Таблица транзисторов с характеристиками: MOSFET. Справочник. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

НОВАЯ ВЕРСИЯ САЙТА

Всем транзисторам, разработанным до 1964 года, присвоены условные обозначения по стандарту, установленному в 1959 году. Согласно этому стандарту условное обозначение транзисторов может состоять из трех элементов: первый — буквенный (П — плоскостной транзистор): второй — цифровой, указывающий на материал прибора (германий или кремний) и обычное применение или назначение транзистора. Основная классификация ведется по максимальной допустимой мощности, рассеиваемой на коллекторе Р

вт) и большой мощности (Рк. доп > 0,25 вт.), низкочастотные (fa < 5 Мгц) и высокочастотные (fa> > 5 Мгц).  Последний третий элемент обозначения — буквенный, указывающий разновидность прибора. Исключение из этого правила представляют транзисторы типа П4А—П4Д, которые являются транзисторами большой мощности.

Например, условное обозначение П13 расшифровывается: «транзистор низкочастотный, германиевый, малой мощности, типа 13».

В настоящее время эта система классификации транзисторов устарела и не соответствует возросшему количеству и разнообразию приборов. В связи с этим с 1964 года была введена новая система классификации и условных обозначений на полупроводниковые приборы, в том числе и на транзисторы. Согласно новому стандарту основная классификация ведется по исходному материалу, рассеиваемой прибором мощности и частотным свойствам.

В зависимости от этого транзисторы могут называться германиевыми или кремниевыми, малой, средней или большой мощности; транзисторами низкой, средней или высокой частоты. Энергетической характеристикой транзистора является мощность, рассеиваемая на коллекторе Р_к.доп,

ВЗАИМОЗАМЕНЯЕМОСТЬ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Наличие значительного количества типов и подтипов транзисторов связано с большим разнообразием технологических средств и приемов, а также исходных материалов, используемых при изготовлении транзисторов. Производство транзисторов — очень сложный и трудоемкий процесс, требующий высокой точности, чистоты и жесткого соблюдения технологических режимов. Выполнение всех этих требований связано с большими техническими трудностями, чем и объясняется имеющийся большой разброс параметров выпускаемых транзисторов. В связи с этим обычно указываются средние либо минимальные значения параметров, гарантированные для данного типа транзисторов. Наибольший разброс наблюдается у коэффициента усиления по току бета в схеме с общим эмиттером, обратного тока коллектора /_к0

Большой разброс параметров транзисторов делает весьма условными границы между типами транзисторов, что позволяет в ряде случаев без особых затруднений заменять одни транзисторы другими. При такой замене в первую очередь обращается внимание на параметры в режиме, при котором транзистор будет работать в данной схеме Фк, /к, Рк). Исходя из этих сведений подбираются типы транзисторов, обладающие некоторым запасом по указанным параметрам и необходимыми частотными и усилительными свойствами (fa или fmakс и beta). Предпочтение при этом отдается более дешевым и доступным транзисторам.

Например, имеется описание схемы усилителя низкой частоты на двух транзисторах типа МП41. Постоянное напряжение источника питания составляет 9 в, постоянный ток коллектора каждого транзистора не превышает 1—2 ма, а сама схема допускает применение транзисторов с beta = 20—40.

Из приведенных в приложении справочных таблиц видно, что в данном случае возможно применение транзисторов типа МП40, МП42А, МП42Б, а также некоторых образцов транзисторов МП39 и МП39Б.

Другой пример. В приемнике прямого усиления, рассчитанном для работы в диапазоне средних волн (СВ), где максимальная частота сигнала 1,6Мгц, рекомендуется применение транзисторов типа ГТ313А, приобрести которые по тем или иным причинам не удалось. Учитывая сказанное ранее о том, что для устранения влияния зависимости усилительных свойств транзисторов от частоты сигнала необходимо применять транзисторы, у которых граничная частота усиления fm по крайней мере в 20—30 раз выше максимальной частоты усиливаемого сигнала, делаем вывод, что возможно использование транзисторов с граничной частотой от 50 Мгц и выше. Как видно из таблицы 5, этому условию удовлетворяют практически все высокочастотные транзисторы, кроме П401 и КТ301, КТ301А. Поскольку ГТ313А — германиевый р-п-р транзистор, то, для того чтобы не вносить в схему устройства каких-либо дополнительных изменений, следует применить такой же проводимости германиевый транзистор, например, П402 или П403. Если же германиевый транзистор заменяется кремниевым, хотя бы и той же проводимости, то в большинстве случаев требуется проведение дополнительных изменений в схеме смещения вследствие большого различия в характере зависимости тока коллектора от напряжения смещения.

