Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Содержание

Справочник по транзисторам мощным отечественным биполярным. Импортные аналоги.


На главную страницу || Карта сайта
  1. Справочник транзисторов маломощных биполярных.

  2. Справочник транзисторов средней мощности высокочастотных, биполярных.
  3. Справочник полевых транзисторов отечественных.
  4. Справочник отечественных smd транзисторов .
  5. Каталог MOSFET транзисторов .
  6. Использование справочных данных транзисторов
    для расчета ключевой схемы с резистивной нагрузкой.
  7. Использование справочных данных транзистора
    для расчета ключевой схемы с индуктивной нагрузкой.
От составителя:

В справочник по мощным транзисторам вошла как документация из изданных еще при СССР каталогов, так и информация из справочных листков и документация с сайтов производителей.

Основой является таблица, где приведено наименование транзистора, аналоги, тип проводимости, тип корпуса, максимально допустимые ток и напряжения и коэффициент усиления, то есть основные параметры, по которым выбирается транзистор. Руководствуясь этой таблицей, можно значительно сузить область поиска. Если транзистор по этим данным подходит, можно просмотреть краткий справочный листок (только для распространенных приборов, например, КТ502, КТ503, КТ814, КТ815, КТ816, КТ817, КТ818, КТ819, КТ825, КТ827, КТ829, КТ837, КТ838, КТ846, КТ940, КТ961, КТ972, КТ973, КТ8101, КТ8102), где приведены только основные параметры транзисторов (которых, впрочем, достаточно для грубых расчетов), фото с цоколевкой, аналоги и производители. Для более детального изучения характеристик нужно открыть datasheet, где уже есть графики зависимостей параметров и редко требующиеся характеристики.
Фильтр параметров позволяет сформировать в справочнике списки по функциональным особенностям транзисторам

Содержание:
  1. Раздел составных транзисторов (всего 49 штук)
  2. Раздел мощных высоковольтных транзисторов (всего 64 штук)
  3. Раздел p-n-p транзисторов (всего 56 штук)
  4. Раздел n-p-n транзисторов (всего 138 штук)
Показать/скрыть краткое описание транзисторов
Всего в справочнике приведено подробное описание более 140 отечественных мощных транзисторов и более 100 их импортных аналогов.
Фильтр параметров:
n-p-n  
p-n-p
   Составные транзисторы   Высоковольтные  
Показать все
Типы корпусов
        
НаименованиеАналогКорпусPDFТипImax, AUmax, Вh31e max  
КТ501(А-Е)BC212 TO-18 pnp0,330240 КТ501 предназначен для применения в усилителях низкой частоты. Справочные данные транзистора КТ501 содержатся в даташит.
КТ502(А-Е)MPSA56 TO-92

pnp0,1590240Транзистор КТ502(А-Е) в корпусе ТО-92, предназначен для применения в усилителях низкой частоты.
Подробные параметры КТ502 и цоколевка приведены в даташит. Аналог КТ502 – MPSA56. Комплементарная пара КТ503.
КТ503(А-Е)2SC2240TO-92
npn 0,15100240Универсальный транзистор КТ503(А-Е) в корпусе TO-92, предназначен для работы в усилителях НЧ. Подробные характеристики, графики зависимостей параметров и цоколевка КТ503 приведены в datasheet. Аналог КТ503 – 2SC2240. Комплементарная пара (транзистор обратной проводимости с близкими параметрами) – КТ502.
КТ504(А,Б,В)BSS73 TO-39 npn 1350100 КТ504(А-В) в металлическом корпусе, для применения в преобразователях. Цоколевка и характеристики КТ504 содержатся в datasheet. Импортный аналог КТ504 – BSS73.
KТ505(А,Б)
BSS76 TO-39 pnp1300100 КТ505(А,Б) в металлическом корпусе предназначен для применения в источниках вторичного электропитания (ИВЭП). Параметры и характеристики приведены в справочном листке.
КТ506(А,Б)BUX54 TO-39npn 280030 КТ506А и КТ506Б для  переключающих устройств. Импортным аналогом КТ506 является BUX54.
2Т509АTO-39pnp0,0245060 2Т509 для высоковольтных стабилизаторов напряжения.
КТ520(А,Б)MPSA42 TO-92
DPAK
npn0.530040Высоковольтный транзистор КТ520 используется в выходных каскадах
видеоусилителей и высоковольтных переключательных схемах
.
КТ521(А,Б)MPSA92TO-92 pnp0.530040Высоковольтный транзистор КТ521 является комплиментарной парой для КТ520.
КТ529АTO-92pnp160250 КТ529, его параметры рассчитаны под схемы с низким напряжением насыщения. Комплементарная пара – КТ530.
КТ530АTO-92npn160250 Описание транзистора КТ530. Его характеристики аналогичны КТ529, является его комплементарной парой.
КТ538АMJE13001 TO-92 npn0.560090Высоковольтный КТ538 используется в
высоковольтных переключательных схемах
. Подробно параметры описаны в справочном листке.
КТ704(А-В)MJE18002   npn 2,5500100 КТ704, предназначен для применения в импульсных высоковольтных модуляторах.
ГТ705(А-Д)   npn 3,530250 ГТ705 предназначен для применения в усилителях мощности НЧ.
2Т708(А-В)2SB678TO-39 pnp2,51001500составной транзистор 2Т708 предназначен для применения в усилителях и переключательных устройствах.
2Т709(А-В)BDX86 TO-3 pnp101002000 мощный составной транзистор 2Т709 для усилителей и переключательных устройств. Подробно характеристики описаны в справочном листке.
КТ710А TO-3 npn 5300040 КТ710А для применения в высоковольтных стабилизаторах и переключающих устройствах.
КТ712(А,Б)BU806 TO-220 pnp102001000мощные составные транзисторы КТ712А и КТ712Б. Характеристики заточены для применения в источниках вторичного электропитания и стабилизаторах.
2Т713А  TO-3npn 32500202Т713, параметры адаптированы для применения в высоковольтных стабилизаторах
2Т716 (А-В)2SD472HTO-3npn 10100750 2Т716 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т716 (А1-В1)BDX33 TO-220npn10100750составной 2Т716А1 в пластиковом корпусе. Параметры аналогичны 2Т716.
КТ719АBD139 TO-126 npn 1,512070 КТ719А для применения в линейных и переключающих схемах. Подробные характеристики и описание КТ719 приведено в справочном листке.
КТ720АBD140  pnp1,5100
КТ721АBD237  npn 1,5100BD237, импортный аналог КТ721А
КТ722АBD238  pnp1,5100Справочные данные BD238, аналога КТ722А
КТ723АMJE15028  npn 10100Справочные данные MJE15028, импортного аналога КТ723
КТ724АMJE15029  pnp10100Справочные данные MJE15029, аналога КТ724А
КТ7292N3771  npn 3060 Параметры 2N3771, аналога КТ729
КТ7302N3773  npn16140Характеристики 2N3773, аналога КТ730
КТ732АMJE4343 TO-218 npn1616015 КТ732 используется в преобразователях напряжения.
КТ733АMJE4353 TO-218
pnp
1616015 КТ733 – Комплементарная пара для КТ732, их характеристики идентичны.
КТ738АTIP3055 TO-218 npn157070 КТ738 используется в усилителях и ключевых схемах.
КТ739АTIP2955 TO-218 pnp157070 КТ739 – Комплементарная пара для КТ738.
КТ740А,А1MJE4343 TO-220
TO-218
npn2016030 КТ740 предназначен для применения в регуляторах и преобразователях напряжения. Импортный аналог КТ740 – MJE4343
КТ805(А-ВМ)KSD363
BD243
TO-220

npn 516015 КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ в корпусе ТО-220 предназначен для применения в выходных каскадах строчной развертки и переключающих устройствах. Подробные характеристики транзистора КТ805 приведены в datasheet. Транзисторы КТ805А, КТ805Б с аналогичными параметрами выпускаются в металлостеклянном корпусе. Импортные аналоги для КТ805 – транзисторы BD243 и KSD363. По характеристикам в качестве комплиментарной пары для КТ805 подходит транзистор КТ837.
КТ807(А-БМ)   npn 0,5100150 КТ807 для строчной и кадровой разверток, усилителей НЧ и ИВЭП (ИВЭП – источник вторичного электропитания)
КТ808(А-ГМ) TO-3 npn 1013050 КТ808 для кадровой и строчной разверток
КТ812(А-В) TO-3 npn 1070030 КТ812 для применения в импульсных устройствах. Цоколевка приведена в справочном листке.
КТ814(А-Г)BD140
ZTX753
TO-126
DPAK


pnp1,5 100100 Транзистор КТ814. предназначен для усилителей НЧ, импульсных устройств. Подробные характеристики КТ814 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики: входной характеристики, зависимости h31e от тока эмиттера, напряжения насыщения от тока коллектора и другие. Импортный аналог КТ814 – транзистор BD140. Комплементарная
пара для КТ814 (транзистор обратной проводимости с близкими характеристиками) – КТ815.
КТ815(А-Г)BD139
ZTX653
TO-126
DPAK


npn 1,5100 100КТ815 является комплиментарной парой для КТ814. Транзисторы КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815 параметрами отличаются по напряжению. КТ815 предназначен для усилителей НЧ и ключевых схем. Подробные характеристики КТ815 и цоколевку см. в datasheet. Приведена входная характеристика КТ815, график зависимости h31e от тока, график для напряжения насыщения. Импортным аналогом КТ815 является транзистор BD139.
КТ816(А-Г)BD238
MJE172
TO-126
DPAK


pnp380100 КТ816 в два раза мощнее по току, чем КТ814, предназначены для применения в ключевых и линейных схемах. Транзисторы КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г отличаются по предельному напряжению. Подробные характеристики КТ816 и цоколевка приведены в datasheet. Там же график входной характеристики КТ816, зависимости усиления от тока, графики для напряжения насыщения. Импортным аналогом КТ816 является транзистор BD238. Комплементарная пара – КТ817.
КТ817(А-Г)BD237
MJE182
TO-126
DPAK


npn 380 100 КТ817 в два раза мощнее по току, чем КТ815. Применяются в ключевых и линейных схемах. Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817 параметрами отличаются по Uкэ(max). Подробные характеристики КТ817 и цоколевка даны в datasheet. Кроме характеристик по постоянному току приведены графики входной характеристики, зависимости параметра h31e от тока, взаимосвязи параметров Uкэнас и Iк . Аналоги КТ817Б – транзисторы BD233 и MJE180. Аналоги КТ817В – BD235 и MJE181, импортные аналоги КТ817Г – BD237 и MJE182. Комплементарная пара – КТ816.
КТ818(А-ГМ)BDW22
BD912
TO-220
TO-3


pnp10
15
100100Мощный транзистор КТ818 предназначен для применения в усилителях. КТ818А, КТ818Б, КТ818В и КТ818Г в корпусе TO-220, а КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ и КТ818ГМ в металлическом корпусе. Подробные характеристики КТ818 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики зависимостей параметров, входная и выходная характеристика. Импортные аналоги КТ818 – BDW22 и BD912. Комплементарная пара – транзистор КТ819.
КТ819(А-ГМ)BDW51
BD911
TO-220
TO-3


npn 10
15
100 100Транзистор КТ819 является комплементарной парой для КТ818 и предназначен для применения в усилителях. Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В и КТ819Г в корпусе TO-220, а КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ и КТ819ГМ в корпусе TO-3. Подробные параметры КТ819 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики зависимостей, входная и выходная характеристика. Импортные аналоги КТ819 – BDW51 и BD911.
КТ825(Г-Е)2Т6050TO-220
TO-3

pnp15
20
10018000Мощный составной pnp транзистор КТ825 для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д и КТ825Е в металлическом корпусе. Подробные характеристики приведены в datasheet. Различие в параметрах по напряжению. Комплементарная пара для КТ825 – транзистор КТ827. Импортный аналог – 2T6050.
КТ826(А-В) TO-3 npn 1700120Биполярный транзистор КТ826 для применения в преобразователях и высоковольтных стабилизаторах. Описание КТ826 и характеристики приведены в документации.
КТ827(А-В)2N6057
BDX87
TO-3
npn 2010018000Мощный составной npn транзистор КТ827 для применения в усилителях, стабилизаторах тока, устройствах автоматики. В металлическом корпусе. Подробные характеристики КТ827А, КТ827Б, КТ827В приведены в даташит. Различаются параметрами по напряжению. Комплементарная пара для КТ827 – транзистор КТ825. Импортный аналог – 2N6057.
КТ828(А-Г)BU207TO-3 npn 580015характеристики КТ828, графики и параметры см. в даташит
КТ829(А-Г)TIP122
2N6045
TO-220
npn 81003000Составной транзистор КТ829 для применения в усилителях НЧ и переключательных устройствах. Графики входных характеристик. Подробные характеристики транзисторов КТ829А, КТ829Б, КТ829В,КТ829Г в datasheet . Аналоги КТ829 – транзисторы TIP122 и 2N6045.
2Т830(А-Г)2N5781 TO-39 pnp290160транзистор 2Т830 для применения в усилителях мощности и ИВЭП. Аналог 2Т830 – 2N5781.
2Т831(А-В)2N4300 TO-39 npn 250200 2Т831 для усилителей НЧ и преобразователей.
КТ834(А-В)BU323 TO-3 npn 155003000составной транзистор КТ834 для источников тока и напряжения.
КТ835(А,Б)2N6111 TO-220 pnp7,530100транзистор КТ835 для усилителей и преобразователей. Аналог КТ835 – импортный 2N6111
2Т836(А-В)BD180 TO-39 pnp390100 2Т836 для усилителей мощности и ИВЭП.
КТ837(А-Ф)2N6108
2N6111
TO-220

pnp870200pnp транзистор КТ837 предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый TO-220. Подробные параметры КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е-Ф указаны в файле. Аналог для КТ837 – транзистор 2N6108 с близкими характеристиками.
КТ838А2SD1554
BU208
TO-3
npn 5150014 Высоковольтный транзистор КТ838А для строчной развертки телевизоров . Характеристики КТ838А приведены в файле. Импортные аналоги – 2SD1554 и BU208.
КТ839А2SC1172
MJ16212
TO-3 npn 10150012Характеристики и параметры КТ839 аналогичны транзистору КТ838, но круче по току.
КТ840(А,Б)BUX97 TO-3 npn 6400100Биполярный транзисторы КТ840А и КТ840Б для применения в переключающих устройствах. Подробные параметры приведены в файле.
КТ841(А-В)MJ413
2N3442
TO-3 npn 1060035Мощный биполярный транзистор КТ841 для применения в мощных преобразователях. Подробные параметры транзисторов КТ841А, КТ841Б, КТ841В в даташит.
КТ842(А,Б)2SB506 TO-3 pnp530030Биполярный транзистор КТ842 для применения в мощных преобразователях и линейных стабилизаторах напряжения.
КТ844АMJ15011 TO-3 npn 1025060 КТ844 предназначен для импульсных устройств, подробное описание приведено в datasheet
КТ845А TO-3 npn 5400100 КТ845А разработан для применения в импульсных устройствах.
КТ846АBU208 TO-3
npn 5150015 Высоковольтный биполярный транзистор КТ846А, входные характеристики, графики приведены в datasheet.
КТ847АBUX48
2N6678
TO-3 npn 15650100 Подробное описание КТ847А, входные и выходные характеристики. Аналогом для КТ847 является BUX48.
КТ848АBUX37 TO-3 npn 154001000Составной транзистор КТ848А для систем электронного зажигания. Характеристики КТ848 в прикрепленном файле. Аналог КТ848 – BUX37.
КТ850(А-В)2SD401 TO-220 npn 2250200 КТ850 заточен для применения в усилителях мощности и переключающих устройствах. Подробное описание КТ850А, КТ850Б, КТ850В и графики  приведены в datasheet .
КТ851(А-В)2SB546 TO-220 pnp2200200 КТ851 для усилителей НЧ и переключающих устройств. Параметры КТ851А, КТ851Б, КТ851В см. в файле pdf
КТ852(А-Г)TIP117 TO-220 pnp21001500Составной КТ852 для усилителей и переключающих устройств. Параметры КТ852А в даташит.
КТ853(А-Г)TIP127
2N6042
TO-220 pnp8100750Составной pnp транзистор КТ853. Предназначен для применения в усилительных схемах. Параметры КТ853А, КТ853Б, КТ853В, КТ853Г см. в pdf файле.
КТ854(А,Б)MJE13006 TO-220 npn 1050050 КТ854 для применения в преобразователях и линейных стабилизаторах. Справочные данные приведены в datasheet.
КТ855(А-В)MJE9780 TO-220 pnp5250100 КТ855 для применения в преобразователях, линейных стабилизаторах. Аналог с близкими характеристиками – MJE9780.
2Т856(А-В)BUX48 TO-3 npn 1095060 2Т856 для переключательных устройств. Аналог – BUX48.
КТ856(А1,Б1)BUV48 TO-218 npn 1060060 КТ856 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Справочные данные КТ856А1, КТ856Б1 см. в datasheet .
КТ857АBU408 TO-220 npn 725050 КТ857 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Аналог – BU408.
КТ858АBU406TO-220 npn 740060 транзистор КТ858 предназначен для применения в переключающих устройствах. Аналог – BU406. Подробное описание смотри в datasheet .
КТ859АMJE13005 TO-220 npn 380060Высоковольтный КТ859 заточен для переключающих устройств. Параметры и цоколевка КТ859 приведены в datasheet. Импортный аналог с близкими характеристиками – MJE13005.
2Т860(А-В) TO-39 pnp2901002Т860 предназначен для усилителей мощности и преобразователей.
2Т862(А-Г) TO-3 npn 15400100 2Т862 для применения в импульсных модуляторах и переключающих устройствах.
КТ863Б,ВD44Vh20 TO-220 npn 10160300Транзистор КТ863 предназначен для применения в преобразователях, фотовспышках. Справочные характеристики см. в datasheet. Аналог КТ863 – D44Vh20.
КТ863БСD44Vh20 TO-220
TO-263
npn 12160300 КТ863БС – более свежая разработка. Модификация КТ863БС1 предназначена для поверхностного монтажа.
КТ864А2N3442 TO-3 npn 10200100 КТ864 для применения в ИВЭП, усилителях и стабилизаторах.
КТ865А2SA1073 TO-3 pnp1020060Область применения транзистора КТ865 та же, что и у КТ864.
КТ867АTIP35 TO-3 npn 25200100 КТ867 для применения в ИВЭП. В описании транзистора приведены графики зависимости коэффициента усиления от тока и график области максимальных режимов.
КТ868(А,Б)BU426   pnp640060 КТ868 предназначен для применения в источниках питания телевизоров. Подробные характеристики см. в datasheet. Функциональный аналог КТ868 – BU426.
КТ872(А-В)BU508
MJW16212
TO-218
npn 870016Высоковольтный npn транзистор КТ872 для применения в строчной развертке телевизоров. Подробное описание КТ872 приведено в справочном листе. Аналоги КТ872 – транзисторы BU508 и MJV16212.
2Т875(А-Г)2SD1940TO-3 npn10902002Т875 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т876(А-Г)MJE2955TO-3 pnp10901402Т876 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т877(А-В)2N6285TO-3 pnp208010000Составной транзистор 2Т877 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
КТ878(А-В)BUX98 TO-3 npn 3090050 КТ878 для применения в переключающих устройствах, ИВЭП.
КТ879 npn 5020025 КТ879 для применения в переключающих устройствах.
2Т880(А-В)2N6730 pnp2100140 2Т880 – для усилителей и переключательных устройств.
2Т881(А-Г)2N5150  npn 2100200 2Т881 – применение аналогично 2Т880
2Т882(А-В) TO-220 npn 1300100 2Т882 в корпусе ТО-220 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Цоколевка и характеристики приведены в pdf.
2Т883(А,Б) TO-220 pnp1300100 2Т883 для усилителей и переключающих устройств. Корпус ТО-220.
2Т884(А,Б) TO-220 npn 280040 2Т884 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Подробные параметры см. в datasheet .
2Т885(А,Б) TO-3 npn 4050012 мощный транзистор 2Т885 предназначен для применения в ИВЭП.
КТ886(А1,Б1)MJW16212 TO-218 npn 10140025Высоковольтный транзистор КТ886 для применения в строчной развертке и ИВЭП. Характеристики см. в файле pdf. Аналог для КТ886 – MJW16212.
КТ887 А,Б TO-3 pnp2 700 120 КТ887 для переключательных схем, стабилизаторов напряжения.
КТ888 А,Б TO-39 pnp 0,1 900 120 Высоковольтный транзистор КТ888 для применения в преобразователях и стабилизаторах напряжения ИВЭП.
КТ890(А-В)BU323 TO-218 npn 20350700Составной транзистор КТ890 предназначен для применения в схемах зажигания авто. Подробные характеристики КТ890А, КТ890Б и КТ890В приведены в pdf. Аналогом для КТ890 является BU323.
КТ892(А-В)BU323A TO-3 npn15400300 мощный транзистор КТ892 предназначен для применения в схемах зажигания авто и других схемах с индуктивной нагрузкой.
КТ896 (А,Б)BDW84TO-218 pnp208010000Составной мощный транзистор КТ896 для применения в линейных и переключающих схемах. Характеристики КТ896А и КТ896Б см. в datasheet файле. Аналог для КТ896 – BDW84.
КТ897(А,Б)BU931ZTO-3 npn 203504000Составной транзистор КТ897 для схем зажигания авто и других схем с индуктивной нагрузкой. Аналог для КТ897 – BU931.
КТ898 (А,Б)BU931PTO-218 npn203501500Составной транзистор КТ898 для применения в ИВЭП. Параметры оптимизированы для работы на индуктивную нагрузку. Аналог КТ898 – BU931. Подробные характеристики КТ898А и КТ898Б см. в datasheet.
КТ899АBU806 TO-220npn 81501000Составной транзистор КТ899 для применения в усилительных и переключательных устройствах. Аналог с близкими характеристиками – BU806.
КТ8101(А,Б)MJE4343
2SC3281
TO-218
npn16200100 мощный транзистор КТ8101 предназначен для применения в усилителях НЧ, стабилизаторах и преобразователях. Подробные характеристики КТ8101А и КТ8101Б см. в datasheet. Аналог для КТ8101 – транзистор MJE4343. Комплементарная пара – КТ8102.
КТ8102(А,Б)MJE4353
2SA1302
TO-218
pnp16200100Мощный транзистор КТ8102, область применения аналогична КТ8101, являющемуся его комплиментарной парой. Характеристики КТ8102А, КТ8102Б приведены в datasheet . Импортный аналог для КТ8102 – MJE4353.
КТ8106 (А,Б)MJH6286 TO-218 npn 20803000Составной транзистор КТ8106 для применения в усилителях мощности и переключающих схемах. Аналог для КТ8106 – MJH6286.
КТ8107(А-В)BU208 TO-218 npn 870012 КТ8107 для применения в каскадах строчной развертки, ИВЭП, высоковольтных схемах. Подробные параметры в datasheet. Импортный аналог для КТ8107 – BU208.
КТ8109TIP151 TO-220 npn 7350150Составной транзистор КТ8109 для схем зажигания авто. Справочные данные см. в datasheet.
КТ8110 (А-В)BUT11 npn 740030Справочные данные BUT11, импортного аналога КТ8110.
КТ8111(А9-Б9)BDV67 TO-218 npn 20100750Составной мощный транзистор КТ8111 для применения в усилителях НЧ, стабилизаторах тока и напряжения, переключателях. Аналог – BDV67.
КТ8115(А-В)BD650
TIP127
TO-220
pnp8
5
1001000Составной pnp транзистор КТ8115А для применения в усилительных и преобразователях напряжения. Аналог для КТ8115 – BD650. Комплементарная
пара – КТ8116.
КТ8116(А-В)TIP132TO-220
DPAK

