Ss8550 транзистор: Характеристики транзистора SS8550, аналоги, DataSheet

Транзистор SS8550: характеристики, аналоги и datasheet

Согласно заявленным техническим характеристикам транзистор SS8550 предназначен для использования в выходных усилителях мощностью до 2 Вт, работающих в двухтактном режиме В класса. Также может использоваться в переключательных и других схемах общего применения. Биполярный, кремниевый p-n-p структуры.

Цоколевка

Различные производители выпускают SS8550 в пластиковом корпусе ТО-92, а также в упаковке для навесного SOT-23, которые маркируется как «Y2». Если разместить устройство в ТО-92 так, чтобы надпись была на передней стороне, а ножки смотрели вниз, то выводы будут расположены в следующем порядке: самая левая – эмиттер, средняя – база, а правая коллектор. Назначение ножек и геометрические размеры можно увидеть на рисунке.

Технические характеристики

При выборе кандидата на замену вышедшему из строя транзистору нужно, в первую очередь, смотреть на максимально допустимые характеристики. Ведь если на устройство подать ток или напряжение превышающее предельно допустимое, то оно выйдет из строя. Также на надёжность и время жизни отрицательно скажется длительная эксплуатация с параметрами близкими к указанным. Они измеряются при температуре +25°С.

Максимальные характеристики SS8550:

• напряжение К-Б: V_CBO = -40 В;
• напряжение К-Э: V_CEO = -25 В;
• напряжение Э-Б: V_EBO = -5 В;
• ток коллектора I_C = -1,5 А;
• ток базы I_В = -500 мА;
• мощность, на коллекторе:
  • в корпусе ТО-92: Р_С = 1 Вт;
  • в корпусе SOT-23: Р_С = 300 мВт.
• к-т уменьшения мощности при росте температуры:
  • в корпусе ТО-92: 5 мВт/°С;
  • в корпусе SOT-23: 2,8 мВт/°С.
• тепловое сопротивление от кристалла к корпусу 83,3 °С/Вт;
• т-ра кристалла: T_j = 150°С;
• диапазон т-р хранения и работы: Tstg = -55 … 150°С.

Электрические характеристики также необходимо учитывать, так как от них зависит сфера применения и функциональные возможности. На результаты измерения этих параметров могут оказать влияние условия проведения тестирования. Температура при этом равна +25°С, о остальные значения приведены в отдельной колонке таблицы, которая озаглавлена «Режимы тестирования».

Электрические параметры SS8550 (при Т = +25 оC)
Параметры	Режимы тест.	Обозн.	мин	макс	Ед. изм
Пробойная разность потенциалов между К – Б	IC = -100 мкA, IЕ = 0	V(BR)CВO	-40		В
Пробойная разность потенциалов между К — Э	IC = -0,1 мA, IВ= 0	V(BR)CEО	-25		В
Пробойная разность потенциалов между Э — Б	IE= -100 мA, IC= 0	V(BR)EBO	-5		В
Напряжение К-Э в режиме насыщения	IC=-0,8 A, IB=-80мA	VCE(sat)		-0,5	В
Напряжение Б-Э в режиме насыщения	IC=-0,8 A, IB=-80мA	V ВE(sat)		-1,2	В
Ток К – Б	VCВ = -40 В, IЕ = 0	ICВO		-0,1	нА
Ток К – Э	VCВ = -20 В, IВ = 0	ICЕO		-0,1	нА
Ток Э –Б	VEB = -5 В, IC = 0	IEBO		-0,1	нА
К-т усиления тока	VCE=-1 В,IC= -0,1 A	hFE	120	400
	VCE=-1 В,IC= -0,8 A		40
Граничная частота	VCE=-10В,IC=-50мA, f=30 МГц	fT	100		МГц

Кроме этого SS8550 делятся на такие группы, в зависимости от усилительных возможностей:

• B – h_fe = от 85 до 160;
• C – h_fe = от 120 до 200;
• D – h_fe = от 160 до 300;
• E – h_fe = от 300 до 400.

