Существует два типа транзисторов, известных как униполярные транзисторы и биполярные переходные транзисторы. S8050 относится к категории биполярных переходных транзисторов – как следует из названия, он имеет два носителя заряда: электроны и дырки, однако электроны являются основными носителями заряда.

Этот транзистор имеет два PN перехода: переход эмиттер-база с прямым смещением и переход коллектор-база с обратным смещением.

• Важно отметить, что S8050 должен работать в режиме прямого смещения для лучшей производительности. Если транзистор не смещен в прямом направлении, ток коллектора не будет, независимо от того, какое напряжение приложено к клемме базы.

Усиление осуществляется простым способом, когда напряжение подается на вывод базы, транзистор потребляет небольшой ток, который затем используется для управления большим током на других выводах.

S8050 Распиновка

S8050 в основном состоит из трех клемм.

1. Эмиттер

2. База

3. Коллектор

Ниже показана распиновка этого транзистора.

Движение электронов в основном запускается напряжением, приложенным к клемме базы, что приводит к диффузии электронов от базы к клемме коллектора.

• При подаче напряжения электрон с вывода эмиттера срабатывает и входит в вывод базы, объединяясь с отверстием, уже имеющимся в выводе базы, и полученная пара исчезает.

Количество электронов, попадающих на клемму базы из эмиттера, больше, чем количество дырок, диффундирующих в область эмиттера, поэтому электроны являются основными носителями заряда в случае NPN-транзистора.

• Базовый терминал не может обрабатывать все электроны, попадающие в него, впоследствии электроны перемещаются от базы к терминалу коллектора.

Принципиальная схема S8050

На следующем рисунке показана принципиальная схема S8050.

В этом транзисторе NPN электроны являются основными носителями заряда, в отличие от транзистора PNP, где дырки являются основными носителями заряда.

• База более положительна по отношению к эмиттеру, и напряжение на коллекторе также должно быть более положительным, чем на базе.

Коллектор сделан физически больше, чем основание по двум причинам: позволяет коллектору справляться с большим количеством тепла без повреждений и увеличивает вероятность попадания носителей в вывод коллектора.

• Два коэффициента усиления по току: коэффициент усиления по току общего эмиттера и коэффициент усиления по току общей базы играют жизненно важную роль для определения характеристики транзистора.

Коэффициент усиления по току с общим эмиттером – это отношение между током коллектора и током базы. Это называется бета, обозначается β и чаще всего находится в диапазоне от 20 до 1000, однако стандартное значение принимается равным 200.

• Точно так же коэффициент усиления по току общей базы представляет собой соотношение между током коллектора и током эмиттера. Он называется альфа, обозначается α, и его значение в основном находится в диапазоне от 0,95 до 0,99, однако большую часть времени его значение принимается за единицу.

Абсолютные максимальные рейтинги S8050

На следующем рисунке показаны абсолютные максимальные рейтинги S8050.

• Это номинальные нагрузки, превышение которых по сравнению с абсолютным максимальным значением может привести к значительному повреждению устройства, что в конечном итоге повлияет на производительность проекта.

Эти характеристики определены на основе максимальной температуры перехода 150 ° C.

• Кроме того, если номиналы применяются в течение максимального периода времени, превышающего нормальные рабочие условия, они могут повлиять на надежность устройства.

Приложения

• Этот транзистор NPN в основном используется для двухтактного усиления.
• Этот транзистор используется в некоторых коммутационных устройствах общего назначения, предназначенных для управления большим током с помощью небольшого тока.

На этом пока все. Надеюсь, я дал вам все, что вам нужно знать о S8050. Если вы не уверены или у вас есть какие-либо вопросы, вы можете задать мне их в разделе комментариев ниже. Я хотел бы помочь вам как можно лучше. Приглашаем вас держать нас в курсе ваших ценных предложений, они помогают нам предоставлять вам качественную работу. Спасибо, что прочитали статью.

Автор: Аднан Акил

Он блоггер и технический писатель, который любит исследовать новые вещи из любопытства. Он верит в упорный труд, честность и энтузиазм, которые являются важными составляющими достижения окончательного успеха.