npn 8
5
1001000Составной транзистор КТ8116, область применения аналогична КТ8115, являющимся его комплементарной парой.
КТ8117АBUV48 TO-218 npn 1040010 мощный транзистор КТ8117 предназначен для ИВЭП, управления двигателями, стабилизаторов тока.
КТ8118АMJE8503 TO-220 npn 380040 КТ8118 для высоковольтных переключательных схем, усилителей постоянного тока.
КТ8120А TO-220npn 845010 КТ8120 для ИВЭП, схем управления электродвигателями.
КТ8121А,Б TO-220npn 440060 КТ8121 для высоковольтных переключающих схем, преобразователей
КТ8123А TO-220npn 2150 40 КТ8123 для схем вертикальной развертки ТВ, усилителей.
КТ8124(А-В) TO-220npn 10400 7Справочные данные КТ8124, предназначенного для применения в горизонтальной развертке ТВ, переключательных схемах.
КТ8126(А1,Б1)MJE13007 TO-220
npn 840030 мощный транзистор КТ8126 для применения в горизонтальной развертке ТВ, преобразователях. Справочные данные приведены в datasheet .
КТ8130 (А-В)BD676  pnp48015000 
КТ8131 (А,Б)BD677  npn 48015000 
КТ8133 (А,Б)  npn 82403000
КТ8137АMJE13003 TO-126 npn 1,570040Для применения в строчной развертке ТВ, управления двигателями.
КТ8141 (А-Г)   npn 8100750
КТ8143 (А-Ш) КТ-9Мnpn 80 30015 биполярный мощный высоковольтный n-p-n транзистор с диодом КТ8143 для низковольтных источников питания бортовой аппаратуры
КТ8144(А,Б) TO-3npn2580055 
КТ8146(А,Б)
КТ8154(А,Б)
КТ8155(А-Г)
 ТО-3

npn 15
30
50
800
600
600
  мощный высоковольтный транзистор для применения в источниках питания
КТ8156(А,Б)BU807 TO-220 npn82001000  КТ8156 предназначен для применения в горизонтальных развертках малогабаритных ЭЛТ.
КТ8157(А-В) TO-218npn1515008для строчных разверток ТВ с увеличенной диагональю экрана
КТ8158(А-В)BDV65 TO-218 npn12 1001000 КТ8158, параметры заточены для применения в усилителях НЧ, в ключевых и линейных схемах.
КТ8159(А,Б,В)BDV64 TO-218 pnp121001000 КТ8159, Комплементарная пара для КТ8158, параметры и область применения аналогичные.
КТ8163А  npn750040
КТ8164(А,Б)MJE13005 TO-220 npn440060Высоковольтный транзистор КТ8164 для импульсных источников питания.
КТ8167 (А-Г)  pnp280250
КТ8168 (А-Г)  npn 280250
КТ8170(А1,Б1)MJE13003 TO-126 npn1. 540040Высоковольтный транзистор КТ8170 для применения в импульсных источниках питания.
КТ8171 (А,Б)  npn 2035010000
КТ8176(А,Б,В)TIP31 TO-220 npn310050 КТ8176 для усилителей и переключательных схем.
КТ8177(А,Б,В)TIP32 TO-220 pnp310050КТ8177 для усилителей и переключательных схем. Комплементарная пара для КТ8176.
КТ8192 (А-В)  ISOTOPnpn 751500 10мощный npn транзистор КТ8192 для применения в электроприводе
КТ8196 (А-В)  npn 10350400
КТ8212(А,Б,В)TIP41 TO-220 npn610075КТ8212 для линейных и ключевых схем.
КТ8213(А,Б,В)TIP42 TO-220 pnp610075 Комплементарная пара для КТ8212.
КТ8214(А,Б,В)TIP112 TO-220 npn21001000Составной транзистор КТ8214 предназначен для применения в ключевых и линейных схемах.
КТ8215(А,Б,В)TIP117 TO-220 pnp21001000Составной транзистор КТ8215 – Комплементарная пара КТ8214.
КТ8216 (А-Г)MJD31B npn2800275
КТ8217 (А-Г)MJD32B pnp10100275
КТ8218 (А-Г)  npn 4100750
КТ8219 (А-Г)  pnp440750
КТ8224(А,Б)BU2508 TO-218 npn87007Высоковольтный транзистор КТ8224 для применения в высоковольтных схемах ТВ приемников. Аналог – BU2508. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8228(А,Б)BU2525 TO-218 npn1280010Высоковольтный транзистор КТ8228 для применения в высоковольтных схемах ТВ приемников. Белорусский аналог BU2525. Диод между коллектором э эмиттером, резистор между базой-эмиттером.
КТ8229АTIP35F TO-218 npn2518075КТ8229 для линейных и ключевых схем.
КТ8230АTIP36F TO-218 pnp2518075КТ8230 -Комплементарная пара для КТ8229.
КТ8231АBU941 npn 15500300 datasheet на транзистор BU941
КТ8232 (А,Б)BU941ZPTO-218npn 20350300КТ8232 для применения в переключательных и импульсных схемах, параметры оптимизированы для схем зажигания.
КТ8246(А-Г)КТ829TO-220npn 151509000Составной транзистор КТ8246 для применения в автотракторных регуляторах напряжения.
КТ8247АBUL45D TO-220 npn570022Высоковольтный транзистор КТ8247 для применения в преобразователях напряжения. Аналог – BUL45. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8248АBU2506 TO-218 npn5150060Высоковольтный транзистор КТ8247 для применения в строчных развертках ТВ. Аналог – BU2506. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8251АBDV65 TO-218npn101801000Составной npn транзистор КТ8251 для применения в линейных усилителях и ключевых преобразователях напряжения.
КТД8252(А-Г)BU323Z TO-220
TO-218
npn 153502000для работы на индуктивную нагрузку
КТ8254А  npn 280030
КТ8255АBU407 TO-220 npn7330200 КТ8255 для применения линейных и ключевых схемах.
КТД8257(А-В)SGSD96TO-220npn 20180 1000для применения в усилителях НЧ и переключающих устройствах.
КТ8258(А,Б)MJE 13004 TO-220npn 440080для использования в преобразователях, в линейных и ключевых схемах, аналог транзистора 13004
КТ8259(А,Б)MJE13007
13007
TO-220npn 840080для использования в преобразователях, в линейных и ключевых схемах, отечественный аналог импортного транзистора 13007
КТ8260(А-В)MJE13008TO-220npn 1550015для ИВЭП, преобразователей, аналог транзистора 13008.
КТ8261АBUL44TO-126 npn240020 КТ8261 для применения в преобразователях напряжения.
КТД8262(А-В)SEC80TO-220npn 7350 300Для систем зажигания автотракторной техники
КТ8270АMJE13001TO-126 npn0.560090 КТ8270 для использования в преобразователях напряжения. Подробные справочные данные приведены в datasheet.
КТ8271(А,Б,В)BD136TO-126 pnp1.580250 КТ8271 для преобразователей напряжения. Подробные параметры приведены в datasheet.
КТ8272(А,Б,В)BD135TO-126 npn1.580250 КТ8272 для линейных усилителей и преобразователей напряжения. Комплементарная
пара для КТ8271
КТД8278(А-В1)SGSD93STTO-220npn 201801000Для усилителей НЧ, переключательных устройств.
КТД8279(А-В)2SD1071TO-220
TO-218
npn 10 350 300для работы на индуктивную нагрузку, в системах зажигания.
КТД8280(А-В) TO-218npn 60 120 1000Составной транзистор КТД8280 для преобразователей напряжения, схем управления двигателями, источников бесперебойного питания.
КТД8281(А-В) TO-218pnp601201000Составной транзистор КТД8281 для преобразователей напряжения, схем управления двигателями.
КТ8283(А-В) TO-218pnp60120100для преобразователей, схем управления двигателями. Параметры описаны в даташит.
КТ8284(А-В)КТ829TO-220npn 12100500для автотракторных регуляторов напряжения, линейных схем.
КТ8285(А-В)BUF410 TO-218
TO-3
npn 3045040для преобразователей напряжения, ИВЭП. Характеристики описаны в даташит.
КТ8286(А-В)2SC1413 TO-218
TO-3
npn 5 800 40для усилителей низкой частоты, переключающих устройствах, мощных регуляторах напряжения. Подробные характеристики см. в datasheet
КТ8290АBUh200TO-220 npn1070015Высоковольтный биполярный транзистор КТ8290 для использования в импульсных источниках питания.
КТ8296(А-Г)KSD882TO-126 npn330400КТ8296 для использования в импульсных источниках питания, ключевых схемах и линейных усилителях.
КТ8297(А-Г)KSD772TO-126 pnp330400КТ8297 – Комплементарная
пара (транзистор с близкими характеристиками, но обратной проводимости) для КТ8296.
КТ8304А,БTO-220
D2PAK
npn8160250КТ8304 с демпферным диодом для автомобильных регуляторов напряжения.
ПИЛОН-3TIP122 TO-220npn 151001000для применения в переключающих схемах и преобразователях напряжения. Импортный аналог с близкими характеристиками – транзистор TIP122.
ПИР-1BUV48 TO-218npn 204508ПИР-1 для ключевых схем с индуктивной нагрузкой и усилителей с высокой линейностью.
ПИР-2MJE4343 TO-220
TO-218
npn 2016030ПИР-2 для линейных усилителей и ключевых схем.
Справочник составлен в 2007 году, затем дополнялся и дорабатывался вплоть до 2015г. Соавторы: WWW и Ко

Краткие, основные характеристики зарубежных транзисторов

В следующую таблицу вошли полупроводниковые приборы:
MAT02FH; MGF1302; MJ10001; MJ10005; MJ1001; MJ10012; MJ10016; MJ11015; MJ11016; MJ11032; MJ11033; MJ15003; MJ15004; MJ15015; MJ15016; MJ15022; MJ15023; MJ15024; MJ15025; MJ16018; MJ2501; MJ2955; MJ3001; MJ4032; MJ4035; MJ413; MJ4502; MJ802; MJE13004; MJE13005; MJE13005; MJE13007; MJE13009; MJE15030; MJE15031; MJE18004; MJE18006; MJE18008; MJE210; MJE243; MJE253; MJE270; MJE271; MJE2955T; MJE3055T; MJE340; MJE350; MJE5850; MJE800; MJE8502; MJF18004; MJF18008; MJF18204; MJW16018; MJW16206; MJW16212; MPF102; MPS3640; MPSA06; MPSA10; MPSA12; MPSA14; MPSA18; MPSA42; MPSA44; MPSA56; MPSA70; MPSA92; MPSh20; MRF237; MRF455; MRF475; ON4359; P6N60; РН2222А; РН2369; PN2222A; PN2907; PN2907A; PN3563; PN3638; R1004; RFP40N10; S175; S2000AF; S2000N; S2055N; S2530A; SGSF313; SGSF313XI; SGSF344; SGSF445; SGSF464; SGSIF344; SGSIF444; SLA4061; SLA4390; SS8050; SS8550; SSM2210P; SSM2220P; STA301A; STA341M; STA401A; STA402A; STA403A.

Тип прибора Описание Тип прибора Описание
DTC114TS Si-N 50B 0,1A R=10kOm IRF9620 P-FET 200В 3,5A 40Вт
DTC114YS Si-N 50В 0,1 A R= 10к0м/47к0м IRF9630 P-FET 200В 6,5A 75Вт
DTC124EK Si-N 50В 0,1 А 0,2Вт R=22kOm/22kOm IRF9640 P-FET 200В 11A 125Вт
DTC124ES Si-N 50В 0,1 A R=22kOm/22kOm IRFBC30 N-FET 600В 3,9A 100Вт
DTC143EK Si-N 50В 0,1 А 0,2Вт R=4,7kOm/4,7kOm IRFBC40 N-FET 600В6,2А125Вт
DTC143ES Si-N 50В 0,1 A R=4,7k0. m/4,7k0m IRFBE30 N-FET 800B 4,1 А 125Вт
DTC143TS Si-N 50В 0,1 A R=4,7kOm IRFD120 N-FET 100B 1,3A 1,3Вт
DTC143XS Si-N 50В 0,1 А 0,3Вт R=4,7kOm/1kOm IRFD9120 P-FET 100B 1A 1,3Вт
DTC144EK Si-N 50В 0,1 А 0,2Вт R=47kOm/47kOm IRFD9220 P-FET 200В 0,6A 1Вт
DTC144ES Si-N 50В 0,1 A R=47kOm/47kOm IRFF120 N-FET 100B 6A 20Bт
DTC144EU Si-N 50В 0.1А 0,2Вт R-47kOm/47kOm IRFP054 N-FET 60В 70A 230Вт
DTC144TS Si-N 50В 0,1 А 0,3Вт R=47kOm IRFP064 N-FET 60В 70A 300Вт
DTC144WS Si-N 50В 0,1 А 0,2Вт R=47kOm/22kOm IRFP140 N-FET 100B31A 180Вт
ESM6045DV N-DARL+D 450В 84А 250Вт IRFP150 N-FET 100В 40A 180Вт
FT5754M DARL, матрица IRFP240 N-FET 200В 20A 150Вт
FT5764M DARL, матрица IRFP250 N-FET 200В ЗЗА 180Вт
GD243 GE-P65B ЗА 10Вт IRFP340 N-FET 400В 11A 150Вт
GT20D101 N-IGBT 250В 20А 180Вт IRFP350 N-EET400B 18A 250Вт
GT20D201 P-IGBT 250В 20А 250Вт IRFP360 N-FET 400В 28A 410Вт
H6N80 N-FET 80бВ 4,2А 170Вт IRFP450 N-FET 500В 14A 180Вт
HPA100R Si-N+D 1500В 10А 150Вт 0,2 IRFP460 N-FET 500В 25A 410Вт
HPA150R Si-N+. D 1500В 15А 180Вт 0,2 IRFP9140 P-FET 100В 19A 150Вт
IPP041N12N3 МОП, N-kанал, 120А, 120В, Rds 0.0035Ом, Vgs3В, 300Вт IRFP9240 P-FET 200В 12A 150Вт
IRG4BC40W IGBT, N-канал, 600В, 40А, 60-150кГц IRFPC40 N-FET 600B6.8A 150Вт
IRF120 N-FET 100В 9,2А 60Вт IRFPC50 N-FET 600В 13A 250Вт
IRF140 N-FET 100В 28А 150Вт IRFPE40 N-FET 800В 5,4A 150Вт
IRF230 N-FET 200В 9А 75Вт IRFPE50 N-FET 900В 7,8А 190Вт
IRF240 N-FET 200В 18А 125Вт IRFPF40 N-FET 900В 4,7А 150Вт
IRF250 N-FET 200В ЗОА 150Вт IRFPF50 N-FET 900В 6,7А 190Вт
IRF330 N-FET 400В 5,5А 75Вт IRFR9024 P-FET 60В 9,6А 50Вт 0,28Вт
IRF340 N-FET 400В 10А 125Вт IRFZ20 N-FET 50B 15А 40 Вт
IRF350 N-FET 400В 13А 150Вт IRFZ44 N-FET 60B 46А 250Вт
IRF440 N-FET 500В 8А 125Вт IRFZ48 N-FET 60В 50А 250Вт
IRF450 N-FET 500В 13А 150Вт ITT9013G Si-N 30B 0,5А 100МГц
IRF520 N-FET 100В 10A 70 Вт J111 N-FET 40В 50мА 0,4Вт
IRF530 N-FET 100В 16А 90Вт J300 N-FET 25В 6мА 0,35Вт
IRF540 N-FET100B 28А 150Вт J309 N-FET 25В ЗОмА Up
IRF630 N-FET 200В 9А 75Вт J310 N-FET 25В 60mA Up
IRF640 N-FET 200В 18А 125Вт KSA708 Si-N 80В 0,7А 0,8Вт 50МГц
IRF644 N-FET 250В 14А 125Вт KSA733 Si-P60B 0,15А 0,25Вт 50МГц
IRF730 N-FET 400В 5,5А 100Вт KSC2316 Si-N 120В 0,8А 0,9Вт 120МГц
IRF740 N-FET 400В 10А 125Вт KSC2328A Si-N30B 2А1 Вт 120МГц
IRF740F N-FET 400В 5,5А 40Вт KSC2330 Si-N 300В 0,1 А 50МГц
IRF820 N-FET 500В ЗА 75Вт KSC2331 Si-N80B 0,7А 1 Вт 30МГц
IRF830 N-FET 500В 4,5А 100Вт КТА1273 Si-P30B 2А 1 Вт 120МГц
IRF830F N-FET 500В ЗА 35Вт КТС3198 Si-N 60В 0,15А0,4Вт 130МГц
IRF840 N-FET 500В 4,5А 40Вт КТС9012 Si-Р ЗОВ 0. 5А 0,625Вт
IRF840F N-FET 500В 4,5А 40Вт КТС9013 Si-N ЗОВ 0,5А 0,625Вт
IRF9140 P-FET 100В 19А 125Вт КТС9014 Si-N 50В 0.15А0,625Вт
IRF9240 P-FET 200В 11А 125Вт КТС9015 Si-P 50B 0.15А 0,625Вт
IRF9530 P-FET 100В 12А88Вт КТС9018 Si-N 30B 20мА 0,2Вт 500МГц
IRF9540 P-FET 100В 19А 150Вт KTD1351 Si-N 60В ЗА 30Вт 3МГц
IRF9610 P-FET 200В 1,75А 20Вт M54661P 4x транз., матрица+диод 1,5A