К сожалению, дать какой-либо конкретный рецепт замены транзисторов на все случаи жизни нельзя из-за чрезмерно большого числа типов выпускаемых транзисторов, а также вследствие огромного множества различных вариантов схем. Можно только рекомендовать стремиться производить замену транзисторов внутри группы наиболее близких по своему устройству и параметрам транзисторов. При этом допускается замена с улучшением или ухудшением параметров транзисторов. Лучше всего, когда заменяющий транзистор не уступает заменяемому ни по одному из предельно

Особо следует сказать о замене транзисторов, выпуск и продажа которых давно прекращены, но упоминание на страницах радиолюбительской литературы еще иногда встречается. Кроме того, в употреблении находится большое количество бытовой радиоэлектронной аппаратуры, где применяются транзисторы старых выпусков, что создает определенные трудности при ремонте. Например, согласно табл. транзистор П15 заменяется через МП41, П105 — МП 115, П420 —П401 и т. д. При такой замене каких-либо дополнительных изменений в схемах не требуется.

Нужно отметить, что труднее всего находить замену транзисторов начинающим радиолюбителям, которые еще не накопили достаточного опыта обращения с параметрами транзисторов, чтобы свободно сравнить их между собой, находя лучшие и худшие варианты для взаимной замены транзисторов.

Граничная частота f_{m определяет частоту, где гарантируется усиление потоку не менее единицы, а f2 — характеризует максимальную частоту, выше которой наблюдается резкое возрастание внутренних шумов транзистора. Наилучшими шумовыми характеристиками обладают транзисторы ГТ322А—ГТ322Е, у которых коэффициент шума не превосходит 4 дб. Распространенные в любительской практике транзисторы типа П401 — П403, имеют значительно худшие свойства. Из низкочастотных транзисторов в лучшую сторону отличаются транзисторы типа П27А и П27. Эти транзисторы применяются, как правило, в промышленной аппаратуре. Конструктивно они оформлены точно так же, как МП35— МП42, но отличаются от них значительно меньшим шумом. Для сравнения можно указать, что наименее «шумящим» из доступных любителям транзисторов является МП39Б, у которого коэффициент шума не более 12 дб, тогда как у остальных транзисторов типов МП39—МП42 он может составлять до 24 дб. По этой причине в первых каскадах усиления низкой частоты всегда желательно применение малошу-мящих транзисторов типа МП39Б, а еще лучше- П27А и П28.}

Можно, конечно, производить разбраковку транзисторов по величине интересующих параметров и выбирать наилучшие из них. Иногда это бывает полезным или необходимым. Но ввиду влияния на транзисторы различных внешних факторов и процесса естественного старения транзисторов, при конструировании аппаратуры целесообразно ориентироваться на средние, а еще лучше — на минимальные значения параметра.

Форум на сайте

на главную

пишите пожалуйста на

jaxik1@narod. ru

Полевые транзисторы “IRF…”

Справочник

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ “IRF…”

Мощные полевые ключевые транзисторы с изолированным затвором, n-канальные, обогащенного типа.

тип.

Uc-и max – максимально допустимое напряжение между стоком и истоком (V).

Ic max – максимально допустимый ток стока (А). Рmах • максимально допустимая мощность рассеяния на стоке (W).

Rc-и – минимальное эквивалентное сопротивление сток-исток в полностью открытом состоянии (Ohm).

Си – емкость стока (nF).

Uз-и (отс) — максимальное напряжение отсечки между затвором и истоком (V).

Uз-и max – пробивное напряж. затвор-исток (V). S(A/V) – крутизна ампер-вольтовой характеристики, от и до.

при Iс – ток стока (А) при котором измерялась

S(A/V).

СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ

Электроника СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ

просмотров – 874

Пример решения задачи 6.

Рассмотрим транзистор, характеристики которого приведены на рис.30, при заданных значениях E_C=10В, R_C=10кОм, =3,5В, C_Н=5пФ. По характеристикам находим при U_C=E_C:

,

=(2,2-1,5)/0,5=1,4мСм

U_{ост,граф}=0,5В,

Найденные значения довольно близки, расхождение объясняется, по-видимому, неточностью модели.

Мощности P₀, и P_тр, в замкнутом ключе:

P₀= E_C I_CН =10·10^-3=10мВт

P_тр= U_остI_CН=0,5·10^-3=0,5мВт.

Начальный ток I_C(0) в момент подачи отпирающего импульса находится по выходным характеристикам:

I_C(0)=2,2мА.