Аналоги

Перечислим основные зарубежные аналоги SS8550:

• MPS750;
• MPS751;
• MPS8550.

Из отечественных транзисторов, идентичных по параметрам, можно использовать КТ6127В и транзисторы серии КТ6115. В качестве комплементарной пары для SS8550 можно использовать устройство SS8050.

Производители

Назовём основные зарубежные фирмы, занимающиеся выпуском SS8550:

• Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited;
• SeCoS Halbleitertechnologie;
• Jiangsu High diode Semiconductor;
• Diode Semiconductor Korea;
• First Silicon;
• Daya Electric Group;
• Tiger Electronic;
• Microdiode Electronics (Jiangsu);
• Dc Components;
• SHENZHEN SLS TECHNOLOGY.

На отечественный рынок рассматриваемый транзистор поставляют такие компании:

• Fairchild Semiconductor;
• GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL;
• SHIKUES Electronics;
• DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS;
• Weitron Technology.

SS8550 – Эпитаксиальный кремниевый транзистор PNP

%PDF-1.4 % 1 0 объект > эндообъект 5 0 объект > эндообъект 2 0 объект > эндообъект 3 0 объект > эндообъект 4 0 объект > ручей приложение/pdf

onsemi

SS8550 – Эпитаксиальный кремниевый транзистор PNP

2021-08-13T09:52:13+02:00BroadVision, Inc.2021-08-13T09:52:38+02:002021-08-13T09:52:38+02:00Acrobat Distiller 18.0 (Windows)uuid:005f1460- db90-4c34-939f-cb733e65829buuid:814dc36b-7aeb-46c4-9886-bf773cbdc8be конечный поток эндообъект 6 0 объект >

эндообъект 7 0 объект > эндообъект 8 0 объект > эндообъект 90 объект > эндообъект 10 0 объект > эндообъект 11 0 объект > эндообъект 12 0 объект > эндообъект 13 0 объект > эндообъект 14 0 объект > эндообъект 15 0 объект > эндообъект 16 0 объект > эндообъект 17 0 объект > эндообъект 18 0 объект > эндообъект 19 0 объект > ручей HTWK%7)6RJ6>BC6|{G~z’2RgOkM ~;\L_R?J${$6za?n,pHCrگ>OfinSFjLG)sg]s>[‘_\aau’ sV~*DY )ĩ6 -AqWS1jyvP0′{nµk%=J#ص!\ռUFk7d

SS8550-TO-92 – CJ | Биполярный транзистор PNP 25V 1.

5A TO-92

Описание

СС8550-ТО-92: 25 В, 1 Вт, 1,5 А, 160 при 100 мА, 1 В, 100 МГц, 500 мВ, 800 мА, 80 мА, PNP +150C, (Tj) TO-92 (TO-92-3), биполярные транзисторы – BJT от CJ. Это может быть идеальным для усилителей средней мощности и коммутационных приложений.

Ресурсы

Спецификация

 

Дополнительная информация

500 мВ

Соответствует

Информация о гарантии

Все товары, поставляемые Evelta, являются подлинными и оригинальными. Мы предлагаем 14-дневную гарантию замены в случае производственного брака. Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите нашу страницу отмены и возврата.

Сопутствующие товары

Клиенты также просмотрели

Быстрый просмотр

CJ

Эвелта Артикул: 217-2N3906

2N3906 – БЖТ ПНП 40В ТО-92

₹ 2,56 пр. GST

Доставка в течение 24 часов со склада в Мумбаи

179 В наличии

Количество Добавить в свой список

Быстрый просмотр

CJ

Эвелта Артикул: 217-SS8550-Y2

SS8550 Y2 – BJT PNP 25V SOT-23

₹3,48 пр. GST

Доставка в течение 24 часов со склада в Мумбаи

Нет в наличии

Добавить в свой список

Быстрый просмотр

CJ

Эвелта Артикул: 217-MMBTA42

MMBTA42 – БЮТ НПН 300В СОТ-23

₹4,48 пр.