Заменяемость транзисторов

Заменяемость транзисторов

Заменяемость отечественных транзисторов старых выпусков

  на главную

НОВАЯ ВЕРСИЯ САЙТА

КЛАССИФИКАЦИЯ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Всем транзисторам, разработанным до 1964 года, присвоены условные обозначения по стандарту, установленному в 1959 году. Согласно этому стандарту условное обозначение транзисторов может состоять из трех элементов: первый — буквенный (П — плоскостной транзистор): второй — цифровой, указывающий на материал прибора (германий или кремний) и обычное применение или назначение транзистора. Основная классификация ведется по максимальной допустимой мощности, рассеиваемой на коллекторе Р

к.доп и частотным свойствам — частоте fa или /макс Классификация различает транзисторы малой мощности (Рк.доп < 0,25 вт) и большой мощности (Рк. доп > 0,25 вт.), низкочастотные (fa < 5 Мгц) и высокочастотные (fa> > 5 Мгц).  Последний третий элемент обозначения — буквенный, указывающий разновидность прибора. Исключение из этого правила представляют транзисторы типа П4А—П4Д, которые являются транзисторами большой мощности.

Например, условное обозначение П13 расшифровывается: «транзистор низкочастотный, германиевый, малой мощности, типа 13».

В настоящее время эта система классификации транзисторов устарела и не соответствует возросшему количеству и разнообразию приборов. В связи с этим с 1964 года была введена новая система классификации и условных обозначений на полупроводниковые приборы, в том числе и на транзисторы. Согласно новому стандарту основная классификация ведется по исходному материалу, рассеиваемой прибором мощности и частотным свойствам.

В зависимости от этого транзисторы могут называться германиевыми или кремниевыми, малой, средней или большой мощности; транзисторами низкой, средней или высокой частоты. Энергетической характеристикой транзистора является мощность, рассеиваемая на коллекторе Рк.доп,

а частотной — максимальная частота генерации fмакс.

Условное обозначение транзистора по новому стандарту состоит из четырех элементов.

Первый элемент — буква или цифра, обозначающая исходный материал: Г или 1 — германий, К или 2 — кремний, А или 3 — арсенид галлия. Одновременно первый элемент обозначает верхний предел допустимой температуры корпуса прибора: Г-+ 60° С, 1-+70° С; К—+85° С, 2— +120° С.

Второй элемент — буква, указывающая класс полупроводникового прибора: Т—транзистор (биполярный с проводимостью р-п-р или п-р-п).П—полевой транзистор (с каналом р или п типа).

Третий элемент — цифровой, характеризующий основные энергетические и частотные параметры транзистора.

Четвертый элемент обозначения — буквенный — указывает на разновидность прибора.

Например, условное обозначение прибора ГТ108А означает: «германиевый транзистор малой мощности, низкочастотный, подтипа А, предназначенный для работы при температуре не выше +60° С».

Все необходимые сведения о параметрах транзисторов можно найти в специальных справочниках по полупроводниковым приборам.

Следует заметить, что ряд транзисторов может иметь условные индексы, которых нет в приведенных выше классификациях. Это главным образом транзисторы, разработанные до 1964 года, но выпускаемые в модернизированном варианте. В этом случае дополнительные буквенные индексы означают следующее:

М — холодносварной корпус;

Э — улучшенная влагостойкость;

И — улучшенные импульсные свойства. Например, МП39Б означает, что это низкочастотный маломощный транзистор с холоднссварным корпусом; П601 А(И) — высокочастотный транзистор средней мощности с улучшенными импульсными свойствами.

ВЗАИМОЗАМЕНЯЕМОСТЬ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Наличие значительного количества типов и подтипов транзисторов связано с большим разнообразием технологических средств и приемов, а также исходных материалов, используемых при изготовлении транзисторов. Производство транзисторов — очень сложный и трудоемкий процесс, требующий высокой точности, чистоты и жесткого соблюдения технологических режимов. Выполнение всех этих требований связано с большими техническими трудностями, чем и объясняется имеющийся большой разброс параметров выпускаемых транзисторов. В связи с этим обычно указываются средние либо минимальные значения параметров, гарантированные для данного типа транзисторов. Наибольший разброс наблюдается у коэффициента усиления по току бета в схеме с общим эмиттером, обратного тока коллектора /к0

и емкости коллекторного перехода Ск. Несколько меньшим разбросом обладают частотные параметры fа и fmакс.

Большой разброс параметров транзисторов делает весьма условными границы между типами транзисторов, что позволяет в ряде случаев без особых затруднений заменять одни транзисторы другими. При такой замене в первую очередь обращается внимание на параметры в режиме, при котором транзистор будет работать в данной схеме Фк, /к, Рк). Исходя из этих сведений подбираются типы транзисторов, обладающие некоторым запасом по указанным параметрам и необходимыми частотными и усилительными свойствами (fa или fmakс и beta). Предпочтение при этом отдается более дешевым и доступным транзисторам.

Например, имеется описание схемы усилителя низкой частоты на двух транзисторах типа МП41. Постоянное напряжение источника питания составляет 9 в, постоянный ток коллектора каждого транзистора не превышает 1—2 ма, а сама схема допускает применение транзисторов с beta = 20—40.

Из приведенных в приложении справочных таблиц видно, что в данном случае возможно применение транзисторов типа МП40, МП42А, МП42Б, а также некоторых образцов транзисторов МП39 и МП39Б.

Другой пример. В приемнике прямого усиления, рассчитанном для работы в диапазоне средних волн (СВ), где максимальная частота сигнала 1,6Мгц, рекомендуется применение транзисторов типа ГТ313А, приобрести которые по тем или иным причинам не удалось. Учитывая сказанное ранее о том, что для устранения влияния зависимости усилительных свойств транзисторов от частоты сигнала необходимо применять транзисторы, у которых граничная частота усиления fm по крайней мере в 20—30 раз выше максимальной частоты усиливаемого сигнала, делаем вывод, что возможно использование транзисторов с граничной частотой от 50 Мгц и выше. Как видно из таблицы 5, этому условию удовлетворяют практически все высокочастотные транзисторы, кроме П401 и КТ301, КТ301А. Поскольку ГТ313А — германиевый р-п-р транзистор, то, для того чтобы не вносить в схему устройства каких-либо дополнительных изменений, следует применить такой же проводимости германиевый транзистор, например, П402 или П403. Если же германиевый транзистор заменяется кремниевым, хотя бы и той же проводимости, то в большинстве случаев требуется проведение дополнительных изменений в схеме смещения вследствие большого различия в характере зависимости тока коллектора от напряжения смещения.

К сожалению, дать какой-либо конкретный рецепт замены транзисторов на все случаи жизни нельзя из-за чрезмерно большого числа типов выпускаемых транзисторов, а также вследствие огромного множества различных вариантов схем. Можно только рекомендовать стремиться производить замену транзисторов внутри группы наиболее близких по своему устройству и параметрам транзисторов. При этом допускается замена с улучшением или ухудшением параметров транзисторов. Лучше всего, когда заменяющий транзистор не уступает заменяемому ни по одному из предельно

допустимых параметров (Рк.доп UK3, /K макс), а также по величине гарантированных значений усиления тока (а или бета) и предельной частоты усиления (fa или fbeta). В крайнем случае возможна замена транзисторов с несколько заниженными значениями beta и fa, что хотя и приведет к некоторому изменению параметров устройства, но ненамного.

Особо следует сказать о замене транзисторов, выпуск и продажа которых давно прекращены, но упоминание на страницах радиолюбительской литературы еще иногда встречается. Кроме того, в употреблении находится большое количество бытовой радиоэлектронной аппаратуры, где применяются транзисторы старых выпусков, что создает определенные трудности при ремонте. Например, согласно табл. транзистор П15 заменяется через МП41, П105 — МП 115, П420 —П401 и т. д. При такой замене каких-либо дополнительных изменений в схемах не требуется.

Нужно отметить, что труднее всего находить замену транзисторов начинающим радиолюбителям, которые еще не накопили достаточного опыта обращения с параметрами транзисторов, чтобы свободно сравнить их между собой, находя лучшие и худшие варианты для взаимной замены транзисторов.

Граничная частота fm определяет частоту, где гарантируется усиление потоку не менее единицы, а f2 — характеризует максимальную частоту, выше которой наблюдается резкое возрастание внутренних шумов транзистора. Наилучшими шумовыми характеристиками обладают транзисторы ГТ322А—ГТ322Е, у которых коэффициент шума не превосходит 4 дб. Распространенные в любительской практике транзисторы типа П401 — П403, имеют значительно худшие свойства. Из низкочастотных транзисторов в лучшую сторону отличаются транзисторы типа П27А и П27. Эти транзисторы применяются, как правило, в промышленной аппаратуре. Конструктивно они оформлены точно так же, как МП35— МП42, но отличаются от них значительно меньшим шумом. Для сравнения можно указать, что наименее «шумящим» из доступных любителям транзисторов является МП39Б, у которого коэффициент шума не более 12 дб, тогда как у остальных транзисторов типов МП39—МП42 он может составлять до 24 дб. По этой причине в первых каскадах усиления низкой частоты всегда желательно применение малошу-мящих транзисторов типа МП39Б, а еще лучше- П27А и П28.

Можно, конечно, производить разбраковку транзисторов по величине интересующих параметров и выбирать наилучшие из них. Иногда это бывает полезным или необходимым. Но ввиду влияния на транзисторы различных внешних факторов и процесса естественного старения транзисторов, при конструировании аппаратуры целесообразно ориентироваться на средние, а еще лучше — на минимальные значения параметра.

 

 

Замена Замена Замена
Старый Новый Старый Новый Старый Новый
П4А     П216А П10Б МП37Б П201 П213А
П4Б П216Г П11 МП38 П201А П213Б
П4В П216Б П11А МП38А П202 П214Б
П4Г П216Г П13 МП39 П202А П214В
П4Д П216Д П13А МП39А П203 П214Г
П4Д П216Д П13Б МП39Б П203А П214В
П5А   ГТ108А П14 МП40 П410 ГТ313А
П5Б   ГТ108Б П14А МП40А П410 ГТ313А
П5В ГТ108В П14Б МП40Б П410А ГТ313Б
П5Г ГТ108Г П15 МП41 П411 ГТ313Б
П5Д ГТ108Д П15А МП41А П411А ГТ313Б
П5Е ГТ108Г П16 МП42 П417 ГТ313А
П6А МП39 П16А МП42А П417А ГТ313Б
П6Б МП39А П16Б МП42Б П420 П401
П6В МП40 П101 МП111 П421 П402
П6Г МП41 П101А МП111А П501 КТ315А
П6Д МП39Б П102 МП112 П502 КТ315Б
П8 МП35 П103 МП113 П503 КТ315В
П9 МП36 П103А МП113А П504 КТ315Г
П9А МП36А П104 МП114 П504А КТ315Г
П10 МП37 П105 МП115 П505 КТ315В
П10А МП37А П106 МП116 П505А КТ315В
 

Форум на сайте

на главную

пишите пожалуйста на

[email protected] ru



Полевые транзисторы “IRF…”

Справочник

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ “IRF…”

Мощные полевые ключевые транзисторы с изолированным затвором, n-канальные, обогащенного типа.

тип.

рис.

Uc-и max

(V)

Ic max

(А)

Р max

(W)

Rc-и

(Ohm)

Си

(nF)

Uз-и

(отс) (V)

Uз-и

max (V)

S

(А/V)

при Ic

(А)

IRF230

А

200

9

75

0. 4

0.6

4

20

3-4.8

5

IRF231

А

150

9

75

0.4

0.6

3.5

20

3-4.8

5

IRF232

А

200

8

75

0.6

0.6

3,5

20

3-4,8

5

IRF233

А

150

8

75

0. 6

0.6

4

20

3-4,8

5

IRF234

А

250

8

75

0,45

0.6

4

20

3-5

6

IRF235

А

250

6.5

75

0.7

0.6

4

20

3-5

6

IRF236

А

275

8

75

0,45

0. 6

4

20

3-4,3

4

IRF237

А

275

6,5

75

0,7

0.6

4

20

3-4,3

4

IRF240

С

200

18

125

0,18

1,3

4

20

6-10

10

IRF241

С

150

18

125

0,18

1,3

4

20

6-10

10

IRF242

С

200

16

125

0,22

1. 3

4

20

6-10

10

IRF243

С

150

16

125

0.22

1.3

4

20

6-10

10

IRF244

А

250

14

125

0.28

1.3

4

20

7-10

8

IRF245

А

250

13

125

0,34

1. 3

4

20

7-10

8

IRF246

А

275

14

125

0,28

1.3

4

20

7-10

8

IRF247

А

275

13

125

0,34

1,3

4

20

7-10

8

IRF250

С

200

30

150

0,085

2

4

20

8-12

16

IRF251

С

150

30

150

0,085

2

4

20

8-12

16

IRF252

С

200

25

150

0. 12

2

4

20

8-12

16

IRF253

С

150

25

150

0,12

2

4

20

8-12

16

IRF254

С

250

22

150

0,14

2,7

4

20

11-17

12

IRF255

А

250

20

150

0. 17

2.7

4

20

11-17

12

IRF256

А

275

22

150

0,14

2.7

4

20

11-17

12

IRF257

А

275

20

150

0.17

2.7

4

20

11-17

12

IRF300

А

400

4

125

1.3

1

3

20

1-2.5

2

IRF301

А

350

4

125

1,3

1

3

20

1-2,5

2

IRF305

А

400

5

125

0,008

1

3

20

1-2,5

2

IRF320

А

400

3.3

50

1.8

0.45

3.5

20

1.8-2.7

1.8

IRF321

А

350

3,3

50

1.8

0,45

3.5

20

1.8-2.7

1.8

IRF322

А

400

2.8

50

2.5

0,45

3.5

20

1.8-2.7

1,8

IRF323

А

350

2.8

50

2.5

0,45

3.5

20

1.8-2,7

1,8

IRF330

А

400

5.5

75

1

0.7

4

20

2.9-4

3

IRF331

А

350

5,5

75

1

0.7

4

20

2.9-4

3

IRF333

А

350

4.5

75

1,5

0.7

4

20

2,9-4

3

IRF340

А

400

10

125

0,55

1,3

4

20

6-8

5.2

IRF341

А

350

10

125

0.55

1,3

4

20

6-8

5.2

IRF342

А

400

8.3

125

0.8

1,3

4

20

6-8

5.2

IRF343

А

350

8.3

125

0,8

1.3

4

20

6-8

5.2

IRF350

А

400

15

150

0.3

2

4

20

8-10

8

IRF351

А

350

15

150

0.3

2

4

20

8-10

8

IRF352

А

400

13

150

0.4

2

4

20

8-10

8

IRF353

А

350

13

150

0.3

2

3.5

20

8-10

8

IRF360

С

400

25

300

0.2

4

4

20

14-21

14

IRF362

С

400

22

300

0.25

4

4

20

14-21

14

IRF420

А

500

2.5

50

3

0,3

4

20

1,5-2,3

1.4

IRF421

А

450

2.5

50

3

0.3

4

20

1.5-2,3

1.4

IRF422

А

500

2,2

50

4

0.3

4

20

1,5-2,3

1.4

IRF423

А

450

2,2

50

4

0.3

4

20

1.5-2.3

1.4

IRF430

А

500

4,5

75

1.5

0.6

3.5

20

2.7-3.2

2.5

 

тип.

рис.

Uc-и

max (V)

Ic

max

(А)

Рmах

(W)

Rc-и

(Ohm)

Си

(nF)

Uз-и (отс)

(V)

Uз-и max

(V)

S

(А/V)

при Iс

(А)

IRF431

А

450

4,5

75

1.5

0.6

3.5

20

2.7-3.2

2.5

IRF432

А

500

4

75

2

0.6

3.5

20

2,7-3,2

2.5

IRF433

А

450

4

75

2

0.6

3.5

20

2,7-3.2

2.5

IRF440

А

500

8

125

0.85

1.2

4

20

5-7,5

4.5

IRF441

А

450

8

125

0.85

1.2

4

20

5-7.5

4,5

IRF442

А

500

7

125

1.1

1.2

4

20

5-7.5

4.5

IRF443

А

450

7

125

1.1

1.2

4

20

5-7,5

4.5

IRF448

А

500

9,6

130

0.8

1.8

4

20

6.3-9,4

5.5

IRF449

А

500

8.5

130

0.75

1.8

4

20

6,3-9.4

5,5

IRF450

А

500

13

125

0.4

1.8

4

20

6-11

7.2

IRF451

А

450

13

125

0.4

1.8

4

20

6-11

7,2

IRF452

А

500

11

125

0.5

1.8

4

20

6-11

7.2

IRF453

А

450

11

125

0,5

1.8

4

20

6-11

7.2

IRF510

В

100

5.6

43

0.54

0.135

4

20

1.3-2

3.4

IRF511

В

80

5.6

43

0.54

0.15

4

20

1,3-2

3.4

IRF512

В

100

4.9

43

0.74

0.135

4

20

1,3-2

3.4

IRF513

в

80

4.9

43

0.74

0,135

4

20

1,3-2

3,4

IRF520

в

100

9.2

60

0,27

0.35

4

20

2,7-4.1

5,8

IRF521

в

80

9.2

60

0,27

0,35

4

20

2,7-4.1

5,6

IRF522

в

100

8

60

0.36

0.35

4

20

2.7-4.1

5,6

IRF523

в

80

8

60

0.36

0,35

4

20

2.7-4,1

5,8

IRF530

в

100

14

80

0.18

0.6

4

20

5.1-7,6

8,3

IRF531

в

80

14

80

0,18

0.6

4

20

5.1-7,6

8,3

IRF532

в

100

12

80

0.25

0.6

4

20

5,1-7,6

8.3

IRF533

в

60

12

80

0.25

0.6

4

20

5.1-7,6

8.3

IRF540

в

100

28

150

0,077

1.45

4

20

8.7-13

17

IRF541

в

80

28

150

0.077

1.45

4

20

8.7-13

17

IRF542

в

100

25

150

0,1

1.45

    4

20

8.7-13

17

IRF543

в

80

25

150

0.1

1.45

4

20

8.7-13

17

Uc-и max – максимально допустимое напряжение между стоком и истоком (V).