Длительности фронта и среза импульса, соответственно:

t_ф = 2,3 R_CC_Н=2,3·10⁴·5·10^-12=11,5·10^-8с ≈ 0,1мкс,

t_c=1,5[E_CC_Н / I_C(0)]=1,5·10·5·10^-12 ⁄ 0,0022=3,4·10^-8с=34нс.

Длительности среза в данном случае примерно в три раза меньше длительности фронта.

ПРИЛОЖЕНИЕ 1.

ПРИЛОЖЕНИЕ 2.

ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ПАРАМЕТРЫ БИПОЛЯРНЫХ

И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Таблица 1.

Высокочастотные параметры биполярных транзисторов.

Таблица 2.

Высокочастотные параметры полевых транзисторов.

ПРИЛОЖЕНИЕ 3.

ТАБЛИЦЫ ВАРИАНТОВ ЗАДАНИЙ

Таблица 1.

Варианты заданий для нечетной предпоследней цифры

Продолжение таблицы 1.

Таблица 2.

Варианты заданий для четной предпоследней цифры

Продолжение таблицы 2.

Читайте также

Характеристики германиевых транзисторов П210

П210 – германиевые сплавные транзисторы p-n-p большой мощности низкой частоты. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих схемах, блоках питания. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.

Корпусное исполнение и цоколевка П210

Характеристики транзистора П210

Предельные параметры П210

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_{К max}):

• П210В, П210А, П210Б, П210 – 12 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_{К, и max}):

Граничное напряжение биполярного транзистора (U_{КЭ0 гр}) при Т_п = 25° C:

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю (U_{КЭ0 max}) при Т_п = 25° C:

• П210В – 40 В
• П210Б – 50 В
• П210 – 60 В

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттеpа, равном нулю (U_{КБ0 max}) при Т_п = 25° C:

• П210В – 45 В
• П210А, П210Б – 65 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (U_{ЭБ0 max}) при Т_п = 25° C:

• П210Ш, П210В, П210А, П210Б – 25 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора (P_{К max}) при Т_к = 25° C:

• П210В, П210Б – 45 Вт
• П210А, П210 – 60 Вт

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность транзистора (P_max) при Т_к = 25° C:

Максимально допустимая температура перехода (T_{п max}):

• П210Ш, П210А, П210 – 85 ° C

Максимально допустимая температура корпуса (T_{к max}):

• П210Ш, П210А – 70 ° C

Максимально допустимая температура окружающей среды (T_max):

• П210В, П210Б – 70 ° C

Электрические характеристики транзисторов П210 при Т

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h_21Э)

• П210Ш – 15 – 60 при U_КЭ 1 В, при I_К 7 А
• П210В, П210Б – 10 при U_КЭ 2 В, при I_К 5 А
• П210А – 15 при U_КЭ 2 В, при I_К 5 А
• П210 – 15

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (U_{КЭ нас})

Обратный ток коллектоpа (I_КБ0)

• П210Ш – 8 мА
• П210В – 15 мА
• П210А – 8 мА
• П210Б – 15 мА
• П210 – 12 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_гр)

• П210Ш – 0,1 МГц
• П210А – 0,1 МГц

Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора (f_h31)

• П210В, П210Б, П210 – 0,1 МГц

Тепловое сопротивление переход-корпус (R_{Т п-к})

• П210Ш, П210В, П210А, П210Б – 1 ° C/Вт
• П210 – 5 ° C/Вт

Опубликовано 13.02.2020

характеристики полевых транзисторов

2N3903 – Транзисторы общего назначения

% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 объект / Title (2N3903 – Транзисторы общего назначения) >> эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 объект > транслировать BroadVision, Inc.2021-08-06T13: 26: 57 + 02: 002021-08-03T15: 00: 35 + 02: 002021-08-06T13: 26: 57 + 02: 00application / pdf

Сравнение конфигураций транзисторов – Inst Tools

Транзистор имеет три вывода, а именно ., эмиттерные, базовые и коллекторные клеммы. Однако, когда транзистор должен быть включен в цепь, нам потребуется четыре вывода; два для входа и два для выхода. Эту трудность можно преодолеть, сделав один вывод транзистора общим как для входных, так и для выходных клемм. Вход подается между этой общей клеммой и одной из двух других клемм. Выходной сигнал получается между общим выводом и оставшимся выводом. Соответственно; транзистор может быть включен в цепь тремя способами:

( i ) соединение с общей базой

( i i ) подключение общего эмиттера

( ii i ) подключение общего коллектора

Каждая схема подключения имеет свои преимущества и недостатки.Здесь можно отметить, что независимо от схемы подключения эмиттер всегда смещен в прямом направлении, а коллектор всегда имеет обратное смещение.