Ic max – максимально допустимый ток стока (А). Рmах • максимально допустимая мощность рассеяния на стоке (W).

Rc-и – минимальное эквивалентное сопротивление сток-исток в полностью открытом состоянии (Ohm).

Си – емкость стока (nF).

Uз-и (отс) — максимальное напряжение отсечки между затвором и истоком (V).

Uз-и max – пробивное напряж. затвор-исток (V). S(A/V) – крутизна ампер-вольтовой характеристики, от и до.

при Iс – ток стока (А) при котором измерялась

S(A/V).


СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ

Электроника СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ

просмотров – 874

Пример решения задачи 6.

Рассмотрим транзистор, характеристики которого приведены на рис.30, при заданных значениях EC=10В, RC=10кОм, =3,5В, CН=5пФ. По характеристикам находим при UC=EC:

,

=(2,2-1,5)/0,5=1,4мСм

Uост,граф=0,5В,

Найденные значения довольно близки, расхождение объясняется, по-видимому, неточностью модели.

Мощности P0, и Pтр, в замкнутом ключе:

P0= EC ICН =10·10-3=10мВт

Pтр= UостICН=0,5·10-3=0,5мВт.

Начальный ток IC(0) в момент подачи отпирающего импульса находится по выходным характеристикам:

IC(0)=2,2мА.

Длительности фронта и среза импульса, соответственно:

tф = 2,3 RCCН=2,3·104·5·10-12=11,5·10-8с ≈ 0,1мкс,

tc=1,5[ECCН / IC(0)]=1,5·10·5·10-12 ⁄ 0,0022=3,4·10-8с=34нс.

Длительности среза в данном случае примерно в три раза меньше длительности фронта.

ПРИЛОЖЕНИЕ 1.

 
 
 
 
 
 
       
   
 
 
 
 
       
   
 
 
Рис.П.7. Передаточные (а) и выходные (б) характеристики МДП-транзистора со встроенным n-каналом.
 
 

ПРИЛОЖЕНИЕ 2.

ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ПАРАМЕТРЫ БИПОЛЯРНЫХ

И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Таблица 1.

Высокочастотные параметры биполярных транзисторов.

Тип │β│ f, МГц CК, пФ CЭ, пФ tос, нс I*К, мА
КТ301А 1,5
КТ301Ж
КТ340 0,15

Таблица 2.

Высокочастотные параметры полевых транзисторов.

Тип Свх, пФ СЗС, пФ CСП, пФ U, В
КП313 4,5
КП302
КП303 0,5

ПРИЛОЖЕНИЕ 3.

ТАБЛИЦЫ ВАРИАНТОВ ЗАДАНИЙ

Таблица 1.

Варианты заданий для нечетной предпоследней цифры

Задача 1 Транзистор КТ301А Задача 3 Транзистор КП302А Задача 5 Транзистор КТ340
U0КЭ В I0К мА EСВ RСкОм U0ЗИ В UmЗИ В ЕЛ В RK кОм
2,5 3,0 -0,75 0,3
2,4 -0,75 0,5 1.5
2,0 -0,75 0,5 1,3
1,7 -0,5 0,5 1,2
1,5 -0,5 0,5 1,0
1,3 -0,5 0,5 0,9
1,2 -0,5 0,5 0,8
1,1 -0,5 0,5 0,7
1,0 -0,5 0,5 0,6
2,5 -0,75 0,25 0,5
2,5 2,0 -0,75 0,25
1,7 -0,75 0,25 1.5
1,5 -0,75 0,25 1,3
1,3 -0,75 0,25 1,2
1,2 -0,75 0,25 1,0
1,0 -0,75 0,25 0,9
2,0 -0,8 0,2 0,8
1,7 -0,8 0,2 0,7
1,5 -0,5 0,2 0,6
1,0 -0,5 0,2 0,5
0,9 -0,3 0,25 1,0
0,8 -0,3 0,25 0,8
0,5 -0,3 0,25 0,7
0,4 -0,3 0,25 0,6
0,6 -0,3 0,25 0,5
                   

Продолжение таблицы 1.

Задача 1 Транзистор КТ340 Задача 3 Транзистор КП313А Задача 5 Транзистор КТ301А
U0КЭ В I0К мА EСВ RСкОм U0ЗИ В UmЗИ В ЕЛ В RK кОм
3,0 1,0 0,3
2,4 1,0 0,5
2,0 1,0 0,5
1,7 1,0 0,5
1,5 1,0 0,5
1,3 1,0 0,5
1,2 1,0 0,5
1,1 1,0 0,5
1,0 1,0 0,5
3,0 0,75 0,25
2,4 0,75 0,25
2,0 0,75 0,25
1,7 0,75 0,25
1,5 0,75 0,25
1,3 1,25 0,25
1,2 1,25 0,25
1,1 1,25 0,5
1,0 1,25 0,5
0,8 1,25 0,5
0,6 1,25 0,5
0,5 1,25 0,5
0,4 1,25 0,5
1,0 1,5 0,5
0,8 1,5 0,5
0,6 1,5 0,5

Таблица 2.

Варианты заданий для четной предпоследней цифры

Задача 2. Транзистор КТ819 Задача 4. Транзистор КП302А Задача 6. Транзистор КП313
EК В RК, Ом I0Б, мА I, мА I0С, мА U0С, В EС, В RС, кОм В
1,0 2,0
2,3 1,75
4,3 1,5
6,9 1,25
9,6 2,0
1,8 1,0 1,75
1,8 2,4 1,5
1,8 4,4 1,25
1,8 7,0 3,3 2,0
1,8 9,7 3,3 1,75
1,6 1,0 3,3 1,5
1,6 2,5 3,3 1,25
1,6 4,5 2,5 2,0
1,6 7,0 2,5 1,75
1,6 9,8 2,5 1,5
1,4 1,1 2,5 1,25
1,4 2,6 2,0
1,4 4,6 1,75
1,4 7,1 1,5
1,4 9,9 1,25
1,2 1,1 2,0
1,2 2,7 1,75
1,2 4,8 1,5
1,2 7,2 1,25
1,2 3,3 2,0

Продолжение таблицы 2.

Задача 2. Транзистор КТ842 Задача 4. Транзистор КП313А Задача 6. Транзистор КП350
EК В RК, Ом I0Б, мА I, мА I0С, мА U0С, В EС, В RС, кОм В
1,0
2,0
3,0
4,0
5,0
6,0
7,0
8,0
4,0 0,67
3,0 0,67
2,0 0,67
1,0 0,67
3,0 0,5
4,0 0,5
5,0 0,5
6,0 0,5
7,0 1,6
8,0 1,6
2,0 1,6
3,0 1,6
4,0 0,8
5,0 0,8
6,0 0,8
7,0 0,32
8,0 0,32

Читайте также


  • – Статические характеристики транзисторов.

    Для трех схем включения транзисторов исследуются статические (на постоянном токе) вольтамперные входные и выходные характеристики, ко­торые имеют различия в зависимости от схемы включения, 1. Статической входной характеристикой транзистора в схеме с об­щей базой… [читать подробенее]


  • – Статические характеристики транзисторов

    Статическим режимом работы транзистора называется такой режим, при котором входной тока, входное напряжение, а также выходной ток и выходное напряже­ния не изменяются во времени. Токи, или напряжения транзистора в данном режиме описывается уравнениями статики вида I = f (u),… [читать подробенее]


  • – СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ

    Пример решения задачи 6. Рассмотрим транзистор, характеристики которого приведены на рис.30, при заданных значениях EC=10В, RC=10кОм, =3,5В, CН=5пФ. По характеристикам находим при UC=EC: , =(2,2-1,5)/0,5=1,4мСм Uост,граф=0,5В, Найденные значения довольно близки, расхождение… [читать подробенее]


  • Характеристики германиевых транзисторов П210

    П210 – германиевые сплавные транзисторы p-n-p большой мощности низкой частоты. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих схемах, блоках питания. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.

    Корпусное исполнение и цоколевка П210

    Характеристики транзистора П210

    Предельные параметры П210

    Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IК max):

    • П210В, П210А, П210Б, П210 – 12 А

    Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IК, и max):

    Граничное напряжение биполярного транзистора (UКЭ0 гр) при Тп = 25° C:

    Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю (UКЭ0 max) при Тп = 25° C:

    • П210В – 40 В
    • П210Б – 50 В
    • П210 – 60 В

    Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттеpа, равном нулю (UКБ0 max) при Тп = 25° C:

    • П210В – 45 В
    • П210А, П210Б – 65 В

    Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max) при Тп = 25° C:

    • П210Ш, П210В, П210А, П210Б – 25 В

    Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора (PК max) при Тк = 25° C:

    • П210В, П210Б – 45 Вт
    • П210А, П210 – 60 Вт

    Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность транзистора (Pmax) при Тк = 25° C:

    Максимально допустимая температура перехода (Tп max):

    • П210Ш, П210А, П210 – 85 ° C

    Максимально допустимая температура корпуса (Tк max):

    • П210Ш, П210А – 70 ° C

    Максимально допустимая температура окружающей среды (Tmax):

    • П210В, П210Б – 70 ° C
    Электрические характеристики транзисторов П210 при Т
    п = 25oС

    Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h21Э)

    • П210Ш – 15 – 60 при UКЭ 1 В, при IК 7 А
    • П210В, П210Б – 10 при UКЭ 2 В, при IК 5 А
    • П210А – 15 при UКЭ 2 В, при IК 5 А
    • П210 – 15

    Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)

    Обратный ток коллектоpа (IКБ0)

    • П210Ш – 8 мА
    • П210В – 15 мА
    • П210А – 8 мА
    • П210Б – 15 мА
    • П210 – 12 мА

    Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)

    • П210Ш – 0,1 МГц
    • П210А – 0,1 МГц

    Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора (fh31)

    • П210В, П210Б, П210 – 0,1 МГц

    Тепловое сопротивление переход-корпус (RТ п-к)

    • П210Ш, П210В, П210А, П210Б – 1 ° C/Вт
    • П210 – 5 ° C/Вт

    Опубликовано 13.02.2020

    характеристики полевых транзисторов

     
             параметры транзисторов ключ на полевом транзисторе полевых транзисторов Транзистор 6822 транзистор стабилизатор напряжения на транзисторе прямой транзистор (от технические характеристики транзисторов цифровой транзистор цифровой транзистор англ. усилитель звука на транзисторах транзистор кт3102 n канальный транзистор transfer усилитель на транзисторах транзистор в ключевом режиме igbt транзисторы биполярные транзисторы справочник вах транзистора использование транзисторов переносить коды транзисторов схемы генераторов на транзисторах аналоги транзисторов и унч на транзисторах генераторы на полевых транзисторах мосфет транзисторы resistance транзистор d1555 проверка транзисторов схемы включения полевых транзисторов транзистор 3102 составной транзистор технические характеристики транзисторов сопротивление
    ключ на биполярном транзисторе
    современные транзисторы
    полевой транзистор принцип работы
    или
    принцип действия транзистора
    импортные транзисторы справочник
    транзистор исток сток
    transconductance советские транзисторы транзисторы высоковольтные транзистор светодиод — как подключить транзистор схемы на полевых транзисторах подбор транзисторов по параметрам активная
    мосфет транзисторы
    принцип работы полевого транзистора
    полевой транзистор цоколевка
    межэлектродная испытатель транзисторов силовые транзисторы транзисторы продам проводимость полевой транзистор справочник как проверить полевой транзистор транзисторы irf и

    транзистор принцип работы

    транзистор d882

    ключ на полевом транзисторе

    varistor

    схемы генераторов на транзисторах

    строчные транзисторы

    стабилизатор напряжения на транзисторе

    маркировка полевого транзистора схема унч на транзисторах цифровой транзистор переменное
    режимы транзистора
    полевые транзисторы импортные справочник
    транзистор кт3102
    сопротивление) свч транзисторы smd транзисторы транзистор в ключевом режиме —
    работа полевого транзистора
    горит строчный транзистор
    вах транзистора
    электронный ножки транзистора замена транзисторов схемы генераторов на транзисторах прибор обозначение транзисторов транзисторы импортные генераторы на полевых транзисторах из схема подключения транзистора полевые транзисторы импортные справочник проверка транзисторов полупроводникового транзистор с общим эмиттером транзистор 3102 составной транзистор материала, транзистор d1555 транзисторы развертки строчной современные транзисторы обычно s8050 транзистор c945 транзистор импортные транзисторы справочник с

    принцип транзистора

    зарубежные транзисторы скачать

    транзисторы высоковольтные

    тремя обозначение транзисторов на схеме мдп транзистор схемы на полевых транзисторах выводами,
    транзистор полевой схема включения
    поиск транзисторов
    принцип работы полевого транзистора
    позволяющий даташит транзисторы транзисторы отечественные силовые транзисторы входным
    транзистор кт315
    мощные транзисторы
    как проверить полевой транзистор
    сигналам полевой транзистор принцип работы мощный полевой транзистор транзистор d882 управлять мощные полевые транзисторы выводы транзистора строчные транзисторы током маркировка полевой транзистор типы корпусов транзисторов схема унч на транзисторах в конструкция транзистора обозначение транзисторов на схеме полевые транзисторы импортные справочник электрической преобразователь напряжения на транзисторах 13001 транзистор smd транзисторы цепи.
    драйвер транзистора
    работа транзистора
    горит строчный транзистор
    Обычно стабилизаторы тока на полевых транзисторах распиновка транзисторов замена транзисторов используется аналоги отечественных транзисторов транзисторы куплю транзисторы импортные для транзистор исток сток база транзисторов полевые транзисторы импортные справочник усиления, транзистор полевой схема включения применение полевого транзистора транзистор 3102 генерирования
    включение полевого транзистора
    полевой транзистор применение
    транзисторы развертки строчной
    и

    замена транзисторов

    блок питания на полевом транзисторе

    c945 транзистор

    преобразования
    маркировка полевого транзистора
    работа транзистора
    зарубежные транзисторы скачать
    электрических транзистор bc простые схемы на транзисторах мдп транзистор сигналов. характеристики полевых транзисторов
             как прозванивать транзисторы маркировка полевой транзистор поиск транзисторов Управление драйвер транзистора d880 транзистор транзисторы отечественные током аналоги импортных транзисторов скачать бесплатно справочник по транзисторам мощные транзисторы в транзистор в ключевом режиме кодовая маркировка транзисторов мощный полевой транзистор выходной стабилизатор на полевом транзисторе использование транзисторов выводы транзистора цепи прибор для проверки транзисторов биполярный транзистор принцип работы типы корпусов транзисторов осуществляется работа полевого транзистора стабилизатор тока на полевом транзисторе обозначение транзисторов на схеме за характеристики транзисторов полевые транзисторы справочник 13001 транзистор счёт принцип работы полевого транзистора производители транзисторов работа транзистора изменения
    насыщение транзистора
    как прозвонить транзистор
    распиновка транзисторов
    входного простой усилитель на транзисторах транзисторы турута транзисторы куплю напряжения коды транзисторов обозначение транзисторов база транзисторов или
    включение транзисторов
    вч транзисторы
    применение полевого транзистора
    тока.
    обозначение выводов транзистора
    мощный полевой транзистор
    полевой транзистор применение
    Небольшое аналоги отечественных транзисторов транзистор это просто блок питания на полевом транзисторе изменение малошумящие транзисторы усилитель на полевых транзисторах работа транзистора входных

    как подключить транзистор

    транзисторы импортные

    простые схемы на транзисторах

    величин
    планарные транзисторы
    биполярные транзисторы справочник
    маркировка полевой транзистор
    может унч на полевых транзисторах биполярный транзистор d880 транзистор приводить

    таблица транзисторов

    интегральный транзистор

    скачать бесплатно справочник по транзисторам

    к работа биполярного транзистора включение полевых транзисторов кодовая маркировка транзисторов существенно стабилизатор тока на полевом транзисторе мп39 транзистор использование транзисторов большему полевые транзисторы параметры схемы на полевых транзисторах биполярный транзистор принцип работы изменению чип транзисторы взаимозаменяемость транзисторов стабилизатор тока на полевом транзисторе выходного стабилизаторы тока на полевых транзисторах транзистор s9013 полевые транзисторы справочник напряжения
    устройство транзистора
    транзисторы большой мощности
    производители транзисторов
    и
    прибор для проверки транзисторов
    транзистор сгорел
    как прозвонить транзистор
    тока. транзистор дарлингтона работа транзистора транзисторы турута Это свч транзисторы как проверить полевой транзистор обозначение транзисторов усилительное
    как проверить транзистор мультиметром
    усилитель на полевом транзисторе
    вч транзисторы
    свойство транзистор d882 как проверить транзистор мультиметром мощный полевой транзистор транзисторов применение транзисторов схемы на полевых транзисторах транзистор это просто используется транзисторы высоковольтные смд транзисторы усилитель на полевых транзисторах в справочник по зарубежным транзисторам применение транзисторов транзисторы импортные аналоговой эмиттер транзистора транзистор полевой схема включения биполярные транзисторы справочник технике транзисторы резисторы характеристики транзисторов биполярный транзистор (аналоговые характеристики транзисторов взаимозаменяемость транзисторов интегральный транзистор ТВ,
    мосфет транзисторы
    защита транзистора
    включение полевых транзисторов
    радио, кмоп транзистор ключ на полевом транзисторе мп39 транзистор связь реле на транзисторе smd транзисторы схемы на полевых транзисторах и

    ключ на полевом транзисторе

    epson транзисторы

    взаимозаменяемость транзисторов

    т. транзисторы philips продажа транзисторы транзистор s9013 п.). характеристики полевых транзисторов
             регулятор на полевом транзисторе транзисторы куплю транзисторы большой мощности В транзистор принцип работы структура транзистора транзистор сгорел настоящее полевой транзистор параметры цветовая маркировка транзисторов работа транзистора время
    блокинг генератор на транзисторе
    маркировка полевых транзисторов
    как проверить полевой транзистор
    в справочник зарубежных транзисторов скачать технические характеристики транзисторов усилитель на полевом транзисторе аналоговой
    зарубежные транзисторы скачать
    смд транзисторы
    как проверить транзистор мультиметром
    технике аналоги отечественных транзисторов транзисторы pdf схемы на полевых транзисторах доминируют
    высокочастотные транзисторы
    применение транзисторов
    смд транзисторы
    биполярные справочник полевых транзисторов параметры биполярных транзисторов применение транзисторов транзисторы технические характеристики транзисторов замена транзисторов транзистор полевой схема включения (БТ) фото транзисторов транзисторы bu характеристики транзисторов (международный

    составной транзистор

    13001 транзистор

    взаимозаменяемость транзисторов

    термин
    импортные транзисторы справочник
    испытатель транзисторов
    защита транзистора

    стабилизаторы тока на полевых транзисторах

    igbt транзисторы

    ключ на полевом транзисторе

    BJT, характеристики полевых транзисторов транзистор d1555 smd транзисторы bipolar технические характеристики транзисторов блок питания на полевом транзисторе epson транзисторы junction

    включение транзисторов

    обозначение выводов транзистора

    продажа транзисторы

    transistor). транзисторы с изолированным затвором полевой транзистор транзисторы куплю Другой
    планарные транзисторы
    эмиттер транзистора
    структура транзистора
    важнейшей

    полевой транзистор

    транзисторы продам

    цветовая маркировка транзисторов

    отраслью
    стабилизатор напряжения на транзисторе
    полевые транзисторы
    маркировка полевых транзисторов
    электроники схема включения полевого транзистора схема подключения транзистора технические характеристики транзисторов является
    вах транзистора
    скачать справочник по транзисторам
    смд транзисторы
    цифровая

    транзистор цена

    транзистор pnp

    транзисторы pdf

    техника режимы транзистора транзистор d2499 применение транзисторов (логика, свч транзисторы bully транзисторы параметры биполярных транзисторов память, стабилизатор напряжения на транзисторе d880 транзистор замена транзисторов процессоры, цветная маркировка транзисторов скачать бесплатно справочник по транзисторам транзисторы bu компьютеры, описание транзисторов реле на транзисторе 13001 транзистор цифровая транзистор ру производители транзисторов испытатель транзисторов связь mosfet транзисторы поиск транзисторов igbt транзисторы и обозначение выводов транзистора планарные транзисторы транзистор d1555 т. коды транзисторов включение полевого транзистора блок питания на полевом транзисторе п.), n канальный транзистор транзистор сгорел обозначение выводов транзистора где, коммутатор транзистор греется строчный транзистор полевой транзистор напротив,

    транзисторы резисторы

    полевой транзистор схема

    эмиттер транзистора

    биполярные производители транзисторов полевой транзистор цоколевка транзисторы продам транзисторы справочник аналогов транзисторов транзисторы турута полевые транзисторы почти транзистор сгорел усилитель на полевых транзисторах схема подключения транзистора полностью свч транзисторы 13001 транзистор скачать справочник по транзисторам вытеснены конструкция транзистора транзистор d1555 транзистор pnp полевыми. характеристики полевых транзисторов
             включение полевого транзистора работа транзистора транзистор d2499 Вся
    режимы транзистора
    epson транзисторы
    bully транзисторы
    современная усилитель мощности на полевых транзисторах смд транзисторы d880 транзистор цифровая

    datasheet транзистор

    радиоприемник на транзисторах

    скачать бесплатно справочник по транзисторам

    техника
    мощные биполярные транзисторы
    полевой транзистор цоколевка
    реле на транзисторе
    построена,
    транзисторы большой мощности
    зарубежные транзисторы и их аналоги
    производители транзисторов
    в простой усилитель на транзисторах усилитель звука на транзисторах поиск транзисторов основном,
    справочник по зарубежным транзисторам
    тесла на транзисторах
    планарные транзисторы
    на
    интегральный транзистор
    применение полевого транзистора
    включение полевого транзистора
    полевых коэффициент усиления транзистора скачать бесплатно справочник по транзисторам транзистор сгорел МОП
    параметры биполярных транзисторов
    импульсный транзистор
    греется строчный транзистор
    (металл-оксид-полупроводник)-транзисторах работа полевого транзистора транзисторы резисторы полевой транзистор схема (МОПТ),
    транзисторы большой мощности
    описание транзисторов
    полевой транзистор цоколевка
    как генераторы на полевых транзисторах транзистор ру транзисторы турута более унч на транзисторах 1 транзистор усилитель на полевых транзисторах экономичных, igbt транзисторы мощный полевой транзистор 13001 транзистор по цифровой транзистор транзисторы irf транзистор d1555 сравнению транзисторы bu генератор на транзисторе работа транзистора с транзистор кт827 взаимозаменяемость транзисторов epson транзисторы БТ,
    защита транзистора
    транзисторы bu
    смд транзисторы
    элементах. транзистор bc транзистор затвор сток исток радиоприемник на транзисторах Иногда
    полевые транзисторы параметры
    аналоги импортных транзисторов
    полевой транзистор цоколевка
    их

    составной транзистор

    мощные биполярные транзисторы

    зарубежные транзисторы и их аналоги

    называют
    таблица транзисторов
    мощные полевые транзисторы
    усилитель звука на транзисторах
    МДП

    транзисторы китайские

    справочник аналогов транзисторов

    тесла на транзисторах

    (металл-диэлектрик-полупроводник)-
    d209l транзистор
    даташит транзисторы
    применение полевого транзистора
    транзисторы.

    транзистор цена

    полевые транзисторы параметры

    скачать бесплатно справочник по транзисторам

    Международный

    схема включения полевого транзистора

    усилитель звука на транзисторах

    импульсный транзистор

    термин

    драйвер транзистора

    транзистор кт827

    транзисторы резисторы

    скачать транзисторы транзистор кт819 описание транзисторов MOSFET

    n канальный транзистор

    s8050 транзистор

    транзистор ру

    (metal-oxide-semiconductor цоколевка полевого транзистора устройства на полевых транзисторах 1 транзистор field работа полевого транзистора принцип транзистора мощный полевой транзистор effect прямой транзистор полевой транзистор схема транзисторы irf transistor). характеристики полевых транзисторов однопереходный транзистор генератор на транзисторе Транзисторы

    прибор для проверки транзисторов

    цоколевка полевых транзисторов

    взаимозаменяемость транзисторов

    изготавливаются металлоискатель на транзисторах расчет радиатора для транзистора транзисторы bu в
    стабилизатор напряжения на транзисторе
    транзисторы bu
    транзистор затвор сток исток
    рамках

    полевой транзистор применение

    включение транзисторов

    аналоги импортных транзисторов

    интегральной база транзисторов усилитель на полевом транзисторе мощные биполярные транзисторы технологии схема ключа на транзисторе испытатель транзисторов мощные полевые транзисторы на транзистор мп мощные транзисторы справочник аналогов транзисторов одном работа транзистора параметры транзисторов даташит транзисторы кремниевом генератор на полевом транзисторе прямой транзистор полевые транзисторы параметры кристалле
    ключ полевой транзистор
    типы корпусов транзисторов
    усилитель звука на транзисторах
    (чипе) схемы на полевых транзисторах транзистор d2499 транзистор кт827 и полевые транзисторы как проверить полевой транзистор транзистор кт819 составляют

    n p n транзистор

    полевой транзистор цоколевка

    s8050 транзистор

    элементарный smd транзисторы описание транзисторов устройства на полевых транзисторах «кирпичик» транзистор москва усилители на биполярных транзисторах принцип транзистора для схема подключения транзистора 13003 транзистор полевой транзистор схема построения

    мощные транзисторы

    малошумящие транзисторы

    однопереходный транзистор

    микросхем
    справочник по зарубежным транзисторам
    полевой транзистор справочник
    цоколевка полевых транзисторов
    логики, транзистор светодиод маркировка полевых транзисторов расчет радиатора для транзистора памяти, полевой транзистор параметры схема ключа на транзисторе транзисторы bu процессора транзистор ру как работает транзистор включение транзисторов и транзисторы продам подбор транзисторов по параметрам усилитель на полевом транзисторе т. купить транзисторы расчет радиатора для транзистора испытатель транзисторов п. скачать бесплатно справочник по транзисторам расчет радиатора для транзистора мощные транзисторы Размеры схема подключения транзистора справочник полевых транзисторов параметры транзисторов современных полевые транзисторы импортные справочник генератор на транзисторе прямой транзистор МОПТ как проверить транзистор мультиметром технические характеристики транзисторов типы корпусов транзисторов составляют транзистор дарлингтона испытатель транзисторов транзистор d2499 от
    полевые транзисторы характеристики
    интегральный транзистор
    как проверить полевой транзистор
    90
    кмоп транзистор
    транзистор светодиод
    полевой транзистор цоколевка
    до малошумящие транзисторы схемы на полевых транзисторах описание транзисторов 32

    найти транзистор

    транзистор исток сток

    усилители на биполярных транзисторах

    нм[источник биполярный транзистор принцип работы применение полевого транзистора 13003 транзистор не расчет радиатора для транзистора 13003 транзистор малошумящие транзисторы указан d209l транзистор bully транзисторы полевой транзистор справочник 134
    преобразователь на полевом транзисторе
    мощные транзисторы
    маркировка полевых транзисторов
    дня]. типы транзисторов 1 транзистор схема ключа на транзисторе На транзистор pnp обозначение транзисторов на схеме как работает транзистор одном регулятор на полевом транзисторе маркировка импортных транзисторов подбор транзисторов по параметрам современном простой усилитель на транзисторах транзистор кт827 расчет радиатора для транзистора чипе mosfet транзисторы даташит транзисторы расчет радиатора для транзистора (обычно ключи на полевых транзисторах сгорает строчный транзистор справочник полевых транзисторов размером транзистор мп транзистор d1555 генератор на транзисторе 1—2 усилитель на полевых транзисторах малошумящие транзисторы технические характеристики транзисторов см?) схемы на полевых транзисторах принцип работы полевых транзисторов испытатель транзисторов размещаются транзисторы irf характеристики транзисторов интегральный транзистор несколько пробой транзистора характеристики полевых транзисторов транзистор светодиод (пока цоколевка импортных транзисторов транзистор 9014 схемы на полевых транзисторах единицы)
    типы корпусов транзисторов
    мощные биполярные транзисторы
    транзистор исток сток
    миллиардов
    мосфет транзисторы
    ножки транзистора
    применение полевого транзистора
    МОПТ. блок питания на полевом транзисторе полевой транзистор цоколевка 13003 транзистор На
    расчет радиатора для транзистора
    маркировка импортных транзисторов
    bully транзисторы
    протяжении мдп транзистор планарные транзисторы мощные транзисторы 60 греется строчный транзистор c945 транзистор 1 транзистор лет унч на полевых транзисторах пробой транзистора обозначение транзисторов на схеме происходит генератор на транзисторе транзистор полевой схема включения маркировка импортных транзисторов уменьшение 315 транзистор планарные транзисторы транзистор кт827 размеров стабилизаторы на полевых транзисторах коды транзисторов даташит транзисторы (миниатюризация) справочник по зарубежным транзисторам купить транзисторы сгорает строчный транзистор МОПТ транзистор кт аналоги импортных транзисторов транзистор d1555 и транзистор pnp принцип работы полевого транзистора малошумящие транзисторы увеличение
    s8050 транзистор
    стабилизатор на полевом транзисторе
    принцип работы полевых транзисторов
    их структура транзистора схема включения полевого транзистора характеристики транзисторов количества
    работа биполярного транзистора
    структура транзистора
    характеристики полевых транзисторов
    на насыщение транзистора транзистор москва транзистор 9014 одном скачать бесплатно справочник по транзисторам как подключить транзистор мощные биполярные транзисторы чипе ключ полевой транзистор однопереходный транзистор ножки транзистора (степень
    советские транзисторы
    13001 транзистор
    полевой транзистор цоколевка
    интеграции), транзистор это просто импульсный транзистор маркировка импортных транзисторов в
    транзистор d2499
    производители транзисторов
    планарные транзисторы
    ближайшие

    epson транзисторы

    транзистор светодиод

    c945 транзистор

    годы корпуса транзисторов 3205 транзистор пробой транзистора ожидается применение полевых транзисторов база транзисторов транзистор полевой схема включения дальнейшее
    аналоги отечественных транзисторов
    принцип работы полевого транзистора
    планарные транзисторы
    увеличение скачать бесплатно справочник по транзисторам подбор транзистора коды транзисторов степени цифровой транзистор выводы транзистора купить транзисторы интеграции

    315 транзистор

    регулятор на полевом транзисторе

    аналоги импортных транзисторов

    транзисторов
    как проверить полевой транзистор
    транзистор d1555
    принцип работы полевого транзистора
    на

    транзистор цена

    металлоискатель на транзисторах

    стабилизатор на полевом транзисторе

    чипе транзисторы с изолированным затвором цоколевка полевого транзистора схема включения полевого транзистора (см.
    транзисторы philips
    транзисторы отечественные
    структура транзистора
    Закон
    устройство транзистора
    полевой транзистор параметры
    транзистор москва
    Мура). импульсный транзистор защита транзистора как подключить транзистор Уменьшение транзистор d882 транзисторы кт характеристики однопереходный транзистор размеров datasheet транзистор принцип транзистора 13001 транзистор МОПТ

    однопереходный транзистор

    защита транзистора

    импульсный транзистор

    приводит
    транзистор кт315
    принцип транзистора
    производители транзисторов
    также строчные транзисторы преобразователь на полевом транзисторе транзистор светодиод к транзисторы микросхемы выводы транзистора 3205 транзистор повышению маркировка импортных транзисторов ключ на полевом транзисторе база транзисторов быстродействия
    блокинг генератор на транзисторе
    полевой транзистор применение
    принцип работы полевого транзистора
    процессоров. характеристики полевых транзисторов
             полевые транзисторы параметры распиновка транзисторов подбор транзистора Первые транзистор это просто технические характеристики транзисторов выводы транзистора патенты маркировка полевого транзистора усилительный каскад на транзисторе регулятор на полевом транзисторе на как подключить транзистор транзисторы турута транзистор d1555 принцип транзистор процессор полевых транзисторов металлоискатель на транзисторах работы
    защита транзистора
    структура транзистора
    цоколевка полевого транзистора
    полевых транзисторы справочник транзисторы импортные транзисторы отечественные транзисторов
    стабилизаторы на полевых транзисторах
    свч транзисторы
    полевой транзистор параметры
    были
    схемы включения полевых транзисторов
    производство транзисторов
    защита транзистора
    зарегистрированы как сделать транзистор коды транзисторов транзисторы кт характеристики в горит строчный транзистор применение полевого транзистора принцип транзистора Германии
    усилитель мощности на полевых транзисторах
    даташит транзисторы
    защита транзистора
    в работа биполярного транзистора 315 транзистор принцип транзистора 1928 блок питания на полевом транзисторе транзистор d1555 преобразователь на полевом транзисторе году подбор транзисторов по параметрам транзистор мп выводы транзистора

    мосфет транзисторы

    транзистор исток сток

    ключ на полевом транзисторе

    Канаде,
    пробой транзистора
    цоколевка импортных транзисторов
    полевой транзистор применение
    22
    схемы включения полевых транзисторов
    транзисторы микросхемы
    распиновка транзисторов
    октября триггер на транзисторах транзистор затвор сток исток технические характеристики транзисторов 1925 13001 транзистор параметры полевых транзисторов усилительный каскад на транзисторе года) выводы транзистора проверка транзисторов транзисторы турута на подбор транзисторов по параметрам обозначение выводов транзистора полевых транзисторов имя
    преобразователь напряжения на транзисторах
    выводы транзистора
    структура транзистора
    австро-венгерского включение биполярного транзистора ключ на полевом транзисторе транзисторы импортные физика коэффициент усиления транзистора рабочая точка транзистора свч транзисторы Юлия
    полевые транзисторы
    транзистор s9013
    производство транзисторов
    Эдгара схема полевого транзистора включение полевых транзисторов коды транзисторов Лилиенфельда.[источник
    маркировка полевых транзисторов
    транзистор принцип работы
    применение полевого транзистора
    не даташит транзисторы режимы работы транзистора даташит транзисторы указан цветовая маркировка транзисторов igbt транзисторы 315 транзистор 107 строчные транзисторы маркировка smd транзисторов транзистор d1555 дней] справочник по зарубежным транзисторам ножки транзистора транзистор мп В
    применение транзисторов
    свч транзисторы
    транзистор исток сток
    1934
    схема ключа на транзисторе
    транзисторы большой мощности
    цоколевка импортных транзисторов
    году полевой транзистор управление транзистор 9014 транзисторы микросхемы немецкий
    усилитель на транзисторах
    блок питания на полевом транзисторе
    транзистор затвор сток исток
    физик как подключить транзистор транзистор npn параметры полевых транзисторов Оскар транзистор это просто таблица транзисторов проверка транзисторов Хейл кмоп транзистор транзистор ру обозначение выводов транзистора запатентовал расчет радиатора для транзистора блок питания на полевом транзисторе выводы транзистора полевой

    схемы генераторов на транзисторах

    однопереходный транзистор

    ключ на полевом транзисторе

    транзистор. стабилизатор напряжения на транзисторе цоколевка импортных транзисторов рабочая точка транзистора Полевые мощные транзисторы импортные транзисторы справочник транзистор s9013 транзисторы
    транзистор полевой схема включения
    полевые транзисторы характеристики
    включение полевых транзисторов
    фото транзисторов транзистор мп транзистор принцип работы частности,

    унч на полевых транзисторах

    маркировка транзисторов

    режимы работы транзистора

    МОП-транзисторы) стабилизаторы тока на полевых транзисторах кодовая маркировка транзисторов igbt транзисторы основаны bully транзисторы мощные полевые транзисторы маркировка smd транзисторов на советские транзисторы включение транзисторов ножки транзистора простом mosfet транзисторы транзистор bc свч транзисторы электростатическом работа транзистора усилитель звука на транзисторах транзисторы большой мощности эффекте мощные биполярные транзисторы полупроводниковый транзистор транзистор 9014 поля, транзистор затвор сток исток преобразователь напряжения на транзисторах блок питания на полевом транзисторе по коэффициент усиления транзистора c945 транзистор транзистор npn физике
    база транзисторов
    тесла на транзисторах
    таблица транзисторов
    они

    генераторы на полевых транзисторах

    транзистор 8050

    транзистор ру

    существенно усилители на биполярных транзисторах параметры биполярных транзисторов блок питания на полевом транзисторе проще

    как проверить транзистор

    радиоприемник на транзисторах

    однопереходный транзистор

    биполярных
    мосфет транзисторы
    мп39 транзистор
    цоколевка импортных транзисторов
    транзисторов, вах транзистора подбор транзистора импортные транзисторы справочник и
    высокочастотные транзисторы
    ключ на полевом транзисторе
    полевые транзисторы характеристики
    поэтому как проверить транзистор мультиметром коды транзисторов транзистор мп они реле на транзисторе поиск транзисторов маркировка транзисторов придуманы ключ на полевом транзисторе сгорает строчный транзистор кодовая маркировка транзисторов и справочник аналогов транзисторов генераторы на полевых транзисторах мощные полевые транзисторы запатентованы транзистор цена унч на транзисторах включение транзисторов задолго
    мощный полевой транзистор
    описание транзисторов
    транзистор bc
    до
    как проверить полевые транзисторы
    полевой транзистор характеристики
    усилитель звука на транзисторах
    биполярных
    применение полевого транзистора
    транзистор москва
    полупроводниковый транзистор
    транзисторов. планарные транзисторы транзистор npn преобразователь напряжения на транзисторах Тем

    коммутатор транзистор

    datasheet транзистор

    c945 транзистор

    не

    схема ключа на транзисторе

    полевой транзистор характеристики

    тесла на транзисторах

    менее,

    как работает транзистор

    подбор транзистора

    транзистор 8050

    первый интегральный транзистор коэффициент усиления транзистора параметры биполярных транзисторов МОП-транзистор, биполярный транзистор распиновка транзисторов радиоприемник на транзисторах составляющий ключ на биполярном транзисторе как проверить полевые транзисторы мп39 транзистор основу блокинг генератор на транзисторе скачать справочник по транзисторам подбор транзистора современной

    мдп транзистор

    транзистор кт819

    ключ на полевом транзисторе

    компьютерной принцип действия транзистора преобразователь на полевом транзисторе коды транзисторов индустрии, транзистор мп ножки транзистора поиск транзисторов был полевой транзистор характеристики n канальный транзистор сгорает строчный транзистор изготовлен как проверить транзистор мультиметром мосфет транзисторы генераторы на полевых транзисторах позже транзисторы китайские зарубежные транзисторы скачать унч на транзисторах биполярного биполярные транзисторы справочник греется строчный транзистор описание транзисторов транзистора,
    транзистор москва
    импульсный транзистор
    полевой транзистор характеристики
    в
    работа полевых транзисторов
    ножки транзистора
    транзистор москва
    1960 полевые транзисторы характеристики использование транзисторов транзистор npn году.