Сравнение схем транзисторов

Ниже приводится сравнение различных характеристик трех соединений.

Сравнение усилителей CB, CE и CC

( i ) Цепь выключателя

Входное сопротивление ( r i ) цепи CB низкое, потому что I E высокое.Выходное сопротивление ( r o ) высокое из-за обратного напряжения на коллекторе. Он не имеет коэффициента усиления по току (α <1), но коэффициент усиления по напряжению может быть высоким. Цепь CB используется редко. Единственным преимуществом схемы CB является то, что она обеспечивает хорошую устойчивость к повышению температуры.

( i i ) Цепь CE

Входное сопротивление ( r i ) цепи CE высокое из-за малого I B .Следовательно, r i для схемы CE намного выше, чем для схемы CB . Выходное сопротивление ( r o ) цепи CE меньше, чем у цепи CB . Коэффициент усиления по току цепи CE велик, потому что I C намного больше, чем I B . Коэффициент усиления по напряжению цепи CE больше, чем у схемы CB . Схема CE обычно используется, потому что она имеет наилучшее сочетание усиления по напряжению и по току.Недостатком схемы CE является то, что в цепи усиливается ток утечки, но можно использовать методы стабилизации смещения.

( ii i ) Цепь CC

Входное сопротивление ( r i ) и выходное сопротивление ( r o ) схемы CC соответственно высокое и низкое по сравнению с другими схемами. В цепи CC нет усиления по напряжению ( A v <1).Эта схема часто используется для согласования импеданса.

| Входные и выходные характеристики

Для исследования характеристик транзистора с общей базой диода (двухполюсного устройства) применяется несколько уровней прямого или обратного напряжения смещения и измеряются результирующие уровни тока. Затем характеристики устройства выводятся путем построения графика зависимости тока от напряжения.Поскольку транзистор является трехконтактным устройством, существует три возможных варианта (конфигурации) подключения для исследования его характеристик транзистора с общей базой. Из каждой из этих конфигураций можно получить три набора характеристик транзистора с общей базой.

На рис. 4-20 показан pnp-транзистор с общей клеммой базы как для входного (EB), так и для выходного (CB) напряжения. Говорят, что транзистор подключен по схеме с общей базой .В комплект входят вольтметры и амперметры для измерения входных и выходных напряжений и токов.

Для определения входных характеристик конфигурации с общей базой выходное напряжение (CB) поддерживается постоянным, а входное (EB) напряжение устанавливается на нескольких удобных уровнях. Для каждого уровня входного напряжения записывается входной ток I _E . Затем строится график зависимости I _E от V _EB , чтобы получить входные характеристики общей базовой конфигурации, показанной на рис.4-21.

Поскольку EB-переход смещен в прямом направлении, входные характеристики с общей базой по существу аналогичны характеристикам pn-перехода с прямым смещением. Рисунок 4-21 также показывает, что для данного уровня входного напряжения больше входного тока протекает, когда используются более высокие уровни напряжения выключателя. Это связано с тем, что более высокие напряжения CB (, обратное смещение, ) заставляют область обеднения на переходе CB проникать глубже в базу транзистора, таким образом сокращая расстояние и уменьшая сопротивление между областями истощения EB и CB.

Ток эмиттера I _E поддерживается постоянным на каждом из нескольких фиксированных уровней. Для каждого фиксированного уровня I _E выходное напряжение V _CB регулируется удобными шагами, и регистрируются соответствующие уровни тока коллектора I _C . Таким образом получается таблица значений, из которой может быть построено семейство выходных характеристик. На рис. 4-22 нанесены соответствующие уровни I _C и V _CB , полученные, когда I _E поддерживался постоянным на уровне 1 мА, и полученные характеристики транзистора с общей базой обозначены как I _E = 1 мА. .Аналогичным образом, другие характеристики нанесены на график для уровней I _E : 2 мА, 3 мА, 4 мА и 5 мА.

Выходные характеристики общей базовой конфигурации, показанные на рис. 4-22, показывают, что для каждого фиксированного уровня I _E , I _C почти равен I _E и, по-видимому, остается постоянным, когда V _CB увеличена. Фактически, есть очень небольшое увеличение I _C с увеличением V _CB . Это связано с тем, что увеличение напряжения смещения коллектор-база (V _CB ) расширяет область истощения CB и, таким образом, сокращает расстояние между двумя областями истощения.При постоянном значении I _E увеличение I _C настолько мало, что заметно только при больших изменениях V _CB .