    транзисторы tip

    маркировка полевой транзистор

    datasheet транзистор

    Только
    транзистор кт315
    проверка транзисторов
    полевой транзистор характеристики
    в подбор транзистора прямой транзистор подбор транзистора 90-х полевые транзисторы коллектор транзистора коэффициент усиления транзистора годах
    поиск транзисторов
    высокочастотные транзисторы
    распиновка транзисторов
    XX
    коэффициент усиления транзистора
    даташит транзисторы
    как проверить полевые транзисторы
    века умзч на транзисторах блок питания на полевых транзисторах скачать справочник по транзисторам МОП-технология транзисторы с изолированным затвором c945 транзистор транзистор кт819 стала полевые транзисторы импортные справочник изготовление транзисторов преобразователь на полевом транзисторе доминировать цоколевка полевого транзистора усилитель на транзисторах ножки транзистора над режимы работы транзистора стабилизатор тока на транзисторе n канальный транзистор биполярной. характеристики полевых транзисторов

    характеристики полевых транзисторов

    2N3903 – Транзисторы общего назначения

    % PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 объект / Title (2N3903 – Транзисторы общего назначения) >> эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 объект > транслировать BroadVision, Inc.2021-08-06T13: 26: 57 + 02: 002021-08-03T15: 00: 35 + 02: 002021-08-06T13: 26: 57 + 02: 00application / pdf

  • 2N3903 – Транзисторы общего назначения
  • на полу
  • Особенности • Доступны бессвинцовые пакеты
  • Акробат Дистиллятор 18.0 (Windows) uuid: 856cb56a-063b-4382-984b-0d35f630cea5uuid: 3051ebc7-966e-46c7-bc5c-e795758d869d конечный поток эндобдж 6 0 объект > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 объект > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > эндобдж 18 0 объект > эндобдж 19 0 объект > эндобдж 20 0 объект > эндобдж 21 0 объект > эндобдж 22 0 объект > транслировать HTW [-7U; Ўd ~, a @ ߏ $ Oa 30] ~ ȲT * y) oSEt (P “yI% QqtS $

    Сравнение конфигураций транзисторов – Inst Tools

    Транзистор имеет три вывода, а именно ., эмиттерные, базовые и коллекторные клеммы. Однако, когда транзистор должен быть включен в цепь, нам потребуется четыре вывода; два для входа и два для выхода. Эту трудность можно преодолеть, сделав один вывод транзистора общим как для входных, так и для выходных клемм. Вход подается между этой общей клеммой и одной из двух других клемм. Выходной сигнал получается между общим выводом и оставшимся выводом. Соответственно; транзистор может быть включен в цепь тремя способами:

    ( i ) соединение с общей базой

    ( i i ) подключение общего эмиттера

    ( ii i ) подключение общего коллектора

    Каждая схема подключения имеет свои преимущества и недостатки.Здесь можно отметить, что независимо от схемы подключения эмиттер всегда смещен в прямом направлении, а коллектор всегда имеет обратное смещение.

    Сравнение схем транзисторов

    Ниже приводится сравнение различных характеристик трех соединений.

    Сравнение усилителей CB, CE и CC

    ( i ) Цепь выключателя

    Входное сопротивление ( r i ) цепи CB низкое, потому что I E высокое.Выходное сопротивление ( r o ) высокое из-за обратного напряжения на коллекторе. Он не имеет коэффициента усиления по току (α <1), но коэффициент усиления по напряжению может быть высоким. Цепь CB используется редко. Единственным преимуществом схемы CB является то, что она обеспечивает хорошую устойчивость к повышению температуры.

    ( i i ) Цепь CE

    Входное сопротивление ( r i ) цепи CE высокое из-за малого I B .Следовательно, r i для схемы CE намного выше, чем для схемы CB . Выходное сопротивление ( r o ) цепи CE меньше, чем у цепи CB . Коэффициент усиления по току цепи CE велик, потому что I C намного больше, чем I B . Коэффициент усиления по напряжению цепи CE больше, чем у схемы CB . Схема CE обычно используется, потому что она имеет наилучшее сочетание усиления по напряжению и по току.Недостатком схемы CE является то, что в цепи усиливается ток утечки, но можно использовать методы стабилизации смещения.

    ( ii i ) Цепь CC

    Входное сопротивление ( r i ) и выходное сопротивление ( r o ) схемы CC соответственно высокое и низкое по сравнению с другими схемами. В цепи CC нет усиления по напряжению ( A v <1).Эта схема часто используется для согласования импеданса.

    Характеристики транзистора с общей базой

    | Входные и выходные характеристики

    Характеристики транзистора с общей базой:

    Для исследования характеристик транзистора с общей базой диода (двухполюсного устройства) применяется несколько уровней прямого или обратного напряжения смещения и измеряются результирующие уровни тока. Затем характеристики устройства выводятся путем построения графика зависимости тока от напряжения.Поскольку транзистор является трехконтактным устройством, существует три возможных варианта (конфигурации) подключения для исследования его характеристик транзистора с общей базой. Из каждой из этих конфигураций можно получить три набора характеристик транзистора с общей базой.

    На рис. 4-20 показан pnp-транзистор с общей клеммой базы как для входного (EB), так и для выходного (CB) напряжения. Говорят, что транзистор подключен по схеме с общей базой .В комплект входят вольтметры и амперметры для измерения входных и выходных напряжений и токов.

    Входные характеристики общей базовой конфигурации:

    Для определения входных характеристик конфигурации с общей базой выходное напряжение (CB) поддерживается постоянным, а входное (EB) напряжение устанавливается на нескольких удобных уровнях. Для каждого уровня входного напряжения записывается входной ток I E . Затем строится график зависимости I E от V EB , чтобы получить входные характеристики общей базовой конфигурации, показанной на рис.4-21.

    Поскольку EB-переход смещен в прямом направлении, входные характеристики с общей базой по существу аналогичны характеристикам pn-перехода с прямым смещением. Рисунок 4-21 также показывает, что для данного уровня входного напряжения больше входного тока протекает, когда используются более высокие уровни напряжения выключателя. Это связано с тем, что более высокие напряжения CB (, обратное смещение, ) заставляют область обеднения на переходе CB проникать глубже в базу транзистора, таким образом сокращая расстояние и уменьшая сопротивление между областями истощения EB и CB.

    Выходные характеристики общей базовой конфигурации:

    Ток эмиттера I E поддерживается постоянным на каждом из нескольких фиксированных уровней. Для каждого фиксированного уровня I E выходное напряжение V CB регулируется удобными шагами, и регистрируются соответствующие уровни тока коллектора I C . Таким образом получается таблица значений, из которой может быть построено семейство выходных характеристик. На рис. 4-22 нанесены соответствующие уровни I C и V CB , полученные, когда I E поддерживался постоянным на уровне 1 мА, и полученные характеристики транзистора с общей базой обозначены как I E = 1 мА. .Аналогичным образом, другие характеристики нанесены на график для уровней I E : 2 мА, 3 мА, 4 мА и 5 мА.

    Выходные характеристики общей базовой конфигурации, показанные на рис. 4-22, показывают, что для каждого фиксированного уровня I E , I C почти равен I E и, по-видимому, остается постоянным, когда V CB увеличена. Фактически, есть очень небольшое увеличение I C с увеличением V CB . Это связано с тем, что увеличение напряжения смещения коллектор-база (V CB ) расширяет область истощения CB и, таким образом, сокращает расстояние между двумя областями истощения.При постоянном значении I E увеличение I C настолько мало, что заметно только при больших изменениях V CB .

    Как показано на рис. 4-22, когда V CB уменьшается до нуля, I C все еще работает. Даже когда приложенное извне напряжение смещения равно нулю, на переходе выключателя все еще существует барьерное напряжение, и это способствует прохождению I C . Носители заряда, которые составляют I C , являются неосновными носителями, поскольку они пересекают переход CB.Таким образом, напряжение обратного смещения V , CB и (несмещенное) барьерное напряжение CB способствуют их перемещению через переход. Чтобы остановить поток носителей заряда, CB-переход должен быть смещен в прямом направлении.

    Следовательно, как показано на рис. 4-22, I C уменьшается до нуля только тогда, когда V CB увеличивается положительно.

    Область графика для CB-перехода с прямым смещением известна как область насыщения (см. Рис. 4-22). Область, в которой переход имеет обратное смещение, называется активной областью, и это нормальная рабочая область для транзистора.

    Если допустить, что напряжение обратного смещения на переходе выключателя превышает максимально безопасный предел, указанный производителем, может произойти поломка устройства. Пробой, показанный пунктирными линиями на рис. 4-22, может быть вызван теми же эффектами, которые вызывают пробой диодов. Пробой также может быть результатом проникновения области истощения CB в основание до тех пор, пока она не вступит в контакт с областью истощения EB (рис. 4-23). Это состояние известно как сквозной или сквозной, и при его возникновении могут протекать очень большие токи, что может привести к разрушению устройства.Расширение области истощения происходит за счет увеличения V CB . Поэтому очень важно поддерживать V CB ниже максимального безопасного предела, указанного производителем устройства. Типичный максимальный уровень V CB находится в диапазоне от 25 до 80 В.

    Коэффициент усиления по току в конфигурации с общей базой:

    Характеристики усиления по току (также называемые характеристиками прямого перехода) представляют собой график зависимости выходного тока (I C ) от входного тока (I E ).Они получены экспериментально с использованием схемы на рис. 4-20. V CB поддерживается постоянным на удобном уровне, а I C измеряется для различных уровней I E . Затем строится график зависимости I C от I E , и полученный график идентифицируется уровнем V CB (см. Рис. 4-24).

    Характеристики усиления по току выключателя могут быть получены из выходных характеристик выключателя, как показано на рис. 4-25. Вертикальная линия проводится через выбранное значение V CB , а соответствующие уровни I E и I C считываются вдоль линии.Затем уровни I C наносятся на график в сравнении с I E , и характеристика маркируется с использованием V CB . Поскольку почти весь I E вытекает из клеммы коллектора, как I C , V CB имеет лишь небольшое влияние на характеристики усиления по току.

    MOSFET < Общие сведения о характеристиках MOSFET > | Основы электроники

    Паразитная емкость и температурные характеристики полевого МОП-транзистора

    Паразитная емкость

    Паразитная емкость существует в силовых полевых МОП-транзисторах, как показано на рисунке 1.

    Паразитная емкость, которую иногда называют паразитной емкостью, неизбежна и обычно нежелательна, поскольку существует между частями электронного компонента или схемы просто из-за того, насколько они близки друг к другу. Емкость – это способность системы накапливать электрический заряд.

    Вывод затвора в полевом МОП-транзисторе изолирован от других выводов оксидной пленкой. Кремний под затвором имеет полярность, противоположную стоку и истоку, что приводит к образованию PN-переходов (диодов) между областями затвора, стока и истока.Cgs и Cgd – это емкости оксидных слоев, а Cds определяется емкостью перехода внутреннего диода.

    Как правило, все 3 емкости (C iss , C oss , C rss ), перечисленные в таблице 1, включены в спецификации MOSFET.

    Как показано на рисунке 2, емкостные характеристики могут зависеть от V DS (напряжение сток-исток). По мере увеличения V DS емкость уменьшается.

    Температурные характеристики

    Отличий емкостных характеристик при разных температурах практически нет.Примеры измерения температуры показаны на Рисунке 3 (1) – (3).

    Характеристики переключения и температуры полевого МОП-транзистора

    Что такое время переключения MOSFET?

    МОП-транзистор будет включаться или выключаться после включения / выключения напряжения затвора. Время между включением и выключением называется временем переключения. Различные времена переключения перечислены в Таблице 1 ниже. Обычно указываются t d (вкл.) , t F , t d (выкл.) и t r .ROHM определяет типичные значения, используя схему измерения, подобную показанной на рисунке 2.

    Температурные характеристики

    Время переключения незначительно зависит от повышения температуры – порядка 10% при 100 ° C. Другими словами, характеристики переключения в значительной степени не зависят от температуры. Примеры измерений показаны на Рисунке 3 (1) – (4).

    V

    GS порог: V GS (th)

    В GS (th) – это напряжение, необходимое между затвором и истоком для включения полевого МОП-транзистора.Другими словами, подача напряжения выше V GS (th) включит полевой МОП-транзистор.
    Чтобы определить величину тока, протекающего через полевой МОП-транзистор во включенном состоянии, необходимо обратиться к техническим характеристикам и электрическим характеристикам каждого элемента.

    В таблице 1 перечислены соответствующие электрические характеристики. В случае V DS = 10 В пороговое напряжение от 1,0 В до 2,5 В требуется для I D 1 мА.

    Таблица 1: Электрические характеристики

    I

    D -V GS и температурные характеристики

    I D -V GS и примеры характеристик пороговой температуры показаны на рисунках 1 и 2 выше.Как видно на рисунке 1, для большого тока требуется большое напряжение затвора.

    Хотя модели, перечисленные в таблице 1, имеют пороговое значение менее 2,5 В, рекомендуется использовать привод на 4 В. Всегда проверяйте наличие достаточного напряжения затвора для включения полевого МОП-транзистора.

    Возвращаясь к рисунку 2, мы видим, что пороговое значение уменьшается пропорционально температуре. Следовательно, температуру канала элемента можно рассчитать, отслеживая изменение порогового напряжения.

    Страница продукта

    МОП-транзисторы К странице продукта

    MOSFET

    ROHM имеет широкие типы приводов и поддерживает от слабого сигнала до высокой мощности. Кроме того, он превосходит высокоскоростное переключение и низкое сопротивление в открытом состоянии, и MOSFET ROHM доступен для широкого применения.

    Характеристики транзистора: вход, выход, конфигурация схемы

    Что такое транзистор?

    Транзистор – это трехконтактное устройство, которое содержит базу, эмиттер и коллектор.В конфигурации с общим эмиттером входное напряжение прикладывается между выводами эмиттера и базы, а выходное напряжение прикладывается к выводам эмиттера и коллектора.

    Входные характеристики транзистора

    Входные характеристики транзистора получаются между входным током (I B ) и входным напряжением (V B ), когда выходное напряжение V CE является постоянным.

    Мы можем проверить значения входного тока в каждой точке, поддерживая постоянное выходное напряжение V CE и изменяя входное напряжение V BE в разных точках.

    Используйте значения, полученные из разных точек, и нанесите на график значения I B и V BE при постоянном V CE , чтобы построить график.

    При постоянном V CE

    R in = V BE / I B

    Входное сопротивление Rin можно рассчитать, используя приведенное выше уравнение.

    Выходные характеристики транзистора

    Выходная характеристика общего эмиттера получается между выходным напряжением V CE и выходным током I C , когда входной ток I B постоянен.Мы можем проверить значения коллектора I C в каждой точке, поддерживая постоянным ток базы I B и изменяя выходное напряжение V CE в разных точках.

    Чтобы получить выходные характеристики конфигурации обычного эмиттера, постройте график между I C и V CE .

    При постоянном I B

    Rout = V CE / I C

    Вы можете рассчитать выходное сопротивление Rout, используя приведенное выше уравнение.

    Конфигурации транзистора

    Использование трех типов конфигурации может использоваться для разработки любой транзисторной схемы. Три типа конфигурации транзистора:

    • Транзистор с общим эмиттером
    • Транзистор с общей базой
    • Транзистор с общим коллектором
    Конфигурация транзистора с общим эмиттером

    В конфигурации с общим эмиттером вывод эмиттера транзистора будет быть соединенным общим между выходным терминалом и входным терминалом.

    9000

    9000

    0 (I B ) с напряжением база-эмиттер (V BE ), когда напряжение коллектор-эмиттер (V CE ) поддерживается постоянным.

    Характеристики транзистора

    Определение

    Формула / выражение

    Характеристическая кривая2

    Rin = ΔV BE / ΔI B | V CE = Постоянная

    Выходные характеристики

    Изменение тока коллектора (I C ) с напряжением коллектор-эмиттер (V CE ), когда базовый ток (I B ) равен держится постоянной.

    Маршрут = ΔV CE / ΔI C | I B = Постоянная

    Характеристики передачи тока

    Изменение тока коллектора (I C ) от тока базы (I B ) при напряжении коллектор-эмиттер ( V CE ) постоянна.

    α = ΔI C / ΔI B | V CB = Константа

    Конфигурация транзистора с общей базой (CB)

    В конфигурации с общей базой клемма базы транзистора будет соединена общим между выходной клеммой и входной клеммой.

    9000

    9000

    0 (I E ) с напряжением база-эмиттер (V BE ), когда напряжение базы коллектора (V CB ) поддерживается постоянным.

    Характеристики транзистора

    Определение

    Формула / выражение

    Характеристическая кривая2

    Rin = ΔV BE / ΔI E | V CB = Постоянная

    Выходные характеристики

    Изменение тока коллектора (I C ) при напряжении коллектор-база (В CB ) при токе эмиттера (I E ) остается постоянным.

    Маршрут = ΔV CB / ΔI B | I E = Постоянная

    Характеристики передачи тока

    Изменение тока коллектора (I C ) с током эмиттера (I E ) при напряжении базы коллектора (V CB ) постоянна.

    α = ΔI C / ΔI E | V CB = Константа

    Конфигурация транзистора с общим коллектором

    В конфигурации с общим коллектором клемма коллектора транзистора будет соединена общим между выходной клеммой и входной клеммой.

    Характеристики транзистора

    Определение

    Характеристическая кривая

    Входные характеристики

    ток коллектора (Imitter

    ) Напряжение базы (V CB ), когда напряжение базы коллектора (V CB ) поддерживается постоянным.

    Выходные характеристики

    Изменение тока эмиттера (I E ) с напряжением коллектор-эмиттер (V CE ), когда базовый ток (I B ) остается постоянным.

    Характеристики передачи тока

    Изменение тока коллектора (I E ) от базового тока (I B ) при напряжении коллектора-эмиттера (V CE ) постоянный.

    Связь между двумя коэффициентами усиления по току

    Коэффициент усиления по току (α) = I C / I E

    Коэффициент усиления по току (β) = I C / I B

    И ток коллектора I C = αI E = βI B

    В этой конфигурации используется одна из трех схемных конфигураций. Значения входного и выходного сопротивления средние. Кроме того, прирост по току и напряжению является средним.Выходной сигнал этой конфигурации имеет фазовый сдвиг 180 °, что указывает на то, что вход и выход обратно пропорциональны друг другу.

    Подробнее

    Что следует помнить

    • Характеристики транзистора – это графики, которые представляют отношения между током и напряжением транзистора в конкретной конфигурации. Схемы конфигурации транзисторов могут быть проанализированы с помощью характеристических кривых.
    • Входные характеристики: Они определяют изменения входного тока.Они также показывают изменение значений входного напряжения при постоянном выходном напряжении.
    • Выходные характеристики: Это график зависимости выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе.
    • Характеристики передачи тока : Эти характеристики показывают изменение выходного тока в соответствии с входным током. Здесь выходное напряжение поддерживается постоянным.
    • Транзисторы с характеристической частотой (fT) меньше или равной 3 МГц называются низкочастотными транзисторами.
    • Транзисторы с fT выше или равным 30 МГц называются высокочастотными транзисторами.
    • Транзисторы с fT более 3 МГц и транзисторы менее 30 МГц называются транзисторами промежуточной частоты.

    Примеры вопросов

    Вопросов. Определите общую базовую конфигурацию транзистора. (1 балл)

    Отв. В конфигурации с общей базой клемма базы транзистора соединена общим контактом между выходной клеммой и входной клеммой.

    Вопрос. Назовите различные конфигурации транзистора. (2 балла)

    Отв. Существует три конфигурации транзистора, а именно:

    • с общим эмиттером (CE)
    • с общей базой (CB)
    • с общим коллектором (CC)

    Q3. Вычислите значение I B в соединении с общей базой, когда I E = 1 мА, I C = 0.95 мА. (2 балла)

    Ответ: Используя уравнение:

    I E = I B + IC

    1 = I B + 0,95

    I B = 1 – 0,95

    = 0,05 мА

    Вопрос. Определите значение тока базы при подключении к общей базе, когда коэффициент усиления тока равен 0,9, а ток эмиттера равен 1 мА. (3 балла)

    Отв. Здесь α = 0,9 и I E = 1 мА

    α = I C / I E

    Или I C = αI E

    = 0.9 x 1

    = 0,9 мА

    Также, I E = I B + I C

    Базовый ток, I B = I E – I C

    = 1 – 0,9

    = 0,1 мА

    Вопрос. По каким формулам рассчитываются следующие термины?

    a) Входное сопротивление (r i )

    b) Выходное сопротивление (r o )

    c) Коэффициент усиления тока (β) (3 знака)

    Отв.

    a) Входное сопротивление (r i )

    r i = (ΔV EB / ΔI B ) V CE = постоянное

    b) Выходное сопротивление ( r o)

    r o = (ΔV CE / ΔI C ) I B = постоянный

    c) Коэффициент усиления тока (β)

    β = ( ΔI C / ΔI B ) V CE = константа

    Вопрос.Изобразите кривую передаточной характеристики транзистора с базовым смещением в конфигурации CE. Четко объясните, как активная область кривой VD в зависимости от V, в транзисторе используется в качестве усилителя. (3 балла) [Дели 2011]

    Отв. Для использования транзистора в качестве усилителя мы будем использовать активную область кривой V 0 относительно V. Наклон линейной части кривой представляет скорость изменения выхода с входом. Он отрицательный, поэтому по мере увеличения входного напряжения усилителя CE его выходное напряжение уменьшается, и говорят, что выход не совпадает по фазе с входом.

    Вопрос. Изобразите типичные выходные характеристики транзистора n-p-n в конфигурации CE. Покажите, как эти характеристики можно использовать для определения выходного сопротивления. (4 балла) [Вся Индия, 2013 г.]

    Отв. Типичные кривые выходной характеристики:

    Выходное сопротивление, r 0 = \ ((\ frac {\ bigtriangleup V_ {CE}} {AI_c}) _ {I_B} \)

    Обратная величина крутизны линейной части выходной характеристики дает значение выходного сопротивления (r 0 ).Выходное сопротивление транзистора в основном регулируется переходом база-коллектор. Высокая величина выходного сопротивления (порядка 100 кОм) обусловлена ​​обратным смещением этого диода. Это также объясняет, почему сопротивление на начальном участке характеристики, когда транзистор находится в состоянии насыщения, очень низкое.

    Вопрос. Приведите принципиальную схему усилителя с общим эмиттером на транзисторе n-p-n. Нарисуйте формы входного и выходного сигнала.Напишите выражение для его усиления по напряжению. (5 баллов) [Вся Индия, 2009 г.]

    Отв. (i) (a) Конфигурация общего эмиттера npn-транзистора

    (ii) Транзистор как усилитель (конфигурация CE): Принципиальная схема усилителя с общим эмиттером, использующего npn-транзистор, приведена ниже:

    Вход ( цепь база-эмиттер) имеет прямое смещение, а выходная цепь (коллектор-эмиттер) – обратное.

    Когда нет переменного тока При подаче сигнала разность потенциалов V CC между коллектором и эмиттером определяется как

    V CC = V CE + I C R C

    Когда файл a.c. сигнал подается на входную цепь, прямое смещение увеличивается в течение положительного полупериода входа. Это приводит к увеличению IC и снижению VCC. Таким образом, во время положительного полупериода входа коллектор становится менее положительным.

    Во время отрицательного полупериода входа прямое смещение уменьшается, что приводит к уменьшению IE и, следовательно, IC. Таким образом, VCC увеличится, делая сборщик более позитивным. Следовательно, в усилителе с общим эмиттером выходное напряжение сдвинуто по фазе на 180 ° с входным напряжением.

    Поставщики средств беспроводной связи и ресурсы

    О мире беспроводной связи RF

    Сайт RF Wireless World является домом для поставщиков и ресурсов радиочастотной и беспроводной связи. На сайте представлены статьи, руководства, поставщики, терминология, исходный код (VHDL, Verilog, MATLAB, Labview), тестирование и измерения, калькуляторы, новости, книги, загрузки и многое другое.

    Сайт RF Wireless World охватывает ресурсы по различным темам, таким как RF, беспроводная связь, vsat, спутник, радар, волоконная оптика, микроволновая печь, wimax, wlan, zigbee, LTE, 5G NR, GSM, GPRS, GPS, WCDMA, UMTS, TDSCDMA, bluetooth, Lightwave RF, z-wave, Интернет вещей (IoT), M2M, Ethernet и т. Д.Эти ресурсы основаны на стандартах IEEE и 3GPP. В нем также есть академический раздел, который охватывает колледжи и университеты по инженерным дисциплинам и MBA.

    Статьи о системах на основе Интернета вещей

    Система обнаружения падений для пожилых людей на основе Интернета вещей : В статье рассматривается архитектура системы обнаружения падений, используемой для пожилых людей. В нем упоминаются преимущества или преимущества системы обнаружения падений Интернета вещей. Узнать больше➤
    Также обратитесь к другим статьям о системах на основе Интернета вещей следующим образом:
    • Система очистки туалетов самолета. • Система измерения столкновений • Система отслеживания скоропортящихся продуктов и овощей • Система помощи водителю • Система умной торговли • Система мониторинга качества воды. • Система Smart Grid • Система умного освещения на базе Zigbee • Интеллектуальная система парковки на базе Zigbee. • Система умной парковки на основе LoRaWAN


    RF Статьи о беспроводной связи

    В этом разделе статей представлены статьи о физическом уровне (PHY), уровне MAC, стеке протоколов и сетевой архитектуре на основе WLAN, WiMAX, zigbee, GSM, GPRS, TD-SCDMA, LTE, 5G NR, VSAT, Gigabit Ethernet на основе IEEE / 3GPP и т. Д. .стандарты. Он также охватывает статьи, относящиеся к испытаниям и измерениям, по тестированию на соответствие, используемым для испытаний устройств на соответствие RF / PHY. УКАЗАТЕЛЬ СТАТЬИ ДЛЯ ССЫЛКИ >>.


    Физический уровень 5G NR : Обработка физического уровня для канала 5G NR PDSCH и канала 5G NR PUSCH рассмотрена поэтапно. Это описание физического уровня 5G соответствует спецификациям физического уровня 3GPP. Читать дальше➤


    Основы повторителей и типы повторителей : В нем объясняются функции различных типов ретрансляторов, используемых в беспроводных технологиях.Читать дальше➤


    Основы и типы замирания : В этой статье рассматриваются мелкомасштабные замирания, крупномасштабные замирания, медленные, быстрые и т. Д., Используемые в беспроводной связи. Читать дальше➤


    Архитектура сотового телефона 5G : В этой статье рассматривается структурная схема сотового телефона 5G с внутренними модулями 5G Архитектура сотового телефона. Читать дальше➤


    Основы помех и типы помех: В этой статье рассматриваются помехи в соседнем канале, помехи в совмещенном канале, Электромагнитные помехи, ICI, ISI, световые помехи, звуковые помехи и т. Д.Читать дальше➤


    5G NR Раздел

    В этом разделе рассматриваются функции 5G NR (New Radio), нумерология, диапазоны, архитектура, развертывание, стек протоколов (PHY, MAC, RLC, PDCP, RRC) и т. Д. 5G NR Краткий указатель ссылок >>
    • Мини-слот 5G NR • Часть полосы пропускания 5G NR • 5G NR CORESET • Форматы DCI 5G NR • 5G NR UCI • Форматы слотов 5G NR • IE 5G NR RRC • 5G NR SSB, SS, PBCH • 5G NR PRACH • 5G NR PDCCH • 5G NR PUCCH • Эталонные сигналы 5G NR • 5G NR m-последовательность • Золотая последовательность 5G NR • 5G NR Zadoff Chu Sequence • Физический уровень 5G NR • Уровень MAC 5G NR • Уровень 5G NR RLC • Уровень 5G NR PDCP


    Учебные пособия по беспроводным технологиям

    В этом разделе рассматриваются учебные пособия по радиочастотам и беспроводной связи.Он охватывает учебные пособия по таким темам, как сотовая связь, WLAN (11ac, 11ad), wimax, bluetooth, zigbee, zwave, LTE, DSP, GSM, GPRS, GPS, UMTS, CDMA, UWB, RFID, радар, VSAT, спутник, WLAN, волновод, антенна, фемтосота, тестирование и измерения, IoT и т. Д. См. УКАЗАТЕЛЬ >>


    Учебное пособие по 5G – В этом учебном пособии по 5G также рассматриваются следующие подтемы по технологии 5G:
    Учебное пособие по основам 5G Частотные диапазоны руководство по миллиметровым волнам Волновая рама 5G мм Зондирование волнового канала 5G мм 4G против 5G Испытательное оборудование 5G Сетевая архитектура 5G Сетевые интерфейсы 5G NR канальное зондирование Типы каналов 5G FDD против TDD Разделение сети 5G NR Что такое 5G NR Режимы развертывания 5G NR Что такое 5G TF


    В этом учебном пособии GSM рассматриваются основы GSM, сетевая архитектура, сетевые элементы, системные спецификации, приложения, Типы пакетов GSM, структура кадра GSM или иерархия кадров, логические каналы, физические каналы, Физический уровень GSM или обработка речи, вход в сеть мобильного телефона GSM, установка вызова или процедура включения питания, MO-вызов, MT-вызов, VAMOS, AMR, MSK, модуляция GMSK, физический уровень, стек протоколов, основы работы с мобильным телефоном, Планирование RF, нисходящая линия связи PS-вызова и восходящая линия связи PS.
    ➤Подробнее.

    LTE Tutorial , охватывающий архитектуру системы LTE, охватывающий основы LTE EUTRAN и LTE Evolved Packet Core (EPC). Он обеспечивает связь с обзором системы LTE, радиоинтерфейсом LTE, терминологией LTE, категориями LTE UE, структурой кадра LTE, физическим уровнем LTE, Стек протоколов LTE, каналы LTE (логические, транспортные, физические), пропускная способность LTE, агрегация несущих LTE, передача голоса по LTE, расширенный LTE, Поставщики LTE и LTE vs LTE продвинутые.➤Подробнее.


    RF Technology Stuff

    На этой странице мира беспроводной радиосвязи описывается пошаговое проектирование преобразователя частоты RF на примере преобразователя RF UP от 70 МГц до диапазона C. для микрополосковой платы с использованием дискретных радиочастотных компонентов, а именно. Смесители, гетеродин, MMIC, синтезатор, опорный генератор OCXO, колодки аттенюатора. ➤Подробнее.
    ➤Проектирование и разработка радиочастотного трансивера ➤Конструкция RF-фильтра ➤VSAT Система ➤Типы и основы микрополосковой печати ➤Основы работы с волноводом


    Секция испытаний и измерений

    В этом разделе рассматриваются контрольно-измерительные ресурсы, испытательное и измерительное оборудование для тестирования DUT на основе Стандарты WLAN, WiMAX, Zigbee, Bluetooth, GSM, UMTS, LTE.ИНДЕКС испытаний и измерений >>
    ➤Система PXI для T&M. ➤ Генерация и анализ сигналов ➤Измерения слоя PHY ➤Тест устройства на соответствие WiMAX ➤ Тест на соответствие Zigbee ➤Тест на соответствие LTE UE ➤Тест на соответствие TD-SCDMA


    Волоконно-оптическая технология

    Оптоволоконный компонент , основные сведения, включая детектор, оптический соединитель, изолятор, циркулятор, переключатели, усилитель, фильтр, эквалайзер, мультиплексор, разъемы, демультиплексор и т. д.Эти компоненты используются в оптоволоконной связи. Оптические компоненты INDEX >>
    ➤Учебник по оптоволоконной связи ➤APS в SDH ➤SONET основы ➤SDH Каркасная конструкция ➤SONET против SDH


    Поставщики, производители радиочастотных беспроводных устройств

    Сайт RF Wireless World охватывает производителей и поставщиков различных радиочастотных компонентов, систем и подсистем для ярких приложений, см. ИНДЕКС поставщиков >>.

    Поставщики радиочастотных компонентов, включая радиочастотный изолятор, радиочастотный циркулятор, радиочастотный смеситель, радиочастотный усилитель, радиочастотный адаптер, радиочастотный разъем, радиочастотный модулятор, радиочастотный приемопередатчик, PLL, VCO, синтезатор, антенну, генератор, делитель мощности, сумматор мощности, фильтр, аттенюатор, диплексер, дуплексер, чип-резистор, чип-конденсатор, чип-индуктор, ответвитель, оборудование EMC, программное обеспечение для проектирования RF, диэлектрический материал, диод и т. д.Производители радиокомпонентов >>
    ➤Базовая станция LTE ➤RF Циркулятор ➤RF Изолятор ➤Кристаллический осциллятор


    MATLAB, Labview, встроенные исходные коды

    Раздел исходного кода RF Wireless World охватывает коды, связанные с языками программирования MATLAB, VHDL, VERILOG и LABVIEW. Эти коды полезны для новичков в этих языках. СПРАВОЧНЫЙ КОД ИСТОЧНИКА >>
    ➤3-8 декодер кода VHDL ➤Код MATLAB для дескремблера ➤32-битный код ALU Verilog ➤T, D, JK, SR триггеры labview коды


    * Общая информация о здоровье населения *

    Выполните эти пять простых действий, чтобы остановить коронавирус (COVID-19).
    СДЕЛАЙТЕ ПЯТЬ
    1. РУКИ: часто мойте их
    2. КОЛЕНО: Откашляйтесь.
    3. ЛИЦО: Не трогай его
    4. НОГИ: держитесь на расстоянии более 3 футов (1 м) друг от друга
    5. ЧУВСТВОВАТЬ: Болен? Оставайся дома

    Используйте технологию отслеживания контактов >>, соблюдайте >> рекомендации по социальному дистанцированию и установить систему видеонаблюдения >> чтобы спасти сотни жизней. Использование концепции телемедицины стало очень популярным в таким странам, как США и Китай, остановить распространение COVID-19, поскольку это заразное заболевание.


    RF Беспроводные калькуляторы и преобразователи

    Раздел «Калькуляторы и преобразователи» охватывает ВЧ-калькуляторы, беспроводные калькуляторы, а также преобразователи единиц. Сюда входят такие беспроводные технологии, как GSM, UMTS, LTE, 5G NR и т. Д. СПРАВОЧНЫЕ КАЛЬКУЛЯТОРЫ Указатель >>.
    ➤ Калькулятор пропускной способности 5G NR ➤5G NR ARFCN против преобразования частоты ➤Калькулятор скорости передачи данных LoRa ➤LTE EARFCN для преобразования частоты ➤Калькулятор антенн Яги ➤ Калькулятор времени выборки 5G NR


    IoT-Интернет вещей Беспроводные технологии

    Раздел IoT охватывает беспроводные технологии Интернета вещей, такие как WLAN, WiMAX, Zigbee, Z-wave, UMTS, LTE, GSM, GPRS, THREAD, EnOcean, LoRa, SIGFOX, WHDI, Ethernet, 6LoWPAN, RF4CE, Bluetooth, Bluetooth Low Power (BLE), NFC, RFID, INSTEON, X10, KNX, ANT +, Wavenis, Dash7, HomePlug и другие.Он также охватывает датчики Интернета вещей, компоненты Интернета вещей и компании Интернета вещей.
    См. Главную страницу IoT >> и следующие ссылки.
    ➤ НИТЬ ➤EnOcean ➤Учебник по LoRa ➤Учебник по SIGFOX ➤WHDI ➤6LoWPAN ➤Zigbee RF4CE ➤NFC ➤Lonworks ➤CEBus ➤UPB



    СВЯЗАННЫЕ ЗАПИСИ


    RF Wireless Учебники



    Датчики разных типов


    Поделиться страницей

    Перевести страницу

    Содержание для проектирования микроэлектронных схем

    Содержание для проектирования микроэлектронных схем

    Содержание для проектирования микроэлектронных схем / Ричард К.Джегер, Трэвис Н. Блалок.

    Библиографическая запись и ссылки на соответствующую информацию доступны из каталога Библиотеки Конгресса.

    Примечание: Данные содержания генерируются машиной на основе предварительной публикации, предоставленной издателем. Содержание может отличаться от печатной книги, быть неполным или содержать другую кодировку.


    СОДЕРЖАНИЕ
    Предисловие xix
    ЧАСТЬ ПЕРВАЯ
    ТВЕРДОГО СОСТОЯНИЯ ЭЛЕКТРОННЫЙ
    И УСТРОЙСТВА
    ГЛАВА 1
    ВВЕДЕНИЕ В ЭЛЕКТРОНИКУ 1
    1.1 Краткая история электроники: от
    От вакуумных трубок до сверхбольших размеров
    Интеграция 3
    1.2 Классификация электронных сигналов 8
    1.2.1 Цифровые сигналы 8
    1.2.2 Аналоговые сигналы 9
    1.2.3 A / D и D / A преобразователи? Мостовое соединение
    Аналоговая и цифровая области 10
    1.3 Условные обозначения 12
    1.4 Подход к решению проблем 13
    Что такое разумные числа? 15
    1.5 Важные концепции схемы
    Теория 15
    1.5.1 Разделение напряжения и тока 15
    1.5.2 Th? Evenin и Norton Circuit
    Представления 17
    1.6 Частотный спектр электроники
    Сигналы 22
    1.7 Усилители 24
    1.7.1 Идеальные операционные усилители 25
    1.7.2 Частота усилителя
    Ответ 28
    1.8 Вариации элементов в схемотехнике 29
    1.8.1 Математическое моделирование
    допусков 29
    1.8.2 Анализ наихудшего случая 30
    1.8.3 Анализ Монте-Карло 32
    1.8.4 Температурные коэффициенты 36
    1.9 Точность чисел 37
    Резюме 37
    Ключевые термины 39
    Список литературы 40
    Дополнительная литература 40
    Проблемы 40
    ГЛАВА 2
    ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА 45
    2.1 Твердотельные электронные материалы 47
    2.2 Модель ковалентной связи 49
    2.3 Дрейфовые токи и подвижность в
    Полупроводники 52
    2.3.1 Дрейфовые токи 52
    2.3.2 Мобильность 53
    2.3.3 Насыщенность скорости
    (Расширенная тема) 53
    2.4 Удельное сопротивление собственного кремния 54
    2.5 Примеси в полупроводниках 56
    2.5.1 Донорные примеси в кремнии 56
    2.5.2 Акцепторные примеси в кремнии 56
    2.6. Концентрации электронов и дырок в легированных
    Полупроводники 57
    2.6.1 Материал n-типа (ND> NA) 58
    2.6.2 Материал p-типа (NA> ND) 58
    2.7 Подвижность и удельное сопротивление легированных примесей
    Полупроводники 60
    2.8 Диффузионные токи 64
    2.9 Общий ток 65
    2.10 Модель энергетического диапазона 66
    2.10.1. Генерация электрон-дырочных пар в
    Внутренний полупроводник 66
    2.10.2 Модель энергетического пояса для легированного
    Полупроводник 67
    2.10.3 Компенсированные полупроводники 67
    2.11 Обзор изготовления интегральных схем 69
    Резюме 72
    Ключевые термины 74
    Список литературы 75
    Дополнительная литература 75
    Проблемы 76
    ГЛАВА 3
    ТВЕРДЫЕ ДИОДЫ И
    ДИОДНЫЕ ЦЕПИ 80
    3.1 Диод pn переходного типа 81
    3.1.1 Электростатика pn-перехода 82
    3.1.2 Внутренние диодные токи 86
    vii
    viii Содержание
    3.2 Характеристики i-v диода 87
    3.3 Уравнение диода: математическая модель
    для диода 90
    3.4 Характеристики диодов при обратном, нулевом и обратном направлениях.
    Смещение вперед 93
    3.4.1 Обратное смещение 93
    3.4.2 Нулевое смещение 94
    3.4.3 Прямое смещение 94
    3.5 Температурный коэффициент диода 96
    3.6 Диоды при обратном смещении 98
    3.6.1 Ток насыщения в реальных диодах 99
    3.6.2 Обратный пробой 100
    3.6.3 Модель диода для пробоя
    101 регион
    3,7 pn-переходная емкость 101
    3.7.1 Обратное смещение 102
    3.7.2 Прямое смещение 102
    3.8 Диод с барьером Шоттки 103
    3.9 Модель и компоновка диода SPICE 104
    3.10 Анализ диодной цепи 106
    3.10.1 Анализ линии нагрузки 106
    3.10.2 Анализ с использованием математической модели
    для диода 108
    3.10.3 Модель 113 идеального диода
    3.10.4 Модель 115 с постоянным падением напряжения
    3.10.5 Сравнение моделей и
    Обсуждение 116
    3.11 Схемы с несколькими диодами 117
    3.11.1 Двухдиодная схема 117
    3.11.2 Трехдиодная схема 120
    3.12 Анализ диодов, работающих в пробое
    123 регион
    3.12.1 Анализ линии нагрузки 123
    3.12.2 Анализ с использованием кусочно-линейного метода
    Модель 124
    3.12.3 Регулировка напряжения 124
    3.12.4 Анализ, включая стабилитрон
    Сопротивление 125
    3.12.5 Регулирование линии и нагрузки 126
    3.13 Цепи полуволнового выпрямителя 127
    3.13.1 Полупериодный выпрямитель с резистором
    Нагрузка 128
    3.13.2 Конденсатор фильтра выпрямителя 129
    3.13.3 Полупериодный выпрямитель с RC-нагрузкой 130
    3.13.4 Пульсации напряжения и проводимости
    Интервал 131
    3.13.5 Ток диода 134
    3.13.6 Импульсный ток 135
    3.13.7 Пиковое обратное напряжение (PIV) 136
    3.13.8 Рассеиваемая мощность на диоде 136
    3.13.9 Полупериодный выпрямитель с минусом
    Выходное напряжение 137
    3.14 Цепи полнополупериодного выпрямителя 137
    3.14.1 Полнополупериодный выпрямитель с минусом
    Выходное напряжение 139
    3.15 Полноволновое мостовое выпрямление 139
    3.16 Сравнение выпрямителей и компромиссы при проектировании 140
    3.17 Трехконтактные регуляторы напряжения на интегральных схемах 142
    3.18 преобразователи постоянного тока в постоянный (расширенная тема) 146
    3.18.1 Повышающий преобразователь 146
    3.18.2 Понижающий преобразователь 149
    3.19 Цепи формирования волны 152
    3.19.1 Зажим или восстановление постоянного тока
    Схема 152
    3.19.2 Цепи ограничения или ограничения 153
    3.19.3 Двойные уровни отсечения 154
    3.19.4 Кусочно-линейная передача напряжения
    Характеристики 155
    3.20 Динамическое переключение
    Диод 155
    3.21 Фотодиоды, солнечные элементы и светоизлучающие
    Диоды 157
    3.21.1 Фотодиоды и фотоприемники 157
    3.21.2 Производство энергии от солнечной энергии
    Ячейки 158
    3.21.3 Светодиоды (светодиоды) 159
    Резюме 160
    Ключевые термины 162
    Список литературы 162
    Дополнительная литература 163
    Проблемы 163
    ГЛАВА 4
    ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 176
    4.1 Характеристики МОП-конденсатора 178
    4.1.1 Область накопления 178
    4.1.2 Область истощения 178
    4.1.3 Инверсионная область 179
    4.2 Транзистор NMOS 180
    4.2.1 Качественное поведение i-v NMOS
    Транзистор 181
    4.2.2 Характеристики триодной области
    NMOS Транзистор 183
    4.2.3 О сопротивлении 186
    4.2.4 Использование полевого МОП-транзистора в качестве
    Резистор с регулируемым напряжением 187
    4.2.5 Насыщенность i-v
    Характеристики 188
    4.2.6 Математическая модель в насыщении
    (Pinch-Off) Регион 189
    4.2.7 Крутизна 192
    4.2.8 Модуляция длины канала 192
    Содержание ix
    4.2.9 Передаточные характеристики
    и режим истощения
    МОП-транзисторы 194
    4.2.10 Эффект тела или субстрат
    Чувствительность 195
    4.3 PMOS Транзистора 197
    4.4 Обозначения схем полевого МОП-транзистора 199
    4.5 Изготовление и компоновка МОП-транзисторов
    Правила проектирования 202
    4.5.1 Минимальный размер и выравнивание элемента
    Допуск 202
    4.5.2 Схема 202 МОП-транзистора
    4.6 Емкости МОП-транзисторов 205
    4.6.1 Емкости NMOS-транзисторов в
    Триод регион 205
    4.6.2 Емкости при насыщении
    206 регион
    4.6.3 Емкости в отсечке 207
    4.7 Моделирование полевого МОП-транзистора в SPICE 207
    4.8 Смещение полевого транзистора NMOS 209
    4.9 Смещение полевого транзистора PMOS 228
    4.10 Источники тока и ток МОП
    Зеркало 232
    4.10.1 Анализ постоянного тока NMOS-тока
    Зеркало 234
    4.10.2 Изменение соотношения сторон МОП-зеркала 236
    4.10.3 Выходное сопротивление тока
    Зеркало 237
    4.10.4 Текущее расположение зеркала 238
    4.10.5 Множественные токовые зеркала 239
    4.11 Масштабирование МОП-транзистора 243
    4.11.1 Ток утечки 243
    4.11.2 Емкость затвора 243
    4.11.3 Цепи и плотности мощности 244
    4.11.4 Продукт задержки мощности 244
    4.11.5 Частота среза 245
    4.11.6 Ограничения высокого поля 246
    4.11.7 Допороговая проводимость 246
    4.12 Переходный полевой транзистор (JFET)
    (Расширенная тема) 247
    4.12.1 JFET с приложенным смещением 248
    4.12.2 Канал JFET со стоком-источником
    Смещение 248
    4.12.3 i -v характеристики n-канального JFET 251
    4.12.4 p-канальный полевой транзистор JFET 252
    4.12.5 Обозначения схем и модель JFET
    Резюме 252
    4.12.6 Емкости JFET 254
    4.13 МОДЕЛИРОВАНИЕ JFET В SPICE 254
    4.14 Смещение JFET и Depletion-Mode
    МОП-транзистор 255
    Резюме 258
    Ключевые термины 260
    Список литературы 261
    Проблемы 261
    К А П Т Е Р 5
    БИПОЛЯРНЫЕ ПЕРЕХОДНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 274
    5.1 Физическая структура биполярного транзистора 276
    5.2 Транспортная модель npn-транзистора 277
    5.2.1 Характеристики вперед 277
    5.2.2 Обратные характеристики 279
    5.2.3 Полная транспортная модель
    Уравнения для произвольного смещения
    Условия 281
    5.3 Транзистор pnp 283
    5.4 Представление эквивалентных схем для
    Транспортные модели 285
    5.5 Модель Эберса-Молла (* расширенная тема) 286
    5.5.1 Прямые характеристики npn
    Транзистор 287
    5.5.2 Обратные характеристики npn
    Транзистор 287
    5.5.3 Модель Эберса-Молла для npn
    Транзистор 287
    5.5.4 Модель Эберса-Молла для pnp
    Транзистор 288
    5.5.5 Представление эквивалентных схем для
    Модели Эберса-Молла 288
    5.6 Рабочие области биполярного расстройства
    Транзистор 289
    5.7 Характеристики i-v биполярного расстройства
    Транзистор 290
    5.7.1 Выходные характеристики 291
    5.7.2 Передаточные характеристики 293
    5.7.3 Напряжение пробоя перехода 294
    5.8 Транспорт меньшинства на базе
    295 регион
    5.8.1 Базовое время перехода 296
    5.8.2 Диффузионная емкость 298
    5.9 Упрощения транспортной модели 299
    5.9.1 Упрощенная модель отсечки
    299 регион
    5.9.2 Упрощения модели для
    Вперед-активная область 302
    5.9.3 Частотная зависимость
    Коэффициент усиления по току с общим эмиттером 306
    5.9.4 Крутизна 307
    5.9.5 Упрощенная модель для реверсивно-активного
    311 регион
    5.9.6 Операция моделирования в насыщении
    313 регион
    5.10 Ранний эффект и раннее напряжение 316
    5.10.1 Моделирование раннего эффекта 317
    5.10.2 Происхождение Раннего Эффекта 317
    5.11 Биполярная технология и SPICE-модель 318
    5.11.1 Качественное описание 318
    5.11.2 Уравнения модели SPICE 318
    5.11.3 Высокопроизводительный биполярный
    Транзисторы 321
    x Содержание
    5.12 Практические схемы смещения для BJT 322
    5.12.1 Схема смещения с четырьмя резисторами 322
    5.12.2 Цели проектирования четырехрезистора
    Сеть смещения 325
    5.13 Источники тока и биполярный ток
    Зеркало 330
    5.13.1 Токовое зеркало биполярного транзистора 331
    5.13.2 Текущий анализ зеркала 331
    5.13.3 Изменение токового зеркала БЮТ
    Передаточное отношение 333
    5.13.4 Выходное сопротивление тока
    Зеркало 335
    5.14 Допуски в цепях смещения 336
    5.14.1 Анализ наихудшего случая 337
    5.14.2 Анализ Монте-Карло 339
    Резюме 343
    Ключевые термины 344
    Список литературы 345
    Проблемы 345
    ЧАСТЬ ВТОРАЯ
    ЦИФРОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА 357
    ГЛАВА 6
    ВВЕДЕНИЕ В ЦИФРОВУЮ
    ЭЛЕКТРОНИКА 359
    6.1 Идеальные логические ворота 361
    6.2 Определения логического уровня и
    Запас шума 362
    6.2.1 Уровни логического напряжения 363
    6.2.2 Запас помехоустойчивости 364
    6.2.3 Цели проектирования логических ворот 365
    6.3 Динамический отклик логических вентилей 365
    6.3.1 Время нарастания и время падения 366
    6.3.2 Задержка распространения 367
    6.3.3 Устройство задержки питания 367
    6.4 Обзор булевой алгебры 368
    6.5 Диодная логика и DTL 371
    6.5.1 Диод OR Gate 371
    6.5.2 Диод И Затвор 372
    6.5.3 Диодно-транзисторная логика (DTL)
    Ворота 372
    6.6 Логическая схема NMOS 373
    6.6.1 Инвертор NMOS с резистивным сопротивлением
    Нагрузка 374
    6.6.2 Расчет отношения W / L MS 375
    6.6.3 Конструкция нагрузочного резистора 376
    6.6.4 Визуализация грузовой марки 376
    6.6.5 Сопротивление переключения при включении
    Устройство 378
    6.6.6 Анализ запаса шума 380
    6.6.7 Расчет VI L и VO H 380
    6.6.8 Расчет VI H и VO L 381
    6.6.9 Проблемы с резистором нагрузки 383
    6.6.10 Транзисторные альтернативы нагрузке
    Резистор 383
    6.7 Статический расчет насыщенной нагрузки NMOS
    Инвертор 384
    6.7.1 Расчет VH 386
    6.7.2 Расчет (W / L) S 387
    6.7.3 Анализ запаса шума 394
    6.8 Инвертор NMOS с устройством линейной нагрузки 397
    6.9 Инвертор NMOS с нагрузкой в ​​режиме истощения 398
    6.9.1 Расчет отношения W / L ML 399
    6.9.2 Расчет отношения W / L MS 399
    6.9.3 Запас шума для инвертора с
    Нагрузка в режиме истощения 400
    6.10 Обзор и сравнение инверторов NMOS 406
    6.11 NMOS NAND и NOR Gates 407
    6.11.1 NOR Gates 407
    6.11.2 NAND Gates 408
    6.11.3 Макеты шлюзов NOR и NAND в NMOS
    Технология режима истощения 410
    6.12 Комплексный логический дизайн NMOS 412
    6.12.1 Выбор между двумя
    Дизайн 414
    6.13 Рассеиваемая мощность 416
    6.13.1 Статическое рассеяние мощности 416
    6.13.2 Динамическое рассеяние мощности 417
    6.13.3 Масштабирование мощности в логических элементах МОП 419
    6.14 Динамическое поведение логических вентилей МОП 420
    6.14.1 Емкости в логических схемах 420
    6.14.2 Динамический отклик NMOS
    Инвертор с резистивной нагрузкой 421
    6.14.3 Инвертор NMOS с режимом истощения
    Нагрузка 429
    6.14.4 NMOS-инвертор с насыщенным
    Нагрузка 434
    6.15 Окончательное сравнение нагрузочных устройств 437
    6.16 Логика PMOS 442
    6.16.1 Преобразователи PMOS 443
    6.16.2 Шлюз NOR и NAND 443
    Резюме 445
    Ключевые термины 448
    Список литературы 448
    Дополнительное чтение 449
    Проблемы 449
    ГЛАВА 7
    ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ МОП (CMOS)
    ЛОГИЧЕСКИЙ ДИЗАЙН 462
    Технология инвертора 7.1 CMOS 463
    7.1.1 Схема инвертора CMOS 465
    Содержание xi
    7.2 Статические характеристики КМОП-преобразователя 466
    7.2.1 Передача напряжения CMOS
    Характеристики 467
    7.2.2 Запас шума для CMOS
    Инвертор 469
    7.3 Динамическое поведение CMOS инвертора 472
    7.3.1 Оценка задержки распространения 472
    7.3.2 Время нарастания и спада 474
    7.3.3 Задержка каскадных инверторов 476
    7.4 Рассеиваемая мощность и произведение задержки мощности
    в CMOS 478
    7.4.1 Статическое рассеяние мощности 478
    7.4.2 Динамическое рассеяние мощности 478
    7.4.3 Устройство задержки питания 479
    7.5 CMOS NOR и NAND Gates 480
    7.5.1 CMOS NOR Gate 481
    7.5.2 CMOS NAND Gates 484
    7.6 Проектирование сложных вентилей в CMOS 485
    7.7 Конструкция ворот минимального размера и
    Производительность 491
    7.8 Логика Dynamic Domino CMOS 493
    7.9 каскадных буферов 496
    7.9.1 Модель 496 с задержкой каскадного буфера
    7.9.2 Оптимальное количество ступеней 497
    7.10 Шлюз передачи КМОП 500
    7.11 CMOS Latchup 501
    Резюме 504
    Ключевые термины 505
    Список литературы 506
    Проблемы 506
    ГЛАВА 8
    ЦЕПИ ПАМЯТИ И ХРАНЕНИЯ MOS 515
    8.1 Оперативная память 516
    8.1.1 Оперативная память (RAM)
    Архитектура 517
    8.1.2 256-мегабайтный чип памяти 517
    8.2 Ячейки статической памяти 519
    8.2.1 Изоляция и доступ к ячейкам памяти?
    6-Т-клетка 520
    8.2.2 Операция чтения 521
    8.2.3 Запись данных в 6-Т-клетку 525
    8.3 ячейки динамической памяти 528
    8.3.1 Ячейка с одним транзистором 528
    8.3.2 Хранение данных в ячейке 1-T 528
    8.3.3 Считывание данных из 1-T Cell 530
    8.3.4 Ячейка с четырьмя транзисторами 532
    8.4 Усилители Чувства 533
    8.4.1 Усилитель чувствительности для 6-Т-клеток 533
    8.4.2 Усилитель восприятия 1-Т-клетки 536
    8.4.3 Цепь усиленной словарной строки 538
    8.4.4 КМОП-сенсорные усилители с тактовой частотой 539
    8.5 Декодеры адресов 540
    8.5.1 Декодер NOR 541
    8.5.2 Декодер NAND 542
    8.5.3 Декодеры в Domino CMOS Logic 543
    8.5.4 Декодер столбца проходного транзистора 544
    8.6 Постоянная память (ПЗУ) 546
    8.7 Вьетнамки 551
    8.7.1 RS-триггер 551
    8.7.2 D-защелка с использованием передачи
    Ворота 553
    8.7.3 D-триггер "ведущий-ведомый" 554
    Резюме 555
    Ключевые термины 555
    Список литературы 556
    Проблемы 557
    ГЛАВА 9
    БИПОЛЯРНЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЦЕПИ 563
    9.1 Токовый выключатель (пара с эмиттерной связью) 564
    9.1.1 Математическая модель статического поведения
    выключателя тока 565
    9.1.2 Анализ переключателя тока
    для vI> VREF 566
    9.1.3 Анализ переключателя тока
    для vI 
    
     

    Библиотека Конгресса США Тематические рубрики для этой публикации:

    Интегральные схемы - Проектирование и изготовление.
    Полупроводники - Дизайн и производство.
    Конструкция электронных схем.

    .

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.